CN112908907A - 翘曲校正装置、翘曲校正设备及翘曲校正方法 - Google Patents

翘曲校正装置、翘曲校正设备及翘曲校正方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112908907A
CN112908907A CN202110322084.0A CN202110322084A CN112908907A CN 112908907 A CN112908907 A CN 112908907A CN 202110322084 A CN202110322084 A CN 202110322084A CN 112908907 A CN112908907 A CN 112908907A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pressing
workpiece
area
substrate
warp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110322084.0A
Other languages
English (en)
Inventor
陈鲁
李少雷
张朝前
马砚忠
卢继奎
张嵩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Skyverse Ltd
Shenzhen Zhongke Feice Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Zhongke Feice Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Zhongke Feice Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Zhongke Feice Technology Co Ltd
Priority to CN202110322084.0A priority Critical patent/CN112908907A/zh
Publication of CN112908907A publication Critical patent/CN112908907A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Abstract

本申请公开了一种翘曲校正装置、翘曲校正设备、及翘曲校正方法。翘曲校正装置包括基板及多个按压组件。基板包括相背的第一面及第二面,基板还包括中心区域及环绕中心区域的边缘区域。中心区域及边缘区域均分布有按压组件,每个按压组件均设置于第一面并朝远离第二面的方向延伸,每个按压组件均能够相对独立地对工件提供压力,以对工件进行按压以校正工件的翘曲程度。本申请实施方式的翘曲校正装置、翘曲校正设备、及翘曲校正方法中,每个按压组件均能够相对独立地对工件提供压力,以对工件进行按压以校正工件的翘曲程度。

Description

翘曲校正装置、翘曲校正设备及翘曲校正方法
技术领域
本申请涉及半导体检测技术领域,更具体而言,涉及一种翘曲校正装置、翘曲校正设备及翘曲校正方法。
背景技术
由于晶圆在制备过程中,经常会由于晶圆的内应力造成晶圆出现翘曲的情况,而翘曲的晶圆在进行晶圆检测时,晶圆的翘曲程度会影响晶圆的检测精度,现有的翘曲校正装置主要是通过压板整体对翘曲的晶圆进行按压,从而使翘曲晶圆整体被压平。然而,在压板按压晶圆后,若晶圆的小部分区域仍存在翘曲,由于压板继续按压可能将不存在翘曲的大部分区域压坏,因此压板不能继续按压晶圆,导致压板不能将翘曲完全压平。
发明内容
本申请实施方式提供一种翘曲校正装置、翘曲校正设备、及翘曲校正方法。本申请实施方式的翘曲校正装置包括基板及多个按压组件。基板包括相背的第一面及第二面,基板还包括中心区域及环绕中心区域的边缘区域。中心区域及边缘区域均分布有按压组件,每个按压组件均设置于第一面并朝远离第二面的方向延伸,每个按压组件均能够相对独立地对工件提供压力,以对工件进行按压以校正工件的翘曲程度。
本申请实施方式的翘曲校正设备包括承载装置及翘曲校正装置。所述承载装置用于承载所述工件。所述翘曲校正装置包括基板及多个按压组件。基板包括相背的第一面及第二面,基板还包括中心区域及环绕中心区域的边缘区域。中心区域及边缘区域均分布有按压组件,每个按压组件均设置于第一面并朝远离第二面的方向延伸,每个按压组件均能够相对独立地对工件提供压力,以对工件进行按压以校正工件的翘曲程度。
本申请实施方式的翘曲校正方法用于所述翘曲校正装置校正工件的翘曲程度。所述校正方法包括:获取所述工件的翘曲区域及所述翘曲区域的翘曲程度;根据所述翘曲区域选取所述按压组件;及根据所述翘曲程度控制选取的所述按压组件进行按压,以校正所述翘曲区域的翘曲程度。
本申请实施方式的翘曲校正装置、翘曲校正设备、及翘曲校正方法中,每个按压组件均能够相对独立地对工件提供压力,以对工件进行按压以校正工件的翘曲程度。若按压组件按压工件后,工件的小部分区域仍存在翘曲,则可以仅控制仍存在翘曲的区域对应的按压组件继续按压晶圆,而不存在翘曲的区域对应的按压组件可以保持对工件提供的压力不变,或者视情况增加或减小压力,以将按压组件完全压平。
本申请的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实施方式的实践了解到。
附图说明
本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是本申请某些实施方式的翘曲校正装置的结构示意图;
图2是本申请某些实施方式的翘曲校正装置的结构示意图;
图3是本申请某些实施方式的按压组件的结构示意图;
图4是本申请某些实施方式的按压组件的结构示意图;
图5是本申请某些实施方式的翘曲校正装置的结构示意图;
图6是本申请某些实施方式的翘曲校正装置的按压组件的分布示意图;
图7是本申请某些实施方式的翘曲校正装置的施压面的分布示意图;
图8是本申请某些实施方式的翘曲校正设备的结构示意图;
图9是本申请某些实施方式的承载装置的结构示意图;
图10是本申请某些实施方式的翘曲校正方法的流程示意图;
图11是本申请某些实施方式的翘曲校正方法的流程示意图;
图12是本申请某些实施方式的翘曲校正方法的流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中,相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本申请的实施方式,而不能理解为对本申请的实施方式的限制。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“厚度”、“上”、“顶”、“底”、“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。
在半导体工件(例如晶圆)的制备过程中,经常会由于工件的内应力造成工件出现翘曲的情况,而对翘曲的工件进行检测时,工件的翘曲程度会影响检测精度,工件的翘曲程度越高,则检测精度越低。
请参阅图1,本申请实施方式提供一种翘曲校正装置100,用于校正工件300的翘曲程度。翘曲校正装置100包括基板10及多个按压组件20。基板10包括相背的第一面11及第二面13,基板10还包括中心区域及环绕中心区域的边缘区域。中心区域及边缘区域均分布有按压组件20,每个按压组件20均设置于第一面11并朝远离第二面13的方向延伸,每个按压组件20均能够相对独立地对工件300提供压力,以对工件300进行按压以校正工件300的翘曲程度。
基板10的中心区域为至少包括基板10的中心的部分区域,基板10的边缘区域为包括基板10的第一面11的完整边缘轮廓的区域。基板10的中心区域与边缘区域的划分方式可以为如下方式中的一种。
例如,在一个实施例中,基板10的中心区域为:以基板10的中心为圆心,直径为预设的直径值的圆形区域,边缘区域为基板10除中心区域以外的区域。同理,基板10的中心区域还可以为:以基板10的中心为中心区域的中心,面积为预设的面积值的跑道形区域、椭圆形区域、三角形区域、四边形区域、五边形区域、六边形区域、八边形区域、或十六边形区域等,在此不一一列举。
再例如,在一个实施例中,基板10的中心区域为:以基板10的中心为圆心,且面积占基板10的第一面11的面积的占比为预设占比的圆形区域,边缘区域为基板10除中心区域以外的区域。例如基板10的第一面为圆形,中心区域为以基板10的中心为圆心,且中心区域占的面积基板10的第一面的面积的占比为60%的圆形区域。同理,基板10的中心区域还可以为:以基板10的中心为中心区域的中心,且面积占基板10的第一面11的面积的占比为预设占比的跑道形区域、椭圆形区域、三角形区域、四边形区域、五边形区域、六边形区域、八边形区域、或十六边形区域等,在此不一一列举。
再例如,基板10的边缘区域为:沿基板10的第一面11的轮廓向基板10的中心延伸的距离为预设距离的区域,中心区域为基板10除边缘区域以外的区域。例如基板10为直径100mm的圆形,预设距离为10mm,则中心区域为以基板10的中心为圆心,直径为80mm的圆形区域,边缘区域为宽度为10mm、外圈直径为100mm、内圈直径为80mm的环形区域。
再例如,基板10的边缘区域为:沿基板10的第一面11的轮廓向基板10的中心延伸,面积占基板10的第一面11的面积的占比为预设占比的区域,中心区域为基板10除边缘区域以外的区域。
基板10的中心区域与边缘区域的划分方式并不局限于上述划分方式,在此不作限制。
在一个实施例中,当翘曲校正装置100按压工件300时,基板10的中心与工件300的中心重合,当按压组件20环绕基板10的中心均匀分布时,能够使工件300的各个位置受压均匀。在其他实施例中,基板10的中心与工件300的中心可以不重合,在此不作限制。
在一个实施例中,工件300为晶圆。晶圆朝向基板10的一面可以为有图案面或无图案面。其中,晶圆的有图案面包括有效区及无效区。有效区为印有芯片的区域,对晶圆的检测主要是对晶圆的有效区做检测。无效区可以是未印有芯片的区域,也可以是部分印有芯片的区域,该部分区域的芯片可能在晶圆的搬运或检测过程中容易受到划伤、压伤等损伤,属于生产过程中可接受的损伤。晶圆的有效区通常在晶圆的中心区域,而非有效区在环绕晶圆的中心区域的边缘区域,在搬运晶圆时搬运转置通常与晶圆的非有效区接触,以避免对晶圆的有效区造成划伤、压伤等损伤。当基板10的中心与晶圆的中心重合时,基板10的中心区域与晶圆的有效区对应,基板10的边缘区域与晶圆的无效区对应,由于中心区域及边缘区域均分布有按压组件20,因此翘曲校正装置100能够对晶圆的有效区及无效区的翘曲提供压力,以对晶圆进行按压,从而校正晶圆的有效区及无效区的翘曲。而当晶圆的无图案面朝向基板10时,按压组件20能够对晶圆的无图案面的各位置的翘曲提供压力,以对晶圆进行按压,从而校正晶圆的翘曲。
在一个实施例中,按压组件20可以与工件300接触,并对工件300施加压力。例如按压组件20包括压板,压板可相对基板10朝靠近工件300的方向移动,以对工件300施加压力。
在一个实施例中,按压组件20无需与工件300接触即可对工件300施加压力。例如按压组件20包括出气口23,预定流量的气流能够从出气口23流出,以通过气流对工件300施加压力。如此,可以防止按压组件20接触工件300,对工件300造成划伤、刮伤、压伤等损伤。
目前的一些翘曲校正装置100往往只在基板10的边缘区域设置按压组件20,且当按压组件20按压工件300后,若工件300的小部分区域仍存在翘曲,由于按压组件20继续按压可能将不存在翘曲的大部分区域压坏,因此按压组件20不能继续按压晶圆,导致按压组件20不能将翘曲完全压平。
本申请的实施方式中,每个按压组件20均能够相对独立地对工件300提供压力,以对工件300进行按压以校正工件300的翘曲程度。若按压组件20按压工件300后,工件300的小部分区域仍存在翘曲,则可以仅控制仍存在翘曲的区域对应的按压组件20继续按压晶圆,而不存在翘曲的区域对应的按压组件20可以保持对工件300提供的压力不变,或者视情况增加或减小压力,以将按压组件20完全压平。
例如,请参阅图2,若按压组件201对区域S1进行按压,且按压组件202对区域S2进行按压后,区域S1仍存在翘曲。在一个例子中,可以大幅度增大按压组件201对区域S1的压力以压平翘曲,且由于区域S1临近区域S2,当按压组件201对区域S1施压时也会对区域S2施加一定的压力,因此可以适当减小按压组件202对区域S2的压力。在另一个例子中,可以小幅增大按压组件201对区域S1的压力及按压组件202对区域S2的压力,由于区域S1临近区域S2,因此按压组件202对区域S2施压时也会对区域S1施加一定的压力,使区域S1在按压组件201及按压组件202施加的压力下被压平。
综上,本申请实施方式的翘曲校正装置100中,在基板10的中心区域及边缘区域均分布有按压组件20,且每个按压组件20均能够相对独立地对工件300提供压力,以能够将工件300各个位置的翘曲压平。
下面结合附图做进一步说明。
请参阅图1,在某些实施方式中,每个按压组件20均能够相对基板10朝远离第二面13的方向运动,以对工件300进行按压以校正工件300的翘曲程度。即每个按压组件20均能够通过接触工件300并对工件300施加压力的方式按压工件300,以对工件300进行按压以校正工件300的翘曲程度。
请结合图3,在某些实施方式中,按压组件20包括驱动件21及压块22,驱动件21安装于第一面11,压块22包括相背的连接面221及施压面222,连接面221与驱动件21连接,驱动件21用于驱动压块22相对基板10移动,以使施压面222压紧或释放工件300。
其中,驱动件21包括压电马达、液压伸缩杆、及气压伸缩杆中的至少一种。驱动件21不仅限于上述列举的驱动件21,还可以其他能够驱动压块22相对基板10移动的器件,在此不作限制。
施压面222可以是任意形状,例如圆形、椭圆形、矩形、多边形等,在此不一一列举。不同形状的施压面222对工件300施加压力的效果不同,可根据用户需求选取合适的施压面222。
在某些实施方式中,基板10的中心区域对应的压块22的材质与基板10的边缘区域对应的压块22的材质不同。例如基板10的中心区域对应的压块22为橡胶、硅胶、塑料材料中的一种,当工件300为晶圆时,晶圆的有效区与基板10的中心区域对准,橡胶、硅胶、或塑料材料的压块22在按压晶圆的有效区时,能够避免与芯片接触时产生静电,并能够提供均匀、柔和的按压力,以防划伤有效区的芯片。而基板10的边缘区域对应的压块22为金属或合金材料中的一种,以使压块22与驱动件21之间的连接可靠。且金属或合金材料的压块22不易发生变形,能够保证施压面222不易发生变形,确保对工件300施加的压力稳定。
请参阅图1,在某些实施方式中,每个按压组件20均能够产生气流,气流能对工件300施加压力,以校正工件300的翘曲程度。
请结合图4,在某些实施方式中,按压组件20包括相背的连接面221及施压面222,连接面221与基板10连接,施压面222设有出气口23,基板10设有多个气道(图未示出),每个气道分别连通按压组件20的出气口23。
在某些实施方式中,气道与进气装置连接,例如进气装置包括进气管道,进气管道连通气道,以为按压组件20提供气流。进气管道可连接气阀,以通过气阀控制进入气道的气流的气压或气流量。
在某些实施方式中,气道内设有多个阀门,每个阀门对应一个出气口23。可以通过控制阀门的开放程度调节对应的出气口23的气流的气压或出气量。
在某些实施方式中,出气口23内设有阀门,可以通过控制阀门的开放程度调节对应的出气口23的气流的气压或出气量。
在一个实施例中,每个出气口23的气流对工件300的不同区域施加压力。
请参阅图5,在另一个实施例中,两个、三个、四个、五个,或五个以上的出气口23的气流共同对工件300的同一区域施加压力,在此不作限制。
进一步地,在某些实施方式中,按压组件20可相对基板10转动,以改变出气口23所在的平面与工件300朝向基板10的一面之间的夹角α,使多个出气口23能够共同对工件300的同一区域施加压力。当每个出气口23所在的平面与工件300朝向基板10的一面之间均平行,即每个夹角α均为0°时,每个出气口23的气流对工件300的不同区域施加压力。
多个按压组件20在基板10的分布可以呈矩阵阵列、环形阵列、三角形、四边形、五边形、六边形、八边形、十六边形、圆形、蚊香形、椭圆形、跑道形等,在此不一一列举。在按压不同形状的工件300,或翘曲位置分布不同的工件300时,可以对应采用最适宜的按压组件20的分布方式,以确保将工件300各处的翘曲压平。
请参阅图1,在某些实施方式中,翘曲校正装置100还包括安装部30,安装部30设置与基板10的第二面13,用于与其他装置连接,例如与机械臂连接,以能够带动基板10移动,从而调整基板10的位置。
请参阅图6,在某些实施方式中,多个按压组件20以基板10的中心为圆心成环形分布。成环形分布的多个按压组件20对工件300的各处提供的压力较为均匀,有利于将工件300整体压平。
进一步地,呈环形分布的多个按压组件20中,每个环形上的多个按压组件20关于该环形的直径对称分布,从而进一步满足对工件300的各处提供均匀压力的需求。
每个按压组件20的施压面222越小,按压组件20的分布越密集,则越利于准确将较小的局部区域的翘曲压平。每个按压组件20的施压面222越大,按压组件20的分布越疏散,则越利于将较大的一片区域的翘曲按压至均匀的压平状态。
请参阅图7,在某些实施方式中,在同一个环形上的多个按压组件20的施压面222相接形成环形。环形可以为矩形环、圆形环、椭圆环、跑道形环等,在此不作限制。其中,若按压组件20为非接触式的,则每个施压面222在如图1所示的Z轴方向没有高度差,同一个环形上的多个按压组件20的施压面222能够相接形成环形。请结合图3,若按压组件20为接触式的,则每个压块22相对基板10朝远离第一面11的方向移动的行程可能不同,每个施压面222在如图1所示的Z轴方向可能存在高度差,则同一个环形上的多个按压组件20的施压面222能够相接形成环形具体为:同一个环形上的多个施压面222在垂直Z轴的平面的投影能够相接形成环形。
如图7所示,一个环形上的一个施压面222为环形的一部分,在同一个环形上的多个施压面222相接形成环形。同一环形的施压面222能够同时对环形施压面222对应的区域施加均等的压力,以起到与环形的压板等效的施压效果。
例如,按压组件20包括压块22及驱动件21,施压面222为压块22的施压面222,图7示意的多个施压面222相接组成外圈环和内圈环两个环。虽然施压面222相接,但每个施压面222对应的驱动件21彼此间隔,以避免驱动件21驱动压块22移动时相互间产生干扰。例如,工件300与外圈环对应的大部分区域均有翘曲,则外圈环对应的每个驱动件21驱动分布在外圈环的每个压块22相对基板10沿远离基板10的方向移动相同的距离,以对工件300与外圈环对应的区域施加均匀的压力,使压平后的该区域的平整度均匀。例如,工件300与内圈环对应的小部分区域有翘曲,仅需分布在内圈环的一个压块22压紧工件300即可,则仅该压块22对应的驱动件21驱动压块22相对基板10沿远离基板10的方向移动,以将工件300上对应的区域的翘曲压平。
在某些实施方式中,多个按压组件20以基板10的中心为圆心成环形分布,环形包括与基板10的中心区域对应的内环,及与基板10的边缘区域对应的外环。当工件300为晶圆时,若晶圆的有图案面朝向基板10,则与中心区域对应的内环的按压组件20不对晶圆施加压力,以避免对晶圆上的芯片造成损伤,与边缘区域对应的外环对晶圆施加压力,以压平晶圆的翘曲。若晶圆的无图案面朝向基板10,则可根据翘曲的位置通过与外环或内环对应的按压组件20对晶圆施加压力,以压平晶圆的翘曲。
请参阅图1,在某些实施方式中,按压组件20包括压力传感器40,压力传感器40用于检测按压组件20对工件300提供的压力。当压力大于预设压力值时,驱动件21驱动按压组件20的压块22朝远离基板10的方向移动。当压力小于预设压力值时,保持压块22相对基板10的移动行程不变。
压力传感器40检测到的压力能够表征按压组件20按压的区域对按压组件20反馈的压力。具体地,当工件300上某区域存在翘曲时,翘曲程度越大,则对与翘曲相接触的按压组件20反馈的压力越大,需要按压组件20施加较大的力才能压平翘曲。当翘曲被按压组件20压平后,即便撤销按压组件20施加的压力也不会使翘曲恢复,例如工件300如图8所示的承载装置500承载,且承载装置500能够吸附工件300背向基板10的一面,一旦有翘曲的区域被压平,则该区域能够被承载装置500吸附保持平整状态,从而避免翘曲恢复。因此,当翘曲被逐渐压平的过程中,翘曲对按压组件20反馈的压力逐渐减小。
预设压力值用于判断按压块22相对基板10的移动行程能否使压块22压平翘曲。当压力大于预设压力值时,说明压块22与翘曲抵持时翘曲对压块22的抵持力较大,压块22需要继续朝远离基板10的方向移动才能压平翘曲。当压力小于预设压力值时,说明压块22在当前行程位置已经能够将翘曲压平,因为翘曲恢复平整,或者因为承载装置500能够顺利吸附原来有翘曲的区域,导致该区域对压块22的抵持力减小至小于预设压力值。若承载件不具备吸附工件300能力,则压力传感器40检测到的压力小于预设压力值时,保持压块22相对基板10的移动行程不变即可维持原翘曲区域的平整;若承载装置500具备吸附工件300能力,则压力传感器40检测到的压力小于预设压力值时,即便压块22相对基板10的移动行程减小,即压块22朝靠近基板10的方向移动,承载装置500的吸附力也足以维持原翘曲区域的平整。
请参阅图1,在某些实施方式中,翘曲校正装置100还包括图像采集装置50及处理器60。图像采集装置50用于采集工件300的图像。处理器60用于根据图像采集装置50采集的图像获取工件300上翘曲区域的分布情况,及翘曲区域的翘曲程度。
图像采集装置50可以设置于基板10的第一面11,也可以独立于基板10单独设置,在此不作限制。在一个实施例中,图像采集装置50设置于基板10的第一面11,当工件300的中心与基板10的中心重合时,图像采集装置50采集工件300的图像,处理器60根据该图像获取工件300的深度信息及位置信息,以确定翘曲区域的分布情况及翘曲区域的翘曲程度。翘曲校正装置100根据翘曲区域的分布情况选择与翘曲区域对应的按压组件20按压翘曲,并控制以按压组件20根据翘曲区域的翘曲程度对翘曲区域施加对应的压力,以校正翘曲区域的翘曲程度。
在另一个实施例中,图像采集装置50独立于基板10单独设置。工件300先水平移动至第一定位处,图像采集装置50在第一定位处采集工件300的图像,处理器60根据该图像获取工件300的深度信息及位置信息。随后工件300在保持不转动的条件下水平移动至第二定位处,在第二定位处时,工件300的中心与基板10的中心重合,以使处理器60能根据图像采集装置50在第一定位处获取到的深度信息及位置信息确定翘曲区域的分布情况及翘曲区域的翘曲程度。
请参阅图8,本申请提供一种检测设备1000,检测设备1000包括上述任一实施方式的翘曲校正装置100及承载装置500。承载装置500用于承载工件300。
在某些实施方式中,承载装置500包括吸盘(图未示出),当承载装置500承载工件300时,吸盘能够吸附工件300,以将工件300固定在承载装置500。当工件300的翘曲被压平时,承载装置500能够吸附工件300被压平的区域,以避免该区域恢复翘曲。
请参阅图9,在某些实施方式中,承载装置500包括承载部510,承载部510的中心区域开设有通孔520,当承载装置500的中心与基板10的中心重合时,通孔520与基板10的中心区域对应,承载部510与基板10的边缘区域对应。如此,当工件300为晶圆时,若晶圆无图案的一面朝向基板10,则晶圆有图案的一面的有效区能够从通孔520露出,以避免有效区与承载装置500接触造成损伤,且便于检测装置检测从通孔520露出的有效区的芯片。
请参阅图1及图10,本申请提供一种翘曲校正方法,翘曲校正方法可应用于上述任一实施方式中的翘曲校正装置100。翘曲校正方法包括:
01:获取工件300的翘曲区域及翘曲区域的翘曲程度;
02:根据翘曲区域选取按压组件20;及
03:根据翘曲程度控制选取的按压组件20进行按压,以校正翘曲区域的翘曲程度。
请参阅图1,在某些实施方式中,翘曲校正装置100的处理器60可用于执行01、02及03中的方法。即,处理器60可用于获取工件300的翘曲区域及翘曲区域的翘曲程度、根据翘曲区域选取按压组件20、及根据翘曲程度控制选取的按压组件20进行按压,以校正翘曲区域的翘曲程度。
工件300的翘曲区域指工件300存在弯曲的区域。翘曲区域的翘曲程度用于表示翘曲区域的翘曲(即弯曲的部分)的弯曲程度。翘曲具体可表现为凸出于工件水平位置(平整位置)的凸起。在一个实施例中,图像采集装置50能够采集整个工件300的图像,并获取图像中工件300各位置的深度信息。深度信息为工件300的各位置与图像采集装置50沿Z轴方向的距离。处理器60能够根据该图像及深度信息获取工件300各位置沿Z轴方向的高度H,并根据高度H及工件300的直径D获取工件300的翘曲程度。
具体地,在一个实施例中,工件300的某一位置的高度H可以是指工件300的某一位置高出工件300的水平位置(平整位置)的高度。例如工件300的某一位置平整,则该位置对应的高度H=0mm。根据深度信息,工件300的某区域与图像采集装置50之间沿Z轴方向的距离L越短,则说明该区域的翘曲程度越大,越凸出于工件的水平位置,导致该区域距离图像采集装置50越近。处理器60可以将深度信息中一个最长的距离L,或多个长距离L的平均值标定为平整距离L0,并将平整距离L0作为高度H的起始点。即深度信息中,若工件300的某区域与图像采集装置50之间沿Z轴方向的距离L达到L0(L大于或等于L0),则确定该区域为平整区域。若工件300的某区域与图像采集装置50之间沿Z轴方向的距离L小于L0,则确定该区域为翘曲区域,翘曲区域的高度H=L0-L。例如L0为100mm,工件300的某区域的L为98mm,则该区域为翘曲区域,且翘曲区域的高度H=100mm-98mm=2mm,表示该翘曲区域比平整区域高出2mm。翘曲区域的翘曲程度S可以通过如下公式计算:S=H/D。即翘曲程度S表示翘曲在整个工件300的尺度下的弯曲程度。仅根据翘曲区域的高度H控制按压组件20进行按压的方式不能准确地确定所需的按压力的大小。例如某一翘曲区域的高度H=2mm,若该工件300的直径D1=100mm,则对应的翘曲程度S1=2mm/100mm=2%,若该工件300的直径D2=200mm,则对应的翘曲程度S2=2mm/200mm=1%。因此,若仅根据高度H确定按压组件20施加的按压力,则会导致对翘曲程度S1=2%的翘曲区域及翘曲程度S1=1%的翘曲区域施加了相同的按压力,从而导致按压力不够,或按压力过度,即不能准确地确定所需的按压力大小。因此,本申请的实施方式的翘曲校正方法及翘曲校正装置100能够根据翘曲程度控制选取的按压组件20进行按压,以准确地确定翘曲区域所需的按压力大小。
根据翘曲区域选取按压组件20,可以选取某一个距离该翘曲区域最近的按压组件20;也可以选取某一个距离该翘曲区域最近的按压组件20,及与该按压组件20相邻的一个或多个按压组件20;还可以选取与该翘曲区域之间的距离小于预设的距离阈值的多个按压组件20。在此不作限制。
本申请实施方式的翘曲校正方法及翘曲校正装置100能够根据工件300的翘曲区域及翘曲区域的翘曲程度,在多个能够相对独立地对工件300提供压力的按压组件20中,选取与翘曲区域对应的按压组件20对工件300进行按压,以针对性地校正翘曲区域的翘曲程度。不与翘曲区域对应的按压组件20不按压工件300,以减少对工件300的按压,从而减少按压时可能对工件300造成的损伤。
请参阅图1及图11,在某些实施方式中,翘曲校正方法还包括:
04:获取按压组件20的压力;及
05:根据按压组件20的压力及预设压力值控制按压组件20对工件300进行按压。
请参阅图1,在某些实施方式中,翘曲校正装置100的处理器60还可用于执行04及05中的方法。即,处理器60还可用于获取按压组件20的压力、及根据按压组件20的压力及预设压力值控制按压组件20对工件300进行按压。
请结合图3,并结合前文所述,当按压组件20为接触式按压组件20时,按压组件20的压力能够表征翘曲对按压组件20反馈的压力。预设压力值能够反映压块22当前的行程是否足以压平翘曲。因此可根据按压组件20的压力及预设压力值控制按压组件20对工件300进行按压,以确保按压组件20能够压平翘曲。
请结合图4,当按压组件20为非接触式按压组件20时,按压组件20的压力能够表征出气口23流出的气流的气流量。预设压力值可根据翘曲程度分为不同档位,例如低翘曲程度对应低预设压力值、中翘曲程度对应中预设压力值、高翘曲程度对应高预设压力值。当处理器60根据翘曲程度控制选取的按压组件20进行按压时,预设压力值也同时确定,例如根据某一低翘曲区域确定选取的按压组件20对应的预设压力值为低预设压力值。当选取的按压组件20的压力达到预设压力时,表示该按压组件20的出气口23流出的气流足以压平翘曲。
请参阅图1、图3、及图11,在某些实施方式中,05:根据压力及预设压力值控制按压组件20对工件300进行按压,包括:
051:比较压力及预设压力值;
053:当压力大于预设压力值时,驱动件21驱动按压组件20的压块22朝远离基板10的方向移动;及
055:当压力小于预设压力值时,保持压块22相对基板10的移动行程不变。
请参阅图1,在某些实施方式中,翘曲校正装置100的处理器60还可用于执行051、053、及055中的方法。即,处理器60还可用于比较压力及预设压力值、当压力大于预设压力值时,驱动件21驱动按压组件20的压块22朝远离基板10的方向移动、及当压力小于预设压力值时,保持压块22相对基板10的移动行程不变。
结合前文所述,当压力大于预设压力值时,说明压块22与翘曲晶圆抵持时翘曲晶圆对压块22的抵持力较大,压块22需要继续朝远离基板10的方向移动才能压平晶圆的翘曲区域。当压力小于预设压力值时,说明压块22在当前行程位置已经能够将晶圆的翘曲区域压平,因为翘曲恢复平整,或者因为承载装置500能够顺利吸附原来有翘曲的区域,导致该区域对压块22的抵持力减小至小于预设压力值,保持压块22相对基板10的移动行程不变即可维持原翘曲区域的平整。
综上,本申请实施方式的翘曲校正装置100、翘曲校正设备、及翘曲校正方法中,每个按压组件20均能够相对独立地对工件300提供压力,以对工件300进行按压从而校正工件300的翘曲程度。若按压组件20按压工件300后,工件300的小部分区域仍存在翘曲,则可以仅控制仍存在翘曲的区域对应的按压组件20继续按压晶圆,而不存在翘曲的区域对应的按压组件20可以保持对工件300提供的压力不变,或者视情况增加或减小压力,以将按压组件20完全压平。
在本说明书的描述中,参考术语“某些实施方式”、“一个例子中”、“示例地”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为,表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分,并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现,其中可以不按所示出或讨论的顺序,包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序,来执行功能,这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施方式,可以理解的是,上述实施方式是示例性的,不能理解为对本申请的限制,本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施方式进行变化、修改、替换和变型。

Claims (13)

1.一种翘曲校正装置,用于校正工件的翘曲程度,其特征在于,所述翘曲校正装置包括:
基板,所述基板包括相背的第一面及第二面,所述基板还包括中心区域及环绕所述中心区域的边缘区域;
多个按压组件,所述中心区域及所述边缘区域均分布有所述按压组件,每个所述按压组件均设置于所述第一面并朝远离所述第二面的方向延伸,每个所述按压组件均能够相对独立地对工件提供压力,以对所述工件进行按压以校正所述工件的翘曲程度。
2.根据权利要求1所述的翘曲校正装置,其特征在于,每个所述按压组件均能够相对所述基板朝远离所述第二面的方向运动,以对所述工件进行按压以校正所述工件的翘曲程度。
3.根据权利要求2所述的翘曲校正装置,其特征在于,所述按压组件包括驱动件及压块,所述驱动件安装于所述第一面,所述压块包括相背的连接面及施压面,所述连接面与所述驱动件连接,所述驱动件用于驱动所述压块相对所述基板移动,以使所述施压面压紧或释放所述工件。
4.根据权利要求3所述的翘曲校正装置,其特征在于,所述驱动件包括压电马达、液压伸缩杆、及气压伸缩杆中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的翘曲校正装置,其特征在于,每个所述按压组件均能够产生气流,气流能对所述工件施加压力,以校正所述工件的翘曲程度。
6.根据权利要求5所述的翘曲校正装置,其特征在于,所述按压组件包括相背的连接面及施压面,所述连接面与所述基板连接,所述施压面设有出气口,所述基板设有多个气道,每个所述气道分别连通所述按压组件的出气口。
7.根据权利要求3或6所述的翘曲校正装置,其特征在于,多个所述按压组件以所述基板的中心为圆心成环形分布,在同一个环形上的多个所述按压组件的施压面相接形成环形。
8.根据权利要求3所述的翘曲校正装置,其特征在于,所述按压组件包括压力传感器,所述压力传感器用于检测所述按压组件对所述工件提供的压力,
当所述压力大于预设压力值时,所述驱动件驱动所述按压组件的压块朝远离所述基板的方向移动;
当所述压力小于预设压力值时,保持所述压块相对所述基板的移动行程不变。
9.根据权利要求1所述的翘曲校正装置,其特征在于,所述翘曲校正装置还包括:
图像采集装置,用于采集所述工件的图像;及
一个或多个处理器,一个或多个所述处理器用于:
根据所述图像获取所述工件的翘曲区域及所述翘曲区域的翘曲程度;
根据所述翘曲区域选取所述按压组件;及
根据所述翘曲程度控制选取的所述按压组件进行按压,以校正所述翘曲区域的翘曲程度。
10.一种检测设备,其特征在于,所述检测设备包括:
权利要求1-9任意一项所述的翘曲校正装置;及
承载装置,所述承载装置用于承载所述工件。
11.一种翘曲校正方法,用于翘曲校正装置校正工件的翘曲程度,
其特征在于,所述翘曲校正装置包括基板及多个按压组件,所述基板的中心区域与边缘区域均分布有所述按压组件,所述校正方法包括:
获取所述工件的翘曲区域及所述翘曲区域的翘曲程度;
根据所述翘曲区域选取所述按压组件;及
根据所述翘曲程度控制选取的所述按压组件进行按压,以校正所述翘曲区域的翘曲程度。
12.根据权利要求11所述的检测方法,其特征在于,所述按压组件包括压力传感器,所述校正方法还包括:
获取所述按压组件的压力;及
根据所述压力及预设压力值控制所述按压组件对所述工件进行按压。
13.根据权利要求12所述的检测方法,其特征在于,所述按压组件包括驱动件及压块,所述根据所述压力及所述预设压力值控制所述按压组件对所述工件进行按压,包括:
比较所述压力及所述预设压力值;
当所述压力大于所述预设压力值时,所述驱动件驱动所述按压组件的压块朝远离所述基板的方向移动;及
当所述压力小于所述预设压力值时,保持所述压块相对所述基板的移动行程不变。
CN202110322084.0A 2021-03-25 2021-03-25 翘曲校正装置、翘曲校正设备及翘曲校正方法 Pending CN112908907A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110322084.0A CN112908907A (zh) 2021-03-25 2021-03-25 翘曲校正装置、翘曲校正设备及翘曲校正方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110322084.0A CN112908907A (zh) 2021-03-25 2021-03-25 翘曲校正装置、翘曲校正设备及翘曲校正方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112908907A true CN112908907A (zh) 2021-06-04

Family

ID=76106509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110322084.0A Pending CN112908907A (zh) 2021-03-25 2021-03-25 翘曲校正装置、翘曲校正设备及翘曲校正方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112908907A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114823285A (zh) * 2022-04-07 2022-07-29 浙江清华柔性电子技术研究院 超薄芯片及其平整化方法和应用
TWI773378B (zh) * 2021-06-11 2022-08-01 亞亞科技股份有限公司 電路板檢測裝置之取放暨壓制模組
CN115547897A (zh) * 2022-11-30 2022-12-30 长电集成电路(绍兴)有限公司 一种晶圆整平装置及方法
CN117484847A (zh) * 2024-01-02 2024-02-02 四川中科智能科技有限公司 一种热塑性复合工程材料缸盖罩自动校平装置及校平方法
CN117484847B (zh) * 2024-01-02 2024-05-14 四川中科智能科技有限公司 一种热塑性复合工程材料缸盖罩自动校平装置及校平方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI773378B (zh) * 2021-06-11 2022-08-01 亞亞科技股份有限公司 電路板檢測裝置之取放暨壓制模組
CN114823285A (zh) * 2022-04-07 2022-07-29 浙江清华柔性电子技术研究院 超薄芯片及其平整化方法和应用
CN115547897A (zh) * 2022-11-30 2022-12-30 长电集成电路(绍兴)有限公司 一种晶圆整平装置及方法
CN115547897B (zh) * 2022-11-30 2023-04-07 长电集成电路(绍兴)有限公司 一种晶圆整平装置及方法
CN117484847A (zh) * 2024-01-02 2024-02-02 四川中科智能科技有限公司 一种热塑性复合工程材料缸盖罩自动校平装置及校平方法
CN117484847B (zh) * 2024-01-02 2024-05-14 四川中科智能科技有限公司 一种热塑性复合工程材料缸盖罩自动校平装置及校平方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112908907A (zh) 翘曲校正装置、翘曲校正设备及翘曲校正方法
JP4724562B2 (ja) 真空吸着ヘッド、その真空吸着ヘッドを用いた真空吸着装置及びテーブル
KR100638411B1 (ko) 장착헤드 및 전사헤드
JP2009295853A (ja) 素子転写装置、素子転写方法及び表示装置の製造方法
US8679289B2 (en) Method and apparatus for separating protective tape
JP2000052233A (ja) 研磨装置
CN210575887U (zh) 晶圆真空载具以及晶圆真空吸附系统
CN1708378A (zh) 抛光装置
CN214956763U (zh) 翘曲校正装置及检测设备
JP4435486B2 (ja) 半導体素子製造用cmp装置の研磨ヘッド及びこれを備えたcmp装置
JP4334985B2 (ja) 基板載置装置
JPH01319965A (ja) 基板の吸着装置
JPS61102735A (ja) 基板変形チャック
JPH04357820A (ja) ウェーハ吸着装置及びウェーハ吸着方法
CN113745126B (zh) 一种晶圆调平方法、芯片键合方法、芯片键合设备及光刻系统
JP3097314B2 (ja) コレット位置出し方法及び装置
CN213752671U (zh) 承载装置及半导体处理设备
CN220306234U (zh) 一种适用于多种晶圆尺寸的真空吸盘装置
JP4313318B2 (ja) 基板処理装置の研磨ヘッド位置調整方法及び研磨ヘッド位置調整治具
JP5727243B2 (ja) 板状部材の支持装置及び支持方法
TWM487460U (zh) 曝光機之曝光平台
CN220672555U (zh) 一种兼容多尺寸平边晶圆定位的晶圆吸盘
TWI524155B (zh) Exposure machine exposure platform
CN220821487U (zh) 一种晶圆片压平机构
CN211465912U (zh) 一种可调节的抛头机构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination