JPS61239638A - 薄板平担化チヤツク - Google Patents
薄板平担化チヤツクInfo
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- JPS61239638A JPS61239638A JP60080171A JP8017185A JPS61239638A JP S61239638 A JPS61239638 A JP S61239638A JP 60080171 A JP60080171 A JP 60080171A JP 8017185 A JP8017185 A JP 8017185A JP S61239638 A JPS61239638 A JP S61239638A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chuck
- thin plate
- plate
- wafer
- vacuum
- Prior art date
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- Granted
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分！叶〕
本発明は半導体ウェハ、バブルメモリウェハなどの薄板
に微細パターンを露光する露光装置に用いられるウェハ
チャック、特にウェハ表面を平担化するのに好適なウェ
ハチャック、すなわち薄板平担化チャックに関するもの
である。、１□〔発明の背景〕 従来の露光装置におけるウニ・・チャックは、特開昭５
９−１０６１１８号公報に記載されているように、ウェ
ハを変形ζせるピエゾ素子とウェハ吸着用薄板とを真空
圧により接触させ、該ピエゾ素子を伸縮させることによ
り、ウエノ・吸着用薄板に吸着されたウェハを部分的に
変形させるように構成されている、 しかし、上記ムエハチャツクでは、ウェハ全面を平担化
するには、ピエゾ素子の配列密度を１・。
に微細パターンを露光する露光装置に用いられるウェハ
チャック、特にウェハ表面を平担化するのに好適なウェ
ハチャック、すなわち薄板平担化チャックに関するもの
である。、１□〔発明の背景〕 従来の露光装置におけるウニ・・チャックは、特開昭５
９−１０６１１８号公報に記載されているように、ウェ
ハを変形ζせるピエゾ素子とウェハ吸着用薄板とを真空
圧により接触させ、該ピエゾ素子を伸縮させることによ
り、ウエノ・吸着用薄板に吸着されたウェハを部分的に
変形させるように構成されている、 しかし、上記ムエハチャツクでは、ウェハ全面を平担化
するには、ピエゾ素子の配列密度を１・。
高くする必要があるばかりでなく、楢造および制御が複
雑となり、かつコスト吋、面側となる問題がある。
雑となり、かつコスト吋、面側となる問題がある。
本発明は上記問題点を解消し、反りおよびう。
ねり（厚さむら）を有する薄板（ウェハ）の表面を平担
化させる薄板平担化チャックを提供することを目的とす
るものである。
化させる薄板平担化チャックを提供することを目的とす
るものである。
本発明は上記目的を達成するために、真空吸引された薄
板（ウェハ）を、該薄板の吸着面側から上、下両方向に
変形させることにより、該薄板を平担化させる薄板平担
化チャックにおいて、該薄板平担化チャックは、表面に
真空吸着面を、裏面に網目状のスリット溝をそれぞれ設
□けたチャック板と、該スリット溝の各交差点を上下動
させて、前記薄板を変形させる複数個の上下動素子と、
該上下動素子と前記チャック板の双方を真空吸引するた
めの／・ウジングとからなることを特徴とする。
Ｉｌｌ〔発明の実施例〕 以下１本発明の一実施例を図面について説明する。第１
図は本実施例の一部切開平面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ断面図である。
板（ウェハ）を、該薄板の吸着面側から上、下両方向に
変形させることにより、該薄板を平担化させる薄板平担
化チャックにおいて、該薄板平担化チャックは、表面に
真空吸着面を、裏面に網目状のスリット溝をそれぞれ設
□けたチャック板と、該スリット溝の各交差点を上下動
させて、前記薄板を変形させる複数個の上下動素子と、
該上下動素子と前記チャック板の双方を真空吸引するた
めの／・ウジングとからなることを特徴とする。
Ｉｌｌ〔発明の実施例〕 以下１本発明の一実施例を図面について説明する。第１
図は本実施例の一部切開平面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ断面図である。
第１図および第２図において、薄板平担チャ１）ツク、
例えばウェハ平担化チャック１は、ウェハ６を表面２Ａ
に真空吸着するチャック板２と、１ 該チャック
板２の裏面２Ｂに複数個取り付けられた上下動素子３と
、該上下動素子６および前記チャック板２の双方を真空
吸引するためのノ・つ、。
例えばウェハ平担化チャック１は、ウェハ６を表面２Ａ
に真空吸着するチャック板２と、１ 該チャック
板２の裏面２Ｂに複数個取り付けられた上下動素子３と
、該上下動素子６および前記チャック板２の双方を真空
吸引するためのノ・つ、。
ジンク４とからなり、該チャック板２の裏面２Ｂには、
第１図の二点鎖線で示すようにスリット溝５が多数段け
られ、網目状例えば多数の６角格子７を形成している。
第１図の二点鎖線で示すようにスリット溝５が多数段け
られ、網目状例えば多数の６角格子７を形成している。
この各６角格子７は５各スリツト溝５の各交差点に設け
た前記上下動素子３により独立に上下動される。また、
ハウジング４に取付けた真空源１０を介して、そのノ・
ウジフグ４内を真空吸引することにより、チャック板２
と上下動素子３は互に接合されている。
た前記上下動素子３により独立に上下動される。また、
ハウジング４に取付けた真空源１０を介して、そのノ・
ウジフグ４内を真空吸引することにより、チャック板２
と上下動素子３は互に接合されている。
前記チャック板２は、アルミニウム、シリコ（・・ン、
ステンレスあるいはリン青銅などで板状に製作され、そ
の表面にはウェハ６を吸着するためのランド部８および
真空吸引口９が設けられている。
ステンレスあるいはリン青銅などで板状に製作され、そ
の表面にはウェハ６を吸着するためのランド部８および
真空吸引口９が設けられている。
前記上下動素子３は、ウニノ・６を平担化する！。
のに十分なストロークを有することが必要である。その
ウェハ６の反りおよびうねり（厚さむら）は１０〜２０
μｍ以下であるため、上下動素子６のストロークは２０
〜５０μｍで十分である、その上下動素子３としては、
印加電圧により伸縮１．。
ウェハ６の反りおよびうねり（厚さむら）は１０〜２０
μｍ以下であるため、上下動素子６のストロークは２０
〜５０μｍで十分である、その上下動素子３としては、
印加電圧により伸縮１．。
するピエゾ素子が最適である。
上記ピエゾ素子には、平板状のピエゾ素子を複数枚積層
し、各素子に並列に電圧を印加することにより、大スト
ローク、例えば１００層でス゛トローク２０μｍ／２０
０ Ｖが得られるものを用いる。□なお、積層形のピエ
ゾ素子として、厚膜セラ゛ミンク焼成技術により、グリ
ーンシート状のピエゾ材料に、交互に電極を印刷して積
層した後一体に焼成したものを使用すれば、小形化と低
コスト化をはかることができる。 １１１次
に上記のような構成からなる本実施例の使用例、すなわ
ちウェー・を平担化する場合を第３図および第４図につ
いて説明する。
し、各素子に並列に電圧を印加することにより、大スト
ローク、例えば１００層でス゛トローク２０μｍ／２０
０ Ｖが得られるものを用いる。□なお、積層形のピエ
ゾ素子として、厚膜セラ゛ミンク焼成技術により、グリ
ーンシート状のピエゾ材料に、交互に電極を印刷して積
層した後一体に焼成したものを使用すれば、小形化と低
コスト化をはかることができる。 １１１次
に上記のような構成からなる本実施例の使用例、すなわ
ちウェー・を平担化する場合を第３図および第４図につ
いて説明する。
まず、第３図に示すように、反りあるいはう・ねり（厚
さのむら）のあるウニノ１６をチャック１５板２に固定
すると、前記反りは、ウニノー６がチ・キック板２に真
空吸着されるととによし解消す・るが、前記うねりは残
存する。このためウニ／１６表面の平坦度は第６図に示
すような状態とな。
さのむら）のあるウニノ１６をチャック１５板２に固定
すると、前記反りは、ウニノー６がチ・キック板２に真
空吸着されるととによし解消す・るが、前記うねりは残
存する。このためウニ／１６表面の平坦度は第６図に示
すような状態とな。
す、その平坦度は測定器２０により測定される。２１（
、４ 該測定器２０としては、公知技術のレーザ干渉稿法ある
いは静電容量形センサによる平坦度測定器が用いられる
。
、４ 該測定器２０としては、公知技術のレーザ干渉稿法ある
いは静電容量形センサによる平坦度測定器が用いられる
。
上記測定器２０により測定されたウェハ平坦度の測定結
果から、各上下動素子（ピエゾ素子）３の伸縮量をコン
ピュータ２１で演算し、さらに該コンピュータ２１に接
続するピエゾドライバ２２により各上下動素子３に電圧
を印加し、該各上下動素子３を作動させてウェハ６の表
面を平担化させる。この状態は第４図に示すとおりであ
；゛る。
果から、各上下動素子（ピエゾ素子）３の伸縮量をコン
ピュータ２１で演算し、さらに該コンピュータ２１に接
続するピエゾドライバ２２により各上下動素子３に電圧
を印加し、該各上下動素子３を作動させてウェハ６の表
面を平担化させる。この状態は第４図に示すとおりであ
；゛る。
上述した方式により、ピエゾ素子６を分解能゛０．０２
μｍ以下で微動制御し、チャック板２を変形することに
より、ウェー・６を±０．５μｍ以内で平担化すること
が可能となる。 １・一方、本実施例では
第１図に示すように、三角格子７をブロックとしてチャ
ック板２を、スリット溝５を境にして折り線に近似的に
変形さ ：せることにより、ウェハ６の全表面は
平均的に平担化するため、上下動素子３の配列密度は低
・・（゛□くてもよい。例えば５φチヤツク板の場合、
格子ピッチＰ（第１図参照）は２５１．上下動素子３は
３６個である。
μｍ以下で微動制御し、チャック板２を変形することに
より、ウェー・６を±０．５μｍ以内で平担化すること
が可能となる。 １・一方、本実施例では
第１図に示すように、三角格子７をブロックとしてチャ
ック板２を、スリット溝５を境にして折り線に近似的に
変形さ ：せることにより、ウェハ６の全表面は
平均的に平担化するため、上下動素子３の配列密度は低
・・（゛□くてもよい。例えば５φチヤツク板の場合、
格子ピッチＰ（第１図参照）は２５１．上下動素子３は
３６個である。
以上説明したように、本発明によれば、ウニ゛ハ（薄板
）を±０．５μｍ以内に平担化することが可能であるだ
め、ウェハの有する反りおよびうねり（厚さむら）を排
除することができる。したがって、微細パターン形成用
の半導体露光装置において、高精度のパターン形成が可
能であ１゛る。
）を±０．５μｍ以内に平担化することが可能であるだ
め、ウェハの有する反りおよびうねり（厚さむら）を排
除することができる。したがって、微細パターン形成用
の半導体露光装置において、高精度のパターン形成が可
能であ１゛る。
また、Ｘ線露光装置において、マスクとウェハとの間隙
を均一に保つことができるため、解像度の高いパターン
露光が可能となる。
を均一に保つことができるため、解像度の高いパターン
露光が可能となる。
さらに、ウェハを折り線に近似的に変形させ１５ること
か可能であるため、上下動素子の配列密度を低下させる
ことができるので、平担化チャ、７７ Ｏ／Ｊ゛Ｊ［ｌ
ｊ・１化″″０ゝ１″″′低減化をはかることが可能で
ある。
か可能であるため、上下動素子の配列密度を低下させる
ことができるので、平担化チャ、７７ Ｏ／Ｊ゛Ｊ［ｌ
ｊ・１化″″０ゝ１″″′低減化をはかることが可能で
ある。
□
第１図は本発明の薄板平担化チャックの一実施例を示す
一部切開平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３
図および第４図は本発明に係わる実施例の使用例を説明
する断面図である。 １・−薄板平担化チャック ２・・・チャック ２Ａ・・・表面２Ｂ・・
・裏面 ６・・・上下動素子４・・・ハウ
ジング ５・・・スリット溝６・・・薄板（ウ
ェハ）
一部切開平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３
図および第４図は本発明に係わる実施例の使用例を説明
する断面図である。 １・−薄板平担化チャック ２・・・チャック ２Ａ・・・表面２Ｂ・・
・裏面 ６・・・上下動素子４・・・ハウ
ジング ５・・・スリット溝６・・・薄板（ウ
ェハ）
Claims (1)
- 真空吸引された薄板を、該薄板の吸着面側から上、下両
方向に変形させることにより、該薄板を平担化させる薄
板平担化チャックにおいて該薄板平担化チャックは、表
面に真空吸着面を裏面に網目状のスリット溝をそれぞれ
設けたチャック板と、該スリット溝の各交差点を上下動
させて、前記薄板を変形させる複数個の上下動素子と、
該上下動素子および前記チャック板の双方を真空吸引す
るためのハウジングとからなることを特徴とする薄板平
担化チャック。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60080171A JPS61239638A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 薄板平担化チヤツク |
| KR1019860002815A KR900001241B1 (ko) | 1985-04-17 | 1986-04-14 | 광 노출 장치 |
| US06/852,729 US4666291A (en) | 1985-04-17 | 1986-04-16 | Light-exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60080171A JPS61239638A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 薄板平担化チヤツク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61239638A true JPS61239638A (ja) | 1986-10-24 |
| JPH0569306B2 JPH0569306B2 (ja) | 1993-09-30 |
Family
ID=13710883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60080171A Granted JPS61239638A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 薄板平担化チヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61239638A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220440A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ウエハ平坦度制御方法及びその装置 |
| US5374829A (en) * | 1990-05-07 | 1994-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum chuck |
| JP2007331041A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 平板状ワークの作業装置 |
| JP2009212345A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Nsk Ltd | ワークチャック、露光装置及びフラットパネル製造方法 |
| WO2023124443A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | 调整卡盘形变的系统及装置 |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP60080171A patent/JPS61239638A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220440A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ウエハ平坦度制御方法及びその装置 |
| US5374829A (en) * | 1990-05-07 | 1994-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum chuck |
| JP2007331041A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 平板状ワークの作業装置 |
| JP2009212345A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Nsk Ltd | ワークチャック、露光装置及びフラットパネル製造方法 |
| WO2023124443A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | 调整卡盘形变的系统及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0569306B2 (ja) | 1993-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |