JP3639686B2 - 基板の保持装置とこれを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスを製造するための半導体ウエハや液晶基板等の基板を、露光等に際してずれやそりが生じないように吸着保持するための基板保持装置や露光装置、デバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体素子や液晶表示素子の製造に用いられる投影露光装置では、被加工材である基板を保持固定し、かつそりを矯正し、平面性を保つために、真空吸着力を利用した基板吸着保持装置が用いられる。図15はこのような基板吸着保持装置の従来例を示す断面図である。同図に示すように、この基板吸着保持装置は、基板1を載置するための載置面2と、載置面2から裏側へ貫通した3つの貫通穴3(3a〜3c)と、貫通穴3の回りにおいて載置面上に設けられた第1の縁堤部4(4a〜4c)と、載置面2の周辺部に設けられた第2の縁堤部5と、第1および第2縁堤部4,5間の載置面2上に設けられ、載置される基板1を支持する凸部6とを有するウエハチャック(載置台)8を備える。また、この装置はさらに、貫通穴3を通るように配置された、ウエハ1の受渡しを行なうための3本のリフトピン9(9a〜9c)、リフトピン9を上下させる上下機構部10、ウエハチャック8を支持するウエハチャック支持部12を備え、また、載置される基板1と載置面2と第1および第2縁堤部4,5と凸部6とが画定する空間を減圧することにより基板1を載置面2上に吸着保持するための真空配管系11を備える。
【0003】
この構成において、不図示の外部の搬送装置がその搬送ハンドによって被加工物であるウエハ1を、載置面2から突き出した状態で待機しているリフトピン9上に搭載し、搬送ハンドを回避させると、上下機構部10は、リフトピン9を速やかに下降させ、ウエハチャック8上にウエハ1を受け渡す。このとき、ウエハ1がウエハチャック8に接触する直前あるいは直後に、基板吸着保持装置は、真空配管系11を介して真空吸引を開始し、ウエハ1を載置面2上に吸着保持した状態で固定し、平面矯正する。このようにして、半導体露光装置は露光転写を行なう。露光転写の終了後は、前述と反対の動作により、基板吸着保持装置上からウエハ1の回収が行なわれる。
【0004】
図16は、図15における載置面2上の第1および第2縁堤部4,5および凸部6の、上から見た形状を示す。
第1縁堤部4は、貫通穴3a〜3cの周囲に円環状に設けられ、第2縁堤部5は載置面2の周辺部に円環状に設けられており、これらにより、ウエハ1を真空吸着するときは、大気とのシールドを行ない、真空空間を確保するようになっている。凸部6は、載置面2上の第1縁堤部4と第2縁堤部5との間において、ウエハ1裏面と載置面2との接触率を低減するために設けられている。凸部6は、ピン形状を有しており、等ピッチで格子状に載置してある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
半導体製造工程の中でも基板上に微細なパターンを露光転写するリソグラフィ工程では、近年、素子の微細化に伴って焦点深度が減少してきており、その焦点深度は約1μm程度になっている。そして、素子製造のプロセスマージンを考慮すると、ウエハチャック上で平面矯正されるウエハは、少なくとも焦点深度の1/5程度の平面度に平坦化する必要がある。
【0006】
しかしながら、前記従来の基板吸着保持装置の場合、リフトピン用の貫通穴3a〜3cは真空空間とはならないため、貫通穴3a〜3c上のウエハ部分には吸着による平面矯正力が作用しない。その結果、貫通穴3a〜3c上のウエハ部分の平坦度は、その周辺の真空吸着された周辺部の平坦度の影響を直接受けることになる。経験的には、このような貫通穴部分においては、吸着されたウエハが局所的に盛り上がる傾向を有することが知られている。また、ウエハ周辺部においてもはね上がりが発生する。この局所的な盛り上がりは、所望の平坦度を達成するのを妨げるばかりか、その部分のウエハを平面方向に対しても歪ませ、転写露光される像の歪みを助長する要因にもなっている。
【0007】
これらの盛り上がりやはね上がりの原因は、真空吸着時にチャック凸部が受ける圧縮力による凸部のたわみに起因する。特に、近接する凸部と縁堤部とのたわみ量に差が生じると、図17に示すリフトピンの貫通穴3近傍の断面図のように、ウエハ1を局所的に歪ませて盛り上がりやはね上がりを引き起こす。
【0008】
近年、チャックとウエハとの間の異物はさみ込みの確率的要因を低減させるため、チャックとウエハの接触面積を微小化していく傾向があり、個々の凸部は細る方向にある。その一方、これまで真空吸引チャックを半導体製造装置に用いた場合、基板の吸着完了までの時間を1/100秒オーダーで短縮を図る必要があった。それには真空吸着時に十分な排気速度を確保し排気抵抗の低減のため、ウエハとチャック凹部とのギャップ、すなわち凸部の高さを大きくとる必要があった。このことは、凸部の縦横比を大きくし、圧縮力によるたわみを大きくすることになってしまい、結果として図17に示すようなウエハの局所的な歪みは、ますます顕著となる。
【0009】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明は、上述の従来例の課題を解決すべくなされたもので、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第1凸部と前記第1凸部の周囲に分散して配された複数の第2凸部とに因る、基板を吸着保持した際の基板の局所的な形状変化を軽減することができる基板保持装置、露光装置、およびデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
上記課題を解決する本発明の基板保持装置は、基板を支持するための凸部を備え、前記凸部上に支持された基板を負圧によって吸着保持するための基板保持装置であって、
前記凸部は、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第1凸部と、前記第1凸部の周囲に分散して配された複数の第2凸部とを含み、単位面積当たりの前記複数の第2凸部の支持剛性を前記第1凸部から放射方向に向け減少させたことを特徴とする。
または、前記複数の第2凸部の支持剛性を前記第1凸部の支持剛性と同等にしたことを特徴とする。
または、前記第1凸部の高さを、前記複数の第2凸部の高さよりも低くしたことを特徴とする。
または、前記第1凸部の上面に傾斜をつけたことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を用いて詳細に説明する。図1は露光装置の全体概略図を示すもので、図中、100はレチクルステージであり、レチクルチャック101によってレチクル102を保持している。レチクルステージ100は1方向(X方向)に走査移動が可能である。またレチクルステージの移動をモニタするためのレーザ干渉計103が設けられている。対するウエハステージは定盤104上に設けられ、Yステージ105とXステージ106を備え、その上の基板保持装置であるウエハチャック107によってウエハ108を保持している。このウエハチャック107の詳細については後述する。ウエハステージは2方向(X方向、Y方向)に移動可能である。またウエハステージの移動をモニタするためのレーザ干渉計109が設けられている。110は照明手段であり光源や照明光学系を含み、レチクルステージの走査方向と直交する方向(Y方向)に長手のスリット光によってレチクル102を照明する。111は縮小投影光学系でありレチクル102のパターンをウエハ108上に4:1に縮小投影する。112はフレームであり、上記レチクルステージ100、ウエハステージ104、縮小投影光学系111を保持している。この構成によって、レチクルのパターンはウエハ上の複数の領域に順次転写される。
【0012】
図2は、上記ウエハチャック107の上面を示す図であり、図3はこの断面図である。また、図4は、図2の貫通穴近傍を拡大して示す図である。これらの図に示すように、ウエハ1を載置するための載置面2と、載置面2から裏側へ貫通した貫通穴3(3a〜3c)と、貫通穴3の回りにおいて載置面2上に設けられた、第1凸部である、円環状凸部の第1縁堤部4と、載置面2の周辺(外周)部に設けられた凸状の閉じた円環状(多角形環状でもよい)のリムである第2縁堤部5と、第1および第2縁堤部4,5間の載置面2上に設けられ、載置されるウエハ1を支持する凸部6とを有する載置台を備えている。載置されるウエハ1と、載置面2と、第1および第2縁堤部4,5と、凸部6とが画定する空間を減圧することによりウエハ1を載置面2上に吸着保持するようになっている。この、複数の第2凸部と称する、凸部6は、第1縁堤部4から外側へ放射状に延びたライン状の凸部6a、これらの間に比較的高密度に配置した点状の凸部6b、およびその他の一定間隔で格子状に配置した凸部6cを含む。これにより、凸部6は、ウエハを吸着保持する際の単位面積当りの支持剛性を、第1縁堤部4から放射方向へ向け漸減するものとなっている。3つの貫通穴3(3a〜3c)は、リフトピン8がウエハチャック7を貫通して上下動するためのものである。縁堤部4は、真空吸着時に載置面2上に閉空間を確保できるように、各貫通穴3の回りを切れ目なく縁どっている。なお、この形状は円環状に限らず、多角形状の閉じた環状であっても良い。これは後述の他の例においても同様である。
【0013】
凸部6aは、直径Dの貫通穴3に対して、そこから放射状に配置した、長さが1D程度で幅が0.07〜0.3mm程度のライン状のものである。この長さはこれに限らず、0.5D〜2.5D程度が好ましい。凸部6aの幅は、できる限り細い方が好ましい。隣接する凸部6a間の間隔は、最近部で1mm程度である。凸部6bは、1mm以下のピッチで凸部6a間に配置されており、直径が0.1〜0.5mmのピン状のものである。このようにして、凸部6aおよび6bは、第1縁堤部4から、各貫通穴3の直径の0.5〜2.5倍までの領域において、単位面積当りの支持密度が、したがって支持剛性が、第1縁堤部4から遠ざかるに従って漸減するように配置されている。支持剛性が第1縁堤部4から遠ざかるに従って漸減するものであれば、凸部6aおよび6bはこれに限らず、ランダム性をもたせて配置したものや、環状に沿って配置したものや、凸部6bのピン形状の半径を意図的に変化させたもの等であってもよい。
【0014】
凸部6cは、貫通穴3から離れた他の載置面2上の領域において、2〜3mmピッチの格子状に多数配置されたピン形状のものである。第2縁堤部5は、載置面2上の最外周部に切れ目なく配置され、第1縁堤部4と共働して、真空吸着時に載置面2上において閉空間を確保するものである。
【0015】
また、この装置はさらに、貫通穴3を通るように配置された、ウエハ1の受渡しを行なうための3本のリフトピン8(8a〜8b)、リフトピン8を上下動させる上下機構部9、ウエハチャック7を支持するウエハチャック支持部10、載置される基板1と、載置面2と、第1および第2縁堤部4、5と、凸部6とが画定する空間を減圧することにより基板1を載置面2上に吸着保持するための真空配管系11を備える。さらには各リフトピン8の先端の小開口にリフトピンによるウエハ保持のための真空を供給する真空配管系12を備える。
【0016】
この構成において、不図示の外部の搬送装置がその搬送ハンドによって被加工物であるウエハ1を、載置面2から突き出した状態で待機している3本のリフトピン8上に搭載しリフトピン先端の小開口でウエハを吸引保持する。そして搬送ハンドを回避させると、上下機構部9はリフトピン8を速やかに下降させ、ウエハチャック7上にウエハ1を受け渡す。このとき、ウエハ1がウエハチャック7に接触する直前あるいは直後に、基板吸着保持装置は、真空配管系11を介して真空吸引を開始し、ウエハ1を載置面2上の凸部で支えて吸着保持した状態で固定し、平面矯正する。
【0017】
このとき、ウエハを吸着保持した状態では、ウエハ上面に作用する荷重は、8インチウエハで約3000Nにも及び、それらの荷重をわずかな接触面積で接した凸部6や第1および第2縁堤部4、5によって支持することになる。
【0018】
この際、真空吸着時に受ける圧縮力により各凸部6は縮むが、本実施形態においては、凸部6aおよび6bにより、第1縁堤部4から、各貫通穴3の直径の0.5〜2.5倍までの領域において、単位面積当りの支持剛性が、第1縁堤部4から遠ざかるに従って漸減するため、剛性差に不連続性がなく、剛性が緩慢に変化する。したがって、ウエハに段差が生じることによる貫通穴3a〜3c中央部上のウエハ部分の盛り上がりが、是正される。
【0019】
このようにして、基板吸着保持装置上において平面性が高度に維持されながら保持されたウエハ1に対し、半導体露光装置は露光転写を行なう。露光転写の終了後は、前述と反対の動作により、基板吸着保持装置上からウエハ1の回収が行なわれる。
【0020】
図5は上記形態の変形例に係る基板吸着保持装置におけるウエハチャックの上面の一部を示す。同図に示すように、ライン上の凸部6aの外側部分をピン状の凸部6dに置き換えても良い。これによれば、凸部6d部分のウエハとの接触率を低減することができる。
【0021】
図6はさらに他の変形例に係る基板吸着保持装置におけるウエハチャックの上面の一部を示す。このように、凸部6をすべてピン状の凸部6cおよび6eで構成するようにしても良い。凸部6eは、第1縁堤部4へ近づくに従って高密度に配置されるように、配置ピッチが第1縁堤部4へ近づくに従って小さくなっている。そして外側では、格子状に配置した凸部6cと同ピッチとなっている。
【0022】
図7は、本発明の別の実施形態に係る基板吸着保持装置のウエハチャック上面を示す図であり、図8は、この装置の断面図である。また、図9は、図8の貫通穴近傍の断面を示す図である。なお、先の実施例と同一の符号は同一の部材を示す。この基板吸着保持装置は図1に示すような半導体露光装置のXYステージ上に設けられている。これらの図に示すように、この基板吸着保持装置は、ウエハ1を載置するための載置面2と、載置面2から裏側へ貫通した貫通穴3(3a〜3c)と、貫通穴3の回りにおいて載置面2上に設けられた円環状の凸部である第1の縁堤部4(4a〜4c)と、載置面2の周辺(外周)部に設けられた凸状のリムである第2の縁堤部5とが形成されている。また載置されるウエハ1と接触して支持する小突出部である第1の凸部26aと、第1の凸部を支持する第2の凸部26bとからなる凸部が、第1および第2縁堤部4,5間の載置面2上に多数点在して設けられている。この構成において載置台を備え、載置されるウエハ1と載置面2と第1および第2縁堤部4,5と第1および第2凸部26a,26bとが画定する空間を、真空源に連通する載置面上の穴を通して減圧することにより、ウエハ1を載置面2上の凸部で支えて吸着保持するようになっている。
【0023】
図9を用いて、凸部の更に詳細な説明をする。
基板と直接接触する第1の凸部26aは、円柱状のピン形状をなしており、直径φ0.1mm、高さ0.05mm程度になっている。高さについては、対象とする異物の大きさより大きければよく、大きな異物の存在しにくいスーパークリーン環境であれば、例えば高さ3ミクロン程度であってもよい。また、第1の凸部26aは、チャックと同一材料である必要は無く、例えば金属薄膜、ガラス薄膜、セラミックス薄膜などであってもよい。第1の凸部26aの形状は、円柱状の他にも円錐型、多角柱、多角錐型、あるいは半球状であってもよい。いずれの形状においてもウエハ接触面は全て同一の平面になるようラップ加工が施されている。
【0024】
次に、第2の凸部26bは、それぞれの第1の凸部の下部に構成されており円柱形状になっている。その大きさは、第1の凸部の支持剛性に比して十分大きな剛性をもつ直径(φ1mm以上)になっており、また高さ(深さ)は、真空パスとして0.5mm以上の値になっている。この第2の凸部26bは、第1の凸部26aを低くすることで損なわれるチャック全体の排気抵抗を低減することを目的として空間を確保することに主眼をおくため、第2の凸部の形状は、本実施例に限ることなく、例えば、複数の第1の凸部を支持するよう領域を広げた第2の凸部としてもよいし、さらには第2の凸部26bはなくてもよい。但し、その場合には、例えば図10に示すように第1の凸部26aの間隙に真空パス用の溝26cを種々構成することが好ましい。
【0025】
図9における第1の縁堤部4は、真空吸着状態で基板が押し付けられた状態で、その周囲の円柱形状の凸部26aと同等のたわみ量(同等の高さ)になるように縁堤高さを決定している。本実施例では縁堤部4の実効負荷面積Aを固定し、縁堤の幅を0.2mm程度とし、縁堤の高さhを周囲の凸部26aよりも大きくすることでたわみ量を一致させている。あるいは変形例として縁堤部の高さを凸部の高さに固定し、縁堤幅を周囲の凸部26aよりも小さくすることで縁堤部の実効負荷面積を変え、たわみ量を一致させても同様の効果がある。すなわち、基板吸着時の圧縮力による凸部のたわみと縁堤部のたわみとがほぼ同等になるように凸部および縁堤部の高さあるいは幅に相関をもたせることで、縁堤部近傍での基板の局所的な盛り上がりを軽減させることができる。
【0026】
一般に凸部のたわみ量をδ、凸部の実効高さをh、凸部の実効負荷面積をAとすると、以下の式が成り立ち、縁堤部とその周辺の凸部のたわみ量を同一にするためには縁堤部のh/Aと凸部のh/Aをほぼイコールにするよう縁堤部のhまたはAを決定すればよい。
δ ∝ k・h/A
ここでkは、チャックのヤング率、真空吸着による圧縮力および形状補正係数等で決定される定数係数である。
【0027】
さらなる実施例を図11に示す。図11(A)の例は、環状凸部4の高さを、その周囲に分散する凸部6の高さよりも所定量d(=0.01μm〜0.6μm)だけ僅かに低くしたものである。あるいは変形例として図11(B)に示すように、環状凸部4の上面に、環の外に向かって下降するような傾斜をつけて、環状凸部4の輪の外側が周囲の凸部6よりも低くなるようにしてもよい。さらにこの変形として、図11(C)に示すように、環状凸部を同心の二重環構造として、内環4aよりも外環4bを低くするようにしても良い。以上の構造とすれば、ウエハ1を負圧吸着した際に環状凸部4(4a,4b)の近傍で局所的に生じるウエハの形状変化(盛り上がり)を効果的に軽減させることができる。
【0028】
ここで、ウエハをチャッキングした際に、環状凸部4の上面とウエハ1との間に僅かな隙間が生じる程度に、環状凸部4の高さを設定してもよい。この場合、気圧差によって、貫通孔3からこの隙間を経てチャック面の真空空間に外部空気が流入することになるが、この流入の流量係数に対してチャック面の真空源の流量係数を十分に大きく(例えば3倍程度)しておけば、ウエハのチャッキングに必要な十分な真空空間が確保できる。さらに、露光で温度上昇するウエハを、裏面側から気体冷却できるという付随的な効果も期待できる。
【0029】
その他の実施例として、図12は同心円の複数の円環状の凸部をもつチャックの平面図である。
この例において各円環状の凸部は基板と接触する小突出部である第1の環状凸部27aと、第1の環状凸部を支持する第2の環状凸部27bにより基板載置面が形成されており第1の環状凸部27aの線幅は0.2mm以下とされる。これによって第1の環状凸部27aのたわみを小さく抑えるのと同時に、十分排気抵抗の少ない真空パスが確保できる。
【0030】
[微小デバイス製造の実施例]
次に上記説明した露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施形態を説明する。図13は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0031】
図14は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハにレジストを塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高精度なデバイスを低コストに製造することができる。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第1凸部と前記第1凸部の周囲に分散して配された複数の第2凸部とに因る、吸着された基板の局所的な形状変化を軽減することができる。また、本発明の基板保持装置で吸着した基板に露光を行なえばデバイス製造の高精度化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ウエハチャックを含む露光装置の全体構成図である。
【図2】 実施形態のウエハチャックの上面を示す図である。
【図3】 図2の装置の断面図である。
【図4】 図2の貫通穴近傍を拡大して示す図である。
【図5】 図4の変形例のウエハチャックの上面の一部を示す図である。
【図6】 図4の別の変形例のウエハチャックの上面の一部を示す図である。
【図7】 別の実施形態のウエハチャックの上面を示す図である。
【図8】 図7の装置の断面図である。
【図9】 貫通穴近傍の凸部の詳細を説明するための図である。
【図10】 変形例のウエハチャックの上面を示す図である。
【図11】 さらなる変形例のウエハチャックの断面を示す図である。
【図12】 別の変形例のウエハチャックの上面を示す図である。
【図13】 デバイス製造のフローを示す図である。
【図14】 ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。
【図15】 従来例のウエハチャックの断面図である。
【図16】 図15の装置の上面図である。
【図17】 図14の装置においてウエハを吸着保持した際の貫通穴近傍でのウエハの形状変化を説明するため図である。
【符号の説明】
1:ウエハ、2:ウエハ載置面、3(3a〜3c):リフトピンの貫通穴、4:貫通穴周囲の環状凸部(第1縁堤部)、4a:内環、4b:外環、5:外周リム凸部(第2縁堤部)、6:凸部、6a:ライン状の凸部、6b〜6e:ピン状の凸部、7:ウエハチャック、8:リフトピン、9:上下動機構、10:ウエハチャック支持部、11:チャック面の真空配管系、12:リフトピンの真空配管系、26a:点在する凸部の先端の小突出部(第1の凸部)、26b:点在する凸部(第2の凸部)、27a:同心円の複数の円環状凸部の先端の小突出部(第1の凸部)、27b:同心円の複数の円環状凸部(第2の凸部)。
Claims (15)
- 基板を支持するための凸部を備え、前記凸部上に支持された基板を負圧によって吸着保持するための基板保持装置であって、
前記凸部は、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第1凸部と、前記第1凸部の周囲に分散して配された複数の第2凸部とを含み、単位面積当たりの前記複数の第2凸部の支持剛性を前記第1凸部から放射方向に向け減少させたことを特徴とする基板保持装置。 - 前記複数の第2凸部は、放射状に延びたライン状の凸部を含むことを特徴とする請求項1記載の基板保持装置。
- 前記複数の第2凸部は、前記第1凸部から放射状に遠ざかるにつれて低密度に配置された凸部を含むことを特徴とする請求項1記載の基板保持装置。
- 基板を支持するための凸部を備え、前記凸部上に支持された基板を負圧によって吸着保持するための基板保持装置であって、
前記凸部は、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第1凸部と、前記第1凸部の周囲に分散して配された複数の第2凸部とを含み、前記複数の第2凸部の支持剛性を前記第1凸部の支持剛性と同等にしたことを特徴とする基板保持装置。 - 前記第2凸部は、前記第2凸部の支持剛性より十分大きな支持剛性となる直径を有する円柱形状の第3凸部の上に形成されていることを特徴とする請求項4記載の基板保持装置。
- 前記第2凸部が柱状、錐状及び半球状のいずれかの形状であることを特徴とする請求項4記載の基板保持装置。
- 前記第2凸部が複数の同心円の上に配置されていることを特徴とする請求項1または4記載の基板保持装置。
- 前記基板を吸着した際の前記第1凸部の圧縮たわみと前記第2凸部の圧縮たわみとが同等となるようしたことを特徴とする請求項4記載の基板保持装置。
- 凸部の実効高さをh、凸部の実効負荷面積をAとしたとき、前記第1凸部のh/Aと前記第2凸部のh/Aとが同等となるようにしたことを特徴とする請求項4記載の基板保持装置。
- 基板を支持するための凸部を備え、前記凸部上に支持された基板を負圧によって吸着保持するための基板保持装置であって、
前記凸部は、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第1凸部と、前記第1凸部の周囲に分散して配された複数の第2凸部とを含み、前記第1凸部の高さを、前記複数の第2凸部の高さよりも低くしたことを特徴とする基板保持装置。 - 基板を支持するための凸部を備え、前記凸部上に支持された基板を負圧によって吸着保持するための基板保持装置であって、
前記凸部は、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第1凸部と、前記第1凸部の周囲に分散して配された複数の第2凸部とを含み、前記第1凸部の上面に傾斜をつけたことを特徴とする基板保持装置。 - 前記基板を吸着した際に前記第1凸部の上面と前記基板との間に隙間が生ずるように、前記第1凸部の高さを設定したことを特徴とする請求項10または11記載の基板保持装置。
- 前記基板を支持するための凸部は、その最も外側に、凸状の閉環状のリム部を含むことを特徴とする請求項1〜12のいずれか記載の基板保持装置。
- 請求項1〜13のいずれか記載の基板保持装置と、前記基板保持装置に保持された基板に露光を行なう露光手段とを有することを特徴とする露光装置。
- 請求項14記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
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