JP2002305238A - 真空中にて使用するガス冷却静電ピンチャック - Google Patents
真空中にて使用するガス冷却静電ピンチャックInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの全作業領域に亘って熱の均一な伝達
を供給し、作動環境への冷却ガスの漏れを最小限にし、
更にウエハの変形を防止する静電チャックを提供する。 【解決手段】 環状のガスインレットを配置し、サブス
トレートを保持するために一様な分布の冷却ガスを供給
し、ウエハの周辺でガスベアリングのシールを配置す
る。
を供給し、作動環境への冷却ガスの漏れを最小限にし、
更にウエハの変形を防止する静電チャックを提供する。 【解決手段】 環状のガスインレットを配置し、サブス
トレートを保持するために一様な分布の冷却ガスを供給
し、ウエハの周辺でガスベアリングのシールを配置す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に半導体プロ
セスにおいて、サブストレートを保持するのに用いられ
るチャックに関係し、より詳細には、チャックとサブス
トレートの間で冷却ガスの圧力を調整することにより、
サブストレートの一様な温度を制御、維持するためのシ
ステムと方法に関するものである。
セスにおいて、サブストレートを保持するのに用いられ
るチャックに関係し、より詳細には、チャックとサブス
トレートの間で冷却ガスの圧力を調整することにより、
サブストレートの一様な温度を制御、維持するためのシ
ステムと方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路、電子部品、電子装置製
造を含むプロセスの中で、ウエハのプロセスにおいて、
シリコンウエハのようなサブストレートを支持するの用
いられる様様な支持システムが用いられてきた。露光装
置のようなプロセスでは、チャックにより固定されるウ
エハの露光面の平坦性、像のミスアライメントを生じさ
せる変形が小さいこと、等の像の品質に係わる考慮が必
要とされる。
造を含むプロセスの中で、ウエハのプロセスにおいて、
シリコンウエハのようなサブストレートを支持するの用
いられる様様な支持システムが用いられてきた。露光装
置のようなプロセスでは、チャックにより固定されるウ
エハの露光面の平坦性、像のミスアライメントを生じさ
せる変形が小さいこと、等の像の品質に係わる考慮が必
要とされる。
【０００３】支持システムの1つのタイプには、ウエハ
を所定の位置に保持するために、ウエハの周に沿って伸
びる周辺クランプリングを用いたものがある。リングの
下のウエハの位置は支持部材に対して固くクランプされ
る。このようなシステムでは、ウエハの周囲がリングに
より覆われるために、回路の製造に利用できる面積が減
ることになる。更に、ウエハと支持部材の間に微粒子が
挟みこまれるとウエハの変形へと繋がる。
を所定の位置に保持するために、ウエハの周に沿って伸
びる周辺クランプリングを用いたものがある。リングの
下のウエハの位置は支持部材に対して固くクランプされ
る。このようなシステムでは、ウエハの周囲がリングに
より覆われるために、回路の製造に利用できる面積が減
ることになる。更に、ウエハと支持部材の間に微粒子が
挟みこまれるとウエハの変形へと繋がる。
【０００４】他のタイプの支持システムは、チャックに
対してウエハを保持するのに真空を使うものである。こ
の真空支持システムでは、ウエハは真空ポンプの利用に
よりチャックに対して保持される。これにより、チャッ
クとウエハの間の空間の圧力はチャンバの中のガス圧力
よりも小さくなり、これにより支持システムは作動す
る。プラズマエッチングのような多くの半導体製造プロ
セスでは、高い真空環境（１０-3Torr以下）で行なわれ
る。真空支持システムは典型的には、そのような真空チ
ャンバの中では作動することができない。というのは、
ウエハをチャックに対して固定するためには、支持シス
テムの内部よりも、チャンバの環境は高い圧力が必要だ
からである。
対してウエハを保持するのに真空を使うものである。こ
の真空支持システムでは、ウエハは真空ポンプの利用に
よりチャックに対して保持される。これにより、チャッ
クとウエハの間の空間の圧力はチャンバの中のガス圧力
よりも小さくなり、これにより支持システムは作動す
る。プラズマエッチングのような多くの半導体製造プロ
セスでは、高い真空環境（１０-3Torr以下）で行なわれ
る。真空支持システムは典型的には、そのような真空チ
ャンバの中では作動することができない。というのは、
ウエハをチャックに対して固定するためには、支持シス
テムの内部よりも、チャンバの環境は高い圧力が必要だ
からである。
【０００５】他のタイプの支持システムは支持部材にウ
エハをクランプするのに静電力を使うものである。その
ようなシステムでは、典型的には、実質的に全てあるい
は、全てのウエハの面積がプロセスのために利用可能と
なり、しかもチャックは高い真空環境でも効果的に使用
することができる。典型的な静電チャックはウエハを支
持する面と電気的なポテンシャルによりウエハに対して
静電的に偏った静電部材とからなるものである。ウエハ
は静電力によりチャックの支持面に対して所定の位置に
保持される。
エハをクランプするのに静電力を使うものである。その
ようなシステムでは、典型的には、実質的に全てあるい
は、全てのウエハの面積がプロセスのために利用可能と
なり、しかもチャックは高い真空環境でも効果的に使用
することができる。典型的な静電チャックはウエハを支
持する面と電気的なポテンシャルによりウエハに対して
静電的に偏った静電部材とからなるものである。ウエハ
は静電力によりチャックの支持面に対して所定の位置に
保持される。
【０００６】ウエハのプロセスの間、しばしば熱が生じ
る。そしてしばしばウエハの最大温度上昇を制限する必
要が生ずる。ウエハ表面の温度の均一性を保つことが重
要である。ウエハ表面に過度の温度の分布があると（し
ばしば、不均一な熱伝達による）、ウエハは変形する場
合がある。真空環境において、ウエハからの熱の伝達は
効率的ではない。これは、熱の伝達は主に放射によって
行なわれるからである。支持システムはしばしば実質的
にウエハの温度を一定に保つためにウエハを冷却する方
法を提供している。もしチャックとウエハの間の接触が
滑らかであれば、接触領域は十分であり、チャックの熱
伝導は高く、ウエハからチャックへ多くの熱を移動する
ことができる。もしウエハあるはチャックの表面が粗く
接触領域が限られておれば、チャックを通じて熱伝達は
実質的に減少する。チャックとウエハの間の親密な接触
を達成することは難しい。更に、チャックとウエハの間
に微粒子が挟みこまれるとウエハの変形へと通じるため
に、この条件は通常避けられる。この条件下では、ヘリ
ウムのような不活性ガスをウエハとチャックの間に充た
し熱伝導体として使用し、ウエハの下側を経由してウエ
ハから熱を排熱することができる。対流を利用してウエ
ハを冷却するために、ウエハとチャックの間に流体を流
すことも可能である。しかしながら、十分なクランプ力
を維持し、周囲の真空環境への重大な漏れを避けること
は難しい。
る。そしてしばしばウエハの最大温度上昇を制限する必
要が生ずる。ウエハ表面の温度の均一性を保つことが重
要である。ウエハ表面に過度の温度の分布があると（し
ばしば、不均一な熱伝達による）、ウエハは変形する場
合がある。真空環境において、ウエハからの熱の伝達は
効率的ではない。これは、熱の伝達は主に放射によって
行なわれるからである。支持システムはしばしば実質的
にウエハの温度を一定に保つためにウエハを冷却する方
法を提供している。もしチャックとウエハの間の接触が
滑らかであれば、接触領域は十分であり、チャックの熱
伝導は高く、ウエハからチャックへ多くの熱を移動する
ことができる。もしウエハあるはチャックの表面が粗く
接触領域が限られておれば、チャックを通じて熱伝達は
実質的に減少する。チャックとウエハの間の親密な接触
を達成することは難しい。更に、チャックとウエハの間
に微粒子が挟みこまれるとウエハの変形へと通じるため
に、この条件は通常避けられる。この条件下では、ヘリ
ウムのような不活性ガスをウエハとチャックの間に充た
し熱伝導体として使用し、ウエハの下側を経由してウエ
ハから熱を排熱することができる。対流を利用してウエ
ハを冷却するために、ウエハとチャックの間に流体を流
すことも可能である。しかしながら、十分なクランプ力
を維持し、周囲の真空環境への重大な漏れを避けること
は難しい。
【０００７】米国特許４，５６５，６０１は、静電チャ
ックと特定の温度で真空内で処理されるウエハの温度を
制御する方法が記載されている。静電チャックはウエハ
を周辺と内部の点の両方でクランプし、支持する。ガス
の冷却材はチャックの上とウエハの下のあいだの間隙に
供給される。周囲のクランプする領域では、ガスが真空
チャンバ内に流れるのを防ぐシールが供給される。しか
しながら、周囲の接触領域がウエハと良好な接触をしな
い場合、例えば間に微粒子が挟みこまれた場合、あるい
はウエハの表面が平面で無い場合にはチャンバ内への漏
れが生じる。また、この特許によると、冷却ガスが周囲
の真空に流れるのをふせぐシールを設けるために、チャ
ックとウエハの周囲でクランプをする必要がある。シー
ルが有効になるためには、多大なクランプ圧力をかける
必要があり、このことにより、ウエハを変形させる要因
となる場合がある。
ックと特定の温度で真空内で処理されるウエハの温度を
制御する方法が記載されている。静電チャックはウエハ
を周辺と内部の点の両方でクランプし、支持する。ガス
の冷却材はチャックの上とウエハの下のあいだの間隙に
供給される。周囲のクランプする領域では、ガスが真空
チャンバ内に流れるのを防ぐシールが供給される。しか
しながら、周囲の接触領域がウエハと良好な接触をしな
い場合、例えば間に微粒子が挟みこまれた場合、あるい
はウエハの表面が平面で無い場合にはチャンバ内への漏
れが生じる。また、この特許によると、冷却ガスが周囲
の真空に流れるのをふせぐシールを設けるために、チャ
ックとウエハの周囲でクランプをする必要がある。シー
ルが有効になるためには、多大なクランプ圧力をかける
必要があり、このことにより、ウエハを変形させる要因
となる場合がある。
【０００８】エレクトログリップ社は２００ｍｍのウエ
ハ、ガス圧力１０Torrで漏れ率が０．５〜１sccmのヘリ
ウム冷却の静電チャックを製造している。これは、７６
０Torrの圧力で０．０１３Torr−１/secに等しい。チャ
ンバの圧力を１ｍTorrに保つためには、典型的なエッチ
ングシステムでこの漏れ率を適用すると、ポンプ速度は
０．０１３Torr−１/sec/１０-3Torr＝１３ １/secが
必要となる。そのようなポンプ速度を達成するのは難し
くはない。しかしながら、電子線露光装置のような用途
に対しては、チャンバの圧力が１０-6から１０-7Torrの
圧力が必要とされる。このような圧力レベルを保つに
は、ポンプの速度を１０3から１０4倍にする必要があ
る。これはもはや可能ではない。
ハ、ガス圧力１０Torrで漏れ率が０．５〜１sccmのヘリ
ウム冷却の静電チャックを製造している。これは、７６
０Torrの圧力で０．０１３Torr−１/secに等しい。チャ
ンバの圧力を１ｍTorrに保つためには、典型的なエッチ
ングシステムでこの漏れ率を適用すると、ポンプ速度は
０．０１３Torr−１/sec/１０-3Torr＝１３ １/secが
必要となる。そのようなポンプ速度を達成するのは難し
くはない。しかしながら、電子線露光装置のような用途
に対しては、チャンバの圧力が１０-6から１０-7Torrの
圧力が必要とされる。このような圧力レベルを保つに
は、ポンプの速度を１０3から１０4倍にする必要があ
る。これはもはや可能ではない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ウエハの全作業領域に
亘って熱の均一な伝達を供給すること、作動環境への冷
却ガスの漏れを最小限にすること、ウエハの変形を防止
することが静電チャックに求められている。
亘って熱の均一な伝達を供給すること、作動環境への冷
却ガスの漏れを最小限にすること、ウエハの変形を防止
することが静電チャックに求められている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、環状のガスイ
ンレットを静電チャックの周辺に配置し、サブストレー
トを保持するために一様な分布の冷却ガスを供給し、ウ
エハの周辺でガスベアリングのシールを配置することに
より、従来の技術の持っていた欠点を克服するものであ
る。1つの実施例として、本発明は、チャックの周辺に
配置されたガスの環状のガスアウトレット内に配置され
た環状のガスインレットを持つ静電ピンチャックにより
保持されるウエハへの均一なガス分布を供給するもので
ある。環状のガスインレットからガスが導入されること
によりチャックの空隙における冷却ガス圧力を均等化さ
れる。ガスの均一な分布はウエハからの熱の均一な伝達
になる。チャックの外周に配置された環状のガスアウト
レットを取り囲む2つの環状のリムはガスベアリングシ
ールとして働き、真空中へ漏れるガスを防止するのに役
立つ。
ンレットを静電チャックの周辺に配置し、サブストレー
トを保持するために一様な分布の冷却ガスを供給し、ウ
エハの周辺でガスベアリングのシールを配置することに
より、従来の技術の持っていた欠点を克服するものであ
る。1つの実施例として、本発明は、チャックの周辺に
配置されたガスの環状のガスアウトレット内に配置され
た環状のガスインレットを持つ静電ピンチャックにより
保持されるウエハへの均一なガス分布を供給するもので
ある。環状のガスインレットからガスが導入されること
によりチャックの空隙における冷却ガス圧力を均等化さ
れる。ガスの均一な分布はウエハからの熱の均一な伝達
になる。チャックの外周に配置された環状のガスアウト
レットを取り囲む2つの環状のリムはガスベアリングシ
ールとして働き、真空中へ漏れるガスを防止するのに役
立つ。
【００１１】ガスアウトレットでのガスの損失にも関わ
らずウエハとサブストレートの間のガス圧力を本質的に
一定に保つのに十分な大きさの貯蓄槽から、ガスは供給
されている。
らずウエハとサブストレートの間のガス圧力を本質的に
一定に保つのに十分な大きさの貯蓄槽から、ガスは供給
されている。
【００１２】
【実施例】本発明は、以下の図を参照にしつつ以下の記
述において好ましい実施例を述べるものである。本発明
は本発明の目的を達すのに最良の方法が述べられている
が、本発明の趣旨から離れることのない範囲において、
様様な変更が可能であることが分かるはずである。
述において好ましい実施例を述べるものである。本発明
は本発明の目的を達すのに最良の方法が述べられている
が、本発明の趣旨から離れることのない範囲において、
様様な変更が可能であることが分かるはずである。
【００１３】図を参照して説明する。図１，２は直径３
００ｍｍのウエハを支持するガスで冷却された静電ピン
チャックを異なる角度から見た図である。ピンチャック
の大きさは支持されるサブストレートの大きさに適合し
たものにすべきである。本発明で述べられているピンチ
ャックは丸いシリコンウエハ１６と共に用いられる。そ
れゆえ、ベース３０は一般に円筒形である。ベース３０
の高さあるいは厚さは、真空または非真空での静電操作
において十分に剛性が保たれる必要がある。チャックか
ら熱を取り去るための冷却用流体またはガスの通過する
通路を供給するためにベース３０にチャンネル（図示せ
ず）を設けても良い。ウエハ１６の下のベース空隙３４
には、規則的に並べられたピン１０が並べられている。
ウエハ１６が支持ピン１０と支持されるウエハ１６の間
にゴミの微粒子を呼びこまず、しかもウエハ１６に変形
を引き起こさないように支持ピン１０の数と直径は選択
される。ピンによって接触されるウエハの面積は全体の
５〜１０％以内にすべきである。
００ｍｍのウエハを支持するガスで冷却された静電ピン
チャックを異なる角度から見た図である。ピンチャック
の大きさは支持されるサブストレートの大きさに適合し
たものにすべきである。本発明で述べられているピンチ
ャックは丸いシリコンウエハ１６と共に用いられる。そ
れゆえ、ベース３０は一般に円筒形である。ベース３０
の高さあるいは厚さは、真空または非真空での静電操作
において十分に剛性が保たれる必要がある。チャックか
ら熱を取り去るための冷却用流体またはガスの通過する
通路を供給するためにベース３０にチャンネル（図示せ
ず）を設けても良い。ウエハ１６の下のベース空隙３４
には、規則的に並べられたピン１０が並べられている。
ウエハ１６が支持ピン１０と支持されるウエハ１６の間
にゴミの微粒子を呼びこまず、しかもウエハ１６に変形
を引き起こさないように支持ピン１０の数と直径は選択
される。ピンによって接触されるウエハの面積は全体の
５〜１０％以内にすべきである。
【００１４】静電チャックはウエハを所定の場所に固定
するためにコンデンサの２平面の間の吸引力を利用する
ものである。誘電定数ε、厚さがｄの絶縁体でウエハが
チャックから離されており、そこに電圧Vを加えると、
ウエハとチャックの間に生じる吸引力Fは次のようにな
る。F=(εV2/2ｄ2)Aここで、Aはウエハとチャック電極
の共通領域である。所定の電圧で大きな吸引力を得るた
めには、ウエハとチャックの距離ｄを明らかに小さくし
なければならない。また、高い誘電定数も有利となる。
ウエハとチャックの間の間隙に低圧のガスが充たされて
いたり、あるいは真空であれば誘電定数は基本的に真空
の誘電定数εoとなる。
するためにコンデンサの２平面の間の吸引力を利用する
ものである。誘電定数ε、厚さがｄの絶縁体でウエハが
チャックから離されており、そこに電圧Vを加えると、
ウエハとチャックの間に生じる吸引力Fは次のようにな
る。F=(εV2/2ｄ2)Aここで、Aはウエハとチャック電極
の共通領域である。所定の電圧で大きな吸引力を得るた
めには、ウエハとチャックの距離ｄを明らかに小さくし
なければならない。また、高い誘電定数も有利となる。
ウエハとチャックの間の間隙に低圧のガスが充たされて
いたり、あるいは真空であれば誘電定数は基本的に真空
の誘電定数εoとなる。
【００１５】ウエハは絶縁ピンで支持されている。ピン
のウエハ面積に占める割合をｆとすれば、チャックの実
効誘電定数はｆε+（１-ｆ）εoとなる。ここでεはピ
ン材料の誘電定数である。ｆが小さければ、誘電定数は
基本的にεoとなる。
のウエハ面積に占める割合をｆとすれば、チャックの実
効誘電定数はｆε+（１-ｆ）εoとなる。ここでεはピ
ン材料の誘電定数である。ｆが小さければ、誘電定数は
基本的にεoとなる。
【００１６】ウエハとチャックの間の空間に導入された
ガスはウエハの温度を制御するために十分な熱の伝達を
しなければならない。同時にガスの圧力はウエハをチャ
ックに固定する力が小さくならないように十分小さくな
ければならない。良く知られているように、ガス分子の
平均自由行程がシステムの大きさに比べて十分に小さい
範囲において、ガスの熱伝達は基本的にガスの圧力とは
独立である。このことから、チャックに比較的低い圧力
でガスを使うことができる。
ガスはウエハの温度を制御するために十分な熱の伝達を
しなければならない。同時にガスの圧力はウエハをチャ
ックに固定する力が小さくならないように十分小さくな
ければならない。良く知られているように、ガス分子の
平均自由行程がシステムの大きさに比べて十分に小さい
範囲において、ガスの熱伝達は基本的にガスの圧力とは
独立である。このことから、チャックに比較的低い圧力
でガスを使うことができる。
【００１７】ベース３０の外周には環状の外リム２４が
あり、その内側には、環状の真空ポンプへのポート６を
含む環状のチャンネル２０が配置されている。真空ポン
プへのポート６は多岐管とホース（図示せず）によって
真空ポンプ３１に接続されている。環状の内リム４は環
状のチャンネル２０の隣に配置されている。環状の内リ
ム４と環状の外リムの幅は数ミリであり、それぞれのリ
ムの高さは支持ピン１０の高さよりも数μｍ低くなって
おり、ウエハ１６と２つのリム４，２４との間のギャッ
プ１８が生じるようになっている。このギャップ１８
は、ウエハ１６がそれぞれのリム４，２４に接触するの
を防ぐため重要となっている。このギャップは、半導体
のプロセスにおける典型的な微粒子の大きさよりも大き
くなっている。このように、この構造では微粒子による
ウエハの変形の可能性が減少する。リム４，２４にはウ
エハ１６の周囲で固定することがないから、固定するの
時の圧力による変形も無い。一方で、冷却ガスがベース
空隙３４を通して流れる時には、内リム４とそろリム２
４はガスベアリングのシールとして作用し、周囲環境へ
のガスの漏れを実質的に減少させる。
あり、その内側には、環状の真空ポンプへのポート６を
含む環状のチャンネル２０が配置されている。真空ポン
プへのポート６は多岐管とホース（図示せず）によって
真空ポンプ３１に接続されている。環状の内リム４は環
状のチャンネル２０の隣に配置されている。環状の内リ
ム４と環状の外リムの幅は数ミリであり、それぞれのリ
ムの高さは支持ピン１０の高さよりも数μｍ低くなって
おり、ウエハ１６と２つのリム４，２４との間のギャッ
プ１８が生じるようになっている。このギャップ１８
は、ウエハ１６がそれぞれのリム４，２４に接触するの
を防ぐため重要となっている。このギャップは、半導体
のプロセスにおける典型的な微粒子の大きさよりも大き
くなっている。このように、この構造では微粒子による
ウエハの変形の可能性が減少する。リム４，２４にはウ
エハ１６の周囲で固定することがないから、固定するの
時の圧力による変形も無い。一方で、冷却ガスがベース
空隙３４を通して流れる時には、内リム４とそろリム２
４はガスベアリングのシールとして作用し、周囲環境へ
のガスの漏れを実質的に減少させる。
【００１８】冷却ガスは、内リム４からおよそ１５ｍｍ
又はそれ以下の場所に配置された環状の溝１４に設けら
れた一連のインレット２２を通して導入される。インレ
ット２２は多岐管とホース（図示せず）により真空ポン
プ３１に係合されている。ウエハの下でガスの圧力をよ
り急速に平衡させるためには、中央のガスインレット８
も加えて使用しても構わない。ウエハのプロセスが終了
する時でウエハがチャックから取り外される場合には、
これによりガスの除去の速度を上げることができる。ウ
エハとチャックのギャップが小さくなると、更に多くの
ポートが必要になる場合がある。
又はそれ以下の場所に配置された環状の溝１４に設けら
れた一連のインレット２２を通して導入される。インレ
ット２２は多岐管とホース（図示せず）により真空ポン
プ３１に係合されている。ウエハの下でガスの圧力をよ
り急速に平衡させるためには、中央のガスインレット８
も加えて使用しても構わない。ウエハのプロセスが終了
する時でウエハがチャックから取り外される場合には、
これによりガスの除去の速度を上げることができる。ウ
エハとチャックのギャップが小さくなると、更に多くの
ポートが必要になる場合がある。
【００１９】操作のためのバルブ３３ａ、３３ｂ、３３
ｃは最初閉じている。ウエハはチャックに固定されてお
り、バルブ３３ａと３３ｃは開いている。ヘリウムのよ
うな冷却ガスが中央のガスインレット８とウエハ１６の
表面とピンチャックの表面で構成されるベース空隙３４
へ導入される。圧力はウエハの表面で等しく分布する。
但し、内リム４では圧力の傾きが生じる。真空ポンプポ
ート６での圧力はウエハの中心に近い部分での圧力より
低いために圧力の傾きが生じる。内リム４と外リム２４
は、ベース空隙３４を通してガスが流れる時にガスベア
リングのシールとして作用する。プロセスの終わりで、
バルブ３３ａは閉じバルブ３３ｂが開く。冷却ガスはポ
ンプで排出され、バルブ３３ｂ、３３ｃは閉じられる。
ウエハはチャックから取り外される。
ｃは最初閉じている。ウエハはチャックに固定されてお
り、バルブ３３ａと３３ｃは開いている。ヘリウムのよ
うな冷却ガスが中央のガスインレット８とウエハ１６の
表面とピンチャックの表面で構成されるベース空隙３４
へ導入される。圧力はウエハの表面で等しく分布する。
但し、内リム４では圧力の傾きが生じる。真空ポンプポ
ート６での圧力はウエハの中心に近い部分での圧力より
低いために圧力の傾きが生じる。内リム４と外リム２４
は、ベース空隙３４を通してガスが流れる時にガスベア
リングのシールとして作用する。プロセスの終わりで、
バルブ３３ａは閉じバルブ３３ｂが開く。冷却ガスはポ
ンプで排出され、バルブ３３ｂ、３３ｃは閉じられる。
ウエハはチャックから取り外される。
【００２０】図３は形状とガス圧力により定義付けられ
た有限数のコンダクタンスによりシステムを代表するこ
とによりチャックとウエハの間のガスの流れを数値モデ
ル化したものから得られた結果である。回路理論で使わ
れるキルヒホッフの式に基づいた一連のコンダクタンス
から決められる。グラフは、２つの異なったチャック、
つまり、１つはガスのインレットが中央に１つあるも
の、もう１つはリム４の内側に配置されたインレット
（つまり、インレット１４）に対して、ウエハの下のヘ
リウムの圧力の数値モデルの結果を比較したものであ
る。ヘリウムの圧力（Torr）を縦軸に、ウエハチャック
の半径（ｍ）を横座標にとっている。モデルのパラメー
タは次のようになっている。単体チャックのインレット
に対するチャックのインレットでの圧力は４６Torr,半
径０．１２０ｍの位置に配置されている環状のインレッ
トのチャックでの圧力は０．０１Torr、ホースと多岐管
を通じてポンプのポート６へと繋がっている真空ポンプ
３１での圧力は０．０１Torrである。チャックを囲む真
空チャンバは１０００ ｌ/secの速度で排出する真空ポ
ンプに接続されている。図３において、ウエハの底面と
内側の環状シール４との間いの間隙は２μｍが確保され
ている。単体のガス用インレットを持ったチャックに支
えられているウエハ下のヘリウムの圧力分布５０は一様
ではない。圧力は中心のガス用インレットに近づくにつ
れて高くなり外周に近づくにつれて低くなる。圧力はお
よそ４６Torrと１０Torrである。不均一な圧力分布はウ
エハの不均一な圧力分布に繋がる（２つのパラメータの
間には直接的な関係がある）。その結果としてウエハは
不均一に冷却される。
た有限数のコンダクタンスによりシステムを代表するこ
とによりチャックとウエハの間のガスの流れを数値モデ
ル化したものから得られた結果である。回路理論で使わ
れるキルヒホッフの式に基づいた一連のコンダクタンス
から決められる。グラフは、２つの異なったチャック、
つまり、１つはガスのインレットが中央に１つあるも
の、もう１つはリム４の内側に配置されたインレット
（つまり、インレット１４）に対して、ウエハの下のヘ
リウムの圧力の数値モデルの結果を比較したものであ
る。ヘリウムの圧力（Torr）を縦軸に、ウエハチャック
の半径（ｍ）を横座標にとっている。モデルのパラメー
タは次のようになっている。単体チャックのインレット
に対するチャックのインレットでの圧力は４６Torr,半
径０．１２０ｍの位置に配置されている環状のインレッ
トのチャックでの圧力は０．０１Torr、ホースと多岐管
を通じてポンプのポート６へと繋がっている真空ポンプ
３１での圧力は０．０１Torrである。チャックを囲む真
空チャンバは１０００ ｌ/secの速度で排出する真空ポ
ンプに接続されている。図３において、ウエハの底面と
内側の環状シール４との間いの間隙は２μｍが確保され
ている。単体のガス用インレットを持ったチャックに支
えられているウエハ下のヘリウムの圧力分布５０は一様
ではない。圧力は中心のガス用インレットに近づくにつ
れて高くなり外周に近づくにつれて低くなる。圧力はお
よそ４６Torrと１０Torrである。不均一な圧力分布はウ
エハの不均一な圧力分布に繋がる（２つのパラメータの
間には直接的な関係がある）。その結果としてウエハは
不均一に冷却される。
【００２１】環状のガスインレット１４を持つウエハチ
ャックでは、ヘリウムの圧力分布５２は、ウエハの中心
部から内リム４まで、つまりウエハの中心からその端ま
で測定して約０．１３５ｍの距離の間で実質的に一様で
ある。およそ０．１３５ｍを越えるとヘリウムの圧力は
徐々に減少し真空ポンプのポート６での圧力へとなる。
このように、環状のガスインレットを付加することによ
り、ウエハ表面の大部分に亘ってヘリウムガスの圧力を
均一にする事が出来る。これにより、熱伝導が均一とな
る。環状ガスインレット１４より大きな半径で熱伝導が
減少するが、影響を受けるウエハの面積は全体の僅か数
パーセントである。環状のインレット１４と内リム４を
できるだけウエハのエッジに近づけて配置することによ
り、これは更に減少させることができる。
ャックでは、ヘリウムの圧力分布５２は、ウエハの中心
部から内リム４まで、つまりウエハの中心からその端ま
で測定して約０．１３５ｍの距離の間で実質的に一様で
ある。およそ０．１３５ｍを越えるとヘリウムの圧力は
徐々に減少し真空ポンプのポート６での圧力へとなる。
このように、環状のガスインレットを付加することによ
り、ウエハ表面の大部分に亘ってヘリウムガスの圧力を
均一にする事が出来る。これにより、熱伝導が均一とな
る。環状ガスインレット１４より大きな半径で熱伝導が
減少するが、影響を受けるウエハの面積は全体の僅か数
パーセントである。環状のインレット１４と内リム４を
できるだけウエハのエッジに近づけて配置することによ
り、これは更に減少させることができる。
【００２２】図４は、形状とガス圧力にほり特徴づけら
れた有限の数のコンダクタンスのサブシステムによりシ
ステム全体を代表するように、様様な形状と圧力での数
値モデル化したチャックから得られた結果を示してい
る。ガスの流れはキルヒホッフの式に基づいて決定され
ている。グラフは冷却ガスが真空チャンバ中への漏れを
示しており、エアベアリングのギャップ、環状の内リ
ム、外リムの半径方向の厚さ、ウエハチャックの環状ポ
ートへのポンプ圧力等を変化させたものである。ウエハ
チャックは１０００ ｌ/secで排出される真空チャンバ
に配置されていたものである。ヘリウムの圧力は１０To
rrに設定され、環状の内リム、外リムの半径方向の厚さ
は１ｍｍ、５ｍｍに設定された。ウエハ底面とチャック
の間の間隙（μｍ）を横軸に、チャンバの圧力（Torr）
を縦軸にとっている。点４６はリムの厚さが５ｍｍで真
空ポンプでのヘリウムの圧力が０．０１Torrの場合であ
り、ウエハとリムの間の間隙が１から５μｍへと増える
と、真空チャンバの圧力は１．０×１０-8Torr以下から
１．０×１０-6Torrへと増加し、真空チャンバへの冷却
ガスの漏れが増大したことを示している。点４８は同じ
厚さで５μｍのウエハの間隙、真空ポンプの無い場合で
あるが、チャンバの圧力は１．０×１０-5Torr以上に上
がっている。これはポンプのポートが使用された時より
もチャンバへの漏れが大きいことを示している。環状リ
ムの厚さを１ｍｍまで減少させ、ポンプの圧力を０．０
１Torr、チャンバの圧力をおよそ１．０×１０-7Torr、
間隙を１μｍとすると、間隙が増加するに従って圧力も
増加する（点４２）。リムが１ｍｍのままで、ポンプの
ポートが無く、ウエハの間隙は１μｍの場合にはチャン
バの圧力は４．０×１０-6Torrへと上昇する（点４
０）。リムの厚さが１ｍｍ、ポンプ圧力が０．００１To
rr、間隙が２．１μｍの場合、チャンバの圧力は１．６
×１０-6Torrとなる（点４４）。ポンプの圧力を低くし
てもチャンバの圧力にはほとんど影響を与えない（点４
２との比較）。
れた有限の数のコンダクタンスのサブシステムによりシ
ステム全体を代表するように、様様な形状と圧力での数
値モデル化したチャックから得られた結果を示してい
る。ガスの流れはキルヒホッフの式に基づいて決定され
ている。グラフは冷却ガスが真空チャンバ中への漏れを
示しており、エアベアリングのギャップ、環状の内リ
ム、外リムの半径方向の厚さ、ウエハチャックの環状ポ
ートへのポンプ圧力等を変化させたものである。ウエハ
チャックは１０００ ｌ/secで排出される真空チャンバ
に配置されていたものである。ヘリウムの圧力は１０To
rrに設定され、環状の内リム、外リムの半径方向の厚さ
は１ｍｍ、５ｍｍに設定された。ウエハ底面とチャック
の間の間隙（μｍ）を横軸に、チャンバの圧力（Torr）
を縦軸にとっている。点４６はリムの厚さが５ｍｍで真
空ポンプでのヘリウムの圧力が０．０１Torrの場合であ
り、ウエハとリムの間の間隙が１から５μｍへと増える
と、真空チャンバの圧力は１．０×１０-8Torr以下から
１．０×１０-6Torrへと増加し、真空チャンバへの冷却
ガスの漏れが増大したことを示している。点４８は同じ
厚さで５μｍのウエハの間隙、真空ポンプの無い場合で
あるが、チャンバの圧力は１．０×１０-5Torr以上に上
がっている。これはポンプのポートが使用された時より
もチャンバへの漏れが大きいことを示している。環状リ
ムの厚さを１ｍｍまで減少させ、ポンプの圧力を０．０
１Torr、チャンバの圧力をおよそ１．０×１０-7Torr、
間隙を１μｍとすると、間隙が増加するに従って圧力も
増加する（点４２）。リムが１ｍｍのままで、ポンプの
ポートが無く、ウエハの間隙は１μｍの場合にはチャン
バの圧力は４．０×１０-6Torrへと上昇する（点４
０）。リムの厚さが１ｍｍ、ポンプ圧力が０．００１To
rr、間隙が２．１μｍの場合、チャンバの圧力は１．６
×１０-6Torrとなる（点４４）。ポンプの圧力を低くし
てもチャンバの圧力にはほとんど影響を与えない（点４
２との比較）。
【００２３】この数値モデルからのデータは他のパラメ
ータが一定という条件下では、ウエハと内リム・外リム
の間の間隙が増加すると、ヘリウムガスの漏れが増加す
ることを示している。これによると、大きな間隙となる
とガスが逃げる断面の面積が増加することになる。第二
に、環状リムの厚さが増加すると、増加したリム表面が
ガスベアリングのシールとして働き、漏れが減少する。
最後に、ポンプ圧力を減少させると、ヘリウムの漏れを
減少させる。これは、環状チャンネル２０の低い圧力が
環状チャンネル２０から外リム２４を通過してチャンバ
へ流れる流量が減ることによる。特定の用途に用いられ
る理想的なチャックを設計する際には、これらのファク
タで調整することができる。
ータが一定という条件下では、ウエハと内リム・外リム
の間の間隙が増加すると、ヘリウムガスの漏れが増加す
ることを示している。これによると、大きな間隙となる
とガスが逃げる断面の面積が増加することになる。第二
に、環状リムの厚さが増加すると、増加したリム表面が
ガスベアリングのシールとして働き、漏れが減少する。
最後に、ポンプ圧力を減少させると、ヘリウムの漏れを
減少させる。これは、環状チャンネル２０の低い圧力が
環状チャンネル２０から外リム２４を通過してチャンバ
へ流れる流量が減ることによる。特定の用途に用いられ
る理想的なチャックを設計する際には、これらのファク
タで調整することができる。
【００２４】ポート６に接続された真空ポンプ３１への
要求事項は多くない。図３に示した条件でのポンプのガ
ス排出量は０．００５６Torr/secである。入り口での圧
力をポンプでの圧力０．０１Torrに保つためには、ポン
プの速度はおよそ０．００５６/０．０１＝０．５６
ｌ/secが要求される。この速度は市販のポンプで容易に
達成することがでこる。
要求事項は多くない。図３に示した条件でのポンプのガ
ス排出量は０．００５６Torr/secである。入り口での圧
力をポンプでの圧力０．０１Torrに保つためには、ポン
プの速度はおよそ０．００５６/０．０１＝０．５６
ｌ/secが要求される。この速度は市販のポンプで容易に
達成することがでこる。
【００２５】ポート６と真空チャンバへ逃げるガスは、
ガス源からのガスに置き換わらねばならない。さもなく
ば、時間と共にチャックの圧力と熱伝達は減少すること
になる。チャックでのガス圧力をPchuckとし真空ポンプ
の圧力よりも遥かに大きいとすると、チャックからのガ
スの流れはおよそCPchuckとなる。ここで、Cは環状シー
ル４のコンダクタンスである。ウエハ下とチャック上の
間のヘリウムガスの体積をVとし、ガス源が無い場合、
ガスの圧力は時間ｔとexp[-Ct/V]のように減少する。こ
の関係は例えば、John F. O'Hanlon著のA User's Guide
to Vacuum Technologyに記載されている。図３に示さ
れた条件において、コンダクタンスはおよそ０．０００
５７ ｌ/sec、体積はおよそ０．０００５７ ｌであ
る。従って、時間定数V/C、つまり、圧力が最初の値のe
-1になるまでにかかる時間は僅かに１秒となる。これは
工程における時間としては十分に短い時間であり、ガス
源は圧力を一定に保つことが必要とされる。
ガス源からのガスに置き換わらねばならない。さもなく
ば、時間と共にチャックの圧力と熱伝達は減少すること
になる。チャックでのガス圧力をPchuckとし真空ポンプ
の圧力よりも遥かに大きいとすると、チャックからのガ
スの流れはおよそCPchuckとなる。ここで、Cは環状シー
ル４のコンダクタンスである。ウエハ下とチャック上の
間のヘリウムガスの体積をVとし、ガス源が無い場合、
ガスの圧力は時間ｔとexp[-Ct/V]のように減少する。こ
の関係は例えば、John F. O'Hanlon著のA User's Guide
to Vacuum Technologyに記載されている。図３に示さ
れた条件において、コンダクタンスはおよそ０．０００
５７ ｌ/sec、体積はおよそ０．０００５７ ｌであ
る。従って、時間定数V/C、つまり、圧力が最初の値のe
-1になるまでにかかる時間は僅かに１秒となる。これは
工程における時間としては十分に短い時間であり、ガス
源は圧力を一定に保つことが必要とされる。
【００２６】まとめると、本発明は静電チャックに固定
された冷却ガスの一様な圧力を供給をするものであり、
これは、ガスのインレットを含む圧力分布用の溝を使用
することにより得られる。冷却ガスの均一な圧力はウエ
ハの均一な冷却を可能とする。これはウエハの工程では
重要なことである。均一なウエハの温度を提供すること
により、ウエハ上の変形は減少することが出来る。内リ
ムと外リムは真空ポートと共に冷却ガスのも漏れを減少
させるように働く。これにより、チャックが１０-6以下
の圧力を必要とするチャンバの中で効率的に作動する。
された冷却ガスの一様な圧力を供給をするものであり、
これは、ガスのインレットを含む圧力分布用の溝を使用
することにより得られる。冷却ガスの均一な圧力はウエ
ハの均一な冷却を可能とする。これはウエハの工程では
重要なことである。均一なウエハの温度を提供すること
により、ウエハ上の変形は減少することが出来る。内リ
ムと外リムは真空ポートと共に冷却ガスのも漏れを減少
させるように働く。これにより、チャックが１０-6以下
の圧力を必要とするチャンバの中で効率的に作動する。
【００２７】本発明が適用できる多くの種類の露光装置
がある。図５を参照しつつ説明をする。図５に示してい
るのは電子線露光装置であり、これは電子銃５０、照明
システム５４、レチクルステージ５８、ウエハステージ
７０、投影システム６０からなっている。照明光学シス
テム５４は電子線５２を照射するものであり、レチクル
５６の上にはサブストレート６６へ転写するパターンが
形成されている。レチクルステージは電子線５２の照射
領域内でレチクル５６を保持し移動させるものである。
（電子線はレチクルを通過し、照明された領域の像を転
写するものである。）ウエハステージ７０はガスで冷却
されたピンチャック、つまり、本発明で示した（実施例
で示したピンチャック６８のような）チャックを保持す
るもので、電子線５２によりレチクルのパターンを露光
するためにサブストレート６６を保持し、動かすもので
ある。ピンチャック６８は図２に模式的に示されている
配管とバルブによりガス源３２と真空ポンプ３１に接続
されている。投影システム６０がレチクルステージ５８
とウエハステージ７０の間に配置されており、レチクル
上の像を敏感なサブストレート６６の表面に露光するも
のである。投影システム６０は、電磁偏向器６２（２軸
方向に電子線を偏向する複数の偏向器を含むものでもよ
い）からなり、露光表面のパターン化された電子線が露
光される領域が増加するように電子線を偏向させるもの
である。露光システム６０は、ウエハステージ７０やレ
チクルステージ５８、あるいは双方のステージの位置誤
差を十分に修正するために、偏向させる静電偏向器６４
を含んでいることがある。これにより露光された表面で
のパターンの位置を調整するようになっている。この装
置はまた、照明システム５４の動作を制御するコントロ
ーラ７２と、投影システム６０、レチクルステージ５
８、ウエハステージ７０、電磁偏向器６２、静電偏向器
６４、真空ポンプ３１、ガス源３２、と関連するバルブ
を含んでいる。
がある。図５を参照しつつ説明をする。図５に示してい
るのは電子線露光装置であり、これは電子銃５０、照明
システム５４、レチクルステージ５８、ウエハステージ
７０、投影システム６０からなっている。照明光学シス
テム５４は電子線５２を照射するものであり、レチクル
５６の上にはサブストレート６６へ転写するパターンが
形成されている。レチクルステージは電子線５２の照射
領域内でレチクル５６を保持し移動させるものである。
（電子線はレチクルを通過し、照明された領域の像を転
写するものである。）ウエハステージ７０はガスで冷却
されたピンチャック、つまり、本発明で示した（実施例
で示したピンチャック６８のような）チャックを保持す
るもので、電子線５２によりレチクルのパターンを露光
するためにサブストレート６６を保持し、動かすもので
ある。ピンチャック６８は図２に模式的に示されている
配管とバルブによりガス源３２と真空ポンプ３１に接続
されている。投影システム６０がレチクルステージ５８
とウエハステージ７０の間に配置されており、レチクル
上の像を敏感なサブストレート６６の表面に露光するも
のである。投影システム６０は、電磁偏向器６２（２軸
方向に電子線を偏向する複数の偏向器を含むものでもよ
い）からなり、露光表面のパターン化された電子線が露
光される領域が増加するように電子線を偏向させるもの
である。露光システム６０は、ウエハステージ７０やレ
チクルステージ５８、あるいは双方のステージの位置誤
差を十分に修正するために、偏向させる静電偏向器６４
を含んでいることがある。これにより露光された表面で
のパターンの位置を調整するようになっている。この装
置はまた、照明システム５４の動作を制御するコントロ
ーラ７２と、投影システム６０、レチクルステージ５
８、ウエハステージ７０、電磁偏向器６２、静電偏向器
６４、真空ポンプ３１、ガス源３２、と関連するバルブ
を含んでいる。
【００２８】コントローラ７２はパターン化した電子線
をサブストレート６の表面に露光する間ウエハステージ
７０を連続的に動かし、露光の間パターンを投影する際
の位置の修正の間静電偏向器６４を駆動するようになっ
ている。上記で述べた電子線露光装置のように、開示さ
れた発明は真空中で使用されるガス冷却のチャックに焦
点が当てられているが、チャックは非真空の環境下でも
使用できる。
をサブストレート６の表面に露光する間ウエハステージ
７０を連続的に動かし、露光の間パターンを投影する際
の位置の修正の間静電偏向器６４を駆動するようになっ
ている。上記で述べた電子線露光装置のように、開示さ
れた発明は真空中で使用されるガス冷却のチャックに焦
点が当てられているが、チャックは非真空の環境下でも
使用できる。
【００２９】更に、半導体装置は、上記のシステムを用
いて、一般的に図６に示したプロセスにより製作され
る。ステップ７０１では機能と性能が設計される。次
に、ステップ７０２ではパターンが描かれたマスク（レ
チクル）が前ステップの設計に従って設計される。これ
と平行なステップ７０３で、ウエハはシリコンから作製
される。ステップ７０２で設計されたマスクパターンは
ステップ７０３から作製されたウエハ上にステップ７０
４において、上に述べた本発明による光露光システムに
より露光される。ステップ７０５では、半導体デバイス
は組み立てられる（これには、切断、配線、梱包の工程
を含む）。そして最後にデバイスはステップ７０６で検
査される。
いて、一般的に図６に示したプロセスにより製作され
る。ステップ７０１では機能と性能が設計される。次
に、ステップ７０２ではパターンが描かれたマスク（レ
チクル）が前ステップの設計に従って設計される。これ
と平行なステップ７０３で、ウエハはシリコンから作製
される。ステップ７０２で設計されたマスクパターンは
ステップ７０３から作製されたウエハ上にステップ７０
４において、上に述べた本発明による光露光システムに
より露光される。ステップ７０５では、半導体デバイス
は組み立てられる（これには、切断、配線、梱包の工程
を含む）。そして最後にデバイスはステップ７０６で検
査される。
【００３０】図７は半導体デバイスを製造する場合にお
ける上記で述べたステップ７０４の詳しいフローチャー
トの例を示している。図７において、ステップ７１１
（酸化ステップ）において、ウエハの表面は酸化され
る。ステップ７１２（CVDステップ）では、ウエハ表面
に絶縁フィルムが形成される。ステップ７１３（電極形
成ステップ）では、蒸着によりウエハに電極が形成され
る。ステップ７１４（イオン打ち込みステップ）では、
ウエハにイオンが打ちこまれる。上に述べたステップ７
１１〜７１４はウエハの工程における前工程であり、必
要に応じて選択がなされる。
ける上記で述べたステップ７０４の詳しいフローチャー
トの例を示している。図７において、ステップ７１１
（酸化ステップ）において、ウエハの表面は酸化され
る。ステップ７１２（CVDステップ）では、ウエハ表面
に絶縁フィルムが形成される。ステップ７１３（電極形
成ステップ）では、蒸着によりウエハに電極が形成され
る。ステップ７１４（イオン打ち込みステップ）では、
ウエハにイオンが打ちこまれる。上に述べたステップ７
１１〜７１４はウエハの工程における前工程であり、必
要に応じて選択がなされる。
【００３１】上記で述べた前工程が完了すると、次の後
工程が開始される。後工程では、最初にステップ７１５
（フォトレジスト塗布ステップ）では、フォトレジスト
がウエハに塗布される。次にステップ７１６（露光ステ
ップ）では、上記に述べた露光装置が用いられてマスク
（レチクル）のパターンがウエハに焼き付けられる。次
に、ステップ７１７（現像ステップ）では露光されたウ
エハは現像される。ステップ７１８（エッチングステッ
プ）では残っているフォトレジスト(露光された表面)以
外の部分がエッチングにより取り除かれる。ステップ７
１９（フォトレジスト除去ステップ）では、エッチング
の後に残っている不用なフォトレジストを除去する。複
数の回路パターンがこれらの前工程と後工程の繰り返し
で形成される。
工程が開始される。後工程では、最初にステップ７１５
（フォトレジスト塗布ステップ）では、フォトレジスト
がウエハに塗布される。次にステップ７１６（露光ステ
ップ）では、上記に述べた露光装置が用いられてマスク
（レチクル）のパターンがウエハに焼き付けられる。次
に、ステップ７１７（現像ステップ）では露光されたウ
エハは現像される。ステップ７１８（エッチングステッ
プ）では残っているフォトレジスト(露光された表面)以
外の部分がエッチングにより取り除かれる。ステップ７
１９（フォトレジスト除去ステップ）では、エッチング
の後に残っている不用なフォトレジストを除去する。複
数の回路パターンがこれらの前工程と後工程の繰り返し
で形成される。
【００３２】本発明の視点から外れることの無い範囲に
おいて、露光システムはここで示したものとは異なった
り、本発明のピンチャックが装着された他のタイプの露
光装置であったりする場合があることは理解されるべき
である。
おいて、露光システムはここで示したものとは異なった
り、本発明のピンチャックが装着された他のタイプの露
光装置であったりする場合があることは理解されるべき
である。
【００３３】本発明は好ましい実施例に関して述べたも
のであるが、本発明の視点から離れることなく様様な変
更や改良が可能であることは、理解されるであろう。従
って、示した発明は単に例を示したものであり、特許請
求の範囲で特定している範囲のみによって限定されるも
のである。
のであるが、本発明の視点から離れることなく様様な変
更や改良が可能であることは、理解されるであろう。従
って、示した発明は単に例を示したものであり、特許請
求の範囲で特定している範囲のみによって限定されるも
のである。
【図１】図１は本発明の実施例によるウエハピンチャッ
クを上から見たものである。
クを上から見たものである。
【図２】図２はウエハピンチャックの図１の２-２線に
沿っての断面図である。
沿っての断面図である。
【図３】図３は中央に1つのガスインレットを持ったチ
ャックと環状のガスインレットを持ったチャックの、ウ
エハ下のヘリウム圧力を比較したグラフである。
ャックと環状のガスインレットを持ったチャックの、ウ
エハ下のヘリウム圧力を比較したグラフである。
【図４】図４は異なるリム厚さ、ウエハとチャックの間
隙、真空ポンプの圧力でのウエハチャックからのヘリウ
ムの漏れを比較したグラフである。
隙、真空ポンプの圧力でのウエハチャックからのヘリウ
ムの漏れを比較したグラフである。
【図５】図５は本発明の原理に基づいたピンチャックシ
ステムを備えた典型的な電子線露光システムの模式図で
ある。
ステムを備えた典型的な電子線露光システムの模式図で
ある。
【図６】図６は半導体装置の製造プロセスのブロックダ
イアグラムである。
イアグラムである。
【図７】図７は半導体装置の製造の詳細なブロックダイ
アグラムである。
アグラムである。
Claims (13)
- 【請求項１】工程のためのサブストレートを支持するチ
ャックであって、 上面を持つベースと、 前記サブストレートを支持する前記上面から突き出した
複数の支持ピンと、前記サブストレートの下の中央ある
いは中央付近に配置されたガスインレットと、 前記ベースの上面の中心付近に配置された環状のガスイ
ンレットとを備え、 前記サブストレートの下で前記ガスインレットを通じて
のガスの分布がが比較的均一なガス圧力を得るように環
状のガスインレットの位置を選ぶことを特徴とするチャ
ック。 - 【請求項２】前記チャックは、前記環状のガスインレッ
トが配置されている前記ベースに形成される溝からなる
ことを特徴とする請求項１に記載のチャック。 - 【請求項３】前記チャックは、前記ベースの周辺に配置
された環状の開口を備え、前記ベースの上面と前記サブ
ストレートの間の空間より前記環状の開口を通じて前記
ガスが排気されることを特徴とする請求項１に記載のチ
ャック。 - 【請求項４】前記チャックは、前記ベースの周辺に配置
された環状のリムを備え、前記リムの高さは前記支持ピ
ンの高さよりも低いことを特徴とする請求項３に記載の
チャック。 - 【請求項５】前記チャックは、前記ベースの周辺に前記
環状のリムが配置されるが前記環状のガスインレットの
外側であることを特徴とする請求項４に記載のチャッ
ク。 - 【請求項６】プロセスの間にチャックにより支持される
サブストレートの温度を制御する方法であって、前記サ
ブストレート下のチャックの中心または中心近傍でガス
を射出し、前記サブストレート下のチャックの中心付近
に配置された環状のガスインレットを通じてガスを射出
する方法。 - 【請求項７】前記方法は、前記ガスを前記チャックの周
囲で吸収するステップからなることを特徴とする請求項
６に記載の方法。 - 【請求項８】前記方法は、前記サブストレートは前記チ
ャックのピン上に支持されていることを特徴とする請求
項６に記載の方法。 - 【請求項９】プロセスのためのサブストレートを支持す
るチャックを含むステージ装置であって、 前記チャックは上面を持つベースと、前記サブストレー
トを支持する前記上面から伸びる複数の支持ピンと、前
記サブストレート下で前記ベースの中心または中心近傍
に配置されたガスインレットとを備え、 前記インレットを通じてのガスの分布は前記サブストレ
ート下で比較的均一なガス圧力を生じさせるように前記
環状のガスインレットの位置を選んだものであり、 前記チャックにはモータが係合され、前記モータはチャ
ックを動かし、コントロールシステムは前記モータの動
きを制御することを特徴とするステージ装置。 - 【請求項１０】露光システムであって、エネルギー線を
照射する照明システムと請求項９に記載の前記ステージ
装置とからなり、前記ステージ装置は前記エネルギー線
の通過領域でサブストレートを動かすことを特徴とする
露光システム。 - 【請求項１１】照明システムは電子線を放射することを
特徴とする照明システムであることを特徴とする請求項
１０に記載の露光システム。 - 【請求項１２】前記エネルギ線は電子線であることを特
徴とする請求項１１に記載の露光システム。 - 【請求項１３】請求項１０に記載の露光システムにより
像が形成されたことを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US808210 | 2001-03-13 | ||
| US09/808,210 US6628503B2 (en) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002305238A true JP2002305238A (ja) | 2002-10-18 |
| JP4218248B2 JP4218248B2 (ja) | 2009-02-04 |
Family
ID=25198184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002058101A Expired - Lifetime JP4218248B2 (ja) | 2001-03-13 | 2002-03-05 | 真空中にて使用するガス冷却静電ピンチャック |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6628503B2 (ja) |
| EP (1) | EP1241706B1 (ja) |
| JP (1) | JP4218248B2 (ja) |
| KR (1) | KR20020073273A (ja) |
| DE (1) | DE60217206D1 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183959A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-07-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2005268524A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置 |
| JP2005328051A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP2006105789A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Canon Inc | 温度計測装置及び露光装置 |
| KR100666039B1 (ko) | 2003-12-05 | 2007-01-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 정전척 |
| JP2007005789A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| KR100842739B1 (ko) | 2006-05-02 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고밀도 플라즈마 증착 장치의 정전척 |
| JP2010010695A (ja) * | 2003-11-05 | 2010-01-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び物品サポート構造体 |
| JP2010530636A (ja) * | 2007-06-21 | 2010-09-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | クランプデバイスおよびオブジェクトロード方法 |
| JP2012234904A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Panasonic Corp | 静電チャックおよびこれを備えるドライエッチング装置 |
| US8446566B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9013682B2 (en) | 2007-06-21 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Clamping device and object loading method |
| WO2019188681A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックヒータ |
Families Citing this family (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5914613A (en) | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
| US6256882B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-07-10 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| US6914423B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-07-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
| US6965226B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-11-15 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| DE20114544U1 (de) | 2000-12-04 | 2002-02-21 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton, Oreg. | Wafersonde |
| TWI272689B (en) * | 2001-02-16 | 2007-02-01 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for transferring heat from a substrate to a chuck |
| US6970634B2 (en) * | 2001-05-04 | 2005-11-29 | Cascade Microtech, Inc. | Fiber optic wafer probe |
| AU2002327490A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-06-30 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| JP2003174077A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Lintec Corp | 吸着保持装置 |
| DE10216786C5 (de) * | 2002-04-15 | 2009-10-15 | Ers Electronic Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden |
| JP2004228456A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Canon Inc | 露光装置 |
| EP1447715A3 (en) * | 2003-02-12 | 2009-09-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method to detect correct clamping of an object |
| JP2004363559A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-24 | Canon Inc | 光学部材保持装置 |
| US7057404B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
| US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| JP4470199B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-06-02 | Ｓｍｃ株式会社 | 半導体基板の温度調節装置 |
| US7250626B2 (en) | 2003-10-22 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
| US7198276B2 (en) * | 2003-10-24 | 2007-04-03 | International Business Machines Corporation | Adaptive electrostatic pin chuck |
| US7019820B2 (en) * | 2003-12-16 | 2006-03-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE602004008009T2 (de) * | 2003-11-05 | 2008-04-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
| US7088431B2 (en) * | 2003-12-17 | 2006-08-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2007517231A (ja) | 2003-12-24 | 2007-06-28 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | アクティブ・ウェハプローブ |
| US7187188B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-06 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck with integrated wafer support |
| US7133120B2 (en) | 2004-05-04 | 2006-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, article support member, and method |
| US7737412B2 (en) * | 2004-07-12 | 2010-06-15 | The Regents Of The University Of California | Electron microscope phase enhancement |
| US7548303B2 (en) * | 2004-09-04 | 2009-06-16 | Nikon Corporation | Cooling assembly for a stage |
| KR20070058522A (ko) | 2004-09-13 | 2007-06-08 | 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 | 양측 프루빙 구조 |
| CN100382275C (zh) * | 2004-10-29 | 2008-04-16 | 东京毅力科创株式会社 | 基板载置台、基板处理装置及基板的温度控制方法 |
| US20060090855A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate temperature control method |
| EP3428724A1 (en) * | 2004-12-15 | 2019-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
| US7535247B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
| US20060271302A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Ehrlich James L | Method of Assessing Productivity of Lactating Animals Using Fitted Parameters to a Mechanistic Lactation Model |
| US7802917B2 (en) * | 2005-08-05 | 2010-09-28 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for chuck thermal calibration |
| JP4125315B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2008-07-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7432513B2 (en) * | 2005-10-21 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Gas shower, lithographic apparatus and use of a gas shower |
| CN100419989C (zh) * | 2005-12-05 | 2008-09-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电卡盘 |
| KR100689843B1 (ko) * | 2006-01-03 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 스테이지 및 이를 이용한 웨이퍼 안착방법 |
| US7978308B2 (en) * | 2006-05-15 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7593096B2 (en) | 2006-05-15 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7403028B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
| US7764072B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
| US7723999B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
| DE102006042026B4 (de) | 2006-09-07 | 2016-08-04 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zum Halten eines Substrats und Verfahren zur Behandlung eines Substrats |
| JP4899879B2 (ja) * | 2007-01-17 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| US20080316461A1 (en) * | 2007-06-21 | 2008-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7876114B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
| US20090086187A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-04-02 | Asml Netherlands | Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method |
| US9036326B2 (en) * | 2008-04-30 | 2015-05-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Gas bearing electrostatic chuck |
| TWI475594B (zh) | 2008-05-19 | 2015-03-01 | Entegris Inc | 靜電夾頭 |
| US8596336B2 (en) * | 2008-06-03 | 2013-12-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate support temperature control |
| US7888957B2 (en) | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
| US8410806B2 (en) | 2008-11-21 | 2013-04-02 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
| US8319503B2 (en) | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
| JP2010129929A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Canon Inc | 基板保持装置、基板保持方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
| US8851133B2 (en) * | 2009-03-31 | 2014-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus of holding a device |
| JP5731485B2 (ja) | 2009-05-15 | 2015-06-10 | インテグリス・インコーポレーテッド | ポリマー突起を有する静電チャック |
| US8861170B2 (en) | 2009-05-15 | 2014-10-14 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface |
| JP5195711B2 (ja) * | 2009-10-13 | 2013-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板冷却装置、基板冷却方法及び記憶媒体 |
| CN102986017B (zh) | 2010-05-28 | 2015-09-16 | 恩特格林斯公司 | 高表面电阻率静电吸盘 |
| CN102736429B (zh) * | 2011-04-07 | 2015-06-17 | 上海微电子装备有限公司 | 硅片温度稳定装置 |
| CN102914951B (zh) * | 2011-08-04 | 2014-11-12 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的预对准装置 |
| CN102445856B (zh) * | 2011-10-12 | 2014-12-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光刻机硅片载物台温度控制系统及其控制方法 |
| CN102445857B (zh) * | 2011-10-12 | 2013-10-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光刻机温控硅片载物台 |
| TWI448706B (zh) * | 2012-12-24 | 2014-08-11 | Chroma Ate Inc | 具有乾燥環境之測試平台 |
| CN103901359B (zh) * | 2012-12-31 | 2016-06-29 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 具有干燥环境的测试平台 |
| JP2014216503A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | キヤノン株式会社 | 保持部材、処理装置及び物品の製造方法 |
| US10236202B2 (en) * | 2013-11-11 | 2019-03-19 | Diablo Capital, Inc. | System and method for adhering a semiconductive wafer to a mobile electrostatic carrier through a vacuum |
| EP3262677A1 (en) | 2015-02-23 | 2018-01-03 | M Cubed Technologies Inc. | Film electrode for electrostatic chuck |
| JP6510461B2 (ja) * | 2016-05-25 | 2019-05-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置 |
| US10867816B2 (en) * | 2016-12-13 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for wafer backside cooling |
| US11201078B2 (en) * | 2017-02-14 | 2021-12-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate position calibration for substrate supports in substrate processing systems |
| CN110323150B (zh) * | 2018-03-30 | 2021-12-31 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 温度控制装置 |
| CN110896045B (zh) | 2018-09-12 | 2022-12-30 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置 |
| EP4134748A1 (en) * | 2021-08-12 | 2023-02-15 | ASML Netherlands B.V. | Electrostatic holder, object table and lithographic apparatus |
| JP2024529140A (ja) * | 2021-08-12 | 2024-08-01 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 静電ホルダ、物体テーブル、およびリソグラフィ装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4213698A (en) | 1978-12-01 | 1980-07-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces |
| US4551192A (en) | 1983-06-30 | 1985-11-05 | International Business Machines Corporation | Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography |
| JPS6060060A (ja) | 1983-09-12 | 1985-04-06 | 株式会社日立製作所 | 鉄道車両の扉開閉装置 |
| US4603466A (en) | 1984-02-17 | 1986-08-05 | Gca Corporation | Wafer chuck |
| US4544446A (en) | 1984-07-24 | 1985-10-01 | J. T. Baker Chemical Co. | VLSI chemical reactor |
| US4676649A (en) * | 1985-11-27 | 1987-06-30 | Compact Spindle Bearing Corp. | Multi-axis gas bearing stage assembly |
| DE3943478C2 (de) | 1989-05-08 | 1995-11-16 | Philips Electronics Nv | Werkstückträger für ein scheibenförmiges Werkstück, sowie Vakuumbehandlungsanlage |
| US5197089A (en) * | 1990-05-21 | 1993-03-23 | Hampshire Instruments, Inc. | Pin chuck for lithography system |
| US5230741A (en) | 1990-07-16 | 1993-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| JPH07110455B2 (ja) | 1992-10-27 | 1995-11-29 | 住友電気工業株式会社 | ウェハ固定装置 |
| JPH0758191A (ja) | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Toshiba Corp | ウェハステージ装置 |
| JPH07153825A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Toto Ltd | 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法 |
| US5885469B1 (en) | 1996-11-05 | 2000-08-08 | Applied Materials Inc | Topographical structure of an electrostatic chuck and method of fabricating same |
| US6278600B1 (en) * | 1994-01-31 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved temperature control and puncture resistance |
| US5548470A (en) | 1994-07-19 | 1996-08-20 | International Business Machines Corporation | Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity |
| TW286414B (en) | 1995-07-10 | 1996-09-21 | Watkins Johnson Co | Electrostatic chuck assembly |
| US5810933A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Novellus Systems, Inc. | Wafer cooling device |
| JP2002009139A (ja) | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Nikon Corp | 静電チャック |
-
2001
- 2001-03-13 US US09/808,210 patent/US6628503B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
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Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010695A (ja) * | 2003-11-05 | 2010-01-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び物品サポート構造体 |
| KR100666039B1 (ko) | 2003-12-05 | 2007-01-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 정전척 |
| JP2005183959A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-07-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP4636807B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2011-02-23 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置 |
| JP2005268524A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置 |
| JP2005328051A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP2006105789A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Canon Inc | 温度計測装置及び露光装置 |
| JP2007005789A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP4580900B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-11-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置 |
| KR100842739B1 (ko) | 2006-05-02 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고밀도 플라즈마 증착 장치의 정전척 |
| JP2010530636A (ja) * | 2007-06-21 | 2010-09-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | クランプデバイスおよびオブジェクトロード方法 |
| US9013682B2 (en) | 2007-06-21 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Clamping device and object loading method |
| US8446566B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9122174B2 (en) | 2007-09-04 | 2015-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2012234904A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Panasonic Corp | 静電チャックおよびこれを備えるドライエッチング装置 |
| WO2019188681A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックヒータ |
| JPWO2019188681A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2020-07-02 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックヒータ |
| US11688590B2 (en) | 2018-03-26 | 2023-06-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic-chuck heater |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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