JP3043031B2 - 露光データ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法 - Google Patents
露光データ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔目 次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術（第９図） 発明が解決しようとする課題（第10図） 課題を解決するための手段（第１〜第３図） 作用 実施例（第４図〜第８図） 発明の効果 〔概 要〕 パターン露光装置、特に非圧縮露光パターンの中に圧
縮露光パターンが合成された露光データに基づいて被露
光対象の露光処理をする露光装置に関し、 非圧縮露光パターン中に圧縮露光パターンが合成され
た露光パターンに対しても、被露光対象を載置するステ
ージの無駄な移動を無くし、ひいては露光処理時間を短
縮し、効率の良い露光処理を可能にすることを目的と
し、 被露光対象の露光データを入力して偏向データ及び走
査データを出力する露光データ処理手段と、前記被露光
対象に荷電粒子を照射する荷電粒子発生源と、前記偏向
データに基づいて荷電粒子を偏向する偏向手段と、前記
走査データに基づいて被露光対象を移動走査する移動手
段と、前記露光データ処理手段、前記荷電粒子発生源、
前記偏向手段及び前記移動手段の入出力を制御する制御
手段とを具備し、前記露光データには、予め単位偏向領
域がそれぞれ定義された非圧縮露光パターン及び該非圧
縮露光パターン内に置かれる圧縮露光パターンの配置処
理をし、前記配置処理された各単位偏向領域に個別に番
号付け処理をし、前記番号付け処理された前記非圧縮露
光パターン及び前記圧縮露光パターンの単位偏向領域
を、Ｙ座標値が最小となる順序であり且つ同一のＹ座標
値のときはＸ座標値が最小となる順序を求め、Ｙ座標値
が変化する毎に同一のＹ座標値の順番を逆にする順序補
正をして露光順序を決定する露光順位付け処理をし、前
記露光順位付け処理された単位偏向領域のデータ構成処
理をすることにより作成処理された露光データが用いら
れるように構成する。
縮露光パターンが合成された露光データに基づいて被露
光対象の露光処理をする露光装置に関し、 非圧縮露光パターン中に圧縮露光パターンが合成され
た露光パターンに対しても、被露光対象を載置するステ
ージの無駄な移動を無くし、ひいては露光処理時間を短
縮し、効率の良い露光処理を可能にすることを目的と
し、 被露光対象の露光データを入力して偏向データ及び走
査データを出力する露光データ処理手段と、前記被露光
対象に荷電粒子を照射する荷電粒子発生源と、前記偏向
データに基づいて荷電粒子を偏向する偏向手段と、前記
走査データに基づいて被露光対象を移動走査する移動手
段と、前記露光データ処理手段、前記荷電粒子発生源、
前記偏向手段及び前記移動手段の入出力を制御する制御
手段とを具備し、前記露光データには、予め単位偏向領
域がそれぞれ定義された非圧縮露光パターン及び該非圧
縮露光パターン内に置かれる圧縮露光パターンの配置処
理をし、前記配置処理された各単位偏向領域に個別に番
号付け処理をし、前記番号付け処理された前記非圧縮露
光パターン及び前記圧縮露光パターンの単位偏向領域
を、Ｙ座標値が最小となる順序であり且つ同一のＹ座標
値のときはＸ座標値が最小となる順序を求め、Ｙ座標値
が変化する毎に同一のＹ座標値の順番を逆にする順序補
正をして露光順序を決定する露光順位付け処理をし、前
記露光順位付け処理された単位偏向領域のデータ構成処
理をすることにより作成処理された露光データが用いら
れるように構成する。
本発明は、露光データ作成方法，パターン露光装置及
びパターン露光方法に関するものであり、更に詳しく言
えば非圧縮露光パターンの中に圧縮露光パターンが合成
された露光データに基づいて被露光対象に露光処理をす
る露光装置，露光方法及びデータ作成方法に関するもの
である。
びパターン露光方法に関するものであり、更に詳しく言
えば非圧縮露光パターンの中に圧縮露光パターンが合成
された露光データに基づいて被露光対象に露光処理をす
る露光装置，露光方法及びデータ作成方法に関するもの
である。
近年，半導体集積回路装置（LSI）の大規模化，高密
度化、その動作の高速化等の要求に伴いLSIの製造過程
において、その原版としてマスクや原図を数倍に拡大し
たレチクル等が使用され、そのパターン形成に荷電粒子
露光装置が用いられている。
度化、その動作の高速化等の要求に伴いLSIの製造過程
において、その原版としてマスクや原図を数倍に拡大し
たレチクル等が使用され、そのパターン形成に荷電粒子
露光装置が用いられている。
これによれば、半導体デバイスの原パターンを長方形
や台形等の基本単位図形に分割し、これを露光データと
して供給することにより露光処理がされている。例え
ば、数メガビットのメモリデバイスを製造しようとする
場合、メモリセルは基本図形等の繰り返し部から成るた
め階層化データ構造の圧縮露光パターンが用いられ、そ
の周辺回路は非繰り返し部から成るため非圧縮露光パタ
ーンが用いられる。これにより、高集積，高密度化によ
る膨大な量の露光データの圧縮化及び簡素化が図られて
いる。
や台形等の基本単位図形に分割し、これを露光データと
して供給することにより露光処理がされている。例え
ば、数メガビットのメモリデバイスを製造しようとする
場合、メモリセルは基本図形等の繰り返し部から成るた
め階層化データ構造の圧縮露光パターンが用いられ、そ
の周辺回路は非繰り返し部から成るため非圧縮露光パタ
ーンが用いられる。これにより、高集積，高密度化によ
る膨大な量の露光データの圧縮化及び簡素化が図られて
いる。
しかし、非圧縮露光パターンの中に圧縮露光パターン
が合成された露光処理によれば、被露光対象を載置した
ステージ移動に無駄が生じ、これにより露光処理時間を
多く要することから、露光装置のスループットが低下す
るという問題がある。
が合成された露光処理によれば、被露光対象を載置した
ステージ移動に無駄が生じ、これにより露光処理時間を
多く要することから、露光装置のスループットが低下す
るという問題がある。
そこで、非圧縮露光パターンの中に圧縮露光パターン
が合成される露光データの組合せを工夫して、効率良く
露光処理をすることができる装置，露光方法及びデータ
作成方法が望まれている。
が合成される露光データの組合せを工夫して、効率良く
露光処理をすることができる装置，露光方法及びデータ
作成方法が望まれている。
第9,10図は、従来例に係る説明図である。
第９図は、従来例に係る電子ビーム露光装置の構成図
である。
である。
図において、LSIのパターン形成をする荷電粒子露光
装置の一例となる電子ビーム露光装置は、電子ビーム3a
を出射する電子銃３と、露光データＰD2を入力して偏向
データD22と移動データD12とを出力する露光データ処理
装置２と、偏向データD22に基づいて電子ビーム3aを偏
向走査する偏向駆動装置４と、移動データD12に基づい
て被露光対象１を載置したステージを移動するステージ
駆動装置５と、電子銃3,露光データ処理装置2,偏向駆動
装置４多びステージ駆動装置５の入出力を制御する制御
装置６から成る。
装置の一例となる電子ビーム露光装置は、電子ビーム3a
を出射する電子銃３と、露光データＰD2を入力して偏向
データD22と移動データD12とを出力する露光データ処理
装置２と、偏向データD22に基づいて電子ビーム3aを偏
向走査する偏向駆動装置４と、移動データD12に基づい
て被露光対象１を載置したステージを移動するステージ
駆動装置５と、電子銃3,露光データ処理装置2,偏向駆動
装置４多びステージ駆動装置５の入出力を制御する制御
装置６から成る。
当該装置の機能は、電子銃３から出射された電子ビー
ム3aが露光データＰD2に基づいてデータ処理された偏向
データD22により偏向される。これにより、移動データD
12に基づいてステージ移動する被露光対象１にLSIパタ
ーンを露光処理することができる。
ム3aが露光データＰD2に基づいてデータ処理された偏向
データD22により偏向される。これにより、移動データD
12に基づいてステージ移動する被露光対象１にLSIパタ
ーンを露光処理することができる。
ところで、従来例によれば数メガビットのメモリデバ
イスを製造しようとする場合、基本図形等の繰り返し部
から成るメモリセルについては、圧縮露光パターンが用
いられ、その非繰り返し部から成る周辺回路について
は、非圧縮露光パターンが用いられる。これにより、露
光データＰD2の圧縮化及び簡素化が図られている。
イスを製造しようとする場合、基本図形等の繰り返し部
から成るメモリセルについては、圧縮露光パターンが用
いられ、その非繰り返し部から成る周辺回路について
は、非圧縮露光パターンが用いられる。これにより、露
光データＰD2の圧縮化及び簡素化が図られている。
しかし、非圧縮露光パターンの中に圧縮露光パターン
が合成された露光処理によれば、第９図の破線円内図や
第10図の問題点を説明する図のように、被露光対象１を
載置したステージ移動に無駄が生ずることがある。
が合成された露光処理によれば、第９図の破線円内図や
第10図の問題点を説明する図のように、被露光対象１を
載置したステージ移動に無駄が生ずることがある。
すなわち、第９図の破線円内図において、実線に示し
たＬは電子ビーム3aの光軸軌跡であり、被露光対象１の
被露光領域の移動，実際には、それを載置したステージ
が移動されることによって、便宜的に発生するものであ
る。ここでa1〜a32は非圧縮露光パターンを露光する領
域であり、b1〜b16は圧縮露光パターンを露光する領域
をそれぞれ示している。これによれば、電子ビーム3aの
光軸軌跡Ｌが複雑な移動をしている。
たＬは電子ビーム3aの光軸軌跡であり、被露光対象１の
被露光領域の移動，実際には、それを載置したステージ
が移動されることによって、便宜的に発生するものであ
る。ここでa1〜a32は非圧縮露光パターンを露光する領
域であり、b1〜b16は圧縮露光パターンを露光する領域
をそれぞれ示している。これによれば、電子ビーム3aの
光軸軌跡Ｌが複雑な移動をしている。
これは、第10図における露光動作フローチャートによ
り生ずる。
り生ずる。
例えば、非圧縮露光パターンの中に圧縮露光パターン
が合成された露光データＰD2に基づいて、まず、ステッ
プP1で圧縮露光パターンを露光する領域b1に電子ビーム
3aの位置合わせ処理がされ、ステップP2で領域b1からb4
の露光処理をする。次に、ステップP3で領域b4からb5へ
の移動処理がされる。その後、ステップP4で領域b5から
b8の露光処理をする。
が合成された露光データＰD2に基づいて、まず、ステッ
プP1で圧縮露光パターンを露光する領域b1に電子ビーム
3aの位置合わせ処理がされ、ステップP2で領域b1からb4
の露光処理をする。次に、ステップP3で領域b4からb5へ
の移動処理がされる。その後、ステップP4で領域b5から
b8の露光処理をする。
次いで、ステップP5からステップP8で同様に、圧縮露
光パターンを露光する領域の変更とその領域b9からb16
の露光処理とをする。その後、ステップP9で領域b16か
ら非圧縮露光パターンを露光する領域a1に移動処理がさ
れ、ステップP10でa1からa6の露光処理をする。同様に
ステップP11からステップP21で非圧縮露光パターンを露
光する領域a6〜a32の変更とその領域a6〜a32の露光処理
とをする。
光パターンを露光する領域の変更とその領域b9からb16
の露光処理とをする。その後、ステップP9で領域b16か
ら非圧縮露光パターンを露光する領域a1に移動処理がさ
れ、ステップP10でa1からa6の露光処理をする。同様に
ステップP11からステップP21で非圧縮露光パターンを露
光する領域a6〜a32の変更とその領域a6〜a32の露光処理
とをする。
このような複雑なステージ移動処理によって非圧縮露
光パターンの中に圧縮露光パターンが合成されたLSIの
パターンが露光されている。
光パターンの中に圧縮露光パターンが合成されたLSIの
パターンが露光されている。
このため、ステージが近接する領域間を行き来するこ
とから総合的な露光処理時間を多く要することになり、
これによる露光装置のスループットが低下するという問
題がある。
とから総合的な露光処理時間を多く要することになり、
これによる露光装置のスループットが低下するという問
題がある。
本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創作されたも
のであり、非圧縮露光パターン中に圧縮露光パターンが
合成された露光パターンに対しても、被露光対象を載置
するステージの無駄な移動を無くし、ひいては露光処理
時間を短縮し、効率の良い露光処理を可能にする露光デ
ータ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法
の提供を目的とする。
のであり、非圧縮露光パターン中に圧縮露光パターンが
合成された露光パターンに対しても、被露光対象を載置
するステージの無駄な移動を無くし、ひいては露光処理
時間を短縮し、効率の良い露光処理を可能にする露光デ
ータ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法
の提供を目的とする。
第１図（ａ），（ｂ）は、本発明に係る露光データ作
成方法の原理図、第２図は本発明に係るパターン露光装
置の原理図、第３図は本発明に係るパターン露光方法の
原理図をそれぞれ示している。
成方法の原理図、第２図は本発明に係るパターン露光装
置の原理図、第３図は本発明に係るパターン露光方法の
原理図をそれぞれ示している。
本発明に係る露光データ作成方法は、第１図（ａ），
（ｂ）に示されるように、自動設計処理システムによ
り、被露光対象11の露光データPDを作成する方法であっ
て、先ずステップP1では、予め単位偏向領域11A,11Bが
それぞれ定義された非圧縮露光パターンPA及び該非圧縮
露光パターンPA内に置かれる圧縮露光パターンPBの配置
処理をし、次にステップP2では、前記配置処理された各
単位偏向領域11A,11Bに個別に番号付け処理をし、次に
ステップP3では、前記番号付け処理された前記非圧縮露
光パターン及び前記圧縮露光パターンの各単位偏向領域
11A,11Bを、Ｙ座標値が最小となる順序であり且つ同一
のＹ座標値のときはＸ座標値が最小となる順序を求め、
Ｙ座標値が変化する毎に同一のＹ座標値の順番を逆にす
る順序補正をして露光順序を決定する露光順位付け処理
をし、更にステップP4では、前記露光順位付け処理され
た単位偏向領域11A,11Bのデータ構成処理をすることを
特徴とする。
（ｂ）に示されるように、自動設計処理システムによ
り、被露光対象11の露光データPDを作成する方法であっ
て、先ずステップP1では、予め単位偏向領域11A,11Bが
それぞれ定義された非圧縮露光パターンPA及び該非圧縮
露光パターンPA内に置かれる圧縮露光パターンPBの配置
処理をし、次にステップP2では、前記配置処理された各
単位偏向領域11A,11Bに個別に番号付け処理をし、次に
ステップP3では、前記番号付け処理された前記非圧縮露
光パターン及び前記圧縮露光パターンの各単位偏向領域
11A,11Bを、Ｙ座標値が最小となる順序であり且つ同一
のＹ座標値のときはＸ座標値が最小となる順序を求め、
Ｙ座標値が変化する毎に同一のＹ座標値の順番を逆にす
る順序補正をして露光順序を決定する露光順位付け処理
をし、更にステップP4では、前記露光順位付け処理され
た単位偏向領域11A,11Bのデータ構成処理をすることを
特徴とする。
また、本発明に係るパターン露光装置は、第２図に示
されるように、被露光対象11の露光データPDを入力して
偏向データD1及び走査データD2を出力する露光データ処
理手段12と、前記被露光対象に荷電粒子13Aを照射する
荷電粒子発生源13と、前記偏向データD1に基づいて荷電
粒子13Aを偏向する偏向手段14と、前記走査データD2に
基づいて被露光対象11を移動走査する移動手段15と、前
記露光データ処理手段12、前記荷電粒子発生源13、前記
偏向手段14及び前記移動手段15の入出力を制御する制御
手段16とを具備し、前記露光データPDには、前述した露
光データ作成方法により作成処理された露光データPDが
用いられることを特徴とする。
されるように、被露光対象11の露光データPDを入力して
偏向データD1及び走査データD2を出力する露光データ処
理手段12と、前記被露光対象に荷電粒子13Aを照射する
荷電粒子発生源13と、前記偏向データD1に基づいて荷電
粒子13Aを偏向する偏向手段14と、前記走査データD2に
基づいて被露光対象11を移動走査する移動手段15と、前
記露光データ処理手段12、前記荷電粒子発生源13、前記
偏向手段14及び前記移動手段15の入出力を制御する制御
手段16とを具備し、前記露光データPDには、前述した露
光データ作成方法により作成処理された露光データPDが
用いられることを特徴とする。
また、本発明に係るパターン露光方法は、第３図に示
されるように、非圧縮露光パターンPAの中に圧縮露光パ
ターンPBが合成された露光データPDに基づいて被露光対
象11にパターン露光処理をする方法であって、前記非圧
縮露光パターンPA及び前記圧縮露光パターンPBの単位偏
向領域を、Ｙ座標値が最小となる順序であり且つ同一の
Ｙ座標値のときはＸ座標値が最小となる順序を求め、Ｙ
座標値が変化する毎に同一のＹ座標値の順番を逆にする
順序補正をして露光順序を決定する処理に基づいて、前
記被露光対象11の第１の単位被露光領域A1〜Anに非圧縮
露光パターンPAを露光する第１の露光処理と、前記被露
光対象11の第２の単位被露光領域B1〜Bnに圧縮露光パタ
ーンPBを露光する第２の露光処理とを混合処理し、該混
合処理が、前記非圧縮露光パターンPAを露光する任意の
単位被露光領域Aiを基点にして、前記第１の単位被露光
領域A1〜An及び第２の単位被露光領域B1〜Bnを含む被露
光対象11を往復走査することによって行うことを特徴と
する。
されるように、非圧縮露光パターンPAの中に圧縮露光パ
ターンPBが合成された露光データPDに基づいて被露光対
象11にパターン露光処理をする方法であって、前記非圧
縮露光パターンPA及び前記圧縮露光パターンPBの単位偏
向領域を、Ｙ座標値が最小となる順序であり且つ同一の
Ｙ座標値のときはＸ座標値が最小となる順序を求め、Ｙ
座標値が変化する毎に同一のＹ座標値の順番を逆にする
順序補正をして露光順序を決定する処理に基づいて、前
記被露光対象11の第１の単位被露光領域A1〜Anに非圧縮
露光パターンPAを露光する第１の露光処理と、前記被露
光対象11の第２の単位被露光領域B1〜Bnに圧縮露光パタ
ーンPBを露光する第２の露光処理とを混合処理し、該混
合処理が、前記非圧縮露光パターンPAを露光する任意の
単位被露光領域Aiを基点にして、前記第１の単位被露光
領域A1〜An及び第２の単位被露光領域B1〜Bnを含む被露
光対象11を往復走査することによって行うことを特徴と
する。
本発明のデータ作成方法によれば、非圧縮露光パター
ンPA及び圧縮露光パターンPBの各単位偏向領域11A,11B
に付けられた個別番号に基づいて、単位偏向領域11A,11
Bの露光順位付け処理がされる。
ンPA及び圧縮露光パターンPBの各単位偏向領域11A,11B
に付けられた個別番号に基づいて、単位偏向領域11A,11
Bの露光順位付け処理がされる。
すなわち、番号付け処理された各単位偏向領域11A,11
BのＸ方向及びＹ方向の大小を比較して最短経路となる
前記単位偏向領域が結ばれる順序になるよう露光順序が
決定され、それに基づいて各単位偏向領域11A,11Bの個
別番号の抽出処理が行われる。
BのＸ方向及びＹ方向の大小を比較して最短経路となる
前記単位偏向領域が結ばれる順序になるよう露光順序が
決定され、それに基づいて各単位偏向領域11A,11Bの個
別番号の抽出処理が行われる。
このため、非圧縮露光パターンPAの中に圧縮露光パタ
ーンPBが合成された露光パターンのデータ組み換え処理
を容易にすることができる。
ーンPBが合成された露光パターンのデータ組み換え処理
を容易にすることができる。
これにより、非圧縮露光パターンPAの任意の単位偏向
領域11Aから圧縮露光パターンPBの単位偏向領域11Bを含
めた非圧縮露光パターンPAの任意の単位偏向領域11Aに
至る全領域の往復露光処理をするような露光データを生
成することが可能となる。
領域11Aから圧縮露光パターンPBの単位偏向領域11Bを含
めた非圧縮露光パターンPAの任意の単位偏向領域11Aに
至る全領域の往復露光処理をするような露光データを生
成することが可能となる。
また、本発明の露光装置によれば、被露光対象11の露
光データPDには、前記露光データ作成方法により作成処
理された露光データPDが用いられる。
光データPDには、前記露光データ作成方法により作成処
理された露光データPDが用いられる。
このため、まず、被露光対象11の露光データPDを入力
した露光データ処理手段12から制御手段16を介して偏向
データD1及び走査データD2が偏向手段14と移動手段15と
にそれぞれ出力される。また、荷電粒子発生源13により
被露光対象11に荷電粒子13Aが照射される。これによ
り、偏向データD1に基づいて荷電粒子13Aが偏向され、
一方、走査データD2に基づいて被露光対象11が移動走査
される。この際の移動走査は、非圧縮露光パターンPAの
任意の単位偏向領域11Aから圧縮露光パターンPBの単位
偏向領域11Bを含めて非圧縮露光パターンPAの任意の単
位偏向領域11Aに至る全領域の往復処理をするものであ
る。
した露光データ処理手段12から制御手段16を介して偏向
データD1及び走査データD2が偏向手段14と移動手段15と
にそれぞれ出力される。また、荷電粒子発生源13により
被露光対象11に荷電粒子13Aが照射される。これによ
り、偏向データD1に基づいて荷電粒子13Aが偏向され、
一方、走査データD2に基づいて被露光対象11が移動走査
される。この際の移動走査は、非圧縮露光パターンPAの
任意の単位偏向領域11Aから圧縮露光パターンPBの単位
偏向領域11Bを含めて非圧縮露光パターンPAの任意の単
位偏向領域11Aに至る全領域の往復処理をするものであ
る。
これにより、非圧縮露光パターンの中に圧縮露光パタ
ーンが合成された露光処理を往復走査することにより実
現すること可能となる。
ーンが合成された露光処理を往復走査することにより実
現すること可能となる。
さらに、本発明の露光方法によれば、第１の露光処理
と第２の露光処理とを、各単位被露光領域A1〜An,B1〜B
nのＸ方向及びＹ方向の大小から前記単位被露光領域間
が最短経路により結ばれる順序に基づいて混合処理して
いる。
と第２の露光処理とを、各単位被露光領域A1〜An,B1〜B
nのＸ方向及びＹ方向の大小から前記単位被露光領域間
が最短経路により結ばれる順序に基づいて混合処理して
いる。
例えば、非圧縮露光パターンPAを露光する任意の単位
被露光領域Aiを基点にして、第１の単位被露光領域A1〜
An及び第２の単位被露光領域B1〜Bnを含む被露光対象11
を往復走査しながら被露光対象11の第１の単位被露光領
域A1〜Anに非圧縮露光パターンPAを、その第２の単位被
露光領域B1〜Bnに圧縮露光パターンPBをそれぞれ露光処
理する混合処理を行うことができる。
被露光領域Aiを基点にして、第１の単位被露光領域A1〜
An及び第２の単位被露光領域B1〜Bnを含む被露光対象11
を往復走査しながら被露光対象11の第１の単位被露光領
域A1〜Anに非圧縮露光パターンPAを、その第２の単位被
露光領域B1〜Bnに圧縮露光パターンPBをそれぞれ露光処
理する混合処理を行うことができる。
このため、従来例のように被露光対象11を載置したス
テージ移動に無駄が生ずることが無くなる。このこと
で、ステージが近接する領域間を行き来することから開
放され、総合的な露光処理時間の短縮化を図ることが可
能となる。
テージ移動に無駄が生ずることが無くなる。このこと
で、ステージが近接する領域間を行き来することから開
放され、総合的な露光処理時間の短縮化を図ることが可
能となる。
これにより、効率良く露光処理をすることができるこ
とから露光装置のスループットの向上を図ることが可能
となる。
とから露光装置のスループットの向上を図ることが可能
となる。
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明を
する。
する。
第４〜８図は、本発明の実施例に係る露光データ作成
方法，パターン露光装置及びパターン露光方法を説明す
る図であり、第４図は、本発明の実施例に係る自動デー
タ作成処理システムの構成図を示している。
方法，パターン露光装置及びパターン露光方法を説明す
る図であり、第４図は、本発明の実施例に係る自動デー
タ作成処理システムの構成図を示している。
図において、21はキーボードであり、入力データカー
ドに指定された非圧縮露光パターンPAや圧縮露光パター
ンPBの配置処理制御データ等を入力するものである。
ドに指定された非圧縮露光パターンPAや圧縮露光パター
ンPBの配置処理制御データ等を入力するものである。
22はディスプレイであり、非圧縮露光パターンPAの中
に圧縮露光パターンPBが配置されたメモリレイアウトパ
ターン等を表示するものである。
に圧縮露光パターンPBが配置されたメモリレイアウトパ
ターン等を表示するものである。
23は設計データファイルメモリであり、例えば、基本
図形等の繰り返し部から成るメモリセルに係る圧縮露光
パターンデータやその非繰り返し部から成る周辺回路に
係る非圧縮露光パターンデータが格納されている。
図形等の繰り返し部から成るメモリセルに係る圧縮露光
パターンデータやその非繰り返し部から成る周辺回路に
係る非圧縮露光パターンデータが格納されている。
24はデータ一時ファイルメモリであり、番号受け処理
や露光順位付け処理の際に、圧縮露光パターンや非圧縮
露光パターンの単位偏向領域21A,21Bに付される個別番
号やその抽出整理番号と共にパターンデータ等を一次記
憶するものである。
や露光順位付け処理の際に、圧縮露光パターンや非圧縮
露光パターンの単位偏向領域21A,21Bに付される個別番
号やその抽出整理番号と共にパターンデータ等を一次記
憶するものである。
25は露光データファイルであり、露光順位付け処理さ
れたメモリデバイスの露光データを格納するものであ
る。
れたメモリデバイスの露光データを格納するものであ
る。
26は図形配置処理エディタであり、非圧縮露光パター
ンPA及び圧縮露光パターンPBの配置処理をする補助装置
である。27は階層展開処理エディタであり、非圧縮露光
パターンPA及び圧縮露光パターンPBのデータの階層展開
処理をする補助装置である。この際の階層展開処理は、
各パターンの配置情報を一個一個の図形の配置ではな
く、基本ブロックの「始点」「送りピッチ」「配置個
数」に表現するデータ圧縮方法によるものである。
ンPA及び圧縮露光パターンPBの配置処理をする補助装置
である。27は階層展開処理エディタであり、非圧縮露光
パターンPA及び圧縮露光パターンPBのデータの階層展開
処理をする補助装置である。この際の階層展開処理は、
各パターンの配置情報を一個一個の図形の配置ではな
く、基本ブロックの「始点」「送りピッチ」「配置個
数」に表現するデータ圧縮方法によるものである。
28は自動データ作成制御装置であり、システムバス29
を介して接続されたキーボード21,ディスプレイ22,各メ
モリ23〜25,各処理エディタ26,27の入出力を制御するも
のである。
を介して接続されたキーボード21,ディスプレイ22,各メ
モリ23〜25,各処理エディタ26,27の入出力を制御するも
のである。
これにより、非圧縮露光パターンPAの中に圧縮露光パ
ターンPBが合成される露光データPDを自動作成する自動
データ作成処理システムを構成する。
ターンPBが合成される露光データPDを自動作成する自動
データ作成処理システムを構成する。
次に、例えば、数メガビットのメモリデバイスの露光
データの自動作成方法について説明をする。
データの自動作成方法について説明をする。
第５図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例に係る露光
データ作成方法の説明図であり、同図（ａ）は、単位偏
向領域21Aが定義された非圧縮露光パターンPAと同領域2
1Bが定義された圧縮露光パターンPBとを示している。
データ作成方法の説明図であり、同図（ａ）は、単位偏
向領域21Aが定義された非圧縮露光パターンPAと同領域2
1Bが定義された圧縮露光パターンPBとを示している。
同図（ａ）において、まず、当該システムにより自動
作成しようとするメモリデバイスに使用する非圧縮露光
パターンPAと圧縮露光パターンPBを決定する。ここで、
本発明の実施例では、基本図形の繰り返し部から成るメ
モリセルには圧縮露光パターンPBを用いる。例えば、４
つの圧縮露光パターンＰB1〜ＰB4がメモリセルを構成す
るものとする。また、その非繰り返し部から成る周辺回
路には非圧縮露光パターンPAを用いるものとし、その中
央に４つの圧縮露光パターンＰB1〜ＰB4を配置する場合
について説明することにする。
作成しようとするメモリデバイスに使用する非圧縮露光
パターンPAと圧縮露光パターンPBを決定する。ここで、
本発明の実施例では、基本図形の繰り返し部から成るメ
モリセルには圧縮露光パターンPBを用いる。例えば、４
つの圧縮露光パターンＰB1〜ＰB4がメモリセルを構成す
るものとする。また、その非繰り返し部から成る周辺回
路には非圧縮露光パターンPAを用いるものとし、その中
央に４つの圧縮露光パターンＰB1〜ＰB4を配置する場合
について説明することにする。
なお、単位偏向領域21A,21Bとは、パターン露光装置
の偏向器により荷電粒子ビーム等を最大限偏向できる領
域をいうものとする。
の偏向器により荷電粒子ビーム等を最大限偏向できる領
域をいうものとする。
次に、同図（ｂ）において、非圧縮露光パターンPAの
中に圧縮露光パターンPBを配置処理をする。この際に、
当該システムの図形配置処理エディタ26により、例え
ば、非圧縮露光パターンPAの原点Ｏ（0,0）を基準にし
て、圧縮露光パターンＰB1の原点O1が（x,y）に、ＰB2
の原点O2が（−x,y）に、ＰB3の原点O3が（−x,−ｙ）
に、ＰB4の原点O4が（x,−ｙ）に、それぞれ位置合わせ
される。
中に圧縮露光パターンPBを配置処理をする。この際に、
当該システムの図形配置処理エディタ26により、例え
ば、非圧縮露光パターンPAの原点Ｏ（0,0）を基準にし
て、圧縮露光パターンＰB1の原点O1が（x,y）に、ＰB2
の原点O2が（−x,y）に、ＰB3の原点O3が（−x,−ｙ）
に、ＰB4の原点O4が（x,−ｙ）に、それぞれ位置合わせ
される。
次いで、同図（ｃ）において、各単位偏向領域21A,21
Bに個別に番号付け処理をし、その結果をメモリ24に一
時格納する。この際の番号付け処理は、データ原点から
の座標値がＹ方向については単調増加をする方向に、ま
た、Ｘ方向については例えば、マイナス側にスタート点
を設定した場合、Ｙ座標値が変化する毎に全偏向領域を
左右往復するように追番を付すものとする。
Bに個別に番号付け処理をし、その結果をメモリ24に一
時格納する。この際の番号付け処理は、データ原点から
の座標値がＹ方向については単調増加をする方向に、ま
た、Ｘ方向については例えば、マイナス側にスタート点
を設定した場合、Ｙ座標値が変化する毎に全偏向領域を
左右往復するように追番を付すものとする。
従って、圧縮露光パターンＰB3の単位偏向領域21Bに
は反時計方向回りに〜が個別番号として付される。
同様にＰB4の領域21Aには〜が、ＰB1の領域21Aには
〜が、ＰB2の領域21Aには〜がそれぞれ個別番
号として付される。
は反時計方向回りに〜が個別番号として付される。
同様にＰB4の領域21Aには〜が、ＰB1の領域21Aには
〜が、ＰB2の領域21Aには〜がそれぞれ個別番
号として付される。
また、非圧縮露光パターンPAの各単位偏向領域21Aに
は、スタート点を設定した領域から各領域21Aを左右
往復するように領域まで個別番号が付される。
は、スタート点を設定した領域から各領域21Aを左右
往復するように領域まで個別番号が付される。
次に、個別番号〜が付された非圧縮露光パターン
PA及び圧縮露光パターンPBの各単位偏向領域21A,21Bの
露光順位付け処理をする。この際に、例えば、抽出整理
番号１〜48に従って、単位偏向領域21A,21Bの個別番号
〜の抽出処理をし、その結果を同図に示すようなメ
モリテーブル（メモリ24）に展開する。この際の抽出処
理は、非圧縮露光パターンPA及び圧縮露光パターンPBの
単位偏向領域21A,21B間を最短経路により結ぶ順序に基
づいて行われる。本実施例では、抽出整理番号１に対し
て個別番号が抽出され、同様に２→,3→,4→…
がそれぞれ抽出される。
PA及び圧縮露光パターンPBの各単位偏向領域21A,21Bの
露光順位付け処理をする。この際に、例えば、抽出整理
番号１〜48に従って、単位偏向領域21A,21Bの個別番号
〜の抽出処理をし、その結果を同図に示すようなメ
モリテーブル（メモリ24）に展開する。この際の抽出処
理は、非圧縮露光パターンPA及び圧縮露光パターンPBの
単位偏向領域21A,21B間を最短経路により結ぶ順序に基
づいて行われる。本実施例では、抽出整理番号１に対し
て個別番号が抽出され、同様に２→,3→,4→…
がそれぞれ抽出される。
さらに、同図（ｄ）において、露光順位付け処理され
た単位偏向領域21A,21Bの一部順序補正をする。この際
の補正処理は、個別番号，…について、まず、Ｙ方
向の大小を比較したり、同方向Ｙに対してはＸ方向につ
いて大小を比較することにより行う。
た単位偏向領域21A,21Bの一部順序補正をする。この際
の補正処理は、個別番号，…について、まず、Ｙ方
向の大小を比較したり、同方向Ｙに対してはＸ方向につ
いて大小を比較することにより行う。
例えば、圧縮露光パターンＰB3とＰB4の単位偏向領域
21Bについて露光順序を変える。これにより、組み替え
られた単位偏向領域21A,21Bの個別番号〜の抽出整
理番号１〜48を露光順序番号（１）〜（48）として、デ
ータ構成処理をする。
21Bについて露光順序を変える。これにより、組み替え
られた単位偏向領域21A,21Bの個別番号〜の抽出整
理番号１〜48を露光順序番号（１）〜（48）として、デ
ータ構成処理をする。
このようにして、本発明の実施例に係るデータ作成方
法によれば、非圧縮露光パターンPA及び圧縮露光パター
ンPBの各単位偏向領域21A,21Bに付けられた個別番号
〜に基づいて、単位偏向領域21A,21Bの露光順位付け
処理がされる。
法によれば、非圧縮露光パターンPA及び圧縮露光パター
ンPBの各単位偏向領域21A,21Bに付けられた個別番号
〜に基づいて、単位偏向領域21A,21Bの露光順位付け
処理がされる。
このため、非圧縮露光パターンPA及び圧縮露光パター
ンPBの単位偏向領域21A,21B間を最短経路により結ぶ順
序に基づいて各単位偏向領域21A,21Bの個別番号〜
の抽出処理ができる。
ンPBの単位偏向領域21A,21B間を最短経路により結ぶ順
序に基づいて各単位偏向領域21A,21Bの個別番号〜
の抽出処理ができる。
このことで、非圧縮露光パターンPAの中に圧縮露光パ
ターンPBが合成された露光パターンのデータ組み換え処
理を容易にすることができる。
ターンPBが合成された露光パターンのデータ組み換え処
理を容易にすることができる。
これにより、非圧縮露光パターンPAの任意の単位偏向
領域21A＝から圧縮露光パターンPBの単位偏向領域21B
＝〜を含めた非圧縮露光パターンPAの単位偏向領域
21A＝に至る全領域の往復露光処理をするような露光
データPDを生成することが可能となる。
領域21A＝から圧縮露光パターンPBの単位偏向領域21B
＝〜を含めた非圧縮露光パターンPAの単位偏向領域
21A＝に至る全領域の往復露光処理をするような露光
データPDを生成することが可能となる。
第６図は、本発明の実施例に係る電子ビーム露光装置
の構成図を示している。
の構成図を示している。
同図は、非圧縮露光パターンPAの中に圧縮露光パター
ンPBが合成されたLSIのパターン形成をするパターン露
光装置の一例となる電子ビーム露光装置を示している。
ンPBが合成されたLSIのパターン形成をするパターン露
光装置の一例となる電子ビーム露光装置を示している。
図において、33は荷電粒子発生源13の一実施例となる
電子銃であり、被露光対象11の一例となる半導体ウエハ
31に電子ビーム33Aを照射するものである。32は露光デ
ータ処理手段12の一実施例となるパターンデータ処理回
路であり、パターン露光データＰD1を入力して偏向駆動
データD21を出力するものである。
電子銃であり、被露光対象11の一例となる半導体ウエハ
31に電子ビーム33Aを照射するものである。32は露光デ
ータ処理手段12の一実施例となるパターンデータ処理回
路であり、パターン露光データＰD1を入力して偏向駆動
データD21を出力するものである。
34Aは偏向手段14の一部を構成する偏向駆動回路であ
り、偏向駆動データD21を入力して鏡筒30内の複数の偏
向器34Bを制御するものである。偏向器34Bは、電子ビー
ム33Aを偏向走査する電磁コイルや静電偏向器等から成
る。
り、偏向駆動データD21を入力して鏡筒30内の複数の偏
向器34Bを制御するものである。偏向器34Bは、電子ビー
ム33Aを偏向走査する電磁コイルや静電偏向器等から成
る。
35Aは移動手段15の一部を構成する駆動制御装置であ
り、移動制御データD11を入力して、XYステージ35Bに駆
動制御信号S1を出力するものである。XYステージ35B
は、半導体ウエハ31を載置して移動するものである。
り、移動制御データD11を入力して、XYステージ35Bに駆
動制御信号S1を出力するものである。XYステージ35B
は、半導体ウエハ31を載置して移動するものである。
36は制御手段16の一実施例となる露光処理制御装置で
あり、本発明の実施例に係る露光データ作成方法により
作成処理された露光データPDに基づいてパターン露光デ
ータＰD1や移動制御データD11を出力したり、電子銃23
の入出力を制御するものである。
あり、本発明の実施例に係る露光データ作成方法により
作成処理された露光データPDに基づいてパターン露光デ
ータＰD1や移動制御データD11を出力したり、電子銃23
の入出力を制御するものである。
このようにして、本発明の実施例に係る電子ビーム露
光装置によれば、半導体ウエハ31の露光データPDには、
本発明の実施例に係る露光データ作成方法により作成処
理された露光データPDが用いられる。
光装置によれば、半導体ウエハ31の露光データPDには、
本発明の実施例に係る露光データ作成方法により作成処
理された露光データPDが用いられる。
このため、まず、半導体ウエハ31の露光データPDを入
力した露光処理制御装置36からパターン露光データＰD1
がパターンデータ処理回路32に出力され、また、移動制
御データD11が駆動制御装置35Aにそれぞれ出力される。
一方、電子銃33により半導体ウエハ31に電子ビーム33A
が照射される。これにより、偏向駆動データD21に基づ
いて偏向駆動回路34Aが複数の偏向器34Bを制御し、電子
ビーム33Aが偏向走査される。
力した露光処理制御装置36からパターン露光データＰD1
がパターンデータ処理回路32に出力され、また、移動制
御データD11が駆動制御装置35Aにそれぞれ出力される。
一方、電子銃33により半導体ウエハ31に電子ビーム33A
が照射される。これにより、偏向駆動データD21に基づ
いて偏向駆動回路34Aが複数の偏向器34Bを制御し、電子
ビーム33Aが偏向走査される。
他方、移動制御データD11に基づいてXYステージ35Bが
移動走査される。この際の移動走査は、例えば、半導体
ウエハ31の非圧縮露光パターンPAの任意の単位偏向領域
21Aから圧縮露光パターンPBの単位偏向領域21Bを含めた
非圧縮露光パターンPAの任意の単位偏向領域21Aに至る
全領域の往復処理がされるものである。
移動走査される。この際の移動走査は、例えば、半導体
ウエハ31の非圧縮露光パターンPAの任意の単位偏向領域
21Aから圧縮露光パターンPBの単位偏向領域21Bを含めた
非圧縮露光パターンPAの任意の単位偏向領域21Aに至る
全領域の往復処理がされるものである。
これにより、XYステージ35Bの往復走査をしながら非
圧縮露光パターンの中に圧縮露光パターンを露光処理す
ることが可能となる。
圧縮露光パターンの中に圧縮露光パターンを露光処理す
ることが可能となる。
第７図は、本発明の実施例に係るパターン露光方法の
フローチャートであり、第８図は、その補足説明図をそ
れぞれ示している。
フローチャートであり、第８図は、その補足説明図をそ
れぞれ示している。
第７図において、例えば、非圧縮露光パターンPAの中
に圧縮露光パターンPBが合成された露光データPDに基づ
いて半導体ウエハ31にメモリデバイスのパターン露光処
理をする場合、まず、ステップP1で電子ビーム33Aの位
置合わせ処理をする。
に圧縮露光パターンPBが合成された露光データPDに基づ
いて半導体ウエハ31にメモリデバイスのパターン露光処
理をする場合、まず、ステップP1で電子ビーム33Aの位
置合わせ処理をする。
ここで、第８図において、A1〜A32は第１の単位被露
光領域であり、非圧縮露光パターンPAを露光する領域で
ある。また、B1〜B16は第２の単位被露光領域であり、
圧縮露光パターンPBを露光する領域をそれぞれ示すもの
とする。本発明の実施例では、電子ビーム33Aが偏向器3
4Bにより単位被露光領域A1に位置合わせされる。
光領域であり、非圧縮露光パターンPAを露光する領域で
ある。また、B1〜B16は第２の単位被露光領域であり、
圧縮露光パターンPBを露光する領域をそれぞれ示すもの
とする。本発明の実施例では、電子ビーム33Aが偏向器3
4Bにより単位被露光領域A1に位置合わせされる。
次いで、ステップP2で領域A1からA2の露光処理をす
る。この際に、メモリデバイスの周辺回路等の非圧縮露
光パターンPAを露光する第１の露光処理がされる。ま
た、XYステージ35Bが移動制御データD11に基づいてＸ方
向に移動される。
る。この際に、メモリデバイスの周辺回路等の非圧縮露
光パターンPAを露光する第１の露光処理がされる。ま
た、XYステージ35Bが移動制御データD11に基づいてＸ方
向に移動される。
次に、ステップP3で領域A6からB1へ移動処理がされ
る。この際に、電子ビーム33Aがブランキング状態にさ
れ、ステージ35BがXY方向に移動される。その後、ステ
ップP4で領域B1,B2の露光処理をする。ここでの露光処
理は、基本図形が繰り返されるメモリセル等の圧縮露光
パターンPBを露光する第２の露光処理である。
る。この際に、電子ビーム33Aがブランキング状態にさ
れ、ステージ35BがXY方向に移動される。その後、ステ
ップP4で領域B1,B2の露光処理をする。ここでの露光処
理は、基本図形が繰り返されるメモリセル等の圧縮露光
パターンPBを露光する第２の露光処理である。
次いで、ステップP5で領域B2からB3へ移動処理がされ
る。先と同様に電子ビーム33Aがブランキング状態にさ
れ、ステージ35BはＸ方向に移動される。その後、ステ
ップP6で領域B3,B4の第２の露光処理をする。
る。先と同様に電子ビーム33Aがブランキング状態にさ
れ、ステージ35BはＸ方向に移動される。その後、ステ
ップP6で領域B3,B4の第２の露光処理をする。
さらに、ステップP7で領域B4からA7へ移動処理がされ
る。この際に、電子ビーム33Aがブランキング状態にさ
れ、ステージ35BがXY方向に移動される。その後、ステ
ップP8で領域A7の第１のの露光処理をする。
る。この際に、電子ビーム33Aがブランキング状態にさ
れ、ステージ35BがXY方向に移動される。その後、ステ
ップP8で領域A7の第１のの露光処理をする。
その後、ステップP9で領域A7からA8へ移動処理がされ
る。この際に、電子ビーム33Aがブランキング状態にさ
れ、ステージ35BがＸ方向に移動される。さらに、ステ
ップP10で領域A8,A9の第１の露光処理をする。
る。この際に、電子ビーム33Aがブランキング状態にさ
れ、ステージ35BがＸ方向に移動される。さらに、ステ
ップP10で領域A8,A9の第１の露光処理をする。
次いで、ステップP11で領域A9からA10へ移動処理がさ
れる。先と同様に電子ビーム33Aがブランキング状態に
され、ステージ35BはXY方向に移動される。その後、ス
テップP12で領域A10の第１の露光処理をする。
れる。先と同様に電子ビーム33Aがブランキング状態に
され、ステージ35BはXY方向に移動される。その後、ス
テップP12で領域A10の第１の露光処理をする。
さらに、ステップP13で領域A10からB5へ移動処理がさ
れる。この際に、電子ビーム33Aがブランキング状態に
され、ステージ35BがＸ方向に移動される。その後、ス
テップP14で領域B5,B6の第２の露光処理をする。
れる。この際に、電子ビーム33Aがブランキング状態に
され、ステージ35BがＸ方向に移動される。その後、ス
テップP14で領域B5,B6の第２の露光処理をする。
次いで、ステップP15で領域B6からB7へ移動処理がさ
れる。先と同様に電子ビーム33Aがブランキング状態に
され、ステージ35BはＸ方向に移動される。その後、ス
テップP16で領域B7,B8の第２の露光処理をする。
れる。先と同様に電子ビーム33Aがブランキング状態に
され、ステージ35BはＸ方向に移動される。その後、ス
テップP16で領域B7,B8の第２の露光処理をする。
さらに、ステップP17で領域B8からA11へ移動処理がさ
れる。この際に、電子ビーム33Aがブランキング状態に
され、ステージ35BがXY方向に移動される。その後、ス
テップP18で領域A11〜A16の第１の露光処理をする。
れる。この際に、電子ビーム33Aがブランキング状態に
され、ステージ35BがXY方向に移動される。その後、ス
テップP18で領域A11〜A16の第１の露光処理をする。
次いで、ステップP19で領域A16からA17へ移動処理が
される。先と同様に電子ビーム33Aがブランキング状態
にされ、ステージ35BはXY方向に移動される。これによ
り、ウエハ31の下部半分の露光処理がされ、以後上部半
分の露光処理も同様に、ステップP19からステップP21を
実行することにより可能となる。
される。先と同様に電子ビーム33Aがブランキング状態
にされ、ステージ35BはXY方向に移動される。これによ
り、ウエハ31の下部半分の露光処理がされ、以後上部半
分の露光処理も同様に、ステップP19からステップP21を
実行することにより可能となる。
これにより、半導体ウエハ31にメモリデバイスパター
ンを形成することができる。
ンを形成することができる。
このようにして、本発明の露光方法によれば、第１の
露光処理と第２の露光処理とを混合処理している。
露光処理と第２の露光処理とを混合処理している。
このため、非圧縮露光パターンPAを露光する単位被露
光領域A1を基点にして、第１の単位被露光領域A1〜A32
及び第２の単位被露光領域B1〜B16を含む半導体ウエハ3
1を往復走査しながらその第１の単位被露光領域A1〜A32
に非圧縮露光パターンPAを、また、その第２の単位被露
光領域B1〜B16に圧縮露光パターンPBをそれぞれ露光処
理することが可能となる。
光領域A1を基点にして、第１の単位被露光領域A1〜A32
及び第２の単位被露光領域B1〜B16を含む半導体ウエハ3
1を往復走査しながらその第１の単位被露光領域A1〜A32
に非圧縮露光パターンPAを、また、その第２の単位被露
光領域B1〜B16に圧縮露光パターンPBをそれぞれ露光処
理することが可能となる。
これにより、従来例のような半導体ウエハ31を載置し
たステージ移動に無駄が生ずることが無くなり、ステー
ジの効率良く移動走査できることから総合的な露光処理
時間の短縮化を図ることが可能となる。
たステージ移動に無駄が生ずることが無くなり、ステー
ジの効率良く移動走査できることから総合的な露光処理
時間の短縮化を図ることが可能となる。
なお、本発明の実施例に係るパターン露光装置には、
電子ビーム露光装置を例にして、説明をしたが紫外線を
使用した露光装置やＸ線を使用した露光装置において
も、適用可能である。
電子ビーム露光装置を例にして、説明をしたが紫外線を
使用した露光装置やＸ線を使用した露光装置において
も、適用可能である。
以上説明したように、本発明のデータ作成方法によれ
ば非圧縮露光パターン及び圧縮露光パターンの各単位偏
向領域に付けられた個別番号に基づいて、その露光順位
付け処理がされる。
ば非圧縮露光パターン及び圧縮露光パターンの各単位偏
向領域に付けられた個別番号に基づいて、その露光順位
付け処理がされる。
このため、非圧縮露光パターンの中に圧縮露光パター
ンが合成された露光パターンであっても、その単位偏向
領域間を最短経路により結ぶ順序に基づいて個別番号の
抽出処理をすることによりデータ組み換え処理を容易に
することができる。
ンが合成された露光パターンであっても、その単位偏向
領域間を最短経路により結ぶ順序に基づいて個別番号の
抽出処理をすることによりデータ組み換え処理を容易に
することができる。
また、本発明の露光装置によれば、被露光対象の露光
データには、本発明の露光データ作成方法により作成処
理された露光データが用いられる。
データには、本発明の露光データ作成方法により作成処
理された露光データが用いられる。
このため、非圧縮露光パターンの任意の単位偏向領域
から圧縮露光パターンの単位偏向領域を含めた非圧縮露
光パターンの任意の単位偏向領域に至る全領域の往復露
光処理をすることができる。
から圧縮露光パターンの単位偏向領域を含めた非圧縮露
光パターンの任意の単位偏向領域に至る全領域の往復露
光処理をすることができる。
さらに、本発明の露光方法によれば、第１の露光処理
と第２の露光処理とを混合処理している。このため、従
来例のように被露光対象を載置したステージ移動に無駄
が生ずることが無くなる。このことで、総合的な露光処
理時間の短縮化を図ることが可能となる。
と第２の露光処理とを混合処理している。このため、従
来例のように被露光対象を載置したステージ移動に無駄
が生ずることが無くなる。このことで、総合的な露光処
理時間の短縮化を図ることが可能となる。
これにより、効率良く露光処理をすることができるこ
とからパターン露光装置のスループットの向上を図るこ
とが可能となる。
とからパターン露光装置のスループットの向上を図るこ
とが可能となる。
第１図は、本発明に係る露光データ作成方法の原理図、 第２図は、本発明に係るパターン露光装置の原理図、 第３図は、本発明に係るパターン露光方法の原理図、 第４図は、本発明の実施例に係る自動データ作成処理シ
ステムの構成図、 第５図は、本発明の実施例に係る露光データ作成方法の
説明図、 第６図は、本発明の実施例に係る電子ビーム露光装置の
構成図、 第７図は、本発明の実施例に係るパターン露光方法のフ
ローチャート、 第８図は、本発明の実施例に係るフローチャートの補足
説明図、 第９図は、従来例に係る電子ビーム露光装置の構成図、 第10図は、従来例に係る問題点を説明する露光動作フロ
ーチャートである。 （符号の説明） 12……露光データ処理手段、 13……荷電粒子発生手段、 14……偏向手段、 15……移動手段、 16……制御手段、 13A……荷電粒子、 PD……露光データ、 D1……偏向データ、 D2……移動データ、 PA……非圧縮露光パターン、 PB……圧縮露光パターン、 11A,11B……単位偏向領域、 A1〜An……第１の単位被露光領域、 B1〜Bn……第２の単位被露光領域。
ステムの構成図、 第５図は、本発明の実施例に係る露光データ作成方法の
説明図、 第６図は、本発明の実施例に係る電子ビーム露光装置の
構成図、 第７図は、本発明の実施例に係るパターン露光方法のフ
ローチャート、 第８図は、本発明の実施例に係るフローチャートの補足
説明図、 第９図は、従来例に係る電子ビーム露光装置の構成図、 第10図は、従来例に係る問題点を説明する露光動作フロ
ーチャートである。 （符号の説明） 12……露光データ処理手段、 13……荷電粒子発生手段、 14……偏向手段、 15……移動手段、 16……制御手段、 13A……荷電粒子、 PD……露光データ、 D1……偏向データ、 D2……移動データ、 PA……非圧縮露光パターン、 PB……圧縮露光パターン、 11A,11B……単位偏向領域、 A1〜An……第１の単位被露光領域、 B1〜Bn……第２の単位被露光領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 521
Claims (3)
- 【請求項１】自動設計処理システムにより、被露光対象
の露光データを作成する方法であって、 予め単位偏向領域がそれぞれ定義された非圧縮露光パタ
ーン及び該非圧縮露光パターン内に置かれる圧縮露光パ
ターンの配置処理をし、 前記配置処理された各単位偏向領域の個別に番号付け処
理をし、 前記番号付け処理された前記非圧縮露光パターン及び前
記圧縮露光パターンの単位偏向領域を、Ｙ座標値が最小
となる順序であり且つ同一のＹ座標値のときはＸ座標値
が最小となる順序を求め、Ｙ座標値が変化する毎に同一
のＹ座標値の順番を逆にする順序補正をして露光順序を
決定する露光順位付け処理をし、 前記露光順位付け処理された単位偏向領域のデータ構成
処理をすることを特徴とする露光データ作成方法。 - 【請求項２】被露光対象の露光データを入力して偏向デ
ータ及び走査データを出力する露光データ処理手段と、 前記被露光対象に荷電粒子を照射する荷電粒子発生源
と、 前記偏向データに基づいて荷電粒子を偏向する偏向手段
と、 前記走査データに基づいて被露光対象を移動走査する移
動手段と、 前記露光データ処理手段、前記荷電粒子発生源、前記偏
向手段及び前記移動手段の入出力を制御する制御手段と
を具備し、 前記露光データには、予め単位偏向領域がそれぞれ定義
された非圧縮露光パターン及び該非圧縮露光パターン内
に置かれる圧縮露光パターンの配置処理をし、前記配置
処理された各単位偏向領域に個別に番号付け処理をし、
前記番号付け処理された前記非圧縮露光パターン及び前
記圧縮露光パターンの単位偏向領域を、Ｙ座標値が最小
となる順序であり且つ同一のＹ座標値のときはＸ座標値
が最小となる順序を求め、Ｙ座標値が変化する毎に同一
のＹ座標値の順番を逆にする順序補正をして露光順序を
決定する露光順位付け処理をし、前記露光順位付け処理
された単位偏向領域のデータ構成処理をすることにより
作成処理された露光データが用いられることを特徴とす
るパターン露光装置。 - 【請求項３】非圧縮露光パターンの中に圧縮露光パター
ンが合成された露光データに基づいて被露光対象にパタ
ーン露光処理をする方法であって、 前記非圧縮露光パターン及び前記圧縮露光パターンの単
位偏向領域を、Ｙ座標値が最小となる順序であり且つ同
一のＹ座標値のときはＸ座標値が最小となる順序を求
め、Ｙ座標値が変化する毎に同一のＹ座標値の順番を逆
にする順序補正をして露光順序を決定する処理に基づい
て、 前記被露光対象の第１の単位被露光領域に非圧縮露光パ
ターンを露光する第１の露光処理と前記被露光対象の第
２の単位被露光領域に圧縮露光パターンを露光する第２
の露光処理とを混合処理し、 該混合処理が、前記非圧縮露光パターンを露光する任意
の単位被露光領域を基点にして、前記第１の単位被露光
領域及び第２の単位被露光領域を含む被露光対象を往復
走査することによって行うことを特徴とするパターン露
光方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2145064A JP3043031B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 露光データ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法 |
| EP91108821A EP0459460B1 (en) | 1990-06-01 | 1991-05-29 | Exposure data forming method, pattern forming method and pattern exposure method |
| DE69128496T DE69128496T2 (de) | 1990-06-01 | 1991-05-29 | Verfahren zur Gestaltung von Belichtungsdaten, zur Mustererzeugung und zur Musterbelichtung |
| US07/708,990 US5337247A (en) | 1990-06-01 | 1991-05-31 | Exposure data forming method, pattern forming method, pattern exposure method and pattern exposure apparatus |
| KR1019910009125A KR940000911B1 (ko) | 1990-06-01 | 1991-06-01 | 노광데이타 작성방법, 패턴 형성방법, 패턴 노광방법 및 패턴 노광장치. |
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|---|---|---|---|
| JP2145064A JP3043031B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 露光データ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法 |
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| US5481472A (en) * | 1993-05-18 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for automatically recognizing repeated shapes for data compaction |
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| JP2020069100A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 株式会社アイホー | 炊飯システム及び炊飯方法 |
Family Cites Families (13)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5511303A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-26 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron-beam exposure device |
| JPS5821422B2 (ja) * | 1980-12-26 | 1983-04-30 | 株式会社東芝 | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JPS5957431A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
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-
1990
- 1990-06-01 JP JP2145064A patent/JP3043031B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-05-29 EP EP91108821A patent/EP0459460B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-29 DE DE69128496T patent/DE69128496T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-31 US US07/708,990 patent/US5337247A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-01 KR KR1019910009125A patent/KR940000911B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| DE69128496T2 (de) | 1998-07-23 |
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|---|---|---|---|
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