CN114530400A - 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法 - Google Patents

操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114530400A
CN114530400A CN202210146129.8A CN202210146129A CN114530400A CN 114530400 A CN114530400 A CN 114530400A CN 202210146129 A CN202210146129 A CN 202210146129A CN 114530400 A CN114530400 A CN 114530400A
Authority
CN
China
Prior art keywords
distance
workpiece
measured
compensation unit
sensors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210146129.8A
Other languages
English (en)
Inventor
周向前
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Baiji Nanotechnology Shanghai Co ltd
Original Assignee
Qianwei Technology Shanghai Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qianwei Technology Shanghai Co ltd filed Critical Qianwei Technology Shanghai Co ltd
Priority to CN202210146129.8A priority Critical patent/CN114530400A/zh
Publication of CN114530400A publication Critical patent/CN114530400A/zh
Priority to PCT/CN2023/076068 priority patent/WO2023155788A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/16—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring distance of clearance between spaced objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明实施例提供了一种操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法，涉及测量和控制技术以及精密制造技术领域。操作装置包括：控制系统、至少一个间距补偿单元、第一支撑层、操作工件以及多个传感器；传感器用于测量操作工件与被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离；控制系统用于根据各传感器测量得到的距离，控制各间距补偿单元对操作工件上对应的目标部分与被测工件之间的距离进行调整，以使操作工件与被测工件相对的两个面的形状匹配；目标部分为操作工件与间距补偿单元重叠的部分。本发明中，使得操作工件的下表面与被测工件的待操作表面之间的距离保持相对一致，便于操作工件对被测工件进行测量或加工等操作，提升了操作工件的测量和加工精度。

Description

操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法
技术领域
本发明涉及测量、控制以及精密制造技术领域，具体涉及一种操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法。
背景技术
加工工件用于对被加工工件进行加工，具体用来对与加工工件的表面相面对的被加工工件的表面进行加工。当加工工件与被加工工件的表面均相对对方较大或者相当时，二者的表面的相对平整度就很重要。例如，在需要对如晶圆等被加工工件进行整个表面的测量、加工等操作时，可以利用加工工件整个表面平行地对准工作基台上的如晶圆等被加工工件进行测量、加工等操作。例如利用探针阵列对晶圆表面的三维形貌进行测量、利用探针阵列对晶圆表面的光刻胶进行曝光，或者利用纳米压印模板对晶圆表面进行纳米压印加工。
然而，如晶圆等被加工工件的表面一般是起伏不平的，一般都会有十几个微米数量级的曲面起伏，而加工工件表面与被加工工件表面的间距只有几十个纳米，即远远小于表面曲面得起伏。这就会导致在对晶圆进行测量或加工过程中，加工工件有的部分已经与晶圆表面接触了，而还有一部分仍然与晶圆表面有很大间距，这会影响晶圆表面的测量或加工精度，甚至可能会导致无法对晶圆进行测量或加工。
目前，为了解决被加工工件表面呈曲面状的问题，一般会先对被加工工件表面进行平整化，来迎合加工工件的平整的整个表面。但是，加工工件表面本身的表面也不一定非常平整，因此单纯对被加工工件表面进行平整化也无法解决，也无法解决被加工工件表面不平整的问题。
针对上述亟待解决的问题，申请人提出了本发明以解决上述的技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供了一种操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法，能够将操作工件的下表面分为多个部分进行分布式间距补偿，间距补偿后的操作工件与被测工件相对的两个面的形状匹配，使得操作工件的下表面与被测工件的待操作表面之间的距离在整个被测工件表面上保持相对一致，便于操作工件对被测工件进行测量或加工等操作，提升了操作工件的测量和加工精度。
为实现上述目的，本发明提供了一种操作装置，包括：控制系统、至少一个间距补偿单元、第一支撑层、操作工件，以及设置在所述操作工件上且朝向被测工件的多个传感器；所述被测工件固定在第二支撑层上，所述控制系统与各所述间距补偿单元通信连接、所述控制系统与各所述传感器通信连接；所述第一支撑层与所述操作工件通过所述间距补偿单元固定在一起；所述第二支撑层与所述被测工件固定在一起；每个所述间距补偿单元对应于至少一个所述传感器，每个所述间距补偿单元与所述操作工件的一部分在空间上重叠，与所述间距补偿单元对应的所述传感器设置在所述操作工件与所述间距补偿单元重叠的部分上；所述传感器用于测量所述操作工件与所述被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离；所述控制系统用于根据各所述传感器测量得到的距离，控制各所述间距补偿单元对所述操作工件上对应的目标部分与所述被测工件之间的距离进行调整，以使所述操作工件与所述被测工件相对的两个面的形状匹配；所述目标部分为所述操作工件与所述间距补偿单元重叠的部分。
本发明还提供了一种两个工件之间的分布式间距补偿方法，应用于上述的操作装置，所述方法包括：通过多个传感器测量操作工件与被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离；根据各所述传感器测量得到的距离，控制各间距补偿单元对操作工件上对应的目标部分与所述被测工件之间的距离进行调整，以使所述操作工件与所述被测工件相对的两个面的形状匹配；所述目标部分为所述操作工件与所述间距补偿单元重叠的部分。
本发明还提供了一种操作装置，包括：控制系统、至少一个间距补偿单元、第一支撑层、以及多个传感器，所述多个传感器朝向固定在第二支撑层上的被测工件，所述控制系统与各所述间距补偿单元通信连接、所述控制系统与各所述传感器通信连接；每个所述间距补偿单元对应于至少一个所述传感器，所述间距补偿单元的一面固定在所述第一支撑层上，所述间距补偿单元的另一面固定有对应的所述传感器；所述传感器用于测量对应的所述间距补偿单元与所述被测工件上的对应位置之间的距离；所述控制系统用于根据各所述传感器测量得到的距离，控制调整各所述间距补偿单元与所述被测工件之间的距离，以使由所述多个传感器形成的面与所述被测工件的待操作表面的形状匹配。
本发明还提供了一种两个工件之间的分布式间距补偿方法，应用于上述的操作装置，所述方法包括：通过多个传感器测量对应的间距补偿单元与所述被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离；根据各所述传感器测量得到的距离，控制各所述间距补偿单元对所述间距补偿单元与所述被测工件之间的距离进行调整，以使由所述多个传感器形成的面与所述被测工件的待操作表面的形状匹配。
本发明实施例中，能够将操作工件的下表面分为多个部分进行分布式间距补偿，间距补偿后的操作工件与被测工件相对的两个面的形状匹配，使得操作工件的下表面与被测工件的待操作表面之间的距离保持相对一致，便于操作工件对被测工件进行测量或加工等操作，提升了操作工件的测量和加工精度。
在一个实施例中，所述间距补偿单元的数量为多个，每个所述传感器对应于一个所述间距补偿单元；所述控制系统用于根据各所述间距补偿单元对应的所述传感器测量的距离，得到各所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离；所述控制系统用于控制每个所述间距补偿单元对对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离进行调整，调整后的各所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离相等，以使所述操作工件与所述被测工件相对的两个面的形状匹配。
在一个实施例中，所述控制系统用于基于各所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离与参考目标间距值之间的差值，生成各所述间距补偿单元对应的用于控制距离等于所述参考目标间距值的控制信号；所述间距补偿单元用于根据接收到的所述控制信号，调整对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离等于所述参考目标间距值。
在一个实施例中，所述控制系统用于在存在任一所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离小于预设目标间距值时，选取小于所述预设目标间距值的所述目标部分与所述被测工件之间的距离作为所述参考目标间距值；所述控制系统用于在不存在任一所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离小于预设目标间距值时，控制所述第一支撑层带动所述操作工件朝向所述被测工件运动，以使任一所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离小于预设目标间距值。
在一个实施例中，多个所述间距补偿单元设置在所述操作工件与所述第一支撑层之间，多个所述间距补偿单元均匀分布在所述操作工件上。
在一个实施例中，所述操作工件为探针层，多个所述传感器为设置在所述探针层的多个探针。
在一个实施例中，各所述间距补偿单元对应于相同数量的所述传感器。
在一个实施例中，所述间距补偿单元由以下任意之一组成：压电元件、热膨胀元件以及平板电容。
附图说明
图1是根据本发明第一实施例的操作装置的方框示意图；
图2是根据本发明第一实施例的操作装置在分布式间距补偿前的示意图，其中操作装置中包括一个间距补偿单元；
图3是根据本发明第一实施例的操作装置在分布式间距补偿后的示意图，其中操作装置中包括一个间距补偿单元；
图4是根据本发明第一实施例的操作装置在分布式间距补偿前的示意图，其中操作装置中包括多个间距补偿单元；
图5是根据本发明第一实施例的操作装置在分布式间距补偿后的示意图，其中操作装置中包括多个间距补偿单元；
图6是根据本发明第一实施例的操作装置中单个间距补偿单元、探针以及第一支撑层的部分示意图；
图7是根据本发明第一实施例的操作装置的示意图，其中操作工件为探针层、多个传感器为探针层上的多个探针；
图8是图7所示的操作装置的俯视图；
图9是根据本发明第二实施例的操作装置在分布式间距补偿前的示意图，其中操作装置中包括一个间距补偿单元；
图10是根据本发明第二实施例的操作装置在分布式间距补偿后的示意图，其中操作装置中包括一个间距补偿单元；
图11是根据本发明第二实施例的操作装置在分布式间距补偿前的示意图，其中操作装置中包括多个间距补偿单元；
图12是根据本发明第二实施例的操作装置在分布式间距补偿后的示意图，其中操作装置中包括多个间距补偿单元；
图13是根据本发明第三实施例的两个工件之间的分布式间距补偿方法的具体流程图；
图14是根据本发明第四实施例的两个工件之间的分布式间距补偿方法的具体流程图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明的各实施例进行详细说明，以便更清楚理解本发明的目的、特点和优点。应理解的是，附图所示的实施例并不是对本发明范围的限制，而只是为了说明本发明技术方案的实质精神。
在下文的描述中，出于说明各种公开的实施例的目的阐述了某些具体细节以提供对各种公开实施例的透彻理解。但是，相关领域技术人员将认识到可在无这些具体细节中的一个或多个细节的情况来实践实施例。在其它情形下，与本申请相关联的熟知的装置、结构和技术可能并未详细地示出或描述从而避免不必要地混淆实施例的描述。
除非语境有其它需要，在整个说明书和权利要求中，词语“包括”和其变型，诸如“包含”和“具有”应被理解为开放的、包含的含义，即应解释为“包括，但不限于”。
在整个说明书中对“一个实施例”或“一实施例”的提及表示结合实施例所描述的特定特点、结构或特征包括于至少一个实施例中。因此，在整个说明书的各个位置“在一个实施例中”或“在一实施例”中的出现无需全都指相同实施例。另外，特定特点、结构或特征可在一个或多个实施例中以任何方式组合。
如该说明书和所附权利要求中所用的单数形式“一”和“”包括复数指代物，除非文中清楚地另外规定。应当指出的是术语“或”通常以其包括“或/和”的含义使用，除非文中清楚地另外规定。
在以下描述中，为了清楚展示本发明的结构及工作方式，将借助诸多方向性词语进行描述，但是应当将“前”、“后”、“左”、“右”、“外”、“内”、“向外”、“向内”、“上”、“下”等词语理解为方便用语，而不应当理解为限定性词语。
本发明第一实施方式涉及一种操作装置，用于对待操作样品进行测量或加工操作，待操作样品例如为晶圆、硅片、石英片等，以样品为晶圆为例，操作装置能够对晶圆表面的三维形貌进行测量、对晶圆表面的光刻胶进行加工、对晶圆表面进行纳米压印操作等。
请参考图1至图8，操作装置包括：控制系统1、至少一个间距补偿单元2(图1中仅示意性画出一个)、第一支撑层3、操作工件4、以及设置在操作工件4上且朝向被测工件5的多个传感器6；所述被测工件5固定在第二支撑层7上。其中，被测工件5即为待操作样品。其中，控制系统1可以为包括控制器、处理器等的电脑主机、笔记本电脑等，传感器6可以为具有测距功能的传感器，例如为光子传感器、激光测距传感器、电子传感器、离子传感器或原子力传感器等。需要说明的是，本实施例以及之后的实施例中均以操作工件4位于被测工件5的正上方为例进行说明。
控制系统1与各间距补偿单元2通信连接、控制系统1与各传感器6通信连接；第一支撑层3与操作工件4通过间距补偿单元2固定在一起；第二支撑层7与被测工件5固定在一起。每个间距补偿单元2对应于至少一个传感器6，每个间距补偿单元2与操作工件4的一部分在空间上重叠，与间距补偿单元2对应的传感器6设置在操作工件4与间距补偿单元2重叠的部分上。
具体的，间距补偿单元2固定在第一支撑层3与操作工件4之间，即每个间距补偿单元2的上表面与第一支撑3接触固定，下表面与操作工件4的上表面接触固定，每个间距补偿单元2的下表面覆盖操作工件4上表面的一部分。间距补偿单元2的数量为一个或多个，每个间距补偿单元2对应于至少一个传感器6，即每个间距补偿单元2对应的传感器6的数量可以为一个或多个；各传感器6固定在操作工件4朝向被测工件5的面上(即操作工件4的下表面)，各传感器6固定的位置为对应的间距补偿单元2与操作工件4在空间上重叠的部分。由此，每个间距补偿单元2的正下方都固定有至少一个传感器6；当存在与任一间距补偿单元2都不对应的传感器6时，该传感器6固定的位置为操作工件4的下表面上与任一间距补偿单元2都不存在空间上重叠的部分。需要说明的是，在将传感器6固定在操作工件4的下表面上与间距补偿单元2不存在空间上重叠的部分上时，还可以在操作工件4与第一支撑层3设置支撑辅件8，支撑辅件8的厚度与间距补偿单元2的初始厚度相同，可以对操作工件4起到支撑作用。
本实施例中，操作工件4可以由柔性材料制成，从而能够随着间距补偿单元2的厚度变化而产生相应的起伏，另外，可以在间距补偿单元2与操作工件4接触的部分设置弹性材料，从而在间距补偿单元2的厚度变化时，仍然保持操作工件4与间距补偿单元2之间的固定。
如图2与图3所示，间距补偿单元2的数量为1个，此时设置间距补偿单元2覆盖操作工件4上表面接近一半的面积，将多个传感器6平均分为两部分(图中以传感器6的数量为24个为例)，第一部分所包含的12个传感器6与间距补偿单元2对应，第一部分包含的传感器6固定在操作工件4的下表面上与间距补偿单元2在空间上重叠的部分，第二部分所包含的12个传感器6则固定在操作工件4的下表面上与间距补偿单元2不存在空间上重叠的部分。
如图4与图5所示，间距补偿单元2的数量为多个，多个所述间距补偿单元2设置在所述操作工件4与所述第一支撑层3之间，多个间距补偿单元2可以均匀分布在操作工件4上，即多个间距补偿单元2均匀分布在操作工件4的上表面上，相邻的间距补偿单元2之间存在间隙，各间距补偿单元2对应的传感器6的数量可以相等或不相等，每个传感器6均对应于一个间距补偿单元2，各传感器6固定在操作工件4的下表面上与传感器6对应的间距补偿单元2在空间上重叠的部分；图4与图5中，以间距补偿单元2的数量为8个、各间距补偿单元2对应的传感器6的数量均为3个为例；图4与图5中以间距补偿单元2的数量为8个为例，分别记为间距补偿单元2A至2H。
在一个例子中，请参考图6至图8，操作工件4为探针层41，探针层41的下表面设置有多个探针42，多个探针42均匀分布在探针层41上，传感器6即为探针层41的探针42，多个间距补偿单元2均匀分布在探针层41上，每个间距补偿单元2对应于4个探针42，即探针层41的下表面上与各间距补偿单元2在空间重叠的部分上均固定设置有4个探针42；从而可以利用探针42能够进行距离测量的特性来实现间距补偿单元2与被测工件5的待操作表面之间的距离测量；其中，最佳情况为间距补偿单元2与探针42一一对应，即每个间距补偿单元2仅对应于一个探针42，每个间距补偿单元2能够对探针层上固定了对应的探针42的位置进行垂直间距补偿。其中，多个探针42能够对被测工件5上的待操作表面的三维形貌进行扫描测量，操作装置能够对样品(例如为晶圆、硅片、石英片等)的待操作表面进行物理量和化学量的测量、扫描探针光刻(Scanning probe lithography，SPL)、产生电子、产生光子，还有利用探针引入离子对待操作表面进行离子注入等。
本实施例中，传感器6能够测量操作工件4与被测工件5待操作表面上的对应位置之间的距离；具体的，每个传感器6对应的被测工件5待操作表面上的位置为被测工件5待操作表面上的一个表面区域，每个传感器6对应的表面区域位于该传感器6的正下方，即每个传感器6用于测量操作工件4与被测工件5待操作表面上对应的表面区域之间的距离，各传感器6会将测量得到的距离发送给控制系统1。表面区域可以为以下任意一种：一个像素点、由多个像素点形成的线和由多个像素点组合的面；即待操作表面上的表面区域可以按照像素点划分，每个像素点作为一个表面区域；或者，待操作表面上的表面区域按照线进行划分，每个表面区域为由相邻的多个像素点形成的线；或者，待操作表面上的表面区域按照面进行划分，每个表面区域为由相邻的多个像素点组合形成的面。
控制系统1用于根据各传感器6测量得到的距离，控制各间距补偿单元2对操作工件4上对应的目标部分与被测工件5之间的距离进行调整，以使操作工件4与被测工件5相对的两个面的形状匹配；目标部分为操作工件4上与间距补偿单元2重叠的部分。
由于操作工件4的下表面的形状与被测工件5的待操作表面的形状相匹配，控制系统在对操作工件4在垂直方向上进行上下调整时，仍然能够保持操作工件4的下表面相对于被测工件5的待操作表面的距离一致，便于操作工件4对被测工件5进行测量或加工等操作。下面对间距补偿过程进行详细说明，具体如下：
在间距补偿单元2的数量为1个时，请参考图2，控制系统1在接收到所有的传感器6测量的距离后，基于与间距补偿单元2对应的第一部分所包含的12个传感器6测量的距离，能够得到操作工件4上与间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离，例如计算与间距补偿单元2对应的多个传感器6测量的距离的均值作为该间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离Ha；将操作工件4上与间距补偿单元2无空间上重叠的部分记作参照部分，第二部分所包含的12个传感器6固定在参照部分上，由此能够基于第二部分所包含的12个传感器6测量的距离，得到参照部分与被测工件5之间的距离Hb；控制系统1将距离Ha减去距离Hb，能够得到操作工件4的目标部分与参照部分相对于待操作表面之间的距离差△Hab，这个距离差反应了被测工件5的待操作表面的起伏与操作工件4的下表面的起伏，由于操作工件4的目标部分与间距补偿单元2固定在一起，由此可以通过调整该间距补偿单元2的厚度，对操作工件4的目标部分与被测工件5的待操作表面之间的距离进行调整，以使操作工件4的目标部分与参照部分相对于待操作表面的距离相等；具体的，当△Hab大于0时，说明操作工件4的目标部分与待操作表面之间的距离Ha大于操作工件4的参照部分与待操作表面之间的距离Hb，此时生成用于控制间距补偿单元2的厚度减小△Hab的控制信号，继而间距补偿单元2在接收到该控制信号后能够调整自身的厚度减小△Hab，使得操作工件4的目标部分与参照部分相对于待操作表面的距离相等；当△Hab小于0时，说明操作工件4的目标部分与待操作表面之间的距离Ha小于操作工件4的参照部分与待操作表面之间的距离Hb，此时生成用于控制间距补偿单元2的厚度增加△Hab的控制信号，继而间距补偿单元2在接收到该控制信号后能够调整自身的厚度增加△Hab，使得操作工件4的目标部分与参照部分相对于待操作表面的距离相等，请参考图3。
在间距补偿单元2的数量为多个时，间距补偿单元2的数量越多，间距补偿的效果越好，即间距补偿后的操作工件4与被测工件5相对的两个面的形状匹配度越高。
控制系统1能够根据各间距补偿单元2对应的传感器6测量的距离，得到各间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离。
控制系统1用于控制每个间距补偿单元2对对应的目标部分与被测工件5之间的距离进行调整，调整后的各间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离相等，以使操作工件4与被测工件5相对的两个面的形状匹配。
在一个例子中，控制系统1用于基于各间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离与参考目标间距值之间的差值，生成各间距补偿单元2对应的用于控制距离等于参考目标间距值的控制信号；间距补偿单元2用于根据接收到的控制信号，调整对应的目标部分与被测工件5之间的距离等于参考目标间距值。
控制系统1用于在存在任一间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值时，选取小于预设目标间距值的目标部分与被测工件之间的距离作为参考目标间距值。
控制系统1用于在不存在任一间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值时，控制第一支撑层3带动操作工件4朝向被测工件5运动，以使任一间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值。
以图4的操作装置为例，多个间距补偿单元2相当于将操作工件4划分为了多个目标部分，控制系统1在接收到所有的传感器6发送的距离后，对于每个间距补偿单元2，基于与该间距补偿单元2对应的3个传感器所测量得到的距离，计算得到该间距补偿单元2所对应的操作工件4上的目标部分与被测工件5之间的距离，由此能够得到操作工件4的各个目标部分与被测工件5之间的距离，各目标部分与被测工件之间的距离值的变化，反应了被测工件5的待操作表面的起伏变化与操作工件4的下表面的起伏变化。
控制系统1中预设了一个目标间距值，预设目标间距值为操作工件4对被测工件5进行测量或加工的有效距离；若存在任一目标部分与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值，则可以从中选取一个小于预设目标间距值的距离作为参考目标间距值。
若不存在任一目标部分与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值，则说明操作工件4整体距离被测工件5较远，此时仅通过间距补偿单元2无法使得操作工件4进入对被测工件5进行测量或加工的有效距离；控制系统1先通过第一支撑层3内置的驱动装置，或者与第一支撑层3连接驱动装置，驱动第一支撑层3带动操作工件4朝向被测工件5，使得操作工件4整体接近被测工件5，并在运动过程中持续进行距离检测，直至操作工件4的至少一个目标部分与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值。当存在任一目标部分与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值时，则可以从中选取一个小于预设目标间距值的距离作为参考目标间距值。
控制系统1在选定了参考目标间距值后，将各目标部分与被测工件5之间的距离减去该参考目标间距值，得到各目标部分待调整的距离差值，控制信号会基于各目标部分待调整的距离差值，生成各目标部分对应的控制信号，并将各目标部分对应的控制信号分别发送与各目标部分对应的间距补偿单元2，各间距补偿单元2则会根据接收到的控制信号对自身的厚度进行调整，使得对应的目标部分与被测工件5之间的距离等于参考目标间距值。
以图4中的间距补偿单元2A为例，将间距补偿单元2H与被测工件5的表面之间的距离作为参考目标间距值Hc，间距补偿单元2A对应的目标部分与被测工件5之间的距离即为H1，控制系统1计算距离H1减去参考目标间距值Hc的差值△H1c，差值△H1c表征了该间距补偿单元2A所需调整的厚度，当△H1c大于0时，说明该间距补偿单元2A对应的目标部分与被测工件5之间的距离H1大于参考目标间距值Hc，此时生成用于控制间距补偿单元2A的厚度减小△H1c的控制信号，继而间距补偿单元2A在接收到该控制信号后能够调整自身的厚度减小△H1c，使得该间距补偿单元2A对应的目标部分与被测工件5之间的距离H1等于参考目标间距值Hc；当△H1c小于0时，说明该间距补偿单元2A对应的目标部分与被测工件5之间的距离H1小于参考目标间距值Hc，此时生成用于控制间距补偿单元2A的厚度增加△H1c的控制信号，继而间距补偿单元2A在接收到该控制信号后能够调整自身的厚度增加△H1c b，使得该间距补偿单元2A对应的目标部分与被测工件5之间的距离Ha等于参考目标间距值Hc。
重复上述过程，能够使得各个间距补偿单元2(间距补偿单元2B至间距补偿单元2G)所对应的目标部分与被测工件5之间的距离均等于参考目标间距值Hc，由此实现了对操作工件4所包含的多个目标部分的分布式距离补偿，使得操作工件4的下表面与被测工件5的待操作表面的形状匹配，请参考图5。
本实施例中，间距补偿单元2由以下任意之一组成：压电元件、热膨胀元件以及平板电容。
在间距补偿单元2由压电元件构成时，压电元件可以根据被施加的电压在厚度方向上(即垂直方向)产生形变，此时控制系统1能够基于间距补偿单元2所需调整的厚度变化量生成相应电压的控制信号，该电压被施加到压电元件上，使得压电元件的厚度发生变化，即能够对间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离进行调整。
在间距补偿单元2由热膨胀元件以及与热膨胀元件相邻设置的加热元件构成时，热膨胀元件能够根据温度在厚度方向上(即垂直方向)产生形变，此时控制系统1基于间距补偿单元2所需调整的厚度变化量生成相应电压的控制信号，该控制信号被施加到加热元件上，由此可以控制加热元件的温度，继而加热元件能够将热膨胀元件进行加热，使得热膨胀元件的厚度产生变化，即能够对间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离进行调整。
在间距补偿单元2由平板电容构成时，平板电容的两个平板的间距可以根据被施加的电压在厚度方向上(即垂直方向)产生变化，由此控制系统1能够基于间距补偿单元2所需调整的厚度变化量生成相应电压的控制信号，该电压被施加到平板电容上，使得平板电容的两个平板的间距产生相应的变化，从而能够调节第一工件32在垂直方向上的高度，即能够对间距补偿单元2对应的目标部分与被测工件5之间的距离进行调整。
本实施例提供了一种操作装置，包括：控制系统、至少一个间距补偿单元、第一支撑层、操作工件，以及设置在所述操作工件上且朝向被测工件的多个传感器，控制系统与各间距补偿单元通信连接、控制系统与各传感器通信连接；第一支撑层与操作工件通过间距补偿单元固定在一起；第二支撑层与被测工件固定在一起；每个间距补偿单元对应于至少一个传感器，每个间距补偿单元与操作工件的一部分在空间上重叠，与间距补偿单元对应的传感器设置在操作工件与间距补偿单元重叠的部分上；传感器能够测量操作工件与被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离，控制系统则能够根据各传感器测量得到的距离，控制各间距补偿单元对操作工件上对应的目标部分与被测工件之间的距离进行调整，目标部分为操作工件与间距补偿单元重叠的部分，调整后的操作工件与被测工件相对的两个面的形状匹配。即能够将操作工件的下表面分为多个部分进行分布式间距补偿，分布式间距补偿后的操作工件与被测工件相对的两个面的形状匹配，使得操作工件的下表面与被测工件的待操作表面之间的距离保持相对一致，便于操作工件对被测工件进行测量或加工等操作，提升了操作工件的测量和加工精度。
本发明的第二实施例涉及一种操作装置，用于对待操作样品进行测量或加工操作，待操作样品例如为晶圆、硅片、石英片等，以样品为晶圆为例，操作装置能够对晶圆表面的三维形貌进行测量、对晶圆表面的光刻胶进行加工、对晶圆表面进行纳米压印操作等。
请参考图1、图9至图12，操作装置包括：控制系统1、至少一个间距补偿单元2、第一支撑层3以及多个传感器6。其中，所述多个传感器6朝向固定在第二支撑层7上的被测工件5，被测工件5即为待操作样品。控制系统1可以为包括控制器、处理器等的电脑主机、笔记本电脑等，传感器6可以为具有测距功能的传感器，例如为光子传感器、激光测距传感器、电子传感器、离子传感器或原子力传感器等。需要说明的是，本实施例以及之后的实施例中均以操作工件4位于被测工件5的正上方为例进行说明。
本实施例中，以多个传感器6为多个探针为例，多个传感器6形成面可以为多个探针的针尖所形成的面；多个探针能够对被测工件5上的待操作表面的三维形貌进行扫描测量，此时操作装置能够对样品(例如为晶圆、硅片、石英片等)的待操作表面进行物理量和化学量的测量、扫描探针光刻(Scanning probe lithography，SPL)、产生电子、产生光子，还有利用探针引入离子对待操作表面进行离子注入等。
控制系统1与各间距补偿单元2通信连接、控制系统1与各传感器6通信连接；每个间距补偿单元2对应于至少一个传感器6，即每个间距补偿单元2对应的传感器6的数量可以为一个或多个；间距补偿单元2的一面固定在第一支撑层3上，间距补偿单元2的另一面固定有对应的传感器6；由此，每个间距补偿单元2朝向被测工件5的面上均固定有对应的传感器6，当存在与任一间距补偿单元2均不对应的传感器6时，可以在操作装置的第一支撑层3的下表面上设置支撑辅件8，支撑辅件8的厚度与间距补偿单元2的初始厚度相同，支撑辅件8朝向被测工件5的面上固定有与任一间距补偿单元2均不对应的传感器6。
如图9与图10所示，间距补偿单元2的数量为1个，间距补偿单元2固定在第一支撑层3上，将多个传感器6平均分为两部分(图中以传感器6的数量为24个为例)，第一部分所包含的12个传感器6与间距补偿单元2对应，第一部分包含的传感器6固定在间距补偿单元2朝向被测工件5的面上，第二部分所包含的12个传感器6则固定在支撑辅件8朝向被测工件5的面上。
如图11与图12所示，间距补偿单元2的数量为多个，多个间距补偿单元2可以均匀分布在第一支撑层3上，即多个间距补偿单元2均匀设置在第一支撑层3的下表面上，相邻的间距补偿单元2之间存在间隙，各间距补偿单元2对应的传感器6的数量可以相等或不相等，每个传感器6均对应于一个间距补偿单元2，各传感器6固定在操作工件4的下表面上与传感器6对应的间距补偿单元2在空间上重叠的部分；图11与图12中，以各间距补偿单元2对应的传感器6的数量均为3个为例，图11与图12中以间距补偿单元2的数量为8个为例，分别记为间距补偿单元2A至2H。
本实施例中，传感器6能够测量对应的间距补偿单元2与被测工件5上的对应位置之间的距离。具体的，传感器6为探针，则传感器6能够测量探针的针尖与被测工件上的对应位置之间的距离；若间距补偿单元2仅对应于一个传感器6，则该传感器6测量得到的距离，即为间距补偿单元2与被测工件5之间的距离；若间距补偿单元2对应于多个传感器6，则可以计算这多个传感器6测量得到的距离均值，作为该间距补偿单元2与被测工件5之间的距离。
其中，传感器6对应的被测工件5待操作表面上的位置为被测工件5待操作表面上的一个表面区域，每个传感器6对应的表面区域位于该传感器6的正下方，即每个传感器6用于测量对应的间距补偿单元2与被测工件5的待操作表面上对应的表面区域之间的距离，各传感器6会将测量得到的距离发送给控制系统1。表面区域可以为以下任意一种：一个像素点、由多个像素点形成的线和由多个像素点组合的面；即被测工件5的待操作表面上的表面区域可以按照像素点划分，每个像素点作为一个表面区域；或者，被测工件5的待操作表面上的表面区域按照线进行划分，每个表面区域为由相邻的多个像素点形成的线；或者，被测工件5的待操作表面上的表面区域按照面进行划分，每个表面区域为由相邻的多个像素点组合形成的面。
控制系统1用于根据各传感器6测量得到的距离，控制调整各间距补偿单元2与被测工件5之间的距离，以使由多个传感器6形成的面与被测工件5的待操作表面的形状匹配。
由于多个传感器6形成的面的形状与被测工件5的待操作表面的形状相匹配，控制系统在控制第一支撑层3在垂直方向上进行上下调整时，仍然能够保持多个传感器6形成的面相对于被测工件5的待操作表面的距离一致，便于操作装置利用多个传感器6对被测工件5进行测量或加工等操作。下面对间距补偿过程进行详细说明，具体如下：
在间距补偿单元2的数量为1个时，请参考图9，控制系统1在接收到所有的传感器6测量的距离后，基于与间距补偿单元2对应的第一部分所包含的12个传感器6测量的距离，能够得到间距补偿单元2与被测工件5之间的距离，例如计算与间距补偿单元2对应的多个传感器6测量的距离的均值作为该间距补偿单元2与被测工件5之间的距离Ha；第二部分所包含的12个传感器6则固定在支撑辅件8朝向被测工件5的面上，由此能够基于第二部分所包含的12个传感器6测量的距离，得到支撑辅件8与被测工件5之间的距离Hb；控制系统1将距离Ha减去距离Hb，能够得到间距补偿单元2与支撑辅件8相对于被测工件5的待操作表面之间的距离差△Hab，这个距离差反应了多个传感器6所形成的面的起伏与被测工件5的待操作表面的起伏，由于第一部分所包含的12个传感器6与间距补偿单元2固定在一起，由此可以通过调整该间距补偿单元2的厚度，对第一部分所包含的12个传感器6形成的面与被测工件5的待操作表面之间的距离进行调整，以第一部分所包含的12个传感器6形成的面与第二部分所包含的12个传感器6形成的面相对于待操作表面的距离相等；具体的，当△Hab大于0时，说明间距补偿单元2与待操作表面之间的距离Ha大于支撑辅件8与待操作表面之间的距离Hb，此时生成用于控制间距补偿单元2的厚度减小△Hab的控制信号，继而间距补偿单元2在接收到该控制信号后能够调整自身的厚度减小△Hab，使得第一部分所包含的12个传感器6形成的面与第二部分所包含的12个传感器6形成的面相对于待操作表面的距离相等；当△Hab小于0时，说明间距补偿单元2与待操作表面之间的距离Ha小于支撑辅件8与待操作表面之间的距离Hb，此时生成用于控制间距补偿单元2的厚度增大△Hab的控制信号，继而间距补偿单元2在接收到该控制信号后能够调整自身的厚度增大△Hab，使得第一部分所包含的12个传感器6形成的面与第二部分所包含的12个传感器6形成的面相对于待操作表面的距离相等，请参考图10。
在间距补偿单元2的数量为多个时，间距补偿单元2的数量越多，间距补偿的效果越好，即间距补偿后的多个传感器6所形成的面与被测工件5的待操作表面的形状匹配度越高。其中，可以设置每个传感器6对应于一个间距补偿单元2，此时无需在操作装置中设置支撑辅件8。
控制系统1能够根据各间距补偿单元2对应的传感器6测量的距离，得到各间距补偿单元2与被测工件5之间的距离。
控制系统1用于控制各间距补偿单元2调整到与被测工件5之间的距离相等，以使由多个传感器6形成的面与被测工件5的待操作表面的形状匹配。
在一个例子中，控制系统1用于基于各间距补偿单元2与被测工件5之间的距离与参考目标间距值之间的差值，生成各间距补偿单元2对应的用于控制距离等于参考目标间距值的控制信号。
间距补偿单元2用于根据接收到的控制信号，调整与被测工件5之间的距离等于参考目标间距值。
控制系统1用于在存在任一间距补偿单元2与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值时，选取小于预设目标间距值的间距补偿单元2与被测工件5之间的距离作为参考目标间距值。
控制系统1用于在不存在任一间距补偿单元2与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值时，控制第一支撑层带动间距补偿单元2朝向被测工件5运动，以使任一间距补偿单元1与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值。
以图11的操作装置为例，控制系统1在接收到所有的传感器6发送的距离后，对于每个间距补偿单元2，基于与该间距补偿单元2对应的3个传感器所测量得到的距离，计算得到该间距补偿单元2与被测工件5之间的距离，由此能够得到各间距补偿单元2与被测工件5之间的距离，各间距补偿单元2与被测工件5之间的距离值的变化，反应了被测工件5的待操作表面的起伏变化与多个传感器6形成的面的起伏变化。
控制系统1中预设了一个目标间距值，预设目标间距值为操作装置对被测工件5进行测量或加工的有效距离；若存在任一间距补偿单元2与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值，则可以从中选取一个小于预设目标间距值的距离作为参考目标间距值。
若不存在任一间距补偿单元2与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值，则说明第一支撑层3上的多个传感器6整体距离被测工件5较远，此时仅通过间距补偿单元2无法使得多个传感器6进入对被测工件5进行测量或加工的有效距离；控制系统1先通过第一支撑层3内置的驱动装置，或者与第一支撑层3连接驱动装置，驱动第一支撑层3带动多个间距补偿单元2朝向被测工件5，使得多个间距补偿单元2整体接近被测工件5，并在运动过程中持续进行距离检测，直至至少一个间距补偿单元2与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值。当存在任一间距补偿单元2与被测工件5之间的距离小于预设目标间距值时，则可以从中选取一个小于预设目标间距值的距离作为参考目标间距值。
控制系统1在选定了参考目标间距值后，将各间距补偿单元2与被测工件5之间的距离减去该参考目标间距值，得到各间距补偿单元2待调整的距离差值，控制信号会基于各间距补偿单元2待调整的距离差值，生成各间距补偿单元2对应的控制信号，并将各控制信号分别发送到对应的间距补偿单元2，各间距补偿单元2则会根据接收到的控制信号对自身的厚度进行调整，使得间距补偿单元2与被测工件5之间的距离等于参考目标间距值。
以图11中的间距补偿单元2A为例，将间距补偿单元2H与被测工件5的表面之间的距离作为参考目标间距值Hc，该间距补偿单元2A与被测工件5之间的距离即为H1，控制系统1计算距离H1减去参考目标间距值Hc的差值△H1c，差值△H1c表征了该间距补偿单元2A所需调整的厚度，当△H1c大于0时，说明该间距补偿单元2A与被测工件5之间的距离H1大于参考目标间距值Hc，此时生成用于控制间距补偿单元2A的厚度减小△H1c的控制信号，继而间距补偿单元2A在接收到该控制信号后能够调整自身的厚度减小△H1c，使得该间距补偿单元2A与被测工件5之间的距离H1等于参考目标间距值Hc；当△H1c小于0时，说明该间距补偿单元2A与被测工件5之间的距离H1小于参考目标间距值Hc，此时生成用于控制间距补偿单元2A的厚度增加△H1c的控制信号，继而间距补偿单元2A在接收到该控制信号后能够调整自身的厚度增加△H1cb，使得该间距补偿单元2A与被测工件5之间的距离Ha等于参考目标间距值Hc。
重复上述过程，能够使得各个间距补偿单元2(间距补偿单元2B至间距补偿单元2G)与被测工件5之间的距离均等于参考目标间距值Hc，各间距补偿单元2上的传感器形成的面被测工件5的待操作表面的距离相等，由此实现了多个间距补偿单元2的分布式距离补偿，使得多个传感器6形成的面与被测工件5的待操作表面的形状匹配，请参考图12。
本实施例中，间距补偿单元2由以下任意之一组成：压电元件、热膨胀元件以及平板电容。
在间距补偿单元2由压电元件构成时，压电元件可以根据被施加的电压在厚度方向上(即垂直方向)产生形变，此时控制系统1能够基于间距补偿单元2所需调整的厚度变化量生成相应电压的控制信号，该电压被施加到压电元件上，使得压电元件的厚度发生变化，即能够对间距补偿单元2与被测工件5之间的距离进行调整。
在间距补偿单元2由热膨胀元件以及与热膨胀元件相邻设置的加热元件构成时，热膨胀元件能够根据温度在厚度方向上(即垂直方向)产生形变，此时控制系统1基于间距补偿单元2所需调整的厚度变化量生成相应电压的控制信号，该控制信号被施加到加热元件上，由此可以控制加热元件的温度，继而加热元件能够将热膨胀元件进行加热，使得热膨胀元件的厚度产生变化，即能够对间距补偿单元2与被测工件5之间的距离进行调整。
在间距补偿单元2由平板电容构成时，平板电容的两个平板的间距可以根据被施加的电压在厚度方向上(即垂直方向)产生变化，由此控制系统1能够基于间距补偿单元2所需调整的厚度变化量生成相应电压的控制信号，该电压被施加到平板电容上，使得平板电容的两个平板的间距产生相应的变化，从而能够调节第一工件32在垂直方向上的高度，即能够对间距补偿单元2与被测工件5之间的距离进行调整。
本实施例提供了一种操作装置，包括：控制系统、至少一个间距补偿单元、第一支撑层、第二支撑层、被测工件以及多个传感器，控制系统与各间距补偿单元通信连接、控制系统与各传感器通信连接；每个间距补偿单元对应于至少一个传感器，间距补偿单元的一面固定在第一支撑层上，间距补偿单元的另一面固定有对应的传感器；传感器用于测量对应的间距补偿单元与被测工件上的对应位置之间的距离；控制系统用于根据各传感器测量得到的距离，控制调整各间距补偿单元与被测工件之间的距离，经过调整后，由多个传感器形成的面与被测工件的待操作表面的形状匹配。即能够将多个传感器形成的面分为多个部分进行分布式间距补偿，分布式间距补偿后的多个传感器形成的面与被测工件的待操作表面的形状匹配，使得多个传感器所形成的面与被测工件的待操作表面之间的距离保持相对一致，便于操作装置利用多个传感器对被测工件进行测量或加工等操作，提升了对被测工件进行测量和加工的精度。
本发明第三实施例涉及一种两个工件之间的分布式间距补偿方法，应用于第一实施例中的操作装置。操作装置可以采用本实施例中的两个工件之间的分布式间距补偿方法进行垂直间距补偿。
本实施例的两个工件之间的分布式间距补偿方法的具体流程如图13所示。
步骤101，通过多个传感器测量操作工件与被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离。
步骤102，根据各传感器测量得到的距离，控制各间距补偿单元对操作工件上对应的目标部分与被测工件之间的距离进行调整，以使操作工件与被测工件相对的两个面的形状匹配；目标部分为操作工件与间距补偿单元重叠的部分。
由于第一实施例与本实施例相互对应，因此本实施例可与第一实施例互相配合实施。第一实施例中提到的相关技术细节在本实施例中依然有效，在第一实施例中所能达到的技术效果在本实施例中也同样可以实现，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施例中提到的相关技术细节也可应用在第一实施例中。
本实施例中，操作装置中的传感器能够测量操作工件与被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离，控制系统则能够根据各传感器测量得到的距离，控制各间距补偿单元对操作工件上对应的目标部分与被测工件之间的距离进行调整，目标部分为操作工件与间距补偿单元重叠的部分，调整后的操作工件与被测工件相对的两个面的形状匹配。即能够将操作工件的下表面分为多个部分进行分布式间距补偿，分布式间距补偿后的操作工件与被测工件相对的两个面的形状匹配，使得操作工件的下表面与被测工件的待操作表面之间的距离保持相对一致，便于操作工件对被测工件进行测量或加工等操作，提升了操作工件的测量和加工精度。
本发明第四实施例涉及一种两个工件之间的分布式间距补偿方法，应用于第二实施例中的操作装置。
本实施例的两个工件之间的分布式间距补偿方法的具体流程如图14所示。
步骤201，通过多个传感器测量对应的间距补偿单元与被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离。
步骤202，根据各传感器测量得到的距离，控制各间距补偿单元对间距补偿单元与被测工件之间的距离进行调整，以使由多个传感器形成的面与被测工件的待操作表面的形状匹配。
由于第二实施例与本实施例相互对应，因此本实施例可与第二实施例互相配合实施。第二实施例中提到的相关技术细节在本实施例中依然有效，在第二实施例中所能达到的技术效果在本实施例中也同样可以实现，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施例中提到的相关技术细节也可应用在第二实施例中。
本实施例中，操作装置中的传感器用于测量对应的间距补偿单元与被测工件上的对应位置之间的距离；控制系统用于根据各传感器测量得到的距离，控制调整各间距补偿单元与被测工件之间的距离，经过调整后，由多个传感器形成的面与被测工件的待操作表面的形状匹配。即能够将多个传感器形成的面分为多个部分进行分布式间距补偿，分布式间距补偿后的多个传感器形成的面与被测工件的待操作表面的形状匹配，使得多个传感器所形成的面与被测工件的待操作表面之间的距离保持相对一致，便于操作装置利用多个传感器对被测工件进行测量或加工等操作，提升了对被测工件进行测量和加工的精度。
以上已详细描述了本发明的较佳实施例，但应理解到，若需要，能修改实施例的方面来采用各种专利、申请和出版物的方面、特征和构思来提供另外的实施例。
考虑到上文的详细描述，能对实施例做出这些和其它变化。一般而言，在权利要求中，所用的术语不应被认为限制在说明书和权利要求中公开的具体实施例，而是应被理解为包括所有可能的实施例连同这些权利要求所享有的全部等同范围。

Claims (18)

1.一种操作装置，其特征在于，包括：控制系统、至少一个间距补偿单元、第一支撑层、操作工件，以及设置在所述操作工件上且朝向被测工件的多个传感器；所述被测工件固定在第二支撑层上，所述控制系统与各所述间距补偿单元通信连接、所述控制系统与各所述传感器通信连接；所述第一支撑层与所述操作工件通过所述间距补偿单元固定在一起；
每个所述间距补偿单元对应于至少一个所述传感器，每个所述间距补偿单元与所述操作工件的一部分在空间上重叠，与所述间距补偿单元对应的所述传感器设置在所述操作工件与所述间距补偿单元重叠的部分上；
所述传感器用于测量所述操作工件与所述被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离；
所述控制系统用于根据各所述传感器测量得到的距离，控制各所述间距补偿单元对所述操作工件上对应的目标部分与所述被测工件之间的距离进行调整，以使所述操作工件与所述被测工件相对的两个面的形状匹配；所述目标部分为所述操作工件与所述间距补偿单元重叠的部分。
2.根据权利要求1所述的操作装置，其特征在于，所述间距补偿单元的数量为多个，每个所述传感器对应于一个所述间距补偿单元；
所述控制系统用于根据各所述间距补偿单元对应的所述传感器测量的距离，得到各所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离；
所述控制系统用于控制每个所述间距补偿单元对对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离进行调整，调整后的各所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离相等，以使所述操作工件与所述被测工件相对的两个面的形状匹配。
3.根据权利要求2所述的操作装置，其特征在于，所述控制系统用于基于各所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离与参考目标间距值之间的差值，生成各所述间距补偿单元对应的用于控制距离等于所述参考目标间距值的控制信号；
所述间距补偿单元用于根据接收到的所述控制信号，调整对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离等于所述参考目标间距值。
4.根据权利要求3所述的操作装置，其特征在于，所述控制系统用于在存在任一所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离小于预设目标间距值时，选取小于所述预设目标间距值的所述目标部分与所述被测工件之间的距离作为所述参考目标间距值；
所述控制系统用于在不存在任一所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离小于预设目标间距值时，控制所述第一支撑层带动所述操作工件朝向所述被测工件运动，以使任一所述间距补偿单元对应的所述目标部分与所述被测工件之间的距离小于预设目标间距值。
5.根据权利要求2所述的操作装置，其特征在于，多个所述间距补偿单元设置在所述操作工件与所述第一支撑层之间，多个所述间距补偿单元均匀分布在所述操作工件上。
6.根据权利要求1所述的操作装置，其特征在于，所述操作工件为探针层，多个所述传感器为设置在所述探针层的多个探针。
7.根据权利要求1所述的操作装置，其特征在于，各所述间距补偿单元对应于相同数量的所述传感器。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的操作装置，其特征在于，所述间距补偿单元由以下任意之一组成：压电元件、热膨胀元件以及平板电容。
9.一种操作装置，其特征在于，包括：控制系统、至少一个间距补偿单元、第一支撑层、以及多个传感器，所述多个传感器朝向固定在第二支撑层上的被测工件；
所述控制系统与各所述间距补偿单元通信连接、所述控制系统与各所述传感器通信连接；每个所述间距补偿单元对应于至少一个所述传感器，所述间距补偿单元的一面固定在所述第一支撑层上，所述间距补偿单元的另一面固定有对应的所述传感器；
所述传感器用于测量对应的所述间距补偿单元与所述被测工件上的对应位置之间的距离；
所述控制系统用于根据各所述传感器测量得到的距离，控制调整各所述间距补偿单元与所述被测工件之间的距离，以使由所述多个传感器形成的面与所述被测工件的待操作表面的形状匹配。
10.根据权利要求9所述的操作装置，其特征在于，所述间距补偿单元的数量为多个，每个所述传感器对应于一个所述间距补偿单元；
所述控制系统用于根据各所述间距补偿单元对应的所述传感器测量的距离，得到各所述间距补偿单元与所述被测工件之间的距离；
所述控制系统用于控制各所述间距补偿单元调整到与所述被测工件之间的距离相等，以使由所述多个传感器形成的面与所述被测工件的待操作表面的形状匹配。
11.根据权利要求10所述的操作装置，其特征在于，所述控制系统用于基于各所述间距补偿单元与所述被测工件之间的距离与参考目标间距值之间的差值，生成各所述间距补偿单元对应的用于控制距离等于所述参考目标间距值的控制信号；
所述间距补偿单元用于根据接收到的所述控制信号，调整与所述被测工件之间的距离等于所述参考目标间距值。
12.根据权利要求11所述的操作装置，其特征在于，所述控制系统用于在存在任一所述间距补偿单元与所述被测工件之间的距离小于预设目标间距值时，选取小于所述预设目标间距值的所述间距补偿单元与所述被测工件之间的距离作为所述参考目标间距值；
所述控制系统用于在不存在任一所述间距补偿单元与所述被测工件之间的距离小于预设目标间距值时，控制所述第一支撑层带动所述间距补偿单元朝向所述被测工件运动，以使任一所述间距补偿单元与所述被测工件之间的距离小于预设目标间距值。
13.根据权利要求9所述的操作装置，其特征在于，多个所述间距补偿单元均匀分布在所述第一支撑层上。
14.根据权利要求9所述的操作装置，其特征在于，各所述间距补偿单元对应于相同数量的所述传感器。
15.根据权利要求9所述的操作装置，其特征在于，多个所述传感器为多个探针。
16.根据权利要求9至15所述的操作装置，其特征在于，所述间距补偿单元由以下任意之一组成：压电元件、热膨胀元件以及平板电容。
17.一种两个工件之间的分布式间距补偿方法，其特征在于，应用于权利要求1至8中任一项所述的操作装置，所述方法包括：
通过多个传感器测量操作工件与被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离；
根据各所述传感器测量得到的距离，控制各间距补偿单元对操作工件上对应的目标部分与所述被测工件之间的距离进行调整，以使所述操作工件与所述被测工件相对的两个面的形状匹配；所述目标部分为所述操作工件与所述间距补偿单元重叠的部分。
18.一种两个工件之间的分布式间距补偿方法，其特征在于，应用于权利要求9至16中任一项所述的操作装置，所述方法包括：
通过多个传感器测量对应的间距补偿单元与所述被测工件待操作表面上的对应位置之间的距离；
根据各所述传感器测量得到的距离，控制各所述间距补偿单元对所述间距补偿单元与所述被测工件之间的距离进行调整，以使由所述多个传感器形成的面与所述被测工件的待操作表面的形状匹配。
CN202210146129.8A 2022-02-17 2022-02-17 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法 Pending CN114530400A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210146129.8A CN114530400A (zh) 2022-02-17 2022-02-17 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法
PCT/CN2023/076068 WO2023155788A1 (zh) 2022-02-17 2023-02-15 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210146129.8A CN114530400A (zh) 2022-02-17 2022-02-17 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114530400A true CN114530400A (zh) 2022-05-24

Family

ID=81623302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210146129.8A Pending CN114530400A (zh) 2022-02-17 2022-02-17 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN114530400A (zh)
WO (1) WO2023155788A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023155788A1 (zh) * 2022-02-17 2023-08-24 百及纳米科技(上海)有限公司 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09306816A (ja) * 1996-05-16 1997-11-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のアッシング方法とこれに使用するアッシング装置
JP2006344678A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Toshiba Corp 熱処理方法および熱処理装置
CN110854052A (zh) * 2019-10-11 2020-02-28 长江存储科技有限责任公司 一种平行度校准方法、装置及计算机存储介质
CN111501099A (zh) * 2020-04-26 2020-08-07 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备
CN112158587A (zh) * 2020-10-10 2021-01-01 广东博智林机器人有限公司 工件抓取装置的调节方法及工件抓取装置
CN112643674B (zh) * 2020-12-15 2022-07-12 北京配天技术有限公司 机器人跟随加工工件表面补偿方法、机器人及存储装置
CN114530400A (zh) * 2022-02-17 2022-05-24 前微科技(上海)有限公司 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023155788A1 (zh) * 2022-02-17 2023-08-24 百及纳米科技(上海)有限公司 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023155788A1 (zh) 2023-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4528451A (en) Gap control system for localized vacuum processing
US6032083A (en) Substrate transfer apparatus and heat treatment system using the same
US11347144B2 (en) Overlay improvement in nanoimprint lithography
KR102437117B1 (ko) 그린 시트 세라믹 상의 금속화 재료들의 서브-미크론 균일성을 갖는 정밀 스크린 프린팅
TW201629264A (zh) 用於間隙偵測的智能止動器及控制機制
JP4050459B2 (ja) ２つの対象物の位置を検出するための装置
WO2023155788A1 (zh) 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法
JPH03218046A (ja) ２次元位置決め装置
JP5089166B2 (ja) プローブカードアナライザにおける部品のたわみの影響を軽減する方法
KR100663939B1 (ko) 진공용 대변위 나노 스테이지
KR102354619B1 (ko) 나노임프린트 리소그래피에서의 템플릿 변형의 실시간 보정
JP2006118867A (ja) 走査型プローブ顕微鏡及びそれを用いた計測方法
WO2023155789A1 (zh) 操作装置与两个工件在相对运动中的间距补偿方法
JPH0636997A (ja) 電子線描画装置
JP2012133122A (ja) 近接露光装置及びそのギャップ測定方法
JPH0628222B2 (ja) プロキシミテイ方式の露光装置
KR20220085719A (ko) 평탄화 장치, 평탄화 공정 및 물품 제조 방법
JP6101603B2 (ja) ステージ装置および荷電粒子線装置
JP2003097943A (ja) 移動ステージの真直度測定方法および装置とこれを用いた三次元形状測定機
JP5009560B2 (ja) 薄片状の被測定物の形状測定装置
JP2008096908A (ja) 基板保持機構及びフラットパネルディスプレイ基板用露光装置の基板保持方法
JP2000349043A (ja) 矩形ビーム用精密焦点合せ方法
JP2001159515A (ja) 平面度測定方法および平面度測定装置
JPH08241849A (ja) 露光装置
EP2706411A1 (en) Centre of mass calibration method for coarse stage of lithography equipment

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20220915

Address after: 201807 room jt22541, building 4, zone B, No. 925, Yecheng Road, industrial zone, Jiading District, Shanghai

Applicant after: Baiji Nanotechnology (Shanghai) Co.,Ltd.

Address before: 201206 floor 2, building 13, No. 27, Xinjinqiao Road, China (Shanghai) pilot Free Trade Zone, Shanghai

Applicant before: Qianwei Technology (Shanghai) Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right