JPH0642508B2 - 薄板変形装置およびプロキシミティ露光装置 - Google Patents
薄板変形装置およびプロキシミティ露光装置Info
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- JPH0642508B2 JPH0642508B2 JP60219047A JP21904785A JPH0642508B2 JP H0642508 B2 JPH0642508 B2 JP H0642508B2 JP 60219047 A JP60219047 A JP 60219047A JP 21904785 A JP21904785 A JP 21904785A JP H0642508 B2 JPH0642508 B2 JP H0642508B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はシリコンウエハ、バブルウエハ、セラミック基
板、プリント基板などの薄板を露光するために平坦化し
たり、あるいは薄板を結像するために凹形状に曲げたり
するのに好適な薄板整形装置および該薄板変形装置を備
えたプロキシテイ露光装置に関する。
板、プリント基板などの薄板を露光するために平坦化し
たり、あるいは薄板を結像するために凹形状に曲げたり
するのに好適な薄板整形装置および該薄板変形装置を備
えたプロキシテイ露光装置に関する。
従来、たとえばＬＳＩなどにおいては、シリコンウエハ
上にレジスト被膜を形成し、このレジスト被膜にマスク
に形成された所要のパターンを転写し、転写されたパタ
ーンにしたがってエッチング、イオン注入などの処理を
くり返して行なうことにより、所要の回路をもつように
製造されている。
上にレジスト被膜を形成し、このレジスト被膜にマスク
に形成された所要のパターンを転写し、転写されたパタ
ーンにしたがってエッチング、イオン注入などの処理を
くり返して行なうことにより、所要の回路をもつように
製造されている。
前記ＬＳＩにおいては、集積度をより向上させるため
に、回路を構成する線の巾が１μｍもしくはそれ以下の
微細なパターンを形成することが要求されている。そし
て、このような要求を満すために、前記パターンの転写
に例えば軟Ｘ線を用いることが提案されている。
に、回路を構成する線の巾が１μｍもしくはそれ以下の
微細なパターンを形成することが要求されている。そし
て、このような要求を満すために、前記パターンの転写
に例えば軟Ｘ線を用いることが提案されている。
例えばこのような軟Ｘ線を用いたＸ線露光装置が特開昭
57-169242号公報に記載されているようにいくつか提案
されているが、軟Ｘ線を用いた場合、軟Ｘ線の発生源か
らウエハ上に形成されたレジスト被膜に到達するまでの
間での減衰が大きいことが知られている。
57-169242号公報に記載されているようにいくつか提案
されているが、軟Ｘ線を用いた場合、軟Ｘ線の発生源か
らウエハ上に形成されたレジスト被膜に到達するまでの
間での減衰が大きいことが知られている。
このため、Ｘ発生源における軟Ｘ線の発生線量を大きく
したり、マスクを軟Ｘ線が透過し易い材料で形成し、か
つマスクの厚さを極力薄くするなど、多くの改良が行な
われている。
したり、マスクを軟Ｘ線が透過し易い材料で形成し、か
つマスクの厚さを極力薄くするなど、多くの改良が行な
われている。
マスクを薄くすると、それだけマスクの機械的な強度が
低下するため、大きなマスクを作れなくなる。このた
め、ＬＳＩ１個〜数個分のマスクを作り、１個分づつパ
ターンを転写してはウエハを１個分づつ移動させるステ
ップアンドリピート式の転写方法が提案されている。し
かし、マスクが薄くなると、マスク自体を平らにするこ
とは困難である。
低下するため、大きなマスクを作れなくなる。このた
め、ＬＳＩ１個〜数個分のマスクを作り、１個分づつパ
ターンを転写してはウエハを１個分づつ移動させるステ
ップアンドリピート式の転写方法が提案されている。し
かし、マスクが薄くなると、マスク自体を平らにするこ
とは困難である。
一方、軟Ｘ線は、発生源から放射状に広がりながら直進
する。また、軟Ｘ線の発生源は、対陰極に照射される電
子ビームの径に対応する大きさを持っている。このた
め、発生源からマスクを通りウエハ上のレジスト被膜に
達する軟Ｘ線の到達位置に、発生源の大きさに対応する
差を生じ、ぼけを生じたり、マスクパターンの直下から
若干ズレた位置を照射するシフトを生じる。
する。また、軟Ｘ線の発生源は、対陰極に照射される電
子ビームの径に対応する大きさを持っている。このた
め、発生源からマスクを通りウエハ上のレジスト被膜に
達する軟Ｘ線の到達位置に、発生源の大きさに対応する
差を生じ、ぼけを生じたり、マスクパターンの直下から
若干ズレた位置を照射するシフトを生じる。
一方、マスクには、マスク製作上の誤差、露光時の温度
上昇による歪、くり返し使用するマスクでは、その経時
変化による歪、マスクを露光装置に取付ける際のチャッ
キングによる変形マスクの自重による歪、マスクの上下
面に加わる気圧の差による歪など、多くの好ましくない
影響が与えられる。また、ウエハにも、ウエハ製作上の
変形、露光装置に取付ける際のチャッキングによる変
形、エッチング、イオン注入等のプロセス中に発生する
変形など、多くの好ましくない影響が与えられる。
上昇による歪、くり返し使用するマスクでは、その経時
変化による歪、マスクを露光装置に取付ける際のチャッ
キングによる変形マスクの自重による歪、マスクの上下
面に加わる気圧の差による歪など、多くの好ましくない
影響が与えられる。また、ウエハにも、ウエハ製作上の
変形、露光装置に取付ける際のチャッキングによる変
形、エッチング、イオン注入等のプロセス中に発生する
変形など、多くの好ましくない影響が与えられる。
したがって、１μｍもしくはそれより狭い巾の回路パタ
ーンを転写を行なうには、露光する部分のウエハの表面
を、マスクから投写されるパターンが最も良い状態で受
光し得るように変形させることが必要である。
ーンを転写を行なうには、露光する部分のウエハの表面
を、マスクから投写されるパターンが最も良い状態で受
光し得るように変形させることが必要である。
このような要求に応える装置としてはたとえばアイビー
エム テクニカル ディスクロッサー バルレテン（ボ
ル15ナンバ10マーチ1973）（IBM Technical Disclosure
Bulletin(Vol15 No.10 1973）に「フラットネスズ コ
ントロールド ウエハ クランピング ペデスタル」
（FLATNESS CONTROLLED WAFER CLAMPING PEDESTAL」が
提案されている。すなわち、真空吸着用の穴を形成した
台にピエゾ素子を配置したものである。そして前記台上
にウエハを載せて真空吸着した状態でその表面の複数の
点の高さをセンサで検出し、その結果に基づいて前記ピ
エゾ素子に所要の電圧を印加して、ウエハの裏面を押上
げてその表面を水平にするように構成されている。
エム テクニカル ディスクロッサー バルレテン（ボ
ル15ナンバ10マーチ1973）（IBM Technical Disclosure
Bulletin(Vol15 No.10 1973）に「フラットネスズ コ
ントロールド ウエハ クランピング ペデスタル」
（FLATNESS CONTROLLED WAFER CLAMPING PEDESTAL」が
提案されている。すなわち、真空吸着用の穴を形成した
台にピエゾ素子を配置したものである。そして前記台上
にウエハを載せて真空吸着した状態でその表面の複数の
点の高さをセンサで検出し、その結果に基づいて前記ピ
エゾ素子に所要の電圧を印加して、ウエハの裏面を押上
げてその表面を水平にするように構成されている。
しかし、このような装置においては、ピエゾ素子でウエ
ハを押し上げると、台とウエハの間にギャップが形成さ
れ、真空によるウエハの保持力が弱くなると共に、前記
ギャップを流れる気流によってウエハに滑りが発生し易
いなどの欠点がある。また、ピエゾ素子をウエハ全面に
均一に配置しなければウエハを水平もしくは所望の形状
に変形させることができない。このため、たとえば、４
インチウエハの全面に10mm間隔でピエゾ素子を配置する
場合には、105個のピエゾ素子が、５インチウエハでは1
49個のピエゾ素子が必要になる。同様に、ピエゾ素子の
駆動手段も、ピエゾ素子と同じ数だけ必要になる。そし
て、前記駆動手段は、通常ピエゾ素子に０〜650Ｖまで
の電圧を印加する必要があり、小形化が技術的に困難で
ある。したがって、多数の駆動手段を露光装置に装備す
ることも技術的に困難であり、装置が必要以上に大形化
するだけでなく、高価になるなどの欠点がある。
ハを押し上げると、台とウエハの間にギャップが形成さ
れ、真空によるウエハの保持力が弱くなると共に、前記
ギャップを流れる気流によってウエハに滑りが発生し易
いなどの欠点がある。また、ピエゾ素子をウエハ全面に
均一に配置しなければウエハを水平もしくは所望の形状
に変形させることができない。このため、たとえば、４
インチウエハの全面に10mm間隔でピエゾ素子を配置する
場合には、105個のピエゾ素子が、５インチウエハでは1
49個のピエゾ素子が必要になる。同様に、ピエゾ素子の
駆動手段も、ピエゾ素子と同じ数だけ必要になる。そし
て、前記駆動手段は、通常ピエゾ素子に０〜650Ｖまで
の電圧を印加する必要があり、小形化が技術的に困難で
ある。したがって、多数の駆動手段を露光装置に装備す
ることも技術的に困難であり、装置が必要以上に大形化
するだけでなく、高価になるなどの欠点がある。
本発明の目的は、前記従来技術の課題を解決すべく、薄
板に新たな微小な変形を誘起させることなく、薄板の表
面を所望の形状に高精度に変形でき、しかもチャック板
を変形を変形させる上下変位発生手段の配列密度を低減
してコストの低減および軽量化を実現することができる
ようにした薄板変形移送装置およびプロキシミティ露光
装置を提供することにある。
板に新たな微小な変形を誘起させることなく、薄板の表
面を所望の形状に高精度に変形でき、しかもチャック板
を変形を変形させる上下変位発生手段の配列密度を低減
してコストの低減および軽量化を実現することができる
ようにした薄板変形移送装置およびプロキシミティ露光
装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、所望の形状に分
割された複数個の要素の各分割付近を折れ線として弾性
変形しうるように裏面にスリット状の溝を形成し、且つ
表面に薄板を吸着するチャック板と、該チャック板の所
望の要素の各々を裏面から上下方向に変移させる複数の
上下変位発生手段と、上記チャック板の表面に吸着した
薄板の表面形状を測定する測定手段と、該測定手段によ
って測定された薄板の表面形状に応じて上記上下変位発
生手段の各々を制御して上記チャック板を介して薄板の
表面形状を所望の形状に変形させる制御手段とを備えた
ことを特徴とする薄板変形装置である。また、本発明
は、所望の形状に分割された複数個の要素の各分割付近
を折れ線とて弾性変形しうるように裏面にスリット状の
溝を形成し、且つ表面に薄板を吸着するチャック板と、
該チャック板の所望の要素の各々を裏面から上下方向に
変移させる複数の上下変位発生手段と、上記チャック板
の表面に吸着した薄板の表面形状を測定する測定手段
と、該測定手段によって測定された薄板の表面形状に応
じて上記上下変位発生手段の各々を制御して上記チャッ
ク板を介して薄板の表面形状を所望の形状に変形させる
制御手段とを備えた薄板変形装置を設け、該薄板変形装
置の制御手段を制御してマスクと上記薄板の表面との間
隙を制御して該マスクに形成された回路パターンを上記
薄板に露光するように構成したことを特徴とするプロキ
シミティ露光装置である。
割された複数個の要素の各分割付近を折れ線として弾性
変形しうるように裏面にスリット状の溝を形成し、且つ
表面に薄板を吸着するチャック板と、該チャック板の所
望の要素の各々を裏面から上下方向に変移させる複数の
上下変位発生手段と、上記チャック板の表面に吸着した
薄板の表面形状を測定する測定手段と、該測定手段によ
って測定された薄板の表面形状に応じて上記上下変位発
生手段の各々を制御して上記チャック板を介して薄板の
表面形状を所望の形状に変形させる制御手段とを備えた
ことを特徴とする薄板変形装置である。また、本発明
は、所望の形状に分割された複数個の要素の各分割付近
を折れ線とて弾性変形しうるように裏面にスリット状の
溝を形成し、且つ表面に薄板を吸着するチャック板と、
該チャック板の所望の要素の各々を裏面から上下方向に
変移させる複数の上下変位発生手段と、上記チャック板
の表面に吸着した薄板の表面形状を測定する測定手段
と、該測定手段によって測定された薄板の表面形状に応
じて上記上下変位発生手段の各々を制御して上記チャッ
ク板を介して薄板の表面形状を所望の形状に変形させる
制御手段とを備えた薄板変形装置を設け、該薄板変形装
置の制御手段を制御してマスクと上記薄板の表面との間
隙を制御して該マスクに形成された回路パターンを上記
薄板に露光するように構成したことを特徴とするプロキ
シミティ露光装置である。
以下、本発明の実施例を示す第１図乃至第５図について
述べる。第１図は本発明の実施例を示すウエハ平坦化装
置の断面側面図、第２図はそのスリット溝接続部の拡大
断面側面図にして、その(a)はスリット溝接続部をＵ形
状に形成した場合、その(b)はスリット溝接続部をＶ形
状に形成した場合を示し、第３図はそのチャック板の裏
面図、第４図はウエハ平坦化の作動説明図にして、その
(a)はウエハをチャック板上に真空吸着した状態、その
(b)はウエハを平坦化した状態を示す。同図において、
１はウエハ、２はチャック板にして、平板状に形成さ
れ、その裏面には第３図に示す如く、該チャック板２を
複数個の三角形状をした要素６に分割するため、上方先
端部を第２図(a)に示す如くＵ形状にあるいは第２図(b)
に示す如くＶ形状に形成されたスリット溝５を穿設し、
このスリット溝５付近を折れ線として上記各要素６が弾
性変形しうるように形成されている。また上記チャック
板２はその表面の上記スリット溝５の対向位置に上記ウ
エハ１を該チャック板２に真空吸着するための空気挿入
溝７を穿設し、かつこの空気挿入溝７に穿設する位置に
上下方向に貫通する如く空気通路穴８を穿設している。
４はハウジングにして、断面を形状をした円筒形にて
形成され、上端面に上記チャック板２の裏面周辺部を支
持したときその内部室4aが密閉される如くしており、そ
の内部室4aに上記チャック板２の各要素６の裏面角付近
の位置Ａに位置する如く複数個の上下機構３を内蔵して
いる。上記上下機構３については具体的構成を省略して
いるが、本発明の場合、駆動ストロークが20〜30μｍ程
度、分解能が0.1μｍ程度必要であるので、たとえばピ
エゾ素子などが使用される。しかしこのピエゾ素子につ
いては一般に使用されているので、詳細な説明を省略す
る。９，10は真空供給穴にして、夫々上記ハウジング４
の内外周面を水平方向に貫通する如く穿設され、その外
周開口部を真空供給源（図示せず）に接続し、一方の真
空供給穴９の内周開口部をパイプ11を介して上記空気通
路穴８に接続し、他方の真空供給穴10の内周開口部をハ
ウジング４の内部室4aに接続している。12はウエハの平
坦度高さ測定器にして、レーザ干渉縞装置あるいは静電
容量センサなどにて形成され、上記ウエハ１の上方位置
に対向する如く配置され、上記ウエハ１をチャック板２
に真空吸着したときのウエハ１の表面の平坦度高さを測
定する如くしている。13は演算回路にして、上記ウエハ
の平坦度高さ測定器12による測定結果を演算する如くし
ている。14は駆動回路にして、上記演算回路13による演
算結果に基づき、上記所定の上下機構３を駆動してその
上端部位置を調整する如くしている。上記の構成である
から、その作動について第４図により述べる。先づ第４
図(a)に示す如く、厚さの不均一なウエハ１をチャック
板２の表面に搭載したのち、真空供給源よりの真空空気
を一方の真空供給穴９、パイプ11および空気通路穴８を
通って空気挿入溝７内に供給すると、空気挿入溝７内の
真空空気の吸引圧力によってウエハ１がチャック板２の
表面に吸着する。この状態で上方のウエハ１の平坦度高
さ測定器12によりウエハ１の平坦度の高さを測定し、そ
の結果を演算回路13で演算する。その演算結果に基づき
駆動回路14が駆動して所定の上下機構３の上端部位置を
調整して、ウエハ１の上下方向の位置ズレを押える。つ
いで第４図(b)に示す如く真空供給源からの真空空気を
他方の真空供給穴10を通ってハウジング４の内部室4aに
供給すると、内部室4a内の真空空気の吸引圧力によって
チャック板２およびウエハ１が下方に変形してチャック
板２の裏面が上下機構３の上端部に支持されるとともに
チャック板２を介してウエハ１が平坦化された状態に位
置決めされる。なお、上記実施例はウエハ１の平坦化装
置について記載されているが、本発明はこれに限定され
るものでなくたとえば薄板をＸ線露光装置等のようにマ
スクとウエハの間隙を均一にするために曲面状に整形す
る場合にも適用されることは云うまでもない。
述べる。第１図は本発明の実施例を示すウエハ平坦化装
置の断面側面図、第２図はそのスリット溝接続部の拡大
断面側面図にして、その(a)はスリット溝接続部をＵ形
状に形成した場合、その(b)はスリット溝接続部をＶ形
状に形成した場合を示し、第３図はそのチャック板の裏
面図、第４図はウエハ平坦化の作動説明図にして、その
(a)はウエハをチャック板上に真空吸着した状態、その
(b)はウエハを平坦化した状態を示す。同図において、
１はウエハ、２はチャック板にして、平板状に形成さ
れ、その裏面には第３図に示す如く、該チャック板２を
複数個の三角形状をした要素６に分割するため、上方先
端部を第２図(a)に示す如くＵ形状にあるいは第２図(b)
に示す如くＶ形状に形成されたスリット溝５を穿設し、
このスリット溝５付近を折れ線として上記各要素６が弾
性変形しうるように形成されている。また上記チャック
板２はその表面の上記スリット溝５の対向位置に上記ウ
エハ１を該チャック板２に真空吸着するための空気挿入
溝７を穿設し、かつこの空気挿入溝７に穿設する位置に
上下方向に貫通する如く空気通路穴８を穿設している。
４はハウジングにして、断面を形状をした円筒形にて
形成され、上端面に上記チャック板２の裏面周辺部を支
持したときその内部室4aが密閉される如くしており、そ
の内部室4aに上記チャック板２の各要素６の裏面角付近
の位置Ａに位置する如く複数個の上下機構３を内蔵して
いる。上記上下機構３については具体的構成を省略して
いるが、本発明の場合、駆動ストロークが20〜30μｍ程
度、分解能が0.1μｍ程度必要であるので、たとえばピ
エゾ素子などが使用される。しかしこのピエゾ素子につ
いては一般に使用されているので、詳細な説明を省略す
る。９，10は真空供給穴にして、夫々上記ハウジング４
の内外周面を水平方向に貫通する如く穿設され、その外
周開口部を真空供給源（図示せず）に接続し、一方の真
空供給穴９の内周開口部をパイプ11を介して上記空気通
路穴８に接続し、他方の真空供給穴10の内周開口部をハ
ウジング４の内部室4aに接続している。12はウエハの平
坦度高さ測定器にして、レーザ干渉縞装置あるいは静電
容量センサなどにて形成され、上記ウエハ１の上方位置
に対向する如く配置され、上記ウエハ１をチャック板２
に真空吸着したときのウエハ１の表面の平坦度高さを測
定する如くしている。13は演算回路にして、上記ウエハ
の平坦度高さ測定器12による測定結果を演算する如くし
ている。14は駆動回路にして、上記演算回路13による演
算結果に基づき、上記所定の上下機構３を駆動してその
上端部位置を調整する如くしている。上記の構成である
から、その作動について第４図により述べる。先づ第４
図(a)に示す如く、厚さの不均一なウエハ１をチャック
板２の表面に搭載したのち、真空供給源よりの真空空気
を一方の真空供給穴９、パイプ11および空気通路穴８を
通って空気挿入溝７内に供給すると、空気挿入溝７内の
真空空気の吸引圧力によってウエハ１がチャック板２の
表面に吸着する。この状態で上方のウエハ１の平坦度高
さ測定器12によりウエハ１の平坦度の高さを測定し、そ
の結果を演算回路13で演算する。その演算結果に基づき
駆動回路14が駆動して所定の上下機構３の上端部位置を
調整して、ウエハ１の上下方向の位置ズレを押える。つ
いで第４図(b)に示す如く真空供給源からの真空空気を
他方の真空供給穴10を通ってハウジング４の内部室4aに
供給すると、内部室4a内の真空空気の吸引圧力によって
チャック板２およびウエハ１が下方に変形してチャック
板２の裏面が上下機構３の上端部に支持されるとともに
チャック板２を介してウエハ１が平坦化された状態に位
置決めされる。なお、上記実施例はウエハ１の平坦化装
置について記載されているが、本発明はこれに限定され
るものでなくたとえば薄板をＸ線露光装置等のようにマ
スクとウエハの間隙を均一にするために曲面状に整形す
る場合にも適用されることは云うまでもない。
本発明は以上述べたる如くであるから、ウエハの平坦化
に実施した場合ウエハ表面を±0.5μｍ以内に平坦化す
ることができ、かつウエハの厚さムラを除去することが
できるので、半導体露光装置によるサブミクロン精度の
パターン転写を行なうことができ、とくにＸ線露光装置
のようにマスクとウエハとの間隙に均一に保持すること
が必要な場合に好適な効果がある。またウエハを曲面状
に整形するのに実施した場合ウエハをチャック板のスリ
ット溝付近を折れ線として変形するので、変形用の上下
機構の配列密度を従来に比較して約1/2に低減すること
ができ、これによって装置のコスト低減および軽量化を
はかることができる効果がある。
に実施した場合ウエハ表面を±0.5μｍ以内に平坦化す
ることができ、かつウエハの厚さムラを除去することが
できるので、半導体露光装置によるサブミクロン精度の
パターン転写を行なうことができ、とくにＸ線露光装置
のようにマスクとウエハとの間隙に均一に保持すること
が必要な場合に好適な効果がある。またウエハを曲面状
に整形するのに実施した場合ウエハをチャック板のスリ
ット溝付近を折れ線として変形するので、変形用の上下
機構の配列密度を従来に比較して約1/2に低減すること
ができ、これによって装置のコスト低減および軽量化を
はかることができる効果がある。
第１図は本発明の実施例を示すウエハ平坦化装置の断面
側面図、第２図はそのスリット溝接続部の拡大断面側面
図にして、その(a)はスリット溝接続部をＵ形状に形成
した場合、その(b)はスリット溝接続部をＶ形状に形成
した場合を示し、第３図はそのチャック板の裏面図、第
４図はウエハ平坦化の作動説明図にして、その(a)はウ
エハをチャック板上に真空吸着した状態、その(b)はウ
エハを平坦化した状態を示す。 １…ウエハ、２…チャック板、３…上下機構、４…ハウ
ジング、５…スリット溝、６…要素、７…空気挿入溝、
８…空気通路穴、９，10…真空供給穴、11…パイプ、12
…ウエハの平坦度高さ測定器、13…演算回路、14…駆動
回路。
側面図、第２図はそのスリット溝接続部の拡大断面側面
図にして、その(a)はスリット溝接続部をＵ形状に形成
した場合、その(b)はスリット溝接続部をＶ形状に形成
した場合を示し、第３図はそのチャック板の裏面図、第
４図はウエハ平坦化の作動説明図にして、その(a)はウ
エハをチャック板上に真空吸着した状態、その(b)はウ
エハを平坦化した状態を示す。 １…ウエハ、２…チャック板、３…上下機構、４…ハウ
ジング、５…スリット溝、６…要素、７…空気挿入溝、
８…空気通路穴、９，10…真空供給穴、11…パイプ、12
…ウエハの平坦度高さ測定器、13…演算回路、14…駆動
回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｂ 7/00 Ｍ 9106−2Ｆ Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ 9122−2Ｈ 9/00 9122−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 41/09 (72)発明者 見坊 行雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 稲垣 晃 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−292918（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−239638（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−102735（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−100005（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−17247（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−67026（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−204547（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−120585（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】所望の形状に分割された複数個の要素の各
分割付近を折れ線として弾性変形しうるように裏面にス
リット状の溝を形成し、且つ表面に薄板を吸着するチャ
ック板と、該チャック板の所望の要素の各々を裏面から
上下方向に変位させる複数の上下変位発生手段と、上記
チャック板の表面に吸着した薄板の表面形状を測定する
測定手段と、該測定手段によって測定された薄板の表面
形状に応じて上記上下変位発生手段の各々を制御して上
記チャック板を介して薄板の表面形状を所望の形状に変
形させる制御手段とを備えたことを特徴とする薄板変形
装置。 - 【請求項２】上記チャック板において分割される各要素
の形状を三角形状にて構成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の薄板変形装置。 - 【請求項３】所望の形状に分割された複数個の要素の各
分割付近を折れ線とて弾性変形しうるように裏面にスリ
ット状の溝を形成し、且つ表面に薄板を吸着するチャッ
ク板と、該チャック板の所望の要素の各々を裏面から上
下方向に変位させる複数の上下変位発生手段と、上記チ
ャック板の表面に吸着した薄板の表面形状を測定する測
定手段と、該測定手段によって測定された薄板の表面形
状に応じて上記上下変位発生手段の各々を制御して上記
チャック板を介して薄板の表面形状を所望の形状に変形
させる制御手段とを備えた薄板変形装置を設け、該薄板
変形装置の制御手段を制御してマスクと上記薄板の表面
との間隙を制御して該マスクに形成された回路パターン
を上記薄板に露光するように構成したことを特徴とする
プロキシミティ露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219047A JPH0642508B2 (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 薄板変形装置およびプロキシミティ露光装置 |
| KR1019860002815A KR900001241B1 (ko) | 1985-04-17 | 1986-04-14 | 광 노출 장치 |
| US06/852,729 US4666291A (en) | 1985-04-17 | 1986-04-16 | Light-exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219047A JPH0642508B2 (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 薄板変形装置およびプロキシミティ露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279647A JPS6279647A (ja) | 1987-04-13 |
| JPH0642508B2 true JPH0642508B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=16729424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219047A Expired - Fee Related JPH0642508B2 (ja) | 1985-04-17 | 1985-10-03 | 薄板変形装置およびプロキシミティ露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642508B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471638A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Seiko Kk | Vacuum chuck |
| JPH01220440A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ウエハ平坦度制御方法及びその装置 |
| JP3940823B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2007-07-04 | 株式会社ニコン | ステージ装置及びその制御方法 |
| JP2007175817A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Ushio Inc | 平面加工装置及びこの加工装置で加工した平面ステージの支持方法 |
| KR20090026139A (ko) * | 2006-05-24 | 2009-03-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 유지 장치 및 노광 장치 |
| WO2012081234A1 (ja) * | 2010-12-14 | 2012-06-21 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| NL2009874A (en) | 2011-12-23 | 2013-06-26 | Asml Netherlands Bv | Support, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| JP6254795B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-12-27 | リンテック株式会社 | シート貼付装置及び貼付方法 |
| CN114769885B (zh) * | 2022-03-31 | 2022-11-01 | 南京萃智激光应用技术研究院有限公司 | 一种激光精密刻蚀设备 |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP60219047A patent/JPH0642508B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6279647A (ja) | 1987-04-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |