JPH0831515B2 - 基板の吸着装置 - Google Patents

基板の吸着装置

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JPH0831515B2
JPH0831515B2 JP63152696A JP15269688A JPH0831515B2 JP H0831515 B2 JPH0831515 B2 JP H0831515B2 JP 63152696 A JP63152696 A JP 63152696A JP 15269688 A JP15269688 A JP 15269688A JP H0831515 B2 JPH0831515 B2 JP H0831515B2
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英昭 坂本
正昭 青山
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子(LSI、VLSI等)を製造するため
の半導体ウェハ、もしくは液晶素子を製造するためのガ
ラスプレート等の基板を平坦に吸着固定する装置に関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の基板を加工する装置、例えば投影型露
出装置、レーザリペア装置等においては、基板を真空吸
着して所定の平面内に平坦化矯正する真空吸着ホルダー
が使用されている。特にこの種の製造装置では、基板を
高い精度で平坦化する必要がある。投影型露光装置(ス
テッパー)の場合、レチクルの回路パターンを等倍、1/
5、又は1/10等の倍率で基板表面へ結像投影するための
投影レンズが設けられている。この投影レンズは広い投
影領域を確保しつつ、特に縮小投影レンズの場合は1μ
m以下の高い解像力を得る必要があるため、年々高N.A.
化され、それに伴って焦点深度も浅くなってきている。
ある種の投影レンズでは、15×15mm角のフィールド内で
±1μm程度の焦点深度しかなく、これに伴ってより高
精度な焦点合わせの技術も要求されてきている。
一方、露光すべき15×15mm各内の領域、前面において
±1μmの焦点深度しかないため、基板上の露光すべき
1つの領域の全面は、投影レンズの最良結像面と正確に
一致させる必要がある。ところがウェハやガラスプレー
トの表面には、局所的には数μm程度、全面では数十μ
m程度のそりや凹凸が存在するため、そのままでは良好
な解像特性でパターンを露出することは困難である。そ
こで、一例として第3図(A)、(B)に示すようなウ
ェハホルダー(真空チャック)1によってウェハWを平
坦化矯正することが考えられている。このウェハホルダ
ー1は、ステッパーのウェハステージの最上部に投影レ
ンズと対向するように設けられ、ウェハステージととも
に、投影レンズの下を2次元移動(ステッピング等)す
る。
第3図(A)はウェハホルダー1の平面図であり、第
3図(B)は第3図(A)のC−3矢印断面図である。
ウェハホルダー1は、ウェハWよりも十分に厚い金属、
又はセラミックス材で円板状に作られており、載置面の
形状は、ウェハWの直径よりもわずかに小さい径の円形
であるものとする。ウェハホルダー1の中心部には、ウ
ェハWの載置や取りはずしのためのウェハ受渡し昇降機
構2が上下動のときに貫通するような円形開口部1aが形
成されている。またウェハホルダー1の載置面には、ホ
ルダー1の中心から放射方向に同心円状の複数の環状凸
部10が放射方向に一定ピッチでリム状に形成されてい
る。ここで載置面の最外周側に位置する環状凸部10aの
半径は、ウェハWの中心から直線的な切欠き(オリエン
テーションフラット)OFまでの半径よりもわずかに小さ
く定められている。また各環状凸部10の上端面の幅(径
方向の寸法)は極力小さくなるように作られており、研
削・ラッピングが処されたその各上端面によって規定さ
れる面が、平坦化の基準平面となる。尚、最も内側の環
状凸部10gは開口部1aの周囲に形成され、この凸部10gと
凸部10aによって雰囲気圧(大気圧)とのリークが防止
される。さらに各環状凸部10の間の各凹部(環状)11に
は、真空吸着のための吸気孔1cが径方向に並べて形成さ
れ、各吸気孔1cはホルダー1内部に径方向に伸びたスリ
ーグ状の孔1bと連通している。この孔1bを真空源につな
げて、減圧することによって、ウェハWの裏面と輪帯状
の各凹部11とでかこまれた空間が負圧になり、ウェハW
の裏面は複数の環状凸部10の上端面にならって平坦化矯
正される。
〔発明が解決すべき問題点〕
このウェハホルダー1によると、同心円状の環状凸部
10の径方向のピッチが大きい、すなわち凹部11の径方向
の幅が大きいと、各凹部11を減圧したときのウェハWの
変形(たわみ量)が、ステッパーで決定されている焦点
深度に対して無視できない程度になっている。これを防
ぐためには環状凸部10のピッチを小さく(凹部11の幅を
小さく)すればよい訳であるが、このことは必然的に、
ウェハWの裏面全面積に対する接触面積の割合い(接触
率)を大きくすることを意味する。
一般にウェハは、その両面に微小なゴミ粒子を伴って
装置に供給される場合が多く、ウェハホルダー1の載置
面(凸部10)とウェハ裏面との間にゴミを挟んだまま吸
着保持を行なった場合、ウェハ上面の平面度は、そのゴ
ミの大きさに応じた面積で局所的に悪化する。またその
ゴミの硬さによっては、最悪の場合、載置面の凸部10の
上端面に損傷を与えることにもなる。
従って、ウェハ(基板)の吸着時における変形を小さ
く押さえるために、凸部10のピッチを小さくして、密に
配列した同心円タイプは、ゴミによる影響に対して致命
的な欠点を持っていると言える。
本発明は、上記のような問題点に鑑み、吸着時の基板
の変形(たわみ、そり等)を小さくしつつ、接触率も同
時に小さく押さえる構造の吸着装置を提供することを目
的とする。
〔問題点を解決する為の手段〕
本発明は、上記問題点を解決するために、ホルダーの
載置面には、基板裏面の複数の部分領域を減圧するため
に、その部分領域を囲んで閉じた形状(輪帯状、あるい
は孤立状)の第1の凸部を複数形成し、さらに、第1の
凸部で囲まれた内側の凹部を雰囲気圧よりも小さい第1
の圧力に減圧する減圧手段と;複数の凸部の外側の凹部
を、第1の圧力と雰囲気圧との間の圧力に調節する圧力
調節手段とを設け、少なくとも前記基板の吸着開始時に
は、減圧手段と圧力調節手段とによって基板裏面のほぼ
全体を減圧するように構成した。
〔作用〕
本発明では、ウェハ等の基板裏面の局所的な複数ヶ所
を第1の圧力で真空吸着して確実な固定を行なうととも
に、真空吸着する複数の局所領域以外の部分を、第1の
圧力と大気圧との間の圧力に調整するため、圧力調整の
働く領域を広くしたとしても、基板の変形(たわみ)を
全体的に小さくすることができる。
ここで第3図に示したものと、本発明の趣旨に添った
ものとの差異を第4図、第5図、第6図を参照して説明
する。第6図は第3図に示した一定ピッチの環状凸部10
を備えたホルダー1での吸着の様子を模式的に誇張して
示したもので、凸部10のピッチを小さくして凹部11を減
圧することで、ウェハW(直径3、5、6、8インチ程
度)には局所的に極めて小さなたわみ量Δδが存在す
るものの、ほぼ均一な平面に矯正される。ただし、この
場合凸部10の上端面(基準面)とウェハ裏面との接触率
がかなり大きくなるため、ウェハ裏面との間に塵介が挟
み込まれる確率がそれだけ高くなる。ゴミの大きさが数
μm程度あると、ウェハ裏面には局所的に大きな凹凸が
生じ、投影レンズの焦点深度以上になることがある。
そこで第4図に示したホルダー1の部分断面のよう
に、環状凸部のピッチを不等間隔にし、真空吸着すべき
凹部11aは、ピッチの狭い凸部10a、10b、及び凸部10c、
10dの夫々で囲み、その間の凹部11b(凸部10bと10cの
間)は、比較的広いピッチにしておく。ここで凹部11
a、11bを吸気孔1cを介して減圧(−300〜−760mmHg程
度)すると、第4図のように、凹部両側の凸部とウェハ
裏面とが強固に圧接するため、幅の広い凹部11bのとこ
ろではウェハWが上方にΔδだけそり上がってしまう
こともある。また凸部10b、10cとウェハ裏面との間に、
部分的にわずかなすき間が生じていると、凹部11aから
凹部11bへ真空圧のリークが生じることにもなる。この
リークは時間的に徐々に進行し、やがて凹部11bもかな
り低い圧力に減圧される。このため凹部11bに対向する
ウェハの一部も、大きく落ち込むようにたわむことにな
る。ただし、凹部11bを大気圧に解放するような構造に
した場合は、凹部11bのリークによる減圧は生じないの
で、第4図のようにΔδだけそった状態で固定されて
しまうことになる。
そこで本発明では、ウェハが吸着されるときに、ほぼ
密封状態にされる凹部11bの圧力を大気圧よりもわずか
に小さい負圧に調整することで、第4図に示したウェハ
のたわみを、第5図に示したたわみ量Δδのように低
減するようにしたのである。その圧力調整は凹部11bに
形成された孔1eを介して積極的あるいは消極的に行なう
圧力調節手段により実行される。
ここで第4図、第5図、第6図に示したたわみ量にお
いて、凹部11bの減圧を適当な値にすることで、ほぼΔ
δ>Δδ≧Δδにすることができ、ステッパーの
投影光学系統によって決定される焦点深度等の諸量に対
して、実用上、たわみ量Δδを十分小さく押さえるこ
とができる。しかも、凸部10a〜10dの接触率を小さくで
きることから、ゴミを挟み込む確率はかなり小さなもの
になる。
〔実 施 例〕
第1図(A)、(B)は本発明の第1の実施例による
吸着装置(ウェハホルダー)の構造を示し、第3図と同
じ部材には同じ符号をつけてある。ここで第1図(A)
はホルダー1の平面図、第1図(B)は第1図(A)の
C−1矢視断面図である。ウェハホルダー1の載置面の
最外周には、リム状に環状凸部10aが形成され、これと
ピッチl2(実用上2〜5ないし6mm)で環状凸部10bが形
成される。またホルダー1の中央の開口部1aの周囲に
も、ピッチl2で2つの環状凸部10e、10fが形成される。
さらに、環状凸部10bと10eの間のほぼ中央部にも、ピッ
チl2で2つの環状凸部10c、10dが同心円に形成される。
この場合、環状凸部10bと10cのピッチと、環状凸部10
dと10eのピッチとはほぼl1で等しくなっている。この実
施例ではl2/l1≦1/3程度に設定されている。このため、
環状凸部10bと10cではさまれた輪帯状の凹部11bと、環
状凸部10dと10eではさまれた輪帯状の凹部11dとの径方
向の幅(l1)はかなり広くなっている。そこで本実施例
では、この幅l1の2つの輪帯状の凹部11b、11dについて
は、本来の真空吸着力を発生する凹部11a、11c、11eと
同じ吸着力が働かないように、第1図(B)に示す如
く、スリーブ状の孔1dと凹部内11b、11dに形成した孔1e
とを介して、その凹部11b、11d内を大気圧よりは低く、
孔1bで引かれる真空圧よりは高い負圧にするようにし
た。従って、本実施例の場合、環状凸部10a、10bで規定
される幅l2の輪帯状の吸着面の内側、環状凸部10e、10f
で規定される幅l2の輪帯状の吸着面、及び環状凸部10
c、10dで規定される幅l2の輪帯状の吸着面の内側と外側
のいずれも弱い負圧に付勢されている。
本実施例では、3つの環状の真空吸着面を設けたが、
これはいくつにしてもよい。また環状吸着面の径方向の
幅(ピッチl2)も、3つとも等しくする必要はない。さ
らに弱い負圧に減圧する輪帯状の凹部11b、11dの幅(ピ
ッチl1)も、互いに等しく必要はなく、適宜な寸法関係
に定めることができる。
ところで第1図のホルダー1では、ウェハWの外周部
は環状凸部10aよりもわずかにオーバーハングしてお
り、第4図に示したウェハの変形のし方から、ウェハ外
周は上方にそり上がることが予想される。このそり量
は、材料力学上のモデル式からおおよそ求めることが可
能であり、特に載置面内側での真空吸着面及び凸部の配
置寸法によって支配的に決定され得る。従って、外周部
のそりが許容できる範囲内におさまるように、環状凸部
10a、10b、10c、10d等の配置、ピッチl1、l2等を決定す
ればよい。また環状凸部10a〜10fの各上端部は、わずか
な幅をもつ平面となっていることが望ましい。
さて、第7図は、第1図に示したウェハホルダー1と
ともに使用される圧力調節手段の一例を示すブロック図
である。吸排気源30は約300mmHgの真空圧を発生すると
ともに、加圧気体を発生することができる。真空圧、又
は加圧気体はパイプ31を通ってホルダー1の孔1bにつな
がれている。圧力調節器32は吸排気源30からの真空圧を
入力して、パイプ33を介して孔1dへ所定の負圧(ただし
パイプ31を介して孔1bへ加えられる真空圧よりも高く、
大気圧よりも低い)を供給する。パイプ32に供給される
負圧の大きさは制御系34からの指令に応答して調整され
る。また制御系34は吸排気源30も制御し、真空圧の供給
と加圧気体の供給との切り換え、その供給のタイミング
等をコントロールする。加圧気体の供給は、ウェハWを
ホルダー1から取り出すとき、各凹部11a、11b、11c、1
1dが負圧に保持さる続けないようにするためである。
このため圧力調節器32には制御系34からの指令に応じ
て、加圧気体をパイプ33へ供給する機能も備えている。
この第7図の方法は、載置面内の輪帯状の凹部11b、11d
の夫々を強制的に一様な負圧に保持するものであり、第
1図に示したようにピッチl1とl3が1:3程度の場合凹部1
1b、11dの減圧は凹部11a、11c、11eの減圧の1/20〜1/30
程度で十分な効果を得られることが実験によって確認さ
れた。
さて、第8図は圧力調節手段の他の変形例であって、
第7図のように凹部11b、11dを強制的に減圧するのでは
なく、凹部11a、11c、11dの真空圧(約−300mmHg程度)
が、ウェハWの裏面と各環状凸部の上端面との部分的な
わずかなすき間を通って凹部11b、11dへリークする現象
(実際上は好しくない現象)を積極的に利用して、自然
に凹部11b、11dを減圧させようとするものである。第8
図はホルダー1の部分断面を示し、孔1dと大気との間
に、流量を半固定で調整できるオリフィス40を設けてあ
る。オリフィス40には、孔1dと大気とをつなぐニードル
穴を持つ円柱部材40aが回転自在に設けられ、この円柱
部材40aを適宜回転することによって、ニードル穴を通
る流量を調節することができる。
ウェハWを載置して凹部11aに真空圧を供給すると、
環状凸部10b(又は10c)の上端面とウェハ裏面との間か
らリークが生じ、凹部11b(又は10d)、吸気孔1e、及び
孔1d内の空間も減圧し始める。ところが、オリフィス40
のニードル穴を通して孔1dは大気圧にわずかにリークし
ているため、凹部11b(又は11d)は凹部11aのような高
い真空圧まで達することなく、ある圧力状態で安定す
る。ここでオリフィス40のニードル穴の流量を絞ってお
けば、凹部11b(11d)の圧力は、かなり高い真空圧(凹
部11aに近い値)にまで達することになり、流量を絞ら
なければ、大気圧よりもわずかに低い圧力までしか達し
ないようになる。
従って、第8図のような構成の圧力調節手段の場合、
ウェハWの真空吸着の開始時には、凹部11aとともに凹
部11bも瞬間的に高い真空圧になり、その後オリフィス4
0の作用で凹部11bは、凹部11aの圧力よりも高く大気圧
よりも低い圧力に移行することになる。
尚、第8図に示したオリフィス40は、手動又は電動に
よって適宜流量可変にして使ってもよい。
ところで理想的には、凹部11a、11c、11eの真空圧
と、凹部11b、11dの圧力とはある所定の差が安定して生
じていることが望ましい。そこで第7図に示した圧力調
節手段を多少変形することが考えられる。例えば、まず
パイプ31の一部、もしくはホルダー1の凹部の11a、11
c、11eのいずれかからパイプをひき出し、ここに第1の
圧力センサーを設け、真空吸着時の背圧をモニターす
る。そして圧力調節器32は流量可変のニードル弁等で構
成し、さらにパイプ33の一部からパイプをひき出し、こ
こに第2の圧力センサーを設ける。そして第1の圧力セ
ンサーと第2の圧力センサーとがモニターした圧力の差
を演算し、その差が所定値になるようにニードル弁で流
量を調整することもできる。あるいはパイプ33とパイプ
31との間の差圧を直接、差圧センサーで求めて、その差
圧が所定値(吸着開始時と吸着完了後とで異なってもよ
い)になるようにニードル弁を制御してもよい。
尚、このように圧力センサー、差圧センサー等を用い
る場合、あるいは第7図に示した構成を用いる場合も、
凹部11a、11c、11eの真空圧の時間的変化と凹部11b、11
dの減圧の時間的変化とを適宜調整しておくことができ
ることは言うまでもない。
次に、第2図(A)、(B)を参照して本発明の第2
の実施例による吸着装置について説明する。第2図
(A)は、そのウェハホルダー1の平面図であり、第2
図(B)は、第2図(A)のC−2矢視断面図である。
第2図(B)に示すように、本実施例ではホルダー1を
載置面を有する載置部1Aと、載置部1Aと一体に底側に設
けられる底部1Bとで構成する。載置部1Aの載置面の外周
部には、第1図の場合と同様に環状凸部10aが形成さ
れ、ホルダー1の中央を上下動するウェハ受渡し昇降機
構2が通る開口部1aの周囲にも、環状凸部10fが形成さ
れる。そしてこの2つの環状凸部10a、10fではさまれた
大きな輪帯状の凹部11の内には、2次元的にほぼ一定の
ピッチで微小円形凸部10gが複数配列される。これら円
形凸部10gの径は2〜数mm程度であり、その各上端面と
環状凸部10a、10fの各上端面とは、基準平面となるよう
に研削、ラッピング加工等がなされている。また各円形
凸部10gの配列ピッチは数mm〜十数mm程度に設定され
る。さらに本実施例では第2図(A)でも示したよう
に、互いに隣り合う3つの微小円形凸部10gをみたと
き、それがどこでもほぼ正三角形の頂点の位置になるよ
うに配列されている。
さて大きな輪帯状の凹部11の内には、さらに孔1eが設
けられ、この孔1eは第2図(B)に示すように、載置部
1Aの裏面(底部1Bとの接合面)の開口部1aの周囲付近に
形成された環状凹部1fにつながっている。さらに載置部
1Aの裏面で、各微小円形凸部10gの存在する部分には、
大きな輪帯状の凹部1gが同心円に形成されており、この
凹部1gは各微小円形凸部10gの中心に形成された吸気孔1
cとつながっている。その輪帯状の凹部1gは、内側の環
状凹部1fとはつながっていない。
一方、底部1Bには、輪帯状の凹部1gとつながる孔1b
と、環状凹部1fとつながる孔1dとが形成され、この底部
1Bと載置部1Aとをリークが起こらないように第2図
(B)のように密着して一体化する。
また孔1b、1dは、それぞれ例えば第7図に示したよう
な吸排気源30及び圧力調節器32へつながれる。
このような構造において、孔1bに約−300mmHg以上の
真空圧を供給すると、凹部1g内を通じて全ての孔1cに真
空圧が供給される。このためウェハWの裏面は、全ての
微小円形凸部10gの上端面(実際には微小なリング状)
に吸着固定される。そして、孔1dを介して凹部1fに負圧
を供給すると、載置面の凹部11全体が孔1eを介して減圧
される。
本実施例によれば、微小円形凸部10gの径を小さくで
きるため、ウェハ裏面との接触率をかなり小さく押さえ
ることが可能である。また第2図(A)、(B)に示し
たホルダー1でも、真空吸着のための圧力制御、及び吸
着面以外の面を弱く減圧するための圧力制御等は先の第
1実施例で延べた各種方法をそのまま適用し得ることは
言うまでもない。
また本実施例では個々の微小円形凸部10gが単独で局
所的な吸着力を発生するタイプ、所謂吸盤タイプを説明
したが、各吸盤の形状は円形以外に正方形(2〜数mm
角)にしてもよい。
以上、本発明の各実施例では、構造上の特徴を活し
て、ウェハ裏面と載置面との間に挟み込まれるゴミ粒子
をスタティック(機械的な運動をともなわず)に、除去
することが可能である。このことを簡単に説明するが、
この場合、ホルダー1の孔1b、1dには第7図のような強
制的な加減圧手段が接続されているものとする。
まず、ウェハ受渡し昇降機構2の載置面をホルダー1
の載置面よりも上方に突出させた状態で、ウェハWを昇
降機構2の上に保持する。昇降機構2の上面には不図示
ではあるが真空吸着部が形成されている。そして昇降機
構2を降下させつつ、孔1bには高い真空圧(約−300mmH
g)を供給し、孔1dにも比較的に高い真空圧を同時に供
給する。ウェハWが載置面上に接触すると、孔1b、又は
1dの背圧が急激に低下するので、この変化を検出して昇
降機構2の吸着を中断する。その後昇降機構2は第2図
(B)、又は第2図(B)の位置まで降下して停止す
る。
さてこの状態のとき環状凸部10a〜10fの上端面、又は
微小円形凸部10gの上端面とウェハ裏面との間にゴミが
挟み込まれたものとする。
次に、孔1bと1dのうち、いずれか一方に供給している
真空圧を加圧に切り替える。すると挟み込まれたゴミ粒
子のまわりでリーク(空気流)が生じ、ゴミ粒子は真空
圧が加わっている側へ力を受け、移動し得る。このため
ゴミ粒子は凸部10a〜10f、10gの上端面から凹部側へ排
除される。そこで孔1bと1dへ加える真空圧と加圧とを複
数回交互に繰り返すことによって、ウェハ裏面に付着し
ていたゴミ粒子を載置面の凹部に排除することができ
る。この場合、ウェハ裏面の一部はかならず吸着されて
いなければならない。この操作の後、先に説明したよう
に所定の圧力状態に保持すればよい。従って、このよう
なゴミ除去を実施することも考えると、各凸部10a〜10
f、10gの接触面の幅を極力小さくした方が望ましいが、
ホルダー1の製造の容易さも考慮して0.2mm程度が限度
と思われる。
尚、ホルダー1の載置面の凸部(又は凹部)の高さは
0.1〜0.5mm程度でよく、またその平面形状も自由に設定
することができる。例えば第1図に示したホルダー形状
で、中央に形成した環状凸部10d、10cを省略し、環状凸
部10bと10eの間の広い輪帯状の凹部に、微小ドット0.5
〜2mm程度の円形、または矩形)を規則的に所定ピッチ
で配列した構造にし、その微小ドットの各上端面を基準
平面にしてもよい。この場合も、環状凸部10bと10eの間
の凹部を弱く減圧すれば、同等の効果を得ることができ
る。
また吸着固定すべき基板は、角形のガラスプレートで
もよく、この場合、ガラスプレートの外形に合わせてホ
ルダーの載置面の形状を作ればよい。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、基板を吸着固定する
際、基板の裏面と載置面との接触率を著しく低減できる
ため、ゴミの影響を除去できるとともに、接触率が小さ
いことによる基板の矯正力不足も十分補うことができ、
基板、特にウェハのたわみ量は、実用上十分に小さく押
さえることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)、(B)は本発明の第1の実施例による吸
着装置の構造を示す平面図と断面図、第2図(A)、
(B)は第2の実施例による吸着装置の構造を示す平面
図と断面図、第3図(A)、(B)は従来考えられてい
た吸着装置の構造を示す平面図と断面図、第4図、第5
図、第6図は従来考えられていたホルダーと本発明によ
るホルダーとの各吸着の様子を模式的に誇張して示す部
分断面図、第7図は強制的な圧力調節手段の構成を示す
ブロック図、第8図はオリフィスを用いた圧力調節手段
を組み込んだホルダーの構成を示す部分断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1……ウェハホルダー、 1b、1d……スリーブ状の孔、 1c……吸気孔、 1e……孔、 10a、10b、10c、10d、10e、10f……環状凸部、 10g……微小円形凸部、 11、11a、11b、11c、11d、11e……輪帯状凹部、 30……吸排気源、 32……圧力調節手段、 40……オリフィス

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】平坦化矯正すべき薄い基板の外形と同等、
    もしくはそれよりも小さな形状の載置面を有し、該載置
    面には前記基板の裏面の一部と接触する複数の凸部が形
    成され、該凸部で囲まれた凹部を減圧することにより、
    前記基板の裏面を前記複数の凸部の先端面で規定される
    基準面にならわせて吸着固定する装置において、 前記載置面には、前記基板の裏面の複数の部分領域を減
    圧するために、該部分領域を囲んで閉じた形状の第1の
    凸部が複数形成されており;該第1の凸部で囲まれた内
    側の凹部を雰囲気圧よりも小さい第1の圧力に減圧する
    減圧手段と;前記複数の凸部の外側の凹部を、前記第1
    の圧力と雰囲気圧との間の圧力に調節する圧力調節手段
    とを設けたことを特徴とする基板の吸着装置。
  2. 【請求項2】前記第1の凸部で囲まれた内側の凹部で規
    定される全面積に対して、前記第1の凸部の外側の凹部
    で規定される全面積の方を大きく定めたことを特徴とす
    る請求項第1項記載の装置。
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