KR100809127B1 - 가스 공급 장치, 기판 처리 장치 및 가스 공급 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 피 처리 기판을 처리하는 처리실 내에 가스를 공급하는 가스 공급 장치에 있어서,상기 피 처리 기판을 처리하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과,상기 처리 가스 공급 수단으로부터의 처리 가스를 흘리는 처리 가스 공급로와,상기 처리 가스 공급로로부터 분기하여 상기 처리실의 다른 부위에 각각 접속되는 처리 가스용 제 1 분기 유로 및 처리 가스용 제 2 분기 유로와,상기 처리 가스 공급로로부터 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로로 분류(分流)되는 처리 가스의 분류량을 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력에 근거하여 조정하는 분류량 조정 수단과,소정의 부가 가스를 공급하는 부가 가스 공급 수단과,상기 부가 가스 공급 수단으로부터의 부가 가스를 흘리는 부가 가스 공급로와,상기 부가 가스 공급로로부터 분기하여 상기 분류량 조정 수단보다 하류 측에서 상기 처리 가스용 제 1 분기 유로에 접속되는 부가 가스용 제 1 분기 유로와,상기 부가 가스 공급로로부터 분기하여 상기 분류량 조정 수단보다 하류 측에서 상기 처리 가스용 제 2 분기 유로에 접속되는 부가 가스용 제 2 분기 유로와,상기 부가 가스용 제 1 분기 유로와 상기 부가 가스용 제 2 분기 유로 중, 상기 부가 가스 공급로로부터의 부가 가스를 흘리는 유로를 전환하기 위한 유로 전환 수단과,상기 피 처리 기판의 처리에 앞서, 상기 처리 가스 공급 수단에 의해 처리 가스를 공급하고, 상기 분류량 조정 수단에 대하여 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력비가 목표 압력비가 되도록 분류량을 조정하는 압력비 제어를 실행하여, 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력이 안정되면, 상기 부가 가스용 제 2 분기 유로를 거쳐서 상기 처리 가스용 제 2 분기 유로로 부가 가스를 공급하는 경우는, 상기 분류량 조정 수단에 대한 제어를 압력안정시의 상기 처리 가스용 제 1 분기 유로 내의 압력을 유지하도록 분류량을 조정하는 압력일정 제어로 전환하고 나서 상기 부가 가스 공급 수단에 의해 부가 가스를 공급하고, 상기 부가 가스용 제 1 분기 유로를 거쳐서 상기 처리 가스용 제 1 분기 유로로 부가 가스를 공급하는 경우는, 상기 분류량 조정 수단에 대한 제어를 압력안정시의 상기 처리 가스용 제 2 분기 유로 내의 압력을 유지하도록 분류량을 조정하는 압력일정 제어로 전환하고 나서 상기 부가 가스 공급 수단에 의해 부가 가스를 공급하는 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 수단은,상기 부가 가스의 공급 개시 후에, 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력이 안정되면, 그 압력 안정시의 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력비를 새로운 목표 압력비로 하여, 상기 분류량 조정 수단에 대한 제어를 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력비가 상기 새로운 목표 압력비가 되도록 분류량을 조정하는 압력비 제어로 전환하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 분류량 조정 수단은,상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로를 흐르는 처리 가스의 유량을 조정하기 위한 밸브와 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력을 측정하기 위한 압력센서를 구비하고, 상기 각 압력센서로부터의 검출압력에 근거하여 상기 밸브의 개폐도를 조정하는 것에 의해, 상기 처리 가스 공급 유로로부터의 처리 가스의 유량비를 조정하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 처리 가스 공급 수단은,복수의 가스 공급원을 구비하고, 상기 각 가스 공급원으로부터 소정 유량으 로 혼합된 처리 가스를 상기 처리 가스 공급로로 공급하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 부가 가스 공급 수단은,복수의 가스 공급원을 구비하고, 상기 각 가스 공급원으로부터 선택되어 혹은 소정의 가스 유량비로 혼합된 부가 가스를 상기 부가 가스 공급로로 공급하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 처리 가스용 제 1 분기 유로는, 이 유로를 흐르는 처리 가스가 상기 처리실 내의 피 처리 기판 표면상의 중심부 영역을 향해서 공급되도록 배치하고,상기 처리 가스용 제 2 분기 유로는, 이 유로를 흐르는 처리 가스가 상기 피 처리 기판 표면상의 외주부 영역을 향해서 공급되도록 배치한 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 처리 가스용 제 2 분기 유로는,상기 처리 가스 공급로로부터 분기하는 복수의 분기 유로로 이루어져, 상기 각 처리 가스용 제 2 분기 유로에 상기 부가 가스 공급 수단으로부터의 부가 가스를 공급 가능하게 구성한 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
- 피 처리 기판을 처리하는 처리실 내에 가스를 공급하는 가스 공급 장치에 있어서,상기 피 처리 기판을 처리하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과,상기 처리 가스 공급 수단으로부터의 처리 가스를 흘리는 처리 가스 공급로와,상기 처리 가스 공급로로부터 분기하여 상기 처리실이 다른 부위에 각각 접속되는 처리 가스용 제 1 분기 유로 및 처리 가스용 제 2 분기 유로와,상기 처리 가스 공급로로부터 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로로 분류되는 처리 가스의 분류량을 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력에 근거하여 조정하는 분류량 조정 수단과,소정의 부가 가스를 공급하는 부가 가스 공급 수단과,상기 부가 가스 공급 수단으로부터의 부가 가스를 흘리는 부가 가스 공급로와,상기 부가 가스 공급로로부터 분기하여 상기 분류량 조정 수단보다 하류 측에서 상기 처리 가스용 제 1 분기 유로에 접속되는 부가 가스용 제 1 분기 유로와,상기 부가 가스 공급로로부터 분기하여 상기 분류량 조정 수단보다 하류 측에서 상기 처리 가스용 제 2 분기 유로에 접속되는 부가 가스용 제 2 분기 유로와,상기 부가 가스용 제 1 분기 유로와 상기 부가 가스용 제 2 분기 유로의 한쪽 또는 양쪽에 마련되어, 이들의 유로를 개폐하기 위한 개폐 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
- 피 처리 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실 내에 가스를 공급하는 가스 공급 장치와, 상기 가스 공급 장치를 제어하는 제어 수단을 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,상기 가스 공급 장치는, 상기 피 처리 기판을 처리하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과, 상기 처리 가스 공급 수단으로부터의 처리 가스를 흘리는 처리 가스 공급로와, 상기 처리 가스 공급로로부터 분기하여 상기 처리실의 다른 부위에 각각 접속되는 처리 가스용 제 1 분기 유로 및 처리 가스용 제 2 분기 유로와, 상기 처리 가스 공급로로부터 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로로 분류되는 처리 가스의 분류량을 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력에 근거하여 조정하는 분류량 조정 수단과, 소정의 부가 가스를 공급하는 부가 가스 공급 수단과, 상기 부가 가스 공급 수단으로부터의 부가 가스를 흘리는 부가 가스 공급로와, 상기 부가 가스 공급로로부터 분기하여 상기 분류량 조정 수단보다 하류 측에서 상기 처리 가스용 제 1 분기 유로에 접속되는 부가 가스용 제 1 분기 유로와, 상기 부가 가스 공급로로부터 분기하여 상기 분류량 조정 수단보다 하류 측에서 상기 처리 가스용 제 2 분기 유로에 접속되는 부가 가스용 제 2 분기 유로와, 상기 부가 가스용 제 1 분기 유로와 상기 부가 가스용 제 2 분기 유로 중, 상기 부가 가스 공급로로부터의 부가 가스를 흘리는 유로를 전환하기 위한 유로 전환 수단을 포함하고,상기 제어 수단은, 상기 피 처리 기판의 처리에 앞서, 상기 처리 가스 공급 수단에 의해 처리 가스를 공급하고, 상기 분류량 조정 수단에 대하여 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력비가 목표 압력비가 되도록 분류량을 조정하는 압력비 제어를 실행하여, 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력이 안정되면, 상기 부가 가스용 제 2 분기 유로를 거쳐서 상기 처리 가스용 제 2 분기 유로로 부가 가스를 공급하는 경우는, 상기 분류량 조정 수단에 대한 제어를 압력 안정시의 상기 처리 가스용 제 1 분기 유로 내의 압력을 유지하도록 분류량을 조정하는 압력일정 제어로 전환하고 나서 상기 부가 가스 공급 수단에 의해 부가 가스를 공급하고, 상기 부가 가스용 제 1 분기 유로를 거쳐서 상기 처리 가스용 제 1 분기 유로로 부가 가스를 공급하는 경우는, 상기 분류량 조정 수단에 대한 제어를 압력안정시의 상기 처리 가스용 제 2 분기 유로 내의 압력을 유지하도록 분류량을 조정하는 압력일정 제어로 전환하고 나서 상기 부가 가스 공급 수단에 의해 부가 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제어 수단은,상기 부가 가스의 공급 개시 후에, 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력이 안정되면, 그 압력 안정시의 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력비를 새로운 목표 압력비로 하여, 상기 분류량 조정 수단에 대한 제어를 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력비가 상기 새로운 목표 압력비가 되도록 분류량을 조정하는 압력비 제어로 전환하고 나서, 상기 피 처리 기판의 처리를 개시하는 것을 특징으로 기판 처리 장치.
- 피 처리 기판을 처리하는 처리실 내에 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 이용하는 가스 공급 방법에 있어서,상기 가스 공급 장치는, 상기 피 처리 기판을 처리하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과, 상기 처리 가스 공급 수단으로부터의 처리 가스를 흘리는 처리 가스 공급로와, 상기 처리 가스 공급로로부터 분기하여 상기 처리실의 다른 부위에 각각 접속되는 처리 가스용 제 1 분기 유로 및 처리 가스용 제 2 분기 유로와, 상기 처리 가스 공급로로부터 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로로 분류되는 처리 가스의 분류량을 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력에 근거하여 조정하는 분류량 조정 수단과, 소정의 부가 가스를 공급하는 부가 가스 공급 수단과, 상기 부가 가스 공급 수단으로부터의 부가 가스를 흘리는 부가 가스 공급로와, 상기 부가 가스 공급로로부터 분기하여 상기 분류량 조정 수단보다 하류 측에서 상기 처리 가스용 제 1 분기 유로에 접속되는 부가 가스용 제 1 분기 유로와, 상기 부가 가스 공급로로부터 분기하여 상기 분류량 조정 수단보다 하류 측에서 상기 처리 가스용 제 2 분기 유로에 접속되는 부가 가스용 제 2 분기 유로와, 상기 부가 가스용 제 1 분기 유로와 상기 부가 가스용 제 2 분기 유로 중, 상기 부가 가스 공급로로부터의 부가 가스를 흘리는 유로를 전환하기 위한 유로 전환 수단을 구비하고,상기 피 처리 기판의 처리에 앞서, 상기 처리 가스 공급 수단에 의해 처리 가스를 공급하고, 상기 분류량 조정 수단에 대하여 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력비가 목표 압력비가 되도록 분류량을 조정하는 압력비 제어를 실행하는 공정과,상기 압력비 제어에 의해서 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력이 안정되면, 상기 부가 가스용 제 2 분기 유로를 거쳐서 상기 처리 가스용 제 2 분기유로로 부가 가스를 공급하는 경우는, 상기 분류량 조정 수단에 대한 제어를 압력 안정시의 상기 처리 가스용 제 1 분기 유로 내의 압력을 유지하도록 분류량을 조정하는 압력일정 제어로 전환하고 나서 상기 부가 가스 공급 수단에 의해 부가 가스를 공급하고, 상기 부가 가스용 제 1 분기 유로를 거쳐서 처리 가스용 제 1 분기 유로로 부가 가스를 공급하는 경우는, 상기 분류량 조정 수단에 대한 제어를 압력 안정시의 상기 처리 가스용 제 2 분기 유로 내의 압력을 유지하도록 분류량을 조정하는 압력일정 제어로 전환하고 나서 상기 부가 가스 공급 수단에 의해 부가 가스를 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 부가 가스의 공급 개시 후에, 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력이 안정되면, 그 압력 안정시의 상기 각 처리 가스용 제 1 ,제 2 분기 유로 내의 압력비를 새로운 목표 압력비로 하여, 상기 분류량 조정 수단에 대한 제어를 상기 각 처리 가스용 제 1, 제 2 분기 유로 내의 압력비가 상기 새로운 목표 압력비가 되도록 분류량을 조정하는 압력비 제어로 전환하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 방법.
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---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170015176A (ko) * | 2015-07-30 | 2017-02-08 | 램 리써치 코포레이션 | 가스 전달 시스템 |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US20060124169A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Tokyo Electron Limited | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method |
US20080078746A1 (en) * | 2006-08-15 | 2008-04-03 | Noriiki Masuda | Substrate processing system, gas supply unit, method of substrate processing, computer program, and storage medium |
JP5034594B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
KR100872312B1 (ko) * | 2007-05-04 | 2008-12-05 | 주식회사 디엠에스 | 에칭가스 제어시스템 |
JP5372353B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-12-18 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置用ガス供給装置 |
US7981307B2 (en) | 2007-10-02 | 2011-07-19 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for shaping gas profile near bevel edge |
JP5192214B2 (ja) | 2007-11-02 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法 |
CN101779269B (zh) * | 2008-07-23 | 2014-05-07 | 新动力等离子体株式会社 | 多工件处理室以及包括该多工件处理室的工件处理系统 |
KR20160064251A (ko) * | 2008-10-07 | 2016-06-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 에칭된 기판으로부터 할로겐 잔류물들의 효율적인 제거 장치 |
US20100312405A1 (en) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | Ckd Corporation | Fluid control method, fluid control system, and non-transitory computer-readable medium storing fluid control program |
KR101110080B1 (ko) * | 2009-07-08 | 2012-03-13 | 주식회사 유진테크 | 확산판을 선택적으로 삽입설치하는 기판처리방법 |
KR101047469B1 (ko) * | 2009-09-14 | 2011-07-07 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 샤워 헤드 |
KR101139829B1 (ko) * | 2010-02-22 | 2012-04-30 | (주)젠 | 다중 가스공급장치 및 이를 구비한 플라즈마 처리장치 |
US9441295B2 (en) * | 2010-05-14 | 2016-09-13 | Solarcity Corporation | Multi-channel gas-delivery system |
JP5377587B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN102522303B (zh) * | 2011-12-23 | 2015-02-04 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种多分区气体输送装置 |
US9004107B2 (en) | 2012-08-21 | 2015-04-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for enhanced gas flow rate control |
JP6107327B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法 |
JP6336719B2 (ja) * | 2013-07-16 | 2018-06-06 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
JP6334235B2 (ja) * | 2014-04-07 | 2018-05-30 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
US10249511B2 (en) * | 2014-06-27 | 2019-04-02 | Lam Research Corporation | Ceramic showerhead including central gas injector for tunable convective-diffusive gas flow in semiconductor substrate processing apparatus |
CN104694890B (zh) * | 2015-01-05 | 2017-03-29 | 湖南普照信息材料有限公司 | 溅射室压力稳定方法、溅射镀膜方法和稳压溅射装置 |
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
TW201634738A (zh) * | 2015-01-22 | 2016-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於在空間上分離之原子層沉積腔室的經改良注射器 |
CN104934502B (zh) * | 2015-06-02 | 2017-02-01 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置 |
US20160359080A1 (en) | 2015-06-07 | 2016-12-08 | Solarcity Corporation | System, method and apparatus for chemical vapor deposition |
US9934956B2 (en) * | 2015-07-27 | 2018-04-03 | Lam Research Corporation | Time multiplexed chemical delivery system |
CN105112887B (zh) * | 2015-08-28 | 2017-09-05 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种测试喷淋头气流均匀性的装置及测试方法 |
WO2017061498A1 (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 株式会社アルバック | 混合器、真空処理装置 |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
JP6573559B2 (ja) * | 2016-03-03 | 2019-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置 |
US9748434B1 (en) | 2016-05-24 | 2017-08-29 | Tesla, Inc. | Systems, method and apparatus for curing conductive paste |
US9954136B2 (en) | 2016-08-03 | 2018-04-24 | Tesla, Inc. | Cassette optimized for an inline annealing system |
US10410832B2 (en) | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
US10115856B2 (en) | 2016-10-31 | 2018-10-30 | Tesla, Inc. | System and method for curing conductive paste using induction heating |
JP7073710B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2022-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN108335978B (zh) * | 2017-01-20 | 2022-08-26 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
KR102096700B1 (ko) * | 2017-03-29 | 2020-04-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN109712907B (zh) * | 2017-10-26 | 2021-05-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 腔室压力稳定控制系统及方法、半导体加工设备 |
JP7144283B2 (ja) * | 2018-11-09 | 2022-09-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
JP7296854B2 (ja) | 2019-11-07 | 2023-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給方法及び基板処理装置 |
CN111599718B (zh) * | 2020-05-15 | 2024-01-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 背压气路装置、反应腔室基座背压控制方法及反应腔室 |
CN114774887A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-07-22 | 拓荆科技(北京)有限公司 | 气体传输装置、方法和半导体沉积设备 |
CN115011948A (zh) * | 2022-08-05 | 2022-09-06 | 拓荆科技(北京)有限公司 | 改善薄膜颗粒度装置及其气体输送方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003347283A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
JP2004327753A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
JP2006012872A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05315290A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-26 | Fujitsu Ltd | ガス流量制御装置 |
JP4388627B2 (ja) * | 1999-07-05 | 2009-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP3856730B2 (ja) * | 2002-06-03 | 2006-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 流量制御装置を備えたガス供給設備からのチャンバーへのガス分流供給方法。 |
US20040050326A1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-03-18 | Thilderkvist Karin Anna Lena | Apparatus and method for automatically controlling gas flow in a substrate processing system |
WO2004109420A1 (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-16 | Ckd Corporation | 相対的圧力制御システム及び相対的流量制御システム |
JP4177192B2 (ja) | 2003-08-05 | 2008-11-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US20060124169A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Tokyo Electron Limited | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method |
JP4358727B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2009-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置,基板処理装置及び供給ガス設定方法 |
JP4357487B2 (ja) * | 2006-01-04 | 2009-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置,基板処理装置,ガス供給方法 |
-
2006
- 2006-01-31 JP JP2006021879A patent/JP4895167B2/ja active Active
-
2007
- 2007-01-29 KR KR1020070008729A patent/KR100809127B1/ko active IP Right Grant
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- 2007-01-31 CN CNB200710006990XA patent/CN100514552C/zh active Active
-
2009
- 2009-02-13 US US12/371,212 patent/US8236380B2/en active Active
-
2012
- 2012-07-27 US US13/560,464 patent/US8701593B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003347283A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
JP2004327753A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
JP2006012872A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170015176A (ko) * | 2015-07-30 | 2017-02-08 | 램 리써치 코포레이션 | 가스 전달 시스템 |
KR102531896B1 (ko) * | 2015-07-30 | 2023-05-11 | 램 리써치 코포레이션 | 가스 전달 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200733184A (en) | 2007-09-01 |
US20120291953A1 (en) | 2012-11-22 |
US8701593B2 (en) | 2014-04-22 |
TWI457974B (zh) | 2014-10-21 |
JP2007207808A (ja) | 2007-08-16 |
KR20070078991A (ko) | 2007-08-03 |
US20070175391A1 (en) | 2007-08-02 |
US20090145484A1 (en) | 2009-06-11 |
CN101013660A (zh) | 2007-08-08 |
JP4895167B2 (ja) | 2012-03-14 |
US8236380B2 (en) | 2012-08-07 |
CN100514552C (zh) | 2009-07-15 |
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---|---|---|
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