JP2007115780A - 露光処理装置、露光処理方法、露光処理プログラム、および該プログラムを記録した記録媒体、ならびにブロックマスク - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置のショット数を削減することにより製造期間の短縮化を図ること。
【解決手段】ライブラリＤＢ３００は、各種回路パターンをあらわすライブラリを記憶している。ブロックマスク製造用露光データ作成処理部３１０では、ブロックマスク製造用露光データ３０１を作成するとともに、ブロック仕様データ３０２を作成する。ブロックライブラリ作成処理部３１１では、ブロックライブラリ３０３を作成する。ブロックライブラリ作成処理部３１１では、ブロックライブラリデータ３０４を作成する。ブロック特定処理部３１２は、特定ブロックデータ３０６を生成する。ブロックトレイマスク作成処理部３１３は、ブロックトレイマスク３０７を作成する。ウェハ製造用露光データ作成処理部３１４は、ウェハ製造用露光データ３０８を作成する。露光処理部３１５では、ブロックトレイマスク３０７を用いて、ウェハ３０９に電子ビームを露光する。
【選択図】図３

Description

この発明は、電子ビームをウェハに露光する露光処理装置、露光処理方法、露光処理プログラム、および該プログラムを記録した記録媒体、ならびにブロックマスクに関する。

従来から、半導体装置を製造する過程において、ウェハに塗布したレジスト上にパターンを転写する露光が行われる。電子ビーム露光は、紫外光を使用する露光よりも微細なパターンの転写が可能であり、次世代の露光方法として開発されている。

図２６は、露光装置を示す説明図である。図２６の（Ａ）において、電子銃２６０１から放射された電子ビームは第１アパーチャ２６０２で、たとえば、５μ□の矩形に成形される。回路パターンを１つずつ露光する可変矩形露光法では、第１アパーチャ２６０２で成形された電子ビームを第２アパーチャ２６０３で任意のサイズに成形し、ウェハ２６０６に露光する。

また、図２６の（Ｂ）において、一括露光法では、第２アパーチャに、たとえば、１００〜４００種類のブロックを有するブロックマスク２６０４を設置し、第１アパーチャ２６０２で成形された電子ビームをブロックマスク２６０４のブロック配置位置２６０５に照射する。ブロック配置位置２６０５には、たとえば、２５〜６０倍のサイズに拡大したパターン形状の開口が形成されており、当該開口に成形された電子ビームがウェハ２６０６に露光される。一括露光は、可変矩形露光よりも露光回数（以下、「ショット数」と称する）が少ないので、半導体装置製造のスループットを向上させることができる。

また、従来の電子ビーム露光データ作成方法について説明する。電子ビーム露光データ作成方法にはブロックマスク製造用露光データ処理とウェハ製造用露光データ処理がある（たとえば、下記特許文献１を参照。）。図２７は、従来の電子ビーム露光データ作成方法を示す説明図である。ライブラリＤＢ２７００にはライブラリが格納されており、ブロックマスク製造用露光データ作成処理部２７１０において、ライブラリＤＢ２７００からライブラリを一括露光するブロックとして抽出し、当該ブロックとブロックマスク上の座標などをブロックマスク製造用露光データ２７０１に格納する。

ブロックマスク２７０２は、ブロックマスク製造用露光データ２７０１を露光装置に入力することで作成される。また、ライブラリを組み合わせて、複数の設計データ２７０３〜２７０５が作成される。設計データ２７０３〜２７０５には複数のライブラリがそれぞれ１個または複数格納されている。

ウェハ製造用露光データ作成処理部２７１１では、設計データ２７０３〜２７０５からブロックを抽出し、当該ブロックとブロックのブロックマスク上の座標、ウェハに露光する位置（座標）などを、それぞれウェハ製造用露光データ２７０６〜２７０８に格納する。

また、ブロックを抽出する際には、たとえば、使用頻度が多いライブラリを優先してブロック化する。また、抽出したブロックがブロックマスク製造用露光データ２７０１に格納されているブロックと同一であるか確認し、このブロックのブロックマスク上の座標をブロックマスク製造用露光データ２７０１からコピーする。

その他、ブロックとして抽出されないパターンを可変矩形露光パターンとし、可変矩形露光パターンをウェハに露光する位置(座標)などを、それぞれウェハ製造用露光データ２７０６〜２７０８に格納する。露光処理２７１１では、露光装置にウェハ製造用露光データ２７０６〜２７０８を入力し、ブロックマスク２７０２を使用して、ウェハ２７２１〜２７２３にパターンを露光する。

特開２００２―２５９００号公報

しかしながら、露光装置に搭載できるブロックの最大数は１００〜４００個程度である。一方、１種類の半導体テクノロジで用意されるライブラリの種類数は１０００以上にもなり、例えば、１３０ｎｍテクノロジでは３００〜８００のライブラリを組み合わせて設計データを作成する。また、半導体装置ごとに使用するライブラリの種類も異なる。したがって、すべてのライブラリをブロック化してブロックマスクに実装することは不可能であるという問題があった。

また、半導体装置ごとに使用頻度が多いライブラリをブロック化し、ブロックマスク製造をマスクメーカーに発注しても、納品までには、たとえば、２週間程度かかる。このように、すべての半導体装置の製造において、顧客への納期を厳守するようにショット数を減少させることは困難という問題があった。

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、半導体装置の製造に際して、ショット数を簡単かつ効率的に削減することにより製造期間の短縮化を図ることができる露光処理装置、露光処理方法、露光処理プログラム、および該プログラムを記録した記録媒体、ならびにブロックマスクを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかる露光処理装置、露光処理方法、露光処理プログラム、および該プログラムを記録した記録媒体は、半導体装置に関する設計データの入力を受け付け、ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定し、特定されたブロック群（以下、「特定ブロック群」という）に露光された回路パターンに関する情報と、前記設計データと、に基づいて、前記半導体装置に関する露光データを生成し、露光装置を制御して、生成された露光データに基づいて、前記特定ブロック群を用いてウェハに露光することを特徴とする。

また、上記発明において、前記ブロックマスクから前記ブロックを取り出すロボット装置を制御して、前記特定ブロック群を取り出してブロックトレイに設け、前記特定ブロック群が設けられたブロックトレイを用いて前記ウェハに露光することとしてもよい。

また、上記発明において、前記各特定ブロックに露光されている回路パターンに関する可変矩形露光ショット数と、前記設計データにおける前記各特定ブロックに露光されている回路パターンの使用回数と、に基づいて、前記特定ブロックごとの削減ショット数を算出し、算出された前記特定ブロックごとの削減ショット数に基づいて、前記特定ブロック群を前記ブロックトレイに設けることとしてもよい。

また、この発明にかかる露光処理装置、露光処理方法、露光処理プログラム、および該プログラムを記録した記録媒体は、半導体装置に関する設計データの入力を受け付け、ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定し、前記ブロックマスクから前記ブロックを取り出すロボット装置を制御して、特定されたブロック群を取り出してブロックトレイに設けることを特徴とする。

また、この発明にかかるブロックマスクは、半導体装置に関する設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロックマスクが露光されたブロック群が、ブロックトレイに設けられたことを特徴とする。

これらの発明によれば、異なる回路パターンが露光されたブロックを有するブロックマスクを用いて、ウェハに露光することができる。またブロックマスク内のブロックは、ブロックピースとして取り出し可能であるため、各種半導体装置にあわせて、ブロックピースの配置位置を設定することができる。特に、設計データごとに削減ショット数を算出することにより、使用頻度が高いブロックピースを優先して配置位置を設定することができる。

本発明にかかる露光処理装置、露光処理方法、露光処理プログラム、および該プログラムを記録した記録媒体、ならびにブロックマスクによれば、半導体装置の製造に際して、ショット数を簡単かつ効率的に削減することにより製造期間の短縮化を図ることができるという効果を奏する。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる露光処理装置、露光処理方法、露光処理プログラム、および該プログラムを記録した記録媒体、ならびにブロックマスクの好適な実施の形態を詳細に説明する。

（露光処理装置のハードウェア構成）
まず、この発明の実施の形態にかかる露光処理装置のハードウェア構成について説明する。図１は、この発明の実施の形態にかかる露光処理装置のハードウェア構成を示すブロック図である。図１において、露光処理装置は、ＣＰＵ１０１と、ＲＯＭ１０２と、ＲＡＭ１０３と、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）１０４と、ＨＤ（ハードディスク）１０５と、ＦＤＤ（フレキシブルディスクドライブ）１０６と、着脱可能な記録媒体の一例としてのＦＤ（フレキシブルディスク）１０７と、ディスプレイ１０８と、Ｉ／Ｆ（インターフェース）１０９と、キーボード１１０と、マウス１１１と、スキャナ１１２と、プリンタ１１３と、を備えている。また、各構成部はバス１００によってそれぞれ接続されている。

ここで、ＣＰＵ１０１は、露光処理装置の全体の制御を司る。ＲＯＭ１０２は、ブートプログラムなどのプログラムを記憶している。ＲＡＭ１０３は、ＣＰＵ１０１のワークエリアとして使用される。ＨＤＤ１０４は、ＣＰＵ１０１の制御にしたがってＨＤ１０５に対するデータのリード／ライトを制御する。ＨＤ１０５は、ＨＤＤ１０４の制御で書き込まれたデータを記憶する。

ＦＤＤ１０６は、ＣＰＵ１０１の制御にしたがってＦＤ１０７に対するデータのリード／ライトを制御する。ＦＤ１０７は、ＦＤＤ１０６の制御で書き込まれたデータを記憶したり、ＦＤ１０７に記憶されたデータを露光処理装置に読み取らせたりする。

また、着脱可能な記録媒体として、ＦＤ１０７のほか、ＣＤ−ＲＯＭ（ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ）、ＭＯ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）、メモリーカードなどであってもよい。ディスプレイ１０８は、カーソル、アイコンあるいはツールボックスをはじめ、文書、画像、機能情報などのデータを表示する。このディスプレイ１０８は、たとえば、ＣＲＴ、ＴＦＴ液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどを採用することができる。

Ｉ／Ｆ１０９は、通信回線を通じてインターネットなどのネットワーク１２０に接続され、このネットワーク１２０を介して他の装置に接続される。そして、Ｉ／Ｆ１０９は、ネットワーク１２０と内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する。Ｉ／Ｆ１０９には、たとえばモデムやＬＡＮアダプタなどを採用することができる。

キーボード１１０は、文字、数字、各種指示などの入力のためのキーを備え、データの入力をおこなう。また、タッチパネル式の入力パッドやテンキーなどであってもよい。マウス１１１は、カーソルの移動や範囲選択、あるいはウィンドウの移動やサイズの変更などをおこなう。ポインティングデバイスとして同様に機能を備えるものであれば、トラックボールやジョイスティックなどであってもよい。

スキャナ１１２は、画像を光学的に読み取り、露光処理装置内に画像データを取り込む。なお、スキャナ１１２は、ＯＣＲ機能を持たせてもよい。また、プリンタ１１３は、画像データや文書データを印刷する。プリンタ１１３には、たとえば、レーザプリンタやインクジェットプリンタを採用することができる。

また、ロボット装置１１４は、ロボットコントローラ１１５とロボットアーム１１６から構成されるマイクロマシンである。マイクロマシンは、大きさコンマ数ミクロンから数ミリの超小型の機械やロボットの総称であり、既に数ミクロンサイズの物体を０．１ミクロン以下の精度で制御できる二本指のマイクロハンドマシンなどが開発されている。

具体的には、ロボット装置１１４において、ロボットコントローラ１１５は、ＣＰＵ１０１からの制御信号に基づいて、ロボットアーム１１６を制御する。ロボットアーム１１６は、回路パターンが露光されたブロックマスクから、個々のブロックピースを取り出して、ブロックトレイに搬送し、ブロックトレイの開口にはめ込む。また、ブロックピースがはめ込まれたブロックトレイから、個々のブロックピースを取り出して、他のブロックトレイに搬送し、他のブロックトレイの開口にはめ込む。

また、ダイシング装置１１７は、回路パターンが露光されたブロックマスクを、ブロックごとに切断して、回路パターンごとのブロックピースを生成する。露光装置１１８は、ウェハに電子ビームを露光する。

（露光処理装置の機能的構成）
つぎに、この発明の実施の形態にかかる露光処理装置の機能的構成について説明する。図２は、この発明の実施の形態にかかる露光処理装置の機能的構成を示すブロック図である。図２において、露光処理装置２００は、入力部２０１と、特定部２０２と、生成部２０３と、ブロック制御部２０４と、露光制御部２０５と、算出部２０６と、から構成されている。

入力部２０１は、半導体装置に関する設計データの入力を受け付ける。半導体装置とは、ウェハへの露光対象となる回路である。設計データとは、回路パターンをあらわすライブラリが複数組み合わされることにより構成される半導体装置の回路パターンに関するレイアウトデータである。ライブラリとは、各種回路パターンが決定されている電子データであり、一括露光をおこなうブロックの一単位となる。

また、特定部２０２は、ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、入力部２０１によって入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定する。マスクとは、たとえば、表面にレジストが塗布されたシリコン基板であり、ブロックマスクとは、露光装置１１８によりブロック単位で回路パターンが露光されたマスクである。

特定部２０２は、具体的には、半導体装置の回路パターンと同一のブロック群をブロックマスクから特定する。より具体的には、たとえば、ダイシング装置１１７によりブロックマスクをブロックごとのブロックピースに分割し、半導体装置の回路パターンと同一の回路パターンが露光されたブロックピースを取り出す。

また、生成部２０３は、特定部２０２によって特定されたブロック群（以下、「特定ブロック群」という）に露光された回路パターンに関する情報と、設計データと、に基づいて、半導体装置に関する露光データを生成する。具体的には、半導体装置の回路パターンをあらわすライブラリに対して、図形演算、露光パターン補正、一括露光パターン／可変矩形露光パターンの特定、露光量設定などの処理をおこなって、ウェハ製造用の露光データを生成する。

また、ブロック制御部２０４は、ブロックマスクからブロックを取り出すロボット装置１１４を制御して、特定ブロック群を取り出してブロックトレイに設ける。具体的には、ダイシング装置１１７により分割されたブロックピースの中から特定ブロック群のブロックピースをロボットアーム１１６により取り出し、ブロックトレイにはめ込む。ブロックトレイは、ブロックピースをはめ込むための開口を有するトレイである。

また、露光制御部２０５は、露光装置１１８を制御して、生成部２０３によって生成されたウェハ製造用の露光データに基づいて、特定ブロック群を用いてウェハに電子ビームを露光する。具体的には、ウェハ製造用の露光データを露光装置１１８に入力して、特定ブロック群を用いてウェハに露光する。より具体的には、特定ブロック群のブロックピースをブロックトレイにはめ込んだブロックマスクを用いて、ウェハに電子ビームを露光する。

また、算出部２０６は、各特定ブロックのブロックピースに露光されている回路パターンに関する可変矩形露光ショット数と、設計データにおける各特定ブロックに露光されている回路パターンの使用回数と、に基づいて、特定ブロックごとの削減ショット数を算出する。可変矩形露光ショット数とは、ブロックピースに露光されている回路パターンを矩形分割したときの矩形数である。また、ショット数とは露光回数のことであり、削減ショット数とは、削減可能な露光回数である。すなわち、ブロックピースに露光されている回路パターンの使用回数を計数することにより、共通の回路パターンを特定することができるため、ショット数を削減することができる。

この場合、ブロック制御部２０４は、算出部２０６によって算出された特定ブロックごとの削減ショット数に基づいて、特定ブロック群をブロックトレイに設ける。具体的には、削減ショット数の多い順に、ブロックトレイ中心の開口から順にブロックピースをはめ込む。

これにより、一括露光回数が多いブロックピースの順に中心から実装されることになり、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。また、露光装置１１８において露光時のブロックマスクの移動量を、最低限の移動量に制御することができる。したがって、露光処理の高速化を図ることができる。

なお、上述した入力部２０１、特定部２０２、生成部２０３、ブロック制御部２０４、露光制御部２０５、および算出部２０６は、具体的には、たとえば、図１に示したＲＯＭ１０２、ＲＡＭ１０３、ＨＤ１０５などの記録媒体に記録されたプログラムを、ＣＰＵ１０１が実行することによって、またはＩ／Ｆ１０９によって、その機能を実現する。

（露光処理の概要）
つぎに、この発明の実施の形態にかかる露光処理装置２００の露光処理の概要について説明する。図３は、この発明の実施の形態にかかる露光処理装置２００の露光処理の概要を示す説明図である。図３において、ライブラリＤＢ（データベース）３００は、各種回路パターンをあらわすライブラリを記憶している。ブロックマスク製造用露光データ作成処理部では、ブロックマスク製造用露光データを作成するとともに、ブロック仕様データを作成する。

たとえば、ライブラリＤＢ３００には１種類の半導体テクノロジで使用されるすべてのライブラリが格納されており、ライブラリからブロックマスク製造用露光データ３０１とブロック仕様データ３０２を出力する。ブロックマスク製造用露光データ作成処理部３１０では、図形演算処理カードと露光パターン補正カードを有する。図形演算処理カードは、回路パターンを補正するための補正値を有する電子データである。同様に、露光パターン補正カードは、露光パターンを補正するための補正値を有する電子データである。

各補正値は、半導体テクノロジとマスク層ごとに異なるので、各カードも半導体テクノロジとマスク層ごとに作成し、各カードに固有のＩＤを記述する。このＩＤをそれぞれ、図形演算処理カードＩＤ、露光パターン補正カードＩＤと称する。その他、半導体テクノロジとマスク層が同一でも、プロセスの条件ごとに補正値を変更し、各カードを作成することもできる。

ブロックライブラリ作成処理部３１１では、ブロックマスク製造用露光データ３０１を用いてマスクを露光することにより、ブロックマスクを作成する。そして、ダイシング装置１１７によりブロック単位に分割して、分割されたブロックピースをブロックトレイにはめ込む。このブロックピースがはめ込まれたブロックトレイがブロックライブラリ３０３である。また、ブロックライブラリ作成処理部３１１では、ブロックライブラリ３０３に関するデータ（ブロックライブラリデータ３０４）を作成する。ブロックライブラリデータ３０４については後述する。

また、ブロック特定処理部３１２は、上述した特定部２０２および算出部２０６に相当する処理部を実行する。具体的には、ブロック特定処理部３１２では、設計データ３０５とブロック仕様データ３０２とを用いて、ブロックトレイにはめ込むブロックピース（特定ブロックピース）を特定する。これにより、特定ブロックピースに関するデータ（特定ブロックデータ３０６）を生成する。特定ブロックデータ３０６については後述する。

また、ブロックトレイマスク作成処理部３１３は、上述したブロック制御部２０４に相当する。ブロックトレイマスク作成処理部３１３では、ブロックライブラリデータ３０４と特定ブロックデータ３０６とを用いて、ブロックライブラリ３０３にはめ込まれているブロックピースの中から、特定ブロックピースを取り出して、ブロックトレイの開口にはめ込む。このはめ込み位置は、上述した算出部２０６により算出された削減ショット数に基づいて決定される。これにより、特定ブロックピースがはめ込まれたブロックトレイ（ブロックトレイマスク３０７）を作成する。

また、ウェハ製造用露光データ作成処理部３１４は、上述した生成部２０３に相当する。ウェハ製造用露光データ作成処理部３１４では、設計データ３０５と特定ブロックデータ３０６とを用いて、ウェハ製造用露光データ３０８を作成する。ウェハ製造用露光データ３０８については後述する。

また、露光処理部３１５は、上述した露光制御部２０５および露光装置１１８に相当する。露光処理部３１５では、ウェハ製造用露光データ３０８を露光装置１１８に入力し、ブロックトレイマスク３０７を用いて、レジストが塗布されたウェハ３０９に電子ビームを露光する。これにより、設計データ３０５の回路パターンがウェハ３０９に転写される。

（ブロックマスク製造用露光データ作成処理手順）
つぎに、上述したブロックマスク製造用露光データ作成処理部３１０によるブロックマスク製造用露光データ作成処理について具体的に説明する。図４は、ブロックマスク製造用露光データ作成処理手順を示すフローチャートである。図４において、まず、ライブラリＤＢ３００の中に未処理のライブラリがあるか否かを判断する（ステップＳ４０１）。未処理のライブラリがない場合（ステップＳ４０１：Ｎｏ）、一連の処理を終了する。一方、未処理のライブラリがある場合（ステップＳ４０１：Ｙｅｓ）、未処理のライブラリをライブラリＤＢ３００から抽出する（ステップＳ４０２）。

そして、図形演算処理（ステップＳ４０３）、露光パターン補正処理（ステップＳ４０４）、ブロック仕様データ作成処理（ステップＳ４０５）、ブロックマスク製造用露光データ生成処理（ステップＳ４０６）を実行して、ステップＳ４０１に戻る。

まず、図形演算処理（ステップＳ４０３）では、ＯＲ処理やシフト処理などの論理演算および幾何演算の処理を行う。たとえば、図形演算処理カードには、シフト処理のサイズ（たとえば、２０ミクロン）と図形演算処理カードＩＤとが記述されている。

図５は、図形演算処理を示す説明図である。図５において、点線で示されている図形が、ライブラリから得られた図形演算処理前の回路パターン５００であり、実線で示されている図形が、図形演算処理後の回路パターン５０１である。図形演算処理では、図形演算処理カードに記述されている補正値ｓを用いて、図形演算処理により回路パターン５００から回路パターン５０１に補正する。

また、露光パターン補正処理（ステップＳ４０４）では、エッチング後の回路パターン寸法が設計データ３０５の回路パターン寸法と異なってしまう現象に対処するため、あらかじめ回路パターン寸法を拡大または縮小させる。

図６は、露光パターン補正処理を示す説明図である。図６において、回路パターン６０１と回路パターン６０２がエッチング補正処理前の回路パターンであり、回路パターン６１１と回路パターン６１２がエッチング補正処理後の回路パターンである。露光パターン補正カードには、処理対象となる回路パターン幅のサイズ、拡大または縮小、パターン間サイズの範囲や、露光パターン補正カードＩＤが記述されている。たとえば、回路パターン６０１のパターン幅ｓ１と回路パターン６０２のパターン幅ｓ２は、処理対象となるサイズである。

たとえば、回路パターン６０１および回路パターン６０２とのパターン間サイズｓ３が、所定サイズ以下の場合、拡大または縮小のサイズを０ミクロンとすることができる。同様に、隣接するパターンが存在せず、パターン間サイズｓ３が、たとえば、１０ミクロン以上である場合、回路パターン６０１を拡大サイズｓ４分拡大して回路パターン６１１とすることができ、同様に、回路パターン６０２を拡大サイズｓ４分拡大して回路パターン６１２とすることができる。

また、ブロック仕様データ作成処理（ステップＳ４０５）では、ブロックごとにライブラリ名や図形演算カードＩＤ、露光パターン補正カードＩＤを格納したブロック仕様データ３０２を作成する。

図７は、ブロック仕様データ３０２のフォーマットを示す説明図である。図７において、ブロック個数（ｎ）は、ブロックマスク製造用露光データ３０１に含まれるブロックの個数である。ブロックマスク製造用露光データ番号（ｄ）は、ブロックマスク製造用露光データ３０１ごとに定義する番号である。ライブラリ名は、ブロックに対応するライブラリの名称である。また、可変矩形露光ショット数は、各ブロック（ライブラリ）Ｂｄｉ（ｉ＝１〜ｎ）内の回路パターンを矩形分割した場合の矩形数である。

図８は、可変矩形露光ショット数の決定例を示す説明図である。図８において、ブロックＢｄｉは、回路パターン８０１〜８０３からなるライブラリ８００によって構成されている。この回路パターン８０１を矩形分割すると、３つのパターン８１１〜８１３が得られる。また、回路パターン８０２を矩形分割すると、３つのパターン８２１〜８２３が得られる。さらに、回路パターン８０３を矩形分割すると、３つのパターン８３１〜８３３が得られる。露光装置１１８では、分割された矩形ごとに露光する。したがって、ブロックＢｄｉでは、合計９個の矩形が得られるため、可変矩形露光ショット数は９となる。

図９は、可変矩形露光ショット数の他の決定例を示す説明図である。図９において、ブロックＢｄｊ（ｊ＝１〜ｎ、ｉ≠ｊ）は、回路パターン９０１〜９０３からなるライブラリ９００によって構成され、たとえば、サイズが５μ□で定義されている。この場合、１３０ｎｍテクノロジ以降であれば、多くのライブラリが５μ□に収まるが、収まらない場合は複数のブロックＢｄｊ１，Ｂｄｊ２に分割する。そして、ブロックＢｄｊ１，Ｂｄｊ２ごとに可変矩形露光ショット数を検出する。

ブロック仕様データ３０２は、ブロックが４０１個以上８００個以下であれば２個（ｄ＝１，２）、８０１個以上１２００個以下であれば３個（ｄ＝１，２，３）のブロック仕様データ３０２を作成する。ブロック仕様データ３０２にはそれぞれ対応するブロックマスク製造用露光データ３０１番号が格納されている。

また、ブロックマスク製造用露光データ生成処理（ステップＳ４０６）では、露光データフォーマット仕様に従って、ブロックマスク製造用露光データ３０１を作成する。図１０は、ブロックマスク製造用露光データ３０１のフォーマットを示す説明図であり、図１１は、ブロックマスクにおける各ブロックの配置状態を示す説明図である。

ブロックマスク製造用露光データ３０１には、たとえば、最大４００（ｎ＝４００）個のブロックに関する露光データを格納し、４０１個目からは別のブロックマスク製造用露光データ３０１に格納する。ブロックが４０１個以上８００個以下であれば２個（ｄ＝１，２）、８０１個以上１２００個以下であれば３個（ｄ＝１，２，３）のブロックマスク製造用露光データ３０１を作成する。

また、ブロックマスク製造用露光データ３０１には、ブロックＢｄｉごとに、そのブロックの配置座標（Ｘｄｉ，Ｙｄｉ）、ブロック内回路パターン数（ｍｄｉ）、ブロックＢｄｉ内における回路パターンＰ１ｄｉ〜Ｐｍｄｉの頂点座標データが記述されている。

（ブロックライブラリ作成処理）
つぎに、図３に示したブロックライブラリ作成処理部３１１によるブロックライブラリ作成処理について具体的に説明する。図１２は、ブロックライブラリ作成処理手順を示すフローチャートである。図１２において、まず、未処理のブロックマスク製造用露光データ３０１があるか否かを判断する（ステップＳ１２０１）。

未処理のブロックマスク製造用露光データ３０１がある場合（ステップＳ１２０１：Ｙｅｓ）、ブロックパターン露光処理（ステップＳ１２０２）、ブロックマスク分割処理（ステップＳ１２０３）、ブロックピース実装処理（ステップＳ１２０４）を実行して、ステップＳ１２０１に戻る。一方、未処理のブロックマスク製造用露光データ３０１がない場合（ステップＳ１２０１：Ｎｏ）、処理済のブロックマスク製造用露光データ３０１を用いて、ブロックライブラリデータ作成処理を実行する（ステップＳ１２０５）。

図１３は、ブロックライブラリ作成処理を示す模式図である。まず、ブロックパターン露光処理（ステップＳ１２０２）では、露光装置１１８にブロックマスク製造用露光データ３０１を入力してシリコン基板に対して電子ビームを露光し、シリコン基板上にブロックパターン、すなわち、ブロック内の回路パターンを転写することで、ブロックマスク１３００を作成する。このブロックパターン露光処理により、ブロックマスク１３００のブロック１３０１には回路パターン形状の開口１３１０が形成される。たとえば、２５倍のサイズでブロックマスク１３００上に露光した場合、ブロック１３０１のサイズは１２５μ□になる。

また、ブロックマスク分割処理（ステップＳ１２０３）では、ブロックマスク１３００をブロックごとに分割してブロック単位のブロックピースを生成する。たとえば、ブロックマスク上の４つのブロックが形成されている領域Ｒを切断ラインＬに沿ってダイシング装置１１７により切断して、ブロックピースを切り出すことができる。たとえば、ブロックピースＢＰは、領域Ｒから切り出されたブロックである。

また、ブロックピース実装処理（ステップＳ１２０４）では、ブロックマスク分割処理による分割によって得られたブロックピースＢＰをブロックトレイ１３３０にはめ込む。図１４は、ブロックトレイ１３３０の断面図である。たとえば、図１３および図１４（Ａ）において、ブロックマスク１３００から切り出されたブロックピースＢＰをブロックトレイ１３３０上に移動させて、図１４（Ｂ）において、その開口１３３１にはめ込む。

なお、ブロックピースＢＰの移動には、図１に示したロボット装置１１４を用いる。図１に示したＲＯＭ１０２、ＲＡＭ１０３、ＨＤ１０５などの記録媒体に記録されたロボットコントローラ制御プログラムは、ブロックマスク製造用露光データ３０１に格納されているブロックマスク１３００上のブロック配置座標を読み込み、このブロック配置座標にロボットアーム１１６を移動し、ブロックピースＢＰをブロックトレイ１３３０の任意の開口に装着する。このように、ブロックピースＢＰがはめ込まれたブロックトレイ１３３０をブロックライブラリ３０３と称する。

また、ブロックライブラリデータ作成処理（ステップＳ１２０５）では、ブロックトレイ１３３０上に実装したブロックピースＢＰに関するデータ（ブロックライブラリデータ３０４）を作成する。図１５は、ブロックライブラリデータ３０４のフォーマットを示す説明図である。図１５において、ブロック個数（ｎ）、ライブラリ名、図形演算処理カードＩＤ、露光パターン補正カードＩＤは、ブロック仕様データ３０２からコピーされる。

また、ブロック配置座標（Ｘｄｉ，Ｙｄｉ）には、ブロックピースＢＰを実装したブロックトレイ１３３０上の開口１３３１の座標を格納する。座標原点は、たとえば、ブロックトレイ１３３０の中心である。ブロックライブラリ番号はブロックライブラリ３０３ごとに定義する番号であり、ブロックマスク製造用露光データ番号と一致する。ブロックライブラリ３０３とブロックライブラリデータ３０４は、半導体テクノロジとマスク層およびプロセスの条件ごとに作成しておく。

たとえば、１３０ｎｍテクノロジにおいて、１２００種類のライブラリからブロックライブラリ３０３とブロックライブラリデータ３０４を作成した例について説明する。図１６は、ブロックライブラリ３０３とブロックライブラリデータ３０４を作成した例を示す説明図である。図１６において、１３０ｎｍテクノロジのライブラリから、ブロック数が４００個である３種類のブロックマスクを作成する。

３種類のブロックマスクから、上述したブロックマスク分割処理（ステップＳ１２０３）およびブロックピース実装処理（ステップＳ１２０４）を実行して、ブロックライブラリ３０３−１〜３０３−３を作成する。また、ブロックライブラリデータ作成処理（ステップＳ１２０５）により、各ブロックライブラリ３０３−１〜３０３−３に対するブロックライブラリデータ３０４−１〜３０４−３を作成する。

（ブロック特定処理）
つぎに、図３に示したブロック特定処理部３１２のブロック特定処理について具体的に説明する。図１７は、ブロック特定処理手順を示すフローチャートである。図１７において、まず、設計データ３０５の入力を待ち受け（ステップＳ１７０１：Ｎｏ）、設計データ３０５が入力された場合（ステップＳ１７０１：Ｙｅｓ）、設計データ解析処理（ステップＳ１７０２）、ブロック仕様データ抽出処理（ステップＳ１７０３）、削減ショット数算出処理（ステップＳ１７０４）、および特定ブロックデータ生成処理（ステップＳ１７０５）を実行する。

まず、設計データ解析処理（ステップＳ１７０２）では、設計データ３０５で用いたライブラリのライブラリ名を、ライブラリＤＢ３００から抽出し、かつ、ライブラリの使用回数を計数してテーブルに保持する。図１８は、設計データ解析処理で用いるテーブルを示す説明図である。テーブル１８００には、ライブラリ（ブロックＢｄｉ）ごとに、ライブラリ名とその使用回数が保持される。

また、ブロック仕様データ抽出処理（ステップＳ１７０３）では、設計データ３０５の図形演算処理カードＩＤと露光パターン補正カードＩＤを読み込み、当該ＩＤと一致する図形演算処理カードＩＤと露光パターン補正カードＩＤを有するブロック仕様データ３０２をすべて抽出する。

また、削減ショット数算出処理（ステップＳ１７０４）では、ブロック仕様データ抽出処理で抽出されたブロック仕様データ３０２から、図１８に示したテーブル１８００に格納されているライブラリ名と一致するブロックＢｄｉを抽出する。そして、テーブル１８００に格納されている使用回数と特定ブロックデータ３０６の可変矩形露光ショット数とから、削減ショット数を算出する。なお、削減ショット数を求める式は以下のとおりである。

削減ショット数＝（使用回数×可変矩形露光ショット数）−使用回数

また、特定ブロックデータ生成処理（ステップＳ１７０５）では、削減ショット数算出処理で算出された削減ショット数が多い順にブロックＢｄｉをソートし、ソートされたブロックＢｄｉのライブラリ名、図形演算処理カードＩＤ、および露光パターン補正カードＩＤを、特定ブロックデータ３０６として格納する。

図１９は、特定ブロックデータ３０６のフォーマットを示す説明図である。図１９において、ライブラリ名、図形演算処理カードＩＤ、および露光パターン補正カードＩＤは、ブロック仕様データ３０２からコピーされる。また、特定されるブロック数は、たとえば、４００個である。これにより、設計データ３０５に用いられる回路パターンを有するブロックピースＢＰを特定することができる。

なお、設計データ解析処理では、ライブラリ名の抽出とその使用回数を計数するだけなので、数分〜数１０分で終了する。また、それ以降の処理は、数値の参照と検索、簡単な計算、単純なデータのコピーと出力であるため、数分で終了する。したがって、ブロック特定処理は数１０分で終了する。

（ブロックトレイマスク作成処理）
つぎに、図３に示したブロックトレイマスク作成処理部３１３によるブロックトレイマスク作成処理を具体的に説明する。図２０は、ブロックトレイマスク作成処理手順を示すフローチャートである。図２０において、特定ブロックデータ３０６の入力を待ち受け（ステップＳ２００１：Ｎｏ）、特定ブロックデータ３０６が入力された場合（ステップＳ２００１：Ｙｅｓ）、ブロックライブラリデータ抽出処理（ステップＳ２００２）、ブロックトレイマスクデータ生成処理（ステップＳ２００３）、ブロックトレイマスク作成処理（ステップＳ２００４）を実行する。

まず、ブロックライブラリデータ抽出処理（ステップＳ２００２）では、最初に特定ブロックデータ３０６に格納されている図形演算処理カードＩＤと露光パターン補正カードＩＤが共に一致するブロックライブラリデータ３０４を、ブロックライブラリデータ３０４の集合からすべて抽出する。つぎに、抽出されたブロックライブラリデータ３０４の中から、特定ブロックデータ３０６に格納されているライブラリ名を検索する。そして、検索されたライブラリ名に関連付けられているブロックライブラリデータ３０４をすべて抽出する。

図２１は、ブロックトレイマスク作成処理の概要を示す説明図である。図２１において、符号２１００は、ブロックライブラリ作成処理部３１１から作成されたブロックライブラリデータ３０４（３０４−１〜３０４−ｄ）であり、ブロックライブラリ抽出処理により、たとえば、ブロックライブラリデータ３０４−１〜３０４−３が抽出される。なお、それぞれブロックライブラリ３０３−１〜３０３−３に対応するデータである。

また、ブロックトレイマスクデータ生成処理（ステップＳ２００３）では、ブロックライブラリ抽出処理によって抽出されたブロックライブラリデータ３０４−１〜３０４−３から、それぞれ対応するブロックライブラリ３０３−１〜３０１−３のブロックライブラリ番号と実装されているブロックピースＢＰの配置位置座標とを抽出して、ブロックトレイマスクデータに格納する。

ブロックトレイマスクデータとして抽出されるブロックピースＢＰの配置位置座標は、特定ブロックデータ３０６に格納されているライブラリ名と一致するブロックピースＢＰの配置位置座標である。また、特定ブロックデータ３０６にライブラリ名が格納されている順に、ブロックライブラリデータ３０４−１〜３０４−３の中から一致するライブラリ名を検索し、検索されたブロックピースＢＰの配置位置座標をブロックトレイマスクデータに格納する。

図２２は、ブロックトレイマスクデータのフォーマットを示す説明図である。図２２において、特定ブロックピースＢＰの個数がｋ個である場合、ブロックピースＢＰｊ（ｊ＝１〜ｋ）ごとにブロックライブラリ番号とその配置位置座標を記憶している。なお、図２２において、ブロックピースＢＰｊは、削減ショット数が多い順にソートされている。すなわち、ブロックピースＢＰ１が、削減ショット数が最大のブロックピースＢＰである。

また、ブロックトレイマスク作成処理（ステップＳ２００４）では、ブロックライブラリ抽出処理によって抽出されたブロックライブラリデータ３０４−１〜３０４−３に格納されているブロックライブラリ番号と一致するブロックライブラリ３０３−１〜３０３−３の中から特定ブロックピースＢＰを取り出して、ブロックトレイ２１００に実装する。

このように、ブロックトレイマスクデータを参照して、特定ブロックピースＢＰが実装されたブロックトレイ２１００がブロックトレイマスク３０７である。このブロックトレイマスク３０７をウェハ３０９への一括露光に使用する。

具体的には、図１に示したＲＯＭ１０２、ＲＡＭ１０３、ＨＤ１０５などの記録媒体にブロックトレイマスクデータを格納し、ロボットコントローラ制御プログラムがＣＰＵ１０１に、ブロックトレイマスクデータに格納されているブロックライブラリ番号を読み込ませ、該当するブロックライブラリ３０３を特定させる。つぎに、ブロックピースＢＰの配置位置座標を読み込ませ、当該配置位置座標にロボットアーム１１６を移動させ、ブロックピースＢＰをブロックトレイ２１００の開口に装着する。

ブロックトレイ２１００には、その中心に近い開口から順にブロックピースＢＰを装着する。図２３は、ブロックピースＢＰの実装例を示す説明図である。図２３において、ブロックトレイ２１００の開口上に記したブロックピース番号がブロックピースＢＰを装着する順番である。削減ショット数が多いほど中心に近い位置に実装でき、ウェハ３０９上における露光精度が高くなる。

すなわち、一括露光回数が多い特定ブロックピースＢＰの順に中心から実装されることになり、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。なお、上述したブロックライブラリデータ抽出処理およびブロックトレイマスクデータ作成処理はともに、数値の参照、検索、単純なデータのコピーおよび出力だけであるので、数分で終了する。

（ウェハ製造用露光データ作成処理）
つぎに、図３に示したウェハ製造用露光データ作成処理部３１４によるウェハ製造用露光データ作成処理について説明する。図２４は、ウェハ製造用露光データ作成処理手順を示すフローチャートである。図２４において、設計データ３０５および特定ブロックデータ３０６の入力を待ち受け（ステップＳ２４０１：Ｎｏ）、設計データ３０５および特定ブロックデータ３０６が入力された場合（ステップＳ２４０１：Ｙｅｓ）、図形演算処理（ステップＳ２４０２）、露光パターン補正処理（ステップＳ２４０３）、露光パターン特定処理（ステップＳ２４０４）、露光量設定処理（ステップＳ２４０５）、ウェハ製造用露光データ生成処理（ステップＳ２４０６）を実行する。

図形演算処理（ステップＳ２４０２）および露光パターン補正処理（ステップＳ２４０３）は、ブロックマスク製造用露光データ作成処理と同一処理である。露光パターン特定処理（ステップＳ２４０４）では、特定ブロックデータ３０６に格納されているライブラリ名を参照し、設計データ３０５から一致するライブラリを抽出して、当該ライブラリの回路パターンを一括露光パターンとして定義する。一方、一致しない回路パターンは、可変矩形露光パターンとして定義する。

また、露光量設定処理（ステップＳ２４０５）では、ブロックと可変矩形露光パターンの露光量を設定する。また、ウェハ製造用露光データ生成処理（ステップＳ２４０６）は、露光データフォーマット仕様に従ってウェハ製造用露光データ３０８を作成する。図２５は、ウェハ製造用露光データ３０８のデータフォーマットを示す説明図である。

（露光処理）
つぎに、図３に示した露光処理部３１５の露光処理では、ウェハ製造用露光データ３０８を入力し、ブロックトレイマスク３０７を使用して、ウェハ３０９に一括露光パターンおよび可変矩形露光パターンを露光する。なお、ブロックトレイマスク３０７に実装された特定ブロックピースＢＰの下には、たとえば、１２５μ□の開口が存在する。そして、ブロックトレイマスク３０７のブロックピースＢＰに電子ビームが照射されることにより、一括露光パターンに成形された電子ビームがブロックピースＢＰの開口を通り、ウェハ３０９に露光される。

また、ウェハ製造用露光データ作成処理を実行している間に、ブロック特定処理とブロックトレイマスク作成処理を実行することにより、遅延を発生させずブロックトレイマスク３０７を作成することができる。

以上説明したように、この発明の実施の形態によれば、半導体装置である半導体装置ごとに使用頻度が多いライブラリをブロック化したブロックトレイマスク３０７を短時間で作成できるので、すべての半導体装置の製造において、顧客への納期を厳守するようにショット数を減少させることができる。

なお、本実施の形態で説明した露光処理方法は、予め用意されたプログラムをパーソナル・コンピュータやワークステーション等のコンピュータで実行することにより実現することができる。このプログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ、ＤＶＤ等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行される。またこのプログラムは、インターネット等のネットワークを介して配布することが可能な伝送媒体であってもよい。

（付記１）半導体装置に関する設計データの入力を受け付ける入力手段と、
ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、前記入力手段によって入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定する特定手段と、
前記特定手段によって特定されたブロック群（以下、「特定ブロック群」という）に露光された回路パターンに関する情報と、前記設計データと、に基づいて、前記半導体装置に関する露光データを生成する生成手段と、
露光装置を制御して、前記生成手段によって生成された露光データに基づいて、前記特定ブロック群を用いてウェハに露光する露光制御手段と、
を備えることを特徴とする露光処理装置。

（付記２）前記ブロックマスクから前記ブロックを取り出すロボット装置を制御して、前記特定ブロック群を取り出してブロックトレイに設けるブロック制御手段を備え、
前記露光制御手段は、
前記ブロック制御手段によって前記特定ブロック群が設けられたブロックトレイを用いて前記ウェハに露光することを特徴とする付記１に記載の露光処理装置。

（付記３）前記各特定ブロックに露光されている回路パターンに関する可変矩形露光ショット数と、前記設計データにおける前記各特定ブロックに露光されている回路パターンの使用回数と、に基づいて、前記特定ブロックごとの削減ショット数を算出する算出手段を備え、
前記ブロック制御手段は、
前記算出手段によって算出された前記特定ブロックごとの削減ショット数に基づいて、前記特定ブロック群を前記ブロックトレイに設けることを特徴とする付記１または２に記載の露光処理装置。

（付記４）半導体装置に関する設計データの入力を受け付ける入力手段と、
ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、前記入力手段によって入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定する特定手段と、
前記ブロックマスクから前記ブロックを取り出すロボット装置を制御して、前記特定手段によって特定されたブロック群を取り出してブロックトレイに設けるブロック制御手段と、
を備えることを特徴とする露光処理装置。

（付記５）半導体装置に関する設計データの入力を受け付ける入力工程と、
ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、前記入力工程によって入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定する特定工程と、
前記特定工程によって特定されたブロック群（以下、「特定ブロック群」という）に露光された回路パターンに関する情報と、前記設計データと、に基づいて、前記半導体装置に関する露光データを生成する生成工程と、
前記生成工程によって生成された露光データに基づいて、前記特定ブロック群を用いてウェハに露光する露光工程と、
を含んだことを特徴とする露光処理方法。

（付記６）半導体装置に関する設計データの入力を受け付ける入力工程と、
ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、前記入力工程によって入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定する特定工程と、
前記特定工程によって特定されたブロック群を取り出してブロックトレイに設ける工程と、
を含んだことを特徴とする露光処理方法。

（付記７）半導体装置に関する設計データの入力を受け付けさせる入力工程と、
ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、前記入力工程によって入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定させる特定工程と、
前記特定工程によって特定されたブロック群（以下、「特定ブロック群」という）に露光された回路パターンに関する情報と、前記設計データと、に基づいて、前記半導体装置に関する露光データを生成させる生成工程と、
前記生成工程によって生成された露光データに基づいて、前記特定ブロック群を用いてウェハに露光させる露光工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする露光処理プログラム。

（付記８）半導体装置に関する設計データの入力を受け付けさせる入力工程と、
ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、前記入力工程によって入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定させる特定工程と、
前記特定工程によって特定されたブロック群を取り出してブロックトレイに設けさせる工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする露光処理プログラム。

（付記９）付記７または８に記載の露光処理プログラムを記録したコンピュータに読み取り可能な記録媒体。

（付記１０）半導体装置に関する設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロックマスクが露光されたブロック群が、ブロックトレイに設けられたブロックマスク。

以上のように、本発明にかかる露光処理装置、露光処理方法、露光処理プログラム、および該プログラムを記録した記録媒体、ならびにブロックマスクは、半導体装置の製造の際の電子ビームの露光に有用である。

この発明の実施の形態にかかる露光処理装置のハードウェア構成を示すブロック図である。 この発明の実施の形態にかかる露光処理装置の機能的構成を示すブロック図である。 この発明の実施の形態にかかる露光処理装置の露光処理の概要を示す説明図である。 ブロックマスク製造用露光データ作成処理手順を示すフローチャートである。 図形演算処理を示す説明図である。 露光パターン補正処理を示す説明図である。 ブロック仕様データのフォーマットを示す説明図である。 可変矩形露光ショット数の決定例を示す説明図である。 可変矩形露光ショット数の他の決定例を示す説明図である。 ブロックマスク製造用露光データのフォーマットを示す説明図である。 ブロックマスクにおける各ブロックの配置状態を示す説明図である。 ブロックライブラリ作成処理手順を示すフローチャートである。 ブロックライブラリ作成処理を示す模式図である。 ブロックトレイの断面図である。 ブロックライブラリデータのフォーマットを示す説明図である。 ブロックライブラリとブロックライブラリデータを作成した例を示す説明図である。 ブロック特定処理手順を示すフローチャートである。 設計データ解析処理で用いるテーブルを示す説明図である。 特定ブロックデータのフォーマットを示す説明図である。 ブロックトレイマスク作成処理手順を示すフローチャートである。 ブロックトレイマスク作成処理の概要を示す説明図である。 ブロックトレイマスクデータのフォーマットを示す説明図である。 ブロックピースＢＰの実装例を示す説明図である。 ウェハ製造用露光データ作成処理手順を示すフローチャートである。 ウェハ製造用露光データのデータフォーマットを示す説明図である。 露光装置を示す説明図である。 従来の電子ビーム露光データ作成方法を示す説明図である。

符号の説明

２００ 露光処理装置
２０１ 入力部
２０２ 特定部
２０３ 生成部
２０４ ブロック制御部
２０５ 露光制御部
２０６ 算出部
３０１ ブロックマスク製造用露光データ
３０２ ブロック仕様データ
３０３ ブロックライブラリ
３０４ ブロックライブラリデータ
３０５ 設計データ
３０６ 特定ブロックデータ
３０７ ブロックトレイマスク
３０８ ウェハ製造用露光データ
３０９ ウェハ
３１０ ブロックマスク製造用露光データ作成処理部
３１１ ブロックライブラリ作成処理部
３１２ ブロック特定処理部
３１３ ブロックトレイマスク作成処理部
３１４ ウェハ製造用露光データ作成処理部
３１５ 露光処理部

Claims (5)

1. 半導体装置に関する設計データの入力を受け付ける入力手段と、
   ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、前記入力手段によって入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定する特定手段と、
   前記特定手段によって特定されたブロック群（以下、「特定ブロック群」という）に露光された回路パターンに関する情報と、前記設計データと、に基づいて、前記半導体装置に関する露光データを生成する生成手段と、
   露光装置を制御して、前記生成手段によって生成された露光データに基づいて、前記特定ブロック群を用いてウェハに露光する露光制御手段と、
   を備えることを特徴とする露光処理装置。
2. 半導体装置に関する設計データの入力を受け付ける入力工程と、
   ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、前記入力工程によって入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定する特定工程と、
   前記特定工程によって特定されたブロック群（以下、「特定ブロック群」という）に露光された回路パターンに関する情報と、前記設計データと、に基づいて、前記半導体装置に関する露光データを生成する生成工程と、
   前記生成工程によって生成された露光データに基づいて、前記特定ブロック群を用いてウェハに露光する露光工程と、
   を含んだことを特徴とする露光処理方法。
3. 半導体装置に関する設計データの入力を受け付けさせる入力工程と、
   ブロックごとに回路パターンが露光されたブロックマスクの中から、前記入力工程によって入力された設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロック群を特定させる特定工程と、
   前記特定工程によって特定されたブロック群（以下、「特定ブロック群」という）に露光された回路パターンに関する情報と、前記設計データと、に基づいて、前記半導体装置に関する露光データを生成させる生成工程と、
   前記生成工程によって生成された露光データに基づいて、前記特定ブロック群を用いてウェハに露光させる露光工程と、
   をコンピュータに実行させることを特徴とする露光処理プログラム。
4. 請求項３に記載の露光処理プログラムを記録したコンピュータに読み取り可能な記録媒体。
5. 半導体装置に関する設計データに含まれている回路パターンが露光されたブロックマスクが露光されたブロック群が、ブロックトレイに設けられたブロックマスク。
   
   

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