JP2003347283A - 真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハに対して真空処理例えばプラズ
マ処理を行うにあたり、載置台を冷却し、ウエハと載置
台との間に伝熱用ガスを介在させてウエハを冷却するよ
うにしているが、この場合に載置台を冷却する冷媒のチ
ラーユニットを小型化し、また伝熱用ガスの消費を抑え
ること。 【解決手段】 載置台４である静電チャック４２の表面
に多数のガス供給孔６１とガス排出孔７１とを設け、タ
ンク６５に貯留されている伝熱用ガスであるＨｅガスを
圧力コントローラ６６により所定の圧力に調整し、ガス
供給孔６１からウエハＷの裏面側に供給する。このＨｅ
ガスはターボ分子ポンプ７４の吸引作用によりガス排出
孔７１から吸引されてタンク６５に戻る。タンク６５内
の圧力が低くなると、ガス供給源６４からＨｅガスがタ
ンク６５に補給される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、載置台に載置され
た被処理体と載置台との隙間に伝熱用ガスを供給しなが
ら真空雰囲気中で被処理体に対して所定の処理を行う真
空処理装置及び真空処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、半導体
ウエハ（以下ウエハという）に対して成膜処理やエッチ
ング処理などの種々の真空処理が行われる。真空処理を
行うためには通常静電チャックを備えた載置台上にウエ
ハを静電吸着するようにしているが、ウエハを処理に見
合った温度に正確に調整する必要があることから、載置
台を温調しかつ載置台の表面とウエハの裏面との間に伝
熱用ガス（バックサイドガス）を供給するようにしてい
る。

【０００３】このような構成について、従来のエッチン
グ処理装置の一例の略解図である図６を参照しながら説
明する。１は気密な処理容器、１１は下部電極を兼用す
る載置台、１２は処理ガスを供給するための上部電極を
兼用するガスシャワーヘッドである。載置台１１の内部
には温調用流体である冷媒の通流部１３が設けられ、通
流部１３から流出した冷媒は冷凍機などを含むチラーユ
ニット１４により所定温度に冷却されて再び通流部１３
に戻ってくるように構成されている。また載置台１１は
表面部に図示しない静電チャックを備えており、処理容
器１内に搬入されたウエハＷを載置台１１上に静電吸着
するように構成される。

【０００４】このエッチング装置においては、ガスシャ
ワーヘッド１２から処理ガス例えばハロゲン系のガスが
処理容器１内に供給され、ガスシャワーヘッド（上部電
極）１２と載置台（下部電極）１１との間に高周波電力
を印加して処理ガスをプラズマ化し、ウエハＷ上の膜を
エッチングする。ここでウエハＷの裏面及び載置台１１
の表面は研磨精度の限界から微視的に見れば表面粗さが
存在し、またうねりがあることから両者の面の間に真空
の隙間が存在する。このため載置台１１の表面に多数の
ガス孔を開けて各ガス孔を外部のガス供給管に連通させ
このガス供給管及びガス孔を通じて例えばヘリウムガス
からなる伝熱用ガス１０を前記隙間に供給するようにし
ていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この伝熱用ガスの圧力
は処理雰囲気側の圧力よりも高く設定されているので、
僅かにその一部が前記隙間から処理容器１１内に漏洩し
ているが、実質的にはウエハＷの裏面で行き止まりとな
り、流れがない状態になっている。このため冷却効率が
悪く、例えばウエハＷの温度を１００℃に設定する場合
に、冷媒の温度を０℃に設定するようにしており、チラ
ーに要するコストが高いという課題があった。

【０００６】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、温調された載置台の上に被処理体を載置しか
つ載置台と被処理体との間に伝熱用ガスを供給しながら
真空処理を行うにあたって、被処理体の温調効率が高
く、また伝熱用ガスの消費を抑えることのできる真空処
理装置及びその方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の真空処理装置
は、気密な処理容器内に設けられ、載置台上に被処理体
を載置し、載置台の表面と被処理体の裏面との間に伝熱
用ガスを供給し、真空雰囲気下で被処理体に対して所定
の処理を行う真空処理装置において、前記載置台の表面
に開口するガス供給孔と、前記載置台の表面に開口する
ガス排出孔と、前記ガス供給孔に連通し、伝熱用ガスを
供給するためのガス供給路と、前記ガス排出孔に連通す
ると共に下流端が前記ガス供給路に接続されたガス循環
路と、を備え、ガス供給孔から被処理体の裏面側に供給
された伝熱用ガスが、ガス排出孔から排出されてガス供
給路に戻され再利用されることを特徴とする。

【０００８】この発明に係る真空処理装置は、例えば載
置台を温調するための温調手段を備えており、伝熱用ガ
スにより載置台の温度が被処理体に伝熱される。また伝
熱用ガスを温調する温調手段を例えば載置台の外部に設
けるようにしてもよく、この場合載置台の温度を温調す
る温調手段を設けずに伝熱用ガスを温調し、温調された
伝熱用ガスを被処理体の裏面側に通流させるようにして
もよい。

【０００９】この発明の具体例としては、ガス供給路に
は、処理雰囲気側の圧力よりも高い圧力に設定されるガ
ス貯留部とこのガス貯留部からの伝熱用ガスを予め設定
した圧力に調整するための圧力調整部とが上流側からこ
の順に設けられ、またガス循環路には、伝熱用ガスをガ
ス貯留部に戻すための吸引手段が設けられる。更に具体
的な構成の一例としては、ガス貯留部内の圧力を検出す
る圧力検出部と、ガス供給路におけるガス循環路との接
続点よりも上流側に設けられた第１のバルブと、ガス循
環路に設けられた第２のバルブと、前記圧力検出部の圧
力検出値が第１の設定圧力よりも低くなると第２のバル
ブ閉じかつ第１のバルブを開いて前記ガス貯留部内に伝
熱用ガスを補給し、前記圧力検出値が第２の設定圧力に
達すると第１のバルブを閉じかつ第２のバルブを開いて
伝熱用ガスの循環を行うように第１及び第２のバルブを
制御する制御部と、を備えた構成が挙げられる。吸引手
段は例えば真空排気用のポンプからなる。

【００１０】この発明によれば、被処理体の裏側に伝熱
用ガスの流れを形成し、循環して再利用するようにして
いるため、被処理体の温調効率が高く、また伝熱用ガス
の消費を抑えることができる。

【００１１】本発明の真空処理方法は、気密な処理容器
内に設けられ、温度調整された載置台上に被処理体を載
置し、載置台の表面と被処理体の裏面との間に伝熱用ガ
スを供給し、真空雰囲気下で被処理体に対して所定の処
理を行う真空処理方法において、処理雰囲気側の圧力よ
りも高い所定の圧力で貯留されているガス貯留部内の伝
熱用ガスを圧力調整して、前記載置台の表面に開口する
ガス供給孔を介して載置台の表面と被処理体の裏面との
間に供給する工程と、この工程にて載置台の表面と被処
理体の裏面との間に供給された伝熱用ガスを前記載置台
の表面に開口するガス排出孔を介して前記ガス貯留部内
に戻す工程と、ガス貯留部内の圧力が所定の圧力よりも
低くなったときに当該ガス貯留部内に伝熱用ガスを補給
してその圧力を高くする工程と、を含むことを特徴とす
る

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明に係る真空処理装置の実施
の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は
本実施の形態に係る真空処理装置の全体構造を示す縦断
面図である。図中２は処理容器をなす真空チャンバであ
り、例えばアルミニウムにより気密構造をなすように形
成されており、接地されている。この真空チャンバ２内
には上部電極を兼用し、接地されたガスシャワーヘッド
３と、下部電極を兼ねる載置台４とが対向して設けられ
ており、底面には例えばターボ分子ポンプやドライポン
プなどからなる真空排気手段２１と連通する真空排気路
である排気管２２が接続されている。また真空チャンバ
２の側壁部には被処理体例えば半導体基板であるウエハ
（シリコンウエハ）Ｗを搬入出するための開口部２３が
形成されており、ゲートバルブＧにより開閉自在とされ
ている。この側壁部の外方には開口部２３を上下に挟む
位置に、例えば夫々リング状をなす永久磁石２４、２５
が設けられている。

【００１３】ガスシャワーヘッド３は、載置台４上のウ
エハＷに対向する位置に多数の孔部３１が形成され、上
部のガス供給管３２から送られる処理ガスを当該孔部３
１を介してウエハＷの表面へ均一に供給するように構成
されている。

【００１４】載置台４は、例えばアルミニウムからな
り、真空チャンバ２に対して絶縁部材４１ａにより絶縁
された円柱状の本体部４１と、この本体部４１の上面に
設けられた静電チャック４２と、この静電チャック４２
の周囲を囲むリング状の導電部材である導電リング４３
と、この導電リング４３と本体部４１との間に設けられ
たリング状の絶縁部材である絶縁リング４３ａとを備え
た構成とされている。載置台４の例えば本体部４１に
は、コンデンサＣ１及びコイルＬ１を介して高周波電源
４０が接続されている。なお導電リング４３はウエハＷ
の周縁及びその近傍の濃いプラズマを拡散させ、プラズ
マの均一性を高める役割を果たすものである。また載置
台４の側壁部には、排気時においてウエハＷの周方向に
均一な排気流を形成するためのバッフル板４４が設けら
れている。

【００１５】静電チャック４２は例えばポリイミドなど
からなる絶縁層４５内に箔状のチャック電極４６を設け
てなり、チャック電極４６は、スイッチ部ＳＷ１を介し
て直流電源４７とアースとの間で切り換え接続できるよ
うに構成されている。

【００１６】前記載置台４の内部には、外部の図示しな
い搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しを行うための
昇降部材である昇降ピン５１が複数例えば３本突没自在
に設けられており、この昇降ピン５１は連結部材５２を
介して駆動機構５３により昇降できるように構成されて
いる。５４は昇降ピン５１の貫通孔と大気側との間の気
密を保持するベローズである。また本体部４１にはウエ
ハＷの温度を所定の温度に調整するための温調用の媒体
である冷媒の通流室５５が設けられており、冷媒が流入
管５６から流入して通流室５５を通り、流出管５７から
流出されて図示しない温調ユニットであるチラーユニッ
トで冷却されて通流室５５に戻り、こうして循環するよ
うになっている。この例では前記チラーユニット、通流
室５５、流入管５６、流出管５７は載置台３を温調する
ための温調手段をなすものである。

【００１７】更にまた載置台４には、載置台４の表面と
ウエハＷの裏面との間に伝熱用ガスを供給するための構
造が設けられている。この構造は、図１〜図３に示すよ
うに載置台４の表面に各々開口する複数のガス供給孔６
１及びガス排出孔７１を備えており、これらガス供給孔
６１及びガス排出孔７１は静電チャック４２から本体部
４１に跨って厚さ方向に形成されている。図１〜図３で
はガス供給孔６１及びガス排出孔７１を便宜的に図示し
ているが、実際にはこれら孔６１、７１の数及び配置パ
ターンなどについては、ウエハＷの面内温度均一性が良
好に保てるように設定される。各ガス供給孔６１は、本
体部４１内に形成されたバッファ室６２を介して例えば
配管などからなるガス供給路６３に接続され、各ガス排
出孔７１は、本体部４１内に形成されたバッファ室７２
を介して例えば配管などからなるガス循環路７３に接続
されている。

【００１８】次に伝熱ガスの供給系及び循環系に関して
図３を参照しながら説明する。ガス供給路６３は、上流
側から伝熱ガスの供給源例えばヘリウム（Ｈｅ）ガスの
ガス供給源６４、バルブＶ１、ガス貯留部である例えば
容積が約１リットルであるタンク６５、バルブＶ２、圧
力調整部である圧力コントローラ６６、バルブＶ３が設
けられている。ガス供給源６４は例えばガスボンベから
のガスを減圧弁により減圧した状態で供給するものが挙
げられる。タンク６５はガス供給源６４から送られるヘ
リウムガスを一旦貯留し、バルブＶ１を閉じて当該タン
ク６５から載置台４にヘリウムガスを供給するためのも
のであり、例えば内部圧力が設定圧力Ｐ１よりも低くな
るとバルブＶ１を開いてガス供給源６３からヘリウムガ
スが設定圧力Ｐ２になるまで供給される。このため本装
置においては、タンク６５内の圧力を検出する圧力検出
部６７が設けられ、この圧力検出部６７の圧力検出値を
制御部１００に取り込み、後述のようにバルブの開閉制
御を行うようにしている。前記圧力コントローラ６６
は、圧力検出部６６ａにてガス圧力を検出値し、その値
が設定圧力になるようにコントローラ６６ｂによりバル
ブ６６ｃの開度を調整するものである。

【００１９】ガス循環路７３は載置台４側（上流側）か
らバルブＶ４、真空排気手段であるターボ分子ポンプ
（ＴＭＰ）７４、バルブＶ５が設けられ、下流端はガス
供給路６３におけるバルブＶ１とタンク６５との間に接
続されている。この例では、バルブＶ１及びＶ５は夫々
特許請求の範囲に記載した第１のバルブ及び第２のバル
ブに相当する。またガス供給路６３におけるバルブＶ３
の下流側は、真空チャンバ２に接続されている真空排気
路例えば排気管２２にバルブＶａを介して接続されてお
り、ガス循環路７３におけるバルブＶ４の上流側は前記
真空排気路例えば排気管２２にバルブＶｂを介して接続
されている。

【００２０】次いで本実施の形態の作用について図４を
参照しながら説明する。先ずゲートバルブＧを開き、図
示しない隣接する、例えば真空雰囲気になっているロー
ドロック室から図示しない搬送アームにより被処理体で
あるウエハＷを真空チャンバ２内に搬入し、昇降ピン５
１との協働動作により載置台４の上につまり静電チャッ
ク４２の上に載置される（ステップＳ１）。そしてスイ
ッチＳＷ１を直流電源４７側に切り替えて静電チャック
４２をオンにし、ウエハＷを載置台４の表面に吸着する
（ステップＳ２）。このときまでバルブＶａ、Ｖｂが開
き、バルブＶ３、Ｖ４が閉じた状態になっており、載置
台４に設けられている伝熱用ガスのガス供給孔６１及び
ガス排出孔７１の中は真空チャンバ２内の圧力とほぼ同
じ圧力になっている。

【００２１】ウエハＷが載置台４に吸着された後、バル
ブＶａ、Ｖｂを閉じ、バルブＶ３、Ｖ４を開く（ステッ
プＳ３）。この段階ではバルブＶ１は「閉」、バルブＶ
２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５は「開」の状態になっており、タ
ンク６５内に貯留されている伝熱用ガスが圧力コントロ
ーラ６６により処理雰囲気側（ウエハＷの表面側）の圧
力よりも高い所定の圧力、例えば７Ｔｏｒｒから４０Ｔ
ｏｒｒ（約９３３Ｐａ〜５３３２Ｐａ）に調整され、バ
ッファ室６２を経てガス供給孔６１からウエハＷの裏面
と載置台４の表面との間に供給される。図５はこの様子
を示す図であり、ウエハＷの裏面及び載置台４の表面は
既述のように微視的に見れば表面粗さが存在し、またう
ねりがあることから両者の面の間には隙間２００が存在
し、この隙間２００に伝熱用ガスが供給される。そして
載置台４の表面にはガス排出孔７１が形成されていて、
ガス循環路７３に設けられたターボ分子ポンプ７４によ
り吸引して、ガス排出孔７１内の圧力を処理雰囲気側よ
りも高いが、ガス供給孔６１内の圧力よりも低くしてい
るので、前記伝熱用ガスはガス排出孔７１から排出さ
れ、このため伝熱用ガスが前記隙間２００を流れること
になる（ステップＳ４）。伝熱用ガスの圧力は、冷媒の
温度及びウエハＷの設定温度などに応じて適切な熱伝達
が行われるように決定される。ターボ分子ポンプ７４に
よりガス排気孔７１から吸引された伝熱用ガスはガス循
環路７３を介してタンク６５内に送られる。

【００２２】一方真空チャンバ２内はゲートバルブＧを
閉じた後、例えば一旦排気管２２を介して真空引きが行
われ、次いでガスシャワーヘッド３から処理ガスをウエ
ハＷに供給して内部圧力が例えば３０ｍＴｏｒｒ〜１０
０ｍＴｏｒｒ（約４〜１３．３Ｐａ）に維持されるよう
に調節を行う。そして高周波電源４０により下部電極を
なす載置台４と上部電極をなすガスシャワーヘッド３と
の間に高周波電圧を印加して、処理ガスをプラズマ化す
ると共に磁石２４、２５によりプラズマを高密度化し、
ウエハＷ表面の例えばシリコン酸化膜をエッチングする
（ステップＳ５）。ウエハＷの表面はプラズマにより加
熱されるが、載置台４は通流室５５内に例えば２０℃に
調整された冷媒が供給されていて予め設定した温度に調
整されており、載置台４とウエハＷとの間で伝熱用ガス
を介して熱伝達が行われ、ウエハＷが所定温度例えばお
よそ１００℃に調整される。

【００２３】エッチングが終了すると、バルブＶ３、Ｖ
４を閉じ、バルブＶａ、Ｖｂを開き（ステップＳ６）、
その後スイッチＳＷ１をアース側に切り替えて静電チャ
ック４２をオフにする（ステップＳ７）。このように静
電チャック４２をオフにする前にバルブの切り替えを行
う理由は、ガス供給孔６１及びガス排出孔７１内の圧力
は処理雰囲気側の圧力よりも高いので、このまま静電チ
ャック４２をオフにすると伝熱用ガスが飛び出してウエ
ハＷが跳ねてしまうおそれがあることから、ガス供給孔
６１及びガス排出孔７１内の圧力を処理雰囲気側と同等
の圧力にするためである。静電チャック４２をオフにし
た後、ゲートバルブＧを開き、搬入時の逆の動作により
載置台４上のウエハＷが真空チャンバ２から搬出される
（ステップＳ８）。

【００２４】以上述べたようにタンク６５内の伝熱用ガ
スは圧力コントローラ６６からウエハＷの裏面側に供給
され、ガス循環路７３によりタンク６５内に戻されて循
環し、再利用されているが、一部はウエハＷの裏面側か
ら真空チャンバ２内に流出するため、再利用しているう
ちに減少し、タンク６５内の圧力が小さくなってくる。
そこで制御部１００により圧力検出部６７からの圧力検
出値を取り込んでタンク６５内の圧力を監視し、第１の
設定圧力Ｐ１以上であるか否かの判断が行われる（ステ
ップＳ９）。タンク６５内の圧力がＰ１以上であれば終
了するが、タンク６５内の圧力がＰ１よりも低ければ、
バルブＶ２、Ｖ５を閉じ、バルブＶ１を開く（ステップ
Ｓ１０）。これによりガス供給源６４からタンク６５内
に伝熱用ガスが補給され、タンク６５内の圧力が第２の
設定圧力Ｐ２に達したときにバルブＶ１を閉じ、バルブ
Ｖ２、Ｖ５を開く（ステップＳ１１、Ｓ１２）。この操
作は、制御部１００が圧力検出部６７の圧力検出値を監
視し、その値がＰ２に達したときにバルブ１、Ｖ２、Ｖ
５のアクチュエータに制御信号を送ることにより行われ
る。

【００２５】ここで第１の設定圧力（下限圧力）Ｐ１及
び第２の設定圧力（上限圧力）Ｐ２は、この間の圧力か
ら外れると伝熱用ガスを圧力コントローラ６６により所
定の圧力、この例では７Ｔｏｒｒから４０Ｔｏｒｒ（約
９３３Ｐａ〜５３３２Ｐａ）に設定できなくなる圧力と
して決定される。またタンク６５内の圧力チェック及び
ガスの補給は、この例ではウエハＷを搬出する度に行っ
ているが、ウエハＷを所定枚数処理した後に行うように
してもよい。

【００２６】上述の実施の形態によれば、載置台４から
供給された伝熱用ガスをウエハＷの裏面側で止めないで
ガス排出孔７１から吸引して伝熱用ガスの流れを形成し
ているので、ウエハＷから伝熱用ガスに熱が伝わっても
そのガスは排出されて新たなガスが介在するため、載置
台４とウエハＷとの間の伝熱効率が良く、このため載置
台４によるウエハＷの温調効率、この例では冷却効率が
高い。従って載置台４に供給される冷媒の温度を高くで
きるので、冷媒のチラーユニットを小型化でき、設備コ
ストを抑えることができる。更にまた伝熱用ガスを循環
して再利用しているので、伝熱用ガスの消費量を低減で
き、運転コストを抑えることができる。

【００２７】上述の実施の形態において、ガス貯留部例
えばタンク６５に温調手段を設け、貯留されている伝熱
用ガスを所定温度に調整するように、この例では冷却し
てもよく、このようにすればウエハＷからの伝熱による
伝熱用ガスの蓄熱が抑えられるので、結局載置台４によ
るウエハＷの温調効率例えば冷却効率がより高いという
利点があり、これにより載置台４を冷却するためのチラ
ーユニットのより一層の小型化を図ることができる。伝
熱用ガスを温調する温調手段は、載置台４の外部におけ
るガス流路つまりガス供給路６３あるいはガス循環路７
３の途中に設けてもよいが、載置台４に伝熱用ガスの専
用の温調手段を設けてもよい。

【００２８】なお本発明は、載置台に加熱媒体を供給し
て加熱し、伝熱用ガスにより被処理体を加熱する場合に
も適用できる。そして本発明は、プロセスによっては載
置台４を温調せずに、温調された伝熱ガスにより被処理
体を温調するようにしてもよい。

【００２９】また上述の例では静電チャックによりウエ
ハを載置台側に吸着しているが、メカ的なチャック例え
ばウエハの周縁を抑えるクランプ機構によりウエハを載
置台側に抑える装置に対しても適用できる。更に上述の
例では、真空処理の一例としてエッチングを挙げている
が、ＣＶＤやアッシング、スパッタ処理などの真空処理
を行う場合にも適用できる。

【００３０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、載置台の
上に被処理体を載置しかつ載置台と被処理体との間に伝
熱用ガスを供給しながら真空処理を行うにあたって、被
処理体の裏側に伝熱用ガスの流れを形成し、循環して再
利用するようにしているため、被処理体の温調効率が高
く、また伝熱用ガスの消費を抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る真空処理装置の全体
構成を示す縦断面図である。

【図２】上記真空処理装置における載置台の分解斜視図
である。

【図３】伝熱用ガスのガス供給路及びガス循環路に関連
する部位を示す説明図である。

【図４】本実施の形態の作用を説明するためのフロー図
である。

【図５】半導体ウエハと載置台の表面との間に伝熱用ガ
スが供給される状態を示す説明図である。

【図６】真空処理装置の従来の一例を示す略解断面図で
ある。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ ２ 真空チャンバ ２２ 排気管 ３ シャワーヘッド ４ 載置台 ４１ 本体部 ４２ 静電チャック ５５ 冷媒の通流室 ６１ ガス供給孔 ６３ ガス供給路 ６５ タンク ６６ 圧力コントローラ ６７ 圧力検出部 ７１ ガス排出孔 ７３ ガス循環路 ７４ ターボ分子ポンプ １００ 制御部

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 気密な処理容器内に設けられ、載置台上
   に被処理体を載置し、載置台の表面と被処理体の裏面と
   の間に伝熱用ガスを供給し、真空雰囲気下で被処理体に
   対して所定の処理を行う真空処理装置において、 前記載置台の表面に開口するガス供給孔と、 前記載置台の表面に開口するガス排出孔と、 前記ガス供給孔に連通し、伝熱用ガスを供給するための
   ガス供給路と、 前記ガス排出孔に連通すると共に下流端が前記ガス供給
   路に接続されたガス循環路と、を備え、 ガス供給孔から被処理体の裏面側に供給された伝熱用ガ
   スが、ガス排出孔から排出されてガス供給路に戻され再
   利用されることを特徴とする真空処理装置。
2. 【請求項２】 伝熱用ガスを温調するための温調手段を
   備えていることを特徴とする請求項１記載の真空処理装
   置。
3. 【請求項３】 ガス供給路には、処理雰囲気側の圧力よ
   りも高い圧力に設定されるガス貯留部とこのガス貯留部
   からの伝熱用ガスを予め設定した圧力に調整するための
   圧力調整部とが上流側からこの順に設けられ、またガス
   循環路には、伝熱用ガスをガス貯留部に戻すための吸引
   手段が設けられていることを特徴とする請求項１または
   ２記載の真空処理装置。
4. 【請求項４】 ガス貯留部内の圧力を検出する圧力検出
   部と、 ガス供給路におけるガス循環路との接続点よりも上流側
   に設けられた第１のバルブと、 ガス循環路に設けられた第２のバルブと、前記圧力検出
   部の圧力検出値が第１の設定圧力よりも低くなると第２
   のバルブ閉じかつ第１のバルブを開いて前記ガス貯留部
   内に伝熱用ガスを補給し、前記圧力検出値が第２の設定
   圧力に達すると第１のバルブを閉じかつ第２のバルブを
   開いて伝熱用ガスの循環を行うように第１及び第２のバ
   ルブを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする請
   求項３記載の真空処理装置。
5. 【請求項５】 気密な処理容器内に設けられ、載置台上
   に被処理体を載置し、載置台の表面と被処理体の裏面と
   の間に伝熱用ガスを供給し、真空雰囲気下で被処理体に
   対して所定の処理を行う真空処理方法において、 処理雰囲気側の圧力よりも高い所定の圧力で貯留されて
   いるガス貯留部内の伝熱用ガスを圧力調整して、前記載
   置台の表面に開口するガス供給孔を介して載置台の表面
   と被処理体の裏面との間に供給する工程と、 この工程にて載置台の表面と被処理体の裏面との間に供
   給された伝熱用ガスを前記載置台の表面に開口するガス
   排出孔を介して前記ガス貯留部内に戻す工程と、 ガス貯留部内の圧力が所定の圧力よりも低くなったとき
   に当該ガス貯留部内に伝熱用ガスを補給してその圧力を
   高くする工程と、を含むことを特徴とする真空処理方
   法。
6. 【請求項６】 伝熱用ガスは温調されていることを特徴
   とする請求項５記載の真空処理方法。
7. 【請求項７】 ガス排出孔からの伝熱用ガスは真空排気
   用のポンプからなる吸引手段によりガス貯留部に戻され
   ることを特徴とする請求項５または６記載の真空処理方
   法。