JP4817912B2 - レイアウト決定方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、レイアウト決定方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び記憶媒体に係り、特にパターンを電子ビームで露光して半導体装置を製造する際のレイアウト決定方法、そのようなレイアウト決定方法を用いる半導体装置の製造方法、コンピュータにそのようなレイアウト決定方法又は半導体装置の製造方法を実行させるプログラム、及びそのようなプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。

〔電子ビーム露光装置〕
半導体装置の製造方法の露光工程では、ウエハに塗布したレジスト上にパターンを転写する。電子ビーム露光は、紫外光を使用する露光よりも微細なパターンの転写が可能であり、次世代の露光方法として開発されている。

図１は、電子ビーム露光装置の一例を示す図である。同図（ａ）は可変矩形露光を行う場合を示し、同図（ｂ）は一括露光を行う場合を示す。

電子銃１から放射された電子ビームは、第１のアパーチャ２で、例えば５μｍ四方の矩形に成形される。図１（ａ）に示すように、パターンを１つずつ露光する可変矩形露光の場合は、第１のアパーチャ２で成形された電子ビームを第２のアパーチャ３で任意のサイズに成形し、ウエハ６上にパターンを露光する。

図１（ｂ）に示すように、一括露光の場合は、第２のアパーチャに、例えば１００〜４００種類の一括露光するパターン群（以下、ブロックと言う）を搭載することができるマスク（以下、ブロックマスクと言う）４を設置し、第１のアパーチャ２で成形された電子ビームをブロックマスク４のブロック配置位置５に照射する。ブロック配置位置５には、例えば２５〜６０倍のサイズに拡大したパターン形状の開口が形成されており、この開口により成形された電子ビームがウエハ６上にパターンを露光される。

一括露光は、可変矩形露光よりもショット数が少ないので、半導体装置製造のスループットを向上させることができる。又、ブロックマスク４の作成をマスク製造業者に発注すると、完成するまでに例えば２週間程度かかるので、ブロックマスク４は半導体装置毎には作成せず、９０ｎｍテクノロジ用、６５ｎｍテクノロジ用等のトランジスタゲート層の幅（ｎｍ）に応じたテクノロジ毎に共通のブロックマスクを作成する。つまり、例えば９０ｎｍテクノロジ用のブロックマスクを使用する場合には、全ての半導体装置の露光工程を共通のブロックマスクを使用して行う。ブロックマスクには、ＲＡＭ、ＲＯＭ、入出力部（Ｉ／Ｏ部）等がブロックとして搭載されている。
〔露光データ処理〕
電子ビーム露光を行う際に用いる露光データを処理する露光データ処理では、半導体装置のパターンが格納されている設計データを露光データに変換する。露光データには、可変矩形露光パターン、ブロック等が格納されている。電子ビーム露光装置は、露光データを読み込み、露光に適したフォーマットに変換する。又、露光データは、半導体装置の配線層やビア層等の露光を行う層毎に作成する。
〔レイアウト及び露光順序〕
図２は、ウエハ６上の半導体装置のレイアウトの一例を示す図である。図２に示すように、ウエハ６上には、複数の半導体装置１１が配置されている。各半導体装置１１は、Ｘ方向上のサイズ１２とＹ方向上のサイズ１３を有する。

例えば、半導体装置１１のレイアウト仕様はウエハサイズ毎に決められており、ウエハ６の中心１４に半導体装置１１の中心を合わせて配置し、更に点線１５に合わせてＹ方向に沿った１列分の半導体装置１１を配置する。次に、点線１６〜２０に半導体装置１１の中心を合わせて配置する。ウエハ６の中心１４から左側も同様の仕様で半導体装置１１を配置する。Ｘ方向上のサイズ２１は、半導体装置１１のＸ方向上のサイズ１２に、ダイシング等のために、例えば５０μｍのサイズを加算した値であり、同様に、Ｙ方向上のサイズ２２もＹ方向上のサイズ１３に、例えば５０μｍのサイズを加算した値である。尚、全ての半導体装置１１がウエハ６内に収まらない場合、例えば図２中ハッチングで示す半導体装置１１の露光は行わないので、ハッチングで示す半導体装置１１は実際には製造されない。

図３は、半導体装置１１の露光順序を説明する図である。電子ビーム露光装置には、電子ビームを照射できる範囲（以下、フィールドと言う）が設定されており、例えば図３（ａ）に示すように、半導体装置１１をフィールドのサイズ２５で区切る。露光は、例えば図３（ｂ）に示すように、フィールドサイズ２５を下から上へ、上から下へと、矢印２３の順に行う。具体的には、電子ビーム露光装置は、ウエハ６が載置されている台を移動させることで、図２の矢印２３の順に露光を行う。折り返しの際は、移動速度の調整や、正しい位置に露光するために位置合わせ等が行われ、一定の時間露光が行わない。
〔ウエハプロセス〕
ウエハプロセスとは、ウエハ６上に半導体装置を作成する工程のことであり、主にトランジスタを形成する工程（以下、基板工程と言う）と配線を形成する工程（以下、配線工程と言う）に分けられる。

詳細には、露光、現像、エッチング、洗浄、熱処理、イオン注入、薄膜形成、層間絶縁膜平坦化等の基本的なプロセス処理（以下、基本プロセス工程と言う）が行われる。例えば、配線工程では複数の配線層とビア層を形成するが、配線層及びビア層においては、夫々複数の基本プロセス工程が行われる。配線層とビア層の数は夫々例えば５〜８層、合計で例えば１０〜１６層であり、基本プロセス工程の総数は例えば１００以上にもなる。

特許文献１には、試作品用のウエハの前工程後に移行する時には、その前工程後に使用する条件や評価のデータが既に作成されているようにした半導体装置の製造方法が提案されている。
特開２００５−２６８６１１号公報

例えば、半径が３００ｍｍのウエハ上に幅と高さが共に１０ｍｍの半導体装置を作成する場合、約７００個の半導体装置をウエハ上に配置することができる。配線１層分のショット数が１００Ｍであれば、ウエハ全体でのショット数は７０Ｇにもなり、現在の電子ビーム露光装置の能力では、例えば露光に１２時間以上かかってしまい、発注から納品までの納期が比較的短いと、半導体装置を納期までに製造することが難しい。通常、半導体装置は量産される前に、信頼度保証を行わない半導体装置をエンジニアリングサンプル（ＥＳ：Engineering Sample）として顧客に出荷するが、このようなＥＳの納期は比較的短いことが多い。

又、半径が２００ｍｍウエハを使用すれば、同じサイズの半導体装置の配置数が約３００個になり、露光時間も約６時間程度になるが、現在、９０ｎｍテクノロジ以降の半導体装置は半径が３００ｍｍウエハ専用の製造ラインで製造されており、半径が３００ｍｍウエハ専用の製造ラインでは半径が２００ｍｍウエハを使用することはできない。つまり、半径が２００ｍｍウエハを使用するには、半径が２００ｍｍウエハ専用の製造ラインが必要となるので、半径が３００ｍｍウエハ専用の製造ラインが設置されている環境下では、例えばＥＳの納期に間に合わせるために半径が２００ｍｍのウエハを使用することはできない。

そこで、本発明は、納期までに確実に半導体装置を製造可能とするレイアウト決定方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び記憶媒体を提供することを目的とする。

上記の課題は、露光処理を行って基板上に作成する半導体装置のレイアウト決定方法であって、半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定するステップと、該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めるステップと、該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定するステップとを含むことを特徴とするレイアウト決定方法によって達成できる。

上記の課題は、半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定するステップと、該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めるステップと、該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定するステップと、該レイアウトに基づいて、該露光データのパターンを該基板上に露光するステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法によっても達成できる。

上記の課題は、コンピュータに、露光処理を行って基板上に作成する半導体装置のレイアウト決定させるプログラムであって、該コンピュータに、半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定させる手順と、該コンピュータに、該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めさせる手順と、該コンピュータに、該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定させる手順とを含むことを特徴とするプログラムによっても達成できる。

上記の課題は、コンピュータに、基板上に半導体装置を作成させるプログラムであって、該コンピュータに、半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定させる手順と、該コンピュータに、該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めさせる手順と、該コンピュータに、該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定させる手順と、該コンピュータに、該レイアウトに基づいて、該露光データのパターンを該基板上に露光させる手順とを含むことを特徴とするプログラムによっても達成できる。

上記の課題は、上記のいずれかのプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体によっても達成できる。

本発明によれば、納期までに確実に半導体装置を製造可能とするレイアウト決定方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び記憶媒体を実現することができる。

本発明では、ウエハ等の基板上に電子ビーム等の荷電粒子ビームを用いてパターンを露光して半導体装置を製造する際に、半導体装置の設計データを露光データに変換し、納期に間に合うようにウエハ上に作成する半導体装置の個数を決定し、決定した個数分、ウエハ上の半導体装置の配置（即ち、レイアウト）を決定し、決定した半導体装置のレイアウトに従ってウエハ上にパターンを露光する。

本発明によれば、例えば半径が３００ｍｍのウエハ上に、納期に間に合うように決定された個数の半導体装置を作成するので、例えば露光に１２時間以上かかることはない。又、通常、ＥＳの個数は数個から数十個程度であり、半径が２００ｍｍのウエハを用いる場合でも、半径が３００ｍｍのウエハを用いる場合でも、製造ラインに投入するウエハの枚数は１枚で十分である。

従って、本発明をＥＳの製造に適用すれば、紫外光の露光で必要となる高額なレチクルを作成することなくＥＳを製造することができ、開発費を大幅に圧縮することができる。

更に、顧客がＥＳの動作速度、消費電力等を検査し、設計仕様を満たしていなければ、設計データを修正してＥＳを再作成する必要がある。このようなＥＳの再作成依頼は、比較的頻繁に発生するので、納期までに確実にＥＳを製造可能とする本発明の効果は大きい。

以下に、本発明のレイアウト決定方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び記憶媒体の各実施例を、図４以降と共に説明する。

図４は、本発明の半導体装置の製造方法の第１実施例を説明するフローチャートである。半導体装置の製造方法の第１実施例は、本発明のレイアウト決定方法の第１実施例を採用する。本発明のプログラムの第１実施例は、コンピュータにレイアウト決定方法又は半導体製造方法の第１実施例を実行させる。プログラムは、ＣＰＵ等のプロセッサ及び記憶部を有する周知の汎用コンピュータにより実行可能である。本発明の記憶媒体の第１実施例は、プログラムの第１実施例を格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、磁気記録媒体、光記録媒体、光磁気記録媒体、半導体記憶装置等により構成される。

図４において、ステップ４０は、半導体装置を電子ビーム露光によりウエハ上に作成するための露光データを作成する露光データ作成処理を行う。ここでは説明の便宜上、ウエハ上に同一、又は、同種の半導体装置が作成されるものとする。ステップ４１は、ウエハ上に作成するべき半導体装置の個数を決定する製造個数決定処理を行う。ステップ４２は、半導体装置のウエハ上のレイアウトを決定するレイアウト決定処理を行う。ステップ４３は、作成された露光データ、決定された半導体装置の個数及び決定された半導体装置のレイアウトに基づいて、ウエハ上に半導体装置のパターンを露光する露光処理を行う。
〔露光データ作成処理〕
図５は、ステップ４０の露光データ作成処理及びショット数カウント処理を説明するフローチャートである。処理カードファイル５９及び設計データファイル６０は、例えばコンピュータシステムの記憶部に格納されている。処理カードファイル５９には、図形演算処理におけるパターンのサイズ変更値、半導体装置に対して定義した固有の番号（以下、半導体装置番号と言う）等が記述されている。尚、半導体装置番号は１種類記述されているものとする。設計データファイル６０には、製造するべき半導体装置に関する設計データが記述されている。

ステップ４０は、図５に示すようにステップ５２〜５５を有する。ステップ５２は、設計データファイル５０の設計データを入力し、ＯＲ処理、シフト処理等の論理演算及び幾何演算の処理や、パターン同士の重なり除去、パターンのサイズ変更等を行う図形演算処理を行う。

ステップ５３は、ブロックを抽出するブロック抽出処理を行う。このブロック抽出処理では、例えばＳＲＡＭ部のパターン群のような、繰り返し配置されているパターン群をブロックとして抽出される。ブロック以外のパターンは可変矩形露光パターンとなる。

ステップ５４は、ブロックと可変矩形露光パターンの露光量を設定する露光量補正処理を行う。

ステップ５５は、露光データフォーマット仕様に従って露光データを作成し、ブロックと可変矩形露光パターン及び半導体装置番号を格納した露光データファイル５６を出力する露光データフォーマット変換処理を行う。露光データファイル５６は、コンピュータの記憶部に格納される。

ステップ５７は、入力された露光データファイル５６の露光データのショット数をカウントし、ショット数と半導体装置番号を記述したログファイル５８を出力するショット数カウント処理を行う。ログファイル５８は、コンピュータの記憶部に格納される。

例えば、電子ビーム露光を適用する層が複数の配線層と複数のビア層である場合、図６に示すように、ステップ４０の露光データ作成処理及びステップ５７ショット数カウント処理を複数のコンピュータ、或いは、１台のコンピュータ内の複数のＣＰＵで並列に行う。図６中、図５と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。尚、夫々の処理カードファイル５９には、同一の半導体装置番号を１種類記述するものとする。例えば、設計データファイル６０−Ｍ１，６０−Ｍ２には第１及び第２の金属配線層に関する設計データが記述されており、設計データファイル６０−Ｖ１，６０−Ｖ２には第１及び第２のビア層に関する設計データが記述されている。露光データファイル５６−Ｍ１，５６−Ｍ２は第１及び第２の金属配線層に関する露光データ、露光データファイル５６−Ｖ１，５６−Ｖ２は第１及び第２のビア層に関する露光データが含まれる。ステップ５７のショット数カウント処理により、ログファイル５８−１〜５８−４がコンピュータの記憶部に格納される。
〔製造個数決定処理〕
図７は、ステップ４１の製造個数決定処理を説明するフローチャートである。例えば、図６のログファイル５８−１〜５８−４と処理カードファイル１５９を入力し、第１の金属配線層、第１のビア層、第２の金属配線層及び第２のビア層を電子ビーム露光により露光する場合の半導体装置の製造個数を決定する。尚、処理カードファイル１５９には以下の項目ｋ１〜ｋ９を記述する。
ｋ１：ロット番号
ｋ２：ウエハサイズ（単位は例えばインチ又はミリメートル）
ｋ３：ウエハ枚数
製造するべき半導体装置がＥＳ（Engineering Sample）であれば、ウエハ１枚で所要数のＥＳを製造することができるが、以下のような場合には複数のウエハを使用する。

・ウエハプロセスにおけるトラブル（例えば、搬送中にウエハの破損が発生した等）を想定し、複数のウエハに半導体装置を製造する。

・ウエハプロセスのイオン注入において、複数の注入量を与えた半導体装置を製造したい場合。
ｋ４：半導体装置サイズ（単位は例えばミリメートル）
図２を例にすると、サイズ１２とサイズ１３を記述する。
ｋ５：電子ビーム露光適用層数
項目ｋ５は、電子ビーム露光適用層数、即ち、電子ビーム露光を行う層の数を示し、例えば図７の例では４層である。他の層はレチクルを用いて、紫外光等で露光する。
ｋ６：ウエハプロセスの基本プロセス工程数
項目ｋ６が示すウエハプロセスの基本プロセス工程数は、半導体装置のテクノロジ（例えば、１３０ｎｍテクノロジ、９０ｎｍテクノロジ）や層数により変化する。
ｋ７：ウエハプロセスに割り当てる日数
項目ｋ７が示すウエハプロセスに割り当てる日数は、納期日までの日数から検査工程、組み立て工程に費やす日程を除いて求める。
ｋ８：電子ビーム露光装置係数
項目ｋ８が示す電子ビーム露光装置係数としては、露光時間（例えば、時間Ｅとする）とショット数Ｓの一次関数を表す計算式の係数を２種類（Ｃ１，Ｃ２）記述する。露光時間Ｅは、露光時間Ｅ＝（Ｃ１×Ｓ）＋Ｃ２で表され、ショット数Ｓの単位は例えばギガ（Ｇ）である。つまり、電子ビーム露光装置係数Ｃ１，Ｃ２は、横軸をショット数Ｓ、縦軸を露光時間Ｅとした一次関数であり、電子ビーム露光装置係数Ｃ１と電子ビーム露光装置係数Ｃ２は実際に露光を行って計測する。例えば、電子ビーム露光を適用したウエハプロセスの立ち上げのために、回路特性等を検証するパターンの露光を事前に行うのが一般的であり、電子ビーム露光装置係数Ｃ１，Ｃ２はその際の露光時間Ｅ、ショット数Ｓから求めることができる。尚、露光時間Ｅの単位は時間でも分でも秒でも良い。
ｋ９：歩留まり
項目ｋ９には、半導体装置の歩留まりＹｄを記述する。例えば、歩留まりＹｄは過去に製造した半導体装置の平均歩留まり等を示す。

ステップ４１は、図７に示すようにステップ７２〜７６を有する。ステップ７２は、全ログファイル５８−１〜５８−４に記述されているショット数を読み込み、露光データの総ショット数を算出する。露光データの総ショット数は、半導体装置１個当たりの総ショット数Ｓｔとなる。

ステップ７３は、ウエハプロセスにおいて、１日（２４時間）で実行する工程数Ｓｎを算出する。１日に実行する工程数（即ち、１日に実行するべき工程数）Ｓｎは、ウエハプロセスの基本プロセス工程数Ｓｂとウエハプロセスに割り当てる日数（即ち、納期から逆算してウエハプロセスに割り当てることのできる日数）Ｄｎを用いて、Ｓｎ＝Ｓｂ／Ｄｎから算出できる。Ｓｂ／Ｄｎが割り切れない場合には値を切り上げる。製造ラインでは、算出した１日に実行する工程数Ｓｎを遵守するように作業を進める。

ステップ７４は、１層当たりの露光時間Ｅｌを算出する。例えば、ステップ７３で算出した１日に実行する工程数Ｓｎが６である場合、１工程当たり例えば４時間（＝２４時間／６）で処理しなければならないものとする。又、ウエハ枚数が４枚であれば、ウエハ１枚当たりの露光時間は１時間（＝４時間／４枚）となる。このように、露光時間Ｅｌは、１日に実行する工程数Ｓｎ（＝Ｓｂ／Ｄｎ）と半導体装置の製造に使用するウエハの枚数に基づいて算出できる。

図７の例では、第１の金属配線層、第１のビア層、第２の金属配線層、第２のビア層の順に露光が行われ、各層の露光時間を１時間以内に、又は、４層平均で１時間以内に抑えなければならないものとする。

実際に半導体装置１個当たりの露光に要する時間Ｅｔと、１層当たりの露光時間Ｅｌとの関係は、次の式で表すことができる。ここで、Ｓｔは半導体装置１個当たりの総ショット数、Ｅｓは１ショット当たりの露光時間、Ｍは半導体装置製造個数、Ｌｎは層数を示す。

Ｓｔ×Ｅｓ×Ｍ＝Ｅｌ×Ｌｎ
ステップ７５は、１層当たりのショット数Ｓｌを算出する。１層当たりのショット数Ｓｌは、上記項目ｋ８の電子ビーム露光装置係数Ｃ１，Ｃ２の計算式Ｅｌ＝（Ｃ１×Ｓｌ）＋Ｃ２から算出できる。例えば、ステップ７４より、１層当たりの露光時間Ｅｌが１時間であり、処理カードファイル１５９より電子ビーム露光装置係数Ｃ１と電子ビーム露光装置係数Ｃ２が共に０.５であった場合、１層当たりのショット数Ｓｌは１Ｇとなる。図７の例では、第１の金属配線層、第１のビア層、第２の金属配線層、第２のビア層の各層において、ウエハ１枚当たりのショット数を１Ｇ以内に、又は、４層平均で１Ｇ以内に抑えなければならないものとする。

ステップ７６は、１枚のウエハ上に作成するべき半導体装置の個数、即ち、半導体装置製造個数Ｍを次の式から算出する。

Ｓｔ×（Ｍ×Ｙｄ）＝Ｓｌ×Ｌｎ
上記の式は、半導体装置製造個数Ｍについて次のように書き換えることができる。

Ｍ＝（Ｓｌ×Ｌｎ）／（Ｓｔ×Ｙｄ）
半導体装置１個当たりの総ショット数Ｓｔはステップ７２で求めた値、１層当たりのショット数Ｓｌはステップ７５で求めた値、歩留まりＹｄと層数Ｌｎは処理カードファイル１５９に記述されているので、上記の式から半導体装置製造個数Ｍを算出することができる。つまり、半導体装置製造個数Ｍは、半導体装置の納期や半導体装置の製造に使用するウエハの枚数等に基づいて算出することができる。

このようにして、ログファイル５８−１〜５８−４に記述された半導体装置番号、処理カードファイル１５９に記述されたロット番号、ウエハサイズ及び半導体装置サイズ、ステップ７３で求めた１日で実行する工程数Ｓｎ、及びステップ７６で求めた半導体装置製造個数Ｍを記述したログファイル７７が出力されてコンピュータの記憶部に格納される。ログファイル７７は、例えば製造ライン担当ロボット又は製造ライン担当者にインターネット回線等を介して送信される。この場合、製造ライン担当ロボット又は製造ライン担当者は、ログファイル７７に記述されたロット番号と１日に実行する工程数Ｓｎ等を参照し、工程数Ｓｎを遵守するように作業を進める。
〔レイアウト決定処理〕
図８は、ステップ４２のレイアウト決定処理を説明するフローチャートである。例えば、図７のログファイル７７を入力し、これに基づいて半導体装置のレイアウトを作成する。

ステップ８１は、ログファイル７７を読み込んでウエハサイズと半導体装置のサイズを参照して、例えば図２の仕様通りに半導体装置のウエハ上の配置を決定し、半導体装置のウエハ上の配置座標を決定するための中間テーブル５００を作成する。図９は、中間テーブル５００の一例を示す図である。

図９に示すように、中間テーブル５００は、配置位置数Ｎ、配置フラグＦ、座標Ｘ及び座標Ｙを含む。配置位置数Ｎは、半導体装置製造個数Ｍではなく、ウエハ上に配置できる半導体装置の座標の数を示す。配置位置数Ｎは、ウエハサイズと半導体装置のサイズに応じて異なる。ただし、図２中ハッチングで示す半導体装置のように、半導体装置全体をウエハ上に配置できないウエハ上の座標は含まない。

配置フラグＦは、ウエハ上に配置できる半導体装置の座標における半導体装置の配置の有無を示す。例えば、ウエハ上に配置できる半導体装置の座標に、実際に半導体装置を配置している場合には配置フラグＦに「１」を格納し、配置していない場合には「０」を格納する。

座標Ｘと座標Ｙは、ウエハ上の半導体装置の配置位置を示し、例えばウエハ上における各半導体装置の中心の位置を座標Ｘと座標Ｙで示す。尚、ＸＹ座標の原点は、例えばウエハ上の中心とする。又、座標Ｘと座標Ｙの対は、配置位置数Ｎ分存在する。

ステップ８２は、各半導体装置の配置位置を決定し、該当する座標の配置フラグに「１」を格納する。配置位置を決定する半導体装置の個数は、ログファイル７７に格納されている半導体装置製造個数Ｍである。

次に、ウエハ上に半導体装置を配置する優先順位を、図１０と共に説明する。図１０は、ウエハ上の半導体装置のレイアウトの一例を示す図である。図１０に示すウエハ９０（図１及び図２に示すウエハ６に相当）上には、半導体装置の配置位置「１」〜「７３」が破線の矩形で示されており、配置位置の番号は半導体装置の配置の優先順位を示す。例えば図２において、矢印２３の通りに露光が行われるが、折り返しの際には一定の時間露光が行われないので、１列に多くの半導体装置を配置する程、折り返しの数が少なくなり、露光時間も少なくなる。又、ウエハ９０の中心に近い位置に配置された半導体装置程、不良品になる確率が低い傾向があるので、ウエハ９０の中心の縦の列から半導体装置の配置を始め、且つ、各列においてはウエハ９０の中心に近い位置から配置を始める。

図１１は、ウエハ上の半導体装置のレイアウト他の例を示す図である。図１１に示すウエハ９０上には、半導体装置の配置位置「１」〜「７３」が破線の矩形で示されており、配置位置の番号は半導体装置の配置の優先順位を示す。ウエハ９０の中心に近い位置に配置された半導体装置程、不良品になる確率が低い傾向があるので、ウエハ９０の中心から渦巻状に半導体装置の配置を行う。

尚、中間テーブル５００の配置フラグＦには、上記半導体装置の配置の優先順位を示す番号順に、半導体装置製造個数Ｎ分、該当する座標において「１」を格納する。

ステップ８３は、半導体装置配置座標テーブル５０１を作成し、半導体装置レイアウトファイル８４に出力する。半導体装置配置座標テーブル５０１を含む半導体装置レイアウトファイル８４は、コンピュータの記憶部に格納される。

図１２は、半導体装置配置座標テーブル５０１の一例を示す図である。半導体装置配置座標テーブル５０１は、全ワード数、半導体装置番号、半導体装置個数Ｍ、ウエハサイズ、半導体装置サイズ（Ｘ）、半導体装置サイズ（Ｙ）、座標Ｘ及び座標Ｙを含む。

全ワード数は、半導体装置配置テーブル５０１内のワード数を示す。図１２の場合、全ワード数は、（６＋（Ｍ×２））である。半導体装置番号は、ログファイル７７に記述されている半導体装置の番号である。半導体装置製造個数Ｍは、ウエハ上に製造する半導体装置の数を示し、ログファイル７７を参照して格納される。ウエハサイズは、ログファイル７７を参照して格納される。半導体装置サイズ（Ｘ）及び半導体装置サイズ（Ｙ）は、ログファイル７７を参照して格納される半導体装置のＸ方向のサイズ及びＹ方向のサイズである。座標Ｘ及び座標Ｙは、ウエハ上の半導体装置の配置位置を示し、中間テーブル５００を参照して配置フラグＦに「１」が格納されている座標Ｘ及び座標Ｙが格納される。この場合の座標Ｘと座標Ｙの対は、半導体装置製造個数Ｍ分存在する。

半導体装置レイアウトファイル８４は、例えばインターネット回線等を介して電子ビーム露光装置に送信される。
〔露光処理〕
電子ビーム露光装置に露光データファイル５６の露光データと半導体装置レイアウトファイル８４を入力し、露光処理を行う。電子ビーム露光装置は、例えば図１の如き構成を有するものを使用可能である。

図１３は、本発明の半導体装置の製造方法の第２実施例を説明するフローチャートである。半導体装置の製造方法の第２実施例は、本発明のレイアウト決定方法の第２実施例を採用する。本発明のプログラムの第２実施例は、コンピュータにレイアウト決定方法又は半導体製造方法の第２実施例を実行させる。本発明の記憶媒体の第２実施例は、プログラムの第２実施例を格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。図１３中、図４と同一ステップには同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図１３において、ステップ４０は、半導体装置を電子ビーム露光によりウエハ上に作成するための露光データを作成する露光データ作成処理を行う。ステップ４６は、後述するダミーパターンの露光データを作成するダミーパターン露光データ作成処理を行う。ステップ４７は、後述する半導体装置製造個数とダミーパターンを露光する位置数との相関を示す配置位置数相関テーブルを作成する配置位置数相関テーブル作成処理を行う。ステップ４１−１は、ウエハ上に作成するべき半導体装置の個数とダミーパターン露光位置数を決定する製造個数決定処理を行う。ステップ４２−１は、半導体装置とダミーパターンのウエハ上のレイアウトを決定するレイアウト決定処理を行う。ステップ４３は、作成された露光データ、決定された半導体装置の個数とダミーパターン露光位置数、及び決定された半導体装置とダミーパターンのレイアウトに基づいて、ウエハ上に半導体装置のパターンとダミーパターンを露光する露光処理を行う。
〔露光データ作成処理〕
ステップ４０の露光データ作成処理は、上記第１実施例の場合と同様である。
〔ダミーパターン露光データ作成処理〕
図１４は、ステップ４６のダミーパターン露光データ作成処理及びショット数カウント処理を説明するフローチャートである。処理カードファイル５９Ａには、ウエハプロセスを安定化させるためのダミーパターンの幅と高さのサイズ（例えば、単位はミクロンで１以上の整数）、ダミーパターン同士の間隔のサイズ（例えば、単位はミクロンで０以上の整数）、半導体装置サイズ（例えば、単位はミリメートル）及びダミーパターン露光データＩＤが記述されている。ダミーパターン露光データＩＤは、例えば文字列で「ＤＵＭＭＹ」とする。

ステップ１１２は、処理カードファイル５９Ａに記述されているダミーパターンの幅と高さのサイズを参照し、例えば矩形のパターンを作成する。

ステップ１１３は、ステップ１１２で作成したダミーパターンを、処理カードファイル５９Ａに記述されている間隔のサイズで、半導体装置サイズ内に例えば図１５に示すように格子状に配置する。図１５中、ダミーパターン１２０は、幅１２１と高さ１２２のサイズを有し、ダミーパターン１２０同士の間隔のサイズは１２３で示す。

ステップ１１４は、露光データフォーマット仕様に従って露光データを作成し、ダミーパターンの露光データを格納した露光データファイル５６Ａを出力する露光データフォーマット変換処理を行う。露光データファイル５６Ａは、コンピュータの記憶部に格納される。

ステップ１１６は、入力された露光データファイル５６Ａの露光データのショット数をカウントし、ショット数とダミーパターン露光データＩＤを記述したログファイル５８Ａを出力するショット数カウント処理を行う。ログファイル５８Ａは、コンピュータの記憶部に格納される。
〔配置位置数相関テーブル作成処理〕
ステップ４７の配置位置数相関テーブル作成処理は、任意の半導体装置製造個数におけるダミーパターンの露光配置位置数を算出し、配置位置数相関テーブルに格納する。ダミーパターンの露光配置位置とは、半導体装置群の周り、例えば半導体装置群を囲む一周分の配置位置のことであり、この配置位置にダミーパターンを露光する。図１６は、ウエハ９０上の半導体装置とダミーパターンのレイアウトの一例を示す図であり、図１７は、配置位置数相関テーブル５０２の一例を示す図である。図１６は、ウエハ９０上の半導体装置の配置位置を破線の矩形で示し、半導体装置を実際に製造する位置を実線の矩形で示し、ダミーパターンを露光する配置位置をハッチングが付けられた矩形で示す。又、図１６に示す配置位置の番号は、半導体装置の配置の優先順位を示す。

例えば、図１７の右上に示すように半導体装置製造個数Ｍが「１」の場合はダミーパターン露光位置数（ダミーパターンを露光するウエハ９０上の位置の数）Ｐｄは「８」であり、図１７の右下に示すように半導体装置製造個数Ｍが「２」の場合はダミーパターン露光位置数Ｐｄは「１０」である。図１６の場合、半導体装置製造個数Ｍが「１」〜「７３」の場合のダミーパターン露光位置数Ｐｄを算出して配置位置数相関テーブル５０２に格納する。尚、配置位置数相関テーブル５０２は、ファイルとして出力し、コンピュータの記憶部に格納する。
〔製造個数決定処理〕
図１８は、ステップ４１−１の製造個数決定処理を説明するフローチャートである。例えば、図６のログファイル５８−１〜５８−４、図１４のログファイル５８Ａと処理カードファイル５９Ａ、及び図１７の配置位置数相関テーブル５０２を含む配置位置数相関テーブルファイル５０２Ａを入力し、半導体装置製造個数Ｍとダミーパターン露光位置数Ｐｄを決定する。ステップ４１−１の処理は、ステップ１３４以外は図７のステップ４１処理と同じである。処理カードファイル５９Ａには、処理カードファイル５９に記述されている全項目と配線層の数が記述されている。又、ダミーパターン露光位置には、露光データファイル５６Ａの露光データのダミーパターンを露光する。

ステップ１３４は、製造個数決定処理を行い、半導体装置製造個数Ｍとダミーパターン露光位置数Ｐｄを次の式を用いて算出する。ここで、Ｓｔは半導体装置１個当たりの総ショット数、Ｙｄは半導体装置の歩留まり、Ｓｄはダミーパターンの露光データのショット数、Ｌｗｎは配線層数、Ｅｌは１層当たりのショット数、Ｌｎは層数を示す。

［｛Ｓｔ×（Ｍ×Ｙｄ）｝＋｛（Ｓｄ×Ｌｗｎ）×Ｐｄ｝］≦（Ｓｌ×Ｌｎ）
つまり、ステップ１３４は、配置位置数相関テーブルファイル５０２Ａを参照し、例えば半導体装置製造個数Ｍとダミーパターン露光位置数Ｐｄを、半導体装置製造個数Ｍが「１」の場合から順次個数を１ずつインクリメントして上記の式に代入し、上記の不等号が成り立つ最大の半導体装置製造個数Ｍとダミーパターン露光位置数Ｐｄを求める。尚、半導体装置１個当たりの総ショット数Ｓｔはステップ７２で算出した値であり、歩留まりＹｄ及び配線層数Ｌｗｎは処理カードファイル５９Ａ、ダミーパターンの露光データのショット数Ｓｄはログファイル５８Ａに記述されている。又、ログファイル５８−１〜５８−４に記述された半導体装置番号、ログファイル５８Ａに記述されたダミーパターン露光データＩＤ、処理カードファイル５９Ａに記述されたロット番号、ウエハサイズ、半導体装置サイズ、ステップ７３で求めた１日で実行する工程数Ｓｎ、ステップ１３４で求めた半導体装置製造個数Ｍとダミーパターン露光位置数Ｐｄを記述したログファイル７７Ａが出力されてコンピュータの記憶部に格納される。ログファイル７７Ａは、例えば製造ライン担当ロボット又は製造ライン担当者にインターネット回線等を介して送信される。この場合、製造ライン担当ロボット又は製造ライン担当者は、ログファイル７７Ａに記述されたロット番号と１日で実行する工程数Ｓｎを参照し、工程数Ｓｎを遵守するように作業を進める。

図１９は、ステップ１３４の製造個数決定処理の要部を説明するフローチャートである。図１９において、ステップ１３４１は、半導体装置製造個数Ｍの計算途中経過値ｉをｉ＝１に設定し、ステップ１３４２は、配置位置数相関テーブルファイル５０２Ａからダミーパターン露光位置数Ｐｄの値ｊを求める。ステップ１３４３は、求めた値ｉ，ｊに対する半導体装置製造個数Ｍとダミーパターン露光位置数Ｐｄを上記の式に代入し、ステップ１３４４は、上記の不等号が成り立つか否かを判定する。ステップ１３４４の判定結果がＹＥＳであると、ステップ１３４５はＭ＝ｉ，Ｐｄ＝ｊに設定し、ステップ１３４６はｉをｉ＝ｉ＋１にインクリメントしてから処理をステップ１３４２へ戻す。ステップ１３４４の判定結果がＮＯであると、処理は終了する。これにより、上記の不等号が成り立つ最大の半導体装置製造個数Ｍとダミーパターン露光位置数Ｐｄが求められる。
〔レイアウト決定処理〕
図２０は、ステップ４２−１のレイアウト決定処理を説明するフローチャートである。例えば、図１８のログファイル７７Ａを入力し、これに基づいて半導体装置とダミーパターン露光配置位置のレイアウトを作成する。

ステップ８１及び８２の処理は、図８の場合と同様であるが、本実施例では図１１のレイアウトを作成し、図１０のレイアウトは作成しない。

ステップ１４１は、半導体装置配置座標テーブル５０３を作成し、半導体装置レイアウトファイル８４Ａに出力する。半導体装置配置座標テーブル５０３を含む半導体装置レイアウトファイル８４Ａは、コンピュータの記憶部に格納される。図２１は、半導体装置配置座標テーブル５０３の一例を示す図である。

図２１において、１６０で示す部分は図１２に示す半導体装置配置座標テーブル５０１の内容と同一である。ダミーパターン露光データＩＤは、ログファイル７７Ａに記述されており、ログファイル７７Ａを参照することで格納される。ダミーパターン露光位置数Ｐｄは、ログファイル７７Ａに記述されており、ログファイル７７Ａを参照することで格納される。１６１で示す部分において、座標Ｘと座標Ｙはウエハ上のダミーパターン露光位置を示す。ステップ８１で作成した中間テーブル５０１より半導体装置群の周辺に配置されるダミーパターンの位置座標を抽出し、半導体装置配置座標テーブル５０３の１６１で示す部分に格納する。座標Ｘと座標Ｙの対は、ダミーパターン露光位置数Ｐｄ分存在する。

半導体装置レイアウトファイル８４Ａインターネット回線等を介して電子ビーム露光装置に送信される。

次に、ダミーパターンを露光することの効果を説明する。ウエハ上に形成されたレジストの下には、例えば金属層が形成されており、金属配線層のエッチング時には、露光されたレジストの部分を保護層として保護層の下にある層以外の全ての層を取り除く処理が行われる。例えば、図１６の配置位置が「１０」番以降の半導体装置のパターンを露光しない場合、取り除く層の面積と量が膨大になる。ウエハプロセスでは、エッチングを行う時間（エッチング時間）は決められており、配置位置が「１０」番以降の半導体装置の部分において、エッチング時間内に全ての不要な層が取り除かれない可能性がある。又、エッチングはガスを用いて行うため、配置位置が「２」番から「９」番の製造される半導体装置の周辺部においても不要な層が十分に取り除かれない可能性がある。製造される半導体装置の周辺部において全ての不要な層が十分取り除かれないと、その後ウエハをダイシングして個々の半導体装置を切り出した際に、半導体装置が十分取り除かれていない不要な層に起因した性能にバラツキが生じて歩留まりが低下する場合がある。ところが、ダミーパターンを露光すると、配置位置が「２」番から「９」番の製造される半導体装置の周辺部においても不要な層が十分に取り除かれ、半導体装置の歩留まりが向上する。
〔露光処理〕
電子ビーム露光装置に露光データファイル５６Ａの露光データと半導体装置レイアウトファイル８４Ａを入力し、露光処理を行う。電子ビーム露光装置は、例えば図１の如き構成を有するものを使用可能である。

上記各実施例では、ウエハ上に作成される半導体装置は同一、又は、同種であるが、複数の異なる種類の半導体装置をウエハ上に作成するようにしても良いことは言うまでもない。又、納期に間に合うように製造される半導体装置は、１枚のウエハ上に作成しても、必要な数の半導体装置に合わせて複数枚のウエハ上に作成しても良い。更に、ウエハ上に作成する半導体装置は特に限定されない。

尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
（付記１） 露光処理を行って基板上に作成する半導体装置のレイアウト決定方法であって、
半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定するステップと、
該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めるステップと、
該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定するステップとを含むことを特徴とする、レイアウト決定方法。
（付記２） 該レイアウトを決定するステップは、該基板上の中心部から優先的に該作成するべき半導体装置を該基板上に配置することを特徴とする、付記１記載のレイアウト決定方法。
（付記３） 該レイアウトを決定するステップは、該作成するべき半導体装置の周辺にダミーパターンを配置することを特徴とする、付記１又は２記載のレイアウト決定方法。
（付記４） 該個数を決定するステップは、半導体装置１個当たりの露光に要する時間と、半導体装置の１層当たりの露光時間と、半導体装置１個当たりの総ショット数と、１ショット当たりの露光時間に基づいて該個数を算出することを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項記載のレイアウト決定方法。
（付記５） 該個数を決定するステップは、半導体装置の１層当たりのショット数と、半導体装置の層数と、半導体装置１個当たりの総ショット数と、半導体装置の歩留まりに基づいて該個数を算出することを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項記載のレイアウト決定方法。
（付記６） 半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定するステップと、
該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めるステップと、
該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定するステップと、
該レイアウトに基づいて、該露光データのパターンを該基板上に露光するステップとを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
（付記７） 該レイアウトを決定するステップは、該基板上の中心部から優先的に該作成するべき半導体装置を該基板上に配置することを特徴とする、付記６記載の半導体装置の製造方法。
（付記８） 該レイアウトを決定するステップは、該作成するべき半導体装置の周辺にダミーパターンを配置することを特徴とする、付記６又は７記載の半導体装置の製造方法。
（付記９） 該個数を決定するステップは、半導体装置１個当たりの露光に要する時間と、半導体装置の１層当たりの露光時間と、半導体装置１個当たりの総ショット数と、１ショット当たりの露光時間に基づいて該個数を算出することを特徴とする、付記６〜８のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０） 該個数を決定するステップは、半導体装置の１層当たりのショット数と、半導体装置の層数と、半導体装置１個当たりの総ショット数と、半導体装置の歩留まりに基づいて該個数を算出することを特徴とする、付記６〜８のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１） コンピュータに、露光処理を行って基板上に作成する半導体装置のレイアウト決定させるプログラムであって、
該コンピュータに、半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定させる手順と、
該コンピュータに、該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めさせる手順と、
該コンピュータに、該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定させる手順とを含むことを特徴とする、プログラム。
（付記１２） 該レイアウトを決定する手順は、該コンピュータに、該基板上の中心部から優先的に該作成するべき半導体装置を該基板上に配置させることを特徴とする、付記１１記載のプログラム。
（付記１３） 該レイアウトを決定する手順は、該コンピュータに、該作成するべき半導体装置の周辺にダミーパターンを配置さえることを特徴とする、付記１１又は１２記載のプログラム。
（付記１４） 該個数を決定する手順は、該コンピュータに、半導体装置１個当たりの露光に要する時間と、半導体装置の１層当たりの露光時間と、半導体装置１個当たりの総ショット数と、１ショット当たりの露光時間に基づいて該個数を算出させることを特徴とする、付記１１〜１３のいずれか１項記載のプログラム。
（付記１５） 該個数を決定する手順は、該コンピュータに、半導体装置の１層当たりのショット数と、半導体装置の層数と、半導体装置１個当たりの総ショット数と、半導体装置の歩留まりに基づいて該個数を算出させることを特徴とする、付記１１〜１３のいずれか１項記載のプログラム。
（付記１６） コンピュータに、基板上に半導体装置を作成させるプログラムであって、
該コンピュータに、半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定させる手順と、
該コンピュータに、該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めさせる手順と、
該コンピュータに、該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定させる手順と、
該コンピュータに、該レイアウトに基づいて、該露光データのパターンを該基板上に露光させる手順とを含むことを特徴とする、プログラム。
（付記１７） 該レイアウトを決定する手順は、該コンピュータに、該基板上の中心部から優先的に該作成するべき半導体装置を該基板上に配置させることを特徴とする、付記１６記載のプログラム。
（付記１８） 該レイアウトを決定する手順は、該コンピュータに、該作成するべき半導体装置の周辺にダミーパターンを配置させることを特徴とする、付記１６又は１７記載のプログラム。
（付記１９） 該個数を決定する手順は、該コンピュータに、半導体装置１個当たりの露光に要する時間と、半導体装置の１層当たりの露光時間と、半導体装置１個当たりの総ショット数と、１ショット当たりの露光時間に基づいて該個数を算出させることを特徴とする、付記１６〜１８のいずれか１項記載のプログラム。
（付記２０） 該個数を決定する手順は、該コンピュータに、半導体装置の１層当たりのショット数と、半導体装置の層数と、半導体装置１個当たりの総ショット数と、半導体装置の歩留まりに基づいて該個数を算出させることを特徴とする、付記１６〜１８のいずれか１項記載のプログラム。
（付記２１） 付記１１〜２０のいずれか１項記載のプログラムを格納したことを特徴とする、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。

電子ビーム露光装置の一例を示す図である。 ウエハ上の半導体装置のレイアウトの一例を示す図である。 半導体装置の露光順序を説明する図である。 本発明の半導体装置の製造方法の第１実施例を説明するフローチャートである。 露光データ作成処理及びショット数カウント処理を説明するフローチャートである。 露光データ作成処理及びショット数カウント処理を並列に行う場合を説明する図である。 製造個数決定処理を説明するフローチャートである。 レイアウト決定処理を説明するフローチャートである。 中間テーブルの一例を示す図である。 ウエハ上の半導体装置のレイアウトの一例を示す図である。 ウエハ上の半導体装置のレイアウトの他の例を示す図である。 半導体装置配置座標テーブルの一例を示す図である。 本発明の半導体装置の製造方法の第２実施例を説明するフローチャートである。 ダミーパターン露光データ作成処理及びショット数カウント処理を説明するフローチャートである。 ダミーパターンを説明する図である。 ウエハ上の半導体装置とダミーパターンのレイアウトの一例を示す図である。 配置位置数相関テーブルの一例を示す図である。 製造個数決定処理を説明するフローチャートである。 製造個数決定処理の要部を説明するフローチャートである。 レイアウト決定処理を説明するフローチャートである。 半導体装置配置座標テーブルの一例を示す図である。

符号の説明

５０ 設計データファイル
５６，５６Ａ 露光データファイル
５９，５９Ａ 処理カードファイル
５８，５８−１〜５８−４，５８Ａ，７７，７７Ａ ログファイル
８４，８４Ａ 半導体装置レイアウトファイル
９０ ウエハ
５０２Ａ 配置位置数相関テーブルファイル

Claims (10)

1. 露光処理を行って基板上に作成する半導体装置のレイアウト決定方法であって、
   半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定するステップと、
   該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めるステップと、
   該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該基板上に配置できる半導体装置の座標の数を示す配置位置数、該基板上に配置できる半導体装置の座標における半導体装置の配置の有無を示す配置フラグ、及び該基板上の半導体装置の配置位置を示す、前記配置位置数分の座標Ｘ及び座標Ｙの対を含むテーブルを作成するステップと、
   前記テーブルに基づいて該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定して該当する座標の配置フラグに半導体装置が該基板上に配置されたことを示す値を格納するステップとを含むことを特徴とする、レイアウト決定方法。
2. 露光処理を行って基板上に作成する半導体装置のレイアウト決定方法であって、
   半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定するステップと、
   該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めるステップと、
   該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定するステップとを含み、
   該レイアウトを決定するステップは、該基板上の中心部から優先的に該作成するべき半導体装置を該基板上に配置することを特徴とする、レイアウト決定方法。
3. 該レイアウトを決定するステップは、該作成するべき半導体装置の周辺にダミーパターンを配置することを特徴とする、請求項１又は２記載のレイアウト決定方法。
4. 半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定するステップと、
   該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めるステップと、
   該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該基板上に配置できる半導体装置の座標の数を示す配置位置数、該基板上に配置できる半導体装置の座標における半導体装置の配置の有無を示す配置フラグ、及び該基板上の半導体装置の配置位置を示す、前記配置位置数分の座標Ｘ及び座標Ｙの対を含むテーブルを作成するステップと、
   前記テーブルに基づいて該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定して該当する座標の配置フラグに半導体装置が該基板上に配置されたことを示す値を格納するステップと、
   該レイアウトに基づいて、該露光データのパターンを該基板上に露光するステップとを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
5. 半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定するステップと、
   該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めるステップと、
   該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定するステップと、
   該レイアウトに基づいて、該露光データのパターンを該基板上に露光するステップとを含み、
   該レイアウトを決定するステップは、該基板上の中心部から優先的に該作成するべき半導体装置を該基板上に配置することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
6. 該レイアウトを決定するステップは、該作成するべき半導体装置の周辺にダミーパターンを配置することを特徴とする、請求項４又は５記載の半導体装置の製造方法。
7. 該個数を決定するステップは、半導体装置１個当たりの露光に要する時間と、半導体装置の１層当たりの露光時間と、半導体装置１個当たりの総ショット数と、１ショット当たりの露光時間に基づいて該個数を算出することを特徴とする、請求項４〜６のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
8. 該個数を決定するステップは、半導体装置の１層当たりのショット数と、半導体装置の層数と、半導体装置１個当たりの総ショット数と、半導体装置の歩留まりに基づいて該個数を算出することを特徴とする、請求項４〜６のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
9. コンピュータに、露光処理を行って基板上に作成する半導体装置のレイアウト決定させるプログラムであって、
   該コンピュータに、半導体装置の露光データ、半導体装置の納期及び半導体装置の製造に使用する基板の枚数に基づいて、１枚の基板上に作成するべき半導体装置の個数を決定させる手順と、
   該コンピュータに、該露光データに基づいて、該基板上に配置可能な半導体装置の座標を求めさせる手順と、
   該コンピュータに、該露光データ、該個数及び該座標に基づいて、該基板上に配置できる半導体装置の座標の数を示す配置位置数、該基板上に配置できる半導体装置の座標における半導体装置の配置の有無を示す配置フラグ、及び該基板上の半導体装置の配置位置を示す、前記配置位置数分の座標Ｘ及び座標Ｙの対を含むテーブルを作成させる手順と、
   該コンピュータに、前記テーブルに基づいて該作成するべき半導体装置の該基板上のレイアウトを決定させ該当する座標の配置フラグに半導体装置が該基板上に配置されたことを示す値を格納させる手順とを含むことを特徴とする、プログラム。
10. 請求項９記載のプログラムを格納したことを特徴とする、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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