CN101013660A - 气体供给装置、基板处理装置以及气体供给方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种气体供给装置，其能够以简单的配管结构且通过简单的控制，不受压力变动等的影响，从处理室内的多个部位供给气体，能够实现所期望的面内均匀性。在进行晶片处理之前，针对分流量调整单元(230)实施对分流量进行调整的压力比控制，使各处理气体用分支流路内的压力比成为目标压力比，将来自处理气体供给单元(210)的处理气体分流至第一、第二分支配管(204、206)内，当各处理气体用分支流路内的压力稳定后，将对分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的一方的处理气体用分支流路内的压力而对分流量进行调整的压力恒定控制，之后，通过附加气体供给单元(220)将附加气体供给至另一方的处理气体用分支配管内。

Description

气体供给装置、基板处理装置以及气体供给方法
技术领域
本发明涉及一种将气体供给至处理室内的气体供给装置、基板处理装置、以及气体供给方法。
背景技术
这样的基板处理装置，是将规定的气体提供给处理室，对半导体晶片、液晶基板等的被处理基板(以下，简称“基板”)实施成膜或蚀刻处理等的规定的处理。
例如，作为这样的基板处理装置来说，等离子处理装置为众人所知。等离子处理装置通过配置例如、兼用作在处理室内载置基板的载置台的下部电极、以及兼用作向基板喷射气体的喷头的上部电极而构成。在这样的平行平板型的等离子处理装置中，在将规定的气体从喷头供给至处理室内的基板上的状态下，通过在两电极之间施加高频电而生成等离子体，进行成膜或蚀刻等的规定的处理。
专利文献1：日本特开平8-158072号公报，
专利文献2：日本特开平9-45624号公报。
然而，当对基板进行成膜或蚀刻等规定的处理时，在基板面内使蚀刻速度、蚀刻选择比以及成膜速度等处理特性均匀化，以及提高基板处理的面内均匀性问题成为现有技术中存在的主要问题。
基于上述观点，例如在专利文献1、2中提出了如下解决方案：将喷头内部分割成多个气体室，将气体供给管与各个气体室独立连接，向基板面内的多个部位上以任意种类或任意流量进行处理气体的供给。根据此方案，对基板面内的气体浓度进行局部的调整，能够提高蚀刻的基板处理的面内均匀性。
另外，实际用于基板处理的气体由以下多种气体的组合而构成：例如，与基板的处理直接相关的处理气体、用于控制因此类处理而生成的反应产物的沉积(堆积)的气体、以及不活性气体等的载气(carriergas)等多种气体，根据基板上的被处理材料或加工条件等对气体的种类进行选择而使用。因此，例如，如专利文献2所示，需要在分别与喷头的各个气体室连接的气体供给管上分别安装质量流量控制器(mass flow controller)而进行流量控制。
但是，在上述现有的构成形式中，即使在使用的气体中包含共通的气体种类，由于对每种来自各个气体室的供给气体分别设置了气体供给系统，分别进行流量控制，从而导致配管结构的复杂化，并且使各个配管的流量控制也复杂化，例如，需要宽敞的配管空间等，从而具有进一步导致控制负担加大的问题。
另外，即使能够从处理室内的多个部位通过简单的控制而进行气体供给，例如，即使在通过改变导入气体时的压力而改变从各个部位供给的处理气体的流量比(分流比)而进行控制的方法中，也将无法实现所期望的面内均匀性。因此，不受压力变化等的影响而进行气体供给的控制也非常重要。
发明内容
因此，本发明是鉴于上述现有技术的问题而提出的，其目的在于提供一种通过简单的配管结构，而且通过一种简单的控制能够从处理室内的多个部位提供气体，能够实现所期望的面内均匀性的气体供给装置等。
为了解决上述现有技术问题，根据本发明的一种观点，本发明是一种将气体供给至对被处理基板进行处理的处理室内的气体供给装置，其特征在于，包括：供给对上述被处理基板进行处理的处理气体的处理气体供给单元、来自上述处理气体供给单元的处理气体进行流通的处理气体供给通路、从上述处理气体供给通路分支分别连接在上述处理室的不同部位上的处理气体用第一分支流路以及处理气体用第二分支流路、将从上述处理气体供给通路被分流至上述各个处理气体用第一、第二分支流路的处理气体的分流量根据上述各个处理气体用第一、第二分支流路内的压力而进行调整的分流量调整单元、供给规定附加气体的附加气体供给单元、来自上述附加气体供给单元的附加气体进行流通的附加气体供给通路、从上述附加气体供给通路分支并在上述分流量调整单元的下游侧与上述处理气体用第一分支流路连接的附加气体用第一分支流路、从上述附加气体供给通路分支并在上述分流量调整单元的下游侧与上述处理气体用第二分支流路连接的附加气体用第二分支流路、用于在上述附加气体用第一分支流路和上述附加气体用第二分支流路之间切换来自上述附加气体供给通路的附加气体进行流通的流路的流路切换单元、以及控制单元，在上述被处理基板的处理之前，通过上述处理气体供给单元供给处理气体，对上述分流量调整单元实施压力比控制而调整分流量，使上述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比成为目标压力比，当上述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力稳定后，当通过上述附加气体用第二分支流路将附加气体供给至上述处理气体用第二分支流路时，将对上述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的上述处理气体用第一分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过上述附加气体供给单元供给附加气体，当通过上述附加气体用第一分支流路将附加气体供给至上述处理气体用第一分支流路时，将对上述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的上述处理气体用第二分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过上述附加气体供给单元供给附加气体。
为解决上述现有技术问题，根据本发明的另一个观点，本发明提供一种基板处理装置，其特征在于包括：对被处理基板进行处理的处理室、将气体供给至该处理室内的气体供给装置、以及控制上述气体供给装置的控制单元，其中上述气体供给装置包括供给对上述被处理基板进行处理的处理气体的处理气体供给单元、来自上述处理气体供给单元的处理气体进行流通的处理气体供给通路、从上述处理气体供给通路分支分别连接在上述处理室的不同部位上的处理气体用第一分支流路以及处理气体用第二分支流路、将从上述处理气体供给通路被分流至上述各个处理气体用第一、第二分支流路的处理气体的分流量根据上述各个处理气体用第一、第二分支流路内的压力而进行调整的分流量调整单元、供给规定附加气体的附加气体供给单元、来自上述附加气体供给单元的附加气体进行流通的附加气体供给通路、从上述附加气体供给通路分支并在上述分流量调整单元的下游侧与上述处理气体用第一分支流路连接的附加气体用第一分支流路、从上述附加气体供给通路分支并在上述分流量调整单元的下游侧与上述处理气体用第二分支流路连接的附加气体用第二分支流路、以及用于在上述附加气体用第一分支流路和上述附加气体用第二分支流路之间切换来自上述附加气体供给通路的附加气体进行流通的流路的流路切换单元，就上述控制单元来说，在上述被处理基板的处理之前，通过上述处理气体供给单元供给处理气体，对上述分流量调整单元实施压力比控制而调整分流量，使上述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比成为目标压力比，当上述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力稳定后，当通过上述附加气体用第二分支流路将附加气体供给至上述处理气体用第二分支流路时，将对上述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的上述处理气体用第一分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过上述附加气体供给单元供给附加气体，当通过上述附加气体用第一分支流路将附加气体供给至上述处理气体用第一分支流路时，将对上述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的上述处理气体用第二分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过上述附加气体供给单元供给附加气体。
为解决现有技术问题，根据本发明的另一个观点，本发明提供一种使用将气体供给至对被处理基板进行处理的处理室内的气体供给装置的气体供给方法，其特征在于：上述气体供给装置包括：供给对上述被处理基板进行处理的处理气体的处理气体供给单元、来自上述处理气体供给单元的处理气体进行流通的处理气体供给通路、从上述处理气体供给通路分支分别连接在上述处理室的不同部位上的处理气体用第一分支流路以及处理气体用第二分支流路、将从上述处理气体供给通路被分流至上述各个处理气体用第一、第二分支流路的处理气体的分流量根据上述各个处理气体用第一、第二分支流路内的压力而进行调整的分流量调整单元、供给规定附加气体的附加气体供给单元、来自上述附加气体供给单元的附加气体进行流通的附加气体供给通路、从上述附加气体供给通路分支并在上述分流量调整单元的下游侧与上述处理气体用第一分支流路连接的附加气体用第一分支流路、从上述附加气体供给通路分支并在上述分流量调整单元的下游侧与上述处理气体用第二分支流路连接的附加气体用第二分支流路、用于在上述附加气体用第一分支流路和上述附加气体用第二分支流路之间切换来自上述附加气体供给通路的附加气体进行流通的流路的流路切换单元，具有如下工序：在上述被处理基板的处理之前，通过上述处理气体供给单元供给处理气体，为使上述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比成为目标压力比，对上述分流量调整单元实施调整分流量的压力比控制的工序；以及当通过上述压力比控制上述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力稳定后，在通过上述附加气体用第二分支流路将附加气体供给至上述处理气体用第二分支流路时，将对上述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的上述处理气体用第一分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过上述附加气体供给单元供给附加气体，当通过上述附加气体用第一分支流路将附加气体供给至上述处理气体用第一分支流路时，将对上述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的上述处理气体用第二分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过上述附加气体供给单元供给附加气体的工序。
根据本发明，来自处理气体供给单元的处理气体，被分流至处理气体用第一、第二分支流路，从一方的处理气体用分支流路将来自处理气体供给单元的处理气体原封不动的供给至处理室内，从另一方的处理气体分支流路将已经被附加规定的附加气体并且在对处理气体的成分或流量进行调整后，将其供给至处理室内。由此，通过共同的处理气体供给单元供给具有在各处理气体用分支流路中共同的气体成分的处理气体，并且由于能够根据需要将附加气体附加在流过另一个处理气体用分支流路的处理气体中而对气体成分或流量进行调整，因而只需最少量的配管线路便能满足需要，从而能够实现简洁的配管结构，也使流量控制变得简单。
而且，因为在附加气体供给前，将分流量调整单元的分流控制从压力比控制切换为压力恒定控制，当将附加处理气体供给至另一个处理气体用分支流路(例如第二分支流路)时，即使该分支流路内的压力发生变化，也能够防止本应流入该分支流路的处理气体流入另一个处理气体分支流路内。因此，能够防止在供给附加气体的前后，被分流入各处理气体用分支流路内的处理气体的流量比(分流比)发生崩溃，能够将被分流的处理气体以期望的流量比供给至基板表面上不同的区域。由此，能够实现所期望的面内均匀性。
另外，上述控制单元，当开始供给上述附加气体后，如果上述各个处理气体用第一、第二分支流路内的压力稳定，则将其压力稳定时的上述各处理气体用的第一、第二分支流路内的压力比设为新的目标压力比，为使上述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比成为上述新的目标压力比，也可以将对上述分流量调整单元的控制切换成对分流量进行调整的压力比控制。这样，通过将对分流量调整单元的控制从压力恒定控制回到压力比控制，在其后实施的基板处理中，即使气体喷出孔的传导性(conductance)发生变化，由于各处理气体用分支流路内的压力也随之发生变化，因而压力比不变，因此根据压力比控制能够控制各处理气体用分支流路内的压力比不发生崩溃。由此，即使气体喷出孔的传导性随时间发生变化，也能够防止被分流至各处理气体用分支流路内的处理气体的流量比发生崩溃。
另外，上述分流量调整单元，包括：用于调整流过例如上述各处理气体用第一、第二分支流路内的处理气体的流量的阀、以及用于测定上述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力的压力传感器，通过根据上述各压力传感器的检测压力对上述阀的开关度进行调整，从而对来自上述处理气体供给流路的处理气体的流量比进行调整。
另外，上述处理气体供给单元具有多个气体供给源，也可以从上述各气体供给源将以规定的流量而被混合的处理气体供给至上述处理气体供给通路。另外，上述附加气体供给单元具有多个气体供给源，也可以从上述各气体供给源将经过选择的或以规定的气体流量比混合的附加气体供给至上述附加气体供给通路。这样，从处理气体供给单元供给在各处理气体用分支流路内共通的多个气体成分混合而成的处理气体，对流过任意一个分支流路的处理气体根据需要附加附加气体，对气体成分及流量进行了调整，因而能够进一步减少配管数量，可以实现更加简单的配管结构。
另外，配置上述处理气体用第一分支流路，使流过例如该分支流路的处理气体朝向上述处理室内的被处理基板表面上的中心部区域而供给，配置上述处理气体用第二分支流路，使流过例如该分支流路的处理气体朝向上述被处理基板表面上的外周部区域而供给。由此，能够提高被处理基板的中心部区域和外周部区域上的处理的均匀性。
另外，上述处理气体用第二分支流路，也可以由从上述处理气体供给通路分支的多个分支流路而形成，也可以构成为能够对上述各处理气体用第二分支流路供给来自上述附加气体供给单元的附加气体。这样，由于构成为能够将被处理基板的外周部区域进一步划分为多个区域、对各自的区域供给处理气体的结构形式，因此，能够更细致地控制被处理基板的外周部区域上的处理均匀性。
为解决现有技术问题，根据本发明的另一个观点，本发明提供一种将气体供给至对被处理基板进行处理的处理室内的气体供给装置，其特征在于，包括：供给对上述被处理基板进行处理的处理气体的处理气体供给单元、来自上述处理气体供给单元的处理气体进行流通的处理气体供给通路、从上述处理气体供给通路分支并且分别连接在上述处理室的不同部位上的处理气体用第一分支流路及处理气体用第二分支流路、对从上述处理气体供给通路被分流至上述各处理气体用第一、第二分支流路内的处理气体的分流量根据上述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力进行调整的分流量调整单元、供给规定的附加气体的附加气体供给单元、来自上述附加气体供给单元的附加气体进行流通的附加气体供给通路、从上述附加气体供给通路分支并且在上述分流量调整单元的下游侧连接在上述处理气体用第一分支流路上的附加气体用第一分支流路、从上述附加气体供给通路分支并且在上述分流量调整单元的下游侧连接在上述处理气体用第二分支流路上的附加气体用第二分支流路、以及设置在上述附加气体用第一分支流路和上述附加气体第二分支流路的一个或者两个上并用于对这些流路进行开关的开关阀。
根据如上所述的本发明，通过控制开关阀，能够切换来自附加气体供给配管272的附加气体进行流通的流路。另外，通过在附加气体用第一、第二分支流路的双方均设置开关阀，也能够从附加气体用第一、第二分支配管的双方分别向处理气体用第一、第二分支配管供给附加气体。
如上所述，根据本发明，能够提供一种气体供给装置，其能够以简单的配管结构且通过简单的控制，从处理室内的多个部位供给气体，能够实现所期望的面内均匀性。
附图说明
图1表示的是本发明的实施方式涉及的基板处理装置的构成例子的截面图。
图2表示的是图1所示的控制部的构成例子的方块图。
图3表示的是相同实施方式涉及的气体供给装置的构成例子的方块图。
图4表示的是相同实施方式涉及的基板处理装置的处理的一个例子的流程图。
图5表示的是相同实施方式涉及的基板处理装置的处理的另一个例子的流程图。
标号说明：
100：基板处理装置；110：处理室；111：接地导体；112：绝缘板；114：基座支承台；116：基座；118：静电卡盘；120：电极；122：直流电源；124：聚焦环；126：内壁部件；128：制冷剂室；130a、130b：配管；132：气体供给管；134：上部电极；136外侧上部电极；138：内侧上部电极；142：电介体；144：绝缘性隔离部件；146：匹配器；148：上部供电棒；150：连接器；152：供电筒156：绝缘部件；160：电极板；160a：气体喷出孔；162：电极支承体；163(163a、163b)：缓冲室；164：环状隔壁部件；170：下部供电筒172：可变电容器；174：排气口；176：排气管178：排气装置；180：匹配器；184：低通滤波器；186：高通滤波器；200：气体供给装置；210：处理气体供给单元；212a～212c：气体供给源；214a～214c：质量流量控制器；220：附加气体供给单元；222a、222b：气体供给源；224a，224b：质量流量控制器；230：分流量调整单元；232、234：压力调整部；232a、234a：压力传感器；232b、234b：阀；240：压力控制器；252：处理气体供给配管；254：处理气体用第一分支配管；256：处理气体用第二分支配管；262：开关阀；272：附加气体供给配管274：附加气体用第一分支配管；276：附加气体用第二分支配管；284、286：开关阀；300：控制部；310：CPU；320：RAM；330：显示单元；340：操作单元：350：存储单元；360：接口；W：晶片。
具体实施方式
下面，参照附图，针对本发明的优选实施方式进行详细的说明。此外，在本说明书及附图中，对于实质上具有相同功能构成的结构部件，通过采用相同编号的方式，省略对其的重复说明。
(基板处理装置的结构例)
首先，针对关于本发明的实施方式的基板处理装置，参照附图进行说明。图1表示的是本实施方式中基板处理装置的概略结构截面图。这里，构成基板处理装置，作为平行平板型的等离子蚀刻装置(plasmaetching equipment)。
基板处理装置100具有由接近圆筒状的处理容器而构成的处理室110。处理容器，例如由铝合金材料形成，并且电接地。另外，处理容器的内壁面被氧化铝膜或氧化钇(yttrium)膜覆盖。
在处理室110内设置有构成下部电极的基座(susceptor)116，下部电极兼用作载置作为基板的晶片W的载置台。具体的说，基座116，被支撑在经由绝缘板112而设置在处理室110内的底部接近中央位置上的圆柱状的基座支承台114上。基座116由例如、铝合金材料而形成。
在基座116的上部，设置有保持晶片W的静电卡盘(electrostaticchuck)118。静电卡盘118在内部具有电极120。直流电源122与该电极120电连接。静电卡盘118，利用由直流电源122对电极120施加直流电压而生成的库仑力，能够将晶片W吸附在静电卡盘118上。
另外，在基座116的上面，以包围静电卡盘118的周围的方式设置有聚焦环(focus ring)124。此外，在基座116及基座支承台114的外周面上，安装有由例如、石英而构成的圆筒状的内壁部件126。
在基座支承台114的内部形成有环状的制冷剂室128。制冷剂室128通过配管130a、130b与例如被设置在处理室110的外部的冷却单元(chiller unit)(未图示)连通。制冷剂(制冷剂液或冷却水)通过配管130a、130b被循环供给至制冷剂室128内。由此，能够控制基座116上的晶片W的温度。
在静电卡盘118的上面，连通有贯穿基座116及基座支承台114内的气体供给管132。能够通过该气体供给管132将He(氦)气等的导热气体(背景气体：back side gas)供给至晶片W与静电卡盘118之间。
在基座116的上面设置有与构成下部电极的基座116平行相对的上部电极134。在基座116与上部电极134之间形成等离子生成空间PS。
上部电极134具有圆板状的内侧上部电极138、以及包围该内侧上部电极138的外侧的环状的外侧上部电极136。环状的电介体142介于外侧上部电极136与内侧上部电极138之间。由例如氧化铝构成的环状的绝缘性隔离部件144气密性的介于外侧上部电极136与处理室110的内周壁之间。
第一高频电源154经由供电筒152、连接器150、上部供电棒148、以及匹配器(matching box)146与外侧上部电极136电连接。第一高频电源154能够输出频率40MHz以上(例如60MHz)的高频电压。
供电筒152，例如，形成下面开口的接近圆筒状，其下端部与外侧上部电极136连接。上部供电棒148的下端部通过连接器150与供电筒152的上面中央部位电连接。上部供电棒148的上端部与匹配器146的输出侧连接。匹配器146与第一高频电源154连接，能够使第一高频电源154的内部阻抗和负荷阻抗匹配。
供电筒152的外侧被具有与处理室110基本相同直径的侧壁的圆筒状的接地导体111覆盖。接地导体111的下端部连接在处理室110的侧壁上部。上述上部供电棒148贯穿接地导体111的上面中央部，绝缘部件156介于接地导体111和上部供电棒148的接触部之间。
内侧上部电极138构成向载置于基座116上的晶片W上喷射规定气体的喷头。内侧上部电极138包括：具有多个气体喷出孔160a的圆形电极板160、以及装拆自由的支持电极板160的上面一侧的电极支承体162。电极支承体162形成与电极板160基本相同直径的圆板状。
由圆板状的空间构成的缓冲室163形成在电极支承体162的内部。缓冲室163内设置有环状隔壁部件164，由该环状隔壁部件164将缓冲室163划分为：由圆板状空间构成的内侧的第一缓冲室163a、以及由包围该第一缓冲室163a的环状空间构成的外侧第二缓冲室163b。该环状隔壁部件164，例如，由O形环而构成。
这里，如果将基座116上的晶片W的中心区域(中央部)与包围中心部区域的外周部区域(边缘部)分开考虑的话，第一缓冲室163a与晶片W的中心部相对，第二缓冲室163b与晶片W的边缘部相对而构成。
在这样的各缓冲室163a、163b的下面连通有气体喷出孔160a。这样，能够从第一缓冲室163a向晶片W的中心部喷出规定的气体，能够从第二缓冲室163b向晶片W的边缘部喷出规定的气体。规定的气体从气体供给装置200分别供给至各个缓冲室163a、163b内。
如图1所示，下部供电筒170与电极支承体162的上面电连接。下部供电筒170通过连接器150与上部供电棒148连接。在下部供电筒170的中段上设置有可变电容器(condenser)172。通过调整该可变电容器172的静电容量，能够对在从第一高频电源154施加高频电压时，在外侧上部电极136的正下方形成的电场强度与在内侧上部电极138的正下方形成的电场强度的相对比率进行调整。
排气口174形成在处理室110的底部。排气口174通过排气管176与具备真空泵等的排气装置178连接。通过经该排气装置178为处理室110内排气，能够将处理室110内减压至所期望的真空度。
第二高频电源182通过匹配器180被电连接在基座116上。第二高频电源182，能够输出例如2MHz～20MHz范围内的、例如2MHz频率的高频电压。
低通滤波器(low-pass filter)184被电连接在上部电极134的内侧上部电极138上。低通滤波器184是用于将来自第一高频电源154的高频电屏蔽，将来自第二高频电源182的高频电接地(ground)的单元。另外，高通滤波器(high-pass filter)186被电连接在构成下部电极的基座116上。高通滤波器186是用于将来自第一高频电源154的高频电接地(ground)的单元。
(气体供给装置)
下面，针对气体供给装置200参照附图进行说明。图1显示的是将处理气体分为向处理室110内的晶片W的中心部进行供给的第一处理气体(中心部用处理气体)、以及向晶片W的边缘部进行供给的第二处理气体(边缘用处理气体)两个支流的例子。此外，不仅局限于如本实施方式所示的将处理气体分为2个支流的情形，也可以分为3个以上的支流。
如图1所示，气体供给装置200，例如，包括供给对晶片实施成膜或蚀刻等的规定处理用的处理气体的处理气体供给单元210、以及供给规定的附加气体的附加气体供给单元220。
处理气体供给单元210连接构成处理气体供给通路的处理气体供给配管252。对该配管252进行开关的开关阀262被设置在处理气体供给配管252上。从处理气体供给配管252分支出构成处理气体用的第一分支流路的处理气体用第一分支配管254(以下仅称“第一分支配管254”)、以及构成处理气体用的第二分支流路的处理气体用第二分支配管256(以下仅称“第二分支配管256”)。
这些处理气体用第一、第二分支配管254、256分别连接在处理室110的上部电极134的不同部位，例如内侧上部电极138的第一、第二缓冲室163a、163b上。此外，处理气体用第一、第二分支配管254、256，也可以在后述的分流量调整单元230的内部分支，另外，也可以在分流量调整单元230的外部分支。
气体供给装置200还包括将流过处理气体用第一、第二分支配管254、256的第一、第二处理气体的分流量根据第一、第二分支配管254、256内的压力进行调整的分流量调整单元(例如流量分流器：flowsplitter)230。
附加气体供给单元220与构成附加气体供给通路的附加气体供给配管272连接。附加气体供给配管272上设置有将该配管272进行开关的开关阀282。从附加气体供给配管272分支出构成附加气体用的第一分支流路的附加气体用第一分支配管274(以下仅称：“第一分支配管274”)、以及构成附加气体用的第二分支流路的附加气体用第二分支配管276(以下仅称：“第二分支配管276”)。
这些附加气体用第一、第二分支配管274、276分别被连接在分流量调整单元230的下流一侧的、处理气体用第一、第二分支配管254、256上。附加气体用第一分支配管274上设置有将配管274进行开关的开关阀284，在附加气体用第二分支配管276上设置有对该配管276进行开关的开关阀286。通过控制该开关阀284、286，能够将来自附加气体供给单元220的附加气体供给至第一、第二分支配管274、276的任何一方。此外，由上述开关阀284、286构成附加气体用分支流路的流路切换单元。
根据如上所述构成的气体供给装置200，来自处理气体供给单元210的处理气体，通过分流量调整单元230对分流量进行调整，并且被分流至处理气体用第一分支配管254和处理气体用第二分支配管256。之后，流经第一分支配管254的第一处理气体通过第一缓冲室163a供给至晶片W的中心部，流经第二分支配管256的第二处理气体通过第二缓冲室163b供给至晶片W的边缘部。
之后，当对处理气体用第二分支配管256供给附加气体时，将附加气体用第一分支配管274的开关阀284关闭，将附加气体用第二分支配管276的开关阀286开启，从附加气体供给单元220开始进行附加气体的供给。由此，该附加气体通过附加气体供给配管272，附加气体用第二分支配管276流入处理气体用第二分支配管256内，与第二处理气体混合。之后，附加气体与第二处理气体一起，通过第二缓冲室163b供给至晶片W的边缘部。
另外，当向处理气体用第一分支配管254供给附加气体时，将附加气体用第二分支配管276的开关阀286关闭，将附加气体用第一配管274的开关阀284开启，开始从附加气体供给单元220供给附加气体。由此，该附加气体通过附加气体供给配管272、附加气体用第一分支配管274流入处理气体用第一分支配管254，与第一处理气体混合。之后，附加气体与第一处理气体一起，通过第一缓冲室163a供给至晶片W的中心部。此外，气体供给装置200的具体构成例子将在后面叙述。
基板处理装置100上连接有控制该装置各个部分的控制部300。除了例如气体供给装置200中的处理气体供给单元210、附加气体供给单元220、分流量调整单元230等以外，直流电源122、第一高频电源154、以及第二高频电源182等，也通过控制部300进行控制。
(控制部的结构例)
此处，针对控制部300的构成例子参照附图进行说明。图2表示的是构成控制部300的方块图。如图2所示，控制部300包括：构成控制部本体的CPU(中央处理装置)310、设置有CPU310为进行各种数据处理而使用的存储区域等的RAM(随机存取存储器：random accessmemory)320、由显示操作画面或选择画面等的液晶显示器等构成的显示单元330、通过触摸面板(touch panel)等构成的操作单元340、存储单元350、以及接口360，其中，触摸面板能够根据操作进行加工方案的输入或编辑等各种数据的输入、以及向规定的存储媒体进行加工方案或操作纪录(process log)的输出等各种数据的输出。
在存储单元350中存储有、例如用于进行基板处理装置100的各种处理的处理程序、以及为了实行该处理程序所必需的信息(数据)等。存储单元350，例如，由存储器，硬盘(HDD)等构成。CPU310根据需要读取程序数据等，执行各种处理程序。例如，CPU310，为了处理晶片，首先气体供给装置200向控制处理室110内，实行供给规定气体的气体供给处理等。
通过CPU310进行控制的分流量调整单元230、处理气体供给单元210、以及附加气体供给单元220等各部分被连接在接口360上。接口360，由例如多个I/O(输入/输出)端口等构成。
上述CPU310、RAM320，显示单元330、操作单元340、存储单元350、以及接口360等通过控制总线、数据总线等的总线线路而被连接。
(气体供给装置的具体的构成例)
下面，针对气体供给装置200的各个部分的具体构成例子进行说明。图3是表示气体供给装置200的具体的构成例子的方块图。例如如图3所示，处理气体供给单元210，由收容有多个(例如3个)气体供给源212a、212b、212c的气体箱(gas box)而构成。各个气体供给源212a～212c的配管与将上述各个气体供给源的气体合流的处理气体供给配管252连接。各个气体供给源212a～212c的配管上分别设置有用于调整各个气体流量的质量流量控制器(mass flow controller)214a～214c。根据这样的处理气体供给单元210，来自各个气体供给源212a～212c的气体以规定的流量比混合，流入处理气体供给配管252，被分流至第一、第二分支配管254、256。
如图3所示，例如，作为蚀刻气体的碳氟化和物(fluorocarbon)类的氟化合物，CF4、C4F6、C4F8、C5F8等的CXFY气体被封入气体供给源212a内。在气体供给源212b内，封入例如、作为控制CF类反应产物的堆积的气体的例如O2，在气体供给源212c内封入作为载气的稀有气体、例如Ar(氩)。此外，处理气体供给单元210的气体供给源的数量，不局限于图3所示的例子，例如也可以是1个、2个、或者也可以设置4个以上。
另一方面，如图3所示，附加气体供给单元220，由收容有多个(例如2个)气体供给源222a、222b的气体箱而构成。各个气体供给源222a、222b的配管被连接在将上述各配管的气体合流的附加气体供给配管272上。在各个气体供给源222a、222b的配管上分别设置有用于调整各个气体的流量的质量流量控制器224a、224b。根据这样的附加气体供给单元220，来自各气体供给源222a、222b的气体被选择或以规定的气体流量比被混合，流入附加气体供给配管272，被供给至分流量调整单元230下游侧的处理气体用第一、第二分支配管254、256的任何一方。
例如，能够促进蚀刻的CXFY气体被封入气体供给源222a，能够控制例如CF类的反应产物的堆积的，O2气体被封入气体供给源222b。此外，附加气体供给单元220的气体供给源的数量，不仅限于如图3所示的例子，例如也可以设置1个，或设置3个以上。
分流量调整单元230包括：对处理气体用第一分支配管254内的压力进行调整的压力调整部232、以及对处理气体用第二分支配管256内的压力进行调整的压力调整部234。具体地说就是，压力调整部232包括：对处理气体用第一分支配管254内的压力进行检测的压力传感器232a、以及对处理气体用第一分支配管254的开关度进行调整的阀232b，压力调整部234包括：对处理气体用第二分支配管256内的压力进行检测的压力传感器234a、以及对处理气体用第二分支配管256的开关度进行调整的阀234b。
压力调整部232、234与压力控制器240连接，压力控制器240根据来自控制部300的指令，依据各压力传感器232a、234a的检测压力对各阀232b、234b的开关度进行调整。例如，控制部300，通过压力比控制对分流量调整单元230进行控制。此时，压力控制器240为了使第一、第二处理气体根据来自控制部300的指令成为目标流量比，即，为了使各处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力成为目标压力比，而对各阀232b、234b的开关度进行调整。此外，压力控制器240，也可以作为控制板而被内置在分流量调整单元230内，或者，也可以和分流量调整单元230分别构成。另外，压力控制器240也可以设置在控制部300内。
如上所述的基板处理装置100，例如，在对晶片进行蚀刻等处理之前，首先通过气体供给装置200将规定的气体供给至处理室110内。具体的说就是，首先，从处理气体供给单元210开始进行处理气体的供给，分流量调整单元230被进行压力比控制。之后，各处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力比被调整至目标压力比后，来自附加气体供给单元220的附加气体被供给至处理气体用第一、第二分支配管254、256中的任何一处。
此时，如果保持以压力比控制的方式对分流量调整单元230进行控制，将附加气体供给处理气体用第一、第二分支配管254、256中的任何一方，则存在如下问题。例如，将附加气体供给至处理气体用第二分支配管256时，由于第二分支配管256内的压力比第一分支配管254内的压力还上升而导致压力比崩溃，因而，为了达到目标压力比，分流量调整单元230试图自动对阀232b、234b的开关度进行调整。从而导致第一处理气体多于第二处理气体而流动，在供给附加气体的前后，存在第一、第二处理气体的流量比崩溃的问题。
对于上述问题可以如下考虑，如果将处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力比调整为目标压力比，在各压力稳定时将分流量调整单元230的各阀232b、234b固定，之后再供给附加气体的话，由于即使供给附加气体，各阀232b、234b也无法自动的活动，从而能够防止第一、第二处理气体的流量比崩溃。
然而，由于通过供给附加气体而导致处理气体用第二分支配管256内的压力上升，如果如上所述将分流量调整单元230的各个阀232b、234b固定的话，则处理气体难以流入第二分支配管256一侧，只好流入第一分支配管254一侧。因此即使将分流量调整单元230的各个阀232b、234b固定，其结果，在供给附加气体的前后，处理气体用第一、第二处理气体的流量比依然崩溃。
另外，即使将附加气体供给至处理气体用第一分支配管254内，依然存在同样的问题。即，此时，由于通过供给附加气体而导致处理气体用第一分支配管254内的压力上升，如果如上所述将分流量调整单元230的各个阀232b、234b固定的话，则处理气体难以流入第一分支配管254一侧，而只好流入第二分支配管256一侧。因而，即使此时，在供给附加气体的前后，处理气体用第一、第二处理气体的流量比也会崩溃。
因此，在根据本发明的气体供给处理中，在供给附加气体前，将分流量调整单元230的分流控制，从将处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力保持为目标压力比的压力比控制，切换为将处理气体用第一、第二分支配管254、256中任何一个配管内的压力保持在恒定的压力恒定控制。具体的说就是，在将附加气体供给至处理气体用第一分支配管254内的情况下，在切换成保持处理气体用第二分支配管256内的压力为恒定压力的控制的基础上，开始进行附加气体的供给。另外，在将附加气体供给至处理气体用第二分支配管256内的情况下，在切换成保持处理气体用第一分支配管254内的压力为恒定压力的压力恒定控制的基础上，开始进行附加气体的供给。
据此，即使供给附加气体，由于一侧的分支配管(例如处理气体用第一分支配管254)内的压力被保持为恒定，这样，即使另一侧的分支配管(例如，处理气体用第二分支配管256)内的压力发生变化，也能够防止应该流入一侧分支配管(例如，处理气体用第二分支配管256)的处理气体流入另一侧分支配管(例如，处理气体用第一分支配管254)内。由此，即使是在对分支配管254、256的任何一个配管供给附加气体的情况下，也能够防止在供给附加气体的前后，第一、第二处理气体的流量比发生崩溃。
(气体供给处理的具体例子)
在此，针对关于如上所述本发明的实施方式的气体供给处理的具体例子进行说明。图4表示的是本实施方式涉及的基板处理装置的包括气体供给处理的处理的具体例子的流程图。首先，在步骤S110中控制部300打开开关阀262，通过处理气体供给单元210开始供给处理气体。由此，在处理气体供给单元210内预先设定的气体以规定的流量流入处理气体供给配管252内。具体地说就是，例如，当分别以规定的流量开始供给气体供给源212a～212c的CXFY气、O2(氧)气、以及Ar(氩)气后，各种气体被混合，形成由CXFY气、O2(氧)气、以及Ar(氩)气以规定混合比而构成的混合气体，该混合气体作为处理气体流入处理气体供给配管252内。
之后，在步骤S120内，控制部300对流量调整单元230进行通过压力比控制的处理气体的分流量调整。具体地说就是，例如当控制器300发出压力比控制指令后，分流量调整单元230通过压力控制器240的控制，根据压力传感器232a、234a的测定压力对阀232b、234b的开关度进行调整，使得处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力比调整为目标压力比。由此，通过处理气体用第一、第二分支配管254、256分别供给至第一、第二缓冲室163a、163b的第一、第二处理气体的流量比被确定。
之后，在步骤S130中，针对处理气体用第一、第二分支配管254、256内的各压力是否稳定进行判定。当判定各压力稳定后，在步骤S140，对向处理气体用第一、第二分支配管254、256中的哪个配管进行附加气体的供给进行判定。具体地说就是，例如，对是否将附加气体供给至处理气体用第二分支配管256内进行判定。
当在步骤S140中，判定向处理气体用第二分支配管256供给附加气体时，在步骤S150中，控制部300对分流量调整单元230进行处理气体用第一配管254内压力恒定控制的处理气体的分流量调整。
具体地说就是，例如控制部300发出对处理气体用第一分支配管254内的压力恒定控制指令。之后，分流量调整单元230通过压力控制器240的控制，根据压力传感器232a、234a的测定压力对阀232b、234b的开关度进行调整，将处理气体用第一分支配管254的第一处理气体的压力调整为恒定压力。此外，此时，至少与第一缓冲室163a相同的气体成分的混合气体(可以进行同样的蚀刻处理的混合气体)被供给至第二缓冲室163b内。
之后，在步骤S160中，控制开关阀284、286，通过附加气体用第二分支配管276开始进行附加气体的供给。具体地说就是，在关闭附加气体用第一分支配管274的开关阀284的基础上，将附加气体用第二分支配管276的开关阀286开启，打开开关阀282，从附加气体供给单元220开始供给附加气体。由此，预先设定的附加气体从附加气体供给单元220以规定的流量被供给至处理气体用第二分支配管256内。
此时，从附加气体供给单元220，例如从气体供给源222a以规定的流量供给能够促进蚀刻的CXFY气体(例如CF4气体)，与第二分支配管256合流后，通过第二分支配管256被供给至第二缓冲室163b。由此，比第一缓冲室163a含有更多CF4气体的处理气体被供给至第二缓冲室163b内。以此决定供给至第二缓冲室163b内的处理气体的气体成分以及流量。
与此相对应，当判断在步骤S140中将附加气体供给至处理气体用第一分支配管254内时，在步骤S170中，控制部300对分流量调整单元230进行处理气体用第二配管256内压力恒定控制的处理气体分流量调整。
具体地说就是，例如控制部300发出对处理气体用第二分支配管256内的压力恒定控制指令。这样，分流量调整单元230通过压力控制器240的控制根据压力传感器232a、234a的测定压力对阀232b、234b的开关度进行调整，将处理气体用第二分支配管256的第二处理气体的压力调整为恒定压力。
之后，在步骤S180中，控制开关阀284、286，通过附加气体用第一分支配管274开始进行附加气体的供给。具体地说就是，在关闭附加气体用第二分支配管276的开关阀286的基础上，将附加气体用第一分支配管274的开关阀284开启，打开开关阀282从附加气体供给单元220开始供给附加气体。由此，预先设定的附加气体从附加气体供给单元220以规定的流量被供给至处理气体用第一分支配管254内。
之后，在步骤S190判断处理气体用第一、第二分支配管254、256的各压力是否稳定。当在步骤S190中判断各压力稳定后，在步骤S300中，进行对晶片的处理。
根据这样的气体供给处理，在附加气体被供给至处理气体用第二分支配管256的情况下，基板处理装置100在减压气氛中，来自第一缓冲室163a的处理气体的混合气体被供给至基座116上的晶片W的中心部附近，来自第二缓冲室163b的处理气体与附加气体的混合气体(例如CF4气体较多的混合气体)被供给至晶片W的外围部分(边缘部)。由此，能够相对于晶片W的中心部(中央部分)相对地调整晶片W的外围部分(边缘部分)的蚀刻特性，能够使晶片W的面内的蚀刻特性均匀。
与此相对，当附加气体被供给至处理气体用第一分支配管254时，来自第一缓冲室163a的处理气体和附加气体的混合气体被供给至基座116上的晶片W的中心部附近，来自第二缓冲室163b的处理气体的混合气体被供给至晶片W的外围部(边缘部)。由此，能够相对于晶片W的外周部(边缘部分)相对地调整晶片W的中心部分(中央部分)的蚀刻特性，能够使晶片W的面内的蚀刻特性均匀。
根据如图4所示的处理，来自处理气体供给单元210的处理气体被分流至第一、第二分支配管254、256内，从其中一个处理气体用分支配管(例如第一分支配管254)将来自处理气体供给单元210的处理气体原封不变的供给至处理室110内，从另一个处理气体用分支配管(例如第二分支配管256)附加规定的附加气体，在调整处理气体的成分或流量后，被供给至处理室110内。由此，从处理气体供给单元210供给具有在各处理气体用分支配管254、256中共通的气体成分的处理气体，根据需要对流经另一个处理气体用分支配管(例如第二分支配管256)的处理气体附加附加气体，从而调整气体成分或流量。因此，例如，当各处理气体用分支配管中的共通的气体成分的数量较多时，与对各个分支配管分别设置处理气体源的情况相比，只需更少量的配管即可满足需要。这样，由于气体供给装置200的配管数量能够被控制在所需要的最少数量，因而能够以更简单的配管结构来形成气体供给装置200。而且，由于能够根据各处理气体用分支配管254、256的压力对处理气体的分流量进行调整，能够通过简单的控制从处理室110内的多个部位供给气体。
另外，在附加气体供给前，通过把分流量调整单元230从压力比控制切换为压力恒定控制这样简单的控制，即使由于附加气体开始供给而导致处理气体用第一、第二分支配管254、256的压力比发生变化，分流量调整单元230为了使其中一个处理气体用分支配管(例如第一分支配管254)的压力变为恒定压力，也能够通过压力恒定控制对各阀232b、234b进行调整。
这样，能够防止应该流入另一个处理气体用分支配管(例如第二分支配管256)的部分处理气体流入一个处理气体用分支配管(例如第一分支配管254)内。这样，能够防止在供给附加气体前后，从分流量调整单元230流入各处理气体用分支配管的处理气体的流量比发生崩溃，所以能够实现所期望的面内均匀性。
此外，在如图4所示的处理中，以在步骤S140中将对分流量调整单元230的控制切换为压力恒定控制而对晶片进行处理为例进行了说明，但在晶片处理前，也可将对分流量调整单元230的控制再次返回至压力比控制。
例如，在进行单一晶片处理或多枚晶片的连续处理的过程中，例如上部电极134的温度逐渐上升，气体喷出孔160a的导电性(conductance)发生变化，会出现气体难以流动的情形。
在这样的情况下，由于处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力均上升，如果将对分流量调整单元230的控制设定为压力恒定控制的话，各阀232b、234b被调整为仅使一侧的处理气体用分支配管(例如第一分支配管254)为恒定压力，其结果，流入另一个处理气体用分支配管(例如第二分支配管256)的处理气体的比例逐渐多于流入一个处理气体用分支配管(例如第一分支配管254)的气体，从而导致流经各处理气体用分支配管的处理气体的流量比发生崩溃的现象。
在对晶片进行处理前，通过返回压力比控制能够防止该现象的发生。即，通过返回压力比控制，例如即使气体喷出孔160a的导电性发生变化，由于各处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力一起发生变化从而压力比不发生变化，因而能够控制各处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力比不发生崩溃。因此，即使气体喷出孔的导电性随时间发生变化，也能够防止流经各处理气体用第一、第二分支配管254、256的处理气体的流量比发生崩溃。
具体的说，如图5所示，在步骤S300的处理之前，追加步骤S210、步骤S220的处理。即，在图5所示的处理中，当在步骤S190中判定处理气体用第一、第二分支配管254、256的各压力稳定时，在步骤S210中，控制部300将分流量调整单元230的控制切换成压力比控制。具体地说就是，设定压力稳定时的处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力比为新的目标压力比，将对分流量调整单元230的控制切换成调整分流量的压力比控制，使处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力比成为新的目标压力比。之所以将压力稳定时的处理气体用第一、第二分支配管254、256内的压力比设置为新的目标压力比，是因为将附加气体供给至任何一个处理气体用分支配管内，则处理气体用分支配管内的压力都会发生变化，因此，通过考虑由于供给附加气体而发生的压力变动而对压力比进行控制，不改变第一、第二处理气体的流量比，进行分流量调整单元230的分流量的调整。
之后，在步骤S220判断处理气体用第一、第二分支配管254、256的各压力是否稳定。随后，当在步骤S220判断各压力稳定时，在步骤S300中进行晶片的处理。
如果根据如图5所示的处理，在进行晶片处理的过程中，即使上部电极134的气体喷出孔160a的导电性发生变化，也能够在防止第一、第二处理气体的流量比发生变化的同时，进行对晶片的处理。
此外，上述实施方式中的处理气体第二分支配管256，由从处理气体供给配管252分支的多个分支配管而构成，也可以形成能够将附加气体从附加气体供给单元220供给至这些各个第二分支配管内。这样，由于能够将晶片的外围部区域进一步划分为多个区域，形成将处理气体分别供给至各个区域的结构形式，因而能够更加细致地控制晶片的外围部区域中的处理的均一性。
另外，在上述实施方式中，针对从气体供给装置200供给的处理气体，从处理室110的上部朝向晶片W而被喷出的情形进行了说明，但并不仅限于此，从处理室110的其他部分，例如也可以形成从处理室110中的等离子生成空间PS的侧面喷射处理气体的形式。由此，由于能够从等离子生成空间PS的上部和侧面部分别供给规定的处理气体，因而能够对等离子生成空间PS内的气体浓度进行调整。由此，能够进一步提高晶片的处理的面内均匀性。
另外，上述实施方式是针对在附加气体用第一、第二分支配管274、276上分别设置开关阀284、286，通过对这些开关阀284、286进行开关控制，对流过来自附加气体供给配管272的附加气体的流路进行切换的情形进行了说明，但是并不仅限于此，也可以在附加气体用第一、第二分支配管274、276中的任何一方上设置作为流路切换单元的其他例子的开关阀，通过开关控制该开关阀，也可以对流过来自附加气体供给配管272的附加气体的流路进行切换。
此外，上述实施方式中，由于在附加气体用第一、第二分支配管274、276上分别设置了开关阀284、286，因此能够将附加气体从附加气体用第一、第二分支配管274、276的双方分别供给至处理气体用第一、第二分支配管254、256内。此时，也可以在附加气体用第一、第二分支配管274、276上设置例如质量流量控制器的流量控制单元。由此，能够正确控制流过附加气体用第一、第二分支配管274、276的附加气体的流量。
以上，参照附图针对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明涉及的例子不仅限于此。只要是同行业者，很明显能够在权利要求范围所记载的范畴内联想到各种变形的例子或修改例子，当然，这些也是被认为属于本发明的技术范畴之内的。
例如，在上述本实施方式中，针对处理气体用分支配管的分流量通过压力调整部进行调整的情形进行了举例说明，但并不仅限于此，也可以采用质量流量控制器对处理气体用分支配管的分流量进行调整。另外，作为基板处理装置，针对适用等离子体蚀刻装置的情形进行了说明，但本发明也可以适用于供给处理气体的其他的基板处理装置，例如等离子体CVD装置、喷镀装置(sputtering)和热氧化装置等的成膜装置。而且，本发明还可以使用在作为被处理基板的除晶片以外的、例如FPD(平板显示器：Flat Panel Display)和光掩模用的掩模标线(mask reticle)等的其他的基板处理装置或MEMS(微机电系统：Micro Electro Mechanical Systems)制造装置等上。
工业上的可利用性
本发明可以利用在向处理室供给气体的气体供给装置、基板处理装置以及气体供给方法。

Claims (12)

1.一种气体供给装置，向处理被处理基板的处理室内供给气体，其特征在于，包括：
供给对所述被处理基板进行处理的处理气体的处理气体供给单元；
来自所述处理气体供给单元的处理气体流通的处理气体供给通路；
从所述处理气体供给通路分支并分别连接在所述处理室的不同部位上的处理气体用第一分支流路以及处理气体用第二分支流路；
将从所述处理气体供给通路被分流至所述各个处理气体用第一、第二分支流路的处理气体的分流量，根据所述各个处理气体用第一、第二分支流路内的压力而进行调整的分流量调整单元；
供给规定附加气体的附加气体供给单元；
来自所述附加气体供给单元的附加气体流通的附加气体供给通路；
从所述附加气体供给通路分支并在所述分流量调整单元的下游侧与所述处理气体用第一分支流路连接的附加气体用第一分支流路；
从所述附加气体供给通路分支并在所述分流量调整单元的下游侧与所述处理气体用第二分支流路连接的附加气体用第二分支流路；
用于在所述附加气体用第一分支流路和所述附加气体用第二分支流路之间，切换来自所述附加气体供给通路的附加气体进行流通的流路的流路切换单元；和
控制单元，在所述被处理基板的处理之前，通过所述处理气体供给单元供给处理气体，对所述分流量调整单元实施压力比控制而调整分流量，使所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比成为目标压力比，当所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力稳定后，当通过所述附加气体用第二分支流路将附加气体供给至所述处理气体用第二分支流路时，将对所述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的所述处理气体用第一分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过所述附加气体供给单元供给附加气体，当通过所述附加气体用第一分支流路将附加气体供给至所述处理气体用第一分支流路时，将对所述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的所述处理气体用第二分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过所述附加气体供给单元供给附加气体。
2.根据权利要求1所述的气体供给装置，其特征在于：
所述控制单元，当开始供给所述附加气体后，如果所述各个处理气体用第一、第二分支流路内的压力稳定，则将其压力稳定时的所述各处理气体用的第一、第二分支流路内的压力比设为新的目标压力比，为使所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比成为所述新的目标压力比，将对所述分流量调整单元的控制切换成对分流量进行调整的压力比控制。
3.根据权利要求1或2所述的气体供给装置，其特征在于：
所述分流量调整单元具有用于对流经所述各处理气体用第一、第二分支流路的处理气体的流量进行调整的阀、以及用于测定所述各处理气体用第一、第二分支流路内压力的压力传感器，其中，
通过根据来自所述各压力传感器的检测压力对所述阀的开关度进行调整，对来自所述处理气体供给流路的处理气体的流量比进行调整。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的气体供给装置，其特征在于：
所述处理气体供给单元具有多个气体供给源，从所述各气体供给源将以规定的流量而被混合的处理气体供给至所述处理气体供给通路。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的气体供给装置，其特征在于：
所述附加气体供给单元具有多个气体供给源，从所述各气体供给源将经过选择的或以规定的气体流量比混合的附加气体供给至所述附加气体供给通路。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的气体供给装置，其特征在于：
配设所述处理气体用第一分支流路，使得朝向所述处理室内的被处理基板表面上的中心部区域供给流经该流路的处理气体，
配设所述处理气体用第二分支流路，使得朝向所述被处理基板表面上的外周部区域供给流经该流路的处理气体。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的气体供给装置，其特征在于：
所述处理气体用第二分支流路由从所述处理气体供给通路分支的多个分支流路构成，构成为能够将来自所述附加气体供给单元的附加气体供给至所述各处理气体用第二分支流路内。
8.一种气体供给装置，向对被处理基板进行处理的处理室内供给气体，其特征在于，包括：
供给对所述被处理基板进行处理的处理气体的处理气体供给单元；
来自所述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给通路；
从所述处理气体供给通路分支并分别与所述处理室的不同部位连接的处理气体用第一分支流路以及处理气体用第二分支流路；
根据所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力对从所述处理气体供给通路分流至所述各处理气体用第一、第二分支流路的处理气体的分流量进行调整的分流量调整单元；
供给规定的附加气体的附加气体供给单元；
来自所述附加气体供给单元的附加气体流过的附加气体供给通路；
从所述附加气体供给通路分支并在所述分流量调整单元的下游侧与所述处理气体用第一分支流路连接的附加气体用第一分支流路；
从所述附加气体供给通路分支并在所述分流量调整单元的下游侧与所述处理气体用第二分支流路连接的附加气体用第二分支流路；和
设置在所述附加气体用第一分支流路与所述附加气体用第二分支流路的一方或双方，用于对所述流路进行开关的开关阀。
9.一种基板处理装置，其特征在于：
包括对被处理基板进行处理的处理室、将气体供给至该处理室内的气体供给装置、和控制所述气体供给装置的控制单元，其中，
所述气体供给装置，包括供给对所述被处理基板进行处理的处理气体的处理气体供给单元；来自所述处理气体供给单元的处理气体进行流通的处理气体供给通路；从所述处理气体供给通路分支分别连接在所述处理室的不同部位上的处理气体用第一分支流路以及处理气体用第二分支流路；将从所述处理气体供给通路被分流至所述各个处理气体用第一、第二分支流路的处理气体的分流量根据所述各个处理气体用第一、第二分支流路内的压力而进行调整的分流量调整单元；供给规定附加气体的附加气体供给单元；来自所述附加气体供给单元的附加气体进行流通的附加气体供给通路；从所述附加气体供给通路分支并在所述分流量调整单元的下游侧与所述处理气体用第一分支流路连接的附加气体用第一分支流路；从所述附加气体供给通路分支并在所述分流量调整单元的下游侧与所述处理气体用第二分支流路连接的附加气体用第二分支流路；以及在所述附加气体用第一分支流路和所述附加气体用第二分支流路之间用于切换来自所述附加气体供给通路的附加气体进行流通的流路的流路切换单元，
所述控制单元，在所述被处理基板的处理之前，通过所述处理气体供给单元供给处理气体，对所述分流量调整单元实施压力比控制而调整分流量，使所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比成为目标压力比，当所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力稳定后，当通过所述附加气体用第二分支流路将附加气体供给至所述处理气体用第二分支流路时，将对所述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的所述处理气体用第一分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过所述附加气体供给单元供给附加气体，当通过所述附加气体用第一分支流路将附加气体供给至所述处理气体用第一分支流路时，将对所述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的所述处理气体用第二分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过所述附加气体供给单元供给附加气体。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
所述控制单元，当所述附加气体的供给开始后，如果所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力稳定，则将其压力稳定时的所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比设为新的目标压力比，将对所述分流量调整单元的控制切换成为对分流量进行调整的压力比控制，使得所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比成为所述新的目标压力比，之后，开始对所述被处理基板的处理。
11.一种气体供给方法，使用向处理被处理基板的处理室内供给气体的气体供给装置，其特征在于：
所述气体供给装置包括：供给对所述被处理基板进行处理的处理气体的处理气体供给单元；来自所述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给通路；从所述处理气体供给通路分支并分别与所述处理室的不同部位连接的处理气体用第一分支流路以及处理气体用第二分支流路；根据所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力对从所述处理气体供给通路分流至所述各处理气体用第一、第二分支流路的处理气体的分流量进行调整的分流量调整单元；供给规定的附加气体的附加气体供给单元；来自所述附加气体供给单元的附加气体流过的附加气体供给通路；从所述附加气体供给通路分支，在所述分流量调整单元的下游侧与所述处理气体用第一分支流路连接的附加气体用第一分支流路；从所述附加气体供给通路分支，在所述分流量调整单元的下游侧与所述处理气体用第二分支流路连接的附加气体用第二分支流路；以及用于在所述附加气体用第一分支流路与所述附加气体用第二分支流路之间，切换来自所述附加气体供给通路的附加气体进行流通的流路的流路切换单元，
具有如下工序：在所述被处理基板的处理之前，通过所述处理气体供给单元供给处理气体，为使所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比成为目标压力比，对所述分流量调整单元实施调整分流量的压力比控制的工序；以及
当通过所述压力比控制所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力稳定后，在通过所述附加气体用第二分支流路将附加气体供给至所述处理气体用第二分支流路时，将对所述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的所述处理气体用第一分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过所述附加气体供给单元供给附加气体，当通过所述附加气体用第一分支流路将附加气体供给至所述处理气体用第一分支流路时，将对所述分流量调整单元的控制切换成保持压力稳定时的所述处理气体用第二分支流路内的压力而进行分流量调整的压力恒定控制，之后，通过所述附加气体供给单元供给附加气体的工序。
12.根据权利要求11所述的气体供给方法，其特征在于：
具有如下工序，在所述附加气体的供给开始后，如果所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力稳定，则将该压力稳定时的所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比设为新的目标压力比，将对所述分流量调整单元的控制切换成为对分流量进行调整的压力比控制，使所述各处理气体用第一、第二分支流路内的压力比成为所述新的目标压力比。
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