JP2002318448A - 露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラム - Google Patents
露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラムInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＯＰＣルール等が決定された後にユニットプロ
セスに変更が生じても、短時間で新たなＯＰＣルール等
を作成できる露光マスクのパターン補正方法を実現する
こと。 【解決手段】ユニットプロセス群を構成する複数のユニ
ットプロセス（例えばマスクプロセス）の一部に変更が
生じた場合、変更が生じたユニットプロセスについての
変更前および変更後の近接効果データに基づいてＯＰＣ
ルール／モデルを新たに設定し、露光マスクのパターン
の近接効果補正を行う。
セスに変更が生じても、短時間で新たなＯＰＣルール等
を作成できる露光マスクのパターン補正方法を実現する
こと。 【解決手段】ユニットプロセス群を構成する複数のユニ
ットプロセス（例えばマスクプロセス）の一部に変更が
生じた場合、変更が生じたユニットプロセスについての
変更前および変更後の近接効果データに基づいてＯＰＣ
ルール／モデルを新たに設定し、露光マスクのパターン
の近接効果補正を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光マスクのパタ
ーン補正方法、パターン形成方法およびプログラムに係
わり、特に近接効果の影響を小さくするための露光マス
クのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログ
ラムに関する。
ーン補正方法、パターン形成方法およびプログラムに係
わり、特に近接効果の影響を小さくするための露光マス
クのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログ
ラムに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の回路パターン寸法の
微細化の要求が加速されている。これに伴い、設計パタ
ーン通りに露光マスクを作成しても、ウェハ上に設計パ
ターン通りにパターンを形成できないという現象が生じ
ている。この現象はウェハ上での近接効果（ＯＰＥ：Op
tical Proximity Effect）と呼ばれている。
微細化の要求が加速されている。これに伴い、設計パタ
ーン通りに露光マスクを作成しても、ウェハ上に設計パ
ターン通りにパターンを形成できないという現象が生じ
ている。この現象はウェハ上での近接効果（ＯＰＥ：Op
tical Proximity Effect）と呼ばれている。
【０００３】ＯＰＥは、大別して、マスクプロセス、リ
ソグラフィプロセス、エッチングプロセスに要因するも
のがある。具体的には、リソグラフィプロセスの場合で
あればレジストの現像、エッチングプロセスの場合であ
ればローディング（loading）効果に起因するものがあ
げられる。リソグラフィプロセスは光学的な要因である
が、マスクプロセス、エッチングプロセスは光学的な要
因ではない。
ソグラフィプロセス、エッチングプロセスに要因するも
のがある。具体的には、リソグラフィプロセスの場合で
あればレジストの現像、エッチングプロセスの場合であ
ればローディング（loading）効果に起因するものがあ
げられる。リソグラフィプロセスは光学的な要因である
が、マスクプロセス、エッチングプロセスは光学的な要
因ではない。
【０００４】ＯＰＥを補正する技術として、様々なＯＰ
Ｃ（Optical Proximity Correction）が提案されてい
る。図１６は、ＯＰＣを行なうための補正ルール（ルー
ルベースＯＰＣの場合、以下ＯＰＣルールという。）も
しくは補正モデル（モデルベースＯＰＣの場合、以下Ｏ
ＰＣモデルという。）の作成手順と、ＯＰＣルールもし
くはＯＰＣモデル（ＯＰＣルール／モデル）の実製品へ
のフィードバックをフローで示したものである（従来
法）。
Ｃ（Optical Proximity Correction）が提案されてい
る。図１６は、ＯＰＣを行なうための補正ルール（ルー
ルベースＯＰＣの場合、以下ＯＰＣルールという。）も
しくは補正モデル（モデルベースＯＰＣの場合、以下Ｏ
ＰＣモデルという。）の作成手順と、ＯＰＣルールもし
くはＯＰＣモデル（ＯＰＣルール／モデル）の実製品へ
のフィードバックをフローで示したものである（従来
法）。
【０００５】図１６に示すように、ＯＰＣルール／モデ
ルを作成するには、それらが取得できるような評価マス
クを設計データに基づいて作成する。この評価マスク
は、ＯＰＣ ＴＥＧマスクと呼ばれている。この評価マ
スクを製品と同じマスクプロセスで作成し、この評価マ
スクを用いて製品と同じリソグラフィプロセス、製品と
同じエッチングプロセスを行って評価ウェハを作成す
る。
ルを作成するには、それらが取得できるような評価マス
クを設計データに基づいて作成する。この評価マスク
は、ＯＰＣ ＴＥＧマスクと呼ばれている。この評価マ
スクを製品と同じマスクプロセスで作成し、この評価マ
スクを用いて製品と同じリソグラフィプロセス、製品と
同じエッチングプロセスを行って評価ウェハを作成す
る。
【０００６】図１７に、従来のＯＰＣのフローを示す。
ＯＰＣルール／モデルは、上記評価ウェハのＯＰＥ評価
を行い、該評価ウェハに形成されたパターンが設計デー
タのパターンと一致するように選ばれる。このようにし
て選ばれたＯＰＣルール／モデルを製品の本体マスクの
作成に適用する。なお、図１７の右側のフローは評価ウ
ェハと製品の両方を示しており、ＯＰＣルール／モデル
を作成するためのスループロセスの際はＯＰＣＴＥＧマ
スクを用いて取得される。
ＯＰＣルール／モデルは、上記評価ウェハのＯＰＥ評価
を行い、該評価ウェハに形成されたパターンが設計デー
タのパターンと一致するように選ばれる。このようにし
て選ばれたＯＰＣルール／モデルを製品の本体マスクの
作成に適用する。なお、図１７の右側のフローは評価ウ
ェハと製品の両方を示しており、ＯＰＣルール／モデル
を作成するためのスループロセスの際はＯＰＣＴＥＧマ
スクを用いて取得される。
【０００７】図１８に、従来のＯＰＣモデル化の手法を
示す。これは実験で得られたウェハ寸法（ＣＤexp ）と
計算で得られたウェハ寸法（ＣＤsim ）と一致するよう
に、マルチガウス関数の係数Ｃｉ，ΔＬｉを選択する方
法である。
示す。これは実験で得られたウェハ寸法（ＣＤexp ）と
計算で得られたウェハ寸法（ＣＤsim ）と一致するよう
に、マルチガウス関数の係数Ｃｉ，ΔＬｉを選択する方
法である。
【０００８】ＯＰＣが施される製品のユニットプロセス
群（マスクプロセス、リソグラフィプロセス、エッチン
グプロセスなど）と、ＯＰＣルール／モデルを収得する
ために作成した評価マスクのユニットプロセス群とは同
一のものでなければならない。
群（マスクプロセス、リソグラフィプロセス、エッチン
グプロセスなど）と、ＯＰＣルール／モデルを収得する
ために作成した評価マスクのユニットプロセス群とは同
一のものでなければならない。
【０００９】その理由は、評価ウェハと製品とでユニッ
トプロセス群が異なると、評価ウェハと製品とでＯＰＥ
が変わってしまい、その結果として得られたＯＰＣルー
ル／モデルが有効でなくなる可能性があるからである。
トプロセス群が異なると、評価ウェハと製品とでＯＰＥ
が変わってしまい、その結果として得られたＯＰＣルー
ル／モデルが有効でなくなる可能性があるからである。
【００１０】しかし、ユニットプロセス群を構成するマ
スクプロセス、リソグラフィプロセス、エッチングプロ
セスの各ユニットプロセスは時代と共に進歩していくも
のであり、一度ＯＰＣルール／モデルが決定された後で
も高精度化に向けて開発が進められていく可能性が高
い。
スクプロセス、リソグラフィプロセス、エッチングプロ
セスの各ユニットプロセスは時代と共に進歩していくも
のであり、一度ＯＰＣルール／モデルが決定された後で
も高精度化に向けて開発が進められていく可能性が高
い。
【００１１】従来技術では、ＯＰＣルール／モデルが決
定された後にマスクプロセス、リソグラフィプロセスお
よびエッチングプロセスのいずれかに変更が生じた場
合、再度新規プロセスを含めたマスクプロセス、リソグ
ラフィプロセス、エッチングプロセスを行って評価ウェ
ハを作成し、そのウェハのＯＰＥ評価結果から新たな補
正ルールもしくは補正モデルを作成していた。
定された後にマスクプロセス、リソグラフィプロセスお
よびエッチングプロセスのいずれかに変更が生じた場
合、再度新規プロセスを含めたマスクプロセス、リソグ
ラフィプロセス、エッチングプロセスを行って評価ウェ
ハを作成し、そのウェハのＯＰＥ評価結果から新たな補
正ルールもしくは補正モデルを作成していた。
【００１２】そのため、各ユニットプロセスのうち何か
一つでも変更が生じると、その度評価ウェハの作成、評
価ウェハのＯＰＥ評価などの作業を何度も行う必要があ
り、新たなＯＰＣルール／モデルの作成に時間がかかる
という問題があった。
一つでも変更が生じると、その度評価ウェハの作成、評
価ウェハのＯＰＥ評価などの作業を何度も行う必要があ
り、新たなＯＰＣルール／モデルの作成に時間がかかる
という問題があった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のＯ
ＰＣは、ＯＰＣルール／モデルが決定された後にユニッ
トプロセス群に変更が生じた場合、その度評価ウェハの
作成、評価ウェハのＯＰＥ評価など多大な作業を何度も
行なう必要があった。
ＰＣは、ＯＰＣルール／モデルが決定された後にユニッ
トプロセス群に変更が生じた場合、その度評価ウェハの
作成、評価ウェハのＯＰＥ評価など多大な作業を何度も
行なう必要があった。
【００１４】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、ＯＰＣルール等が決定
された後にユニットプロセスに変更が生じても、短時間
で新たなＯＰＣルール等を作成できる露光マスクのパタ
ーン補正方法、それを用いたパターン形成方法、および
上記パターン補正方法をコンピュータに実行させるため
のプログラムを提供することにある。
ので、その目的とするところは、ＯＰＣルール等が決定
された後にユニットプロセスに変更が生じても、短時間
で新たなＯＰＣルール等を作成できる露光マスクのパタ
ーン補正方法、それを用いたパターン形成方法、および
上記パターン補正方法をコンピュータに実行させるため
のプログラムを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る露光マスクのパターン補正方法は、露
光マスクを用いた基板上のパターン形成に係るユニット
プロセス群を用意する工程であって、前記ユニットプロ
セス群として、前記露光マスクの製造に係るユニットプ
ロセス、前記基板上のリソグラフィに係るユニットプロ
セス、および前記基板上のエッチングに係るユニットプ
ロセスを含むものを用意する工程と、前記ユニットプロ
セス群を構成する複数のユニットプロセスの一部に変更
が生じた場合、該変更が生じたユニットプロセスについ
ての変更前および変更後の近接効果データに基づいて補
正ルールもしくは補正モデルを設定し、前記露光マスク
のパターンの近接効果補正を行う工程とを有することを
特徴とする。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る露光マスクのパターン補正方法は、露
光マスクを用いた基板上のパターン形成に係るユニット
プロセス群を用意する工程であって、前記ユニットプロ
セス群として、前記露光マスクの製造に係るユニットプ
ロセス、前記基板上のリソグラフィに係るユニットプロ
セス、および前記基板上のエッチングに係るユニットプ
ロセスを含むものを用意する工程と、前記ユニットプロ
セス群を構成する複数のユニットプロセスの一部に変更
が生じた場合、該変更が生じたユニットプロセスについ
ての変更前および変更後の近接効果データに基づいて補
正ルールもしくは補正モデルを設定し、前記露光マスク
のパターンの近接効果補正を行う工程とを有することを
特徴とする。
【００１６】前記基板は、例えばＳｉ基板等の半導体基
板、Ｓｉウェハ等の半導体ウェハ、ガラス基板等の絶縁
性基板である。また、前記パターンは、例えば回路パタ
ーンである。また、上記例記以外のユニットプロセスと
しては例えば酸化に係るプロセスがあげられる。
板、Ｓｉウェハ等の半導体ウェハ、ガラス基板等の絶縁
性基板である。また、前記パターンは、例えば回路パタ
ーンである。また、上記例記以外のユニットプロセスと
しては例えば酸化に係るプロセスがあげられる。
【００１７】本発明に係る露光マスクのパターン補正方
法は、変更が生じたユニットプロセスについてのみ、補
正ルール等を新たに設定することにより、変更が生じて
ないユニットプロセスに対しては補正ルール等を設定す
る必要が無くなる。したがって、ＯＰＣルール等が決定
された後にユニットプロセスに変更が生じても、短時間
で新たなＯＰＣルール等を作成できるようになる。
法は、変更が生じたユニットプロセスについてのみ、補
正ルール等を新たに設定することにより、変更が生じて
ないユニットプロセスに対しては補正ルール等を設定す
る必要が無くなる。したがって、ＯＰＣルール等が決定
された後にユニットプロセスに変更が生じても、短時間
で新たなＯＰＣルール等を作成できるようになる。
【００１８】なお、あるユニットプロセスに変更が生じ
た場合、その変更が無変更の残りのユニットプロセスに
影響を与える可能性があるので、全てのユニットプロセ
スを考慮したＯＰＣルール等を作成する必要に思われる
が、本発明者等の研究によれば、変更が生じたユニット
プロセスについてのみ、補正ルール等を新たに設定する
ことにより、十分な結果が得られることが分かった。
た場合、その変更が無変更の残りのユニットプロセスに
影響を与える可能性があるので、全てのユニットプロセ
スを考慮したＯＰＣルール等を作成する必要に思われる
が、本発明者等の研究によれば、変更が生じたユニット
プロセスについてのみ、補正ルール等を新たに設定する
ことにより、十分な結果が得られることが分かった。
【００１９】本発明の上記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明ら
かになるであろう。
な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明ら
かになるであろう。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
【００２１】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があ
った場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
である。ここでは、ユニットプロセス群を構成するユニ
ットプロセスのうち露光マスク製造に係るプロセス（マ
スクプロセス）に変更があった場合について説明する。
の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があ
った場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
である。ここでは、ユニットプロセス群を構成するユニ
ットプロセスのうち露光マスク製造に係るプロセス（マ
スクプロセス）に変更があった場合について説明する。
【００２２】ここで言うマスクプロセスの変更とは、露
光マスク作成の際の描画プロセス、レジストプロセス、
露光マスク上エッチングプロセス等のプロセスであり、
さらにそれら各プロセスを構成する一要因が変更された
場合も含まれる。また、対象となるパターンは、例えば
Ｓｉ基板（Ｓｉウェハ）上に形成する回路パターンであ
る。
光マスク作成の際の描画プロセス、レジストプロセス、
露光マスク上エッチングプロセス等のプロセスであり、
さらにそれら各プロセスを構成する一要因が変更された
場合も含まれる。また、対象となるパターンは、例えば
Ｓｉ基板（Ｓｉウェハ）上に形成する回路パターンであ
る。
【００２３】ユニットプロセス（ここではマスクプロセ
ス）に変更が生じた場合、露光マスクのパターン補正方
法のために、ＯＰＣルール／モデルを新たに作り直す必
要がある。
ス）に変更が生じた場合、露光マスクのパターン補正方
法のために、ＯＰＣルール／モデルを新たに作り直す必
要がある。
【００２４】本実施形態は、この新しいＯＰＣルール／
モデルの作成方法に特徴があり、その他は周知のパター
ン形成方法と同じである。したがって、以下の説明で
は、新しいＯＰＣルール／モデルの作成方法を中心に説
明する。
モデルの作成方法に特徴があり、その他は周知のパター
ン形成方法と同じである。したがって、以下の説明で
は、新しいＯＰＣルール／モデルの作成方法を中心に説
明する。
【００２５】本実施形態では、まず、変更前のマスクプ
ロセス（旧マスクプロセス）にて得られた評価マスクの
近接効果データと、変更後の露光マスク製造に係るマス
クプロセス（新マスクプロセス）にて得られた評価マス
クの近接効果データとに基づいて、新マスクプロセスで
のＯＰＣルール／モデル（新ＯＰＣルール／モデル）を
作成する。
ロセス（旧マスクプロセス）にて得られた評価マスクの
近接効果データと、変更後の露光マスク製造に係るマス
クプロセス（新マスクプロセス）にて得られた評価マス
クの近接効果データとに基づいて、新マスクプロセスで
のＯＰＣルール／モデル（新ＯＰＣルール／モデル）を
作成する。
【００２６】その後、マスクプロセス変更前のＯＰＣル
ール／モデル（旧ＯＰＣルール／モデル）のうちマスク
プロセスでのＯＰＣルール／モデルを、上記新マスクプ
ロセスでのＯＰＣルール／モデルに読み替える。
ール／モデル（旧ＯＰＣルール／モデル）のうちマスク
プロセスでのＯＰＣルール／モデルを、上記新マスクプ
ロセスでのＯＰＣルール／モデルに読み替える。
【００２７】このようにして得られたＯＰＣルール／モ
デル（新ＯＰＣルール／モデル）を実際の製品の回路パ
ターン形成に使用する露光マスク（本体マスク）の作成
に用い、製品にフィードバックをかける。
デル（新ＯＰＣルール／モデル）を実際の製品の回路パ
ターン形成に使用する露光マスク（本体マスク）の作成
に用い、製品にフィードバックをかける。
【００２８】新マスクプロセスでのＯＰＣルール／モデ
ルの作成に必要な情報としては、図２に示すように、旧
ＯＰＣルール／モデルと、新旧マスクプロセス間でのマ
スクの寸法差またはマスクの形状差（断面形状差、平面
形状差）があれば良い。
ルの作成に必要な情報としては、図２に示すように、旧
ＯＰＣルール／モデルと、新旧マスクプロセス間でのマ
スクの寸法差またはマスクの形状差（断面形状差、平面
形状差）があれば良い。
【００２９】旧ＯＰＣルール／旧ＯＰＣモデルは既に取
得されている。そのため、新ＯＰＣルール／モデルを作
成するために必要な新規の評価項目は、新旧マスクプロ
セス問でのマスク寸法差、マスク形状差の評価だけで済
む。したがって、本実施形態によれば、従来方法と比較
して比較的平易かつ短時間で新ＯＰＣルール／モデルを
作成できるようになる。
得されている。そのため、新ＯＰＣルール／モデルを作
成するために必要な新規の評価項目は、新旧マスクプロ
セス問でのマスク寸法差、マスク形状差の評価だけで済
む。したがって、本実施形態によれば、従来方法と比較
して比較的平易かつ短時間で新ＯＰＣルール／モデルを
作成できるようになる。
【００３０】次に、マスクプロセスが変更になったとき
のＯＰＣルール／モデルの読み替え（一次元ＯＰＣ読み
替え）について、図３を用いて具体的に説明する。ここ
では、評価パターンとして、図３（ａ）に示すように、
測定パターンの最近接パターンまでの距離Ｓ（Design S
pace）を変化させたパターンを用いる。
のＯＰＣルール／モデルの読み替え（一次元ＯＰＣ読み
替え）について、図３を用いて具体的に説明する。ここ
では、評価パターンとして、図３（ａ）に示すように、
測定パターンの最近接パターンまでの距離Ｓ（Design S
pace）を変化させたパターンを用いる。
【００３１】まず、旧マスクプロセスを用いて、図３
（ａ）の評価パターンを有する露光マスクを作成し、旧
マスクプロセスにおける露光マスク上での測定パターン
の幅ＣＤとその最近接パターンまでの距離Ｓ（Design S
pace）との関係（一次元ＯＰＥカーブ）を取得する（ス
テップ１）。幅ＣＤは実測値、距離Ｓ（Design Space）
は設計値である。同様に、新マスクプロセスを用いて、
新マスクプロセスにおける露光マスク上でのＣＤとDesi
gn Spaceとの関係を収得する（ステップ２）。これらの
ステップ１，２の結果を図３（ｂ）に示す。
（ａ）の評価パターンを有する露光マスクを作成し、旧
マスクプロセスにおける露光マスク上での測定パターン
の幅ＣＤとその最近接パターンまでの距離Ｓ（Design S
pace）との関係（一次元ＯＰＥカーブ）を取得する（ス
テップ１）。幅ＣＤは実測値、距離Ｓ（Design Space）
は設計値である。同様に、新マスクプロセスを用いて、
新マスクプロセスにおける露光マスク上でのＣＤとDesi
gn Spaceとの関係を収得する（ステップ２）。これらの
ステップ１，２の結果を図３（ｂ）に示す。
【００３２】次に、ステップ１，２の結果（新旧マスク
プロセス間でのマスク寸法差）に基づいて、新マスクプ
ロセスにおけるウェハ上でのＣＤとDesign Spaceとの関
係を計算にて取得する（ステップ３）。ステップ３の結
果を図３（ｃ）に示す。
プロセス間でのマスク寸法差）に基づいて、新マスクプ
ロセスにおけるウェハ上でのＣＤとDesign Spaceとの関
係を計算にて取得する（ステップ３）。ステップ３の結
果を図３（ｃ）に示す。
【００３３】次に、ステップ３にて取得したウェハ上で
のＣＤとDesign Spaceとの関係から、新ＯＰＣルール／
モデルを作成する（ステップ４）。
のＣＤとDesign Spaceとの関係から、新ＯＰＣルール／
モデルを作成する（ステップ４）。
【００３４】次に、マスクプロセスが変更になったとき
のＯＰＣルール／モデルの読み替え（二次元ＯＰＣ読み
替え）について、図４を用いて具体的に説明する。ここ
では、評価パターンとして、図４（ａ）、図４（ｂ）に
示すように、最近接する二つの長方形パターンの突き当
て間距離Ｓ（Design Space）を変化させたパターンを用
いる。
のＯＰＣルール／モデルの読み替え（二次元ＯＰＣ読み
替え）について、図４を用いて具体的に説明する。ここ
では、評価パターンとして、図４（ａ）、図４（ｂ）に
示すように、最近接する二つの長方形パターンの突き当
て間距離Ｓ（Design Space）を変化させたパターンを用
いる。
【００３５】まず、旧マスクプロセスを用いて、図４
（ａ）の評価パターンを有する露光マスクを作成し、こ
の露光マスク上での実測による突き当て間距離（Space
on Mask）と旧マスクプロセスにおける設計上の突き当
て間距離（Design Space）との関係を求める（ステップ
１）。同様に、新マスクプロセスを用いて、図４（ｂ）
の評価パターンを有する露光マスクを作成し、実測によ
る突き当て間距離（Space on Mask）と新マスクプロセ
スにおける設計値上の突き当て間距離（Design Space）
との関係（二次元ＯＰＥカーブ）を求める（ステップ
２）。これらのステップ１，２の結果を図３（ｂ）に示
す。
（ａ）の評価パターンを有する露光マスクを作成し、こ
の露光マスク上での実測による突き当て間距離（Space
on Mask）と旧マスクプロセスにおける設計上の突き当
て間距離（Design Space）との関係を求める（ステップ
１）。同様に、新マスクプロセスを用いて、図４（ｂ）
の評価パターンを有する露光マスクを作成し、実測によ
る突き当て間距離（Space on Mask）と新マスクプロセ
スにおける設計値上の突き当て間距離（Design Space）
との関係（二次元ＯＰＥカーブ）を求める（ステップ
２）。これらのステップ１，２の結果を図３（ｂ）に示
す。
【００３６】次に、ステップ１，２の結果（新旧マスク
プロセス間でのマスク寸法差）に基づいて、新マスクプ
ロセスにおけるウェハ上での突き当て間距離（Space on
Mask）と設計値上の突き当て間距離（Design Space）
との関係を取得するＣＤとDesign Spaceとの関係を計算
にて取得する（ステップ３）。ステップ３の結果を図４
（ｃ）に示す。
プロセス間でのマスク寸法差）に基づいて、新マスクプ
ロセスにおけるウェハ上での突き当て間距離（Space on
Mask）と設計値上の突き当て間距離（Design Space）
との関係を取得するＣＤとDesign Spaceとの関係を計算
にて取得する（ステップ３）。ステップ３の結果を図４
（ｃ）に示す。
【００３７】次に、ステップ３にて取得したウェハ上で
の突き当て間距離（Space on Mask）と設計値上の突き
当て間距離（Design Space）との関係から、新ＯＰＣル
ール／モデルを作成する（ステップ４）。
の突き当て間距離（Space on Mask）と設計値上の突き
当て間距離（Design Space）との関係から、新ＯＰＣル
ール／モデルを作成する（ステップ４）。
【００３８】図５に、新旧マスクプロセスでのマスクデ
ータ（ＣＤ−Ｓ関係）と旧マスクプロセスでのウェハデ
ータ（ＣＤ−Ｓ関係）から、新マスクプロセスでのウェ
ハデータ（ＣＤ−Ｓ関係）を取得する方法を示す。この
方法は、一次元ＯＰＣ読み替え、二次元ＯＰＣ読み替え
のいずれにも適用できる。
ータ（ＣＤ−Ｓ関係）と旧マスクプロセスでのウェハデ
ータ（ＣＤ−Ｓ関係）から、新マスクプロセスでのウェ
ハデータ（ＣＤ−Ｓ関係）を取得する方法を示す。この
方法は、一次元ＯＰＣ読み替え、二次元ＯＰＣ読み替え
のいずれにも適用できる。
【００３９】この方法は、マスク上での新旧マスクプロ
セス間のＣＤ−Ｓ関係の相違（ΔＣＤｍ）が、ウェハ上
での新旧マスクプロセス間のＣＤ−Ｓ関係の相違（ΔＣ
Ｄｗ）に反映されることを利用したものである。具体的
には、ΔＣＤｗは、ΔＣＤｍをＭＥＦ（Mask CD Error
Factor）で除算することによって推定できることを利用
する。ＭＥＦとは、図６に示すように、パターンピッチ
一定の条件下でのマスク寸法とウェハ寸法の相関を示す
ファクタ（変更したユニットプロセスとその後工程のユ
ニットプロセスとの相関係数）である。これを用いるこ
とでマスク上の寸法差がどれぐらいのウェハ上寸法差と
なるかが分かる。
セス間のＣＤ−Ｓ関係の相違（ΔＣＤｍ）が、ウェハ上
での新旧マスクプロセス間のＣＤ−Ｓ関係の相違（ΔＣ
Ｄｗ）に反映されることを利用したものである。具体的
には、ΔＣＤｗは、ΔＣＤｍをＭＥＦ（Mask CD Error
Factor）で除算することによって推定できることを利用
する。ＭＥＦとは、図６に示すように、パターンピッチ
一定の条件下でのマスク寸法とウェハ寸法の相関を示す
ファクタ（変更したユニットプロセスとその後工程のユ
ニットプロセスとの相関係数）である。これを用いるこ
とでマスク上の寸法差がどれぐらいのウェハ上寸法差と
なるかが分かる。
【００４０】（第２の実施形態）図７は、本発明の第２
の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があ
った場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
である。ここでは、ユニットプロセス群を構成するユニ
ットプロセスのうちリソグラフィプロセスに変更があっ
た場合について説明する。ここで言うリソグラフィプロ
セスの変更とは、露光装置の照明条件、レジストプロセ
ス、マスク条件（例えば通常マスクか位相シフトマスク
かなど）等のプロセスであり、さらにそれら各プロセス
を構成する一要因が変更された場合も含まれる。
の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があ
った場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
である。ここでは、ユニットプロセス群を構成するユニ
ットプロセスのうちリソグラフィプロセスに変更があっ
た場合について説明する。ここで言うリソグラフィプロ
セスの変更とは、露光装置の照明条件、レジストプロセ
ス、マスク条件（例えば通常マスクか位相シフトマスク
かなど）等のプロセスであり、さらにそれら各プロセス
を構成する一要因が変更された場合も含まれる。
【００４１】ユニットプロセス（ここではリソグラフィ
プロセス）に変更が生じた場合、ＯＰＣルール／モデル
を新たに作り直す必要がある。本実施形態は、この新し
いＯＰＣルール／モデルの作成方法に特徴があり、その
他は周知の半導体装置の製造方法と同じである。したが
って、以下の説明では、新しいＯＰＣルール／モデルの
作成方法を中心に説明する。
プロセス）に変更が生じた場合、ＯＰＣルール／モデル
を新たに作り直す必要がある。本実施形態は、この新し
いＯＰＣルール／モデルの作成方法に特徴があり、その
他は周知の半導体装置の製造方法と同じである。したが
って、以下の説明では、新しいＯＰＣルール／モデルの
作成方法を中心に説明する。
【００４２】本実施形態では、まず、変更前のリソグラ
フィプロセス（旧リソグラフィプロセス）を用いたユニ
ットプロセス群により作成した評価マスクの近接効果デ
ータと、変更後のリソグラフィプロセス（新リソグラフ
ィプロセス）を用いたユニットプロセス群により作成し
た評価マスクの近接効果データとに基づいて、新リソグ
ラフィプロセスでのＯＰＣルール／モデル（新ＯＰＣル
ール／モデル）を求める。
フィプロセス（旧リソグラフィプロセス）を用いたユニ
ットプロセス群により作成した評価マスクの近接効果デ
ータと、変更後のリソグラフィプロセス（新リソグラフ
ィプロセス）を用いたユニットプロセス群により作成し
た評価マスクの近接効果データとに基づいて、新リソグ
ラフィプロセスでのＯＰＣルール／モデル（新ＯＰＣル
ール／モデル）を求める。
【００４３】その後、リソグラフィプロセス変更前のＯ
ＰＣルール／モデル（旧ＯＰＣルール／モデル）のうち
リソグラフィプロセスでのＯＰＣルール／モデルを、上
記新リソグラフィプロセスでのＯＰＣルール／モデルに
読み替える。このようにして得られたＯＰＣルール／モ
デル（新ＯＰＣルール／モデル）を実際の製品のパター
ン形成に使用する露光マスク（本体マスク）の作成に用
い、製品にフィードバックをかける。
ＰＣルール／モデル（旧ＯＰＣルール／モデル）のうち
リソグラフィプロセスでのＯＰＣルール／モデルを、上
記新リソグラフィプロセスでのＯＰＣルール／モデルに
読み替える。このようにして得られたＯＰＣルール／モ
デル（新ＯＰＣルール／モデル）を実際の製品のパター
ン形成に使用する露光マスク（本体マスク）の作成に用
い、製品にフィードバックをかける。
【００４４】新リソグラフィプロセスでのＯＰＣルール
／モデル作成に必要な情報としては、図８に示すよう
に、旧ＯＰＣルール／モデルと、新旧リソグラフィプロ
セス間でのレジストパターンの寸法差、レジストパター
ンの形状差（断面形状差、平面形状差）があれば良い。
／モデル作成に必要な情報としては、図８に示すよう
に、旧ＯＰＣルール／モデルと、新旧リソグラフィプロ
セス間でのレジストパターンの寸法差、レジストパター
ンの形状差（断面形状差、平面形状差）があれば良い。
【００４５】旧ＯＰＣルール／旧ＯＰＣモデルは既に取
得されている。そのため、新ＯＰＣルール／モデルを作
成するために必要な新規の評価項目は、新旧リソグラフ
ィプロセス問でのレジストパターンの寸法差、レジスト
パターンの形状差の評価だけで済む。したがって、本実
施形態によれば、従来方法と比較して比較的平易かつ短
時間で新ＯＰＣルール／モデルを作成できる。
得されている。そのため、新ＯＰＣルール／モデルを作
成するために必要な新規の評価項目は、新旧リソグラフ
ィプロセス問でのレジストパターンの寸法差、レジスト
パターンの形状差の評価だけで済む。したがって、本実
施形態によれば、従来方法と比較して比較的平易かつ短
時間で新ＯＰＣルール／モデルを作成できる。
【００４６】（第３の実施形態）図９は、本発明の第３
の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があ
った場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
である。ここでは、ユニットプロセス群を構成するユニ
ットプロセスのうちエッチングプロセスに変更があった
場合について説明する。ここで言うエッチングプロセス
の変更とは、エッチング装置、エッチング条件、被エッ
チング材料（成膜条件の変更も含む）等であり、さらに
それら各プロセスを構成する一要因が変更された場合も
含まれる。
の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があ
った場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
である。ここでは、ユニットプロセス群を構成するユニ
ットプロセスのうちエッチングプロセスに変更があった
場合について説明する。ここで言うエッチングプロセス
の変更とは、エッチング装置、エッチング条件、被エッ
チング材料（成膜条件の変更も含む）等であり、さらに
それら各プロセスを構成する一要因が変更された場合も
含まれる。
【００４７】ユニットプロセス（ここではエッチングプ
ロセス）に変更が生じた場合、ＯＰＣルール／モデルを
新たに作り直す必要がある。本実施形態は、この新しい
ＯＰＣルール／モデルの作成方法に特徴があり、その他
は周知の半導体装置の製造方法と同じである。したがっ
て、以下の説明では、新しいＯＰＣルール／モデルの作
成方法を中心に説明する。
ロセス）に変更が生じた場合、ＯＰＣルール／モデルを
新たに作り直す必要がある。本実施形態は、この新しい
ＯＰＣルール／モデルの作成方法に特徴があり、その他
は周知の半導体装置の製造方法と同じである。したがっ
て、以下の説明では、新しいＯＰＣルール／モデルの作
成方法を中心に説明する。
【００４８】本実施形態では、まず、変更前のエッチン
グプロセス（旧エッチングプロセス）を用いたユニット
プロセス群により作成した評価マスクの近接効果データ
と、変更後のエッチングプロセス（新エッチングプロセ
ス）を用いたユニットプロセス群により作成した評価マ
スクの近接効果データとに基づいて、新エッチングプロ
セスでのＯＰＣルール／モデル（新ＯＰＣルール／モデ
ル）を求める。
グプロセス（旧エッチングプロセス）を用いたユニット
プロセス群により作成した評価マスクの近接効果データ
と、変更後のエッチングプロセス（新エッチングプロセ
ス）を用いたユニットプロセス群により作成した評価マ
スクの近接効果データとに基づいて、新エッチングプロ
セスでのＯＰＣルール／モデル（新ＯＰＣルール／モデ
ル）を求める。
【００４９】その後、エッチングプロセス変更前のＯＰ
Ｃルール／モデル（旧ＯＰＣルール／モデル）のうちエ
ッチングプロセスでのＯＰＣルール／モデルを、上記新
エッチングプロセスでのＯＰＣルール／モデルに読み替
える。このようにして得られたＯＰＣルール／モデル
（新ＯＰＣルール／モデル）を実際の製品のパターン形
成に使用する露光マスク（本体マスク）の作成に用い、
製品にフィードバックをかける。
Ｃルール／モデル（旧ＯＰＣルール／モデル）のうちエ
ッチングプロセスでのＯＰＣルール／モデルを、上記新
エッチングプロセスでのＯＰＣルール／モデルに読み替
える。このようにして得られたＯＰＣルール／モデル
（新ＯＰＣルール／モデル）を実際の製品のパターン形
成に使用する露光マスク（本体マスク）の作成に用い、
製品にフィードバックをかける。
【００５０】新エッチングプロセスでのＯＰＣルール／
モデル作成に必要な情報としては、図１０に示すよう
に、旧ＯＰＣルール／モデルと、新旧エッチングプロセ
ス間での被エッチング部材の寸法差、被エッチング部材
の形状差（断面形状差、平面形状差）があれば良い。
モデル作成に必要な情報としては、図１０に示すよう
に、旧ＯＰＣルール／モデルと、新旧エッチングプロセ
ス間での被エッチング部材の寸法差、被エッチング部材
の形状差（断面形状差、平面形状差）があれば良い。
【００５１】旧ＯＰＣルール／旧ＯＰＣモデルは既に取
得されている。そのため、新ＯＰＣルール／モデルを作
成するために必要な新規の評価項目は、新旧エッチング
プロセス問での被エッチング部材（例えば絶縁膜、金属
膜、半導体膜）の寸法差、被エッチング部材の形状差の
評価だけで済む。したがって、本実施形態によれば、従
来方法と比較して比較的平易かつ短時間で新ＯＰＣルー
ル／モデルを作成できる。
得されている。そのため、新ＯＰＣルール／モデルを作
成するために必要な新規の評価項目は、新旧エッチング
プロセス問での被エッチング部材（例えば絶縁膜、金属
膜、半導体膜）の寸法差、被エッチング部材の形状差の
評価だけで済む。したがって、本実施形態によれば、従
来方法と比較して比較的平易かつ短時間で新ＯＰＣルー
ル／モデルを作成できる。
【００５２】（第４の実施形態）図１１は、本発明の第
４の実施形態に係る露光マスクのパターン補正方法のフ
ローを模式的に示す図である。
４の実施形態に係る露光マスクのパターン補正方法のフ
ローを模式的に示す図である。
【００５３】第１〜第３の実施形態では、ユニットプロ
セス群を構成するユニットプロセスであるマスクプロセ
ス、リソグラフィプロセス、エッチングプロセスの一つ
をＯＰＣの対象とした場合について説明した。本実施形
態では、これらの三つのユニットプロセスの全てをＯＰ
Ｃの対象とした場合について説明する。
セス群を構成するユニットプロセスであるマスクプロセ
ス、リソグラフィプロセス、エッチングプロセスの一つ
をＯＰＣの対象とした場合について説明した。本実施形
態では、これらの三つのユニットプロセスの全てをＯＰ
Ｃの対象とした場合について説明する。
【００５４】具体的には、各ユニットプロセス毎にＯＰ
Ｃルール／モデルを設定し、各ユニットプロセス毎に露
光マスクのパターンの近接効果補正を行う。図１１に
は、エッチングプロセス、リソグラフィプロセス、マス
クプロセスの順で、ＯＰＣルール／モデルを設定、近接
効果補正を行う方法が示されている。このとき、ＯＰＣ
ルール／モデルの読み替えは、変更が生じたユニットプ
ロセスについてのみ行えば良い。
Ｃルール／モデルを設定し、各ユニットプロセス毎に露
光マスクのパターンの近接効果補正を行う。図１１に
は、エッチングプロセス、リソグラフィプロセス、マス
クプロセスの順で、ＯＰＣルール／モデルを設定、近接
効果補正を行う方法が示されている。このとき、ＯＰＣ
ルール／モデルの読み替えは、変更が生じたユニットプ
ロセスについてのみ行えば良い。
【００５５】これらの一連の近接効果補正を経て、実際
の製品のパターン形成に使用する露光マスク（本体マス
ク）の作成に必要な描画データが得られる。なお、図１
７の右側のフローは評価ウェハと製品の両方を示してい
る。
の製品のパターン形成に使用する露光マスク（本体マス
ク）の作成に必要な描画データが得られる。なお、図１
７の右側のフローは評価ウェハと製品の両方を示してい
る。
【００５６】ユニットプロセスによってはＯＰＣルール
ベース、ＯＰＣモデルベースのいずれかが良いかが異な
る可能性がある。その判断は、図１１に示されたＯＰＥ
のDesign Space（図ではSpaceと略記）の依存性から判
断できる。各ユニットプロセス毎で適切なＯＰＣの方式
（ＯＰＣルールベースまたはＯＰＣモデルベース）を選
択し、ＯＰＣのモデルおよびルールの最適化を図ること
により、ＯＰＣの高精度化が図れる。
ベース、ＯＰＣモデルベースのいずれかが良いかが異な
る可能性がある。その判断は、図１１に示されたＯＰＥ
のDesign Space（図ではSpaceと略記）の依存性から判
断できる。各ユニットプロセス毎で適切なＯＰＣの方式
（ＯＰＣルールベースまたはＯＰＣモデルベース）を選
択し、ＯＰＣのモデルおよびルールの最適化を図ること
により、ＯＰＣの高精度化が図れる。
【００５７】（第５の実施形態）図１２は、本発明の第
５の実施形態に係る露光マスクのパターン補正方法のフ
ローを模式的に示す図である。
５の実施形態に係る露光マスクのパターン補正方法のフ
ローを模式的に示す図である。
【００５８】本実施形態が第４の実施形態と異なる点
は、ＯＰＣの対象をエッチングプロセスと、マスクプロ
セスとリソグラフィプロセスを一つにまとめたプロセス
との２つに分けたことにある。これは経験的にマスクプ
ロセスのＯＰＥが他のユニットプロセス（リソグラフィ
プロセスとエッチングプロセス）に比べて小さいことに
よる。図１２には、エッチングプロセス、（リソグラフ
ィプロセス＋マスクプロセス）の順で、ＯＰＣルール／
モデルを設定、近接効果補正を行う方法が示されてい
る。このように同じユニットプロセスを適切なＯＰＣ方
式で一つにまとめることにより、ＯＰＣ処理の簡略を図
れる。特にマスクプロセスのように近接効果が小さいも
のを含む場合には非常に有効である。
は、ＯＰＣの対象をエッチングプロセスと、マスクプロ
セスとリソグラフィプロセスを一つにまとめたプロセス
との２つに分けたことにある。これは経験的にマスクプ
ロセスのＯＰＥが他のユニットプロセス（リソグラフィ
プロセスとエッチングプロセス）に比べて小さいことに
よる。図１２には、エッチングプロセス、（リソグラフ
ィプロセス＋マスクプロセス）の順で、ＯＰＣルール／
モデルを設定、近接効果補正を行う方法が示されてい
る。このように同じユニットプロセスを適切なＯＰＣ方
式で一つにまとめることにより、ＯＰＣ処理の簡略を図
れる。特にマスクプロセスのように近接効果が小さいも
のを含む場合には非常に有効である。
【００５９】ここでは、エッチングプロセスに適したＯ
ＰＣ方式と、（リソグラフィプロセス＋マスクプロセ
ス）に適したＯＰＣ方式を選択するが、一般には前者に
はルールベース、後者にはモデルベースを選択してい
く。これはエッチングのＯＰＥは一般に隣接パターンま
での距離に大きく依存し、（リソグラフィプロセス＋マ
スクプロセス）のＯＰＥは光学モデルと一致するからで
ある。
ＰＣ方式と、（リソグラフィプロセス＋マスクプロセ
ス）に適したＯＰＣ方式を選択するが、一般には前者に
はルールベース、後者にはモデルベースを選択してい
く。これはエッチングのＯＰＥは一般に隣接パターンま
での距離に大きく依存し、（リソグラフィプロセス＋マ
スクプロセス）のＯＰＥは光学モデルと一致するからで
ある。
【００６０】また、この場合も、第４の実施形態と同様
に、ＯＰＣの読み替えは、変更が生じたプロセスについ
てのみ行えば良く、また各プロセス毎に適切なベース
（ＯＰＣルールベースまたはＯＰＣモデルベース）を選
択し、ＯＰＣの高精度化が図れる。
に、ＯＰＣの読み替えは、変更が生じたプロセスについ
てのみ行えば良く、また各プロセス毎に適切なベース
（ＯＰＣルールベースまたはＯＰＣモデルベース）を選
択し、ＯＰＣの高精度化が図れる。
【００６１】（第６の実施形態）近年、パターン被覆率
に対する近接効果が顕在化しており、このパターン被覆
率を考慮してＯＰＣを行うことが重要となってきてい
る。被覆率パターンを考慮しない場合（従来）、図１３
に示すように、被覆率が固定された評価マスクを作成
し、この評価マスクを用いて一次元（１Ｄ）ＯＰＥカー
ブを取得し、これに基づいてＯＰＣルール／モデルを作
成し、製品に展開する。
に対する近接効果が顕在化しており、このパターン被覆
率を考慮してＯＰＣを行うことが重要となってきてい
る。被覆率パターンを考慮しない場合（従来）、図１３
に示すように、被覆率が固定された評価マスクを作成
し、この評価マスクを用いて一次元（１Ｄ）ＯＰＥカー
ブを取得し、これに基づいてＯＰＣルール／モデルを作
成し、製品に展開する。
【００６２】これに対して、被覆率パターンを考慮する
本実施形態の場合、図１４に示すように、複数の被覆率
についてそれぞれ評価マスクを作成し、これらの評価マ
スクを用いて複数の被覆率についてそれぞれ１Ｄ ＯＰ
Ｅカーブを取得し、これらの１Ｄ ＯＰＥカーブの中か
ら製品の被覆率に相当するものを選び、この選んだ１Ｄ
ＯＰＥカーブに基づいてＯＰＣルール／モデルを作成
し、実際の製品のパターン形成に展開する。
本実施形態の場合、図１４に示すように、複数の被覆率
についてそれぞれ評価マスクを作成し、これらの評価マ
スクを用いて複数の被覆率についてそれぞれ１Ｄ ＯＰ
Ｅカーブを取得し、これらの１Ｄ ＯＰＥカーブの中か
ら製品の被覆率に相当するものを選び、この選んだ１Ｄ
ＯＰＥカーブに基づいてＯＰＣルール／モデルを作成
し、実際の製品のパターン形成に展開する。
【００６３】図１５に、パターン被覆率を考慮した露光
マスクのパターン補正方法のフローを示す。ここでは、
ユニットプロセス群を構成するユニットプロセスのうち
エッチングプロセスに変更があった場合について説明す
る。
マスクのパターン補正方法のフローを示す。ここでは、
ユニットプロセス群を構成するユニットプロセスのうち
エッチングプロセスに変更があった場合について説明す
る。
【００６４】図１５（ａ）は、旧マスクプロセスでのマ
スク上での被覆率が異なる複数の１Ｄ ＯＰＥカーブ
（旧１Ｄ ＯＰＥカーブ）を示している。
スク上での被覆率が異なる複数の１Ｄ ＯＰＥカーブ
（旧１Ｄ ＯＰＥカーブ）を示している。
【００６５】図１５（ｂ）は、上記複数の旧１Ｄ ＯＰ
Ｅカーブの中から製品の被覆率に相当する１Ｄ ＯＰＥ
カーブに対応したＯＰＣルール／モデル（旧ＯＰＣルー
ル／モデル）を選ぶことによって、ウェハ上で十分な工
程能力が得られていることを示している。ここで言う工
程能力とは、ＯＰＥに対して許容される値（スペック:S
pec.）に対する、近接効果補正後のＯＰＥに対する比で
表されるものである。図１５（ｃ）、図１５（ｄ）の横
軸は、ウェハ上でのＣＤ−Ｓ関係から得られるＣＤの最
大値と最小値の差（ＣＤのばらつきの大きさ）である。
Ｅカーブの中から製品の被覆率に相当する１Ｄ ＯＰＥ
カーブに対応したＯＰＣルール／モデル（旧ＯＰＣルー
ル／モデル）を選ぶことによって、ウェハ上で十分な工
程能力が得られていることを示している。ここで言う工
程能力とは、ＯＰＥに対して許容される値（スペック:S
pec.）に対する、近接効果補正後のＯＰＥに対する比で
表されるものである。図１５（ｃ）、図１５（ｄ）の横
軸は、ウェハ上でのＣＤ−Ｓ関係から得られるＣＤの最
大値と最小値の差（ＣＤのばらつきの大きさ）である。
【００６６】マスクプロセスに変更が生じた場合、ま
ず、図１５（ｃ）に示すように、新マスクプロセスでの
マスク上での被覆率が異なる複数の１Ｄ ＯＰＥカーブ
（新１Ｄ ＯＰＥカーブ）を取得する。
ず、図１５（ｃ）に示すように、新マスクプロセスでの
マスク上での被覆率が異なる複数の１Ｄ ＯＰＥカーブ
（新１Ｄ ＯＰＥカーブ）を取得する。
【００６７】次に、図１５（ｄ）に示すように、新マス
クプロセスと旧ＯＰＣルール／モデルとでのウェハ上で
の工程能力を取得する。このとき、工程能力が許容され
る値（スペック:Spec.）内に収まっていれば、旧ＯＰＣ
ルール／モデルを使用する。収まっていない場合には、
工程能力が十分大きくなるように、ＯＰＣルール／モデ
ルの見直しを行なう。この見直しは第１の実施形態の新
ＯＰＣルール／モデルの取得方法に準じるここでは、マ
スクプロセスに変更が生じた場合について説明したが、
リソグラフィプロセスもしくはエッチングプロセスに変
更が生じた場合でも本発明は有効である。
クプロセスと旧ＯＰＣルール／モデルとでのウェハ上で
の工程能力を取得する。このとき、工程能力が許容され
る値（スペック:Spec.）内に収まっていれば、旧ＯＰＣ
ルール／モデルを使用する。収まっていない場合には、
工程能力が十分大きくなるように、ＯＰＣルール／モデ
ルの見直しを行なう。この見直しは第１の実施形態の新
ＯＰＣルール／モデルの取得方法に準じるここでは、マ
スクプロセスに変更が生じた場合について説明したが、
リソグラフィプロセスもしくはエッチングプロセスに変
更が生じた場合でも本発明は有効である。
【００６８】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、基板はＳｉ基板（Ｓｉウェ
ハ）等のように半導体材料で形成されたものの他に、例
えばガラス基板も使用可能である。
るものではない。例えば、基板はＳｉ基板（Ｓｉウェ
ハ）等のように半導体材料で形成されたものの他に、例
えばガラス基板も使用可能である。
【００６９】また、上記実施形態の露光マスクのパター
ン補正方法は、コンピュータに所定の手段を実行させる
ための（あるいはコンピュータを所定の手段として機能
させるための、あるいはコンピュータに所定の機能を実
現させるための）プログラムとして実施することもで
き、さらに該プログラムを記録したコンピュータ読取り
可能な記録媒体として実施することもできる。
ン補正方法は、コンピュータに所定の手段を実行させる
ための（あるいはコンピュータを所定の手段として機能
させるための、あるいはコンピュータに所定の機能を実
現させるための）プログラムとして実施することもで
き、さらに該プログラムを記録したコンピュータ読取り
可能な記録媒体として実施することもできる。
【００７０】また、上記実施形態には種々の段階の発明
が含まれており、開示される複数の構成要件における適
宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例え
ば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要
件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で
述べた課題を解決できる場合には、この構成要件が削除
された構成が発明として抽出され得る。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
が含まれており、開示される複数の構成要件における適
宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例え
ば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要
件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で
述べた課題を解決できる場合には、この構成要件が削除
された構成が発明として抽出され得る。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【００７１】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、Ｏ
ＰＣルール等が決定された後にユニットプロセスに変更
が生じても、短時間で新たなＯＰＣルール等を作成でき
る露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法お
よびプログラムを実現できるようになる。
ＰＣルール等が決定された後にユニットプロセスに変更
が生じても、短時間で新たなＯＰＣルール等を作成でき
る露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法お
よびプログラムを実現できるようになる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るユニットプロセ
ス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフ
ローを模式的に示す図
ス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフ
ローを模式的に示す図
【図２】同実施形態に係る新ＯＰＣルール／モデルの取
得方法の流れを模式的に示す図
得方法の流れを模式的に示す図
【図３】ＯＰＣルール／モデルの読み替え（一次元ＯＰ
Ｃ読み替え）を説明するための図
Ｃ読み替え）を説明するための図
【図４】ＯＰＣルール／モデルの読み替え（二次元ＯＰ
Ｃ読み替え）を説明するための図
Ｃ読み替え）を説明するための図
【図５】新旧マスクプロセスでのマスクデータと旧マス
クプロセスでのウェハデータから、新マスクプロセスで
のウェハデータを取得する方法を説明するための図
クプロセスでのウェハデータから、新マスクプロセスで
のウェハデータを取得する方法を説明するための図
【図６】ＭＥＦの定義を説明するための図
【図７】本発明の第２の実施形態に係るユニットプロセ
ス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフ
ローを模式的に示す図
ス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフ
ローを模式的に示す図
【図８】同実施形態に係る新ＯＰＣルール／モデルの取
得方法の流れを模式的に示す図
得方法の流れを模式的に示す図
【図９】本発明の第３の実施形態に係るユニットプロセ
ス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフ
ローを模式的に示す図
ス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフ
ローを模式的に示す図
【図１０】同実施形態に係る新ＯＰＣルール／モデルの
取得方法の流れを模式的に示す図
取得方法の流れを模式的に示す図
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る露光マスクの
パターン補正方法のフローを模式的に示す図
パターン補正方法のフローを模式的に示す図
【図１２】本発明の第５の実施形態に係る露光マスクの
パターン補正方法のフローを模式的に示す図
パターン補正方法のフローを模式的に示す図
【図１３】被覆率パターンを考慮しない従来のＯＰＣを
示す図
示す図
【図１４】被覆率パターンを考慮した本発明のＯＰＣを
示す図
示す図
【図１５】本発明の第６の実施形態に係るパターン被覆
率を考慮した露光マスクのパターン補正方法を説明する
ための図
率を考慮した露光マスクのパターン補正方法を説明する
ための図
【図１６】従来のユニットプロセス群の一部に変更があ
った場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
った場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
【図１７】従来のＯＰＣのフローを示す図
【図１８】従来のＯＰＣモデル化の手法を示す図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 聡 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 臼井 聡 大分県大分市大字松岡3500番地 株式会社 東芝大分工場内 Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BB02 BB36
Claims (8)
- 【請求項１】露光マスクを用いた基板上のパターン形成
に係るユニットプロセス群を用意する工程であって、前
記ユニットプロセス群として、前記露光マスクの製造に
係るユニットプロセス、前記基板上のリソグラフィに係
るユニットプロセス、および前記基板上のエッチングに
係るユニットプロセスを含むものを用意する工程と、前
記ユニットプロセス群を構成する複数のユニットプロセ
スの一部に変更が生じた場合、該変更が生じたユニット
プロセスについての変更前および変更後の近接効果デー
タに基づいて補正ルールもしくは補正モデルを設定し、
前記露光マスクのパターンの近接効果補正を行う工程と
を有することを特徴とする露光マスクのパターン補正方
法。 - 【請求項２】前記補正ルールもしくは補正モデルの設定
の一部もしくは全てに実験データもしくはシミュレーシ
ョンデータを用いることを特徴とする請求項１に記載の
露光マスクのパターン補正方法。 - 【請求項３】前記変更後の近接効果データは、前記変更
したユニットプロセスとその後工程のユニットプロセス
との相関係数を用いて取得することを特徴とする請求項
１または２に記載の露光マスクのパターン補正方法。 - 【請求項４】前記変更が生じたユニットプロセスの数が
複数の場合、変更した各ユニットプロセス毎に前記露光
マスクのパターンの前記近接効果補正を行うことを特徴
とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光マ
スクのパターン補正方法。 - 【請求項５】前記露光マスクの製造に係るユニットプロ
セス、前記リソグラフィに係るユニットプロセス、およ
び前記エッチングに係るユニットプロセスが変更した場
合、前記エッチングに係るユニットプロセスについて前
記露光マスクのパターンの前記近接効果補正を行った
後、前記露光マスクの製造に係るユニットプロセスと前
記リソグラフィに係るユニットプロセスとをまとめたも
のについて前記露光マスクのパターンの前記近接効果補
正を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか
１項に記載の露光マスクのパターン補正方法。 - 【請求項６】前記近接効果効果の補正のために用いるデ
ータは、パターン被覆率に対する近接効果データを含む
ことを特徴とする請求項１または５のいずれか１項に記
載の露光マスクのパターン補正方法。 - 【請求項７】基板上にパターンを形成するための露光マ
スクを形成する工程と、前記パターンの形成に係るユニ
ットプロセス群の一部に変更が生じた場合、請求項１な
いし６のいずれか１項に記載の露光マスクのパターン補
正方法を用いて前記露光マスクのパターン補正を行う工
程と、このパターン補正を行った露光マスクを用いて基
板上にパターンを形成する工程とを有することを特徴と
するパターン形成方法。 - 【請求項８】コンピュータに、露光マスクを用いた基板
上のパターン形成に係るユニットプロセス群を入力させ
る手順であって、前記ユニットプロセス群として、前記
露光マスクの製造に係るユニットプロセス、前記基板上
のリソグラフィに係るユニットプロセス、および前記基
板上のエッチングに係るユニットプロセスを含むものを
入力させる手順と、前記ユニットプロセス群を構成する
複数のユニットプロセスの一部に変更が生じた場合、該
変更が生じたユニットプロセスについての変更前および
変更後の近接効果データに基づいて補正ルールもしくは
補正モデルを設定し、前記露光マスクのパターンの近接
効果補正を行わせる手順とを実行させるためのプログラ
ム。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005189362A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク設計処理システム |
| JP2005338650A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Toshiba Corp | パターンのデータ作成方法、及びパターン検証手法 |
| JP2006235327A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | マスクパターンデータ・マスク検査データ作成方法、及びフォトマスクの製造・検査方法 |
| JP2006259157A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスクデータ生成方法 |
| US7213226B2 (en) | 2003-08-20 | 2007-05-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern dimension correction method and verification method using OPC, mask and semiconductor device fabricated by using the correction method, and system and software product for executing the correction method |
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Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6721938B2 (en) * | 2001-06-08 | 2004-04-13 | Numerical Technologies, Inc. | Optical proximity correction for phase shifting photolithographic masks |
| JP3592666B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2004-11-24 | 株式会社東芝 | 露光用マスクパターンの補正方法、プログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
| CA2391599C (fr) * | 2002-06-28 | 2007-05-08 | Michel Boucher | Systeme de gestion et d'operations d'une machine distributrice |
| US7302376B2 (en) * | 2002-08-15 | 2007-11-27 | International Business Machines Corporation | Device modeling for proximity effects |
| JP2005172920A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Toshiba Corp | 危険パターン抽出方法及び危険パターン抽出プログラム |
| US7264906B2 (en) * | 2004-03-05 | 2007-09-04 | Lsi Corporation | OPC based illumination optimization with mask error constraints |
| US7350183B2 (en) * | 2004-11-05 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Method for improving optical proximity correction |
| US7743357B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-06-22 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for determining a process model that models the impact of CAR/PEB on the resist profile |
| KR100801737B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2008-02-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 패턴의 광근접 효과 보정 방법 |
| KR100824620B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2008-04-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 광 근접 보정 방법 |
| CN101398859B (zh) * | 2007-09-29 | 2010-09-08 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 把光罩偏差放大系数引入光学邻近效应建模的方法 |
| US8724408B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-05-13 | Kingtiger Technology (Canada) Inc. | Systems and methods for testing and assembling memory modules |
| CN104749872B (zh) * | 2013-12-27 | 2019-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 形成掩模板图形的方法 |
| US20220382142A1 (en) * | 2021-05-31 | 2022-12-01 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Method for correcting mask pattern, apparatus for correcting mask pattern and method for manufacturing semiconductor device |
| CN115480443A (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-16 | 长鑫存储技术有限公司 | 掩膜版图形的修正方法、装置以及半导体器件的制作方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5553273A (en) * | 1995-04-17 | 1996-09-03 | International Business Machines Corporation | Vertex minimization in a smart optical proximity correction system |
| US5663893A (en) * | 1995-05-03 | 1997-09-02 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Method for generating proximity correction features for a lithographic mask pattern |
| JP3934719B2 (ja) | 1995-12-22 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 光近接効果補正方法 |
| US5862058A (en) * | 1996-05-16 | 1999-01-19 | International Business Machines Corporation | Optical proximity correction method and system |
| JP3551660B2 (ja) * | 1996-10-29 | 2004-08-11 | ソニー株式会社 | 露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光方法 |
| JP3954216B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2007-08-08 | 株式会社東芝 | マスクデータ設計方法 |
| JP2001083689A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 半導体製造用マスクのパターン補正方法およびそのパターン補正方法を記録した記録媒体 |
| US6335130B1 (en) * | 2000-05-01 | 2002-01-01 | Asml Masktools Netherlands B.V. | System and method of providing optical proximity correction for features using phase-shifted halftone transparent/semi-transparent features |
-
2001
- 2001-04-23 JP JP2001124683A patent/JP4460794B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7213226B2 (en) | 2003-08-20 | 2007-05-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern dimension correction method and verification method using OPC, mask and semiconductor device fabricated by using the correction method, and system and software product for executing the correction method |
| JP2005189362A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク設計処理システム |
| US7691542B2 (en) | 2004-01-16 | 2010-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure system, test mask for flare testing, method for evaluating lithography process, method for evaluating exposure tools, method for generating corrected mask pattern, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2005338650A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Toshiba Corp | パターンのデータ作成方法、及びパターン検証手法 |
| JP4528558B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-08-18 | 株式会社東芝 | パターンのデータ作成方法、及びパターン検証手法 |
| JP2006235327A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | マスクパターンデータ・マスク検査データ作成方法、及びフォトマスクの製造・検査方法 |
| JP2006259157A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスクデータ生成方法 |
| JP4713188B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | マスクデータ生成方法 |
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