JPH01220440A - ウエハ平坦度制御方法及びその装置 - Google Patents

ウエハ平坦度制御方法及びその装置

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JPH01220440A
JPH01220440A JP63046110A JP4611088A JPH01220440A JP H01220440 A JPH01220440 A JP H01220440A JP 63046110 A JP63046110 A JP 63046110A JP 4611088 A JP4611088 A JP 4611088A JP H01220440 A JPH01220440 A JP H01220440A
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JP
Japan
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wafer
flatness
level difference
pin
plate
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Pending
Application number
JP63046110A
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English (en)
Inventor
Shiro Hamada
史郎 浜田
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ウェハの平坦度を制御する方法及びその装置
に関し、特に半導体露光装置のマスクに対するウェハの
レベルを調整するレベリング装置に適したウェハ平坦度
制御方法及びその装置に関する。
[従来の技術] 従来のレベリング装置は、単に、第4図に示すとおり、
半導体露光装置のマスク1を基準面とし、この基準面1
に対向してウェハ2を上載するチャックプレート3と、
基準面1のレベル位置で互いに正3角形の頂点位置に配
置された3個の微少変位計4と、これら微少変位計4の
延長軸上に位置し、チャックプレート3を鋼球8を介し
て3点支持する3個のピエゾアクチュエータ5と、これ
ら3個のピエゾアクチュエータ5に各々隣接して、その
作動量を制御するためのフィードバックセンサとして働
く3個の差動トランス変位計6と、チャックプレート3
を鋼球8に押圧させる固定バネ7とから構成されている
これにより、マスク1の基準面とウェハ2の表面とが互
いに平行で、かつ、その間が所定のギャップとなるよう
に、3個の微少変位計4により計測されたマスク1の基
準面とウェハ2の表面とのギャップに基づいて、ピエゾ
アクチュエータ5を制御して、調整するものであった。
[発明が解決しようとする課題] ところが、第5図に示すように、ウェハ2の表面は、実
際には、数μm程度のレベル差の凹凸を呈する平」■度
を有しているため、ピエゾアクチュエータ5で、ウェハ
2を上載するウェハチャック3の傾きをなくすように制
御したとしても、互いに正3角形の頂点位置に配置され
た3個の微少変位計4により計測されたマスク1の基準
面とウェハ2の表面との各ギャップのみに基づいてレベ
リング(平行度調整)を行うに止まり、個々の露光領域
(図中の■〜■)毎における平行度を無視せざるを得な
いという欠陥かあった。
そこで、本発明の技術的課題は、上記欠点に鑑み、ウェ
ハの表面上の凹凸部を部分的に平面制御するという全く
新規な平坦度制御方法及びその装置を提供するのもであ
る。
[課題を解決するための手段] 本発明によれば、互いに対向する第1及び第2の面を有
するウェハにおける当該第1の面上の凹凸部の平坦度を
制御するウェハ平坦度制御方法であって、前記第1の面
上の凹凸部の互いのレベル、が一致するように、前記第
1の面の凹凸部の内の該凹部に対応する前記第2の面の
部位を、前記第1の面側に押圧することにより、前記第
1の面上の凹凸部の平坦度を制御することを特徴とする
ウェハ平坦度制御方法が得られる。
更に、本発明によれば、互いに対向する第1及び第2の
面を有するウェハにおける当該第1の面上の凹凸部の平
坦度を制御するウェハ平坦度制御装置において、前記第
1の面の凹凸部のレベル差を検出するレベル差検出手段
と、前記2の面に当接し互いに離間して設けられた前記
ウェハを上載する複数の押圧手段と、前記レベル差に基
づいて、複数の前記押圧手段を個別に制御する制御手段
とを有し、前記制御手段は、前記第1の面の凹凸部の内
の該凹部に対応する前記第2の面の部位に実質的に位置
する前記押圧手段で、前記第1の面上の凹凸部の互いの
レベルが一致するように、前記レベル差に基づいて、前
記第2の面の部位を前記第1の面側に押圧させることを
特徴とするウェハ平坦度制御装置が得られる。
なお、前記押圧手段は、前記第2の面と点接触する伸縮
自在なピン構造を有することが好ましい。
[実施例] 次に、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図を用いて、本実施例のウェハ平坦度制御装置、既
述した従来例のレベリング装置に適応した場合について
説明する。なお、第4.5図と同じ符号は同様の機能を
発揮するものとして、その説明は省略する。
まず、半導体露光装置のマスク1を基準面とし、この基
準面1に対向してウェハ2を上載する複数のピン部11
をチャックサブプレート6に配置する。
ピン部11の配置は、第3図に示すように、円形状のウ
ェハ2の全面積を効率良く綱紀するために1、互いに等
しい離間距離で配置したピン部11で一つの内角を12
0°とする正六角形状を形成する形式を採る。
チャックサブプレート6は、既述した従来のレベリング
装置のチャックグレート3に搭載されている。また、基
準面1のレベル位置には、互いに正3角形の頂点位置に
3個の微少変位計4か配置されている。微少変位計4の
延長軸上には、チャックプレート3を制球(図示しない
)を介して3点支持する3個のギャップ及び傾斜制御用
のピエゾアクチュエータ5(図中の↑印)が設けられて
いる。
ピン部11は、第2図に示すように、直接ウェハ2の下
面に当たる伸縮自在なピン本体7と、ピン本体7をウェ
ハ2の上面方向に押圧させる平坦度制御用ピエゾアクチ
ュエータ8とピン本体7の上端にウェハ2を吸着させる
ためのエア吸引管10とから構成され、エア吸引管10
は、チャックサブプレート6を貫通して外部の真空ポン
プ(図示せず)に接続されるエア配管12と接続されて
いる。平坦度制御用ピエゾアクチュエータ8は、図示し
ない制御部により、個別に制御される。
次に、制御部による制御手順について説明する。
今、制御部は、一つの微少変位計4の下に、ウェハ2を
搭載する各ピン部11を逐次移動させ、ウェハ2の上面
の凹凸部のレベル差を微少変位計4によって検出する。
なお、ウェハ2の上面の各点とマスク1の基準面とのギ
ャップを以て、そのレベル差に代えてもよい。このレベ
ル差に基づいて、ウェハ2上面の凹凸部の内の該凹部に
対応するウェハ2の下面の部位に実質的に位置するピン
部11で、ウェハ2上面の凹凸部における互いのレベル
が一致するように、そのピン部11のピン本体7をピエ
ゾアクチュエータ8によって昇降制御する。これにより
、ウェハ2上面の平坦度は、0.01μm以下に向上し
た。 なお、チャックサブプレート6は、チャックプレ
ートト3から自在に着脱できるようにすれば、−旦、他
の場所でウェア2の上面の凹凸部のレベル差をなくして
平坦に制御した後、チャックプレート3に搭載し、マス
ク1の基準面とウェハ2の表面とを互いに平行になるよ
うに、傾斜制御用ピエゾアクチュエータ5を制御しても
よい。
[発明の効果] 以上の説明のとおり、本発明によれば、ウェアの上面の
凹凸部のレベル差自体を制御して、その平坦度を高める
ことができる。
よって、従来のレベリング装置に適応すれば、ここの露
光領域においても、ウェハをマスクに平行に位置でき、
その結果、斜め写りを生ぜず被写寸法精度が向上でき、
かつ、露光むらも解消しうる効果がある。
なお、ピン構造を以てウェハの下面と点接触するから、
従来のチャックプレートとウェハとの面接触に比べ、ご
み等の異質物の挟み込みが少なくなり、さらに、マスク
等に対するウェハ上面の平坦度を向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す模式断面図、第2図は
第1図のピン部付近の拡大図、第3図は第1図のピン部
の配置形式を表す模式断面図、第4図は従来のレベリン
グ装置の側面図、第5図は第4図のウェハの露光部分の
レベル差を強調した模式断面図である。 1・・・マスク、2・・・ウェハ、3・・・チャックプ
レート、4・・・微少変位計、6・・・ヤックサブプレ
ート、7・・・ピン本体、8・・・平坦度制御用ピエゾ
アクチュエータ、9・・・ギャップ及び傾斜制御用ピエ
ゾアクチュエータ、10・・・エア吸引管、11・・・
エア配管。 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、互いに対向する第1及び第2の面を有するウェハに
    おける当該第1の面上の凹凸部の平坦度を制御するウェ
    ハ平坦度制御方法であって、 前記第1の面上の凹凸部の互いのレベルが一致するよう
    に、前記第1の面の凹凸部の内の該凹部に対応する前記
    第2の面の部位を、前記第1の面側に押圧することによ
    り、前記第1の面上の凹凸部の平坦度を制御することを
    特徴とするウェハ平坦度制御方法。 2、互いに対向する第1及び第2の面を有するウェハに
    おける当該第1の面上の凹凸部の平坦度を制御するウェ
    ハ平坦度制御装置において、 前記第1の面の凹凸部のレベル差を検出するレベル差検
    出手段と、 前記2の面に当接し互いに離間して、設けられた前記ウ
    ェハを上載する複数の押圧手段と、 前記レベル差に基づいて、複数の前記押圧手段を個別に
    制御する制御手段とを有し、 前記制御手段は、前記第1の面の凹凸部の内の該凹部に
    対応する前記第2の面の部位に実質的に位置する前記押
    圧手段で、前記第1の面上の凹凸部の互いのレベルが一
    致するように、前記レベル差に基づいて、前記第2の面
    の部位を前記第1の面側に押圧させることを特徴とする
    ウェハ平坦度制御装置。 3、第2請求項記載のウェハ平坦度制御装置において、
    前記押圧手段は、前記第2の面と点接触する伸縮自在な
    ピン構造を有することを特徴とするウェハ平坦度制御装
    置。
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