JP2024529140A - 静電ホルダ、物体テーブル、およびリソグラフィ装置 - Google Patents

Abstract

【解決手段】本発明は、静電ホルダであって、本体と、本体に取り付けられたクランプ要素であって、該クランプ要素と第１のクランプされるべき物体との間に吸引力を印加するための電極を備えるクランプ要素と、を備え、本体の外縁は、本体の外縁と第１のクランプされるべき物体との間に隙間を提供するように構成され、隙間は、第１のクランプされるべき物体またはホルダの反対側の第２のクランプされるべき物体に到達する塵埃粒子を低減するための流体を出力するように構成されている、静電ホルダに関する。【選択図】図２

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年８月１２日に出願された欧州出願第２１１９１１３５．９号および２０２１年１０月１３日に出願された欧州出願第２１２０２４７５．６号の優先権を主張し、それらの全体が本明細書に参照により援用される。

本発明は、静電ホルダ、そうした静電ホルダを備える物体テーブル、およびそうした物体テーブルを備えるリソグラフィ装置に関する。

リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）のパターンを、基板上に提供される放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。

基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４ｎｍないし２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍまたは１３．５ｎｍの波長を有する極紫外（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置は、例えば１９３ｎｍの波長の放射を使用するリソグラフィ装置よりも、基板上に小さいフィーチャを形成するのに使用できる。

ＥＵＶ放射はガスに吸収されやすいため、ＥＵＶ放射による基板またはレチクルの照明は通常、大気圧よりもはるかに低いガス圧の環境下で行われる。この環境は、真空または真空条件とも呼ばれる。

このような条件の欠点は、完全な真空に達することが不可能であるため、リソグラフィ装置内の何処かから来る塵埃粒子が、ＥＵＶ放射によって照明される基板またはレチクルに到達し、転写されるパターンに欠陥を生じさせうることにある。その結果、基板上の集積回路が機能しなくなることさえありうる。

以上を考慮して、本発明の一つの目的は、ＥＵＶ放射による基板またはレチクルの照明中に、リソグラフィ装置内の何処かから来る塵埃粒子が引き起こす問題を少なくするリソグラフィ装置を提供することにある。

本発明のある態様によると、静電ホルダであって、本体と、前記本体に取り付けられたクランプ要素であって、該クランプ要素と第１のクランプされるべき物体との間に吸引力を印加するための電極を備えるクランプ要素と、を備え、前記本体の外縁は、前記本体の前記外縁と前記第１のクランプされるべき物体との間に隙間を提供するように構成され、前記隙間は、前記第１のクランプされるべき物体または前記ホルダの反対側の第２のクランプされるべき物体に到達する塵埃粒子を低減するための流体を出力するように構成されている、静電ホルダが提供される。

本発明の他の態様によると、物体を保持し及び／または位置決めするための物体テーブルであって、前記物体テーブルを少なくとも１つの方向に移動させるための位置決め装置と、前記物体を保持するための静電ホルダであって、吸引力を用いて前記位置決め装置に取り付け可能である静電ホルダと、を備え、前記静電ホルダは、本体と、前記本体に取り付けられたクランプ要素であって、該クランプ要素と前記位置決め装置との間に前記吸引力を印加するための電極を備えるクランプ要素と、を備え、前記本体の外縁は、前記本体の前記外縁と前記位置決め装置との間に隙間を提供するように構成され、前記隙間は、前記ホルダ上の前記物体に到達する塵埃粒子を低減するための流体を出力するように構成されている、物体テーブルが提供される。

本発明の更なる態様によると、放射ビームを調整するように構成されている照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されている支持構造であって、前記パターニングデバイスは、パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームにその断面にパターンを付与することが可能である、支持構造と、基板を保持するように構成されている基板テーブルと、前記パターニングされた放射ビームを前記基板上に投影するように構成されている投影システムと、を備え、前記基板テーブルは、本発明に係る物体テーブルである、リソグラフィ装置が提供される。

リソグラフィ装置および放射源を備えるリソグラフィシステムを示す図である。 本発明のある実施形態に係る物体テーブルの第１の断面を概略的に示す図である。 図２の物体テーブルの第２の断面を概略的に示す図である。 図２の物体テーブルの第３の断面を概略的に示す図である。 図２の物体テーブルの静電ホルダの外縁と位置決め装置との間の隙間を概略的に示す側面図である。 本発明の他の実施形態に係る物体テーブルの断面を概略的に示す図である。 図６の物体テーブルの断面を概略的に示す図である。 更なる実施形態に係る物体テーブルの断面を概略的に示す図である。 更なる実施形態に係る物体テーブルの断面を概略的に示す図である。 更なる実施形態に係る物体テーブルの断面を概略的に示す図である。 更なる実施形態に係る物体テーブルの断面を概略的に示す図である。 更なる実施形態に係る物体テーブルの断面を概略的に示す図である。

図１は、放射源ＳＯとリソグラフィ装置ＬＡとを含むリソグラフィシステムを示している。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを生成し、そのＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成されている。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。

照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調整するように構成されている。そこで、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０とファセット瞳ミラーデバイス１１を含んでもよい。ファセットフィールドミラーデバイス１０とファセット瞳ミラーデバイス１１は、ＥＵＶ放射ビームＢに所望の断面形状と所望の強度分布を提供する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、またはこれに代えて、その他のミラーまたはデバイスを含んでもよい。

こうして調整された後、ＥＵＶ放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上に投影するように構成されている。そのために、投影システムＰＳは、基板テーブルＷＴによって保持される基板ＷにパターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’を投影するように構成された複数のミラー１３、１４を備えてもよい。投影システムＰＳは、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小率を適用してもよく、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャをもつ像が形成される。例えば、４倍または８倍の縮小率が適用されうる。図１では投影システムＰＳが２つのミラー１３、１４のみを有するように示されているが、投影システムＰＳは、異なる数のミラー（例えば６つ又は８つのミラー）を含みうる。

基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含んでいてもよい。このような場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成された像を、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンに位置合わせする。

相対的な真空、すなわち大気圧よりも十分に低い圧力の少量のガス（例えば水素）が、放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び／又は投影システムＰＳに提供されてもよい。

放射源ＳＯは、レーザー生成プラズマ（ＬＰＰ）源、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源、自由電子レーザー（ＦＥＬ）、またはＥＵＶ放射を生成することができる他の放射源であってもよい。

基板テーブルＷＴおよび支持構造ＭＴは、物体を保持および位置決めするように構成された物体テーブルの一例でありうる。基板テーブルＷＴの場合は物体が基板Ｗであり、支持構造ＭＴの場合は物体がパターニングデバイスＭＡである。基板テーブルＷＴおよび／または支持構造ＭＴは、本発明に係る物体テーブルであってもよく、その一例について図２から図４を参照して以下に説明される。

図２から図４は、物体（図示しないが、例えば基板ＷまたはパターニングデバイスＭＡ、図１参照）を保持し、位置決めするための物体テーブルＯＴの異なる断面図を概略的に示している。

物体テーブルＯＴは、物体テーブルＯＴを少なくとも１つの方向に移動させるための位置決め装置ＰＤを含む。この例では、位置決め装置ＰＤは、物体テーブルＯＴを図４のＸ－Ｙ平面内の少なくとも１つの方向、好ましくは直交する２つの方向に移動させるように構成されている。物体テーブルＯＴは、物体を保持するための静電ホルダＥＨをさらに備える。図４には、静電ホルダＥＨの中心ＣからＹ方向に延びる破線ＹＺと、中心ＣからＸ方向に延びる破線ＸＺとが描かれている。ＹＺ線は、図２に示すＹ－Ｚ平面における物体テーブルＯＴの断面図を代表する。ＸＺ線は、図３に示すＸ－Ｚ平面における物体テーブルＯＴの断面図を代表する。図２および図３ともに、図４に示すＸ－Ｙ平面における物体テーブルＯＴの断面図に対応するＸＹ線を描いている。

静電ホルダＥＨは、本体ＢＯを備え、図２から図４にはその下側部分ＬＰのみが描かれている。下側部分ＬＰは、本体ＢＯを位置決め装置ＰＤに取り付けるように構成されている。図２及び図３には、下側部分ＬＰを画定する破線ＤＬが示されている。本体ＢＯは、下側部分ＬＰに取り付けられた上側部分（図９に示す）をさらに含んでもよく、この上側部分は、好ましくは、吸引力、例えば静電気力を用いて物体を保持するように構成されてもよい。

静電ホルダＥＨは、本体ＢＯに取り付けられたクランプ要素ＣＥをさらに備える。クランプ要素ＣＥは、クランプ要素ＣＥと位置決め装置ＰＤとの間に吸引力、この場合は静電気力（またはクランプ力）を印加するための電極ＥＬを備える。

この実施形態では、本体ＢＯは、クランプ要素ＣＥを収容するための凹部ＲＥを含む。クランプ要素ＣＥは、クランプ要素ＣＥと本体ＢＯとの間に第１の空間Ｓ１が存在するように、凹部ＲＥ内に設けられ、本体ＢＯに取り付けられてもよい。言い換えれば、クランプ要素ＣＥは、凹部ＲＥの底部ＢＴからある距離だけ離れて配置される。

本体ＢＯおよびクランプ要素ＣＥは、クランプ要素ＣＥと位置決め装置ＰＤとの間に第２の空間Ｓ２が存在するように構成されていてもよい。このため、スペーサ（図示せず、バールであってもよい）が、凹部ＲＥの底部ＢＴからクランプ要素ＣＥを貫通して位置決め装置まで延び、クランプ要素をクランプ要素ＣＥに接触することなくクランプ要素ＣＥからクランプ距離ＣＤに保ってもよい。第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２は、クランプ要素ＣＥ内の流路ＣＨを介して互いに流体連通している。一実施形態では、スペーサは流路ＣＨを通って延びている。

物体テーブルＯＴは、図２に概略的に示されるガス供給システムＧＳＳを含むか、またはガス供給システムＧＳＳに接続可能であってもよい。このガス供給システムＧＳＳは、本体ＢＯの下側部分ＬＰに設けられた主流路ＭＣにガスを供給する。主流路ＭＣは、流路ＣＨＡを介して第１の空間Ｓ１と流体連通している。第１および第２の空間に供給されるガスは、位置決め装置ＰＤとクランプ要素ＣＥとの間、および／またはクランプ要素ＣＥと本体ＢＯとの間の熱伝達を改善するために有利に使用され得る。

静電ホルダＥＨは、本体ＢＯの凹部ＲＥの底部ＢＴとクランプ要素ＣＥとの間に設けられ、第１の空間Ｓ１の外周にガスバリアを提供するシールＳＥをさらに備える。図４では、シールＳＥがリング形状を有していることが明確に分かる。シールＳＥには複数の穴ＨＯが設けられている。一実施形態では、シールＳＥにおける複数の穴ＨＯは、合計で、第１の空間Ｓ１の外周の１％ないし９９％、より好ましくは１０％ないし３０％を占める。

本体ＢＯの凹部ＲＥは、その外周が本体ＢＯの外縁ＯＥによって画定されている。外縁は位置決め装置に係合してもよいが、本実施形態では、外縁ＯＥは隙間距離ＧＰを有して設けられ、それにより外縁ＯＥと位置決め装置ＰＤとの間に隙間ＧＡが設けられる。隙間ＧＡは、複数の穴ＨＯおよび均圧室ＰＥＣを介して第１の空間Ｓ１と流体連通しており、矢印ＡＲで示されるように、位置決め装置ＰＤおよび／または位置決め装置ＰＤとは反対側で静電ホルダＥＨによって保持される物体に到達する塵埃粒子を低減するための流体を出力するために、ガス供給システムＧＳＳから主流路ＭＣ、流路ＣＨＡ、複数の穴ＨＯ、均圧室ＰＥＣを介して隙間ＧＡに流体が流れることを可能にする。位置決め装置ＰＤは、本体ＢＯの外縁ＯＥに対向する平坦面を有する。出力される流体は、２ｍｂａｒ／ｓから１００ｍｂａｒ／ｓの範囲、好ましくは５ｍｂａｒ／ｓから５０ｍｂａｒ／ｓの範囲の流量を有する。塵埃粒子は汚染物質であり、１０ｎｍないし５００μｍの範囲、好ましくは２０ｎｍないし１００ｎｍの範囲の平均サイズを有しうる。汚染物質は、炭素、ケイ素、金属のうちの少なくとも１つを備えうる。流体は、静電ホルダから半径方向外側に出力されてもよい。

隙間距離ＧＰは、好ましくはクランプ距離ＣＤよりも大きいが、これは本発明にとって必要ではない。隙間距離ＧＰは、外縁ＯＥに沿って一定であってもよいし、変化していてもよい。このような隙間距離の変化は、外縁ＯＥに沿って実質的に均一な流れを提供するために適用されてもよい。ある位置での隙間距離はゼロであってもよい。換言すれば、凹部ＲＥはその外周で、非ゼロの隙間距離を有する１つまたは複数の隙間ＧＡを提供してもよい。一実施形態では、隙間ＧＡは、外縁ＯＥの５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、最も好ましくは９０％以上に沿って延びる。一実施形態では、最大隙間距離ＧＰは、２０μｍから５００μｍの範囲、好ましくは５０μｍから２００μｍの範囲にある。最大隙間距離ＧＰが２０μｍより小さいと、位置決め装置ＰＤおよび／または位置決め装置ＰＤとは反対側で静電ホルダＥＨによって保持される物体に到達する塵埃粒子を低減するには不十分に流体を出力するおそれがある。

複数の穴ＨＯと隙間ＧＡとの間の均圧室ＰＥＣは、隙間ＧＡにわたる圧力を分配するように構成され、それによって隙間ＧＡによって出力される流れの均一性を向上させる。隙間距離ＧＡは、好ましくは、隙間が十分に均圧室ＰＥＣの流量制限器として働くように定められており、それにより均圧室ＰＥＣの機能が向上される。

変化する隙間距離ＧＰは、例えば正弦波または矩形波などの波パターンを用いて実装することができる。矩形波の例は、外縁ＯＥと位置決め装置ＰＤとの間の隙間ＧＡを含む静電ホルダＥＨの外縁ＯＥの側面図を示す図５に描かれている。隙間ＧＡは、最小隙間距離ＧＰ１と最大隙間距離ＧＰ２を定める部分を交互に有する矩形波パターンを有する。この例では、穴ＨＯを有するシールＳＥと隙間ＧＡの矩形波パターンとの関係を示すために、穴ＨＯを有するシールＳＥが破線で示されている。この例では、最小隙間距離ＧＰ１を有する部分が、シールにおける穴ＨＯに対向して設けられている。従って、穴ＨＯに対向する部分は、それに比べて穴ＨＯから大きな距離にある部分よりも大きな流れ抵抗を有し、それにより、両方の部分において実質的に等しい流体の流れを提供するのに役立つ。隙間距離ＧＰはまた、正弦波パターンに従って変化し、波パターンの谷がシールＳＥの穴ＨＯに対向して設けられてもよい。

図６および図７は、本発明の他の実施形態に係る物体テーブルＯＴの断面を概略的に示している。物体テーブルＯＴは、図２から図４の物体テーブルと類似しており、図６及び図７の断面は、図２の断面に対応している。以下、２つの実施形態の相違点を中心に説明する。

図６および図７は、凹部ＲＥ、主流路ＭＣ、流路ＣＨＡ、および外縁ＯＥを含む本体ＢＯの下側部分ＬＰ、ガス供給システムＧＳＳ、位置決め装置ＰＤ、および流路ＣＨを有するクランプ要素ＣＥを有する静電ホルダＥＨを示す。クランプ要素ＣＥと本体ＢＯとの間に第１の空間Ｓ１が存在し、クランプ要素ＣＥが位置決め装置ＰＤからクランプ距離ＣＤにあるように、クランプ要素と位置決め装置ＰＤとの間に第２の空間Ｓ２が存在する。外縁ＯＥと位置決め装置ＰＤとの間には、外縁が位置決め装置から隙間距離ＧＰにあるように、隙間ＧＡが存在する。隙間ＧＡは、位置決め装置及び／又はその反対側で本体ＢＯによって保持される物体に到達する塵埃粒子を低減するための流体を出力するように構成されている。第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２は、クランプ要素ＣＥ内の流路ＣＨを介して流体連通している。凹部ＲＥにおいて第１の空間Ｓ１と隙間ＧＡとの間には、均圧室ＰＥＣが設けられている。ガス供給システムＧＳＳは、主流路ＭＣにガスを供給し、流路ＣＨＡを介して隙間ＧＡおよび／または第１の空間Ｓ１にガスを供給するように構成されている。

図６および図７の実施形態は、流路ＣＨＡに沿って２つのバルブ要素ＶＥ１、ＶＥ２が設けられている点で、図２ないし図４の実施形態と異なる。バルブ要素ＶＥ１は、代替的に内側バルブＶＥ１と呼ばれることもあるが、流路ＣＨＡと空間Ｓ１との間に配置され、第１の空間Ｓ１への流体の流れを制御する。また、第２の空間Ｓ２は流路ＣＨを介して第１の空間Ｓ１と流体連通しているので、バルブ要素ＶＥ１は、第２の空間Ｓ２への流体の流れも制御する。バルブ要素ＶＥ１は、常開状態の弾性要素であり、すなわち、ガス供給システムＧＳＳを介して圧力が印加されていない場合、バルブ要素ＶＥ１は開状態であり、第１の空間Ｓ１への流体の流れを許容する。

バルブ要素ＶＥ２は、代替的に外側バルブＶＥ２と呼ばれることもあるが、流路ＣＨＡと均圧室ＰＥＣとの間、したがって流路ＣＨＡと隙間ＧＡとの間に配置され、隙間ＧＡへの流体の流れを制御する。バルブ要素ＶＥ２は、常閉状態の弾性要素であり、すなわち、ガス供給システムＧＳＳを介して圧力が印加されていない場合、バルブ要素ＶＥ２は閉じている。

バルブ要素ＶＥ１およびＶＥ２は、ガス供給システムＧＳＳによって印加される第１の圧力に対しては、図６に示すように、両方のバルブ要素が部分的に開き、第１の空間Ｓ１および隙間ＧＡにそれぞれ流体の流れを許容し、第１の圧力よりも高い第２の圧力に対しては、図７に示すように、第１のバルブ要素ＶＥ１が閉じ、第２のバルブ要素ＶＥ２が開くように構成されている。

第１の圧力を印加して両バルブ要素ＶＥ１，ＶＥ２が部分的に開いているとき、第１および第２の空間Ｓ１，Ｓ２内の圧力は実質的に第１の圧力に設定され、同時に隙間ＧＡを介して流体の流れが可能になる。この状況は、高圧低流量構成と呼ぶことにする。

第２の圧力を印加してバルブ要素ＶＥ１が閉じかつバルブ要素ＶＥ２があるとき、第１および第２の空間Ｓ１，Ｓ２は、もはや流路ＣＨＡと流体連通していないので、これらの空間Ｓ１，Ｓ２内の圧力は第１の圧力よりも低下し、同時に隙間ＧＡを介して比較的大きな流体の流れが可能となる。この状況は、低圧高流量構成と呼ぶことにする。

したがって、上記の第１および第２のバルブ要素を適用することにより、クランプ要素ＣＥ周囲の圧力および塵埃粒子遮蔽のための流量に関して異なる要件を有する異なる状況で、静電ホルダを使用することが可能になる。

図８は、本発明の更なる実施形態に係る物体テーブルＯＴの断面を概略的に示している。物体テーブルＯＴは、図２から図４および図６から図７に描かれた物体テーブルと類似しており、図８の断面は図４の断面に対応する。

図２から図４の実施形態では、シールＳＥは、第１の空間Ｓ１を画定し、第１の空間Ｓ１と、外縁ＯＥと位置決め装置ＰＤとの間の隙間ＧＡとの間の流体連通を可能にする穴を提供する。図８の実施形態では、第１の空間Ｓ１は、高圧部分空間Ｓ１ｐと複数の高流量部分空間Ｓ１ｆとに分割されてもよい。

各高流量部分空間Ｓ１ｆは、均圧室ＰＥＣと流体連通しており、したがって外縁ＯＥと位置決め装置ＰＤとの間の隙間ＧＡと流体連通している。各高流量部分空間Ｓ１ｆはまた、高流量部分空間Ｓ１ｆをガス供給システムに接続する流量接続部ＦＣＨと流体連通している。

高圧部分空間Ｓ１ｐは、圧力接続部ＰＣＨを介して、ガス供給システム、場合によっては流量接続部ＦＣＨが接続されているのと同じガス供給システムと流体連通している。

高圧部分空間Ｓ１ｐと高流量部分空間Ｓ１ｆとが別々のガス供給システムに接続されている場合には、高圧部分空間の圧力と隙間ＧＡを通る流量とを互いに独立に設定することができ、図６および図７の上述の高圧低流量構成と低圧高流量構成とを異なる態様で得ることができる。

高圧部分空間Ｓ１ｐと高流量部分空間Ｓ１ｆとが同一のガス供給システムに接続されている場合には、図６および図７の上述の高圧低流量構成および低圧高流量構成を得ることもできる。高圧低流量構成は、圧力接続部ＰＣＨと流量接続部ＦＣＨの両方に第１の圧力を印加することで得られる。低圧高流量構成は、その後、圧力接続部を閉じることによって、例えばバルブを使用するか、または圧力接続部ＰＣＨに取り外し可能な流量制限装置を導入することによって、流れ抵抗を流量接続部ＦＣＨの流れ抵抗よりも大きな値、好ましくははるかに大きな値に設定し、第１の圧力よりも高い第２の圧力を流量接続部ＦＣＨに印加することによって得ることができる。

図９は、本発明のある実施形態に係る物体を保持し位置決めするための物体テーブルＯＴの断面図を概略的に示している。図２と類似しているが、今度は本体ＢＯの上側部分ＵＰを示している。上側部分ＵＰは、吸引力、例えば静電気力を用いて、物体（例えば基板ＷまたはパターニングデバイスＭＡであり得る）を保持するように構成されている。その特徴は図２と同様であるが、Ｘ－Ｙ平面において鏡映されている。図２の位置決め装置ＰＤの代わりに、今度は物体Ｗが外縁ＯＥと物体Ｗの間にある隙間ＧＡを定めている。物体Ｗは、本体ＢＯの外縁ＯＥに対向する平坦面を有する。隙間ＧＡによって出力される流体は、物体Ｗおよび／または位置決め装置ＰＤに到達する塵埃粒子を低減するためのものである。図３ないし図８で説明した特徴は、Ｘ－Ｙ平面で鏡映されて、この例にも適用することができる。

図１０は、本発明のある実施形態に係る物体テーブルＯＴの概略断面図である。物体テーブルＯＴは、静電ホルダＥＨと位置決め装置ＰＤとを備える。位置決め装置ＰＤは、静電ホルダＥＨが保持される凹部を備える。静電ホルダＥＨは、物体テーブルＯＴの位置決め装置ＰＤに対して物体Ｗを保持するように構成されている。図１０に示すように、一実施形態では、静電ホルダＥＨは、本体２１を備える。本体２１は板状の円板である。本体２１は、複数のバール２２を備える。バール２２は、本体２１の表面に突出する突起である。バール２２は遠位端２３を有する。本体２１は、物体Ｗを支持するための支持面２４に遠位端２３が位置するように構成されている。物体Ｗの下面がバール２２の遠位端２３に接触する。物体Ｗの下面の位置が支持面２４に相当する。バール２２は、物体Ｗが静電ホルダＥＨ上で概ね平坦となるように設けられている。

バール２２は図１０では縮尺どおりには示していない。実用的な一実施形態では、例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ、または４５０ｍｍの直径をもつ静電ホルダＥＨにわたって分散された多数の数百、数千、または数万のバールが存在し得る。バール２２の先端は例えば１ｍｍ^２未満の小さな面積を有しており、それにより、静電ホルダＥＨの片側のすべてのバール２２の総面積が静電ホルダＥＨの総表面積の約１０％未満となる。バールの配置は、あるパターンを形成してもよく、規則的であってもよいし、または、物体Ｗに適切な力の分布を与えるために所望に応じて変化していてもよい。バール２２の平面形状は問わないが、一般的には円形である。バール２２は、その高さ全体にわたって同じ形状および寸法を有することができるが、一般的にはテーパー形状である。バール２２は、静電ホルダＥＨの物体に面する表面の残りの部分（すなわち静電シート２５の上面）の上方に、約１μｍないし約５ｍｍ、望ましくは約５μｍないし約２５０μｍ、望ましくは約１０μｍの距離だけ突出してもよい。故に、鉛直方向におけるバール２２の遠位端２３と静電シート２５の上面との間の距離は、約１μｍないし約５ｍｍ、望ましくは約５μｍないし約２５０μｍ、望ましくは約１０μｍである。静電ホルダＥＨの本体２１の厚さは、約１ｍｍないし約５０ｍｍの範囲、望ましくは約５ｍｍないし約２０ｍｍの範囲、典型的には約１０ｍｍとすることができる。

本体２１は剛性材料で形成されてもよい。望ましくは、この材料は高熱伝導率を有し、保持される物体の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。望ましくは、材料は導電性をもつ。望ましくは、材料は高い硬度を有する。好適な材料としては、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＳｉＳｉＣ（ケイ素化炭化ケイ素）、Ｓｉ_３Ｎ_４（窒化ケイ素）、石英、および／または、様々な他のセラミック、およびＺｅｒｏｄｕｒ（商標）ガラスセラミックのようなガラスセラミックが挙げられる。本体２１は、関連する材料の固体ディスクから選択的に材料を除去し、突起状のバール２２を残すことによって製造することができる。材料を除去するのに適した技術には、放電加工（ＥＤＭ）、エッチング、機械加工、および／またはレーザーアブレーションが含まれる。本体２１は、マスクを通してバール２２を成長させることによっても製造できる。バール２２は、基材と同じ材料であってもよく、物理蒸着プロセスまたはスパッタリングによって成長させることができる。一実施形態では、本体２１は、１つまたは複数の内部流路（図示せず）を備える。一実施形態では、本体２１は、互いに接着された複数の層を備える。一実施形態では、これら層は異なる材料で形成される。単なる一例として、一実施形態では、コア本体２１は、ＳｉＳｉＣの層、ガラスの層、およびＳｉＳｉＣの別の層をこの順に備える。他の層の組み合わせも可能である。位置決め装置ＰＤに面する静電ホルダＥＨの下側部分は、図２ないし図８と同様に、電極ＥＬを備えるクランプ要素ＣＥを備える。

図１０に示すように、一実施形態では、静電ホルダＥＨは、静電クランプ用の１つまたは複数の電極２６、ＥＬを備える。物体Ｗと静電ホルダＥＨとの間、および／または静電ホルダＥＨと位置決め装置ＰＤとの間に静電クランプ力を与えるために、電位差を発生させることができる。一実施形態では、電極２６、ＥＬは、誘電体層（電気絶縁層とも呼ばれる）２７、２８の間に封入されている。発生する電位差は１０ボルトないし５０００ボルト程度であってもよい。基板の温度を局所的に制御するために１つまたは複数のヒータおよび温度センサを使用する構成は、米国特許出願公開第２０１１－０２２２０３３号に記載されており、その全体が参照により本明細書に組み込まれ、その技術は本明細書の技術に適用され得る。

図１０に示すように、一実施形態では、静電ホルダＥＨは、静電シート２５を備える。静電シート２５は、１つまたは複数の電極２６を備える。電極２６については、一実施形態では、連続金属フィルムの２つの半部（ただし、バール２２の遠位端２３から隔離されている）を互いに離間距離だけ離間させて堆積させ、静電クランプの正及び負要素を形成してもよい。離間距離は特に限定されない。一実施形態では、離間距離は、少なくとも約２０μｍ、任意選択で少なくとも約５０μｍ、任意選択で少なくとも約１００μｍ、任意選択で少なくとも約２００μｍ、任意選択で少なくとも約５００μｍである。一実施形態では、離間距離は、多くとも約２ｍｍ、任意選択で多くとも約１ｍｍ、任意選択で多くとも約５００μｍである。一実施形態では、離間距離は、約５００μｍである。したがって、電極２６は２つであってもよい。しかしながら、静電シート２５における電極２６の数は特に限定されず、１つまたは３つ以上であってもよい。電極２６の金属配線は、約２０ｎｍより大きい層厚、望ましくは約４０ｎｍより大きい層厚を有してもよい。金属配線は、望ましくは約１μｍ以下、望ましくは約５００ｎｍ以下、望ましくは約２００ｎｍ以下の層厚を有する。

静電シート２５の電極２６は、物体Ｗを静電ホルダＥＨに静電的にクランプするように構成されていてもよい。クランプ要素ＣＥの電極ＥＬは、静電ホルダＥＨを位置決め装置ＰＤに静電的にクランプするように構成されていてもよい。

一実施形態では、本体２１およびバール２２の材料は導電性をもつ。例えば、一実施形態では、バール２２の材料はＳｉＳｉＣである。しかしながら、本体２１およびバール２２の材料が導電性であることは必須ではない。一実施形態では、２つ以上のバール２２（任意選択で、すべてのバール２２）の遠位端２３を接地電位または共通の電位に電気的に接続する接地層を設けてもよい。接地層は、導電性材料の比較的厚い層を堆積させることによって形成することができる。導電性材料は特に限定されない。一実施形態では、導電性材料はＣｒである。代替的な実施形態では、導電性材料はＣｒＮである。一実施形態では、堆積された層は、その後、接地層を形成するためにパターニングされる。パターンは、バール２２の遠位端２３同士を接続する一連の金属線を備えてもよい。このようなパターンは「マンハッタン」パターンと呼ばれることもある。代替的な実施形態では、堆積層はパターニングされない。一実施形態では、接地層または他の層は、本体２１および／またはバール２２の表面を覆うように設けられる。接地層または他の層は、表面を平滑にして表面の洗浄を容易にするのに役立つ。

図１０に示すように、一実施形態では、静電シート２５は、誘電体層２７，２８に挟まれた電極２６を備える。図１０に示すように、一実施形態では、バール２２および静電シート２５は、静電ホルダＥＨの両主面に設けられている。代替的な実施形態では、バール２２および静電シート２５は、基板ホルダ２０の２つの主表面のうちの一方のみに設けられる。図１０に示すように、一実施形態では、静電シート２５は、バール２２どうしの間にある。例えば、図１０に示すように、静電シート２５には、穴３４が設けられている。穴３４は、その位置がコア本体２１のバール２２に対応するように配置されている。バール２２は、誘電体層２７，２８に挟まれた電極２６がバール２２間の領域に設けられるように、静電シート２５のそれぞれの穴３４を貫通して突出している。

図１０に示すように、一実施形態では、静電ホルダＥＨは、接合材２９、３０を備える。一実施形態では、接合材は少なくとも１００ｎｍ、例えば約５０μｍの厚さを有する。接合材２９は、本体２１に対する静電シート２５の位置を固定する。接合材３０は、本体２１に対するクランプ要素ＣＥの位置を固定する。接合材２９は、静電シート２５の穴３４をバール２２と位置合わせした状態に保つ。一実施形態では、バール２２は、静電シート２５のそれぞれの穴３４の中心に配置される。

図１０に示すように、一実施形態では、接合材２９、３０は、互いに接続しない別々の部分として形成されている。接合材２９、３０の異なる部分どうしの厚さには多少のばらつきがあってもよい。一実施形態では、接合材２９、３０の別々の部分は、実質的に互いに同じ厚さを有する。接合材２９、３０は、接着剤接合（例えば、接着剤）または、はんだであってもよい。

静電シート２５と物体Ｗとの間、または／および、クランプ要素ＣＥと位置決め装置ＰＤとの間の静電気力の時間的なドリフトまたは変動は、物体テーブルＯＴの変形（その結果、フォーカスおよびオーバーレイ性能に悪影響を及ぼす）、または／および、位置決め装置ＰＤおよび物体Ｗに到達する塵埃粒子を低減するための流体の出力を変動させる可能性がある。以下の説明では、静電シート２５、電極２６、物体Ｗおよび接合材２９の文脈で本発明を説明する。しかしながら、本発明は、クランプ要素ＣＥ、電極ＥＬ、位置決め装置ＰＤおよび接合材３０にも適用することができる。

時間的なドリフトまたは変動は、次の２つの要因による。一つの要因は、電極２６の電気的極性を切り替えた後、物体テーブルＯＴに使用されている材料（例えば誘電体材料）の緩和効果である。もう１つの要因は、接合材２９の体積ドリフトである。接合材２９は、機械的負荷のクリープ（クランプ力による）、湿度変化（真空環境と大気環境との間の切り替え）、および物体テーブルＯＴに対するサービス洗浄作用（ＩＰＡ、アセトン）の下で体積ドリフトを被る可能性がある。接合材２９の体積変化は、本体２１、ＢＯに対する静電シート２５の位置を移動させ、静電シート２５と物体Ｗとの間の真空隙間を変化させうる。

静電気力のドリフトまたは変動は、補償されてもよい。補償は、静電シート２５の電極２６に出力される電圧を適合させることによって達成されてもよい。電極２６に一定の電圧を印加する動作モードの代わりに、一定の静電気力の動作モードが、使用中の静電気力のドリフトまたは変動に対抗するように電極２６に印加する電圧を変調することによって適用されてもよい。例えば、元の電圧が２ｋＶの場合、２ｋＶの上に±１００Ｖの変調を電極２６に印加してもよい。変調電圧は元の電圧の１％ないし１０％の範囲にあってもよい。

物体テーブルＯＴに使用される材料の緩和効果は、以下のようにして低減することができる。（１）フィードフォワード：供給される電圧の持続時間に基づく予測のために、緩和モデルが使用されてもよい。（２）フィードバック：静電シート２５の表面電圧を測定するために、静電電圧センサが使用されてもよい。

接合材２９の体積ドリフトは、静電シート２５の位置を測定するセンサによって低減されてもよい。この測定はリアルタイムであってもよい。次に、一定の静電気力を得るために電極２６に必要な電圧を計算する。センサは、光ファイバー、容量性距離センサ、金属薄膜ひずみゲージのうちの少なくとも１つであってもよい。センサは、静電シート２５の一部として形成され、読み出し回路として高電圧パワーアンプを使用する容量性センサであってもよい。

静電容量式距離センサは、５０ｍｍ^２のセンサ面積で、数マイクロメートルから１００マイクロメートルまでの測定範囲において０．５ｎｍの検出分解能を有しうる。センサの動作領域は約１０ｍｍ^２であってもよい。

センサは、図１１の概略断面図に示されるように、静電シート２５に一体化されていてもよい。静電シート２５は物体Ｗと本体２１の間にある。差動測定は、コモンモードノイズおよび長期ドリフトの除去のためである。静電シート２５は、物体Ｗに面する静電シート２５の上部外面に設けられた電子導電性の接地層３２と、コア２１に面する静電シート２５の下部外面に設けられた電子導電性の接地層３４とを備える。接地層３２，３４は電界を遮蔽してもよい。静電シート２５は、第１の検知電極３６と第２の検知電極３８とを備える。第１の検知電極３６は、電子導電性接地層３４の上方に位置し、物体Ｗに向かう静電容量Ｃ１（物体Ｗと静電シート２５の上部外面との間）の変化を測定するように構成されている。第２の検知電極３８は、電子導電性接地層３２の下方に位置し、コア２１に向かう静電容量Ｃ２（基材コア２１と静電シート２５の下部外面との間）の変化を測定するように構成されている。第２の検知電極３８は、静電容量Ｃ２を増加させるために、明確な表面を有し、第２の検知電極３８とコア２１との間の隙間がより小さいコア２１の接合材プラトーの上方に配置されてもよい。静電シート２５が接合材の膨張や収縮によって上下すると、Ｃ１とＣ２の値は逆の符号で変化する。Ｃ１、Ｃ２およびＣ１－Ｃ２の値を取ることにより、誤検出シナリオを回避することができ、また、共通ノイズを除去することにより検出感度を向上させることができる。第１および第２の検知電極３６、３８は、製造工程を簡略化するために同じ層に設けられてもよい。上述したセンサは、同様の方法で図１０のクランプ要素ＣＥに組み込むこともできる。

図１２は、ある実施形態に係る第１および第２の検知電極４６、４８の位置を静電ホルダＥＨの上面図で概略的に示している。静電ホルダＥＨは、物体Ｗに面する図１０のバール２２を備えるバール領域４２を備える。静電ホルダＥＨはさらに、物体Ｗに面するシール４４を備える。シール４４は、円形を有してもよい。第１の検知電極４６は、シール４４の外側に配置された（破断した）リング形状を有してもよい。リングの幅は０．０１ｍｍから１ｍｍの間、例えば０．２ｍｍ程度であってもよい。第２の検知電極４８は、第１の検知電極４６の外側に配置されてもよい。あるいは、第１および第２の検知電極４６、４８の一方または両方が、バール領域４２の内側に配置されてもよい。上述の実施形態に関して、流体／ガスは、一般に、抑制したい汚染環境よりも清浄である。任意選択として、流体／ガス供給システムは、流体／ガスを出力する隙間の上流に粒子フィルタリング要素を備える。好ましくは、この粒子フィルタリングユニットは、クランプ要素のすぐ上流に配置される。

本書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は他の用途を有し得ることを理解すべきである。ありうる他の用途には、統合光学システム、磁区メモリの案内および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造が含まれる。

本書では、リソグラフィ装置の文脈で本発明の実施形態を具体的に説明しているが、本発明の実施形態は、他の装置で使用することができる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、計測装置、または、ウェーハ（または他の基板）又はマスク（または他のパターニングデバイス）などの物体を測定または処理する任意の装置の一部を形成してもよい。これらの装置は、一般にリソグラフィツールと呼ばれ得る。そのようなリソグラフィツールは、真空条件または周囲（非真空）条件を使用することができる。

上記では、光リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について具体的に言及がなされたかもしれないが、文脈が許す限り、本発明は光リソグラフィに限定されず、例えばインプリントリソグラフィのような他の用途において使用され得ることが理解されるであろう。

文脈が許す場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実装されてもよい。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサによって読み取られ実行され得る、機械可読媒体に格納された命令として実装されることもできる。機械可読媒体は、機械（例えば、コンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形態で情報を格納または送信するための任意の機構を含んでもよい。例えば、機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ROM）；ランダムアクセスメモリ（RAM）；磁気記憶媒体；光学記憶媒体；フラッシュメモリ装置；電気、光学、音響または他の形態の伝播信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、その他を含んでもよい。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定の動作を実行するものとして本明細書に記載される場合がある。しかしながら、そのような記述は単に便宜上のものであり、そのような動作は、実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、または他のデバイスがファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行することから生じ、それを行うことによってアクチュエータまたは他のデバイスに現実世界との相互作用を引き起こさせうるものであることを理解されたい。

本発明の特定の実施形態を上で説明したが、本発明は、説明された以外の方法で実施されてもよいことを理解すべきである。上記の説明は、限定ではなく、例示を目的としている。したがって、記載された本発明には、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく、変更が加えられてもよいことは当業者には明らかであろう。

項
１．静電ホルダであって、
－本体と、
－前記本体に取り付けられたクランプ要素であって、該クランプ要素と第１のクランプされるべき物体との間に吸引力を印加するための電極を備えるクランプ要素と、を備え、
前記本体の外縁は、前記本体の前記外縁と前記第１のクランプされるべき物体との間に隙間を提供するように構成され、前記隙間は、前記第１のクランプされるべき物体または前記ホルダの反対側の第２のクランプされるべき物体に到達する塵埃粒子を低減するための流体を出力するように構成されている、静電ホルダ。

２．前記本体は、凹部を含み、前記クランプ要素は、前記クランプ要素と前記本体との間に第１の空間が存在するように前記凹部内に設けられ前記本体に取り付けられ、前記第１の空間は、前記本体の前記外縁と前記第１のクランプされるべき物体との間の前記隙間と流体連通しており、前記第１の空間が、前記隙間を介して出力される流体を提供するガス供給システムに接続可能である、項１に記載の静電ホルダ。

３．前記本体の前記凹部の底部と前記クランプ要素との間に設けられ、前記第１の空間の外周にガスバリアを提供するシールをさらに備え、前記隙間は、前記シールにおける１つまたは複数の穴を介して前記第１の空間と流体連通している、項２に記載の静電ホルダ。

４．前記シールにおける前記１つまたは複数の穴は、合計で前記第１の空間の前記外周の１％ないし９９％、より好ましくは１０％ないし３０％を占める、項３に記載の静電ホルダ。

５．前記隙間は、ガス供給システムに接続可能であり、前記静電ホルダは、前記隙間と前記ガス供給システムとの間に設けられた均圧室をさらに備え、前記隙間は、前記均圧室の流量制限器として働くように構成されている、先行する項のいずれかに記載の静電ホルダ。

６．前記均圧室は、前記シールにおける前記１つまたは複数の穴と前記隙間との間に設けられている、項３を引用する項５に記載の静電ホルダ。

７．前記隙間は、前記外縁の５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、最も好ましくは９０％以上に沿って延びている、先行する項のいずれかに記載の静電ホルダ。

８．前記本体および前記クランプ要素は、前記クランプ要素が前記第１のクランプされるべき物体からあるクランプ距離にある状態で、前記クランプ要素と前記第１のクランプされるべき物体との間に第２の空間が存在するように構成され、前記隙間における前記本体の前記外縁と前記第１のクランプされるべき物体との間の隙間距離が、前記あるクランプ距離よりも大きい、先行する項のいずれかに記載の静電ホルダ。

９．前記隙間における前記本体の前記外縁と前記第１のクランプされるべき物体との間の隙間距離は、前記隙間にわたって実質的に一定である、先行する項のいずれかに記載の静電ホルダ。

１０．前記隙間における前記本体の前記外縁と前記第１のクランプされるべき物体との間の隙間距離は、前記隙間にわたって変化している、項１から８のいずれかに記載の静電ホルダ。

１１．前記隙間にわたる前記隙間距離は、最小隙間距離を定める１つまたは複数の部分が最大隙間距離を定める１つまたは複数の部分と交互に配置される例えば正弦波または矩形波などの波パターンを有している、項１０に記載の静電ホルダ。

１２．最小隙間距離を定める１つの部分が、前記シールにおける１つの穴に対向して設けられている、項３を引用する項１１に記載の静電ホルダ。

１３．内側バルブがガス供給システム側で前記シールにおける前記１つまたは複数の穴のそれぞれと前記第１の空間との間に設けられ、外側バルブが前記シールにおける前記１つまたは複数の穴のそれぞれと前記隙間との間に設けられている、項３に記載の静電ホルダ。

１４．前記内側バルブおよび前記外側バルブは、圧力上昇により、前記内側バルブが閉位置に向かって付勢され、前記外側バルブが開位置に向かって付勢されるように構成されている、項１３に記載の静電ホルダ。

１５．前記第１の空間は、高圧部分空間および高流量部分空間を含み、前記静電ホルダは、前記本体の前記凹部の底部と前記クランプ要素との間に設けられ、前記高圧部分空間と前記高流量部分空間との間にガスバリアを提供するシールをさらに備え、前記高圧部分空間および前記高流量部分空間は共に前記ガス供給システムに接続可能であり、前記隙間は、前記高流量部分空間と流体連通している、項２に記載の静電ホルダ。

１６．前記ガス供給システムを前記高圧部分空間に接続する１つまたは複数の圧力接続部と、前記ガス供給システムを前記高流量部分空間に接続する１つまたは複数の流量接続部と、をさらに備え、前記１つまたは複数の圧力接続部には、前記１つまたは複数の圧力接続部の流れ抵抗を前記１つまたは複数の流量接続部の流れ抵抗よりも大きな値に設定する取り外し可能な流量制限装置が設けられている、項１５に記載の静電ホルダ。

１７．前記クランプ要素は、前記本体と前記クランプされるべき物体との間に設けられている、先行する項のいずれかに記載の静電ホルダ。

１８．前記隙間を定める前記第１のクランプされるべき物体は、前記本体の前記外縁に対向する平坦面を有する、先行する項のいずれかに記載の静電ホルダ。

１９．出力される前記流体は、２ｍｂａｒ／ｓから１００ｍｂａｒ／ｓの範囲にある流量を有する、先行する項のいずれかに記載の静電ホルダ。

２０．前記隙間は、２０μｍから５００μｍの範囲にある最大高さを有する、先行する項のいずれかに記載の静電ホルダ。

２１．前記本体に対する前記クランプ要素の位置変化を測定するように構成されている第１のセンサをさらに備え、または／および、前記本体に対する第２のクランプ要素の位置変化を測定するように構成されている第２のセンサをさらに備え、前記第２のクランプ要素が前記第２のクランプされるべき物体をクランプするためのものである、先行する項のいずれかに記載の静電ホルダ。

２２．前記電極に印加される電圧は、前記吸引力が使用中に同じに保たれるように、前記第１のセンサによって測定された位置変化を補償するように変調され、または／および、前記第２のクランプ要素の電極に印加される第２の電圧は、前記第２のクランプされるべき物体をクランプするための吸引力が使用中に同じに保たれるように、前記第２のセンサによって測定された位置変化を補償するように変調される、項２１に記載の静電ホルダ。

２３．物体を保持し、位置決めするための物体テーブルであって、
－前記物体テーブルを少なくとも１つの方向に移動させるための位置決め装置と、
－前記物体を保持するための静電ホルダであって、吸引力を用いて前記位置決め装置に取り付け可能である静電ホルダと、を備え、
前記静電ホルダは、
・本体と、
・前記本体に取り付けられたクランプ要素であって、該クランプ要素と前記位置決め装置との間に前記吸引力を印加するための電極を備えるクランプ要素と、を備え、
前記本体の外縁は、前記本体の前記外縁と前記位置決め装置との間に隙間を提供するように構成され、前記隙間は、前記ホルダ上の前記物体に到達する塵埃粒子を低減するための流体を出力するように構成されている、物体テーブル。

２４．前記静電ホルダは、前記第１のクランプされるべき物体を前記位置決め装置としたときの項１から１７のいずれかに記載の静電基板クランプである、項１８に記載の物体テーブル。

２５．前記隙間を介して出力される前記流体を提供するガス供給システムをさらに備える、項１８または１９に記載の物体テーブル。

２６．－本体と、
－前記本体に取り付けられたクランプ要素であって、該クランプ要素と第１のクランプされるべき物体との間に吸引力を印加するための電極を備えるクランプ要素と、
－前記本体に対する前記クランプ要素の位置変化を測定するように構成されているセンサと、を備える静電ホルダ。

２７．放射ビームを調整するように構成されている照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成されている支持構造であって、前記パターニングデバイスは、パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを付与することが可能である、支持構造と、
基板を保持するように構成されている基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板上に投影するように構成されている投影システムと、を備え、
前記基板テーブルは、項１８から２０のいずれかに記載の物体テーブルである、リソグラフィ装置。

２８．放射ビームを調整するように構成されている照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成されている支持構造であって、前記パターニングデバイスは、パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを付与することが可能である、支持構造と、
基板を保持するように構成されている基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板上に投影するように構成されている投影システムと、を備え、
前記支持構造は、項１８から２０のいずれかに記載の物体テーブルである、リソグラフィ装置。

２９．前記放射ビームは、ＥＵＶ放射を含み、前記物体テーブルは、真空中で動作するように構成されている、項２１または２２に記載のリソグラフィ装置。

Claims (15)

1. 静電ホルダであって、
   －本体と、
   －前記本体に取り付けられたクランプ要素であって、該クランプ要素と第１のクランプされるべき物体との間に吸引力を印加するための電極を備えるクランプ要素と、を備え、
   前記本体は、前記本体の外縁と前記第１のクランプされるべき物体との間に隙間を提供するように構成され、前記隙間は、前記第１のクランプされるべき物体または前記ホルダの反対側の第２のクランプされるべき物体に到達する汚染物質を低減するための流体を出力するように構成されている、静電ホルダ。
2. 前記本体は、凹部を含み、前記クランプ要素は、前記クランプ要素と前記本体との間に第１の空間が存在するように前記凹部内に設けられ前記本体に取り付けられ、前記第１の空間は、前記本体の前記外縁と前記第１のクランプされるべき物体との間の前記隙間と流体連通しており、前記第１の空間が、前記隙間を介して出力される流体を提供するガス供給システムに接続可能である、請求項１に記載の静電ホルダ。
3. 前記本体の前記凹部の底部と前記クランプ要素との間に設けられ、前記第１の空間の外周にガスバリアを提供するシールをさらに備え、前記隙間は、前記シールにおける１つまたは複数の穴を介して前記第１の空間と流体連通している、請求項２に記載の静電ホルダ。
4. 前記隙間は、ガス供給システムに接続可能であり、前記静電ホルダは、前記隙間と前記ガス供給システムとの間に設けられた均圧室をさらに備え、前記隙間は、前記均圧室の流量制限器として働くように構成されている、請求項１から３のいずれかに記載の静電ホルダ。
5. 前記均圧室は、前記シールにおける前記１つまたは複数の穴と前記隙間との間に設けられている、請求項３または４に記載の静電ホルダ。
6. 前記隙間における前記本体の前記外縁と前記第１のクランプされるべき物体との間の隙間距離は、前記隙間にわたって変化している、請求項１から５のいずれかに記載の静電ホルダ。
7. 前記隙間にわたる前記隙間距離は、最小隙間距離を定める１つまたは複数の部分が最大隙間距離を定める１つまたは複数の部分と交互に配置される例えば正弦波または矩形波などの波パターンを有している、請求項６に記載の静電ホルダ。
8. 最小隙間距離を定める１つの部分が、前記シールにおける１つの穴に対向して設けられている、請求項３を引用する請求項７に記載の静電ホルダ。
9. 内側バルブがガス供給システム側で前記シールにおける前記１つまたは複数の穴のそれぞれと前記第１の空間との間に設けられ、外側バルブが前記シールにおける前記１つまたは複数の穴のそれぞれと前記隙間との間に設けられ、前記内側バルブおよび前記外側バルブは、圧力上昇により、前記内側バルブが閉位置に向かって付勢され、前記外側バルブが開位置に向かって付勢されるように構成されている、請求項３に記載の静電ホルダ。
10. 前記第１の空間は、高圧部分空間および高流量部分空間を含み、前記静電ホルダは、前記本体の前記凹部の底部と前記クランプ要素との間に設けられ、前記高圧部分空間と前記高流量部分空間との間にガスバリアを提供するシールをさらに備え、前記高圧部分空間および前記高流量部分空間は共に前記ガス供給システムに接続可能であり、前記隙間は、前記高流量部分空間と流体連通している、請求項２に記載の静電ホルダ。
11. 前記ガス供給システムを前記高圧部分空間に接続する１つまたは複数の圧力接続部と、前記ガス供給システムを前記高流量部分空間に接続する１つまたは複数の流量接続部と、をさらに備え、前記１つまたは複数の圧力接続部には、前記１つまたは複数の圧力接続部の流れ抵抗を前記１つまたは複数の流量接続部の流れ抵抗よりも大きな値に設定する取り外し可能な流量制限装置が設けられている、請求項１０に記載の静電ホルダ。
12. 前記隙間を定める前記第１のクランプされるべき物体は、前記本体の前記外縁に対向する平坦面を有する、請求項１から１１のいずれかに記載の静電ホルダ。
13. 出力される前記流体は、２ｍｂａｒ／ｓから１００ｍｂａｒ／ｓの範囲、好ましくは５ｍｂａｒ／ｓから５０ｍｂａｒ／ｓの範囲にある流量を有し、または／および、前記隙間は、２０μｍから５００μｍの範囲、好ましくは５０μｍから２００μｍの範囲にある最大高さを有する、請求項１から１２のいずれかに記載の静電ホルダ。
14. 前記本体に対する前記クランプ要素の位置変化を測定するように構成されている第１のセンサをさらに備え、または／および、前記本体に対する第２のクランプ要素の位置変化を測定するように構成されている第２のセンサをさらに備え、前記第２のクランプ要素が前記第２のクランプされるべき物体をクランプするためのものである、請求項１から１３のいずれかに記載の静電ホルダ。
15. 放射ビームを調整するように構成されている照明システムと、
    パターニングデバイスを支持するように構成されている支持構造であって、前記パターニングデバイスは、パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを付与することが可能である、支持構造と、
    基板を保持するように構成されている基板テーブルと、
    前記パターニングされた放射ビームを前記基板上に投影するように構成されている投影システムと、を備え、
    前記基板テーブルは、請求項１から１４のいずれかに記載の静電ホルダを備え、または／および、前記支持構造は、請求項１から１４のいずれかに記載の静電ホルダを備える、リソグラフィ装置。

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