WO2005083524A2 - Verfahren zum ausrichten der oberfläche eines substrats - Google Patents

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WO2005083524A2
WO2005083524A2 PCT/EP2005/002026 EP2005002026W WO2005083524A2 WO 2005083524 A2 WO2005083524 A2 WO 2005083524A2 EP 2005002026 W EP2005002026 W EP 2005002026W WO 2005083524 A2 WO2005083524 A2 WO 2005083524A2
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Berndt Warm
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Carl Zeiss Smt Ag
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
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    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

Definitions

  • the invention relates to a method for aligning the surface of a substrate and a holding device for a substrate, in particular for a wafer, with a base body which is provided with a substrate receiving part for receiving the substrate.
  • Holding devices for substrates, in particular for wafers in semiconductor lithography, with a projection objective and a substrate arranged behind the projection objective in the beam direction, on which the structure of a reticle is imaged in a reduced size, are widely known from the general prior art.
  • the surface of the wafer must be arranged within a depth-of-field area of the lithographic projection lens so that the structures of the reticle can be imaged sharply on the wafer.
  • the depth of focus is in the range of a few nanometers.
  • structures that are becoming ever finer require even smaller depths of field.
  • vacuum suction devices also referred to as vacuum chucks
  • the vacuum chucks usually consist of a ceramic in order to be able to clamp thin materials, such as the wafer, without plastic deformation. So that the surface of the wafer can be positioned anywhere in the same plane, the wafer must have the same thickness values everywhere.
  • the surface of the substrate e.g. of a wafer
  • the surface of the substrate can be aligned very precisely.
  • different thicknesses or unevenness in the surface can be compensated in such a way that the entire surface lies within a required depth of field.
  • actuating elements are possible for generating the actuating forces, which can be attached appropriately distributed.
  • piezoelectric actuators is possible for this.
  • the positioning forces act on the side of the substrate receiving part facing away from the support surface of the substrate receiving part via adjusting elements, the substrate receiving part being designed to be deformable. It can be provided that a large number of adjusting elements enten be attached between the substrate receiving part and a base body arranged under the substrate receiving part.
  • the adjusting elements can act as tensile and / or compressive forces on the substrate receiving part and thus also on the substrate.
  • the holding device according to the invention for a substrate in particular for a wafer, accordingly has a base body and a substrate receiving part for receiving the substrate.
  • the substrate receiving part is provided with actuating elements, the actuating forces of which are directed to a support surface of the substrate receiving part on which the substrate rests.
  • the actuating elements can be activated to deform the substrate receiving part. Variations in the thickness of substrates such as wafers can also be compensated for. In this way, the surface of the wafer to be processed comes to lie on the same plane everywhere. According to the invention, even unevenly thick wafers, the manufacturing accuracy of which is not particularly high, can be used in lithography systems with a very small depth of field.
  • Figure 1 shows a basic structure of an EUEV projection lighting system
  • Figure 2 is a schematic representation of a holding device according to the invention in side view
  • Figure 3 is a schematic representation of a substrate and its connection with the holding device according to the invention.
  • FIG. 4 shows a basic illustration of the holding device according to the invention with a measuring system, an evaluation device and control electronics;
  • Figure 5 is a schematic representation of the holding device according to the invention with a channel device.
  • FIG. 1 shows an EUV projection exposure system in principle.
  • the structure and mode of operation of a projection exposure system is generally known, which is why only the essential parts are discussed in more detail below.
  • EP 0 616 188 B1 and DE 102 18 989 AI which likewise form part of the disclosure of the present application.
  • the projection exposure system 21 shown in FIG. 1 has a light source 22, an EUV illumination system 23 for illuminating a field in a plane 24 in which a structure-bearing mask (reticle) is arranged, and a projection objective 25.
  • the projection lens 25 has several optical elements, in particular mirrors 26, in a lens housing.
  • the structure-bearing mask is transferred to a light-sensitive substrate 6, for example a wafer, via the projection objective 25.
  • the substrate 6 is held in a holding device 1 with a base body 2.
  • the holding device 1 for the substrate 6 is shown in FIG.
  • the holding device 1 contains the base body 2, which is provided with a deformable, for example an elastic, substrate receiving part 3 for receiving the substrate 6.
  • the substrate receiving part 3 is connected to the base body 2 via connecting elements 4.
  • the substrate receiving part 3 is flat for receiving the substrate.
  • Adjusting elements 5 are arranged between the base body 2 and the substrate receiving part 3, the actuating forces of which act on a side 3b of the substrate receiving part 3 facing away from the substrate 6 and are thus directed towards a bearing surface 3a of the substrate receiving part 3 on which the substrate 6 rests.
  • the actuating elements 5 can exert tensile and / or compressive forces on the substrate receiving part 3, as a result of which the bearing surface 3a is deformed accordingly.
  • the actuating elements 5 are piezoelectric actuators. Of course, other control elements can also be provided.
  • FIG. 3 shows the substrate 6, for example a wafer, in the upper region of the figure with an uneven thickness.
  • the production of the substrate or the wafer 6 with a flat surface or a uniform thickness in all areas is very difficult to achieve with methods according to the general prior art. So that a surface 7 of the substrate 6 comes to lie all over the same plane, the holding device 1 with the substrate receiving part 3 is provided. For this purpose, the substrate 6 is applied in the direction of the arrow to the support surface 3a of the substrate receiving part 3.
  • the actuating elements 5 designed as piezoelectric actuators exert a force on the substrate receiving part 3 when a voltage is applied (see also FIG. 4). This force leads to the deformation of the substrate receiving part 3 A targeted application of voltages to the respective adjusting elements 5 can thus bring the substrate receiving part 3 with the bearing surface 3a into a certain shape, the substrate 6 adapting to the bearing surface 3a of the substrate receiving part 3 such that a flat surface 7 of the substrate 6 can be achieved.
  • tensile and / or compressive forces can be generated in the direction of the bearing surface 3a. In this way, an uneven thickness of the substrate 6 can be compensated for by deforming the substrate receiving part 3 of the base body 2.
  • the number of actuating elements 5 depends on the typical manufacturing errors of the substrate 6 and can therefore vary. For example, in the case of a fluctuation in the center thickness of the substrate 6, only a few actuating elements 5 are necessary, which in the central region of the substrate receiving part 3 between the substrate receiving part 3 and the base body 2 are arranged.
  • FIG. 4 shows the holding device 1 with a measuring system 9, an evaluation device 10 and control electronics 11. 'The required voltages, which are applied to the actuators 5 for the deformation of the substrate receiving portion 3 are 0- ber Structure 7 of the substrate 6 by means of the measuring system 9, preferably an interferometer determined by measuring the.
  • the advantage of using an interferometer is that it can measure surfaces with accuracies of a few nanometers.
  • the measurement results of the interferer 9 are analyzed with the evaluation device 10, preferably a computerized evaluation device, and passed on to the control electronics 11 in such a way that they only control control elements 5 which are used to achieve a flat surface 7 of the substrate 6 to lead.
  • the control of the control elements 5 by means of the control electronics 11 is thus dependent on the determined values of the evaluation device 10.
  • the holding device 1 for receiving the substrate 6 can also be provided with a vacuum suction device (vacuum chuck) 13.
  • a vacuum suction device vacuum chuck
  • the deformable substrate receiving part 3 is provided with a channel device 12 which has a multiplicity of channels, the channels being open in the direction of the bearing surface 3a of the substrate receiving part 3.
  • the channels 12 can e.g. radially arranged in a radial direction.
  • the channel device 12 is introduced directly into the substrate receiving part 3 and, according to FIG. 5, has two vacuum suction devices 13 for removing the gas located in the channel device 12 or for establishing a vacuum.
  • the substrate 6 is held in place on the support surface 3a of the substrate receiving part 3 of the base body 2 by means of a vacuum in the channel device 12.
  • the substrate 6 can also be attached electrostatically.
  • the substrate receiving part 3 should be designed to be electrically conductive.
  • the substrate 6 is electrostatically attracted to the contact surface 3a of the substrate receiving part 3 and thereby brought into contact with the contact surface 3a. After reversing the polarity of the voltage, the substrate 6 is released again from the contact surface 3a of the substrate receiving part 3.
  • substrates can be processed whose manufacturing accuracy is not within the required tolerance range.
  • the substrate 6 is placed on the substrate receiving part 3 lying above the base body 2, for example measured with the device shown in FIG. 4, and then aligned according to the specified accuracy requirements. Then the Base body 2 with the substrate receiving part 3 and the precisely aligned substrate 6 arranged thereon are brought into the position shown in FIG. 1 for exposure.

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Abstract

Bei einem Verfahren zum Ausrichten der Oberfläche eines Substrates (6), insbesondere eines Wafers, wird das Substrat (6) auf ein Substratufnahmeteil (3) aufgelegt, wonach durch Stellkräfte, die auf eine Auflagefläche (3a) des Substrataufnahmeteils (3) wirken, die Oberfläche des Substrates (6) ausgerichtet wird.

Description

Verfahren zum Ausrichten der Oberfläche eines Substrats
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausrichten der Oberfläche eines Substrats und eine Haltevorrichtung für ein Sub- strat, insbesondere für einen Wafer, mit einem Grundkörper, welcher mit einem Substrataufnahmeteil zur Aufnahme des Substrats versehen ist.
Haltevorrichtungen für Substrate, insbesondere für Wafer in der Halbleiterlithographie mit einem Projektionsobjektiv und einem in Strahlrichtung hinter dem Projektionsobjektiv angeordneten Substrat, auf dem die Struktur eines Reticles verkleinert abgebildet wird, sind aus dem allgemeinen Stand der Technik vielfach bekannt.
Die Oberfläche des Wafers muss innerhalb eines tiefenscharfen Bereichs des lithographischen Projektionsobjektivs angeordnet werden, damit die Strukturen des Reticles scharf auf dem Wafer abgebildet werden können. Bei aus dem Stand der Technik bekannten lithographischen Projektionsobjektiven liegt die Tiefenschärfe im Bereich von einigen Nanometern. Immer feiner werdende Strukturen machen jedoch noch kleinere Tiefenschärfen erforderlich.
Es ist bekannt, in Lithographiebelichtungsanlagen die Wafer auf Vakuumansaugeinrichtungen, auch als Vakuumchucks bezeichnet, zu positionieren und zu befestigen und auf diesen die Wafer zu einer Beleuchtungsoptik zu transportieren. Die Vakuumchucks bestehen meist aus einer Keramik, um dünne Werkstof- fe, wie den Wafer, ohne plastische Verformung spannen zu können. Damit die Oberfläche des Wafers überall in der gleichen Ebene positioniert werden kann, muss der Wafer überall die gleichen Dickenwerte aufweisen.
In der Halbleiterlithographie werden jedoch auch immer geringere Dicken der Wafer gefordert. Hierzu werden die Wafer durch Schleifen, Nass- und Trockenätzen und chemischmechanisches Polieren behandelt.
Bei den bekannten Verfahren ist es sehr schwierig und kosten- aufwändig, Wafer herzustellen, die Dickenvariationen nur im Nanometerbereich aufweisen.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und eine Haltevorrichtung für ein Substrat, insbesondere für einen Wafer, zu schaffen, mittels der alle Bereiche einer Oberfläche des Substrats möglichst genau in einer Ebene, insbesondere im Nanometerbereich, angeordnet werden können.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Verfahrensmerk- male des Anspruches 1 gelöst. Eine erfindungsgemäße Haltevorrichtung ist in Anspruch 4 angegeben.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird erreicht, dass durch Stellkräfte die Oberfläche des Substrates, z.B. eines Wafers, sehr genau ausgerichtet werden kann. Auf diese Weise können unterschiedliche Dicken bzw. Unebenheiten in der Oberfläche derart ausgeglichen werden, dass die gesamte Oberfläche innerhalb eines geforderten Tiefenschärfenbereiches liegt. Hierzu ist es lediglich erforderlich eine entsprechende An- zahl von Stellkräften vorzusehen. Zur Erzeugung der Stellkräfte sind die verschiedensten Stellelemente möglich, welche man entsprechend verteilt anbringen kann. Eine Möglichkeit hierfür besteht in der Verwendung von piezoelektrischen Aktu- atoren.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass die Stellkräfte auf die von der Auflagefläche des Substrataufnahmeteils abgewandte Seite des Substrataufnahmeteils über Stellelemente wirken, wobei das Substrataufnahmeteil verformbar ausgebildet wird. Dabei kann vorgesehen sein, dass eine Vielzahl von Stellele- enten zwischen dem Substrataufnahmeteil und einem unter dem Substrataufnahmeteil angeordneten Grundkörper angebracht werden. Die Stellelemente können als Zug- und/oder Druckkräfte auf das Substrataufnahmeteil und damit auch auf das Substrat wirken.
Während beim Stand der Technik bisher das Substrat auf einen Grundkörper bzw. auf einen Wafertisch direkt aufgelegt worden ist, wird erfindungsgemäß nunmehr ein gesondertes Substrat- aufnahmeteil über dem Grundkörper verwendet, das entsprechend verformbar ist und an dem die Stellkräfte zum Ausrichten der Oberfläche des Substrates angreifen.
Die erfindungsgemäße Haltevorrichtung für ein Substrat, ins- besondere für einen Wafer, weist demnach einen Grundkörper und ein Substrataufnahmeteil zur Aufnahme des Substrats auf. Das Substrataufnahmeteil ist dabei mit Stellelementen versehen, deren Stellkräfte zu einer Auflagefläche des Substrataufnahmeteils gerichtet sind, auf der das Substrat aufliegt. Die Stellelemente können zur Verformung des Substrataufnahmeteils aktiviert werden. Dickenvariationen von Substraten, wie Wafer, können ebenfalls kompensiert werden. Auf diese Weise kommt die zu bearbeitende Oberfläche des Wafers überall in der gleichen Ebene zu liegen. Erfindungsgemäß können somit auch ungleichmäßig dicke Wafer, deren Fertigungsgenauigkeiten nicht besonders hoch sind, in Lithographiesystemen mit sehr kleiner Tiefenschärfe eingesetzt werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigt:
Figur 1 ein prinzipmäßiger Aufbau einer EÜV-Projektionsbe- lichtungsanlage; Figur 2 eine prinzipmäßige Darstellung einer erfindungsgemäßen Haltevorrichtung in der Seitenansicht;
Figur 3 eine prinzipmäßige Darstellung eines Substrats und dessen Verbindung mit der erfindungsgemäßen Haltevorrichtung;
Figur 4 eine prinzipmäßige Darstellung der erfindungsgemäßen Haltevorrichtung mit einem Messsystem, einer Auswerteeinrichtung und einer Ansteuerelektronik; und
Figur 5 eine prinzipmäßige Darstellung der erfindungsgemäßen Haltevorrichtung mit einer Kanaleinrichtung.
In der Figur 1 ist eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage prinzipmäßig dargestellt. Aufbau und Wirkungsweise einer Pro- jektionsbelichtungsanlage ist allgemein bekannt, weshalb nachfolgend nur auf die wesentlichen Teile näher eingegangen wird. Beispielsweise wird bezüglich Aufbau und Wirkungsweise auf die EP 0 616 188 Bl und die DE 102 18 989 AI verwiesen, die ebenfalls Offenbarungsgehalt der vorliegenden Anmeldung bilden.
Die in der Figur 1 dargestellte Projektionsbelichtungsanlage 21 weist eine Lichtquelle 22, ein EUV-Beleuchtungssystem 23 zur Ausleuchtung eines Feldes in einer Ebene 24, in der eine strukturtragende Maske (Reticle) angeordnet ist, sowie ein Projektionsobjektiv 25 auf. Das Projektionsobjektiv 25 weist mehrere optische Elemente, insbesondere Spiegel 26, in einem Objektivgehäuse auf.
Über das Projektionsobjektiv 25 wird die strukturtragende Maske auf ein lichtempfindliches Substrat 6, beispielsweise einen Wafer, übertragen. Das Substrat 6 ist in einer Haltevorrichtung 1 mit einem Grundkörper 2 gehalten. In Figur 2 ist prinzipmäßig die Haltevorrichtung 1 für das Substrat 6 dargestellt. Die Haltevorrichtung 1 beinhaltet den Grundkörper 2, welcher mit einem verformbaren, z.B. einem elastisch ausgebildeten, Substrataufnahmeteil 3 zur Aufnahme des Substrats 6 versehen ist. Das Substrataufnahmeteil 3 ist über Verbindungselemente 4 mit dem Grundkörper 2 verbunden. Das Substrataufnahmeteil 3 ist zur Aufnahme des Substrats plan ausgebildet. Zwischen dem Grundkörper 2 und dem Sub- strataufnahmeteil 3 sind Stellelemente 5 angeordnet, deren Stellkräfte auf eine von dem Substrat 6 abgewandte Seite 3b des Substrataufnahmeteils 3 wirken und damit zu einer Auflagefläche 3a des Substrataufnahmeteils 3 hin gerichtet sind, auf der das Substrat 6 aufliegt. Durch die Stellelemente 5 können Zug- und/oder Druckkräfte auf das Substrataufnahmeteil 3 ausgeübt werden, wodurch die Auflagefläche 3a entsprechend verformt wird. Die Stellelemente 5 sind in einer ersten Ausgestaltung piezoelektrische Aktuatoren. Selbstverständlich können auch andere Stellelemente vorgesehen werden.
In Figur 3 ist prinzipmäßig im oberen Bereich der Figur das Substrat 6, beispielsweise ein Wafer, mit ungleichmäßiger Dicke dargestellt. Die Fertigung des Substrats oder des Wafers 6 mit einer planen Oberfläche bzw. einer gleichmäßigen Dicke in allen Bereichen ist mit Verfahren nach dem allgemeinen Stand der Technik sehr schwer zu realisieren. Damit eine 0- berfläche 7 des Substrats 6 überall in der gleichen Ebene zu liegen kommt, ist die Haltevorrichtung 1 mit dem Substrataufnahmeteil 3 vorgesehen. Hierzu wird das Substrat 6 in Pfeil- richtung auf die Auflagefläche 3a des Substrataufnahmeteils 3 aufgebracht.
Die als piezoelektrische Aktuatoren ausgebildeten Stellelemente 5 üben bei Anlegen einer Spannung eine Kraft auf das Substrataufnahmeteil 3 aus (siehe hierzu auch Figur 4). Diese Kraft führt zur Verformung des Substrataufnahmeteils 3. Durch ein gezieltes Anlegen von Spannungen an die jeweiligen Stellelemente 5 kann somit das Substrataufnahmeteil 3 mit der Auflagefläche 3a in eine bestimmte Form gebracht werden, wobei sich das Substrat 6 der Auflagefläche 3a des Substrataufnah- meteils 3 so anpasst, dass eine plane Oberfläche 7 des Substrats 6 erzielt werden kann. Je nach Spannungserzeugung und Verknüpfung der einzelnen Stellelemente 5 können Zug- und/oder Druckkräfte in Richtung auf die Auflagefläche 3a erzeugt werden. Auf diese Weise kann eine ungleichmäßige Dicke des Substrats 6 mittels Verformung des Substrataufnahmeteils 3 des Grundkörpers 2 kompensiert werden.
Die Anzahl der Stellelemente 5 ist abhängig von den typischen Fertigungsfehlern des Substrats 6 und kann demzufolge variie- ren. Beispielsweise sind bei einer Mittendickenschwankung des Substrats 6 nur wenige Stellelemente 5 notwendig, welche im zentralen Bereich des Substrataufnahmeteils 3 zwischen dem Substrataufnahmeteil 3 und dem Grundkörper 2 angeordnet sind.
In Figur 4 ist prinzipmäßig die Haltevorrichtung 1 mit einem Messsystem 9, einer Auswerteeinrichtung 10 und einer Ansteuerelektronik 11 dargestellt. 'Die erforderlichen Spannungen, welche an die Stellelemente 5 zur Verformung des Substrataufnahmeteils 3 angelegt werden, werden durch Vermessen der 0- berfläche 7 des Substrats 6 mittels des Messsystems 9, vorzugsweise einem Interferometer, bestimmt.
Es ist auch möglich, andere Längenmesssysteme zur Vermessung der Oberfläche 7 des Substrats 6 einzusetzen. Der Vorteil bei Einsatz eines Interferometers ist, dass dieses Oberflächen mit Genauigkeiten von wenigen Nanometern vermessen kann. Die Messergebnisse des Interfero eters 9 werden mit der Auswerteeinrichtung 10, vorzugsweise eine computerisierte Auswerteeinrichtung, analysiert und der Ansteuerelektronik 11 derart weitergegeben, dass diese nur Stellelemente 5 ansteuert, welche zur Erreichung einer planen Oberfläche 7 des Substrats 6 führen. Die Ansteuerung der Stellelemente 5 mittels der Ansteuerelektronik 11 ist somit von den ermittelten Werten der Auswerteeinrichtung 10 abhängig.
Die Haltevorrichtung 1 zur Aufnahme des Substrats 6 kann auch mit einer Vakuumansaugeinrichtung (Vacuumchuck) 13 versehen werden. Eine derartige Haltevorrichtung 1 ist prinzipmäßig in Figur 5 dargestellt. Das deformierbare Substrataufnahmeteil 3 ist mit einer Kanaleinrichtung 12, die eine Vielzahl von Kanälen aufweist, versehen, wobei die Kanäle in Richtung auf die Auflagefläche 3a des Substrataufnahmeteils 3 offen sind. Die Kanäle 12 können z.B. strahlenförmig in radialer Richtung verlaufend angeordnet werden. Die Kanaleinrichtung 12 ist direkt in das Substrataufnahmeteil 3 eingebracht und weist ge- maß Figur 5 zwei Vakuumansaugeinrichtungen 13 zur Entfernung des in der Kanaleinrichtung 12 befindlichen Gases bzw. zur Herstellung eines Vakuums auf. Mittels Vakuum in der Kanaleinrichtung 12 wird das Substrat 6 an der Auflagefläche 3a des Substrataufnahmeteils 3 des Grundkörpers 2 festgehalten.
Eine Befestigung des Substrats 6 kann auch- elektrostatisch erfolgen. Hierfür sollte das Substrataufnahmeteil 3 elektrisch leitend ausgestaltet sein. Bei Anlegen einer Spannung wird das Substrat 6 elektrostatisch an die Auflagefläche 3a des Substrataufnahmeteils 3 angezogen und dadurch in Kontakt mit der Auflagefläche 3a gebracht. Nach Umpolung der Spannung löst sich das Substrat 6 wieder von der Auflagefläche 3a des Substrataufnahmeteils 3.
Mit der erfindungsgemäßen Haltevorrichtung 1 können Substrate bearbeitet werden, deren Fertigungsgenauigkeit nicht im geforderten Toleranzbereich liegt. Hierzu wird das Substrat 6 auf das über dem Grundkörper 2 liegende Substrataufnahmeteil 3 gelegt, beispielsweise mit der in der Figur 4 dargestellten Vorrichtung vermessen und dann entsprechend den vorgegebenen Genauigkeitsanforderungen ausgerichtet. Anschließend kann der Grundkörp'er 2 mit dem Substrataufnahmeteil • 3 und dem darauf angeordneten und exakt ausgerichteten Substrat 6 in die in der Figur 1 dargestellte Position zum Belichten gebracht werden.

Claims

Patentansprüche :
1. Verfahren zum Ausrichten der Oberfläche eines Substrates (6), insbesondere eines Wafers, wobei das Substrat (6) auf ein Substrataufnahmeteil (3) aufgelegt wird, wonach durch Stellkräfte, die auf eine Auflagefläche (3a) des Substrataufnahmeteils (3) wirken, die Oberfläche des Substrates (6) ausgerichtet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Stellkräfte auf die von der Auflagefläche (3a) des Substrataufnahmeteils (3) abgewandten Seite (3b) des Substrataufnahmeteils (3) über Stellelemente (5) wirken, wobei das Substrataufnahmeteil (3) verformbar ausgebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vielzahl von Stellelementen (5) zwischen dem Substrataufnahmeteil (3) und einem unter dem Substrataufnah- meteil (3) angeordneten Grundkörper (2) angebracht werden.
4. Haltevorrichtung für ein Substrat, insbesondere für einen Wafer, mit einem Grundkörper (2), welcher mit einem Sub- strataufnahmeteil (3) zur Aufnahme des Substrats (6) versehen ist, wobei an dem Substrataufnahmeteil (3) Stellelemente (5) vorgesehen sind, deren Stellkräfte in Form von Zug- und/oder Druckkräften zu einer Auflagefläche (3a) des Substrataufnahmeteils (3) hin gerichtet sind, auf der das Substrat (6) aufliegt.
5. Haltevorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrataufnahmeteil (3) verformbar ausgebildet ist.
Haltevorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekenn- zeichnet, dass die Stellelemente (5) zwischen dem Substrataufnahmeteil (3) und dem Grundkörper (2) angeordnet sind.
7. Haltevorrichtung nach einem der Ansprüche 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Stellelemente (5) als piezoelektrische Aktuatoren ausgebildet sind.
8. Haltevorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, da- durch gekennzeichnet, dass eine Ansteuerelektronik (11) für die Stellelemente (5) zur Verformung des Substrataufnahmeteils (3) vorgesehen ist.
9. Haltevorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Messsystem (9) zur Ermittlung und Kontrolle einer Verformung der Auflagefläche (3a) des Substrataufnahmeteils (3) vorgesehen ist.
10. Haltevorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Messsystem (9) ein Interferometer aufweist.
11. Haltevorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine Auswerteeinrichtung (10) für die von dem Messsystem (9) ermittelten Werte vorgesehen ist.
12. Haltevorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass in das Substrataufnahmeteil (3) eine an eine Vakuumansaugeinrichtung angeschlossene Kanaleinrichtung (12) mit mehreren Kanälen eingebracht ist, wobei die Kanäle in Richtung auf die Auflagefläche (3a) des Substrataufnahmeteils (3) offen sind.
13. Projektionsbelichtungsanlage mit einer Lichtquelle, mit einem Beleuchtungssystem, mit einem Projektionsobjektiv und mit einem Wafer, der auf einer Haltevorrichtung angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Haltevor- richtung (1) einen Grundkörper (2) aufweist, der mit einem Substrataufnahmeteil (3) zur Aufnahme des Substrats (6) versehen ist, wobei an dem Substrataufnahmeteil (3) Stellelemente (5) vorgesehen sind, deren Stellkräfte in Form von Zug- und/ oder Druckkräften zu einer Auflagefläche (3a) des Substrataufnahmeteils (3) hin gerichtet sind, auf der das Substrat (6) aufliegt.
14. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrataufnahmeteil (3) verformbar ausgebildet ist.
15. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Stellelemente (5) zwi- sehen dem Substrataufnahmeteil (3) und dem Grundkörper (2) angeordnet sind.
16. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Stellelemente (5) als piezoelektrische Aktuatoren ausgebildet sind.
17. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass eine Ansteuerelektronik (11) für die Stellelemente (5) zur Verformung des Substrataufnahmeteils (3) vorgesehen ist.
18. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass ein Messsystem (9) zur Ermittlung und Kontrolle einer Verformung der Aufla- gefläche (3a) des Substrataufnahmeteils (3) vorgesehen ist.
19. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass in das Substratauf- nah eteil (3) eine an eine Vakuumansaugeinrichtung angeschlossene Kanaleinrichtung (12) mit mehreren Kanälen eingebracht ist, wobei die Kanäle in Richtung auf die Auflagefläche (3a) des Substrataufnahmeteils (3) offen sind.
PCT/EP2005/002026 2004-02-26 2005-02-25 Verfahren zum ausrichten der oberfläche eines substrats WO2005083524A2 (de)

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