JPH05326677A - ウェハ真空吸着装置 - Google Patents
ウェハ真空吸着装置Info
- Publication number
- JPH05326677A JPH05326677A JP12323692A JP12323692A JPH05326677A JP H05326677 A JPH05326677 A JP H05326677A JP 12323692 A JP12323692 A JP 12323692A JP 12323692 A JP12323692 A JP 12323692A JP H05326677 A JPH05326677 A JP H05326677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vacuum
- rim
- vacuum suction
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manipulator (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェハ真空吸着装置が不均等な真空吸着力によ
る曲げモーメントや、異物付着によるウェハの変形を生
じさせることなく、高精度（高平面度）でウェハを吸着
保持する。 【構成】ウェハ真空吸着装置は、セラミック等を母材と
する基板４の同一面上に外界殿気密性を保ち、かつウェ
ハ５と接触保持するウェハ外周リム１と穴周囲リム２
と、ウェハ５を接触保持する円柱上の突起３で構成さ
れ、さらにウェハ５を真空吸着するための真空路６と配
管をするための真空金具７で構成されている。
る曲げモーメントや、異物付着によるウェハの変形を生
じさせることなく、高精度（高平面度）でウェハを吸着
保持する。 【構成】ウェハ真空吸着装置は、セラミック等を母材と
する基板４の同一面上に外界殿気密性を保ち、かつウェ
ハ５と接触保持するウェハ外周リム１と穴周囲リム２
と、ウェハ５を接触保持する円柱上の突起３で構成さ
れ、さらにウェハ５を真空吸着するための真空路６と配
管をするための真空金具７で構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
に使用される半導体製造装置、特に縮小投影露光装置の
試料保持台に係り、試料の高精度保持として好適な形状
を有するウェハ保持装置に関する。
に使用される半導体製造装置、特に縮小投影露光装置の
試料保持台に係り、試料の高精度保持として好適な形状
を有するウェハ保持装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在のウェハ真空吸着装置は、ウェハを
真空吸着するための気密性を維持するウェハ外形より小
さく、幅の狭いリム（土手）とウェハの平面度を維持す
る円柱状の突起と、リム内の真空を引くための真空路に
より構成されている。
真空吸着するための気密性を維持するウェハ外形より小
さく、幅の狭いリム（土手）とウェハの平面度を維持す
る円柱状の突起と、リム内の真空を引くための真空路に
より構成されている。
【０００３】このウェハ真空吸着装置において、リムは
幅０.５mm 〜１mm、外形はウェハの１〜２mm内側に有
し、円柱状の突起はリムの内側に２〜４mmピッチで無数
に配置されている。これらのリムと円柱状の突起は、セ
ラミックなどを母材の同一平面上にサンドブラスト等に
より、マスク上のリムや突起のパターンを転写形成し、
その後、その上面と下面をラップ加工により平面度確保
を行っている。
幅０.５mm 〜１mm、外形はウェハの１〜２mm内側に有
し、円柱状の突起はリムの内側に２〜４mmピッチで無数
に配置されている。これらのリムと円柱状の突起は、セ
ラミックなどを母材の同一平面上にサンドブラスト等に
より、マスク上のリムや突起のパターンを転写形成し、
その後、その上面と下面をラップ加工により平面度確保
を行っている。
【０００４】しかし、このウェハ真空吸着装置、特にウ
ェハ搬送装置の移動のための穴を有するウェハ真空吸着
装置で、実際にウェハを真空吸着した場合、穴の部分は
真空が吸引されないためフリーの状態となる。また、そ
のまわりで真空吸引されるため、穴の周囲のリムを中心
にウェハの曲げモーメントが生じ、フリーの部分が凸に
変形し、ウェハの平面度を悪化している（図４）。さら
に、リム上面は、突起上面と比較して面積が大きく異物
が付着しやすいため穴の周囲のリムに付着した場合、フ
リーの部分の変形量が大きい。
ェハ搬送装置の移動のための穴を有するウェハ真空吸着
装置で、実際にウェハを真空吸着した場合、穴の部分は
真空が吸引されないためフリーの状態となる。また、そ
のまわりで真空吸引されるため、穴の周囲のリムを中心
にウェハの曲げモーメントが生じ、フリーの部分が凸に
変形し、ウェハの平面度を悪化している（図４）。さら
に、リム上面は、突起上面と比較して面積が大きく異物
が付着しやすいため穴の周囲のリムに付着した場合、フ
リーの部分の変形量が大きい。
【０００５】そこで、穴の周囲のリムの高さをあらかじ
め突起部より低く加工し、吸引時の変形や異物付着によ
る変形を最小におさえることが可能である。なお、この
種の装置として関連するものは、特願昭62−221130号等
が上げられる。
め突起部より低く加工し、吸引時の変形や異物付着によ
る変形を最小におさえることが可能である。なお、この
種の装置として関連するものは、特願昭62−221130号等
が上げられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体集積回路
の高集積化に伴い、各部位の高精度化が重要となってい
る。特に縮小投影露光装置においては、レンズの高精度
化に伴い、焦点深度（結像可能な深さ）が浅くなり、ま
た装置の高速化に伴い、結像面積が大きくなり、結像面
となるウェハの高精度保持が重要な課題となっている。
の高集積化に伴い、各部位の高精度化が重要となってい
る。特に縮小投影露光装置においては、レンズの高精度
化に伴い、焦点深度（結像可能な深さ）が浅くなり、ま
た装置の高速化に伴い、結像面積が大きくなり、結像面
となるウェハの高精度保持が重要な課題となっている。
【０００７】しかし、装置全体の高精度化に伴い、ウェ
ハを吸着保持するウェハ真空吸着装置が備えられている
ウェハステージは、その他の付加機能、特にウェハを自
動搬送するためのウェハ搬送装置の付加により複雑にな
り、さらにウェハ真空吸着装置の形状も複雑になってい
る。
ハを吸着保持するウェハ真空吸着装置が備えられている
ウェハステージは、その他の付加機能、特にウェハを自
動搬送するためのウェハ搬送装置の付加により複雑にな
り、さらにウェハ真空吸着装置の形状も複雑になってい
る。
【０００８】ここで、ウェハ吸着装置は、ウェハをウェ
ハ搬送装置により裏面を保持し、自動搬送するために、
その移動のための穴が１ケまたは３ケ設けられている。
このウェハ搬送装置移動のための穴の大きさは、ウェハ
搬送装置の大きさに左右されるが、剛性が必要とされる
ので大きくなる傾向にある。しかし、穴が大きくなるに
したがって、ウェハを真空吸着保持した時に、保持する
面積が極部的に減少し、ウェハに作用する真空吸着力が
不均等となり、穴の周囲に設けられ気密性を維持するた
めのリムを中心に、ウェハに曲げモーメントが生じる。
そのためウェハは、吸着保持されていない穴の部分が、
吸着力の向きとは逆に変形し、本来のウェハ真空吸着装
置の目的であるウェハを高精度で保持することが困難と
なる。この変形量は、穴の大きさに比例して生じ、また
特に、穴の周囲の比較的面積の大きいリムに異物が付着
した時に大きくなる。
ハ搬送装置により裏面を保持し、自動搬送するために、
その移動のための穴が１ケまたは３ケ設けられている。
このウェハ搬送装置移動のための穴の大きさは、ウェハ
搬送装置の大きさに左右されるが、剛性が必要とされる
ので大きくなる傾向にある。しかし、穴が大きくなるに
したがって、ウェハを真空吸着保持した時に、保持する
面積が極部的に減少し、ウェハに作用する真空吸着力が
不均等となり、穴の周囲に設けられ気密性を維持するた
めのリムを中心に、ウェハに曲げモーメントが生じる。
そのためウェハは、吸着保持されていない穴の部分が、
吸着力の向きとは逆に変形し、本来のウェハ真空吸着装
置の目的であるウェハを高精度で保持することが困難と
なる。この変形量は、穴の大きさに比例して生じ、また
特に、穴の周囲の比較的面積の大きいリムに異物が付着
した時に大きくなる。
【０００９】本発明の目的は、ウェハ真空吸着装置をウ
ェハに不均等な真空吸着力の影響を与えない構造とする
ことにあり、ウェハの高精度保持、すなわちウェハの高
平面化保持に寄与する。
ェハに不均等な真空吸着力の影響を与えない構造とする
ことにあり、ウェハの高精度保持、すなわちウェハの高
平面化保持に寄与する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、ウェハの真空吸着力を得るために設けられた気密性
を維持するためのリムの高さを、ウェハの平面度を維持
するための円柱状の突起より低く構成し、また、そのリ
ムの断面形状を台形にしてウェハとの接触面となるリム
上面の面積を減らしたものである。
に、ウェハの真空吸着力を得るために設けられた気密性
を維持するためのリムの高さを、ウェハの平面度を維持
するための円柱状の突起より低く構成し、また、そのリ
ムの断面形状を台形にしてウェハとの接触面となるリム
上面の面積を減らしたものである。
【００１１】
【作用】ウェハ真空吸着装置は、ウェハを真空吸着する
ための気密性を保持するためにウェハ外形より内側のリ
ムと、ウェハ搬送装置の移動のために設けられた穴の周
囲のリムと、円柱状の突起により構成されている。また
これらは、セラミック等を母材とし同一材料であり、サ
ンドブラスト等の加工法により形成され、その上面，下
面をラップ加工等により、平面度確保を行っている。こ
こで最終的に穴の周囲のリムのみを、その他のリムや突
起より低くラップ加工することで、ウェハはそれを真空
吸着した時の、ウェハに生じる曲げモーメントによる変
形及びそのリム上に付着した異物による変形を小さくす
ることが可能になるので、ウェハを高精度（高平面度）
保持することができる。
ための気密性を保持するためにウェハ外形より内側のリ
ムと、ウェハ搬送装置の移動のために設けられた穴の周
囲のリムと、円柱状の突起により構成されている。また
これらは、セラミック等を母材とし同一材料であり、サ
ンドブラスト等の加工法により形成され、その上面，下
面をラップ加工等により、平面度確保を行っている。こ
こで最終的に穴の周囲のリムのみを、その他のリムや突
起より低くラップ加工することで、ウェハはそれを真空
吸着した時の、ウェハに生じる曲げモーメントによる変
形及びそのリム上に付着した異物による変形を小さくす
ることが可能になるので、ウェハを高精度（高平面度）
保持することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図４により説
明する。
明する。
【００１３】図１，図２において、本発明のウェハ真空
吸着装置は、セラミック等を母材とする基板４の上に、
ウェハ外周リム１と穴外周リム２と円柱状の突起３とウ
ェハ５を真空吸着するための真空路６および真空金具７
で構成されている。ウェハ外周リム１は、ウェハ５を真
空吸着した時の吸着力を維持するもので、外界との気密
性を保つために、ウェハ５の外形より若干小さい外形形
状をした帯状の土手である。穴外周リム２は、ウェハ搬
送装置の移動用の穴の周囲に設けられた帯状の土手であ
る。円柱状の突起３は、ウェハ外周リム１および外周リ
ム２と同一面に設けられ、それぞれのリムと共にウェハ
５の裏面と接触し、ウェハ５は真空路６を用いて、ウェ
ハ５とウェハ真空吸着装置の間を負圧にして、吸着保持
する。
吸着装置は、セラミック等を母材とする基板４の上に、
ウェハ外周リム１と穴外周リム２と円柱状の突起３とウ
ェハ５を真空吸着するための真空路６および真空金具７
で構成されている。ウェハ外周リム１は、ウェハ５を真
空吸着した時の吸着力を維持するもので、外界との気密
性を保つために、ウェハ５の外形より若干小さい外形形
状をした帯状の土手である。穴外周リム２は、ウェハ搬
送装置の移動用の穴の周囲に設けられた帯状の土手であ
る。円柱状の突起３は、ウェハ外周リム１および外周リ
ム２と同一面に設けられ、それぞれのリムと共にウェハ
５の裏面と接触し、ウェハ５は真空路６を用いて、ウェ
ハ５とウェハ真空吸着装置の間を負圧にして、吸着保持
する。
【００１４】ここで、穴外周リム２の高さは、円柱状の
突起３より０.４μｍ 程度低くし、かつ、リムのウェハ
５と接触する面の幅を０.５mm 以下とする。これによ
り、ウェハ５を吸着保持しない部分が、その他の吸着保
持する位置の吸着力と同じ向きに強制的に曲げモーメン
トが作用するので、吸着力の向きと反対方向の変形を小
さくすることが可能となる。また、多少の異物がリム部
に付着しても、その影響が少なくなる。したがって、こ
の実施例によれば、ウェハ５の高精度保持が可能であ
る。
突起３より０.４μｍ 程度低くし、かつ、リムのウェハ
５と接触する面の幅を０.５mm 以下とする。これによ
り、ウェハ５を吸着保持しない部分が、その他の吸着保
持する位置の吸着力と同じ向きに強制的に曲げモーメン
トが作用するので、吸着力の向きと反対方向の変形を小
さくすることが可能となる。また、多少の異物がリム部
に付着しても、その影響が少なくなる。したがって、こ
の実施例によれば、ウェハ５の高精度保持が可能であ
る。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、 １． ウェハ搬送装置移動等の穴が設けられたウェハ真
空吸着装置において、穴の部分の変形を最小とすること
が可能なので、ウェハの高精度（高平面度）保持が可能
となる。
空吸着装置において、穴の部分の変形を最小とすること
が可能なので、ウェハの高精度（高平面度）保持が可能
となる。
【００１６】２． 異物付着の影響を受けないので、ウ
ェハの高精度（高平面度）保持が可能となり、さらに信
頼性向上に効果がある。
ェハの高精度（高平面度）保持が可能となり、さらに信
頼性向上に効果がある。
【００１７】３． 簡易加工治具により加工が可能なの
で、製造原価が従来品と同等である。
で、製造原価が従来品と同等である。
【図１】本発明の実施例の平面図である。
【図２】本発明の実施例の断面図である。
【図３】従来技術の実施例の断面図である。
【図４】従来技術における穴周囲リムの高さが突起より
高い時のウェハの変形量を示す図である。
高い時のウェハの変形量を示す図である。
１…ウェハ外周リム、２…穴周囲リム、３…突起、４…
基板、５…ウェハ、６…真空路、７…真空金具。
基板、５…ウェハ、６…真空路、７…真空金具。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ｌ
Claims (3)
- 【請求項１】ウェハを真空吸着するために、その気密性
を維持するウェハ外形より小さく、幅の狭いリム（土
手）と、ウェハの平面度を維持する円柱状の無数の突起
を有するウェハ真空吸着装置において、リムと突起の高
さが異なることを特徴とするウェハ真空吸着装置。 - 【請求項２】請求項１におけるウェハを自動搬送するウ
ェハ搬送装置の移動のための穴を有するウェハ真空吸着
装置において、その穴の周囲の気密性を維持するための
リムと円柱状の突起の高さが異なることを特徴とするウ
ェハ真空吸着装置。 - 【請求項３】請求項２において、面取りされた極めて狭
いリムを有することを特徴とするウェハ真空吸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12323692A JPH05326677A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | ウェハ真空吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12323692A JPH05326677A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | ウェハ真空吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326677A true JPH05326677A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14855574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12323692A Pending JPH05326677A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | ウェハ真空吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326677A (ja) |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP12323692A patent/JPH05326677A/ja active Pending
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