JP2873598B2 - 半導体ウエハ用真空チャック - Google Patents
半導体ウエハ用真空チャックInfo
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- JP2873598B2 JP2873598B2 JP2023986A JP2398690A JP2873598B2 JP 2873598 B2 JP2873598 B2 JP 2873598B2 JP 2023986 A JP2023986 A JP 2023986A JP 2398690 A JP2398690 A JP 2398690A JP 2873598 B2 JP2873598 B2 JP 2873598B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、シリコンウエハ等の半導体ウエハの平坦度
測定、ラッピング又は研削加工等のため、半導体ウエハ
を真空吸着する半導体ウエハ用真空チャックに関する。
測定、ラッピング又は研削加工等のため、半導体ウエハ
を真空吸着する半導体ウエハ用真空チャックに関する。
［従来の技術］ 従来、この種の半導体ウエハ用真空チャックは、被吸
着物である半導体ウエハの吸着面との間に介在するダス
トによる密着不良等を防止するため、例えば第４図に示
すように、底部に吸引孔11を開設した複数の吸着溝12
を、チャック本体13の吸着面14に同心状に設け、かつこ
れらの吸着溝12の周辺を残して吸着面14に同心状の凹部
15を設けて構成したり（実開昭60−192445号公報参照、
又は第５図に示すように、上記構成のものにおいて、凹
部15の底部に大気と連通するリーク孔16を設けて構成さ
れている（実開昭62−23447号公報参照）。
着物である半導体ウエハの吸着面との間に介在するダス
トによる密着不良等を防止するため、例えば第４図に示
すように、底部に吸引孔11を開設した複数の吸着溝12
を、チャック本体13の吸着面14に同心状に設け、かつこ
れらの吸着溝12の周辺を残して吸着面14に同心状の凹部
15を設けて構成したり（実開昭60−192445号公報参照、
又は第５図に示すように、上記構成のものにおいて、凹
部15の底部に大気と連通するリーク孔16を設けて構成さ
れている（実開昭62−23447号公報参照）。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来の各半導体ウエハ用真空チャ
ックにおいては、凹部15が設けられているので、ダスト
の影響を排除し得るものの、第４図に示すものの場合
は、凹部15内も吸着溝12を介して真空吸引されるため、
同図に示すように、半導体ウエハＷが凹部15内に突出す
るように湾曲して変形する問題があり、又、第５図に示
すものの場合は、凹部15内が大気と連通して吸着溝12内
より圧力が大きくなるため、同図に示すように、半導体
ウエハＷの凹部15の対応する部分が外方へ突出するよう
に湾曲して変形する問題がある。
ックにおいては、凹部15が設けられているので、ダスト
の影響を排除し得るものの、第４図に示すものの場合
は、凹部15内も吸着溝12を介して真空吸引されるため、
同図に示すように、半導体ウエハＷが凹部15内に突出す
るように湾曲して変形する問題があり、又、第５図に示
すものの場合は、凹部15内が大気と連通して吸着溝12内
より圧力が大きくなるため、同図に示すように、半導体
ウエハＷの凹部15の対応する部分が外方へ突出するよう
に湾曲して変形する問題がある。
そこで、本発明は、ダストの影響を排除しつつ、半導
体ウエハの変形を防止してチャッキングし得る半導体ウ
エハ用真空チャックの提供を目的とする。
体ウエハの変形を防止してチャッキングし得る半導体ウ
エハ用真空チャックの提供を目的とする。
［課題を解決するための手段］ 前記課題を解決するため、本発明の半導体ウエハ用真
空チャックは、底部に吸引孔を開設した複数の吸着溝を
吸着面に同心状に設けてなる半導体ウエハ用真空チャッ
クにおいて、前記隣り合う吸着溝間の吸着面に、この吸
着溝と同じ溝幅の複数のダスト溝を同心状に設けたもの
である。
空チャックは、底部に吸引孔を開設した複数の吸着溝を
吸着面に同心状に設けてなる半導体ウエハ用真空チャッ
クにおいて、前記隣り合う吸着溝間の吸着面に、この吸
着溝と同じ溝幅の複数のダスト溝を同心状に設けたもの
である。
［作用］ 上記手段においては、吸着面と半導体ウエハとの間に
介在するダストが、真空吸引の際の吸着溝に向う移動に
伴ってダスト溝に捕捉されると共に、半導体ウエハが、
隣り合うダスト溝間又はダスト溝と吸引溝との間の吸着
面によって支持される。
介在するダストが、真空吸引の際の吸着溝に向う移動に
伴ってダスト溝に捕捉されると共に、半導体ウエハが、
隣り合うダスト溝間又はダスト溝と吸引溝との間の吸着
面によって支持される。
ダスト溝の溝幅が、吸着溝の溝幅より小さくなるとダ
ストの捕捉効率が低下し、吸着溝の溝幅より大きくなる
と半導体ウエハの変形を生ずる。
ストの捕捉効率が低下し、吸着溝の溝幅より大きくなる
と半導体ウエハの変形を生ずる。
［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面と共に説明する。
第１図、第２図は本発明に係る半導体ウエハ用真空チ
ャックの平面図、断面図である。
ャックの平面図、断面図である。
図中１は金属又はセラミックス等からなる円板状のチ
ャック本体で、その吸着面２には、２条の吸着溝３が中
心部及び外周部に位置して同心円状に設けられている。
各吸着溝３の底部には、チャック本体１の内部に設けた
連通室４を介して互いに連通された複数の吸引孔５が、
周方向へ等間隔で離隔して開設されており、連通室４
は、チャック本体の裏面に設けた真空吸引口６を介して
図示しない真空ポンプとを接続自在に設けられている。
ャック本体で、その吸着面２には、２条の吸着溝３が中
心部及び外周部に位置して同心円状に設けられている。
各吸着溝３の底部には、チャック本体１の内部に設けた
連通室４を介して互いに連通された複数の吸引孔５が、
周方向へ等間隔で離隔して開設されており、連通室４
は、チャック本体の裏面に設けた真空吸引口６を介して
図示しない真空ポンプとを接続自在に設けられている。
そして、両吸着溝３間には、この吸着溝３と同じ溝幅
と深さを有する複数（図においては２条）のダスト溝７
が適宜間隔を存して同心円状に設けられている。
と深さを有する複数（図においては２条）のダスト溝７
が適宜間隔を存して同心円状に設けられている。
上記構成の半導体ウエハ用真空チャックにおいて、半
導体ウエハＷの真空吸着に際し、真空ポンプを作動して
真空吸引口６、連通室４及び吸引口５を介して吸着溝３
内を真空吸引すると、吸着面２と半導体ウエハＷとの間
に介在するダストＤは、第３図に詳記するように、この
吸着溝３方向への移動に伴ってそれぞれのダスト溝７内
に捕捉され、又、半導体ウエハＷは、隣り合うダスト溝
７間又はダスト溝７と吸着溝３との間等に存在する吸着
面によって支持される。
導体ウエハＷの真空吸着に際し、真空ポンプを作動して
真空吸引口６、連通室４及び吸引口５を介して吸着溝３
内を真空吸引すると、吸着面２と半導体ウエハＷとの間
に介在するダストＤは、第３図に詳記するように、この
吸着溝３方向への移動に伴ってそれぞれのダスト溝７内
に捕捉され、又、半導体ウエハＷは、隣り合うダスト溝
７間又はダスト溝７と吸着溝３との間等に存在する吸着
面によって支持される。
従って、吸着面２と半導体ウエハＷとの間にダストＤ
を介在させることなく、かつ半導体ウエハＷを変形させ
ることなくチャッキングできる。
を介在させることなく、かつ半導体ウエハＷを変形させ
ることなくチャッキングできる。
なお、上記実施例においては。吸着溝３を２条とした
場合について述べたが、これに限定されるものではな
く、例えば半導体ウエハＷが大口径となった場合には、
吸着溝３を３条以上とし、隣り合う吸着溝３間の吸着面
２に、この吸着溝３と同じ溝幅の２条又は３条以上のダ
スト溝７と同心円状に設けてもよい。
場合について述べたが、これに限定されるものではな
く、例えば半導体ウエハＷが大口径となった場合には、
吸着溝３を３条以上とし、隣り合う吸着溝３間の吸着面
２に、この吸着溝３と同じ溝幅の２条又は３条以上のダ
スト溝７と同心円状に設けてもよい。
又、吸着溝３及びダスト溝７は、円形のものに限ら
ず、円弧を円形状に連ねたものとしてもよい。
ず、円弧を円形状に連ねたものとしてもよい。
［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、吸着面と半導体ウエハ
との間に介在するダストが、真空吸引の際の吸着溝に向
う移動に伴ってダスト溝が捕捉されると共に、半導体ウ
エハが、隣り合うダスト溝間又はダスト溝と吸引溝との
間等の吸着面によって支持されるので、吸着面と半導体
ウエハとの間にダストを介在させることなく、半導体ウ
エハの変形を防止してチャッキングすることができる。
との間に介在するダストが、真空吸引の際の吸着溝に向
う移動に伴ってダスト溝が捕捉されると共に、半導体ウ
エハが、隣り合うダスト溝間又はダスト溝と吸引溝との
間等の吸着面によって支持されるので、吸着面と半導体
ウエハとの間にダストを介在させることなく、半導体ウ
エハの変形を防止してチャッキングすることができる。
第１図、第２図は本発明の一実施例を示す半導体ウエハ
用真空チャックの平面図、断面図で、第３図はその作用
を示す断面図、第４図及び第５図はそれぞれ従来の半導
体ウエハ用真空チャックの作用を示す断面図である。 １……チャック本体、２……吸着面 ３……吸着溝、５……吸引孔 ７……ダスト溝、Ｗ……半導体ウエハ Ｄ……ダスト
用真空チャックの平面図、断面図で、第３図はその作用
を示す断面図、第４図及び第５図はそれぞれ従来の半導
体ウエハ用真空チャックの作用を示す断面図である。 １……チャック本体、２……吸着面 ３……吸着溝、５……吸引孔 ７……ダスト溝、Ｗ……半導体ウエハ Ｄ……ダスト
Claims (1)
- 【請求項１】底部に吸引孔を開設した複数の吸着溝を吸
着面に同心状に設けてなる半導体ウエハ用真空チャック
において、前記隣り合う吸着溝間の吸着面に、この吸着
溝と同じ溝幅の複数のダスト溝を同心状に設けたことを
特徴とする半導体ウエハ用真空チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023986A JP2873598B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 半導体ウエハ用真空チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023986A JP2873598B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 半導体ウエハ用真空チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228348A JPH03228348A (ja) | 1991-10-09 |
| JP2873598B2 true JP2873598B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=12125901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023986A Expired - Fee Related JP2873598B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 半導体ウエハ用真空チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873598B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19530858C1 (de) * | 1995-08-22 | 1997-01-23 | Siemens Ag | Ansaugplatte für Wafer |
| US7355420B2 (en) | 2001-08-21 | 2008-04-08 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
| JP2006245079A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Yaskawa Electric Corp | アライナー装置 |
| US8410806B2 (en) | 2008-11-21 | 2013-04-02 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
| US8023247B2 (en) * | 2008-12-10 | 2011-09-20 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic chuck with compliant coat |
| JP6156680B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-07-05 | 株式会社村田製作所 | 基板厚測定装置 |
| CN104637854B (zh) * | 2013-11-13 | 2018-12-07 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 一种用于吸附硅片的吸盘 |
| JP6308081B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2018-04-11 | 株式会社デンソー | ウェハプローバ装置 |
| CN115533776A (zh) * | 2021-06-30 | 2022-12-30 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 固定装置及使用方法 |
| CN115547913A (zh) * | 2022-09-19 | 2022-12-30 | 嘉兴市耐思威精密机械有限公司 | 一种光伏电池片用多片式吸盘组的吸盘结构 |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2023986A patent/JP2873598B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03228348A (ja) | 1991-10-09 |
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