JPS6349892B2 - - Google Patents

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JPS6349892B2
JPS6349892B2 JP56089545A JP8954581A JPS6349892B2 JP S6349892 B2 JPS6349892 B2 JP S6349892B2 JP 56089545 A JP56089545 A JP 56089545A JP 8954581 A JP8954581 A JP 8954581A JP S6349892 B2 JPS6349892 B2 JP S6349892B2
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wafer
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Motoya Taniguchi
Mitsuyoshi Koizumi
Nobuyuki Akyama
Yukio Kenbo
Minoru Ikeda
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Hitachi Ltd
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Publication of JPS6349892B2 publication Critical patent/JPS6349892B2/ja
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、シリコンウエハ、バブルウエハ、セ
ラミツク基板、プリント基板などにマスクに設け
た所定のパターンを焼きつける露光方法及びその
装置に関するものである。
近年、半導体の集積化にともない、パターンの
微細化が進み、現在、フオトリソグラフイー技術
による各種の露光方法、たとえば、紫外線などを
用いた反射投影形、縮小投影形の露光方法によ
り、１〜２ミクロンのパターンが形成できるよう
になつた。しかし、さらに高集積化を図るため、
１ミクロン以下のいわゆるサブミクロンパターン
が要求されているが、従来のフオトリソグラフイ
ー技術では、光の回折、多重反射、及び干渉など
の問題により、投影像の精度が得られないため、
新しい露光方法として、波長が４〜14Å程度の軟
Ｘ線を利用したＸ線露光方法が開発されている。
まずＸ線露光方法の原理を第１図に従つて説明
する。
高真空雰囲気（10-6torr以下）１、に保つた真
空チエンバー２内で、電子銃３から加速した電子
ビーム４をターゲツト５に照射すると、ターゲツ
ト５の材質に応じた特性Ｘ線６が発生するこのＸ
線６を、Be（ベリリウム）などのＸ線を透過し易
いＸ線取出し窓７から取り出し、Ｘ線を透過し易
い材質（SiO2、Al2O3など）のマスク支持材８
に、Ｘ線を吸収する金などの金属によりパターン
９を形成したマスク１０を通して、ウエハ１１上
に塗布したＸ線６に反応するレジスト１２に照射
した後、現象処理することにより、ウエハ１１上
にパターン９を転写することができる。この方式
は、波長の短い（４〜14Å）の軟Ｘ線を利用する
ため、回折やウエハ１１上のごみによる散乱が少
ないため、高精度の微細パターンの転写が可能で
ある。
Ｘ線露光装置においては、Ｘ線を平行線束とし
て取り出すことが現実上困難であるため、通常
は、ターゲツト５からの発散線束を使用する。こ
のため、マスク１０上のパターン９は、ウエハ１
１上には、ｂだけずれた位置に転写されることに
なる。このパターンずれ量ｂは、Ｘ線源からマス
ク１０までの距離をＤ、マスク１０とウエハ１１
とのギヤツプをＳ、実効マスク径（最外パターン
間寸法）をＷとするとｂ＝ＳＷ／2Dで与えられる。
さらにまた、Ｘ線６は、電子線４のスポツト径ｄ
に応じてターゲツト５から発散するためマスク１
０上のパターン９は、ウエハ１１上で転写像のぼ
け量Ｃを生ずる。このぼけ量Ｃは、機何的に算出
され、Ｃ＝Ｓ・ｄ／Ｄで与えられる。
Ｘ線露光装置により、サブミクロンの微細パタ
ーンを高精度に転写するには、このぼけ量Ｃは、
0.1ミクロン以下であることが必要である。また、
パターンずれ量ｂについては、その絶対値は、直
接には、転写精度には影響しないが、あるリソグ
ラフイーと次のリソグラフイーとの間におけるバ
ラツキは±0.1μｍ以内であることが必要である。
ここで、電子ビーム４のスポツト径ｄ＝３mmＸ
線源からマスク１０までの距離Ｄ＝300mm、実効
マスク径Ｗ＝75mmとし、パターン９の許容ボケ量
Ｃを0.1ミクロンとすると、マスク１０とウエハ
１１のギヤツプＳは、10ミクロンとなる。またパ
ターンずれ量ｂのバラツキを±0.1ミクロンとす
るには、ギヤツプＳのばらつきを＋0.8ミクロン
（≒±１ミクロン）としなくてはならない。
従来より、試作、研究レベルで発表されている
Ｘ線露光装置においては、マスク１０とウエハ１
１とは第２図に示す様に、薄く弱いマスク１０の
変形、たわみにより、ギヤツプＳが均一でなく高
精度なパターン転写が困難であつた。
すなわち、マスク１０は、Ｘ線６を透過し易い
材質、たとえば、SiO2・Al2O3、ポリイミドなど
の高分子材料、などのマスク支持材８を用いたも
ので、厚さも数〜数10ミクロンの薄膜であるた
め、強度的に弱く、気圧、温度の変化などにより
変形し易い。この傾向は、マスク１０が大形化す
ることにより顕著になり、Ｘ線による一括露光装
置開発のネツクとなつていた。
また、ウエハ１１はマスク１０に比べると、約
200ミクロンと厚いため、変形、たわみ量は少な
いが、平担度は通常でも４ミクロン以上あり中に
は±10ミクロン以上のものがある。しかし現状で
は、ウエハ製造工程において、ウエハ１０の平担
度を改善することは困難である。
以上のように、従来の方式では、ウエハ１１と
マスク１０とのギヤツプＳのバラツキが±数10ミ
クロン以上となる場合があり、パターンズレ量
ｂ、及びパターンぼけ量Ｃが、露光のたびに変化
するため、サブミクロンパターンの高精度転写で
きないという問題点がある。また、従来技術とし
て、特公昭57−23418号公報に記載された薄片平
坦化装置がある。この装置において、ウエハ保持
装置は、筐体の周囲に多数設けられたモータに減
速機を介して連結した棒状カムの各々によつてバ
イアス用スプリングのばね力に抗して上下動する
管状シヤフトを多数筐体の上面から室内に延ばし
て２次元的に配置し、ウエハの裏面を、多数配置
された管状シヤフトの上端に形成された吸引カツ
プで直接吸着保持し、上記管状シヤフトの上下動
によりウエハを変形させるものである。更にこの
装置には、ウエハの表面の幾何学的状態を感知す
るために、感知装置を多数設置したヘツドを取付
けたピボツトアームが水平方向に回転できるよう
に設けられている。更に上記筐体の周囲にウエハ
保持装置と同様な３個のマスク保持装置と、ノズ
ルからなる３個の感知装置とが設けられている。
しかしながら、この装置においては、管状シヤフ
トによつてウエハを直接吸着保持しているため、
ウエハの小さい変形を矯正できないばかりでな
く、ウエハの極部に剪断力が作用し、割れたりす
る危険性がある。また、この装置においては、ノ
ズルからなる３個の感知装置が筐体に固定されて
いる関係で、マスクがウエハの径より大きい場合
にしか適用できない問題点を有している。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、基板を破壊することなく、しかも小さなう
ねりをなくしてマスクの形状に合せて、基板とマ
スクとの間隔が所望の値を保つように基板を変形
させてマスクのパターンを基板上に高解像度でも
つて転写露光し、半導体や磁気バブル、厚膜、薄
膜回路やプリント基板などの歩留りを向上させる
ようにした露光方法及びその装置を提供すること
にある。
即ち、本発明は、上記目的を達成するために、
基板の全裏面をほぼ吸着できる大きさと上面に基
板を吸着すべく空間部とを有した変形し得る可撓
性の板を介して該板の下面と一体的に係合する上
端を有する複数の変位発生装置を２次元的に配置
し、上記空間部に板の裏側から真空源を接続した
基板移動ステージを露光位置に近接した基板高さ
測定位置へ移動させてこの基板高さ測定位置にお
いて上記基板の表面に対向すべく設けられた基板
高さ測定器により基板の表面の複数個所について
その高さを測定する基板高さ測定工程と、マスク
高さ測定器をマスクの下面に対向すべく移動させ
てマスクの下面の複数個所についてその高さを測
定するマスク高さ測定工程と、上記基板高さ測定
工程により測定された基板の高さと上記マスク高
さ測定工程により測定されたマスクの高さとに基
いて上記複数の変位発生装置を作動させて上記板
を介して上記基板を変形させてマスクと基板との
間の間隙を所望の寸法に制御する間隙制御工程
と、上記マスク高さ測定器を露光領域から退避さ
せ、更に上記基板移動ステージを露光位置へと移
動させ、この露光位置においてマスクに形成され
た回路パターンを対向する基板上に露光焼付する
露光工程とを備えたことを特徴とする露光方法で
ある。
また本発明は、複数箇所で各々独立して上下方
向に微動させる複数の変位発生手段と、これら変
位発生手段の上面に一体的に係合し、更に基板の
全裏面をほぼ吸着できる大きさを有する可撓性の
板を設置し、該可撓性の板の上面に基板の裏面を
吸着させて基板を可撓性の板に倣わせる吸着手段
とを備えたチヤツクを設け、マスクの形状に合せ
て基板を変形させ、マスクと基板との間隙を所望
の寸法に制御してマスクのパターンを基板上に高
解像度でもつて露光焼付けするように構成したこ
とを特徴とする露光装置である。
以下本発明の具体的実施例を図に従つて具体的
に説明する。
本発明をＸ線露光方法及び装置に適用した場合
についで詳しく説明する。Ｘ線露光方法の原理
は、第１図に示す通りであり、従来の技術の項に
既に述べた通り、マスク１０の変形、そりとウエ
ハ１１の厚さ寸法精度のばらつきにより、第２図
に示す様にマスク１０とウエハ１１との間のギヤ
ツプＳは一定に保つことが困難である。そこで、
本発明は、第３図に示す様にウエハ１１を、マス
ク１０の形状にあわせて変形させ、双方のギヤツ
プＳを均一にすることに大きな特徴をもつ。
第４図は、本発明による露光方法及び装置の具
体的な一実施例を示す。露光ステーシヨン１３に
は露光源１４の下に、後述するウエハ１１とマス
ク１０との位置合わせを行なうための位置検出器
（アライメントスコープ）１５と、マスク１０が
設けられている。
マスク高さ測定器１６は、露光ステーシヨン１
３から待避位置１７へ移動できるように高精度な
直線ガイドレール１８上をスライドするステージ
１９に組み込まれており、露光ステーシヨン１３
で、マスク１０の高さWmを測定できるようにな
つている。また、露光ステーシヨン１３に隣接し
て、ウエハ高さ測定ステーシヨン２０があり、こ
こに設けたウエハ高さ測定器２１により、ウエハ
１１の高さWwを測定する。ウエハ１１は、ウエ
ハ変形チヤツク２２に吸着支持されている。マス
ク高さWm及びウエハ高さWwは各々複数箇所に
ついて測定されコントローラ２３、対応する各点
でのマスク−ウエハ間のギヤツプＳを計算し、ド
ライバ２４にギヤツプＳが一定となるようなウエ
ハ高さ補正量ΔWwを指示する。このデータに従
つて、ドライバ２４は、複数個のウエハ変形チヤ
ツク２２に入力を与え、ウエハ１１を変形させ
る。
なお、ウエハ高さ補正量ΔWwは、各測定器の
基準面高さの差をｈ、マスク−ウエハ間ギヤツプ
の設定値をＳとすると、ΔWw＝（Ｓ＋ｈ）−（Wm
＋Ww）で与えられる。しかし、この演算方法
は、測定方法、及び測定基準の設定により異なる
ため、上記の演算式に従う必要は必ずしもない。
ウエハ変形チヤツク２２はウエハ移動ステージ
２５に設けられており、直進ガイドレール１８上
を露光ステーシヨン１３に、移動される。前述の
ように、マスク高さ測定器１６は、ステージ１９
とともに、マスク高さ測定後、待避位置１７に移
動する。第５図は、露光時の状態を示したもので
ある。
ウエハ移動ステージ２５は、ウエハ１１を露光
位置１３に移動させるだけではなく、ウエハ１１
とマスク１０のパターン位置合わせ（アライメン
ト）をするためのウエハ位置調整機構としての
Ｘ、YZ移動機構を有している。アライメントス
コープ１５は、露光前にマスク１０の上に移動
し、ウエハ移動ステージ２５で、パターン位置合
わせを行なつた後、露光線束を妨げないように待
避する。
なお、ウエハ１１の変形は、ウエハ高さ測定ス
テーシヨン２０において、マスク１０の高さとウ
エハの高さを測定しながら行なう場合と、各高さ
を記憶させておき、露光ステーシヨン１３で変形
させる場合と２通り考えられるが、制御上都合の
よい方を選べばよい。
次に、ウエハ変形方法及びウエハ変形チヤツク
２２の構造を具体的実施例をもとに説明する。
第６図ａ，ｂは、ウエハ変形チヤツクの変形を
各分割部分を上下することにより可能にして、ウ
エハ１１をマスク１０の形状にならわせて変形さ
せる一実施例を示す図である。第６図ａ，ｂはウ
エハ変形装置を詳細に説明した平面図と断面図で
ある。第６図ａのように分割した格子の１つ１つ
に、ｂのようにモータ３３、ギヤ３４、送りネジ
による上下コマ３５で１組の上下変位発生装置３
６を構成し、各組が独立な上下変位発生装置３
６、各上下変位発生装置３６に対応したウエハ高
さ測定器２１、上下変位発生装置３６を内蔵し、
かつ、ウエハ１１を吸着保持するためのチヤツク
本体３８、本図には記されていない真空配管に連
通し、チヤツク本体内を真空にする配管３７、全
てのウエハ高さ測定値と、マスク高さ測定値とを
演算し、各上下変位発生装置３６の上下量ΔWw
を決定するコントローラ２３、各モータ３３を駆
動するドライバ２４からなる。
ウエハ１１は、真空吸引され、上下変位発生装
置３６の先端のならい、個々の上下変位発生装置
３６に対応したウエハ面を上下させることができ
る。
ウエハ高さとマスク高さを測定した後、修正量
ΔWwにもとづいて各モータ３３が回転し、減速
ギヤ３４により減速した回転運転は送りネジで上
下コマ３５を上下させる。モータ３３がDCモー
タの場合、減速ギヤ比は１万〜10万等の十分な減
速が必要となるが、パルスモータの場合は、0.5
ミクロン単位程度に、上下コマ３５を制御できる
程度ならよく、大きなギヤ比を必要としない。ま
た、DCモータは、検出器２１を用いてのクロー
ズドループによる上下量の制御がし易いが、パル
スモータではオープンループで制御可能である。
ただし、パルスモータは、DCモータより大きく
停止中も熱をもつ欠点を有するが、いずれも、バ
ツクラツシユ、ガタなどをなくすか、あるいは、
あつてもコントロール可能な値に抑える必要があ
る。
すなわち、ウエハ変形チヤツク２２の上面は、
複数個の上下コマ３５から成つており、各々のコ
マ３５は変位発生装置３６により、各々独立に微
小距離上下可能になつている。
また、上下変位発生装置３６としては、上記モ
ータに連結されたねじの他に、電歪素子、磁歪素
子、熱変形素子、マグネツト利用、流体によるも
の、テコ等による微細変位機構、それらの組合せ
でも良い。半導体ウエハの場合、ストローク30ミ
クロン、位置決め精度±１ミクロン以下、変形速
度がスループツトに比べて早く、かつ露光時に安
定していなければならない。
また、マスクの高さの測定法には、単一素子を
用いて、幾つかの点をシリアルに測定する方法
と、複数の点をパラレルに測定する方法とが考え
られる。
また、上記の変位発生装置３６として、第７図
のように、以上述べてきた複数個に分割された変
位発生装置３６の上に、薄板４７を貼ることもで
きる。その他の変位発生手段として複数の室に分
割された各室の真空圧力を調整することにより、
薄板４７をダイヤフラム状に変形させることもで
きる。なお、４８はウエハ１１を薄板４７に吸着
するための穴である。即ち、薄板（可撓性の板）
４７に形成された穴４８は、上面にウエハ（基
板）１１を吸着するための空間部である。
更に、第５図に示すようにコントローラ２３及
びドライバ２４は、ウエハ高さ測定器２１により
測定されたウエハの高さWwとマスク高さ測定器
１６により測定されたマスクの高さWmとに基い
て複数の変位発生装置３６を作動させて上記薄板
（可撓性の板）４７を介して上記ウエハ（基板）
１１を変形させてマスクと基板との間のギヤツプ
（間隙）Ｓを所望の寸法に制御する間隙制御手段
を構成する。
ウエハ１１及びマスク１０の高さ測定器には、
接触式と非接触式がある。接触式の典型的な例は
ダイヤルゲージがあるが、薄くて変形し易いマス
ク１０の高さ測定には不向きである。また、非接
触式には、空気マイクロメータ、電磁気型測定
器、静電容量形測定器、光学的測定器、超音波利
用の測定器などのように様々な手段が考えられ
る。なお、本発明の具体的実施例として、ウエハ
１１とマスク１０とのギヤツプは、各々の高さを
独立に測定して、均一化する方式を示したが、ウ
エハ１１とマスク１０を合わせた状態で、直接、
ギヤツプ量を測定して、ギヤツプの均一化を図る
ことが望ましい。
以上説明したように、本発明によれば、基板を
破壊することなく、しかも小さなうねりをなくし
てマスクの大きさに関係なくマスクの形状に合せ
て基板を高精度に変形させることが可能となり、
マスクとウエハとの間隙を±1μｍ程度の高精度
で所望の寸法に制御でき、転写パターンのずれ
量、並びにぼけ量を一定に保つことができ、高解
像度でもつて転写可能となる作用効果を奏する。
例えばＸ線露光の場合には1μｍ以下のサブミク
ロンパターンについて高精度に転写可能となる。
また、フオトリソグラフイーにおいても、光の解
像度の限界までの微細パターンの転写が可能とな
り、LSIなどの歩留りを大幅に向上することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図はＸ線露光法の原理を示す図、第２図は
従来方式によるマスクとウエハのギヤツプ関係を
示す図、第３図は本発明によるマスクとウエハの
ギヤツプ関係を示す図、第４図及び第５図は本発
明による露光方法及び装置を示す図、第６図ａは
本発明によるウエハ変形装置一実施例を示す平面
図、第６図ｂは第６図ａの断面図第７図ａは本発
明によるウエハ変形装置の一実施例を示す平面
図、第７図ｂは第７図ａの断面図である。 ８……マスク支持材、９……パターン、１０…
…マスク、１１……ウエハ、１３……露光ステー
シヨン、１４……露光光源、１６……マスク高さ
測定器、１７……待避位置、１９……ステージ、
２０……ウエハ高さ測定ステーシヨン、２１……
ウエハ高さ測定器、２２……ウエハ変形チヤツ
ク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 基板の全裏面をほぼ吸着できる大きさと上面
    に基板を吸着すべく空間部とを有した変形し得る
    可撓性の板を介して該板の下面と一体的に係合す
    る上端を有する複数の変位発生装置を２次元的に
    配置し、上記空間部に板の裏側から真空源を接続
    した基板移動ステージを露光位置に近接した基板
    高さ測定位置へ移動させてこの基板高さ測定位置
    において上記基板の表面に対向すべく設けられた
    基板高さ測定器により基板の表面の複数個所につ
    いてその高さを測定する基板高さ測定工程と、マ
    スク高さ測定器をマスクの下面に対向すべく移動
    させてマスクの下面の複数個所についてその高さ
    を測定するマスク高さ測定工程と、上記基板高さ
    測定工程により測定された基板の高さと上記マス
    ク高さ測定工程により測定されたマスクの高さと
    に基いて上記複数の変位発生装置を作動させて上
    記板を介して上記基板を変形させてマスクと基板
    との間の間隙を所望の寸法に制御する間隙制御工
    程と、上記マスク高さ測定器を露光領域から退避
    させ、更に上記基板移動ステージを露光位置へと
    移動させ、この露光位置においてマスクに形成さ
    れた回路パターンを対向する基板上に露光焼付す
    る露光工程とを備えたことを特徴とする露光方
    法。 ２ 基板の全裏面をほぼ吸着できる大きさと上面
    に基板を吸着すべく空間部とを有した変形し得る
    可撓性の板を介して該板の下面と一体的に係合す
    る上端を有する複数の変位発生装置を２次元的に
    配置し、上記空間部に板の裏側から真空源を接続
    し、露光位置と基板高さ測定位置との間を移動自
    在に形成された基板移動ステージと、露光位置に
    おいて上記基板と対向するようにマスクを保持す
    るマスク保持手段と、上記基板移動ステージによ
    つて上記基板高さ測定位置に移動せしめられた基
    板の表面に対向し、基板の表面の複数個所につい
    てその高さを測定する基板高さ測定器と、マスク
    の下面に対向すべく移動させてマスクの下面の複
    数個所についてその高さを測定するマスク高さ測
    定器と、上記基板高さ測定器により測定された基
    板の高さと上記マスク高さ測定器により測定され
    たマスクの高さとに基いて上記複数の変位発生装
    置を作動させて上記板を介して上記基板を変形さ
    せてマスクと基板との間の間隙を所望の寸法に制
    御する間隙制御手段と、露光位置においてマスク
    に形成された回路パターンを対向する基板上に露
    光焼付する露光手段とを備えたことを特徴とする
    露光装置。
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Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4525852A (en) * 1983-03-15 1985-06-25 Micronix Partners Alignment apparatus
US4584699A (en) * 1984-01-06 1986-04-22 The Perkin-Elmer Corporation X-ray anode assembly
US4592081A (en) * 1984-02-10 1986-05-27 Varian Associates, Inc. Adaptive X-ray lithography mask
GB2155201B (en) * 1984-02-24 1988-07-13 Canon Kk An x-ray exposure apparatus
JPS61105841A (ja) * 1984-10-29 1986-05-23 Seiko Epson Corp 露光装置及び露光方法
EP0194487B1 (de) * 1985-02-28 1990-07-18 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Lagebestimmung eines Objekts in einem automatisierten Fertigungsverfahren und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US4749867A (en) * 1985-04-30 1988-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPS61287229A (ja) * 1985-06-14 1986-12-17 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 露光装置、及び該露光装置を用いた回路パターン製造方法
JPS6231121A (ja) * 1985-08-02 1987-02-10 Canon Inc 被露光物体用チヤツクとそれを利用した縮小投影型露光装置
US4700077A (en) * 1986-03-05 1987-10-13 Eaton Corporation Ion beam implanter control system
US4724222A (en) * 1986-04-28 1988-02-09 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Wafer chuck comprising a curved reference surface
EP0253283A3 (de) * 1986-07-15 1988-07-20 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zur Belichtung von Halbleiterscheiben mittels Synchrotronstrahlung in einem Lithographiegerät
DE3639346A1 (de) * 1986-11-18 1988-05-26 Siemens Ag Verfahren und anordnung zur aenderung des abbildungsmassstabes in der roentgenlithografie
JPS63172148A (ja) * 1987-01-12 1988-07-15 Hitachi Ltd 基板表面変形装置
US4870668A (en) * 1987-12-30 1989-09-26 Hampshire Instruments, Inc. Gap sensing/adjustment apparatus and method for a lithography machine
JP2690960B2 (ja) * 1988-09-07 1997-12-17 株式会社日立製作所 拡大投影露光方法及びその装置
US5003567A (en) * 1989-02-09 1991-03-26 Hawryluk Andrew M Soft x-ray reduction camera for submicron lithography
US5197089A (en) * 1990-05-21 1993-03-23 Hampshire Instruments, Inc. Pin chuck for lithography system
US5094536A (en) * 1990-11-05 1992-03-10 Litel Instruments Deformable wafer chuck
JP3004045B2 (ja) * 1990-11-19 2000-01-31 株式会社東芝 露光装置
KR0157279B1 (ko) * 1994-03-15 1999-05-01 모리시타 요이찌 노광방법
JP2644692B2 (ja) * 1995-01-30 1997-08-25 キヤノン株式会社 Ｘ線転写装置
US6229595B1 (en) 1995-05-12 2001-05-08 The B. F. Goodrich Company Lithography system and method with mask image enlargement
US5724121A (en) * 1995-05-12 1998-03-03 Hughes Danbury Optical Systems, Inc. Mounting member method and apparatus with variable length supports
US6309580B1 (en) * 1995-11-15 2001-10-30 Regents Of The University Of Minnesota Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography
US20040137734A1 (en) * 1995-11-15 2004-07-15 Princeton University Compositions and processes for nanoimprinting
US7758794B2 (en) * 2001-10-29 2010-07-20 Princeton University Method of making an article comprising nanoscale patterns with reduced edge roughness
US6144719A (en) * 1996-01-22 2000-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method, exposure device and device producing method
KR100542414B1 (ko) * 1996-03-27 2006-05-10 가부시키가이샤 니콘 노광장치및공조장치
JP3377165B2 (ja) * 1997-05-19 2003-02-17 キヤノン株式会社 半導体露光装置
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JP3187011B2 (ja) * 1998-08-31 2001-07-11 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP4365908B2 (ja) 1998-09-04 2009-11-18 キヤノン株式会社 面位置検出装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2000228355A (ja) * 1998-12-04 2000-08-15 Canon Inc 半導体露光装置およびデバイス製造方法
US6924884B2 (en) 1999-03-08 2005-08-02 Asml Netherlands B.V. Off-axis leveling in lithographic projection apparatus
US7116401B2 (en) 1999-03-08 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method
TW490596B (en) 1999-03-08 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus
US6229871B1 (en) * 1999-07-20 2001-05-08 Euv Llc Projection lithography with distortion compensation using reticle chuck contouring
US8217304B2 (en) 2001-03-29 2012-07-10 Gsi Group Corporation Methods and systems for thermal-based laser processing a multi-material device
JP4383626B2 (ja) * 2000-04-13 2009-12-16 キヤノン株式会社 位置決め装置および露光装置
US6483071B1 (en) * 2000-05-16 2002-11-19 General Scanning Inc. Method and system for precisely positioning a waist of a material-processing laser beam to process microstructures within a laser-processing site
US6556281B1 (en) * 2000-05-23 2003-04-29 Asml Us, Inc. Flexible piezoelectric chuck and method of using the same
US6509952B1 (en) 2000-05-23 2003-01-21 Silicon Valley Group, Inc. Method and system for selective linewidth optimization during a lithographic process
KR100471018B1 (ko) * 2000-11-28 2005-03-08 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 두 개의 대상물 간의 갭 조절장치 및 조절방법
JP2002175770A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Hitachi Ltd 気体排気用試料室及びそれを用いた回路パターン形成装置
US6537844B1 (en) * 2001-05-31 2003-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
JP2004031024A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Canon Inc 光発生装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
US7019819B2 (en) * 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
TWI277836B (en) * 2002-10-17 2007-04-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Method and apparatus for forming pattern on thin-substrate or the like
US7641840B2 (en) 2002-11-13 2010-01-05 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
JP2004335855A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Rohm Co Ltd 露光装置及び露光方法
SG110196A1 (en) * 2003-09-22 2005-04-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414701B2 (en) * 2003-10-03 2008-08-19 Asml Holding N.V. Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems
US7072024B2 (en) 2004-01-20 2006-07-04 Nikon Corporation Lithographic projection method and apparatus
US6980279B2 (en) 2004-01-22 2005-12-27 Nikon Corporation Interferometer system for measuring a height of wafer stage
US8046049B2 (en) * 2004-02-23 2011-10-25 Biosense Webster, Inc. Robotically guided catheter
WO2005083524A2 (de) * 2004-02-26 2005-09-09 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum ausrichten der oberfläche eines substrats
US7440081B2 (en) * 2004-11-05 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and substrate table
US7372549B2 (en) * 2005-06-24 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8215946B2 (en) 2006-05-18 2012-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
EP2095946A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-02 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO A system for patterning flexible foils
JP2010034243A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Canon Inc 基板保持装置、露光装置およびデバイス製造方法
DE102008052100B4 (de) * 2008-10-08 2015-10-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Flexibel verformbares Halteelement für Substrate
GB2469112A (en) 2009-04-03 2010-10-06 Mapper Lithography Ip Bv Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer
JP5670351B2 (ja) * 2009-02-22 2015-02-18 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． リソグラフィ機械装置のための準備ユニット
WO2012081234A1 (ja) * 2010-12-14 2012-06-21 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
CN104658950B (zh) * 2010-12-20 2018-01-19 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于保持晶片的容纳装置及用于将晶片对齐的装置和方法
WO2012083978A1 (de) * 2010-12-20 2012-06-28 Ev Group E. Thallner Gmbh Aufnahmeeinrichtung zur halterung von wafern
NL2008833A (en) * 2011-06-21 2012-12-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of deforming a substrate table and device manufacturing method.
CN104685095B (zh) 2012-04-19 2017-12-29 因特瓦克公司 用于制造太阳能电池的双掩模装置
US10062600B2 (en) 2012-04-26 2018-08-28 Intevac, Inc. System and method for bi-facial processing of substrates
SG11201406893XA (en) 2012-04-26 2014-11-27 Intevac Inc System architecture for vacuum processing
FR3014212B1 (fr) * 2013-12-04 2017-05-26 Fogale Nanotech Dispositif et procede de positionnement de masque de photolithographie par methode optique sans contact
WO2016022728A1 (en) * 2014-08-05 2016-02-11 Intevac, Inc. Implant masking and alignment
JP2016143706A (ja) * 2015-01-30 2016-08-08 株式会社東芝 基板保持装置および半導体装置の製造方法
CN104991427B (zh) * 2015-08-12 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光装置及曝光方法
KR101911766B1 (ko) * 2016-12-08 2018-10-26 한양대학교 산학협력단 반도체 기판용 진공 척 및 이를 이용한 검사 대상물의 검사 방법
US11251019B2 (en) * 2016-12-15 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Plasma device
JP6863199B2 (ja) 2017-09-25 2021-04-21 トヨタ自動車株式会社 プラズマ処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5252579A (en) * 1975-10-27 1977-04-27 Canon Inc Clearance adjusng method
JPS5613726A (en) * 1979-07-14 1981-02-10 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Gap setter in proximity-aligner
JPS5723418A (en) * 1980-07-17 1982-02-06 Showa Electric Wire & Cable Co Wire shield cable

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4179110A (en) * 1974-05-28 1979-12-18 Canon Kabushiki Kaisha Method for opposing a sheet-like material to a standard plane with predetermined space therebetween
FR2371716A1 (fr) * 1976-11-19 1978-06-16 Thomson Csf Appareil photorepeteur de masques
US4122335A (en) * 1977-06-17 1978-10-24 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for mask to wafer gap control in X-ray lithography
JPS5447581A (en) * 1977-09-22 1979-04-14 Hitachi Ltd Mask aligner
GB2063523B (en) * 1978-10-20 1982-12-15 Hitachi Ltd Wafer position setting apparatus
USRE30601E (en) * 1978-12-11 1981-05-05 International Business Machines Corporation Alignment apparatus
US4198159A (en) * 1978-12-29 1980-04-15 International Business Machines Corporation Optical alignment system in projection printing
DE3110341C2 (de) * 1980-03-19 1983-11-17 Hitachi, Ltd., Tokyo Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines dünnen Substrats in der Bildebene eines Kopiergerätes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5252579A (en) * 1975-10-27 1977-04-27 Canon Inc Clearance adjusng method
JPS5613726A (en) * 1979-07-14 1981-02-10 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Gap setter in proximity-aligner
JPS5723418A (en) * 1980-07-17 1982-02-06 Showa Electric Wire & Cable Co Wire shield cable

Also Published As

Publication number Publication date
US4475223A (en) 1984-10-02
EP0077878B1 (en) 1985-09-25
DE3266519D1 (en) 1985-10-31
EP0077878A1 (en) 1983-05-04
JPS57204547A (en) 1982-12-15

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