JPH0636997A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
- Publication number
- JPH0636997A JPH0636997A JP4187856A JP18785692A JPH0636997A JP H0636997 A JPH0636997 A JP H0636997A JP 4187856 A JP4187856 A JP 4187856A JP 18785692 A JP18785692 A JP 18785692A JP H0636997 A JPH0636997 A JP H0636997A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- electron beam
- sample
- control system
- drawing apparatus
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 描画精度に悪影響を与える温度ドリフトの問
題を解消することができるようにする。 【構成】 偏向系を介して電子ビームを試料に照射する
と共に、試料をＸ駆動テーブル１４及びＹ駆動テーブル
１５により移動させて描画などの処理を行う電子線描画
装置であって、システム制御計算機１９によって前記試
料またはＸ駆動テーブル１４の時間経過に伴う温度変化
量、及び前記試料またはＸ駆動テーブル１４の熱膨張係
数、描画時間、及び前記温度変化算出結果などに基づい
て温度ドリフト補正量をシステム制御計算機１９により
求め、その温度ドリフト補正量に基づいて偏向系を偏向
制御系２０で制御し、或いはスケール座標系をテーブル
座標制御系２１によって制御する。
題を解消することができるようにする。 【構成】 偏向系を介して電子ビームを試料に照射する
と共に、試料をＸ駆動テーブル１４及びＹ駆動テーブル
１５により移動させて描画などの処理を行う電子線描画
装置であって、システム制御計算機１９によって前記試
料またはＸ駆動テーブル１４の時間経過に伴う温度変化
量、及び前記試料またはＸ駆動テーブル１４の熱膨張係
数、描画時間、及び前記温度変化算出結果などに基づい
て温度ドリフト補正量をシステム制御計算機１９により
求め、その温度ドリフト補正量に基づいて偏向系を偏向
制御系２０で制御し、或いはスケール座標系をテーブル
座標制御系２１によって制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子線による描画技術、
特に、半導体装置の製造におけるパターン形成などに用
いて効果のある技術に関するものである。
特に、半導体装置の製造におけるパターン形成などに用
いて効果のある技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の大容量化に伴って微細化が
進み、これに伴ってマスク、レチクルに対するパターン
描画に高精度が要求されている。このような要求に対
し、電子線描画装置で問題になるのは、描画中に発生す
る試料台の温度変化である。
進み、これに伴ってマスク、レチクルに対するパターン
描画に高精度が要求されている。このような要求に対
し、電子線描画装置で問題になるのは、描画中に発生す
る試料台の温度変化である。
【０００３】従来、この対策として、試料台のベーステ
ーブルを温水により温調している。
ーブルを温水により温調している。
【０００４】描画装置内部では、真空雰囲気中を試料台
が高速に回転（移動）しており、直接温調した水を試料
台に導くことは危険が伴うために避け、間接的に非回転
のベーステーブルを温調している。
が高速に回転（移動）しており、直接温調した水を試料
台に導くことは危険が伴うために避け、間接的に非回転
のベーステーブルを温調している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、試料台のベーステーブルを温水により温調して描画
中に発生する試料台の温度変化を補償する技術は、試料
台が摩擦熱で上昇するため、この摩擦熱による温度変化
をベーステーブルの温調で対応しようとしても、応答性
が悪いという問題がある。
ば、試料台のベーステーブルを温水により温調して描画
中に発生する試料台の温度変化を補償する技術は、試料
台が摩擦熱で上昇するため、この摩擦熱による温度変化
をベーステーブルの温調で対応しようとしても、応答性
が悪いという問題がある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、描画精度に悪影
響を与える温度ドリフトの問題を解消することのできる
技術を提供することにある。
響を与える温度ドリフトの問題を解消することのできる
技術を提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【０００９】すなわち、偏向系を介して電子ビームを試
料に照射すると共に、試料をＸ，Ｙ駆動テーブルにより
移動させて描画などの処理を行う電子線描画装置であっ
て、前記試料または直下のテーブルの時間経過に伴う温
度変化量を求める算出手段と、前記試料または前記直下
のテーブルの熱膨張係数、描画時間、及び前記算出結果
などに基づいて温度ドリフト補正量を求め、この補正量
に基づいて描画位置を制御する制御手段とを設けるよう
にしている。
料に照射すると共に、試料をＸ，Ｙ駆動テーブルにより
移動させて描画などの処理を行う電子線描画装置であっ
て、前記試料または直下のテーブルの時間経過に伴う温
度変化量を求める算出手段と、前記試料または前記直下
のテーブルの熱膨張係数、描画時間、及び前記算出結果
などに基づいて温度ドリフト補正量を求め、この補正量
に基づいて描画位置を制御する制御手段とを設けるよう
にしている。
【００１０】
【作用】上記した手段によれば、予め測定した駆動中の
テーブルの温度変化特性がデータとして確保され、この
データ及び試料（またはテーブル）の熱膨張係数などに
基づいて描画時間に対応した温度ドリフト補正量が算出
され、この補正量に基づいて電子ビームの描画点とテー
ブルの相対位置が制御される。したがって、描画中に発
生した温度変化による位置ずれを解消することができ
る。
テーブルの温度変化特性がデータとして確保され、この
データ及び試料（またはテーブル）の熱膨張係数などに
基づいて描画時間に対応した温度ドリフト補正量が算出
され、この補正量に基づいて電子ビームの描画点とテー
ブルの相対位置が制御される。したがって、描画中に発
生した温度変化による位置ずれを解消することができ
る。
【００１１】
【実施例１】図１は本発明による電子線描画装置の一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【００１２】本実施例の電子線描画装置の筐体１は、上
部が円筒状を成し、その下部にボックス状の試料室（処
理時には真空にされる）が形成されている。筐体の円筒
状部分の内部には、電子銃２、第１成形絞り３、第１成
形レンズ４、成形偏向器５、第２成形レンズ６、第２成
形絞り７、縮小レンズ８、ブランキング電極９、電磁偏
向器１０、静電偏向器１１、集束レンズ１２の各々が上
側から下側へ向けて順次配設されている。
部が円筒状を成し、その下部にボックス状の試料室（処
理時には真空にされる）が形成されている。筐体の円筒
状部分の内部には、電子銃２、第１成形絞り３、第１成
形レンズ４、成形偏向器５、第２成形レンズ６、第２成
形絞り７、縮小レンズ８、ブランキング電極９、電磁偏
向器１０、静電偏向器１１、集束レンズ１２の各々が上
側から下側へ向けて順次配設されている。
【００１３】また、処理室１３内にはウェハを載置する
Ｘ駆動テーブル１４が配設され、このＸ駆動テーブル１
４の下部にはこれをＹ方向へ移動させるためのＹ駆動テ
ーブル１５が設けられ、このＹ駆動テーブル１５は温調
の行われるベーステーブル１６に取り付けられている。
Ｘ駆動テーブル１４の温度を常時監視するために温度モ
ニタ１７（熱電対をＸ駆動テーブル１４内に埋設し、そ
の出力電圧を温度値に変換する）が接続され、この温度
モニタ１７には、その温度測定値に基づいてベーステー
ブル１６の温調を行うための温調器１８が接続されてい
る。
Ｘ駆動テーブル１４が配設され、このＸ駆動テーブル１
４の下部にはこれをＹ方向へ移動させるためのＹ駆動テ
ーブル１５が設けられ、このＹ駆動テーブル１５は温調
の行われるベーステーブル１６に取り付けられている。
Ｘ駆動テーブル１４の温度を常時監視するために温度モ
ニタ１７（熱電対をＸ駆動テーブル１４内に埋設し、そ
の出力電圧を温度値に変換する）が接続され、この温度
モニタ１７には、その温度測定値に基づいてベーステー
ブル１６の温調を行うための温調器１８が接続されてい
る。
【００１４】描画を行う場合、試料（不図示）はＸ駆動
テーブル１４上に載置され、処理室１３内を真空にし、
温調器１８によってベーステーブル１６を温調する。温
度が安定したところで電子銃２から電子を放出させ、第
１成形絞り３〜第２成形絞り７より成る成形手段、縮小
レンズ８、電磁偏向器１０と静電偏向器１１から成る偏
向手段、集束レンズ１２などを経て試料上に電子ビーム
が絞り込まれる。偏向手段を操作することにより、数ｍ
ｍ幅に電子ビームを移動させることができる。
テーブル１４上に載置され、処理室１３内を真空にし、
温調器１８によってベーステーブル１６を温調する。温
度が安定したところで電子銃２から電子を放出させ、第
１成形絞り３〜第２成形絞り７より成る成形手段、縮小
レンズ８、電磁偏向器１０と静電偏向器１１から成る偏
向手段、集束レンズ１２などを経て試料上に電子ビーム
が絞り込まれる。偏向手段を操作することにより、数ｍ
ｍ幅に電子ビームを移動させることができる。
【００１５】描画中にＸ駆動テーブル１４の温度が温度
モニタ１７によってモニタされており、Ｘ駆動テーブル
１４の温度変化が温度モニタ１７によって測定され、こ
の測定結果に基づいて温調器１８によりベーステーブル
１６の温度が調整され、Ｘ駆動テーブル１４が常に最適
温度になるように制御される。
モニタ１７によってモニタされており、Ｘ駆動テーブル
１４の温度変化が温度モニタ１７によって測定され、こ
の測定結果に基づいて温調器１８によりベーステーブル
１６の温度が調整され、Ｘ駆動テーブル１４が常に最適
温度になるように制御される。
【００１６】図２はＸ駆動テーブル１４の温度変化を示
す温度特性図である。
す温度特性図である。
【００１７】図２に示すように、ステージ稼働の時間経
過につれてＸ駆動テーブル１４の温度は上昇し、ステー
ジの停止と共に低下する。この場合の熱膨張歪量ΔＬ
は、長さをＬ、温度変化量をΔＴ、熱膨張係数をＡとす
ると、次式で表される。
過につれてＸ駆動テーブル１４の温度は上昇し、ステー
ジの停止と共に低下する。この場合の熱膨張歪量ΔＬ
は、長さをＬ、温度変化量をΔＴ、熱膨張係数をＡとす
ると、次式で表される。
【００１８】ΔＬ＝Ｌ1 ×ΔＴ×Ａ したがって、このＸ駆動テーブル１４の温度変化に応じ
て偏向制御系を制御すれば、熱膨張による影響を排除す
ることができる。
て偏向制御系を制御すれば、熱膨張による影響を排除す
ることができる。
【００１９】図３は制御系の詳細を示すブロック図であ
る。また、図４は制御系の動作を示すフローチャートで
ある。
る。また、図４は制御系の動作を示すフローチャートで
ある。
【００２０】システム全体の制御を行うためにシステム
制御計算機１９（算出手段）が設けられ、このシステム
制御計算機１９には電磁偏向器１０、静電偏向器１１及
び集束レンズ１２からなる偏向系の偏向制御を行うため
の偏向制御系２０（制御手段）、テーブル座標制御系２
１が接続され、さらにＸ駆動テーブル１４及びＹ駆動テ
ーブル１５の位置を計測するためにレーザ干渉計２２が
設けられ、このレーザ干渉計２２はテーブル座標制御系
２１に接続されている。
制御計算機１９（算出手段）が設けられ、このシステム
制御計算機１９には電磁偏向器１０、静電偏向器１１及
び集束レンズ１２からなる偏向系の偏向制御を行うため
の偏向制御系２０（制御手段）、テーブル座標制御系２
１が接続され、さらにＸ駆動テーブル１４及びＹ駆動テ
ーブル１５の位置を計測するためにレーザ干渉計２２が
設けられ、このレーザ干渉計２２はテーブル座標制御系
２１に接続されている。
【００２１】このような構成において、ステージの駆動
開始から最高温度に達するまでの温度カーブと停止後温
度が元の状態に再現するまでの温度カーブとが予め温度
モニタ１７で計測され、その計測データがシステム制御
計算機１９の記憶装置（不図示）に記憶される。そし
て、描画中のステージ温度は温度モニタ１７で計測され
（ステップ４１）、これがシステム制御計算機１９に取
り込まれる。ついで、補正のインターバルを決定し（ス
テップ４２）、ステップ４１による測定値に対し記憶さ
れている温度データを参照してシステム制御計算機１９
で温度変化量を算出する（ステップ４３）。ここで、シ
ステム制御計算機１９は、描画スタート時の温度の値を
考慮し、時間の経過に比例した温度変化のカーブをシス
テム制御計算機１９上の温度制御用ソフトで予想し、求
めた値を補正値（電圧値または電流値）に換算し、シス
テム制御計算機１９上の温度制御用ソフトで予想し、求
めた値をテーブル座標制御系２１にフィードバックし、
補正値を基にレーザ干渉計２２のスケール値を制御（ス
テップ４４）する（或いは、偏向制御系２０にフィード
バックし、補正値を電子ビームに反映する）。なお、偏
向制御系２０の制御に代えてステージ制御系２１を制御
するようにしてもよい。ステップ４５による処理の後、
補正処理が終了したか否かを判定し、未終了であればス
テップ４３に戻り、以降の処理を繰り返す。
開始から最高温度に達するまでの温度カーブと停止後温
度が元の状態に再現するまでの温度カーブとが予め温度
モニタ１７で計測され、その計測データがシステム制御
計算機１９の記憶装置（不図示）に記憶される。そし
て、描画中のステージ温度は温度モニタ１７で計測され
（ステップ４１）、これがシステム制御計算機１９に取
り込まれる。ついで、補正のインターバルを決定し（ス
テップ４２）、ステップ４１による測定値に対し記憶さ
れている温度データを参照してシステム制御計算機１９
で温度変化量を算出する（ステップ４３）。ここで、シ
ステム制御計算機１９は、描画スタート時の温度の値を
考慮し、時間の経過に比例した温度変化のカーブをシス
テム制御計算機１９上の温度制御用ソフトで予想し、求
めた値を補正値（電圧値または電流値）に換算し、シス
テム制御計算機１９上の温度制御用ソフトで予想し、求
めた値をテーブル座標制御系２１にフィードバックし、
補正値を基にレーザ干渉計２２のスケール値を制御（ス
テップ４４）する（或いは、偏向制御系２０にフィード
バックし、補正値を電子ビームに反映する）。なお、偏
向制御系２０の制御に代えてステージ制御系２１を制御
するようにしてもよい。ステップ４５による処理の後、
補正処理が終了したか否かを判定し、未終了であればス
テップ４３に戻り、以降の処理を繰り返す。
【００２２】以上説明したように、本実施例によれば、
描画中に発生するＸ駆動テーブル１４の温度変化量をシ
ステム制御計算機１９の温度制御ソフトで算出し、温度
変化量に見合ったパターン位置補正量を求め、テーブル
座標制御系２１または偏向制御系２０へフィードバック
することにより、パターン位置精度を向上させることが
できる。また、精度の悪化による歩留りの低下を低減で
きるため、歩留り向上が可能になる。
描画中に発生するＸ駆動テーブル１４の温度変化量をシ
ステム制御計算機１９の温度制御ソフトで算出し、温度
変化量に見合ったパターン位置補正量を求め、テーブル
座標制御系２１または偏向制御系２０へフィードバック
することにより、パターン位置精度を向上させることが
できる。また、精度の悪化による歩留りの低下を低減で
きるため、歩留り向上が可能になる。
【００２３】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２４】例えば、前記実施例では、電子線を用いた
描画装置について説明したが、電子線に代え、レーザ、
Ｘ線などを用いた描画装置に本発明を適用できることは
言うまでもない。また、ステッパにも適用可能である。
描画装置について説明したが、電子線に代え、レーザ、
Ｘ線などを用いた描画装置に本発明を適用できることは
言うまでもない。また、ステッパにも適用可能である。
【００２５】また、前記実施例では、試料としてマスク
（レチクル）を示したが、半導体ウェハ、配線基板など
も適用可能である。
（レチクル）を示したが、半導体ウェハ、配線基板など
も適用可能である。
【００２６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００２７】すなわち、偏向系を介して電子ビームを試
料に照射すると共に、試料をＸ，Ｙ駆動テーブルにより
移動させて描画などの処理を行う電子線描画装置であっ
て、前記試料または直下のテーブルの時間経過に伴う温
度変化量を求める算出手段と、前記試料または前記直下
のテーブルの熱膨張係数、描画時間、及び前記算出結果
などに基づいて温度ドリフト補正量を求め、この補正量
に基づいて描画位置を制御する制御手段とを設けるよう
にしたので、描画中に発生した温度変化による位置ずれ
が解消され、これによりパターン形成精度が向上でき、
さらには歩留り向上が可能になる。
料に照射すると共に、試料をＸ，Ｙ駆動テーブルにより
移動させて描画などの処理を行う電子線描画装置であっ
て、前記試料または直下のテーブルの時間経過に伴う温
度変化量を求める算出手段と、前記試料または前記直下
のテーブルの熱膨張係数、描画時間、及び前記算出結果
などに基づいて温度ドリフト補正量を求め、この補正量
に基づいて描画位置を制御する制御手段とを設けるよう
にしたので、描画中に発生した温度変化による位置ずれ
が解消され、これによりパターン形成精度が向上でき、
さらには歩留り向上が可能になる。
【図１】本発明による電子線描画装置の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１のＸ駆動テーブルの温度変化を示す温度特
性図である。
性図である。
【図３】制御系の詳細を示すブロック図である。
【図４】制御系の動作を示すフローチャートである。
１ 筐体 ２ 電子銃 ３ 第１成形絞り ４ 第１成形レンズ ５ 成形偏向器 ６ 第２成形レンズ ７ 第２成形絞り ８ 縮小レンズ ９ ブランキング電極 １０ 電磁偏向器 １１ 静電偏向器 １２ 集束レンズ １３ 処理室 １４ Ｘ駆動テーブル １５ Ｙ駆動テーブル １６ ベーステーブル １７ 温度モニタ １８ 温調器 １９ システム制御計算機 ２０ 偏向制御系 ２１ テーブル座標制御系 ２２ レーザ干渉計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 洋也 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 偏向系を介して電子ビームを試料に照射
すると共に、試料をＸ，Ｙ駆動テーブルにより移動させ
て描画などの処理を行う電子線描画装置であって、前記
試料または直下のテーブルの時間経過に伴う温度変化量
を求める算出手段と、前記試料または前記直下のテーブ
ルの熱膨張係数、描画時間、及び前記算出結果などに基
づいて温度ドリフト補正量を求め、この補正量に基づい
て描画位置を制御する制御手段とを具備することを特徴
とする電子線描画装置。 - 【請求項２】 前記温度変化量は、テーブルの駆動開始
から最高温度に達するまでの温度曲線と、テーブル停止
後に温度が元の状態に再現するまでの温度曲線とをデー
タとして保存した結果に基づいて算出することを特徴と
する請求項１記載の電子線描画装置。 - 【請求項３】 前記描画位置の制御は、テーブル座標制
御系または偏向制御系にフィードバックして行うもので
あることを特徴とする請求項１記載の電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4187856A JPH0636997A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4187856A JPH0636997A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636997A true JPH0636997A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16213413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4187856A Pending JPH0636997A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636997A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6190808B1 (en) | 1998-09-22 | 2001-02-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and method of manufacturing the same |
| KR100286209B1 (ko) * | 1998-04-23 | 2001-03-15 | 미다라이 후지오 | 구동기구를 구비한 스테이지장치와 그것을 가진 노광장치 |
| JP2006135260A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置、偏向アンプ、電子ビーム描画方法、半導体装置の製造方法、及び電子ビーム描画プログラム |
| JP2007043083A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-02-15 | Nuflare Technology Inc | 電子ビームのビームドリフト補正方法及び電子ビームの描画方法 |
| JP2008034845A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2009010393A (ja) * | 2003-05-30 | 2009-01-15 | Asml Holding Nv | 熱膨張補償を備えるステージ |
| JP2010131270A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 治療用放射線照射装置動作制御装置および治療用放射線照射装置動作制御方法 |
| JP2010177479A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置 |
| WO2014141775A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
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| US10699877B2 (en) | 2018-05-16 | 2020-06-30 | Nuflare Technology, Inc. | Charged-particle beam writing apparatus and charged-particle beam writing method |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP4187856A patent/JPH0636997A/ja active Pending
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