JPH07110455B2 - ウェハ固定装置 - Google Patents
ウェハ固定装置Info
- Publication number
- JPH07110455B2 JPH07110455B2 JP4288950A JP28895092A JPH07110455B2 JP H07110455 B2 JPH07110455 B2 JP H07110455B2 JP 4288950 A JP4288950 A JP 4288950A JP 28895092 A JP28895092 A JP 28895092A JP H07110455 B2 JPH07110455 B2 JP H07110455B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- suction
- silicon wafer
- support plate
- wafer
- fixing device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
- B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
- B25B11/005—Vacuum work holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ、例え
ば、超小型の歯車やモータ、カンチレバー、ダイアフラ
ム等のマイクロマシン（微小機械）が形成されたシリコ
ンウェハを固定するためのウェハ固定装置に関するもの
である。
ば、超小型の歯車やモータ、カンチレバー、ダイアフラ
ム等のマイクロマシン（微小機械）が形成されたシリコ
ンウェハを固定するためのウェハ固定装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路製作技術を利用し
てシリコンウェハに超小型の歯車やモータ等のマイクロ
マシンを製造する技術、いわゆるマイクロマシーニング
技術の研究、開発が急速に進められている。
てシリコンウェハに超小型の歯車やモータ等のマイクロ
マシンを製造する技術、いわゆるマイクロマシーニング
技術の研究、開発が急速に進められている。
【０００３】マイクロマシーニングプロセスにおいて
は、マイクロマシンの母材となるシリコンウェハを固定
する必要が生ずる場合がある。かかる場合、従来は半導
体集積回路製作用のウェハ固定装置が用いられていた。
は、マイクロマシンの母材となるシリコンウェハを固定
する必要が生ずる場合がある。かかる場合、従来は半導
体集積回路製作用のウェハ固定装置が用いられていた。
【０００４】従来のウェハ固定装置としては、図５及び
図６に示すような真空吸着式のものが一般的である。図
５及び図６において、符号１は吸引ステージを示し、こ
の吸引ステージ１の上面には同心円上に多数の吸引孔或
いは環状の吸引溝２が形成されている。これらの吸引孔
又は吸引溝２は吸引ステージ１内に形成された通路３を
介して吸引ポンプ４に接続されている。
図６に示すような真空吸着式のものが一般的である。図
５及び図６において、符号１は吸引ステージを示し、こ
の吸引ステージ１の上面には同心円上に多数の吸引孔或
いは環状の吸引溝２が形成されている。これらの吸引孔
又は吸引溝２は吸引ステージ１内に形成された通路３を
介して吸引ポンプ４に接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の従来のウェ
ハ固定装置では、円形のシリコンウェハ５を吸引ステー
ジ１の上面に吸引孔又は吸引溝２と同心に載置し、吸引
ポンプ４を駆動することで当該シリコンウェハ５を吸着
することができる。
ハ固定装置では、円形のシリコンウェハ５を吸引ステー
ジ１の上面に吸引孔又は吸引溝２と同心に載置し、吸引
ポンプ４を駆動することで当該シリコンウェハ５を吸着
することができる。
【０００６】しかしながら、カンチレバー６等の複数の
マイクロマシンが形成されたシリコンウェハの場合、各
マイクロマシン形成部分に貫通孔が形成されることがあ
り、その貫通孔が吸引溝２上に配置されると、ウェハ固
定装置の吸引力が減じてしまう。また、貫通孔が形成さ
れていない場合であっても、マイクロマシン形成部分に
吸引力をかけることは好ましくない。
マイクロマシンが形成されたシリコンウェハの場合、各
マイクロマシン形成部分に貫通孔が形成されることがあ
り、その貫通孔が吸引溝２上に配置されると、ウェハ固
定装置の吸引力が減じてしまう。また、貫通孔が形成さ
れていない場合であっても、マイクロマシン形成部分に
吸引力をかけることは好ましくない。
【０００７】従って、１枚のシリコンウェハ５に複数の
マイクロマシンを形成する場合、マイクロマシン形成部
分が吸引ステージ１の吸引孔又は吸引溝２と重ならない
ようにレイアウトする必要がある。これは、シリコンウ
ェハ１枚当たりのマイクロマシンの個数を制限するもの
であり、製造効率の向上を妨げる原因となる。
マイクロマシンを形成する場合、マイクロマシン形成部
分が吸引ステージ１の吸引孔又は吸引溝２と重ならない
ようにレイアウトする必要がある。これは、シリコンウ
ェハ１枚当たりのマイクロマシンの個数を制限するもの
であり、製造効率の向上を妨げる原因となる。
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされ、その
目的は、１枚のシリコンウェハに多数のマイクロマシン
を効率よく形成することを可能とする真空吸着式のウェ
ハ固定装置を提供することにある。
目的は、１枚のシリコンウェハに多数のマイクロマシン
を効率よく形成することを可能とする真空吸着式のウェ
ハ固定装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、シリコンウェハ等の半導体ウェハを固定
するための真空吸着式ウェハ固定装置において、真空室
を有する吸引ステージと、この吸引ステージに脱着可能
に取り付けられ、かつ、真空室と連通する複数の吸引孔
を有する支持板と、真空室内の空気を抜くための吸引ポ
ンプとを備え、半導体ウェハを支持板上に載置した場合
に当該半導体ウェハの非加工部分の直下となる位置に前
記吸引孔を形成したことを特徴としている。
に、本発明は、シリコンウェハ等の半導体ウェハを固定
するための真空吸着式ウェハ固定装置において、真空室
を有する吸引ステージと、この吸引ステージに脱着可能
に取り付けられ、かつ、真空室と連通する複数の吸引孔
を有する支持板と、真空室内の空気を抜くための吸引ポ
ンプとを備え、半導体ウェハを支持板上に載置した場合
に当該半導体ウェハの非加工部分の直下となる位置に前
記吸引孔を形成したことを特徴としている。
【００１０】また、支持板はシリコンウェハから形成さ
れるのが好適である。
れるのが好適である。
【００１１】
【作用】上記構成においては、吸引ポンプを駆動して真
空室内を減圧すると、支持板の吸引孔を介して半導体ウ
ェハが支持板に吸着される。その際、吸引孔の位置が半
導体ウェハの非加工部分の直下となるので、半導体ウェ
ハにマイクロマシンや集積回路が加工、形成されていて
も、それらに悪影響を及ぼすことがない。また、加工部
分に貫通孔がある場合には、貫通孔による吸引力の低下
という問題も生じない。
空室内を減圧すると、支持板の吸引孔を介して半導体ウ
ェハが支持板に吸着される。その際、吸引孔の位置が半
導体ウェハの非加工部分の直下となるので、半導体ウェ
ハにマイクロマシンや集積回路が加工、形成されていて
も、それらに悪影響を及ぼすことがない。また、加工部
分に貫通孔がある場合には、貫通孔による吸引力の低下
という問題も生じない。
【００１２】また、支持板がシリコンウェハから形成さ
れている場合、その平坦度の高さ故に、半導体ウェハと
の密着性が向上する。また、シリコンウェハは熱伝導性
が良いので、支持板をヒータとして用い、半導体ウェハ
に対してガラスを陽極接合させることも可能となる。
れている場合、その平坦度の高さ故に、半導体ウェハと
の密着性が向上する。また、シリコンウェハは熱伝導性
が良いので、支持板をヒータとして用い、半導体ウェハ
に対してガラスを陽極接合させることも可能となる。
【００１３】
【実施例】図１及び図２は本発明によるウェハ固定装置
の一実施例を示している。図中、符号１０は吸引ステー
ジ、符号１１は支持板、符号１２はマイクロマシンとし
て加速度計用カンチレバー１３が複数形成されたシリコ
ンウェハを示している。
の一実施例を示している。図中、符号１０は吸引ステー
ジ、符号１１は支持板、符号１２はマイクロマシンとし
て加速度計用カンチレバー１３が複数形成されたシリコ
ンウェハを示している。
【００１４】吸引ステージ１０には円形の凹部１４が形
成されている。凹部１４は、小径の下部部分１４ａと、
この下部部分１４ａに同軸に配置された大径の上部部分
１４ｂとから成り、下部部分１４ａと上部部分１４ｂと
の間には平坦な段差面１４ｃが形成されている。上部部
分１４ｂの径は、固定されるシリコンウェハ１２の外径
と実質的に同一とされ、下部部分１４ａの径はシリコン
ウェハ１２の径よりも若干小さくされている。下部部分
１４ａの側壁面の適宜位置からは空気抜きのための通路
１５が穿設されており、この通路１５は外部の吸引ポン
プ１６に接続されている。
成されている。凹部１４は、小径の下部部分１４ａと、
この下部部分１４ａに同軸に配置された大径の上部部分
１４ｂとから成り、下部部分１４ａと上部部分１４ｂと
の間には平坦な段差面１４ｃが形成されている。上部部
分１４ｂの径は、固定されるシリコンウェハ１２の外径
と実質的に同一とされ、下部部分１４ａの径はシリコン
ウェハ１２の径よりも若干小さくされている。下部部分
１４ａの側壁面の適宜位置からは空気抜きのための通路
１５が穿設されており、この通路１５は外部の吸引ポン
プ１６に接続されている。
【００１５】支持板１１は円形平板で、凹部１４の上部
部分１４ｂの径（シリコンウェハ１２の径）と実質的に
同一の径であり、その周縁部分が凹部１４の段差面１４
ｃ上で隙間なく支持されるようになっている。この支持
板１１は、平坦性に優れ、加工が容易なシリコンウェハ
から構成されるのが好適である。また、支持板１１の厚
さｔは凹部１４の上部部分１４ｂの高さｈよりも僅かに
小さい。従って、凹部１４に支持板１１を配置した場
合、支持板１１の上面は吸引ステージ１０の上面から若
干下がった位置に配置される。支持板１１を凹部１４の
段差面１４ｃ上に載置した状態において、凹部１４の下
部部分１４ａは真空室を形成する。
部分１４ｂの径（シリコンウェハ１２の径）と実質的に
同一の径であり、その周縁部分が凹部１４の段差面１４
ｃ上で隙間なく支持されるようになっている。この支持
板１１は、平坦性に優れ、加工が容易なシリコンウェハ
から構成されるのが好適である。また、支持板１１の厚
さｔは凹部１４の上部部分１４ｂの高さｈよりも僅かに
小さい。従って、凹部１４に支持板１１を配置した場
合、支持板１１の上面は吸引ステージ１０の上面から若
干下がった位置に配置される。支持板１１を凹部１４の
段差面１４ｃ上に載置した状態において、凹部１４の下
部部分１４ａは真空室を形成する。
【００１６】支持板１１には複数の吸引孔１７が形成さ
れている。これらの吸引孔１７の位置は、固定されるシ
リコンウェハ１２のカンチレバー形成部分の位置により
決定される。即ち、シリコンウェハ１２を支持板１１に
載置して吸引力を作用させた場合に、カンチレバー１３
に何ら不具合を与えることのない適宜位置に吸引孔１７
が形成されるのである。図示実施例においては、固定さ
れるシリコンウェハ１２には複数のカンチレバー１３が
縦横に一定ピッチで形成されているが、この場合、支持
板の吸引孔１７は、４つのカンチレバー１３により囲ま
れた四角形部分の中央の非加工部分に対向する位置ごと
に形成されるのが好ましい。
れている。これらの吸引孔１７の位置は、固定されるシ
リコンウェハ１２のカンチレバー形成部分の位置により
決定される。即ち、シリコンウェハ１２を支持板１１に
載置して吸引力を作用させた場合に、カンチレバー１３
に何ら不具合を与えることのない適宜位置に吸引孔１７
が形成されるのである。図示実施例においては、固定さ
れるシリコンウェハ１２には複数のカンチレバー１３が
縦横に一定ピッチで形成されているが、この場合、支持
板の吸引孔１７は、４つのカンチレバー１３により囲ま
れた四角形部分の中央の非加工部分に対向する位置ごと
に形成されるのが好ましい。
【００１７】尚、カンチレバー１３は５０％水酸化カリ
ウム（８０℃）用いて異方性エッチングにより形成し、
支持板１１がシリコンウェハから成る場合、吸引孔１７
も同様な異方性エッチングにより形成するのが良い。カ
ンチレバー１３を異方性エッチングにより形成する場
合、（１１０）シリコンウェハを使用すると実際には図
１に示すような長方形とはならず、図３に示すような平
行四辺形となり、支持板１１の吸引孔１７の位置も図３
及び図４の位置となる。この吸引孔１７の位置は、シリ
コンウェハ１２のパターン設計時に同時に設定するのが
好適である。
ウム（８０℃）用いて異方性エッチングにより形成し、
支持板１１がシリコンウェハから成る場合、吸引孔１７
も同様な異方性エッチングにより形成するのが良い。カ
ンチレバー１３を異方性エッチングにより形成する場
合、（１１０）シリコンウェハを使用すると実際には図
１に示すような長方形とはならず、図３に示すような平
行四辺形となり、支持板１１の吸引孔１７の位置も図３
及び図４の位置となる。この吸引孔１７の位置は、シリ
コンウェハ１２のパターン設計時に同時に設定するのが
好適である。
【００１８】このような構成において、カンチレバー１
３が形成されたシリコンウェハ１２を固定する場合、ま
ず支持板１１を吸引ステージ１０の凹部１４の段差面１
４ｃ上に載置した後、シリコンウェハ１２をこの支持板
１１上に載置する。支持板１１の上面は吸引ステージ１
０の上面から若干下がった位置にあり、かつ、凹部１４
の上部部分１４ｂの径はシリコンウェハ１２の径と実質
的に同一であるので、シリコンウェハ１２を支持板１１
上に置くことで、水平方向の位置決めが完了する。次い
で、シリコンウェハ１２を支持板１１に対して回転さ
せ、シリコンウェハ１２の非加工部分を支持板１１の吸
引孔１７の直上に配置する。この後、吸引ポンプ１６を
駆動し、真空室である凹部１４の下部部分１４ｃ内の空
気を抜くと、支持板１１の吸引孔１７にシリコンウェハ
１２が吸着される。同時に、支持板１１の吸引孔１７が
シリコンウェハ１２により閉じられるので、支持板１１
が凹部１４の段差面１４ｃに吸着され、シリコンウェハ
１２が支持板１１と共に吸引ステージ１０に固定され
る。
３が形成されたシリコンウェハ１２を固定する場合、ま
ず支持板１１を吸引ステージ１０の凹部１４の段差面１
４ｃ上に載置した後、シリコンウェハ１２をこの支持板
１１上に載置する。支持板１１の上面は吸引ステージ１
０の上面から若干下がった位置にあり、かつ、凹部１４
の上部部分１４ｂの径はシリコンウェハ１２の径と実質
的に同一であるので、シリコンウェハ１２を支持板１１
上に置くことで、水平方向の位置決めが完了する。次い
で、シリコンウェハ１２を支持板１１に対して回転さ
せ、シリコンウェハ１２の非加工部分を支持板１１の吸
引孔１７の直上に配置する。この後、吸引ポンプ１６を
駆動し、真空室である凹部１４の下部部分１４ｃ内の空
気を抜くと、支持板１１の吸引孔１７にシリコンウェハ
１２が吸着される。同時に、支持板１１の吸引孔１７が
シリコンウェハ１２により閉じられるので、支持板１１
が凹部１４の段差面１４ｃに吸着され、シリコンウェハ
１２が支持板１１と共に吸引ステージ１０に固定され
る。
【００１９】シリコンウェハ１２が固定された後、フォ
トリソグラフィや検査評価等の種々のプロセスを実行す
ることができる。例えば、支持板１１がシリコンウェハ
から形成されている場合、その熱伝導性が優れている点
を利用して、支持板１１をヒータとして用い、固定され
たシリコンウェハ１２の表面にソーダガラスを陽極接合
させる等のプロセスを行うことができる。
トリソグラフィや検査評価等の種々のプロセスを実行す
ることができる。例えば、支持板１１がシリコンウェハ
から形成されている場合、その熱伝導性が優れている点
を利用して、支持板１１をヒータとして用い、固定され
たシリコンウェハ１２の表面にソーダガラスを陽極接合
させる等のプロセスを行うことができる。
【００２０】上記実施例では、固定されるシリコンウェ
ハ１２は完全な円形であるものとして示した。しかし、
一般的なシリコンウェハの場合、オリエンテーションフ
ラットが形成されているので、それに対応して支持板１
１にオリエンテーションフラットを形成すれば、両者の
位置合わせが容易となる。支持板１１がシリコンウェハ
から成る場合は、当初からオリエンテーションフラット
を有するので、それを利用するのが好ましい。
ハ１２は完全な円形であるものとして示した。しかし、
一般的なシリコンウェハの場合、オリエンテーションフ
ラットが形成されているので、それに対応して支持板１
１にオリエンテーションフラットを形成すれば、両者の
位置合わせが容易となる。支持板１１がシリコンウェハ
から成る場合は、当初からオリエンテーションフラット
を有するので、それを利用するのが好ましい。
【００２１】また、上記実施例では、カンチレバー１３
が形成されたシリコンウェハ１２を固定することとして
いるが、本発明によるウェハ固定装置は、他のマイクロ
マシンを有するシリコンウェハや、半導体集積回路が形
成された半導体ウェハに対しても適用可能である。
が形成されたシリコンウェハ１２を固定することとして
いるが、本発明によるウェハ固定装置は、他のマイクロ
マシンを有するシリコンウェハや、半導体集積回路が形
成された半導体ウェハに対しても適用可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるウェ
ハ固定装置においては、支持板が交換可能となっている
ため、マイクロマシンや集積回路等の加工部分に応じて
形成された支持板を使用することができる。従来では吸
引孔の位置によってマイクロマシン等の位置、数量が制
限されたが、本発明によれば、半導体ウェハの所望の位
置にマイクロマシン等を加工することができ、製造効率
が向上する。
ハ固定装置においては、支持板が交換可能となっている
ため、マイクロマシンや集積回路等の加工部分に応じて
形成された支持板を使用することができる。従来では吸
引孔の位置によってマイクロマシン等の位置、数量が制
限されたが、本発明によれば、半導体ウェハの所望の位
置にマイクロマシン等を加工することができ、製造効率
が向上する。
【００２３】また、支持板にシリコンウェハを使用した
場合には、次に示すような種々の効果が得られる。
場合には、次に示すような種々の効果が得られる。
【００２４】即ち、複数枚の支持板を異方性エッチング
でバッチ処理することにより、固定される半導体ウェハ
に対して最適な位置に吸引孔を容易に形成することがで
きる。
でバッチ処理することにより、固定される半導体ウェハ
に対して最適な位置に吸引孔を容易に形成することがで
きる。
【００２５】また、表面が平坦な鏡面となるので、半導
体ウェハとの密着性に優れ、半導体ウェハを支持板の上
に置くときに半導体ウェハの裏面を観察できる。
体ウェハとの密着性に優れ、半導体ウェハを支持板の上
に置くときに半導体ウェハの裏面を観察できる。
【００２６】更に、シリコンは熱伝導性にすぐれている
ため、支持板をヒータとして利用でき、固定された半導
体ウェハに対して種々の熱的加工を行うことが可能とな
る。
ため、支持板をヒータとして利用でき、固定された半導
体ウェハに対して種々の熱的加工を行うことが可能とな
る。
【００２７】また、支持板がシリコンウェハの場合、洗
浄やエッチング等によるクリーニングを容易に行うこと
もできる。
浄やエッチング等によるクリーニングを容易に行うこと
もできる。
【図１】本発明によるウェハ固定装置の一実施例を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿っての断面図である。
【図３】シリコンウェハに形成されたカンチレバーと支
持板の吸引孔との位置関係を詳細に示す平面図である。
持板の吸引孔との位置関係を詳細に示す平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿っての断面図である。
【図５】従来一般のウェハ固定装置の平面図である。
【図６】図５に示すウェハ固定装置の断面図である。
１０…吸引ステージ、１１…支持板、１２…シリコンウ
ェハ、１３…カンチレバー、１４…凹部、１４ａ…下部
部分（真空室）、１４ｂ…上部部分、１４ｃ…段差面、
１５…通路、１６…吸引ポンプ、１７…吸引孔。
ェハ、１３…カンチレバー、１４…凹部、１４ａ…下部
部分（真空室）、１４ｂ…上部部分、１４ｃ…段差面、
１５…通路、１６…吸引ポンプ、１７…吸引孔。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハを固定するための真空吸着
式のウェハ固定装置において、真空室を有する吸引ステ
ージと、前記吸引ステージに脱着可能に取り付けられ、
かつ、前記真空室と連通する複数の吸引孔を有する支持
板と、前記真空室内の空気を抜くための吸引ポンプとを
備え、半導体ウェハを前記支持板上に載置した場合に該
半導体ウェハの非加工部分の直下となる位置に前記吸引
孔を形成したことを特徴とするウェハ固定装置。 - 【請求項２】 前記支持板はシリコンウェハから形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載のウェハ固定装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4288950A JPH07110455B2 (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ウェハ固定装置 |
| US08/130,445 US5417408A (en) | 1992-10-27 | 1993-10-01 | Wafer holding apparatus for holding a wafer |
| DE69322835T DE69322835T2 (de) | 1992-10-27 | 1993-10-05 | Einrichtung zur Halterung eines Halbleiterplättchens |
| EP93116036A EP0595071B1 (en) | 1992-10-27 | 1993-10-05 | Wafer holding apparatus for holding a wafer |
| CA002109240A CA2109240C (en) | 1992-10-27 | 1993-10-26 | Wafer holding apparatus for holding a wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4288950A JPH07110455B2 (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ウェハ固定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06143074A JPH06143074A (ja) | 1994-05-24 |
| JPH07110455B2 true JPH07110455B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=17736910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4288950A Expired - Lifetime JPH07110455B2 (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ウェハ固定装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5417408A (ja) |
| EP (1) | EP0595071B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07110455B2 (ja) |
| CA (1) | CA2109240C (ja) |
| DE (1) | DE69322835T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016084767A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2017-09-28 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体用円形支持基板 |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3208000B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2001-09-10 | キヤノン株式会社 | 基板保持システム |
| US6126520A (en) * | 1996-10-07 | 2000-10-03 | Raytheon Company | Fixture and methodology for coupling an optical component to a machine |
| US5964646A (en) * | 1997-11-17 | 1999-10-12 | Strasbaugh | Grinding process and apparatus for planarizing sawed wafers |
| US5927589A (en) * | 1997-11-25 | 1999-07-27 | Lucent Technologies Inc. | Method and fixture for use in bonding a chip to a substrate |
| US6383890B2 (en) | 1997-12-26 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck |
| US6080050A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US5993302A (en) * | 1997-12-31 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US6202292B1 (en) * | 1998-08-26 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for removing carrier film from a semiconductor die |
| US6058676A (en) * | 1998-10-07 | 2000-05-09 | Lucent Technologies Inc. | Lid guide for electronic devices |
| US6173948B1 (en) * | 1999-01-20 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Dimensional compensating vacuum fixture |
| US6196532B1 (en) | 1999-08-27 | 2001-03-06 | Applied Materials, Inc. | 3 point vacuum chuck with non-resilient support members |
| FR2802340B1 (fr) * | 1999-12-13 | 2003-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Structure comportant des cellules photovoltaiques et procede de realisation |
| US6524881B1 (en) * | 2000-08-25 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for marking a bare semiconductor die |
| US6842248B1 (en) * | 2000-11-28 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | System and method for calibrating mirrors of a stage assembly |
| TW527674B (en) * | 2000-12-06 | 2003-04-11 | Esec Trading Sa | Die bonder and/or wire bonder with a device for holding down a substrate |
| US6628503B2 (en) | 2001-03-13 | 2003-09-30 | Nikon Corporation | Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications |
| JP2002351082A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Adtec Engineeng Co Ltd | 露光装置用基板ステージ |
| US7169685B2 (en) | 2002-02-25 | 2007-01-30 | Micron Technology, Inc. | Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive |
| AU2003249296A1 (en) | 2002-07-19 | 2004-02-09 | Baxter Healthcare S.A. | Systems and methods for performing peritoneal dialysis |
| DE10235482B3 (de) * | 2002-08-02 | 2004-01-22 | Süss Microtec Lithography Gmbh | Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate |
| US8144309B2 (en) * | 2007-09-05 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| KR101196564B1 (ko) | 2008-04-11 | 2012-11-01 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 균열 장치 |
| SI2294225T1 (sl) | 2008-06-30 | 2015-04-30 | Life Technologies Corporation | Postopek za neposredno amplifikacijo iz vzorcev surove nukleinske kisline |
| US8057679B2 (en) | 2008-07-09 | 2011-11-15 | Baxter International Inc. | Dialysis system having trending and alert generation |
| US8230564B1 (en) | 2010-01-29 | 2012-07-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of making a millimeter wave transmission line filter |
| US10668709B2 (en) * | 2014-08-12 | 2020-06-02 | Carbon, Inc. | Three-dimensional printing using carriers with release mechanisms |
| CN107810536B (zh) | 2015-06-25 | 2023-01-24 | 甘布罗伦迪亚股份公司 | 具有分布式数据库的医疗装置系统和方法 |
| EP3559951B1 (en) | 2016-12-21 | 2022-01-12 | Gambro Lundia AB | Medical device system including information technology infrastructure having secure cluster domain supporting external domain |
| JP6970554B2 (ja) * | 2017-08-21 | 2021-11-24 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP7024162B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2022-02-24 | Smc株式会社 | 真空パッド |
| CN109866130B (zh) * | 2019-03-04 | 2021-01-26 | 温州品力智能幕墙门窗有限公司 | 一种建筑木板快速固定装置及其使用方法 |
| KR102185493B1 (ko) * | 2019-03-29 | 2020-12-02 | 오스템임플란트 주식회사 | 흡착식 치아 모델 고정 장치 및 방법 |
| CN111085954A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-05-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 基板吸附装置 |
| CN112454212B (zh) * | 2020-11-25 | 2022-06-24 | 常州盾嘉精密机械有限公司 | 一种齿轮室盖工装 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1405453A (en) * | 1972-01-22 | 1975-09-10 | Lucas Electrical Co Ltd | Alignment and holding device and method |
| US4093201A (en) * | 1973-05-07 | 1978-06-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Disc support structure |
| GB1526933A (en) * | 1974-09-13 | 1978-10-04 | Johnson Matthey Co Ltd | Vacuum head for handling transfers |
| JPS58168253A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハの回転保持具 |
| GB8815553D0 (en) * | 1988-06-30 | 1988-08-03 | Mpl Precision Ltd | Vacuum chuck |
| US4981345A (en) * | 1990-05-15 | 1991-01-01 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Sample holder support for microscopes |
-
1992
- 1992-10-27 JP JP4288950A patent/JPH07110455B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-01 US US08/130,445 patent/US5417408A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-05 EP EP93116036A patent/EP0595071B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-05 DE DE69322835T patent/DE69322835T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-26 CA CA002109240A patent/CA2109240C/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016084767A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2017-09-28 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体用円形支持基板 |
| US10163674B2 (en) | 2014-11-27 | 2018-12-25 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Circular support substrate for semiconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0595071B1 (en) | 1998-12-30 |
| DE69322835D1 (de) | 1999-02-11 |
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| CA2109240C (en) | 1997-11-18 |
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| US5417408A (en) | 1995-05-23 |
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