JPH06132387A - 真空吸着ステージ - Google Patents
真空吸着ステージInfo
- Publication number
- JPH06132387A JPH06132387A JP30597092A JP30597092A JPH06132387A JP H06132387 A JPH06132387 A JP H06132387A JP 30597092 A JP30597092 A JP 30597092A JP 30597092 A JP30597092 A JP 30597092A JP H06132387 A JPH06132387 A JP H06132387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- suction stage
- outer diameter
- vacuum suction
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハをチャックさせたとき、ウエハの外周
寄り部分が殆ど反り上がらない真空吸着ステージを提供
する。 【構成】 半導体ウエハまたはガラス基板などを真空吸
着するための石英製の吸着ステージにおいて、ステージ
の外周縁に所定の高さの連続した垂直壁が立設されてお
り、この垂直壁に囲まれたステージの上面に、外径の小
さな複数個の垂直な突起を外径の大きな複数個の垂直な
突起が取り囲むように設け、前記垂直壁、小外径突起お
よび大外径突起を全て同一の高さとする。
寄り部分が殆ど反り上がらない真空吸着ステージを提供
する。 【構成】 半導体ウエハまたはガラス基板などを真空吸
着するための石英製の吸着ステージにおいて、ステージ
の外周縁に所定の高さの連続した垂直壁が立設されてお
り、この垂直壁に囲まれたステージの上面に、外径の小
さな複数個の垂直な突起を外径の大きな複数個の垂直な
突起が取り囲むように設け、前記垂直壁、小外径突起お
よび大外径突起を全て同一の高さとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハまたはガラ
ス基板などの真空吸着ステージに関する。更に詳細に
は、本発明はステージ上にウエハまたは基板を吸着して
もウエハ周縁が反り上がらないような真空吸着ステージ
に関する。
ス基板などの真空吸着ステージに関する。更に詳細に
は、本発明はステージ上にウエハまたは基板を吸着して
もウエハ周縁が反り上がらないような真空吸着ステージ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハまたはガラス基板などの表
面欠陥の有無を光学的に検査する際、ウエハまたはガラ
ス基板を回転可能に保持するために、真空吸引式の吸着
ステージが使用されている。
面欠陥の有無を光学的に検査する際、ウエハまたはガラ
ス基板を回転可能に保持するために、真空吸引式の吸着
ステージが使用されている。
【０００３】この吸着ステージは例えば、石英などのよ
うな硬質の絶縁体から構成されている。この目的に使用
されるステージは極めて厳しい平面度が要求される。一
般的に、製作方法として、ラッピング加工により石英の
表面研磨を行う。ラッピングはラップ(lap) と称する工
具と工作物との間に遊離研摩材を介在させ、ラップと工
作物との相対運動によって工作物を加工する方法であ
り、比較的簡単な設備または機械によって、極めて精度
の高い加工を行うことができる。
うな硬質の絶縁体から構成されている。この目的に使用
されるステージは極めて厳しい平面度が要求される。一
般的に、製作方法として、ラッピング加工により石英の
表面研磨を行う。ラッピングはラップ(lap) と称する工
具と工作物との間に遊離研摩材を介在させ、ラップと工
作物との相対運動によって工作物を加工する方法であ
り、比較的簡単な設備または機械によって、極めて精度
の高い加工を行うことができる。
【０００４】従来の石英製吸着ステージ３０の平面図を
図７に示す。図示されているように、吸着面は小形の円
柱状突起３２で形成されており、突起の外径および突起
間の間隔は全て同一であった。このような吸着ステージ
の表面をラッピング加工すると、ステージの内周寄り部
分に比べて外周寄り部分のほうが研磨レートが大きくな
るため、同じ大きさの物を加工すると、外周寄りのほう
が削り量が多くなり、均一な平面加工が極めて困難であ
った。外周寄り部分は最外周部と比べると接触面積が急
激に小さくなるため、面圧を大きく受け、研磨レートが
増大する。このため、このように加工された吸着ステー
ジにウエハ１５をチャックさせると、図８に示されるよ
うにウエハの外周寄り部分が反り上がってしまう。その
結果、ウエハ表面の欠陥または異物検査などに多大な支
障を来していた。
図７に示す。図示されているように、吸着面は小形の円
柱状突起３２で形成されており、突起の外径および突起
間の間隔は全て同一であった。このような吸着ステージ
の表面をラッピング加工すると、ステージの内周寄り部
分に比べて外周寄り部分のほうが研磨レートが大きくな
るため、同じ大きさの物を加工すると、外周寄りのほう
が削り量が多くなり、均一な平面加工が極めて困難であ
った。外周寄り部分は最外周部と比べると接触面積が急
激に小さくなるため、面圧を大きく受け、研磨レートが
増大する。このため、このように加工された吸着ステー
ジにウエハ１５をチャックさせると、図８に示されるよ
うにウエハの外周寄り部分が反り上がってしまう。その
結果、ウエハ表面の欠陥または異物検査などに多大な支
障を来していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ウエハをチャックさせたとき、ウエハの外周寄り部
分が殆ど反り上がらない吸着ステージを提供することで
ある。
は、ウエハをチャックさせたとき、ウエハの外周寄り部
分が殆ど反り上がらない吸着ステージを提供することで
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的は、外径の小さ
な複数個の突起を外径の大きな複数個の突起が取り囲む
ように設けることにより実現できる。
な複数個の突起を外径の大きな複数個の突起が取り囲む
ように設けることにより実現できる。
【０００７】
【作用】ステージの外周付近の突起の形状を大きくする
と、内側の小さな突起との研磨レートが大体等しくな
り、均一な平面加工が可能となる。その結果、このステ
ージにウエハをチャックさせると、ウエハの外周寄り部
分は殆ど反り上がらないので、ウエハ表面の光学的検査
を正確に実施することができる。
と、内側の小さな突起との研磨レートが大体等しくな
り、均一な平面加工が可能となる。その結果、このステ
ージにウエハをチャックさせると、ウエハの外周寄り部
分は殆ど反り上がらないので、ウエハ表面の光学的検査
を正確に実施することができる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明について更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
【０００９】図１は本発明の吸着ステージの一例の部分
平面図である。図２は図１におけるII-II 線に沿った断
面図である。図示されているように、吸着ステージ１の
上面にはステージの内側に小さな外径の複数個の突起３
が立設されており、この突起群を取り囲むように、ステ
ージの外周寄りに外径の大きな複数個の突起５が立設さ
れている。突起３の外径と突起５の外径の比率自体は特
に限定されない。研磨条件に応じて適宜決定することが
できる。一例として、小突起の外径を１とすると、大突
起の外径は４程度に設定することができる。これ以外の
比率も当然使用できる。小突起および大突起ともその高
さはステージの最外周の立設壁７の高さと同一でなけれ
ばならない。これらの高さ自体も特に限定されない。一
例として、高さは０．２ｍｍとすることができる。
平面図である。図２は図１におけるII-II 線に沿った断
面図である。図示されているように、吸着ステージ１の
上面にはステージの内側に小さな外径の複数個の突起３
が立設されており、この突起群を取り囲むように、ステ
ージの外周寄りに外径の大きな複数個の突起５が立設さ
れている。突起３の外径と突起５の外径の比率自体は特
に限定されない。研磨条件に応じて適宜決定することが
できる。一例として、小突起の外径を１とすると、大突
起の外径は４程度に設定することができる。これ以外の
比率も当然使用できる。小突起および大突起ともその高
さはステージの最外周の立設壁７の高さと同一でなけれ
ばならない。これらの高さ自体も特に限定されない。一
例として、高さは０．２ｍｍとすることができる。
【００１０】図３に示されるように、石英製吸着ステー
ジの下面に例えば、セラミック製の支持台９を接続する
ことができる。この支持台の内部には真空吸引路１１が
穿設されており、真空吸引路１１の一部は石英ステージ
の上面に穿設された貫通孔１３に連通している。これに
より、ステージの突起３，５および最外周壁７の上部に
ウエハ１５を載置し、真空吸引路１１の一端を適当な排
気系に接続すると、突起間の空間１７は真空状態にな
り、ウエハがチャックされる。ステージの内周寄り部分
と外周寄り部分は均一に平面加工されているので、ウエ
ハを真空チャックしても、ウエハの外周寄り部分は殆ど
反り上がらない。
ジの下面に例えば、セラミック製の支持台９を接続する
ことができる。この支持台の内部には真空吸引路１１が
穿設されており、真空吸引路１１の一部は石英ステージ
の上面に穿設された貫通孔１３に連通している。これに
より、ステージの突起３，５および最外周壁７の上部に
ウエハ１５を載置し、真空吸引路１１の一端を適当な排
気系に接続すると、突起間の空間１７は真空状態にな
り、ウエハがチャックされる。ステージの内周寄り部分
と外周寄り部分は均一に平面加工されているので、ウエ
ハを真空チャックしても、ウエハの外周寄り部分は殆ど
反り上がらない。
【００１１】図４は本発明の石英製吸着ステージの別の
具体例の平面図である。このステージ２０はウエハハン
ドリングアーム（図示されていない）がウエハ１５の下
面に進入できるような略Ｕ字形の切り欠き部２２がステ
ージ中心から半径方向外方に向かって設けられている。
従って、この吸着ステージは略馬蹄形をしている。図示
されているように、馬蹄形ステージの外周寄り部分に大
外径の突起５の群が形成され、この大外径突起群に取り
囲まれるように、大突起群の環の内側に小外径突起３の
群が設けられている。
具体例の平面図である。このステージ２０はウエハハン
ドリングアーム（図示されていない）がウエハ１５の下
面に進入できるような略Ｕ字形の切り欠き部２２がステ
ージ中心から半径方向外方に向かって設けられている。
従って、この吸着ステージは略馬蹄形をしている。図示
されているように、馬蹄形ステージの外周寄り部分に大
外径の突起５の群が形成され、この大外径突起群に取り
囲まれるように、大突起群の環の内側に小外径突起３の
群が設けられている。
【００１２】図５は図４におけるＶ−Ｖ線に沿った一部
切り欠き断面図である。石英製吸着ステージ２０の下部
には例えば、セラミック製の支持台９が接続されてい
る。この支持台内部には吸着ステージ２０に連通する真
空吸引路１１が形成されている。
切り欠き断面図である。石英製吸着ステージ２０の下部
には例えば、セラミック製の支持台９が接続されてい
る。この支持台内部には吸着ステージ２０に連通する真
空吸引路１１が形成されている。
【００１３】図６は支持台９に設けられる真空吸引路１
１の形成例を示す一部切り欠き平面図である。吸引路１
１の一端は支持台の外周面に開口２４を有し、この開口
２４を介して適当な真空排気系（図示されていない）に
連結される。吸引路を設けるために穿設された他の開口
は適当な封止材２６により封止されている。吸引路１１
の途中の適当な箇所に、吸着ステージ２０に連通する貫
通孔１３が穿設されている。貫通孔１３の数は特に限定
されない。また、吸引路の配設態様も図示された具体例
に限定されない。
１の形成例を示す一部切り欠き平面図である。吸引路１
１の一端は支持台の外周面に開口２４を有し、この開口
２４を介して適当な真空排気系（図示されていない）に
連結される。吸引路を設けるために穿設された他の開口
は適当な封止材２６により封止されている。吸引路１１
の途中の適当な箇所に、吸着ステージ２０に連通する貫
通孔１３が穿設されている。貫通孔１３の数は特に限定
されない。また、吸引路の配設態様も図示された具体例
に限定されない。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、真
空吸着ステージの外周付近の突起の形状を大きくする
と、内側の小さな突起との研磨レートが大体等しくな
り、均一な平面加工が可能となる。その結果、この真空
吸着ステージにウエハをチャックさせると、ウエハの外
周寄り部分は殆ど反り上がらないので、ウエハ表面の光
学的検査を正確に実施することができる。
空吸着ステージの外周付近の突起の形状を大きくする
と、内側の小さな突起との研磨レートが大体等しくな
り、均一な平面加工が可能となる。その結果、この真空
吸着ステージにウエハをチャックさせると、ウエハの外
周寄り部分は殆ど反り上がらないので、ウエハ表面の光
学的検査を正確に実施することができる。
【図１】図１は本発明の吸着ステージの一例の部分平面
図である。
図である。
【図２】図２は図１におけるII-II 線に沿った断面図で
ある。
ある。
【図３】石英製吸着ステージにセラミック製支持台を接
続し、吸着ステージ上面にウエハを真空チャックさせた
状態を示し模式的部分断面図である。
続し、吸着ステージ上面にウエハを真空チャックさせた
状態を示し模式的部分断面図である。
【図４】本発明の石英製吸着ステージの別の具体例の平
面図である。
面図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ線に沿った部分切り欠き断
面図である。
面図である。
【図６】支持台の一例の部分切り欠き平面図である。
【図７】従来の真空吸着ステージの一例の部分平面図で
ある。
ある。
【図８】図７の真空吸着ステージにウエハを真空チャッ
クさせた状態を示す模式的断面図である。
クさせた状態を示す模式的断面図である。
１ 本発明の真空吸着ステージ ３ 小外径突起 ５ 大外径突起 ７ 外周垂直壁 ９ 支持台 １１ 真空吸引路 １３ 貫通孔 １７ 空間 ２０ 本発明の別の真空吸着ステージ ２３ 小外径突起 ２５ 大外径突起 ２７ 外周垂直壁 ３０ 従来の真空吸着ステージ ３２ 突起
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ 7377−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウエハまたはガラス基板などを真
空吸着するための石英製の吸着ステージにおいて、ステ
ージの外周縁に所定の高さの連続した垂直壁が立設され
ており、この垂直壁に囲まれたステージの上面に、外径
の小さな複数個の垂直な突起を外径の大きな複数個の垂
直な突起が取り囲むように設け、前記垂直壁、小外径突
起および大外径突起が全て同一の高さを有することを特
徴とする真空吸着ステージ。 - 【請求項２】 前記石英製吸着ステージの下部に支持台
が接続されており、前記支持台は前記ステージの上面に
連通する真空吸引路を有することを特徴とする請求項１
の真空吸着ステージ。 - 【請求項３】 前記石英製吸着ステージは真円形で、円
の中心から外周方向に向かって切り欠かれた略Ｕ字形の
切り欠き部を有し、前記支持台は前記石英製吸着ステー
ジと同じ外径の真円形をしていることを特徴とする請求
項１の真空吸着ステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30597092A JPH06132387A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 真空吸着ステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30597092A JPH06132387A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 真空吸着ステージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132387A true JPH06132387A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17951498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30597092A Pending JPH06132387A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 真空吸着ステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132387A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1291910A1 (en) * | 2000-01-28 | 2003-03-12 | Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd. | Wafer chuck, exposure system, and method of manufacturing semiconductor device |
| US7425238B2 (en) | 2002-10-16 | 2008-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding device |
| JP2010142891A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Linkstar Japan Co Ltd | 基板テーブルおよびそれを用いたレーザ加工装置 |
| JP2013104713A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の欠陥検査装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2015065327A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 太平洋セメント株式会社 | 真空吸着装置 |
| JP2017027974A (ja) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | 三菱電機株式会社 | 吸着プレート、半導体装置の試験装置および半導体装置の試験方法 |
| JP2017519373A (ja) * | 2014-05-16 | 2017-07-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ペデスタルの流体による熱制御 |
| US10747126B2 (en) | 2011-08-17 | 2020-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
1992
- 1992-10-19 JP JP30597092A patent/JPH06132387A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1291910A1 (en) * | 2000-01-28 | 2003-03-12 | Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd. | Wafer chuck, exposure system, and method of manufacturing semiconductor device |
| EP1291910A4 (en) * | 2000-01-28 | 2006-04-05 | Hitachi Tokyo Electronics | WAFER SUPPORT, EXPOSURE SYSTEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE |
| KR100804006B1 (ko) * | 2000-01-28 | 2008-02-18 | 히다치 도쿄 에렉트로닉스 가부시키가이샤 | 웨이퍼 척 |
| US7425238B2 (en) | 2002-10-16 | 2008-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding device |
| JP2010142891A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Linkstar Japan Co Ltd | 基板テーブルおよびそれを用いたレーザ加工装置 |
| US10747126B2 (en) | 2011-08-17 | 2020-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11650511B2 (en) | 2011-08-17 | 2023-05-16 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2013104713A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の欠陥検査装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2015065327A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 太平洋セメント株式会社 | 真空吸着装置 |
| JP2017519373A (ja) * | 2014-05-16 | 2017-07-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ペデスタルの流体による熱制御 |
| JP2017027974A (ja) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | 三菱電機株式会社 | 吸着プレート、半導体装置の試験装置および半導体装置の試験方法 |
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