JPH06326174A - ウェハ真空吸着装置 - Google Patents
ウェハ真空吸着装置Info
- Publication number
- JPH06326174A JPH06326174A JP11021193A JP11021193A JPH06326174A JP H06326174 A JPH06326174 A JP H06326174A JP 11021193 A JP11021193 A JP 11021193A JP 11021193 A JP11021193 A JP 11021193A JP H06326174 A JPH06326174 A JP H06326174A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vacuum
- rim
- orientation flat
- vacuum suction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】同一のウェハ真空吸着装置において、ウェハの
オリフラ部の向きにより、ウェハに不均等な真空吸着力
が作用しないような構造とし、ウェハを高精度（高平面
度）で吸着保持すること。 【構成】ウェハ真空吸着は、セラミック等を母材とする
基板の上に、ウェハ外周リム１とその内側の気密性を維
持するウェハ内周リム２と、ウェハのオリフラ部の形状
と同等の直交する２箇所に設けられたオリフラリム３と
円柱状の突起５とウェハ６を真空吸着するための各々独
立した真空路および真空金具８で構成されている。ま
た、ウェハ外周リム１とオリフラリム３で囲まれたオリ
フラ真空室９と外周真空室１０と、ウェハ内周リム２に
囲まれた内周真空室１１で構成されている。
オリフラ部の向きにより、ウェハに不均等な真空吸着力
が作用しないような構造とし、ウェハを高精度（高平面
度）で吸着保持すること。 【構成】ウェハ真空吸着は、セラミック等を母材とする
基板の上に、ウェハ外周リム１とその内側の気密性を維
持するウェハ内周リム２と、ウェハのオリフラ部の形状
と同等の直交する２箇所に設けられたオリフラリム３と
円柱状の突起５とウェハ６を真空吸着するための各々独
立した真空路および真空金具８で構成されている。ま
た、ウェハ外周リム１とオリフラリム３で囲まれたオリ
フラ真空室９と外周真空室１０と、ウェハ内周リム２に
囲まれた内周真空室１１で構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
に使用される半導体製造装置、特に縮小投影露光装置の
試料保持台に係り、試料の高精度保持として好適な形状
を有するウェハ保持装置に関する。
に使用される半導体製造装置、特に縮小投影露光装置の
試料保持台に係り、試料の高精度保持として好適な形状
を有するウェハ保持装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェハ真空吸着装置は、ウェハを
真空保持するために、その気密性を維持するためのウェ
ハ外形形状と同等で若干小さく、幅の狭い外周リム（土
手）とその内側の気密性を維持する内周リムとウェハを
真空吸着した時にその平面度を維持するための円柱状の
突起と、外周リムと内周リムを独立で真空を引くための
独立した真空路により構成されている。
真空保持するために、その気密性を維持するためのウェ
ハ外形形状と同等で若干小さく、幅の狭い外周リム（土
手）とその内側の気密性を維持する内周リムとウェハを
真空吸着した時にその平面度を維持するための円柱状の
突起と、外周リムと内周リムを独立で真空を引くための
独立した真空路により構成されている。
【０００３】このウェハ真空吸着装置において、リムは
幅０.２mm〜０.５mm、外周リムは、真空保持するウェハ
の１〜２mm内側に配置し、内周リムは、その内側の任意
の位置に配置し、円柱状の突起は外周リムの内側全域に
２〜４mmピッチで無数に配置されている。これらのリム
と円柱状の突起は、セラミックなどの母材の同一平面上
に、サンドブラスト等の加工法を利用して、マスク上の
リムや突起のパターンを転写形成し、その後ラップ加工
により平面度確保を行っている。
幅０.２mm〜０.５mm、外周リムは、真空保持するウェハ
の１〜２mm内側に配置し、内周リムは、その内側の任意
の位置に配置し、円柱状の突起は外周リムの内側全域に
２〜４mmピッチで無数に配置されている。これらのリム
と円柱状の突起は、セラミックなどの母材の同一平面上
に、サンドブラスト等の加工法を利用して、マスク上の
リムや突起のパターンを転写形成し、その後ラップ加工
により平面度確保を行っている。
【０００４】しかし、本ウェハ吸着装置は、ウェハの外
形形状に合わせたリム形状を有しているため、通常ウェ
ハを吸着保持する時は、ウェハ全域を均等な吸着力で保
持することが可能であるが、同一のウェハ真空吸着装置
にウェハを９０度回転して吸着保持するなどの特殊な用
途の場合に、ウェハ外周リムよりオーバハングしたウェ
ハの外周の一部が吸着不可となる。そりによりその外周
リムを中心に、ウェハの曲げモーメントが生じ、フリー
の部分が凸に変形し、ウェハの高平面度保持のさまたげ
となっている。さらに、リムの上面は、突起上面と比較
して面積が大きく、異物が付着しやすいため、異物が付
着した場合のフリーの部分の変形量が大きい、そこで、
あらかじめウェハが用途によってフリーになる部分に独
立のリムを配置し、独立で吸着することを可能にし、ウ
ェハに均等な吸着力が作用する様にすることで、ウェハ
の変形量を最小におさえ、高平面度保持が可能となる。
なお、この種の装置として関連するものは、特願昭62−
221130号等が上げられる。
形形状に合わせたリム形状を有しているため、通常ウェ
ハを吸着保持する時は、ウェハ全域を均等な吸着力で保
持することが可能であるが、同一のウェハ真空吸着装置
にウェハを９０度回転して吸着保持するなどの特殊な用
途の場合に、ウェハ外周リムよりオーバハングしたウェ
ハの外周の一部が吸着不可となる。そりによりその外周
リムを中心に、ウェハの曲げモーメントが生じ、フリー
の部分が凸に変形し、ウェハの高平面度保持のさまたげ
となっている。さらに、リムの上面は、突起上面と比較
して面積が大きく、異物が付着しやすいため、異物が付
着した場合のフリーの部分の変形量が大きい、そこで、
あらかじめウェハが用途によってフリーになる部分に独
立のリムを配置し、独立で吸着することを可能にし、ウ
ェハに均等な吸着力が作用する様にすることで、ウェハ
の変形量を最小におさえ、高平面度保持が可能となる。
なお、この種の装置として関連するものは、特願昭62−
221130号等が上げられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体集積回路
の高精度およびその生産時の生産効率向上に伴い、半導
体製造装置の高精度化が重要となっている。特に、縮小
投影露光装置においては、レンズの高精度化に伴い、そ
の焦点深度（結像可能な深さ）が浅くなり、さらに結像
面積が大きくなり、結像面となるウェハの高平面度保持
が重要な課題となっている。しかし、ウェハ真空吸着装
置に保持されたウェハの結晶方向と、半導体集積回路の
露光パターンの制限により、ウェハに露光されるパター
ン数が、限定され、生産効率の向上が図れない。
の高精度およびその生産時の生産効率向上に伴い、半導
体製造装置の高精度化が重要となっている。特に、縮小
投影露光装置においては、レンズの高精度化に伴い、そ
の焦点深度（結像可能な深さ）が浅くなり、さらに結像
面積が大きくなり、結像面となるウェハの高平面度保持
が重要な課題となっている。しかし、ウェハ真空吸着装
置に保持されたウェハの結晶方向と、半導体集積回路の
露光パターンの制限により、ウェハに露光されるパター
ン数が、限定され、生産効率の向上が図れない。
【０００６】ここで、上記生産効率を向上するために
は、露光パターンによってウェハを回転させウェハ真空
吸着装置に真空保持し露光すれば良い。しかし、ウェハ
は、通常の結晶方向を表すオリフラ部を有し、あらかじ
め、ウェハと同一形状の外周リム（土手）を有するウェ
ハ真空吸着装置では、ウェハを回転して真空吸着した時
オリフラ部より真空がリークし吸着保持が不可能とな
る。また、予測されるオリフラ方向に、あらかじめオリ
フラ部と同形状のリムを構成した場合、ウェハの吸着は
可能であるが、ウェハのオリフラ部以外の外周の一部が
吸着保持不可能となり、その一部分が吸着力による曲げ
モーメントが生じ、吸着力の向きとは逆に変形し、本来
のウェハ真空吸着装置の目的であるウェハを高精度で保
持することが困難となる。この変形量は、特に比較的面
積の大きいリムに異物が付着した時に大きくなる。
は、露光パターンによってウェハを回転させウェハ真空
吸着装置に真空保持し露光すれば良い。しかし、ウェハ
は、通常の結晶方向を表すオリフラ部を有し、あらかじ
め、ウェハと同一形状の外周リム（土手）を有するウェ
ハ真空吸着装置では、ウェハを回転して真空吸着した時
オリフラ部より真空がリークし吸着保持が不可能とな
る。また、予測されるオリフラ方向に、あらかじめオリ
フラ部と同形状のリムを構成した場合、ウェハの吸着は
可能であるが、ウェハのオリフラ部以外の外周の一部が
吸着保持不可能となり、その一部分が吸着力による曲げ
モーメントが生じ、吸着力の向きとは逆に変形し、本来
のウェハ真空吸着装置の目的であるウェハを高精度で保
持することが困難となる。この変形量は、特に比較的面
積の大きいリムに異物が付着した時に大きくなる。
【０００７】本発明の目的は、ウェハを回転して吸着保
持する場合においてもウェハ全域で均等に真空吸着する
構造とすることにあり、ウェハの高精度保持、すなわち
半導体集積回路の露光パターンに対応したウェハの高平
面化保持に寄与する。
持する場合においてもウェハ全域で均等に真空吸着する
構造とすることにあり、ウェハの高精度保持、すなわち
半導体集積回路の露光パターンに対応したウェハの高平
面化保持に寄与する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、ウェハの真空吸着のために設けられた気密性を維持
するためのリム（土手）を通常のオリフラ部の位置とウ
ェハを回転して吸着保持する時のオリフラ部の形状に合
わせて配置し、各々独立の真空路を有し、ウェハのオリ
フラの方向によって、任意に真空吸着するものである。
に、ウェハの真空吸着のために設けられた気密性を維持
するためのリム（土手）を通常のオリフラ部の位置とウ
ェハを回転して吸着保持する時のオリフラ部の形状に合
わせて配置し、各々独立の真空路を有し、ウェハのオリ
フラの方向によって、任意に真空吸着するものである。
【０００９】
【作用】ウェハ真空吸着装置は、ウェハを真空吸着する
ためにその気密性を維持するためのウェハ円周形状と同
等で若干小さい外周リム（土手）、その内側の気密性を
維持する内周リムと、ウェハを真空吸着した時にその平
面度を維持するための円柱状の突起と、真空を引くため
の真空路により構成されている。ここで、外周リムはあ
らかじめウェハのオリフラ部がくる任意の位置数箇所
に、オリフラ部と同形状のリムと接続され、各々独立し
た真空室を構成し、独立した真空路を有する。
ためにその気密性を維持するためのウェハ円周形状と同
等で若干小さい外周リム（土手）、その内側の気密性を
維持する内周リムと、ウェハを真空吸着した時にその平
面度を維持するための円柱状の突起と、真空を引くため
の真空路により構成されている。ここで、外周リムはあ
らかじめウェハのオリフラ部がくる任意の位置数箇所
に、オリフラ部と同形状のリムと接続され、各々独立し
た真空室を構成し、独立した真空路を有する。
【００１０】したがって、ウェハのオリフラ部を任意の
位置に回転して吸着保持の必要性が生じた時、同一のウ
ェハ真空吸着装置でウェハに対して均等な吸着力を得る
ことが可能となり、ウェハを高精度（高平面度）保持す
ることが可能となる。
位置に回転して吸着保持の必要性が生じた時、同一のウ
ェハ真空吸着装置でウェハに対して均等な吸着力を得る
ことが可能となり、ウェハを高精度（高平面度）保持す
ることが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図３により説
明する。
明する。
【００１２】図１，図２において、本発明のウェハ真空
吸着は、セラミック等を母材とする基板４の上に、ウェ
ハ外周リム１とその内側の気密性を維持するウェハ内周
リム２と、ウェハのオリフラ部の形状と同等の直交する
２箇所に設けられたオリフラリム３と円柱状の突起５と
ウェハ６を真空吸着するための各々独立した真空路７お
よび真空金具８で構成されている。また、ウェハ外周リ
ム１とオリフラリム３で囲まれたオリフラ真空室９と外
周真空室１０と、ウェハ内周リム２に囲まれた内周真空
室１１で構成されている。
吸着は、セラミック等を母材とする基板４の上に、ウェ
ハ外周リム１とその内側の気密性を維持するウェハ内周
リム２と、ウェハのオリフラ部の形状と同等の直交する
２箇所に設けられたオリフラリム３と円柱状の突起５と
ウェハ６を真空吸着するための各々独立した真空路７お
よび真空金具８で構成されている。また、ウェハ外周リ
ム１とオリフラリム３で囲まれたオリフラ真空室９と外
周真空室１０と、ウェハ内周リム２に囲まれた内周真空
室１１で構成されている。
【００１３】各々のリムは、ウェハ６を真空吸着した時
の吸着力を維持するもので、外界との気密性を保つため
の、ウェハ６の円周形状より若干小さい形状をした帯状
の土手である。特にオリフラリム３は、本ウェハ真空吸
着装置にウェハ６を真空吸着した時ウェハ６のオリフラ
部に相当する位置に配置されている。円柱状の突起５
は、前記各々のリムと同一面に設けられ、各々のリムと
共にウェハ６の裏面と接触し、ウェハ６は真空路７，真
空金具を介して、オリフラ真空室９と外周真空室１０と
内周真空室１１内を負圧にし、ウェハ６を吸着保持して
いる。
の吸着力を維持するもので、外界との気密性を保つため
の、ウェハ６の円周形状より若干小さい形状をした帯状
の土手である。特にオリフラリム３は、本ウェハ真空吸
着装置にウェハ６を真空吸着した時ウェハ６のオリフラ
部に相当する位置に配置されている。円柱状の突起５
は、前記各々のリムと同一面に設けられ、各々のリムと
共にウェハ６の裏面と接触し、ウェハ６は真空路７，真
空金具を介して、オリフラ真空室９と外周真空室１０と
内周真空室１１内を負圧にし、ウェハ６を吸着保持して
いる。
【００１４】ここで、ウェハ６のオリフラ部を正面にし
て、本ウェハ真空吸着装置に真空吸着する場合は、右側
のオリフラ真空室９と外周真空室１０と内周真空室１１
で行い、ウェハのオリフラ部を右側にして、真空吸着す
る場合は、正面のオリフラ真空室９と外周真空室１０と
内周真空室１１で行う。これにより、ウェハ６のオリフ
ラ部の吸着方向に左右されることなく、ウェハ６全域で
均等に吸着保持することが可能となる。したがって、本
実施例によれば、ウェハ６の高精度保持が可能となり、
また、同一のウェハ真空吸着装置において、２種類のウ
ェハの向き（結晶方向）を選択することができる。
て、本ウェハ真空吸着装置に真空吸着する場合は、右側
のオリフラ真空室９と外周真空室１０と内周真空室１１
で行い、ウェハのオリフラ部を右側にして、真空吸着す
る場合は、正面のオリフラ真空室９と外周真空室１０と
内周真空室１１で行う。これにより、ウェハ６のオリフ
ラ部の吸着方向に左右されることなく、ウェハ６全域で
均等に吸着保持することが可能となる。したがって、本
実施例によれば、ウェハ６の高精度保持が可能となり、
また、同一のウェハ真空吸着装置において、２種類のウ
ェハの向き（結晶方向）を選択することができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば １．ウェハの向き（結晶方向）を変えて吸着保持する場
合においても、ウェハ全域において均等な吸着力が得ら
れるので、ウェハの高精度（高平面度）保持が可能とな
る。
合においても、ウェハ全域において均等な吸着力が得ら
れるので、ウェハの高精度（高平面度）保持が可能とな
る。
【００１６】２．リム（土手）部よりウェハのオーバハ
ングする量が最小となるため、リム部に付着した異物に
よる、ウェハの変形が最小となり高精度（高平面度）保
持が可能となる。また、さらにその信頼性が向上する。
ングする量が最小となるため、リム部に付着した異物に
よる、ウェハの変形が最小となり高精度（高平面度）保
持が可能となる。また、さらにその信頼性が向上する。
【００１７】３．加工は従来の技術で可能なので、製造
原価が従来品と同等である。
原価が従来品と同等である。
【図１】本発明の実施例の平面図である。
【図２】本発明の実施例の断面図である。
【図３】従来技術の実施例の平面図である。
１…ウェハ外周リム、２…ウェハ内周リム、３…オリフ
ラリム、４…基板、５…突起、６…ウェハ、７…真空
路、８…真空金具、９…オリフラ真空室、１０…外周真
空室、１１…内周真空室。
ラリム、４…基板、５…突起、６…ウェハ、７…真空
路、８…真空金具、９…オリフラ真空室、１０…外周真
空室、１１…内周真空室。
Claims (3)
- 【請求項１】ウェハのオリフラ部の形状と同等のリム
（土手）を、直交する２方向に２箇所所有し、各々独立
した真空路を有することを特徴とするウェハ真空吸着装
置。 - 【請求項２】請求項１のオリフラ部の形状と同等のリム
（土手）を任意の位置に複数箇所有し、各々独立した真
空路を有することを特徴とするウェハ真空吸着装置。 - 【請求項３】請求項２のウェハ真空吸着装置を所有する
ことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11021193A JPH06326174A (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | ウェハ真空吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11021193A JPH06326174A (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | ウェハ真空吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326174A true JPH06326174A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14529881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11021193A Pending JPH06326174A (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | ウェハ真空吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326174A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373549B1 (ko) * | 2000-11-17 | 2003-02-26 | (주)케이.씨.텍 | 기판 고정척 및 이를 장착한 기판 처리장치 |
| KR100420177B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-03-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 볼 그리드 어레이 패키지 흡착용 진공 패드 |
| WO2004112108A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Nikon Corporation | 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2012134275A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
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-
1993
- 1993-05-12 JP JP11021193A patent/JPH06326174A/ja active Pending
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