JPS61287229A - 露光装置、及び該露光装置を用いた回路パターン製造方法 - Google Patents
露光装置、及び該露光装置を用いた回路パターン製造方法Info
- Publication number
- JPS61287229A JPS61287229A JP60129343A JP12934385A JPS61287229A JP S61287229 A JPS61287229 A JP S61287229A JP 60129343 A JP60129343 A JP 60129343A JP 12934385 A JP12934385 A JP 12934385A JP S61287229 A JPS61287229 A JP S61287229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alarm
- exposure
- wafer
- photosensitive substrate
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体素子を作るための半導体ウェハや、フォ
トマスクを作るためのガラス基板等に塗布された感光層
に所定の原画像（回路パターン像等）を繰り返し露光す
る装置、所謂ステップ・アンド・リピート方式の露光装
置（ステッパー）に関する。
トマスクを作るためのガラス基板等に塗布された感光層
に所定の原画像（回路パターン像等）を繰り返し露光す
る装置、所謂ステップ・アンド・リピート方式の露光装
置（ステッパー）に関する。
（発明の背景）
一般的に半導体素子（特に超ＬＳＩ等）を作る場合、レ
チクルやフォトマスク等の原版上のパターンを光学的に
感光基板としてのウェハ上に露光することが行なわれて
いる。近年、ウェハの大口径化、高集積化、及び微細化
が進むにつれて、光学的な露光装置も縮小投影型露光装
置が主として用いられるようになってきた。この種の装
置では、レチクルの回路パターンの像を投影レンズによ
って１１５又は１／１０程度に縮小してウェハ上に投影
するもので、−回の露光でウェハ上に転写できる像の大
きさは直径１４〜２０龍程度の円形フィールド内に限ら
れてしまう。このため、ウェハの全面に回路パターン（
チップとも呼ばれる）の複数を２次元的に配列するため
には、投影された回路パターン像に対してウェハを２次
元的に進歩（ステッピング）させては露光することを繰
り返す、所謂ステップ・アンド・リピート方式（以下、
ＳＲ方式と呼ぶ）が採用されている。このＳＲ方式によ
ればウェハ上の小領域毎に重ね合わせ露光ができるため
、従来の一括露光方式等にくらべると、微細化に対応で
きる点で優れている。 ところでウェハ上に投影できる
パターンの最小線幅（所謂、解像力）は投影レンズの性
能のうちで、最も重要なものであるが、解像力を上げる
ためにはいくつかの手法がある。例えば開口数（Ｎ、Ａ
。
チクルやフォトマスク等の原版上のパターンを光学的に
感光基板としてのウェハ上に露光することが行なわれて
いる。近年、ウェハの大口径化、高集積化、及び微細化
が進むにつれて、光学的な露光装置も縮小投影型露光装
置が主として用いられるようになってきた。この種の装
置では、レチクルの回路パターンの像を投影レンズによ
って１１５又は１／１０程度に縮小してウェハ上に投影
するもので、−回の露光でウェハ上に転写できる像の大
きさは直径１４〜２０龍程度の円形フィールド内に限ら
れてしまう。このため、ウェハの全面に回路パターン（
チップとも呼ばれる）の複数を２次元的に配列するため
には、投影された回路パターン像に対してウェハを２次
元的に進歩（ステッピング）させては露光することを繰
り返す、所謂ステップ・アンド・リピート方式（以下、
ＳＲ方式と呼ぶ）が採用されている。このＳＲ方式によ
ればウェハ上の小領域毎に重ね合わせ露光ができるため
、従来の一括露光方式等にくらべると、微細化に対応で
きる点で優れている。 ところでウェハ上に投影できる
パターンの最小線幅（所謂、解像力）は投影レンズの性
能のうちで、最も重要なものであるが、解像力を上げる
ためにはいくつかの手法がある。例えば開口数（Ｎ、Ａ
。
）を大きくすること、レチクルを照明する露光光の波長
を短くすること等である。しかしながら、いずれの手法
によって解像力を上げたとしても、それに伴って投影レ
ンズの焦点深度は小さくなり、数ミクロン（μｍ）程度
の幅しか得られないことが少なくない。このことは投影
レンズの結像面と露光すべきウェハ表・面（感光層）と
の平行度を常時数μｍ以内にしておかないと、露光すべ
きショット内の全域で所定の解像力が得ら耗ないことを
意味する。
を短くすること等である。しかしながら、いずれの手法
によって解像力を上げたとしても、それに伴って投影レ
ンズの焦点深度は小さくなり、数ミクロン（μｍ）程度
の幅しか得られないことが少なくない。このことは投影
レンズの結像面と露光すべきウェハ表・面（感光層）と
の平行度を常時数μｍ以内にしておかないと、露光すべ
きショット内の全域で所定の解像力が得ら耗ないことを
意味する。
一方、露光されるべきウェハは、最初からある程度の表
面変形があり、また露光、現像、ウェハプロセス（拡散
エツチング等）の工程が何回も繰り返されることによっ
て、ソリ等が生じて平面度はさらに悪化する。このよう
なウェハの変形は、ヤ 露光装置のウェハチェックにウェハを載置して真空吸着
することにより、ある程度矯正されるが、完全に平坦に
することは難しい。また露光装置のヤ ウェハチェックに載置されるウェハは、当然のことなが
ら、感光剤（フォトレジスト）が塗布されており、露光
装置の実使用中にフォトレジストがヤ 微粉となってはがれ、ウニハチ峡ツタの表面（吸着面）
に落下することもある。この場合それ以降ヤ のウェハにっていは、ウェハとウニハチ祇ツクとの間の
レジスト微粉によって局部的にウェハ表面の平面度を悪
化させることになる。
面変形があり、また露光、現像、ウェハプロセス（拡散
エツチング等）の工程が何回も繰り返されることによっ
て、ソリ等が生じて平面度はさらに悪化する。このよう
なウェハの変形は、ヤ 露光装置のウェハチェックにウェハを載置して真空吸着
することにより、ある程度矯正されるが、完全に平坦に
することは難しい。また露光装置のヤ ウェハチェックに載置されるウェハは、当然のことなが
ら、感光剤（フォトレジスト）が塗布されており、露光
装置の実使用中にフォトレジストがヤ 微粉となってはがれ、ウニハチ峡ツタの表面（吸着面）
に落下することもある。この場合それ以降ヤ のウェハにっていは、ウェハとウニハチ祇ツクとの間の
レジスト微粉によって局部的にウェハ表面の平面度を悪
化させることになる。
通常、ＩＣの製造ラインでは一台の露光装置が大量のウ
ェハを処理するため、実デバイスの露光に先立って、試
験的にウェハをロードし、ウェハマ チ曇ツク上のウェハ表面が必要な平坦度になっているか
否かを検出した後、実デバイスの露光を行なうようにし
ている。ところが何らかの理由で実た周辺は、その微粉
の大きさにもよるが著しく平面度が悪化することがある
。先にも述べたように一般の投影レンズの焦点深度は数
μｍ以下であるため、レジストの微粉が数μＩもあれば
、ウェハ表面のその部分は必要とされるパターンの解像
が得られない程度に平行度を悪化させてしまう。このた
め大幅な良品率の低下を招く。
ェハを処理するため、実デバイスの露光に先立って、試
験的にウェハをロードし、ウェハマ チ曇ツク上のウェハ表面が必要な平坦度になっているか
否かを検出した後、実デバイスの露光を行なうようにし
ている。ところが何らかの理由で実た周辺は、その微粉
の大きさにもよるが著しく平面度が悪化することがある
。先にも述べたように一般の投影レンズの焦点深度は数
μｍ以下であるため、レジストの微粉が数μＩもあれば
、ウェハ表面のその部分は必要とされるパターンの解像
が得られない程度に平行度を悪化させてしまう。このた
め大幅な良品率の低下を招く。
以上のようなウェハの平面度に起因した解像不良は、投
影型露光装置だけでなくプロキシミテイ一方式のＸ線ス
テッパーでも同様に起こり得る。
影型露光装置だけでなくプロキシミテイ一方式のＸ線ス
テッパーでも同様に起こり得る。
なう。一般のＸ線ステッパーではＸ線源からの発散性の
Ｘ線束をマスクに照射するため、マスクと擁 ウェハとの微小間帰の場所むら、すなわち傾きが生じる
ことはそのまま解像不良を招くことを意味し、チップ内
で部分的な重ね合わせ不良が生じる。
Ｘ線束をマスクに照射するため、マスクと擁 ウェハとの微小間帰の場所むら、すなわち傾きが生じる
ことはそのまま解像不良を招くことを意味し、チップ内
で部分的な重ね合わせ不良が生じる。
Ｘ線ステッパーの場合も、ウェハの平面度が悪化してい
ると、露光するチップとマスクとの平行度が変化し、良
品率は大幅に低下することになる。
ると、露光するチップとマスクとの平行度が変化し、良
品率は大幅に低下することになる。
（発明の目的）
そこで本発明は、ステップ・アンド・リピート方式の露
光装置において、露光すべき感光基板上の小領域と原画
像の形成される所定像面との平行度、すなわちショット
毎のフラットネスを簡単な構成で検出可能とした露光装
置を得ることを目的とする。
光装置において、露光すべき感光基板上の小領域と原画
像の形成される所定像面との平行度、すなわちショット
毎のフラットネスを簡単な構成で検出可能とした露光装
置を得ることを目的とする。
（発明の概要）
本発明は第１図に概略的に示すように、投影光学系の結
像面、又はマスクからプロキシミテイギャップ分だけ離
れた面のように原画像が形成されるべき所定像面（ＦＰ
）と略平行な仮想的な基準平面（ＬＰ）に沿って感光基
板（Ｗ）を２次元移動させる移動体（Ｘ、Ｙステージ５
．６；駆動部８．９）と、感光基板（Ｗ）の表面と基準
平面（ＬＰ）との間隔に関する情報、例えば所定像面（
ＦＰ）と感光基板（Ｗ）の表面とが一致するように感光
基板（Ｗ）の位置を、焦点検出系（１４１、又は焦点検
出系（１４，１５）の一部を合焦するように移動させた
ときの移動量情報を、感光基板（Ｗ）上の露光すべき複
数の領域（ショット、又はチップ）について順次検出す
る間隔検出手段（Ｚ位置検出器７ ａ ； Ｐ Ｚ記憶
部５０）と、その情報と、その周辺の露光領域の間隔に
関する情報とを比較することによって、着目する露光領
域の表面の所定像面（ＦＰ）に対する平行度（フラット
ネス）を検出する平行度検出手段（フラットネス演算部
５１）とを設けることを技術的要点とし、これによって
着目する露光領域の解像不良を、感光基板（Ｗ）への露
光動作前、露光動作中、あるいは露光動作後の任意の時
点で検出可能とした露光装置を得るものである。さらに
特定の実施態様によれば、感光基板（Ｗ）上で解像不良
の生じた位置をショット座標記憶部（５２）、又は移動
体（５，６）の位置計測部からの位置情報（ＰＸ。
像面、又はマスクからプロキシミテイギャップ分だけ離
れた面のように原画像が形成されるべき所定像面（ＦＰ
）と略平行な仮想的な基準平面（ＬＰ）に沿って感光基
板（Ｗ）を２次元移動させる移動体（Ｘ、Ｙステージ５
．６；駆動部８．９）と、感光基板（Ｗ）の表面と基準
平面（ＬＰ）との間隔に関する情報、例えば所定像面（
ＦＰ）と感光基板（Ｗ）の表面とが一致するように感光
基板（Ｗ）の位置を、焦点検出系（１４１、又は焦点検
出系（１４，１５）の一部を合焦するように移動させた
ときの移動量情報を、感光基板（Ｗ）上の露光すべき複
数の領域（ショット、又はチップ）について順次検出す
る間隔検出手段（Ｚ位置検出器７ ａ ； Ｐ Ｚ記憶
部５０）と、その情報と、その周辺の露光領域の間隔に
関する情報とを比較することによって、着目する露光領
域の表面の所定像面（ＦＰ）に対する平行度（フラット
ネス）を検出する平行度検出手段（フラットネス演算部
５１）とを設けることを技術的要点とし、これによって
着目する露光領域の解像不良を、感光基板（Ｗ）への露
光動作前、露光動作中、あるいは露光動作後の任意の時
点で検出可能とした露光装置を得るものである。さらに
特定の実施態様によれば、感光基板（Ｗ）上で解像不良
の生じた位置をショット座標記憶部（５２）、又は移動
体（５，６）の位置計測部からの位置情報（ＰＸ。
ＰＹ）に基づいて決定し、解像不良が生じることの警報
のみでなく、その不良の原因をもある程度判別し得るよ
うな複数種の警報を発生する警報発生部（５３）が設け
られ、ここからの各種情報（表示データ■Ｓ；警報信号
ＡＬＭ）に応じて警報の種類や作業者への注意を促すよ
うな表示を行なう表示部（ディスプレイ２５；警報器２
６）が駆動される。
のみでなく、その不良の原因をもある程度判別し得るよ
うな複数種の警報を発生する警報発生部（５３）が設け
られ、ここからの各種情報（表示データ■Ｓ；警報信号
ＡＬＭ）に応じて警報の種類や作業者への注意を促すよ
うな表示を行なう表示部（ディスプレイ２５；警報器２
６）が駆動される。
（実施例）
第２図は本発明の第１の実施例による縮小投影型露光袋
間の概略的な構成を示す斜視図であり、第３図はその露
光装置の制御系の回路ブロック図である。
間の概略的な構成を示す斜視図であり、第３図はその露
光装置の制御系の回路ブロック図である。
第１図において縮小投影レンズ１は原画パターン（回路
パターン等）の描かれたパターン領域Ｐｒを有するレチ
クルＲの像をウェハＷ上に縮小投影する。レチクルＲは
４隅に真空吸着部２ｂを有するレチクルホルダー２に載
置される。またレチクルホルダー２はパターン領域Ｐｒ
に対応した開口部２ａを存し、パターン領域Ｐｒの中心
（レチクルセンター）が投影レンズ１の光軸ＡＸを通る
ようにレチクルＲを位置決め可能である。ウェハＷは、
表面が投影レンズ１の結像面と平行に設定さヤ れたウェハホルダー（チロツタ）３上に真空吸着される
。ウェハホルダー３は光軸ＡＸ方向に上下動可能なＸス
テージ４上に取り付けられている。
パターン等）の描かれたパターン領域Ｐｒを有するレチ
クルＲの像をウェハＷ上に縮小投影する。レチクルＲは
４隅に真空吸着部２ｂを有するレチクルホルダー２に載
置される。またレチクルホルダー２はパターン領域Ｐｒ
に対応した開口部２ａを存し、パターン領域Ｐｒの中心
（レチクルセンター）が投影レンズ１の光軸ＡＸを通る
ようにレチクルＲを位置決め可能である。ウェハＷは、
表面が投影レンズ１の結像面と平行に設定さヤ れたウェハホルダー（チロツタ）３上に真空吸着される
。ウェハホルダー３は光軸ＡＸ方向に上下動可能なＸス
テージ４上に取り付けられている。
Ｘステージ４はＸ方向に直線移動可能なＸステージ５上
に設けられており、さらにそのＸステージ５はＸ方向と
直交するＸ方向に直線移動するＸステージ６上に設けら
れている。上記Ｘ、Ｙステージ５．６によってウェハＷ
はｘｙ平面内で２次元移動し、Ｘステージ４によって焦
点合わせのための上下動を行なう。Ｘステージ４の上下
動はＸステージ５上に設けられた駆動部７によって行な
われ、Ｘステージ５の移動はＸステージ６上に設けられ
た駆動部８によって行なわれ、Ｙステージ６の移動は駆
動部９によって行なわれる。またＺステージグ４の直交
する２辺には移動鏡１０．１１が設けられ、レーザ干渉
計１２からＸ方向に射出した平行なレーザ光束ＢＸは移
動鏡１０のＸ方向に伸びた反射面に垂直に入射し、レー
ザ干渉計１３からＸ方向に射出した平行なレーザ光束は
移動鏡１１のＸ方向に伸びた反射面に垂直に入射する。
に設けられており、さらにそのＸステージ５はＸ方向と
直交するＸ方向に直線移動するＸステージ６上に設けら
れている。上記Ｘ、Ｙステージ５．６によってウェハＷ
はｘｙ平面内で２次元移動し、Ｘステージ４によって焦
点合わせのための上下動を行なう。Ｘステージ４の上下
動はＸステージ５上に設けられた駆動部７によって行な
われ、Ｘステージ５の移動はＸステージ６上に設けられ
た駆動部８によって行なわれ、Ｙステージ６の移動は駆
動部９によって行なわれる。またＺステージグ４の直交
する２辺には移動鏡１０．１１が設けられ、レーザ干渉
計１２からＸ方向に射出した平行なレーザ光束ＢＸは移
動鏡１０のＸ方向に伸びた反射面に垂直に入射し、レー
ザ干渉計１３からＸ方向に射出した平行なレーザ光束は
移動鏡１１のＸ方向に伸びた反射面に垂直に入射する。
このレーザ干渉計１２．１３の夫々によってウェハＷの
２次元的な位置（座標）が計測される。また投影レンズ
１の投影領域内にウェハＷが位置したとき、ウェハＷの
表面のＺ方向（光軸ＡＸ方向）の位置を検出するために
斜入射光方式の焦点検出系が設けられている。この焦点
検出系は、ウェハＷの表面に斜めに結像光束を投射する
投光器１４と、その光束の反射光を受光して光電検出し
、ウェハＷの表面の高さ位置、又は投影レンズ１の結像
面からのずれ量に応じた焦点信号を出力する受光器１５
とで構成され、例えば特開昭５６−４２２０５号公報に
開示されているものと同等である。尚、本実施例では光
電式の焦点検出系を用いるものとするが、ウェハＷに一
定圧力の気体をノズルから噴射し、その気体の背圧を検
出するエアマイクロメータ方式等の公知の焦点検出系で
あってもよい。
２次元的な位置（座標）が計測される。また投影レンズ
１の投影領域内にウェハＷが位置したとき、ウェハＷの
表面のＺ方向（光軸ＡＸ方向）の位置を検出するために
斜入射光方式の焦点検出系が設けられている。この焦点
検出系は、ウェハＷの表面に斜めに結像光束を投射する
投光器１４と、その光束の反射光を受光して光電検出し
、ウェハＷの表面の高さ位置、又は投影レンズ１の結像
面からのずれ量に応じた焦点信号を出力する受光器１５
とで構成され、例えば特開昭５６−４２２０５号公報に
開示されているものと同等である。尚、本実施例では光
電式の焦点検出系を用いるものとするが、ウェハＷに一
定圧力の気体をノズルから噴射し、その気体の背圧を検
出するエアマイクロメータ方式等の公知の焦点検出系で
あってもよい。
以上第２図のような構成において、投影レンズｌの結像
面は原画像の形成されるべき所定像面であり、Ｘステー
ジ５、Ｙステージ６によって感光基板としてのウェハＷ
を基準平面（本実施例ではｘｙ平面）に沿って２次元移
動させる移動体が構成される。
面は原画像の形成されるべき所定像面であり、Ｘステー
ジ５、Ｙステージ６によって感光基板としてのウェハＷ
を基準平面（本実施例ではｘｙ平面）に沿って２次元移
動させる移動体が構成される。
さて第３図の制御系において、第１図と同一の接続され
る。レーザ干渉計１２によって検出されるウェハＷのＸ
方向の位置情報ＰＸ、レーザ干渉計１３によって検出さ
れ、るウェハＷのＸ方向の位置情報ＰＹ、及び焦点検出
系の受光器１５からの焦点信号ＦＳは、入出力インター
フェイス回路（以下ＩＦＣと呼ぶ）２２を介してＣＰＵ
２０に読み込まれる。またＣＰＵ２０から出力される各
ステージの駆動用に信号は、Ｉ Ｆｅ２２を介して各駆
動部に送られる。すなわち焦点合わせのためにＸステー
ジ４を上下動する駆動部７にはＺ駆動信号ＤＺが出力さ
れ、駆動部８．９の夫々にはＸ駆動信号ＤＸ、Ｙ駆動信
号ＤＹが出力される。また駆動部７には、Ｘステージ４
の上下動の位置に応じた信号ＰＺを出力するＺ位置検出
器７ａが組み込まれている。駆動部７がモータであって
、その回転量がＸステージ４の上下動量に一義的に対応
しているものとすると、Ｚ位置検出器７ａは、そのモー
タの回転量を検出するロータリーエンコーダ、又はパル
スジェネレータ等によって構成される。このＺ位置検出
器７ａは本発明の間隔検出手０Ｎ１０ＦＦはシャッター
で行なわれるので、ＣＰＵ２０は露光の際にシャッター
の開閉を制御すだめのキーボード２４が設けられ、ここ
から作業者が必要な情報を装置に与える。ブラウン管等
のディスプレイ２５はＣＰＵ２０で判断された装置の状
態を表示するためのものであり、Ｉ Ｆｅ２２からの表
示データ■Ｓに応じた表示がなされる。
る。レーザ干渉計１２によって検出されるウェハＷのＸ
方向の位置情報ＰＸ、レーザ干渉計１３によって検出さ
れ、るウェハＷのＸ方向の位置情報ＰＹ、及び焦点検出
系の受光器１５からの焦点信号ＦＳは、入出力インター
フェイス回路（以下ＩＦＣと呼ぶ）２２を介してＣＰＵ
２０に読み込まれる。またＣＰＵ２０から出力される各
ステージの駆動用に信号は、Ｉ Ｆｅ２２を介して各駆
動部に送られる。すなわち焦点合わせのためにＸステー
ジ４を上下動する駆動部７にはＺ駆動信号ＤＺが出力さ
れ、駆動部８．９の夫々にはＸ駆動信号ＤＸ、Ｙ駆動信
号ＤＹが出力される。また駆動部７には、Ｘステージ４
の上下動の位置に応じた信号ＰＺを出力するＺ位置検出
器７ａが組み込まれている。駆動部７がモータであって
、その回転量がＸステージ４の上下動量に一義的に対応
しているものとすると、Ｚ位置検出器７ａは、そのモー
タの回転量を検出するロータリーエンコーダ、又はパル
スジェネレータ等によって構成される。このＺ位置検出
器７ａは本発明の間隔検出手０Ｎ１０ＦＦはシャッター
で行なわれるので、ＣＰＵ２０は露光の際にシャッター
の開閉を制御すだめのキーボード２４が設けられ、ここ
から作業者が必要な情報を装置に与える。ブラウン管等
のディスプレイ２５はＣＰＵ２０で判断された装置の状
態を表示するためのものであり、Ｉ Ｆｅ２２からの表
示データ■Ｓに応じた表示がなされる。
この表示データ■Ｓとしては、投影レンズ１の結像面と
ウェハＷの表面との平行度（解像不良）に関する情報や
警報が含まれている。また解像不良に関する警報のみを
単独に表示する警報器２６が設けられていて、ＩＦＣ２
２を介してＣＰＵ２０からの警報信号ＡＬＭが入力され
る。この警報器２６は警報信号ＡＬＭの内容に応じて音
、光等の表示状態を変えるものであり、作業者（オペレ
ータ）への注意を促すものである。尚、警報信号ＡＬＭ
の内容は表示データｖＳにも含まれており、ディスプレ
イ２５にも表示されるようになっている。
ウェハＷの表面との平行度（解像不良）に関する情報や
警報が含まれている。また解像不良に関する警報のみを
単独に表示する警報器２６が設けられていて、ＩＦＣ２
２を介してＣＰＵ２０からの警報信号ＡＬＭが入力され
る。この警報器２６は警報信号ＡＬＭの内容に応じて音
、光等の表示状態を変えるものであり、作業者（オペレ
ータ）への注意を促すものである。尚、警報信号ＡＬＭ
の内容は表示データｖＳにも含まれており、ディスプレ
イ２５にも表示されるようになっている。
以上のような構成において、本発明の平行度検出手段は
、ＣＰＵ２０によって処理されるソフトウェアで実現さ
れるとともに、着目する露光領域の平行度（フラットネ
ス）を求めるための偏差演算手段、及び解像不良を警告
する警報発生手段の一部もソフトウェアで実現されるも
のとする。
、ＣＰＵ２０によって処理されるソフトウェアで実現さ
れるとともに、着目する露光領域の平行度（フラットネ
ス）を求めるための偏差演算手段、及び解像不良を警告
する警報発生手段の一部もソフトウェアで実現されるも
のとする。
次に本実施例の動作を第４図のフローチャート図に基づ
いて説明する。本フローチャートは装置の露光時の概略
的な動作を表わしたものに過ぎず、実際の露光動作はさ
らに複雑なシーケンスによって成り立っている。しかし
ここでは説明を簡素化するために、本発明の主要動作と
なる部分以外は簡単に示しである。また本動作は複数の
ウェハを連続して処理する場合を示し、特にあるロット
内のウェハを連続して露光する場合を例にとって示しで
ある。そこで本動作のシーケンスを第４図中の に各ステップに従って説明する。
いて説明する。本フローチャートは装置の露光時の概略
的な動作を表わしたものに過ぎず、実際の露光動作はさ
らに複雑なシーケンスによって成り立っている。しかし
ここでは説明を簡素化するために、本発明の主要動作と
なる部分以外は簡単に示しである。また本動作は複数の
ウェハを連続して処理する場合を示し、特にあるロット
内のウェハを連続して露光する場合を例にとって示しで
ある。そこで本動作のシーケンスを第４図中の に各ステップに従って説明する。
〔ステップ１００〕
露光動作が開始されると、ＣＰＵ２０は露光に必要な各
種パラメータをイニシャライズする。そのパラメータの
うち代表的なものは、ウェハＷ上のチップの配列設計値
、すなわちショット座標値である。ＳＲ方式では、その
ショット座標値に基づいて２次元移動ステージの位置決
め（ステッピング）が行なわれる。さらにＣＰＵ２０は
、警報発生モードを決めるためのパラメータもイニシャ
ライズする。
種パラメータをイニシャライズする。そのパラメータの
うち代表的なものは、ウェハＷ上のチップの配列設計値
、すなわちショット座標値である。ＳＲ方式では、その
ショット座標値に基づいて２次元移動ステージの位置決
め（ステッピング）が行なわれる。さらにＣＰＵ２０は
、警報発生モードを決めるためのパラメータもイニシャ
ライズする。
そのパラメータの機能については後で詳しく述べるが、
ウェハＷの露光すべき領域の平面度、厳密に言うならば
投影レンズ１の結像面と露光領域の表面との平行度（以
下このことを単にフラットネスと呼ぶことにする）が悪
化するようなショットに対して、どのような種類の警報
を、どのように発生するかを予め設定しておくものであ
る。本実施例では３種類の警報を発生するように構成さ
れている。その第１の警報は、露光しようとしたショッ
ト位置でフラットネスが悪化している場合に随時発生し
、第２の警報は１枚のウェハの露光動作中に第１の警報
が任意の回数ｎ以上発生した場合に発生し、そして第３
の警報は異なるウェハ上の同一ショット位置で第１の警
報が発生した場合に発生するように構成されている。こ
こでのパラメータ設定は、その警報のどのモードを選択
し、どの警報で装置の動作を停止させるか等を決定する
ためのものであり、オペレータの要求によってキーボー
ド２４から入力される。
ウェハＷの露光すべき領域の平面度、厳密に言うならば
投影レンズ１の結像面と露光領域の表面との平行度（以
下このことを単にフラットネスと呼ぶことにする）が悪
化するようなショットに対して、どのような種類の警報
を、どのように発生するかを予め設定しておくものであ
る。本実施例では３種類の警報を発生するように構成さ
れている。その第１の警報は、露光しようとしたショッ
ト位置でフラットネスが悪化している場合に随時発生し
、第２の警報は１枚のウェハの露光動作中に第１の警報
が任意の回数ｎ以上発生した場合に発生し、そして第３
の警報は異なるウェハ上の同一ショット位置で第１の警
報が発生した場合に発生するように構成されている。こ
こでのパラメータ設定は、その警報のどのモードを選択
し、どの警報で装置の動作を停止させるか等を決定する
ためのものであり、オペレータの要求によってキーボー
ド２４から入力される。
〔ステップ１０１〕
次にＣＰＵ２０は、不図示のウェハカセットから１枚の
ウェハを取り出して、ウェハホルダー３上に搬送するた
めのウェハロードの指令を発生するとともに、ウェハホ
ルダー３上のウェハＷのアライメント（ここでは第２層
以降の重ね焼き時のグローバルアライメント）をするた
めの指令を発生する。このアライメントによってウェハ
Ｗ上のチップ配列座標系とステージの移動座標系とが一
義的に対応付けられる。
ウェハを取り出して、ウェハホルダー３上に搬送するた
めのウェハロードの指令を発生するとともに、ウェハホ
ルダー３上のウェハＷのアライメント（ここでは第２層
以降の重ね焼き時のグローバルアライメント）をするた
めの指令を発生する。このアライメントによってウェハ
Ｗ上のチップ配列座標系とステージの移動座標系とが一
義的に対応付けられる。
〔ステップ１０２〕
次にＣＰＵ２０は、設計上のショット座標値とレーザ干
渉計１２．１３からの位置情報ＰＸ、ＰＹとが一致する
ように、駆動信号ＤＸ、ＤＹを出力して、ステージをス
テッピングさせる。第５図は、ウェハＷ上のチップ配列
の一例を示す平面図であり、矩形のチップＣ，，ｃｚ
−−−−ｃｍ 、Ｃ９−一一一がマトリックス状に配置
される。チップ配列座標はステージの移動座標、すなわ
ちｘｙ座標と一致している。本実施例では第５図中のチ
ップＣ＋、Ｃｚの一列を露光した後、ｙ方向に一行分だ
けステッピングして、チップＣ３，Ｃ４，−＝−Ｃａの
一列を露光するようにステッピングするものとする。
渉計１２．１３からの位置情報ＰＸ、ＰＹとが一致する
ように、駆動信号ＤＸ、ＤＹを出力して、ステージをス
テッピングさせる。第５図は、ウェハＷ上のチップ配列
の一例を示す平面図であり、矩形のチップＣ，，ｃｚ
−−−−ｃｍ 、Ｃ９−一一一がマトリックス状に配置
される。チップ配列座標はステージの移動座標、すなわ
ちｘｙ座標と一致している。本実施例では第５図中のチ
ップＣ＋、Ｃｚの一列を露光した後、ｙ方向に一行分だ
けステッピングして、チップＣ３，Ｃ４，−＝−Ｃａの
一列を露光するようにステッピングするものとする。
〔ステップ１０３〕
次にＣＰＵ２０は露光すべきチップについて焦点合わせ
するための動作を行なう。そこでＣＰＵ２０は受光器１
５からの焦点信号ＦＳに基づいて駆動部７がサーボ制御
されるような状態にして、そのサーボ制御に適した駆動
信号ＤＺを出力する。
するための動作を行なう。そこでＣＰＵ２０は受光器１
５からの焦点信号ＦＳに基づいて駆動部７がサーボ制御
されるような状態にして、そのサーボ制御に適した駆動
信号ＤＺを出力する。
これによって、投影レンズ１の結像面と露光すべきチッ
プの表面とが一致するようにＺステージ４のＺ方向の位
置が調整される。斜入射光方式の焦点検出系として、先
にも述べた特開昭５６−４２２０５号公報に開示された
ものを用いるとすると、チップ表面の高さ位置は、はぼ
チップの中心、換言すれば投影レンズ１の光軸ＡＸ付近
で検出され、焦点信号ＦＳは結像面に対するチップ表面
のＺ方向のずれ量に対応したアナログ信号になる。その
ずれ量が２ステージ４の調整により零になると一焦点信
号ＦＳのアナログ値は合焦を表わすような所定値（例え
ば零）になる。ＣＰＵ２０は、その所定値になったこと
を検出して、焦点合わせ動作を終了する。
プの表面とが一致するようにＺステージ４のＺ方向の位
置が調整される。斜入射光方式の焦点検出系として、先
にも述べた特開昭５６−４２２０５号公報に開示された
ものを用いるとすると、チップ表面の高さ位置は、はぼ
チップの中心、換言すれば投影レンズ１の光軸ＡＸ付近
で検出され、焦点信号ＦＳは結像面に対するチップ表面
のＺ方向のずれ量に対応したアナログ信号になる。その
ずれ量が２ステージ４の調整により零になると一焦点信
号ＦＳのアナログ値は合焦を表わすような所定値（例え
ば零）になる。ＣＰＵ２０は、その所定値になったこと
を検出して、焦点合わせ動作を終了する。
〔ステップ１０４〕
次にＣＰＵ２０は、レーザ干渉計１２．１３からの位置
情報ＰＸ、ＰＹと、Ｚ位置検出器７ａからの位置情報ｐ
ｚとを読み取り、その各値を記憶する。位置情報ＰＺは
露光すべきチップの表面と結像面とを一致させたときの
Ｚステージ４の２方向の位置に対応している。このとき
の様子を第６図を参照して説明する。第６図は第５図に
示したウェハＷのＲＲ’矢視断面図であり、ここにはウ
ェハホルダー３の断面もあわせて示しである。第６図で
はウェハホルダー３に真空吸着されたウェハＷが載置面
に正確に矯正されず、平面度が悪化した場合を誇張して
表わしである。Ｚ位置検出器７ａはＺステージ４の所定
の基準面（ｘｙ平面）ＬＰからの高さ位置の変化量を検
出するものである。そこで２ステージ４の高さ位置を変
えずに基準面ＬＰと各チップｃ＋５−ｃｚｚの表面の夫
々との間隔を計測したとき、その間隔がＺ＋ｓ＋ Ｚ
＋ｂ＊ −−Ｚ２□ Ｚ２□であるものとして、基準面
ＬＰと投影レンズ１の結像面ＦＰとの間隔（装置開存の
一定値）を２０とすると、各チップＣＩＳ〜Ｃ０露光の
たびに焦点合わせを行なえば、各チップＣＩＳ〜Ｃ０毎
のＺステージ４の高さ位置の調整量、すなわち位置情報
Ｐ Ｚ＋ｓ、 Ｐ Ｚｒｈ、 −−−−Ｐ Ｚ□、ｐｚ
、。
情報ＰＸ、ＰＹと、Ｚ位置検出器７ａからの位置情報ｐ
ｚとを読み取り、その各値を記憶する。位置情報ＰＺは
露光すべきチップの表面と結像面とを一致させたときの
Ｚステージ４の２方向の位置に対応している。このとき
の様子を第６図を参照して説明する。第６図は第５図に
示したウェハＷのＲＲ’矢視断面図であり、ここにはウ
ェハホルダー３の断面もあわせて示しである。第６図で
はウェハホルダー３に真空吸着されたウェハＷが載置面
に正確に矯正されず、平面度が悪化した場合を誇張して
表わしである。Ｚ位置検出器７ａはＺステージ４の所定
の基準面（ｘｙ平面）ＬＰからの高さ位置の変化量を検
出するものである。そこで２ステージ４の高さ位置を変
えずに基準面ＬＰと各チップｃ＋５−ｃｚｚの表面の夫
々との間隔を計測したとき、その間隔がＺ＋ｓ＋ Ｚ
＋ｂ＊ −−Ｚ２□ Ｚ２□であるものとして、基準面
ＬＰと投影レンズ１の結像面ＦＰとの間隔（装置開存の
一定値）を２０とすると、各チップＣＩＳ〜Ｃ０露光の
たびに焦点合わせを行なえば、各チップＣＩＳ〜Ｃ０毎
のＺステージ４の高さ位置の調整量、すなわち位置情報
Ｐ Ｚ＋ｓ、 Ｐ Ｚｒｈ、 −−−−Ｐ Ｚ□、ｐｚ
、。
の夫々はＺｏ Ｚ＋ｓ、 ２０ ２１６．−−−−Ｚ
ｏ−Ｚｚｌ、 Ｚｏ−Ｚｚｚとして検出される。尚、
基準面ＬＰは仮想的なものであり、これを例えば結像面
ＦＰと一致させて、Ｚｏ＝０としてもかまわない。
ｏ−Ｚｚｌ、 Ｚｏ−Ｚｚｚとして検出される。尚、
基準面ＬＰは仮想的なものであり、これを例えば結像面
ＦＰと一致させて、Ｚｏ＝０としてもかまわない。
また後で詳しく説明するが、各位置情報ＰＺ＋ｓ。
Ｐ Ｚｒｈ、 −−−−Ｐ Ｚｚｌ、 Ｐ Ｚｚ□の
夫々に＝定のオフセット量が含まれていても、フラット
ネスの演算の際に相殺されるため何ら支障はない。
夫々に＝定のオフセット量が含まれていても、フラット
ネスの演算の際に相殺されるため何ら支障はない。
ところで本実施例では位置情報ＰＸ、ＰＹをレーザ干渉
計１２．１３から読み取るものとしたが、露光すべきチ
ップのショット座標値は予め決まっているので、実際に
読み込む位置情報はＰＺだけにしでもよい。
計１２．１３から読み取るものとしたが、露光すべきチ
ップのショット座標値は予め決まっているので、実際に
読み込む位置情報はＰＺだけにしでもよい。
〔ステップ１０５〕
次にＣＰＵ２０は露光すべきチップのフラットネスを演
算する。このフラットネスの検出方式を、さらに第７図
、第８図を参照して説明する。第７図＜ａ＞は１つのチ
ップについてフラットネスが許容範囲にある状態を示し
、第７図（ｂ）は許容範囲外にある状態を模式的に示す
。第７図（ａ）、（ｂ）において、投影レンズ１の光軸
ＡＸは結像面ＦＰに垂直であり、所望の解像力が得られ
る焦点深度を光軸ＡＸ方向の幅でｄとしである。また露
光すべきチップ（又はショット）の大きさくサイズ）を
Ｃ８とし、そのチップの表面をＷＳとしである。焦点合
わせが行なわれると、表面ＷＳのチップ中心は結像面Ｆ
Ｐと一致し、表面ＷＳのフラットネスが第７図（ａ）の
ようにサイズＣ８内の全域で焦点深度ｄ内にあるときは
、そのチップの露光は解像不良となることはない。とこ
ろが第７図（ｂ）のように、サイズＣ８の周辺が焦点深
度ｄの幅を越えるほど表面ＷＳが傾斜しプいると、チッ
プ周辺で解像不良が生じる。尚、サイズＣ８のような小
さい範囲では、第６図のようにウェハ全体が湾曲してい
ても、表面ＷＳはほぼ均一な平面とみなすことができる
。このためチップ（ショット）の端部の結像面ＦＰから
の光軸方向へのずれ量は、表面ＷＳの結像面ＦＰに対す
る傾きをθとすると、第７図（ａ）の場合は約％Ｃ５−
５ｉｎ θ。
算する。このフラットネスの検出方式を、さらに第７図
、第８図を参照して説明する。第７図＜ａ＞は１つのチ
ップについてフラットネスが許容範囲にある状態を示し
、第７図（ｂ）は許容範囲外にある状態を模式的に示す
。第７図（ａ）、（ｂ）において、投影レンズ１の光軸
ＡＸは結像面ＦＰに垂直であり、所望の解像力が得られ
る焦点深度を光軸ＡＸ方向の幅でｄとしである。また露
光すべきチップ（又はショット）の大きさくサイズ）を
Ｃ８とし、そのチップの表面をＷＳとしである。焦点合
わせが行なわれると、表面ＷＳのチップ中心は結像面Ｆ
Ｐと一致し、表面ＷＳのフラットネスが第７図（ａ）の
ようにサイズＣ８内の全域で焦点深度ｄ内にあるときは
、そのチップの露光は解像不良となることはない。とこ
ろが第７図（ｂ）のように、サイズＣ８の周辺が焦点深
度ｄの幅を越えるほど表面ＷＳが傾斜しプいると、チッ
プ周辺で解像不良が生じる。尚、サイズＣ８のような小
さい範囲では、第６図のようにウェハ全体が湾曲してい
ても、表面ＷＳはほぼ均一な平面とみなすことができる
。このためチップ（ショット）の端部の結像面ＦＰから
の光軸方向へのずれ量は、表面ＷＳの結像面ＦＰに対す
る傾きをθとすると、第７図（ａ）の場合は約％Ｃ５−
５ｉｎ θ。
であり、第７図（ｂ）の場合は約％Ｃ５−５ｉｎ θ２
である。従ってｌ Ｃ５−５ｉｎ θ１≦ｄであれば、
チップ（ショット）全面で必要な解像力が得られるし、
ｌ Ｃ５−５ｉｎ θ１＞ａであればチップ（ショット
）周辺で解像不良が生じることになる。本実施例では傾
きθを直接測定して、上記演算によりフラットネスを検
出するのではなく、露光しようとするウェハＷ上のチッ
プ（ショット）と、それに隣接したチップとの焦点合わ
せ時のＺステージ４の各高さ位置の相互関係から簡単な
演算でフラットネスを検出する。
である。従ってｌ Ｃ５−５ｉｎ θ１≦ｄであれば、
チップ（ショット）全面で必要な解像力が得られるし、
ｌ Ｃ５−５ｉｎ θ１＞ａであればチップ（ショット
）周辺で解像不良が生じることになる。本実施例では傾
きθを直接測定して、上記演算によりフラットネスを検
出するのではなく、露光しようとするウェハＷ上のチッ
プ（ショット）と、それに隣接したチップとの焦点合わ
せ時のＺステージ４の各高さ位置の相互関係から簡単な
演算でフラットネスを検出する。
第８図は、第５図に示したウェハＷ上で、チップＣ９〜
ＣＩ４と露光が進み、さらにチップＣＩＳ〜Ｃ８，まで
の露光が終了した状態で、チップＣ２゜を露光しようと
する場合のチップ配列を示し、特にチップＣ９〜Ｃ＋Ｉ
、Ｃ＋ｑ、 Ｃｚ。の部分の拡大図である。各チップ
Ｃｑ、Ｃ＋。、Ｃ１＋＋ Ｃ１ｑは、これから露光す
るチップＣ２゜の周辺に隣接した露光法Ｚ１゜、ＰＺｚ
、ＰＺｌｑは、各チップの露光前に検出され、ステップ
１０４でＣＰＵ２０に接続されたＲＡＭ２１に記憶され
ている。そこでＣＰＵ２０はこれから露光しようとする
チップＣ２゜の中心の高さ位置に関する位置情報ＰＺ、
。と、ｐｚ、。
ＣＩ４と露光が進み、さらにチップＣＩＳ〜Ｃ８，まで
の露光が終了した状態で、チップＣ２゜を露光しようと
する場合のチップ配列を示し、特にチップＣ９〜Ｃ＋Ｉ
、Ｃ＋ｑ、 Ｃｚ。の部分の拡大図である。各チップ
Ｃｑ、Ｃ＋。、Ｃ１＋＋ Ｃ１ｑは、これから露光す
るチップＣ２゜の周辺に隣接した露光法Ｚ１゜、ＰＺｚ
、ＰＺｌｑは、各チップの露光前に検出され、ステップ
１０４でＣＰＵ２０に接続されたＲＡＭ２１に記憶され
ている。そこでＣＰＵ２０はこれから露光しようとする
チップＣ２゜の中心の高さ位置に関する位置情報ＰＺ、
。と、ｐｚ、。
Ｐ Ｚｏｏ、 Ｐ Ｚｚ、 Ｐ ＺＩｑとの夫々か
ら、チップＣ２゜の周辺の４点Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄ
が焦点深度ｄの幅に入いっているか否かを演算する。こ
こで隣接するチップ同志の表面は線形の変位として近似
できるものとすると、４点Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ。
ら、チップＣ２゜の周辺の４点Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄ
が焦点深度ｄの幅に入いっているか否かを演算する。こ
こで隣接するチップ同志の表面は線形の変位として近似
できるものとすると、４点Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ。
Ｐｄのチップ中心に対する光軸方向の変位量ΔＺａ、Δ
ｚｂ、 ΔＺｃ、ΔＺｄは、以下の各式で表わされる。
ｚｂ、 ΔＺｃ、ΔＺｄは、以下の各式で表わされる。
ΔＺａ＝’Ａ （ｌ ＰＺ２０ ＰＺ９ １）−
−−−（１）Δｚｂ＝’４ （ｌ ＰＺ、。−ＰＺ、
。ｌ ）−−−−（２）ΔＺｃ＝％ （ｌＰＺｚｏ
ＰＺ＋＋１）−−−−（３）ΔＺｄ＝％ （ｌｐｚｚ
。−Ｐ Ｚ、９１ ’） −−−−（４）この各式か
らも明らかなように、着目する露光領域（チップＣ２゜
）における高さ位置と、その周辺の露光領域の高さ位置
との偏差を検出するので、検出した高さ位置同志に一定
のオフセット量が含まれでいたとしても、そのオフセッ
トは相殺されることになる。このことは、ウェハＷ自体
の厚みむら等の影響を受けず、常にウェハ表面の局部的
な微小傾斜に応じた変位量が正確に検出できることを意
味する。
−−−（１）Δｚｂ＝’４ （ｌ ＰＺ、。−ＰＺ、
。ｌ ）−−−−（２）ΔＺｃ＝％ （ｌＰＺｚｏ
ＰＺ＋＋１）−−−−（３）ΔＺｄ＝％ （ｌｐｚｚ
。−Ｐ Ｚ、９１ ’） −−−−（４）この各式か
らも明らかなように、着目する露光領域（チップＣ２゜
）における高さ位置と、その周辺の露光領域の高さ位置
との偏差を検出するので、検出した高さ位置同志に一定
のオフセット量が含まれでいたとしても、そのオフセッ
トは相殺されることになる。このことは、ウェハＷ自体
の厚みむら等の影響を受けず、常にウェハ表面の局部的
な微小傾斜に応じた変位量が正確に検出できることを意
味する。
そこでＣＰＵ２０は上記式（１）、（２）、（３）、（
４）を演算して、その結果をＲＡｉ２１に記憶する。こ
の際、ＣＰＵ２０はチップＣ２゜の周囲のチップで、す
でに露光されたもの、すなわざ ち位置情報ＰＺがすでに検出それて記憶されたチップを
チップ配列データ上でサーチする処理も必要となる。尚
、本ステップは本発明における偏差検出手段の機能を実
現する。
４）を演算して、その結果をＲＡｉ２１に記憶する。こ
の際、ＣＰＵ２０はチップＣ２゜の周囲のチップで、す
でに露光されたもの、すなわざ ち位置情報ＰＺがすでに検出それて記憶されたチップを
チップ配列データ上でサーチする処理も必要となる。尚
、本ステップは本発明における偏差検出手段の機能を実
現する。
〔ステップ１０６〕
次にＣＰＵ２０は、演算された変位量ΔＺａ。
ΔＺｂ、ΔＺｃ、 ΔＺｄが焦点深度ｄとの関係で許容
され得る値か否かの判断を行なう。変位量ΔＺはチップ
中心に対するチップ周辺の光軸方向のずれ量なので、チ
ップの両端での変位量はほぼその２倍となり、ＣＰＵ２
０は以下の比較を行なう。
され得る値か否かの判断を行なう。変位量ΔＺはチップ
中心に対するチップ周辺の光軸方向のずれ量なので、チ
ップの両端での変位量はほぼその２倍となり、ＣＰＵ２
０は以下の比較を行なう。
２・ΔＺａ≦ｄ −−−−（５）２・Δｚｂ
≦ｄ −−−−（６）２・ΔＺｃ≦ｄ
−−−−（７）２・ΔＺｄ≦ｄ −−
−−（８）この式（５）〜（８）までの各条件がともに
満足されているとき、チップＣｔＯの表面はその内のど
の点についても第７図（ａ）のように焦点深度内にあり
、フラットと判断される。また式（５）〜（８）の条件
がともに満足されていないときは、チップＣ２゜の周辺
のいたる点で焦点深度外になっていると判断される。こ
こでフラットであると判断されたときは、ステップ１０
７にジャンプする。
≦ｄ −−−−（６）２・ΔＺｃ≦ｄ
−−−−（７）２・ΔＺｄ≦ｄ −−
−−（８）この式（５）〜（８）までの各条件がともに
満足されているとき、チップＣｔＯの表面はその内のど
の点についても第７図（ａ）のように焦点深度内にあり
、フラットと判断される。また式（５）〜（８）の条件
がともに満足されていないときは、チップＣ２゜の周辺
のいたる点で焦点深度外になっていると判断される。こ
こでフラットであると判断されたときは、ステップ１０
７にジャンプする。
〔ステップ１０７〕
露光すべき領域がフラットであれば、最適な解像力が得
られるので、ＣＰＵ２０はシャッター制御部２３に指令
を出力して、その領域での露光（プリント）を実行する
。
られるので、ＣＰＵ２０はシャッター制御部２３に指令
を出力して、その領域での露光（プリント）を実行する
。
〔ステップ１０８〕
プリントが終了するとＣＰＵ２０は１枚のウェハ上の全
チップ（ショツ日について露光が完了したか否かを判断
して、完了していないときは再び先のステップ１０２か
らの動作を繰り返す。
チップ（ショツ日について露光が完了したか否かを判断
して、完了していないときは再び先のステップ１０２か
らの動作を繰り返す。
〔ステップ１０９〕
ステップ１０８で全ショットの露光が完了したと判断さ
れたとき、ＣＰＵ２０は露光の終わったウェハＷをアン
ロード（ｗｉ出）する。
れたとき、ＣＰＵ２０は露光の終わったウェハＷをアン
ロード（ｗｉ出）する。
〔ステップ１１０〕
次にＣＰＵ２０はロット内の全ウェハについて露光した
か否かを判断し、残りのウェハがあるときは再びステッ
プ１０１からの動作を繰り返す。
か否かを判断し、残りのウェハがあるときは再びステッ
プ１０１からの動作を繰り返す。
ところで先のステップ１０６において、フラットではな
いと判断されると、ＣＰＵ２０はステップ１００で設定
された警報に関するパラメータに基づいて、各種警報を
発生するためのステップ１２０〜１３２（本発明の警報
発生手段）を実行する。
いと判断されると、ＣＰＵ２０はステップ１００で設定
された警報に関するパラメータに基づいて、各種警報を
発生するためのステップ１２０〜１３２（本発明の警報
発生手段）を実行する。
〔ステップ１２０〕
ここでＣＰＵ２０は、ウェハＷ上の露光しようとしたチ
ップ（例えばＣ２゜）がフラットネス不良である旨の第
１の警ｉＡＬＭ−１を発生する。そこでＣＰＵ２０は表
示データ■Ｓとして、ウェハ上のそのチップの位置に関
する情報を出力するとともに、それを記憶する。これに
よってディスプレイ２５上には解像不良になるチップの
位置が表示される。
ップ（例えばＣ２゜）がフラットネス不良である旨の第
１の警ｉＡＬＭ−１を発生する。そこでＣＰＵ２０は表
示データ■Ｓとして、ウェハ上のそのチップの位置に関
する情報を出力するとともに、それを記憶する。これに
よってディスプレイ２５上には解像不良になるチップの
位置が表示される。
〔ステップ１２１〕
次にＣＰＵ２０は、警報ＡＬＭ−１の発生した回数を記
憶するレジスタ（又はメモリ）を１だけインクリメント
（＋１カウント）する。尚、そのレジスタ（又はメモリ
）はステップ１０１において新しいウェハがローディン
グされた時点で零にクリアされる。
憶するレジスタ（又はメモリ）を１だけインクリメント
（＋１カウント）する。尚、そのレジスタ（又はメモリ
）はステップ１０１において新しいウェハがローディン
グされた時点で零にクリアされる。
〔ステップ１２２〕
次にＣＰＵ２０は、ステップ１００で設定されたパラメ
ータに基づいて、以降の露光を中止すべく装置を停止さ
せるか否かを判断する。装置を停止させる場合は当然オ
ペレータにその旨を知らせる必要があり、以後その判断
を「オペレータコールか否かの判断」と呼ぶことにする
。
ータに基づいて、以降の露光を中止すべく装置を停止さ
せるか否かを判断する。装置を停止させる場合は当然オ
ペレータにその旨を知らせる必要があり、以後その判断
を「オペレータコールか否かの判断」と呼ぶことにする
。
〔ステップ１２３〕
ステップ１２２でオペレータコールが必要であると判断
されると、ＣＰＵ２０は装置の動作を中止させて待機状
態にさせるとともに、警報器２６に警報ＡＬＭ−１に対
応した信号ＡＬＭを出力する。これによって警報器２６
はウェハ上でこれから露光するべきチップが解像不良に
なるこ・とを表わす状態になる。
されると、ＣＰＵ２０は装置の動作を中止させて待機状
態にさせるとともに、警報器２６に警報ＡＬＭ−１に対
応した信号ＡＬＭを出力する。これによって警報器２６
はウェハ上でこれから露光するべきチップが解像不良に
なるこ・とを表わす状態になる。
〔ステップ１２４〕
ステップ１２２でオペレータコールが不＋要であると判
断されると、ＣＰＵ２０はステップ１２１でカウントさ
れた警報Ａ、ＬＭ−１の発生回数、すなわち解像不良に
なったであろうチップ（ショット）の個数が、予め定め
た任意の数ｎに達したか否かを判断する。尚、ここでは
１枚のウェハ上でそれまで露光してきたショツト数と、
警報ＡＬＭ−１の発生したショツト数との比が、所定の
値に達したか否かを判断するようにしてもよい。
断されると、ＣＰＵ２０はステップ１２１でカウントさ
れた警報Ａ、ＬＭ−１の発生回数、すなわち解像不良に
なったであろうチップ（ショット）の個数が、予め定め
た任意の数ｎに達したか否かを判断する。尚、ここでは
１枚のウェハ上でそれまで露光してきたショツト数と、
警報ＡＬＭ−１の発生したショツト数との比が、所定の
値に達したか否かを判断するようにしてもよい。
〔ステップ１２５〕
次にＣＰＵ２０は、１枚のウェハ上でフラットネス不良
になったチップが所定個数以上ある旨の第２の警報ＡＬ
Ｍ−２を発生する。そこでＣＰＵ２０は表示データ■Ｓ
として、ウェハ上の複数のチップ位置で解像不良が起き
たこと、換言すればウェハのホルダーへの吸着不良によ
ってウェハの平坦化矯正が不十分である旨の情報を出力
する。
になったチップが所定個数以上ある旨の第２の警報ＡＬ
Ｍ−２を発生する。そこでＣＰＵ２０は表示データ■Ｓ
として、ウェハ上の複数のチップ位置で解像不良が起き
たこと、換言すればウェハのホルダーへの吸着不良によ
ってウェハの平坦化矯正が不十分である旨の情報を出力
する。
これによってディスプレイ２５上にはウェハのソリや湾
曲が大きすぎるための吸着不良が発生したことが表示さ
れる。
曲が大きすぎるための吸着不良が発生したことが表示さ
れる。
〔ステップ１２６〕
次にＣＰＵ２０は警ｉ１ＡＬＭ−２が発生したことによ
るオペレータコールが必要か否かを予めセットされたパ
ラメータに基づいて判断する。
るオペレータコールが必要か否かを予めセットされたパ
ラメータに基づいて判断する。
〔ステップ１２７〕
ステップ１２６でオペレータコール〜が必要と判断され
ると、ＣＰＵ２０は装置の動作を中止させて待機状態に
させるとともに、警報器２６に警報ＡＬＭ−２に対応し
た信号ＡＬＭを出力する。
ると、ＣＰＵ２０は装置の動作を中止させて待機状態に
させるとともに、警報器２６に警報ＡＬＭ−２に対応し
た信号ＡＬＭを出力する。
これによって警報器２６は警報ＡＬＭ−１による表示と
識別し得るような表示を行なって、吸着不良の可能性が
高いことをオペレータに知らせる。
識別し得るような表示を行なって、吸着不良の可能性が
高いことをオペレータに知らせる。
〔ステップ１２８〕
ステップ１２６でオペレータコール不要と判断されると
、ＣＰＵ２０はステップ１２０で警報ＡＬＭ−１の発生
したチップ位置が、先行して露光されたウェハ（１枚又
は複数枚）上で生じたフラットネス不良と同一位置、も
しくはその近傍であるか否かを比較する。
、ＣＰＵ２０はステップ１２０で警報ＡＬＭ−１の発生
したチップ位置が、先行して露光されたウェハ（１枚又
は複数枚）上で生じたフラットネス不良と同一位置、も
しくはその近傍であるか否かを比較する。
〔ステップ１２９〕
ステップ１２８の比較によって、先行ウェハ上の同一位
置、又はその近傍で警報ＡＬＭ−１が発生していたとき
は、ＣＰＵ２０はステップ１３０に進み、そうでないと
きは先に説明したステップ１０７の「プリント」からの
動作を実行する。
置、又はその近傍で警報ＡＬＭ−１が発生していたとき
は、ＣＰＵ２０はステップ１３０に進み、そうでないと
きは先に説明したステップ１０７の「プリント」からの
動作を実行する。
〔ステップ１３０〕
ここでＣＰＵ２０は複数枚のウェハ上の同一位置で解像
不良が発生したこと、換言すればウェハホルダー上の特
定の位置にレジストの微粉やその他のゴミが付着した可
能性が高い旨の第３の警報ＡＬＭ−３を発生する。これ
によってディスプレイ２５上には、ウェハホルダーへの
異物の付着が発生したことが表示される。
不良が発生したこと、換言すればウェハホルダー上の特
定の位置にレジストの微粉やその他のゴミが付着した可
能性が高い旨の第３の警報ＡＬＭ−３を発生する。これ
によってディスプレイ２５上には、ウェハホルダーへの
異物の付着が発生したことが表示される。
〔ステップ１３１〕
次にＣＰＵ２０は警ｊ［ｌＡＬＭ−３が発生したことに
よるオペレータコールが必要か否かを、予めセットされ
たパラメータに基づいて判断する。ここでオペレータコ
ールが不要と判断されると、先に説明したステップ１０
７の「プリント」からの動作が実行される。
よるオペレータコールが必要か否かを、予めセットされ
たパラメータに基づいて判断する。ここでオペレータコ
ールが不要と判断されると、先に説明したステップ１０
７の「プリント」からの動作が実行される。
〔ステップ１３２〕
ステップ１３１でオペレータコールが必要と判断される
と、ＣＰＵ２０は装置の動作を中止させて待機状態にさ
せるとともに、警報器２６に警報ＡＬＭ−３に対応した
信号ＡＬＭを出力する。これによって警報器２６は先の
２つの警報ＡＬＭ−１、ＡＬＭ−２よるいずれの表示と
も識別し得るような表示を行なって、ウェハホルダーの
クリーニング等の必要があることをオペレータに知らせ
る。
と、ＣＰＵ２０は装置の動作を中止させて待機状態にさ
せるとともに、警報器２６に警報ＡＬＭ−３に対応した
信号ＡＬＭを出力する。これによって警報器２６は先の
２つの警報ＡＬＭ−１、ＡＬＭ−２よるいずれの表示と
も識別し得るような表示を行なって、ウェハホルダーの
クリーニング等の必要があることをオペレータに知らせ
る。
以上本実施例の全体の動作を説明したが、第４図に示し
たシーケンスでは１枚のウェハの露光動作中に各種警報
の発生や装置停止の要否を判断していくので、実際の装
置としてはその分だけウェハの処理スピードが低下する
ことが考えられる。
たシーケンスでは１枚のウェハの露光動作中に各種警報
の発生や装置停止の要否を判断していくので、実際の装
置としてはその分だけウェハの処理スピードが低下する
ことが考えられる。
さらに１枚のウェハの露光動作中に装置が停止すること
があり、オペレータの作業が繁雑になるきらいもある。
があり、オペレータの作業が繁雑になるきらいもある。
そこで各種警報は１枚のウェハの露光が終了した後、例
えばステップ１０９でウェハをアンロードしているよう
な間に出力するようにし、装置の停止はそのウェハのア
ンロード後に行なうようにすると実際的である。そこで
第４図の各ステップのうち、ステップ１０１〜１０４ま
でを実行したら、次にステップ１０７〜１０９を実行す
るようにする。すなわち１枚のウェハ上で解像不良にな
るチップが発生したとしても、それは無視してとりあえ
ず１枚だけは露光してしまう。そしてステップ１０９で
ウェハをアンロードしている間に、ステップ１０５〜１
３２までの警報処理を実行する。この場合、ステップ１
０５でのフラットネス演算は、露光されたウェハ上の全
チップについてステップ１２０、においてそのチップ位
置をディスプレイ２５上に表示し、ステップ１２１でチ
ップ数を計数する。そのチップ数が零のときは警報の発
生は不要であるので、ステップ１１０の動作から前述の
ように繰り返される。ステップ１２１でチップ数が零で
ないときは、ステップ１２４．１２５．１２８．１２９
、及び１３０が順次実行される。この場合ステップ１２
２．１２３．１２６．１２７．１３１は不要である。そ
してステップ１２９又は１３０が終了した時点で前述の
各種警報状態を警報器２６によって表示する。こうして
警報が表示されたときは、ステップ１０９のウェハアン
ロードの完了後、装置は自動的に待機状態になり、オペ
レータのアシスト（例えばキーボード２４からの指令入
力）を待つ。このようにすれば、解像不良の生じたウェ
ハのチェックを高いスループットを維持しつつ実現でき
るので、半導位置については、ステップ１２０で順次記
憶されていくので、その記憶状態を他の固定記憶装置（
磁気ディスク、フロッピーディスク、又は磁気カード、
テープ等）に転送しておけば、以後のウニの ハブロセス上艷管理データとして用いることもできる。
えばステップ１０９でウェハをアンロードしているよう
な間に出力するようにし、装置の停止はそのウェハのア
ンロード後に行なうようにすると実際的である。そこで
第４図の各ステップのうち、ステップ１０１〜１０４ま
でを実行したら、次にステップ１０７〜１０９を実行す
るようにする。すなわち１枚のウェハ上で解像不良にな
るチップが発生したとしても、それは無視してとりあえ
ず１枚だけは露光してしまう。そしてステップ１０９で
ウェハをアンロードしている間に、ステップ１０５〜１
３２までの警報処理を実行する。この場合、ステップ１
０５でのフラットネス演算は、露光されたウェハ上の全
チップについてステップ１２０、においてそのチップ位
置をディスプレイ２５上に表示し、ステップ１２１でチ
ップ数を計数する。そのチップ数が零のときは警報の発
生は不要であるので、ステップ１１０の動作から前述の
ように繰り返される。ステップ１２１でチップ数が零で
ないときは、ステップ１２４．１２５．１２８．１２９
、及び１３０が順次実行される。この場合ステップ１２
２．１２３．１２６．１２７．１３１は不要である。そ
してステップ１２９又は１３０が終了した時点で前述の
各種警報状態を警報器２６によって表示する。こうして
警報が表示されたときは、ステップ１０９のウェハアン
ロードの完了後、装置は自動的に待機状態になり、オペ
レータのアシスト（例えばキーボード２４からの指令入
力）を待つ。このようにすれば、解像不良の生じたウェ
ハのチェックを高いスループットを維持しつつ実現でき
るので、半導位置については、ステップ１２０で順次記
憶されていくので、その記憶状態を他の固定記憶装置（
磁気ディスク、フロッピーディスク、又は磁気カード、
テープ等）に転送しておけば、以後のウニの ハブロセス上艷管理データとして用いることもできる。
その−例として、ウエハブローバとテスターで最終的に
チップを検査する際、解像不良のチップが救済できない
ものとわかっている場合、自動的にそのチップの検査を
省略することも可能である。逆に解像不良のチップにつ
いて重点的に検査することもできる。さらに、レーザス
ポットを用いた欠陥修正装置に解像不良のデータを送り
込み、プローバと共同して欠陥修正する際のデータとし
て使うこともできる。
チップを検査する際、解像不良のチップが救済できない
ものとわかっている場合、自動的にそのチップの検査を
省略することも可能である。逆に解像不良のチップにつ
いて重点的に検査することもできる。さらに、レーザス
ポットを用いた欠陥修正装置に解像不良のデータを送り
込み、プローバと共同して欠陥修正する際のデータとし
て使うこともできる。
またフラットネス演算の際、１枚のウェハの露光動作が
終了してから各チップ毎のフラットネスを算出する場合
は、着目する露光領域の周辺のチップのうち、最大８個
のチップの高さ位置情報ＰＺの夫々を着目露光領域の高
さ位置情報ＰＺと比較することが可能である。さらに露
光動作中に逐次各種警報を発生する場合は、１枚のウェ
ハ上の初めの方に露光したチップについては、比較すべ
き周辺のチップの情報ＰＺが少なかったり、まったくな
かったりすることもある。このときは途中まで露光が終
った状態で、初めの方で露光したチップについてのフラ
ットネスを再演算させるか、そのウェハの露光完了後に
再演算させるようにするとよい。
終了してから各チップ毎のフラットネスを算出する場合
は、着目する露光領域の周辺のチップのうち、最大８個
のチップの高さ位置情報ＰＺの夫々を着目露光領域の高
さ位置情報ＰＺと比較することが可能である。さらに露
光動作中に逐次各種警報を発生する場合は、１枚のウェ
ハ上の初めの方に露光したチップについては、比較すべ
き周辺のチップの情報ＰＺが少なかったり、まったくな
かったりすることもある。このときは途中まで露光が終
った状態で、初めの方で露光したチップについてのフラ
ットネスを再演算させるか、そのウェハの露光完了後に
再演算させるようにするとよい。
尚、フラットネスの検出は、第８図に示すように着目す
る露光領域の周辺の何点かの高さ位置を求める方式なの
で、その露光領域のどの部分が解像不良になるのかも判
定できる。具体的には先の条件式（５）〜（８）の中で
条件を満足しなかった部分を検出して、表示データ■Ｓ
として出力し、ディスプレイ２５上に表示すればよい。
る露光領域の周辺の何点かの高さ位置を求める方式なの
で、その露光領域のどの部分が解像不良になるのかも判
定できる。具体的には先の条件式（５）〜（８）の中で
条件を満足しなかった部分を検出して、表示データ■Ｓ
として出力し、ディスプレイ２５上に表示すればよい。
以上本発明の各実施例は縮小投影型露光装置を用いて説
明されているが、Ｘ線ステッパーの場合も全く同様に実
施できる。Ｘ線ステッパーの場合は、マスクとウェハと
を１０〜５０μｍ程度の一定のギャップに設定するだけ
であり、結像光学系がある訳ではないが、マスクからそ
のギヤツブ分だけ離れた位置に原画像の形成される所定
像面が位置していると言える。
明されているが、Ｘ線ステッパーの場合も全く同様に実
施できる。Ｘ線ステッパーの場合は、マスクとウェハと
を１０〜５０μｍ程度の一定のギャップに設定するだけ
であり、結像光学系がある訳ではないが、マスクからそ
のギヤツブ分だけ離れた位置に原画像の形成される所定
像面が位置していると言える。
さらにウェハ上の各露光領域毎に、その表面の高さを計
測する例としては、Ｚステージ４は一定の斉さに固定し
たままウェハを２次元移動させてユそのときの焦点信号
ＦＳのアナログ値の変化を検出するようにしてもよい。
測する例としては、Ｚステージ４は一定の斉さに固定し
たままウェハを２次元移動させてユそのときの焦点信号
ＦＳのアナログ値の変化を検出するようにしてもよい。
このようにするウェハへの露光前に解像不良となるチッ
プが検出可能である。また焦点検出用に設けられた対物
レンズが常にウェハの表面に合焦するように、対物レン
ズを上下動させる方式では、対物レンズの上下動の量を
各露光領域毎に読み取るようにしても同様のフラットネ
ス演算が可能である。尚、Ｚステージ４又は対物レンズ
の上下動をパルスモータで駆動する場合は、パルスモー
タに送出するパルス数を計測するカウンタをＣＰＵ２０
内に設定すれば、そのカウンタがＺ位置検出器７ａと同
等の機能を実現することになる。
プが検出可能である。また焦点検出用に設けられた対物
レンズが常にウェハの表面に合焦するように、対物レン
ズを上下動させる方式では、対物レンズの上下動の量を
各露光領域毎に読み取るようにしても同様のフラットネ
ス演算が可能である。尚、Ｚステージ４又は対物レンズ
の上下動をパルスモータで駆動する場合は、パルスモー
タに送出するパルス数を計測するカウンタをＣＰＵ２０
内に設定すれば、そのカウンタがＺ位置検出器７ａと同
等の機能を実現することになる。
（発明の効果）
以上本発明によれば、感光基板のソリや湾曲等による各
露光領域の傾きを、何ら特別の検出装置を設けることな
く検出でき、解像不良を起こしたチップ、又は解像不良
になるようなチップをただちに判断できるので、半導体
素子の生産率（良品率）を著しく向上させることができ
るといった効果が得られる。さらに解像不良になるか否
かの判断も露光直前に行なうことが可能であるので、無
用の露光動作をさけることも可能となる。また複数の感
光基板を露光処理する間に生じる真空チャックの吸着不
良や吸着面への異物の付着の発見も容易に行なえるとい
った利点もある。
露光領域の傾きを、何ら特別の検出装置を設けることな
く検出でき、解像不良を起こしたチップ、又は解像不良
になるようなチップをただちに判断できるので、半導体
素子の生産率（良品率）を著しく向上させることができ
るといった効果が得られる。さらに解像不良になるか否
かの判断も露光直前に行なうことが可能であるので、無
用の露光動作をさけることも可能となる。また複数の感
光基板を露光処理する間に生じる真空チャックの吸着不
良や吸着面への異物の付着の発見も容易に行なえるとい
った利点もある。
第１図は本発明の特徴を表わす概略的な構成図、第２図
は本発明の実施例による投影型露光装置の概略的な構成
を示す斜視図、第３図は第２図の装置の制御系を示す回
路ブロック図、第４図は一連の露光動作や警報発生動作
のシーケンスを示すフローチャート図、第５図はウェハ
へのショット（チップ）配列の一例を示す平面図、第６
図は第５図中のウェハのＲＲ’矢視断面を、ウェハホル
ダーの断面とともに示す断面図、第７図は解像不良にな
るか否かを説明するための図、第８図は解像不良を検出
する動作を説明するためのチップ配列を示す平面図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 １−一一一投影レンズ、 ４−−−− Ｚステージ、 ７−−−− Ｚ駆動部、 ７ａ−−−−Ｚ位置検出器、 １４．１５−〜−−焦点検出系、 ２ ０−−−−ＣＰ Ｕ。 ２５−−−−ディスプレイ、 ２６−−−−警報器
は本発明の実施例による投影型露光装置の概略的な構成
を示す斜視図、第３図は第２図の装置の制御系を示す回
路ブロック図、第４図は一連の露光動作や警報発生動作
のシーケンスを示すフローチャート図、第５図はウェハ
へのショット（チップ）配列の一例を示す平面図、第６
図は第５図中のウェハのＲＲ’矢視断面を、ウェハホル
ダーの断面とともに示す断面図、第７図は解像不良にな
るか否かを説明するための図、第８図は解像不良を検出
する動作を説明するためのチップ配列を示す平面図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 １−一一一投影レンズ、 ４−−−− Ｚステージ、 ７−−−− Ｚ駆動部、 ７ａ−−−−Ｚ位置検出器、 １４．１５−〜−−焦点検出系、 ２ ０−−−−ＣＰ Ｕ。 ２５−−−−ディスプレイ、 ２６−−−−警報器
Claims (6)
- （１）所定の原画像に対して感光基板を２次元移動させ
て、該感光基板上の異なる領域毎に前記原画像を順次露
光する装置において、 前記原画像の形成されるべき所定像面と略平行な基準平
面に沿つて前記感光基板を２次元移動させる移動体と；
前記感光基板の表面と前記基準平面との間隔に、関する
情報を、前記感光基板上の露光すべき複数の領域につい
て順次検出する間隔検出手段と；該検出された複数の間
隔情報のうち着目する露光領域の間隔情報とその周辺の
露光領域の間隔情報とを比較することによつて、着目す
る露光領域表面の前記所定像面に対する平行度を検出す
る平行度検出手段とを備えたことを特徴とする露光装置
。 - （２）前記間隔検出手段は、前記所定像面と着目する露
光領域の表面とを一致させるように、該着目領域の露光
前に前記所定像面と感光基板との相対的な位置を調整す
る調整手段と、その調整された位置を前記間隔情報とし
て記憶する記憶手段とを含むことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の装置。 - （３）前記平行度検出手段は、前記着目する露光領域に
おける間隔情報と、それ以前に露光された複数の露光領
域の間隔情報の夫々との偏差を演算する偏差演算手段と
；該各偏差が予め定められた一定値を越えたとき、前記
着目する露光領域での原画像の露光が解像不良になる旨
の第１警報を発生する警報発生手段とを含むことを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の装置。 - （４）前記警報発生手段は、前記感光基板への繰り返し
露光動作中に発生する前記第１警報の回数を計測する手
段と；該回数が任意の値になつたとき、前記第１警報と
識別し得る第２警報を発生する手段とを含むことを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の装置。 - （５）前記警報発生手段は、前記第１警報が発生したと
きの前記感光基板上の露光領域の位置を記憶する手段と
；別の感光基板を順次露光する際に前記第１警報が発生
したとき、その発生した位置が、前記記憶された位置と
同一、若しくはその近傍であるときに、前記第１警報と
識別し得る第３警報を発生する手段とを含むことを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の装置。 - （６）前記露光装置は、前記原画像を形成する投影光学
系を有し、前記第１警報を発生するための前記一定値を
、前記原画像の大きさと前記投影光学系の焦点深度とに
基づいて決定することを特徴とする特許請求の範囲第３
項記載の装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60129343A JPS61287229A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 露光装置、及び該露光装置を用いた回路パターン製造方法 |
| US07/166,745 US4849901A (en) | 1985-06-14 | 1988-03-02 | Substrate exposure apparatus with flatness detection and alarm |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60129343A JPS61287229A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 露光装置、及び該露光装置を用いた回路パターン製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287229A true JPS61287229A (ja) | 1986-12-17 |
| JPH0548614B2 JPH0548614B2 (ja) | 1993-07-22 |
Family
ID=15007264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60129343A Granted JPS61287229A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 露光装置、及び該露光装置を用いた回路パターン製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4849901A (ja) |
| JP (1) | JPS61287229A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226002A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び処理方法 |
| JPH01276734A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエーハの不良チップ検出装置 |
| JPH02102518A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Canon Inc | 面位置検出方法 |
| JPH0774089A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-03-17 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US6287734B2 (en) | 1995-07-13 | 2001-09-11 | Nikon Corporation | Exposure method |
| US6897949B2 (en) | 1998-10-19 | 2005-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
| JP2008140814A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120621B2 (ja) * | 1989-05-08 | 1995-12-20 | キヤノン株式会社 | 位置合せ方法 |
| US5543921A (en) * | 1989-05-08 | 1996-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Aligning method utilizing reliability weighting coefficients |
| JP2960746B2 (ja) * | 1990-03-15 | 1999-10-12 | 株式会社日立製作所 | ビーム照射方法および電子ビーム描画方法とビーム照射装置並びに電子ビーム描画装置 |
| JP3043031B2 (ja) * | 1990-06-01 | 2000-05-22 | 富士通株式会社 | 露光データ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法 |
| JP2712772B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1998-02-16 | 株式会社ニコン | パターン位置測定方法及び装置 |
| JPH05216209A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Nikon Corp | フォトマスク |
| US5381344A (en) * | 1992-04-06 | 1995-01-10 | Hewlett-Packard Company | Apparatus and method for obtaining a list of numbers of wafers for integrated circuit testing |
| US5559582A (en) * | 1992-08-28 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US5852298A (en) * | 1995-03-30 | 1998-12-22 | Ebara Corporation | Micro-processing apparatus and method therefor |
| GB9515090D0 (en) * | 1995-07-21 | 1995-09-20 | Applied Materials Inc | An ion beam apparatus |
| US6215896B1 (en) * | 1995-09-29 | 2001-04-10 | Advanced Micro Devices | System for enabling the real-time detection of focus-related defects |
| JP3704694B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2005-10-12 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線転写装置 |
| KR19980019031A (ko) | 1996-08-27 | 1998-06-05 | 고노 시게오 | 스테이지 장치(a stage apparatus) |
| DE19646694A1 (de) * | 1996-11-12 | 1998-05-14 | Heuft Systemtechnik Gmbh | Verfahren zum Testen der Zuverlässigkeit eines Prüfgerätes, insbesondere eines Leerflascheninspektors |
| US6411387B1 (en) | 1996-12-16 | 2002-06-25 | Nikon Corporation | Stage apparatus, projection optical apparatus and exposure method |
| KR100274596B1 (ko) * | 1997-06-05 | 2000-12-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 노광설비의 스테이지 홀더 상의 파티클 감지방법과 이를 이용한 감지장치 및 그 제어방법 |
| US6987873B1 (en) * | 1998-07-08 | 2006-01-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic defect classification with invariant core classes |
| JP4456709B2 (ja) * | 2000-01-12 | 2010-04-28 | 富士機械製造株式会社 | 基板支持状態検査方法 |
| US6483071B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-11-19 | General Scanning Inc. | Method and system for precisely positioning a waist of a material-processing laser beam to process microstructures within a laser-processing site |
| JP4585649B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US6639177B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-10-28 | Gsi Lumonics Corporation | Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device |
| JP4497908B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置 |
| JP4538421B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2010-09-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
| EP2700094B1 (en) * | 2011-04-19 | 2017-06-07 | Teledyne Rad-icon Imaging Corp. | Method of direct silicon tiling of a tiled image sensor array |
| CN107367911B (zh) | 2016-05-11 | 2019-02-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 对准方法及对准系统 |
| CN112687559B (zh) * | 2019-10-18 | 2022-07-26 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 晶圆检测方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7606548A (nl) * | 1976-06-17 | 1977-12-20 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat. |
| JPS5642205A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Focus detecting method |
| JPS57204547A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Hitachi Ltd | Exposing method |
| US4615621A (en) * | 1982-04-02 | 1986-10-07 | Eaton Corporation | Auto-focus alignment and measurement system and method |
| US4584479A (en) * | 1982-10-19 | 1986-04-22 | Varian Associates, Inc. | Envelope apparatus for localized vacuum processing |
| US4528451A (en) * | 1982-10-19 | 1985-07-09 | Varian Associates, Inc. | Gap control system for localized vacuum processing |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP60129343A patent/JPS61287229A/ja active Granted
-
1988
- 1988-03-02 US US07/166,745 patent/US4849901A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226002A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び処理方法 |
| JP2585050B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1997-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置及び処理方法 |
| JPH01276734A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエーハの不良チップ検出装置 |
| JPH02102518A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Canon Inc | 面位置検出方法 |
| JPH0652707B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1994-07-06 | キヤノン株式会社 | 面位置検出方法 |
| JPH0774089A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-03-17 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US6287734B2 (en) | 1995-07-13 | 2001-09-11 | Nikon Corporation | Exposure method |
| US6624879B2 (en) | 1995-07-13 | 2003-09-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for photolithography |
| US6897949B2 (en) | 1998-10-19 | 2005-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
| US7339662B2 (en) | 1998-10-19 | 2008-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
| JP2008140814A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4849901A (en) | 1989-07-18 |
| JPH0548614B2 (ja) | 1993-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61287229A (ja) | 露光装置、及び該露光装置を用いた回路パターン製造方法 | |
| US7027128B2 (en) | Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing factory | |
| US7339662B2 (en) | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same | |
| US5008702A (en) | Exposure method and apparatus | |
| US6313913B1 (en) | Surface inspection apparatus and method | |
| JPH01179317A (ja) | 基板処理システム | |
| JPH0950951A (ja) | リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 | |
| JP2008053618A (ja) | 露光装置及び方法並びに該露光装置を用いたデバイス製造方法 | |
| JPH07240363A (ja) | 反射型マスクの作製方法と製造装置およびこれを用いた反射型マスク、該反射型マスクを用いた露光装置と半導体デバイス | |
| JP3395797B2 (ja) | 露光装置 | |
| US6876435B2 (en) | Exposure method, plane alignment method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JPS5994032A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3466893B2 (ja) | 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| US8119312B2 (en) | Manufacturing method for a semiconductor device | |
| JP2007256577A (ja) | 異物検査装置及び露光装置並びに光露光用マスク | |
| JP4196411B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPH10284393A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH09246168A (ja) | 走査型露光装置および方法ならびに該装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JP2006030021A (ja) | 位置検出装置及び位置検出方法 | |
| JP2000306822A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07130641A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP2006024681A (ja) | 位置計測装置及び方法並びに露光装置及び方法 | |
| JP2004266300A (ja) | 反射型マスク | |
| JPH08262747A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2005072259A (ja) | 基板処理装置及びエラー処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |