CN115881503A - 等离子体处理装置和盖构件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及等离子体处理装置和盖构件。即使在处理容器的上部配置有放射微波的放射部的情况下，也能够利用远程等离子体进行清洁。处理容器在内部配置有载置基板的载置台，该处理容器在载置台的上侧形成有开口。盖构件将处理容器的开口密封。盖构件在与载置台相对的区域形成有用于配置放射微波的放射部的一个或多个贯通孔，盖构件在成为处理容器的内部侧的第1面形成有沿着开口的边缘向处理容器的内部侧突出的突出部，在突出部的内部形成有流路，在第1面形成有与流路连通的多个气孔，盖构件在成为处理容器的外部侧的第2面形成有与流路连通的供给口。远程等离子体单元与供给口连接，将清洁气体等离子体化并向供给口供给。

Description

等离子体处理装置和盖构件

技术领域

本公开涉及等离子体处理装置和盖构件。

背景技术

在专利文献1中公开了如下结构：在腔室(处理容器)的上部配置远程等离子体单元，利用远程等离子体单元将清洁气体等离子体化并向腔室内供给。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-319042号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种即使在处理容器的上部配置有放射微波的放射部的情况下也能够利用远程等离子体进行清洁的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的等离子体处理装置具有处理容器、盖构件和远程等离子体单元。处理容器在内部配置有载置基板的载置台，该处理容器在载置台的上侧形成有开口。盖构件将处理容器的开口密封。盖构件在与载置台相对的区域形成有用于配置放射微波的放射部的一个或多个贯通孔，盖构件在成为处理容器的内部侧的第1面形成有沿着开口的边缘向处理容器的内部侧突出的突出部，在突出部的内部形成有流路，在第1面形成有与流路连通的多个气孔，盖构件在成为处理容器的外部侧的第2面形成有与流路连通的供给口。远程等离子体单元与供给口连接，将清洁气体等离子体化并向供给口供给。

发明的效果

根据本公开，即使在处理容器的上部配置有放射微波的放射部的情况下，也能够利用远程等离子体实施清洁。

附图说明

图1是示意性地表示实施方式的等离子体处理装置的一个例子的剖视图。

图2是表示实施方式的顶壁部的结构的一个例子的图。

图3是表示实施方式的顶壁部的结构的一个例子的图。

图4是表示实施方式的顶壁部的结构的一个例子的放大图。

图5是表示实施方式的顶壁部的结构的另一例子的放大图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本申请所公开的等离子体处理装置和盖构件的实施方式详细地进行说明。此外，所公开的等离子体处理装置和盖构件并不限定于本实施方式。

近年，伴随着半导体产品的高密度化和高微细化，在半导体产品的制造工序中，正在使用在成膜处理中使用了微波的等离子体处理装置。在这样的等离子体处理装置中，在对处理容器的上表面进行密封的盖构件配置微波放射机构等放射微波的放射部，自放射部向处理容器内放射微波而生成等离子体。等离子体处理装置通过使用微波，从而即使在压力比较低的高真空状态下，也能够稳定地维持等离子体。另外，等离子体处理装置通过使用微波，从而能够产生高密度等离子体。

另外，在等离子体处理装置进行了成膜处理的情况下，沉积物在处理容器内的内壁面等处理容器内的构造物表面沉积。因此，考虑进行向处理容器内供给利用远程等离子体单元等离子体化了的清洁气体来去除沉积物的清洁。若流路较长，则利用远程等离子体单元等离子体化了的清洁气体会在中途失活。因此，在以往技术中，将远程等离子体单元配置于盖构件之上等处理容器的上部，以缩短等离子体化了的清洁气体流动的流路。但是，使用了微波的等离子体处理装置在处理容器的上部配置有放射部，因而无法在处理容器的上部配置远程等离子体单元。因此，期待一种即使在处理容器的上部配置有放射微波的放射部的情况下也能够利用远程等离子体进行清洁的技术。

[实施方式]

对本公开的等离子体处理装置的一个例子进行说明。图1是示意性地表示实施方式的等离子体处理装置100的一个例子的剖视图。图1所示的等离子体处理装置100具有处理容器101、载置台102、气体供给机构103、排气装置104以及微波导入装置105。

处理容器101收纳半导体晶圆等基板W。处理容器101在内部设有载置台102。在载置台102载置基板W。气体供给机构103向处理容器101内供给气体。排气装置104对处理容器101内进行排气。微波导入装置105产生用于在处理容器101内生成等离子体的微波，并且向处理容器101内导入微波。

处理容器101例如由铝及其合金等金属材料形成，呈大致圆筒形状。处理容器101具有板状的顶壁部200和底壁部113、以及将它们连结的侧壁部112。处理容器101构成为构成上表面的顶壁部200能够装卸。处理容器101在载置台102的上侧形成有开口101a。顶壁部200形成为与处理容器101的开口101a对应的形状，将开口101a密封。在实施方式中，顶壁部200对应于本公开的盖部件。处理容器101的内壁利用氧化钇(Y₂O₃)等涂覆而设有保护膜。微波导入装置105设于处理容器101的上部，向处理容器101内导入电磁波(微波)而生成等离子体。关于微波导入装置105，随后详细说明。

顶壁部200具有供微波导入装置105的后述的微波放射机构143和气体导入喷嘴123嵌入的多个贯通孔201、202。侧壁部112具有用于与输送室(未图示)之间进行基板W的送入送出的送入送出口114，该输送室与处理容器101相邻。另外，侧壁部112在比载置台102靠上侧的位置设有气体导入喷嘴124。送入送出口114利用闸阀115进行开闭。

在底壁部113设有开口113a，经由与开口113a连接的排气管116设有排气装置104。排气装置104具备真空泵和压力控制阀。利用排气装置104的真空泵经由排气管116对处理容器101内进行排气。处理容器101内的压力由排气装置104的压力控制阀控制。

载置台102形成为圆板状。载置台102由金属材料或者陶瓷材料构成，金属材料例如为在表面实施有阳极氧化处理的铝，陶瓷材料例如为氮化铝(AlN)。载置台102在上表面载置基板W。载置台102利用自处理容器101的底部中央向上方延伸的圆筒状的由AlN等陶瓷构成的支承构件120和基部构件121支承。在载置台102的外缘部设有用于引导基板W的引导环181。另外，在载置台102的内部，以能够相对于载置台102的上表面突出没入的方式设有用于使基板W升降的升降销(未图示)。

而且，在载置台102埋入有加热器182。加热器182通过自加热器电源183供电而对载置于载置台102的基板W进行加热。另外，载置台102插入有热电偶(未图示)，能够基于来自热电偶的信号来控制基板W的加热温度。而且，载置台102在加热器182的上方埋设有与基板W相同程度大小的电极184。在电极184电连接有高频偏压电源122。高频偏压电源122对载置台102施加用于引入离子的高频偏压。此外，根据等离子体处理的特性，也可以不设置高频偏压电源122。

气体供给机构103向处理容器101内供给各种气体。气体供给机构103具有气体导入喷嘴123、124、气体供给配管125、126和气体供给部127。气体导入喷嘴123嵌入于在处理容器101的顶壁部200形成的贯通孔202。气体导入喷嘴124嵌入于在处理容器101的侧壁部112形成的贯通孔112a。气体供给部127经由气体供给配管125与各气体导入喷嘴123连接。另外，气体供给部127经由气体供给配管126与各气体导入喷嘴124连接。气体供给部127具有各种气体的供给源。另外，气体供给部127具备进行各种气体的供给开始以及供给停止的开闭阀、调整气体的流量的流量调整部。例如，在实施成膜处理的情况下，气体供给部127供给含有成膜材料的处理气体。另外，在实施等离子体清洁的情况下，气体供给部127供给清洁气体。

微波导入装置105设于处理容器101的上方。微波导入装置105向处理容器101内导入电磁波(微波)而生成等离子体。

微波导入装置105具有处理容器101的顶壁部200、微波输出部130和天线单元140。顶壁部200作为处理容器101的顶板发挥功能。微波输出部130生成微波，并且将微波向多个路径分配并输出。天线单元140将自微波输出部130输出过来的微波向处理容器101导入。

微波输出部130具有微波电源、微波振荡器、放大器和分配器。微波振荡器为固态，例如以860MHz使微波振荡(例如PLL振荡)。此外，微波的频率不限定于860MHz，能够使用2.45GHz、8.35GHz、5.8GHz、1.98GHz等700MHz～10GHz的范围内的频率。放大器将由微波振荡器振荡了的微波放大。分配器将由放大器放大了的微波向多个路径分配。分配器一边使输入侧和输出侧的阻抗匹配，一边分配微波。

天线单元140具有多个天线模块。在图1中示出了天线单元140的三个天线模块。各天线模块具有放大器部142和微波放射机构143。微波输出部130生成微波，并且对微波进行分配而向各天线模块输出。天线模块的放大器部142主要将所分配的微波放大而向微波放射机构143输出。微波放射机构143设于顶壁部200。微波放射机构143将自放大器部142输出过来的微波向处理容器101内放射。

放大器部142具有相位器、可变增益放大器、主放大器和隔离器。相位器使微波的相位变化。可变增益放大器调整向主放大器输入的微波的电力水平。主放大器构成为固态放大器。隔离器对由后述的微波放射机构143的天线部反射而去向主放大器的反射微波进行分离。

如图1所示，多个微波放射机构143分别配置于顶壁部200。微波放射机构143具有呈筒状的外侧导体和在外侧导体内与外侧导体同轴状地设置的内侧导体。另外，微波放射机构143在外侧导体与内侧导体之间具有：同轴管，其具有微波传输路径；和天线部，其将微波向处理容器101内放射。在天线部的下表面侧设有微波透射板163。微波透射板163的下表面暴露于处理容器101的内部空间。从微波透射板163透射过去的微波在处理容器101内的空间生成等离子体。

图2是表示实施方式的顶壁部200的结构的一个例子的图。在图2中示出了表示顶壁部200的成为处理容器101的内部侧的下表面200a的立体图。如图2所示，在顶壁部200设有七个用于配置天线模块的微波放射机构143的贯通孔201。在顶壁部200，以六个贯通孔201成为正六边形的顶点的方式配置贯通孔201a，另外一个贯通孔201在正六边形的中心位置配置为贯通孔201b。七个贯通孔201以相邻的贯通孔201成为等间隔的方式配置。在七个贯通孔201分别配置微波放射机构143。由此，在顶壁部200，微波放射机构143等间隔地配置。另外，在顶壁部200以包围中央的贯通孔201b的周围的方式配置有多个贯通孔202。气体供给机构103的多个气体导入喷嘴123分别嵌入于多个贯通孔202。此外，设于顶壁部200的天线模块的数量不限定于七个。

在此，简单地说明成膜的流程。等离子体处理装置100在载置台102载置基板W。等离子体处理装置100对载置于载置台102的基板W实施成膜处理。例如，等离子体处理装置100自高频偏压电源122向载置台102施加偏压电力。另外，等离子体处理装置100自气体供给部127向处理容器101内供给含有成膜材料的处理气体，并且自微波导入装置105向处理容器101内导入微波而生成等离子体，在基板W形成含硅膜。

在等离子体处理装置100进行了成膜处理的情况下，沉积物在处理容器101内的构造物表面沉积。因此，等离子体处理装置100实施使清洁气体向处理容器101内流动并且生成等离子体来去除沉积物的等离子体清洁。

在此，利用来自微波导入装置105的微波进行的等离子体清洁的攻击较强，有时会在处理容器101内的构件产生损伤。另一方面，利用远程等离子体进行的等离子体清洁的攻击较弱，能够抑制对处理容器101内的构件造成的损伤。因此，本实施方式的等离子体处理装置100为了能够利用远程等离子体进行等离子体清洁而设为以下这样的结构。

如图1所示，顶壁部200形成为与处理容器101的开口101a对应的形状。在本实施方式中，处理容器101形成为大致圆筒形状，开口101a在处理容器101的上侧形成为圆形。顶壁部200与处理容器101的开口101a对应地形成为圆形。顶壁部200将处理容器101的开口101a密封。

如图1和图2所示，顶壁部200的成为处理容器101的内部侧的下表面200a的中央部分形成为大致平坦。顶壁部200在下表面200a的中央部分的与载置台102相对的区域形成有用于配置天线模块的微波放射机构143的贯通孔201。另外，顶壁部200在下表面200a形成有沿着开口101a的边缘向处理容器101的内部侧突出的突出部210。突出部210以包围下表面200a的中央部分的方式形成为环状。

图3是表示实施方式的顶壁部200的结构的一个例子的图。在图3中示出了表示顶壁部200的成为处理容器101的外部侧的上表面200b和侧面200c的立体图。另外，在图3中，用虚线表示顶壁部200的内部的结构。如虚线所示，顶壁部200在突出部210的内部形成有流路220。流路220沿着突出部210在突出部210的内部形成为环状。顶壁部200通过使突出部210突出，从而能够将流路220的截面形成得较大。从机械加工的容易度出发，流路220的内表面形成为将大致平坦的面组合而成的截面呈矩形状的形状。由此，能够增大流路220的截面。另外，即使在如后述那样将气孔226的孔径设为在处理容器101侧较大的形状的情况下，也能够确保能够形成这样的形状的气孔226的最低限度的壁厚，并且增大流路220的截面积。顶壁部200通过像这样增大流路220的截面，从而使等离子体化了的清洁气体的流动良好，另外，能够抑制等离子体化了的清洁气体的失活。

顶壁部200在成为处理容器101的外部侧的面形成有与流路220连通的供给口230。在本实施方式中，在顶壁部200的侧面200c形成有与流路220连通的供给口230。顶壁部200的形成有供给口230的部分向外周侧扩张。流路220也在形成有供给口230的部分向外周侧扩张。

顶壁部200在下表面200a的被突出部210包围的中央部分的内部形成有与流路220连通的中央流路。在本实施方式中，作为中央流路，在中央部分的内部形成有流路221。流路221以包围贯通孔201b的方式形成为环状。另外，在本实施方式中，作为中央流路，形成有将流路220和流路221连接的流路222。在本实施方式中，形成有两个流路222。流路221和流路222的截面形成为矩形状，以增大内部的体积。

如图1所示，在供给口230连接有远程等离子体单元240。在清洁时，向远程等离子体单元240供给清洁气体。远程等离子体单元240将供给来的清洁气体等离子体化并向供给口230供给。等离子体化了的清洁气体自供给口230在流路220内流动，另外，自流路220向流路222、221流动。

图4是表示实施方式的顶壁部200的结构的一个例子的放大图。在图4中示出了顶壁部200的供给口230附近的向外周侧扩张而成的部分的流路220内的结构。流路220在下表面200a侧的内壁形成有台阶223。台阶223构成为包含高度不同的两个面223a、223b和面223a、223b之间的垂直方向上的面223c。此外，在本实施方式中，在台阶223的面223c、223b之间还形成有倾斜的面223d。

如图1、图2以及图4所示，顶壁部200相对于下表面200a的被突出部210包围的中央部分在突出部210形成有向处理容器101的内部侧倾斜的倾斜面224。另外，顶壁部200在下表面200a形成有抑制表面波的传播的规定角度以上的角度的变化。例如，顶壁部200在与处理容器101的内侧面连接的面相对于该内侧面以抑制表面波的传播的规定角度以上的角度形成有平坦面225。平坦面225是在下表面200a形成有规定角度以上的角度的变化的一个例子。在本实施方式中，在倾斜面224的外侧形成有平坦面225。平坦面225形成为与侧壁部112成直角。通过像这样形成平坦面225，从而能够在等离子体处理时抑制自顶壁部200的中央部分传播的表面波向处理容器101的侧壁部112传播。此外，通过以使平坦面225与侧壁部112所成的角度为锐角的方式设置相当于平坦面225的面，从而能够进一步抑制向处理容器101的侧壁部112传播的表面波。

如图2和图4所示，顶壁部200在成为处理容器101的内部侧的下表面200a的突出部210形成有与流路220连通的多个气孔226。多个气孔226形成为相对于倾斜面224在两个方向上针对每个方向分别贯通于构成台阶223的两个面。在本实施方式中，顶壁部200分别沿着突出部210排列地形成有在大致水平方向上贯通的气孔226a和在大致垂直方向上贯通的气孔226b。气孔226a与气孔226b逐个交替地以在周向上位置不重叠的方式彼此错开地设置。气孔226a排列地设置于突出部210的倾斜面224，分别贯通构成台阶223的面223c。气孔226b排列地设置于突出部210的平坦面225，分别贯通构成台阶223的水平方向上的面223a。像这样，顶壁部200通过将大致水平方向上的气孔226a设于台阶223的垂直方向上的面223c并将大致垂直方向上的气孔226b设于台阶223的水平方向上的面223a，从而能够容易地进行形成气孔226a、226b的机械加工。

气孔226a将流路220内的清洁气体向中心侧喷出。气孔226b将流路220内的清洁气体向下方喷出。气孔226(226a、226b)的靠下表面200a侧的直径形成得较大。由此，气孔226的孔径在处理容器101侧较大，因此，喷出的清洁气体容易扩散，并且抑制气孔226处的异常放电。另外，顶壁部200通过将气孔226a与气孔226b彼此错开地设置，从而能够进行减少了彼此的影响的清洁气体的喷出。

另外，如图2所示，顶壁部200在成为处理容器101的内部侧的下表面200a的中央部分形成有与流路221连通的多个气孔227。多个气孔227以相对于下表面200a在垂直方向上贯通的方式形成。气孔227将流路221内的清洁气体向下方喷出。气孔227也与气孔226同样，靠下表面200a侧的直径形成得较大。由此，气孔227的孔径在处理容器101侧较大，因此，喷出的清洁气体容易扩散，并且抑制气孔227处的异常放电。

在此，对于顶壁部200，自一个供给口230向流路220供给等离子体化了的清洁气体。因此，对于顶壁部200，在分别以同样的孔径均匀地配置有气孔226、气孔227的情况下，在供给口230侧清洁气体的喷出量较多，处理容器101内的清洁气体的分布不均匀。因此，考虑根据气孔226、227的位置来改变气孔226、227的孔径而使清洁气体的喷出均匀化。但是，气孔226、227的加工精度存在公差，难以通过改变气孔226、227的孔径来使清洁气体的喷出均匀化。

因此，对于顶壁部200，以使向供给口230供给的等离子体化了的清洁气体自多个气孔226、227向处理容器101的内部均匀地喷出的方式改变气孔226、227的间隔而进行配置。顶壁部200分别将多个气孔226和多个气孔227在与供给口230侧相反的一侧配置得比供给口230侧密。由此，顶壁部200能够使清洁气体的喷出均匀化。

接着，简单地说明等离子体清洁的流程。等离子体处理装置100每当成膜了规定张数的基板W、或每当成膜了规定累积膜厚等成为实施等离子体清洁的时刻时，实施等离子体清洁。在实施等离子体清洁时，等离子体处理装置100将处理容器101内调整为适于等离子体清洁的规定的压力。然后，等离子体处理装置100向远程等离子体单元240供给清洁气体，利用远程等离子体单元240将清洁气体等离子体化并自供给口230向顶壁部200供给。供给到供给口230的清洁气体在流路220内流动，另外，自流路220向流路222、221流动，而自气孔226、气孔227向处理容器101内喷出。在等离子体处理装置100中，利用自顶壁部200供给的清洁气体，实施处理容器101内的等离子体清洁。

在此，对于本实施方式的等离子体处理装置100，微波放射机构143等微波导入装置105排列于装置上部，另外，穿过该微波放射机构143之间的间隙地导入工艺气体。这些布局在成膜工艺中较为重要，因此不易变更。

另一方面，本实施方式的等离子体处理装置100通过使用顶壁部200，从而不会对处理容器101的上部的微波导入装置105等的布局造成影响，而能够利用远程等离子体实施清洁。

此外，在上述的实施方式中，以在倾斜面224的外侧形成有平坦面225的情况为例进行了说明。但是，并不限定于此。平坦面225也可以设于倾斜面224的内侧、倾斜面224的中途。另外，顶壁部200也可以不设置平坦面225，而设为倾斜面224与侧壁部112相连的结构。

另外，在上述的实施方式中，以气孔226和气孔227的靠下表面200a侧的直径形成得较大的情况为例进行了说明。但是，并不限定于此。例如，气孔226和气孔227中的一者或两者也可以以大致恒定的直径形成。

图5是表示实施方式的顶壁部200的结构的另一例子的放大图。在图5中示出了顶壁部200的供给口230附近的向外周侧扩张而成的部分的流路220内的结构。在图5所示的顶壁部200中，倾斜面224设为与大致齐平于侧壁部112的面相连的结构。另外，在图5所示的顶壁部200中，气孔226以大致恒定的直径形成。

另外，在上述的实施方式中，以在处理容器101的侧面200c形成有供给口230的情况为例进行了说明。但是，并不限定于此。供给口230也可以设于上表面200b的不与微波放射机构143重叠的周边的区域。

如以上这样，实施方式的等离子体处理装置100具有处理容器101、顶壁部200(盖部件)和远程等离子体单元240。处理容器101在内部配置有载置基板W的载置台102，该处理容器101在载置台102的上侧形成有开口101a。顶壁部200将处理容器101的开口101a密封。顶壁部200在与载置台102相对的区域形成有用于配置放射微波的微波放射机构143(放射部)的一个或多个贯通孔201，顶壁部200在成为处理容器101的内部侧的下表面200a(第1面)形成有沿着开口101a的边缘向处理容器101的内部侧突出的突出部210，在突出部210的内部形成有流路220，在下表面200a形成有与流路220连通的多个气孔，顶壁部200在成为处理容器101的外部侧的上表面200b或侧面200c(第2面)形成有与流路220连通的供给口230。远程等离子体单元240与供给口230连接，将清洁气体等离子体化并向供给口230供给。由此，等离子体处理装置100即使在处理容器101的上部配置有放射部的情况下，也能够利用远程等离子体实施清洁。另外，等离子体处理装置100通过使突出部210突出，从而能够将流路220的截面形成得较大，使等离子体化了的清洁气体的流动良好，另外，能够抑制等离子体化了的清洁气体的失活。

另外，顶壁部200相对于下表面200a的被突出部210包围的中央部分在突出部210形成有向处理容器101的内部侧倾斜的倾斜面224，在倾斜面224形成有多个气孔226。像这样，在顶壁部200的突出部210相对于中央部分形成倾斜的倾斜面224，从而能够使从处理容器101的开口101a的方向观察到的孔形状为椭圆，能够使气体在处理容器101容易扩散。另外，在倾斜面224形成多个气孔226，从而能够以自水平方向到垂直方向的所有角度照射清洁气体的自由基。由此，能够将自由基照射到顶壁部200的下表面200a的微波放射机构143的配置部分、载置台102、处理容器101的侧壁、底面。

顶壁部200相对于倾斜面224至少在两个方向上针对每个方向排列地形成有多个气孔226。由此，能够向处理容器101内的多个方向喷出清洁气体，能够使清洁气体快速地在处理容器101内扩散。

另外，顶壁部200在流路220的靠下表面200a侧的内壁形成有台阶223，多个气孔226(226a、226b)形成为相对于倾斜面224在两个方向上针对每个方向分别贯通于构成台阶223的两个面(面223a、223c)。由此，能够容易地进行形成气孔226的机械加工。

另外，顶壁部200在下表面200a形成有抑制表面波的传播的规定角度以上的角度的变化。另外，顶壁部200在与处理容器101的内侧面连接的面相对于该内侧面以抑制表面波的传播的规定角度以上的角度形成有平坦面225。由此，能够抑制自顶壁部200的中央部分传播的表面波向处理容器101的侧壁部112传播。

另外，顶壁部200在下表面200a的被突出部210包围的中央部分的内部形成有与流路220连通的中央流路(流路221、222)，在中央部分形成有与中央流路连通的多个气孔227。由此，能够自顶壁部200的中央部分喷出清洁气体，能够使清洁气体快速地在处理容器101内扩散。

另外，顶壁部200以使向供给口230供给的等离子体化了的清洁气体自多个气孔226、227向处理容器101的内部均匀地喷出的方式改变多个气孔226、227的间隔而进行配置。由此，能够使清洁气体向处理容器101的内部均匀地喷出。

另外，顶壁部200将多个气孔226、227在与供给口230侧相反的一侧配置得比供给口230侧密。由此，能够使清洗气体向处理容器101的内部均匀地喷出。

另外，多个气孔226、227的靠下表面200a侧的直径形成得较大。由此，能够使自气孔226、227喷出的清洁气体容易扩散，并且抑制气孔226、227处的异常放电。

以上，对实施方式进行了说明，但应该认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示而不是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以各种各样的方式来具体实现。另外，上述的实施方式也可以在不脱离权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的方式进行省略、置换、变更。

例如，在上述的实施方式中，以基板W是半导体晶圆的情况为例进行了说明，但并不限定于此。基板W也可以是任意的基板。

Claims (11)

1.一种等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置具有：

处理容器，其在内部配置有载置基板的载置台，该处理容器在所述载置台的上侧形成有开口；

盖构件，其将所述处理容器的所述开口密封，且所述盖构件在与所述载置台相对的区域形成有用于配置放射微波的放射部的一个或多个贯通孔，所述盖构件在成为所述处理容器的内部侧的第1面形成有沿着所述开口的边缘向所述处理容器的内部侧突出的突出部，在所述突出部的内部形成有流路，在所述第1面形成有与所述流路连通的多个气孔，所述盖构件在成为所述处理容器的外部侧的第2面形成有与所述流路连通的供给口；以及

远程等离子体单元，其与所述供给口连接，将清洁气体等离子体化并向所述供给口供给。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件相对于所述第1面的被所述突出部包围的中央部分在所述突出部形成有向所述处理容器的内部侧倾斜的倾斜面，在所述倾斜面形成有所述多个气孔。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件相对于所述倾斜面至少在两个方向上针对每个方向排列地形成有所述多个气孔。

4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件在所述流路的靠所述第1面侧的内壁形成有台阶，所述多个气孔形成为相对于所述倾斜面在两个方向上针对每个方向分别贯通于构成所述台阶的两个面。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件在所述第1面形成有抑制表面波的传播的规定角度以上的角度的变化。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件在与所述处理容器的内侧面连接的面相对于该内侧面以抑制表面波的传播的规定角度以上的角度形成有平坦面。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件在所述第1面的被所述突出部包围的中央部分的内部形成有与所述流路连通的中央流路，在所述中央部分形成有与所述中央流路连通的所述多个气孔。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件以使向所述供给口供给的等离子体化了的清洁气体自所述多个气孔向所述处理容器的内部均匀地喷出的方式改变所述多个气孔的间隔而进行配置。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件将所述多个气孔在与所述供给口侧相反的一侧配置得比所述供给口侧密。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述多个气孔的靠所述第1面侧的直径形成得较大。

11.一种盖构件，其将处理容器的开口密封，该处理容器在内部配置有载置基板的载置台，该处理容器在所述载置台的上侧形成有所述开口，其中，

该盖构件具有：

一个或多个贯通孔，其形成于与所述载置台相对的区域，用于配置放射微波的放射部；

突出部，其形成于成为所述处理容器的内部侧的第1面，并沿着所述开口的边缘向所述处理容器的内部侧突出；

流路，其形成于所述突出部的内部；

多个气孔，其形成于所述第1面，并与所述流路连通；以及

供给口，其形成于成为所述处理容器的外部侧的第2面，并与所述流路连通。

Images