CN1383188A - 曝光掩模的图案修正方法和半导体器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种曝光掩模的图案修正方法,包括:准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组;在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下,使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块;以及使用所述修正规则或所述修正模块,在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。还涉及使用上述修正方法的半导体器件的制造方法。
Description
相关申请的交叉引用
本申请基于并主张2001年4月23日提交的在先日本专利申请2001-124683的优先权权益，其全部内容在此参考引用。
技术领域
本发明涉及一种曝光掩模的图案修正方法、图案形成方法和程序，具体而言，涉及一种减小邻近效应影响的曝光掩模的图案修正方法、图案形成方法和计算机可读取的记录媒体。
背景技术
近年来，对半导体器件的电路图案尺寸细微化的要求加速。同时，即使按设计图案制作曝光掩模，在晶片上也会产生所谓不能按设计图案形成图案的现象。该现象被称为晶片上的OPE(光学邻近效应)。
所述OPE大致起因于掩模工序、平版印刷工序、蚀刻工序。具体而言，若为所述平版印刷工序的情况，则起因于光刻胶的显影，若为所述蚀刻工序的情况，则起因于加载效应。虽然所述平版印刷工序是所述OPE的光学主要原因，但所述掩模工序、所述蚀刻工序不是所述OPE的光学的主要原因。
作为修正所述OPE的技术，提出了各种OPC(光学邻近修正)技术。图16表示进行所述OPC的修正规则(在规则库OPC的情况下，下面称为OPC规则。)或修正模块(在规则库OPC的情况下，下面称为OPC模块。)的制作顺序和所述OPC规则或所述OPC模块(OPC规则/模块)对制品的反馈。
如图16所示，当制作OPC规则/模块时，使用设计数据和与所述制品相同的蚀刻工序来制作被称为OPC TEG掩模的评价掩模。接着，使用所述评价掩模和与所述制品相同的平版印刷工序，在晶片上形成抗蚀剂图案。之后，使用所述抗蚀剂图案和与所述制品相同的蚀刻工序来加工所述晶片，制作评价晶片。然后，对所述评价晶片进行OPE评价，制作使形成于所述评价晶片上的图案和所述设计数据的图案一致的规则/模块，即OPC规则/模块。所述OPC规则/模块适用于制品的主体掩模的制作。
图17表示现有的得到OPC模块的方法。在所述方法中，选择复高斯函数G的系数Ci、ΔLi，使实验所得的晶片尺寸(CDexp)和计算所得的晶片尺寸(CDsim)一致(CDexp＝CDsim)。
实施OPC的制品单元工序组(掩模工序、平版印刷工序、蚀刻印刷工序等)与为了获得OPC规则/模块而制作的评价掩模的单元工序组必须相同。
理由如下：当这些单元工序组不同时，所述评价晶片的OPE与所述制品的OPE不同，有可能制作的OPC规则/模块变得无效。
构成所述制品的所述单元工序组的多个单元工序(掩模工序、平版印刷工序、蚀刻印刷工序)与开发的流程同时进步。因此，在暂时确定OPC规则/模块后，在所述制品的所述多个单元工序的任一个工序中都会产生变更。
此时，在现有技术中，使用与包含产生变更的单元工序的制品相同的单元工序组来制作新的评价晶片，从所述评价晶片的OPE评价结果来制作新的OPC规则/模块。
但是，因为在OPC规则/模块的制作中花费时间，在实施反映所述新的OPC规则/模块的制品的图案形成方法之前，存在花费时间的问题。
发明概述
根据本发明的一个方面的曝光掩模的图案修正方法包括：准备包含使用曝光掩模而在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序，关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据；使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。
根据本发明的一个方面的半导体器件的制造方法包括：准备包含使用曝光掩模而在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序，关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据；使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正；使用实施了所述邻近效应修正的所述曝光掩模，在所述衬底上形成所述图案。
根据本发明的一个方面的计算机程序产品包括：计算机可读媒体；所述媒体上记录有：将包含使用曝光掩模而在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组读入计算机的第一程序指令，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；所述媒体上记录有：在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块的第二程序指令，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据。
附图的简要描述
图1是表示根据本发明第一实施例的单元工序组的一部分变更的情况下的图案形成方法的流程图；
图2是表示根据第一实施例的新的OPC规则/模块的取得方法的流程图；
图3A-3C是说明改写一维OPC的图；
图4A-4D是说明改写二维OPC的图；
图5A和5B是说明根据新旧掩模工序中的掩模数据和旧掩模工序中的晶片数据，而取得新的掩模工序的晶片数据的方法的图；
图6是说明MEF定义的图；
图7是表示根据本发明第二实施例的单元工序组的一部分变更的情况下的图案形成方法的流程图；
图8是表示根据第二实施例的新的OPC规则/模块的取得方法的流程图；
图9是表示根据本发明第三实施例的单元工序组的一部分变更的情况下的图案形成方法的流程图；
图10是表示根据第三实施例的新的OPC规则/模块的取得方法的流程图；
图11是表示根据本发明第四实施例的曝光掩模的图案修正方法的流程图；
图12是表示根据本发明第五实施例的曝光掩模的图案修正方法的流程图；
图13A和13B是说明不考虑覆盖率图案的OPC的图；
图14A和14B是说明考虑覆盖率图案的OPC的图；
图15A到15D是说明根据本发明第六实施例的考虑了图案覆盖率的曝光掩模图案修正方法的图；
图16是表示现有的单元工序组的一部分中存在变更的情况下的图案形成方法的流程图；
图17表示现有的OPC模块化方法的图；
图18是说明本发明其它实施例的图。
实施发明的具体方式
下面参照附图来说明本发明的实施例。
(第一实施例)
图1是表示根据本发明第一实施例的单元工序组的一部分变更的情况下的图案形成方法的流程图。这里，说明构成单元工序组的多个单元工序中关于曝光掩模制造的工序(掩模工序)中存在变更的情况。
这里所称的掩模工序的变更是曝光掩模制作时的描绘工序、平版印刷工序、曝光掩模(玻璃衬底上的遮光膜)的蚀刻工序等工序，还包含变更构成这些各工序的子工序的情况。另外，作为对象的图案是在例如Si衬底(Si晶片)上形成的电路图案。
在单元工序(这里为掩模工序)中产生变更的情况下，因为曝光掩模的图案修正方法，所以有必要重新更改OPC规则/模块。
本实施例的特征在于该新的OPC规则/模块的制作方法，其它的内容与公知的图案形成方法相同。因此，在下面的说明中，主要说明新的OPC规则/模块的制作方法。
在本实施例中，首先根据变更前的掩模工序(旧掩模工序)中所得的评价掩模邻近效应数据和关于变更后的曝光掩模制造的掩模工序(新掩模工序)中所得的评价掩模的邻近效应数据，制作新掩模工序中的OPC规则/模块(新OPC规则/模块)。
之后，将掩模工序变更前的OPC规则/模块(旧OPC规则/模块)中掩模工序中的OPC规则/模块改写成上述新掩模工序中的OPC规则/模块。
将由此得到的OPC规则/模块(新OPC规则/模块)用于实际制品的电路图案形成中使用的曝光掩模(主体掩模)的制作中，更新制品的图案工序。
作为新掩模工序中的OPC规则/模块的制作所必需的信息，如图2所示，最好存在旧OPC规则/模块和新旧掩模工序之间的掩模的尺寸差或掩模的形状差(截面形状差、平面形状差)。
已取得旧OPC规则/旧OPC模块。因此，制作新OPC规则/模块所必需的新的评价项目仅通过新旧掩模工序之间的掩模尺寸差、掩模形状差的评价来完成。因此，根据本实施例，与现有方法相比，可较容易地在短时间内制作新OPC规则/模块。
下面用图3A-3C来具体说明变更掩模工序时的OPC模块/工序的改写(一维OPC改写)。这里，所谓OPC规则/模块的改写是指不进行评价晶片的制作、评价，而仅用新旧掩模的制作、评价来将旧掩模工序中的OPC规则/模块变更为新掩模工序中的OPC规则/模块。这里，作为评价图案，如图3所示，使用使测定图案到最接近图案的距离S(设计距离)变化的图案。
首先，使用旧掩模工序，制作具有图3A的评价图案的曝光掩模，取得旧掩模工序中的曝光掩模上的测定图案宽度CD和到其最接近图案的距离S(设计距离)的关系(一维OPE间隙(步骤1)。宽度CD是实测值，距离S(设计距离)是设计值。同样，使用新掩模工序，取得新掩模工序中曝光掩模上的CD和设计距离的关系(步骤2)。图3B中表示这些步骤1、2。
下面，根据步骤1、2的结果(新旧掩模工序之间的掩模尺寸差)，通过计算得到新掩模工序中的晶片上的CD和设计距离之间的关系(步骤3)。图3C中表示步骤3的结果。
下面，根据步骤3中取得的晶片上的CD和设计距离的关系，制作新OPC规则/模块(步骤4)。
下面，用图4A-4D来说明掩模工序变更时的OPC规则/模块的改写(二维OPC改写)。这里，作为评价图案，如图4A和图4B所示，使用使最接近的两个长方形图案面对面之间距离S(设计距离)变化的图案。
首先，使用旧掩模工序来制作具有图4A的评价图案的曝光掩模，求出该曝光掩模上因实测引起的面对面间距离(掩模上距离)和旧掩模工序中的设计上的面对面间距离(设计距离)的关系(步骤1)。同样，使用新掩模工序来制作具有图4B的评价图案的曝光掩模，求出因实测引起的面对面间距离(掩模上距离)和新掩模工序中的设计上的面对面间距离(设计距离)的关系(二维OPE间隙)(步骤2)。图4C中表示这些步骤1、2的结果。
下面根据步骤1、2的结果(新旧掩模工序之间的掩模尺寸差)，通过计算取得获得新掩模工序中的晶片上面对面间距离(掩模上距离)和设计值上的面对面间距离(设计距离)关系的CD和设计距离的关系(步骤3)。在步骤3中，使用被称为MEF的因子来进行从掩模尺寸到晶片尺寸的变换，这在后面说明(图5、6)。图4D中表示步骤3的结果。
接着，根据步骤3中取得的晶片上的面对面间距离(掩模上距离)和设计值上的面对面间距离(设计距离)的关系，制作新OPC规则/模块(步骤4)。
图5A和5B中表示根据新旧掩模工序中的掩模数据(CD-S关系)和旧掩模工序中的晶片数据(CD-S关系)，而取得新的掩模工序的晶片数据的方法。该方法在一维OPC改写、二维OPC改写中都适用。
该方法是利用将掩模上的新旧掩模工序之间的CD-S关系的差别(ΔCDm)反映在晶片上的新旧掩模工序之间的CD-S关系的差别(ΔCDw)上。具体而言，ΔCDw可通过用ΔCDm除以MEF(掩模CD误差因子)来推定。如图6所示，所谓MEF是表示图案间距一定条件下的掩模尺寸和晶片尺寸的相关的因子(变更后的单元工序和其后工序的单元工序之间的相关系数)。可知，通过该因子可将掩模上的尺寸差大致变成晶片上的尺寸差。
(第二实施例)
图7是表示根据本发明第二实施例的单元工序组的一部分变更的情况下的图案形成方法的流程图。这里，说明构成单元工序组的多个单元工序中的平版印刷工序中存在变更的情况。这里所称的平版印刷工序的变更是曝光装置的照明条件、抗蚀剂工序、掩模条件(例如通常掩模或移相掩模等)等工序，还包含变更构成这些各工序的子工序的情况。
在单元工序(这里是平版印刷工序)中产生变更的情况下，有必要重新更改OPC规则/模块。本实施例的特征在于该新的OPC规则/模块的制作方法，其它内容与公知的半导体器件的制造方法一致。因此，在下面的说明中，主要说明新的OPC规则/模块的制作方法。
在本实施例中，首先根据由使用变更前的平版印刷工序(旧平版印刷工序)的单元工序组制作的评价掩模的邻近效应数据和由使用变更后的平版印刷工序(新平版印刷工序)的单元工序组制作的评价掩模的邻近效应数据，求出新平版印刷工序中的OPC规则/模块(新OPC规则/模块)。
之后，将平版印刷工序变更前的OPC规则/模块(旧OPC规则/模块)中平版印刷工序中的OPC规则/模块改写成上述新平版印刷工序中的OPC规则/模块。将由此得到的OPC规则/模块(新OPC规则/模块)用于实际制品的图案形成中使用的曝光掩模(主体掩模)的制作中，更新制品的图案工序。
作为新平版印刷工序中的OPC规则/模块的制作所必需的信息，如图8所示，最好存在旧OPC规则/模块和新旧平版印刷工序之间的抗蚀剂图案的尺寸差或抗蚀剂图案的形状差(截面形状差、平面形状差)。
已取得旧OPC规则/旧OPC模块。因此，制作新OPC规则/模块所必需的新的评价项目仅通过新旧平版印刷工序之间的抗蚀剂图案尺寸差、抗蚀剂图案形状差的评价来完成。因此，根据本实施例，与现有方法相比，可较容易地在短时间内制作新OPC规则/模块。
(第三实施例)
图9是表示根据本发明第三实施例的单元工序组的一部分变更的情况下的图案形成方法的流程图。这里，说明构成单元工序组的多个单元工序中的蚀刻工序中存在变更的情况。这里所称的蚀刻工序的变更是蚀刻装置、蚀刻条件、被蚀刻材料(还包含成膜条件的变更)等，还包含变更构成这些各工序的子工序的情况。
在单元工序(这里是蚀刻工序)中产生变更的情况下，有必要重新更改OPC规则/模块。本实施例的特征在于该新的OPC规则/模块的制作方法，其它内容与公知的半导体器件的制造方法一致。因此，在下面的说明中，主要说明新的OPC规则/模块的制作方法。
在本实施例中，首先根据由使用变更前的蚀刻工序(旧蚀刻工序)的单元工序组制作的评价掩模的邻近效应数据和由使用变更后的蚀刻工序(新蚀刻工序)的单元工序组制作的评价掩模的邻近效应数据，求出新蚀刻工序中的OPC规则/模块(新OPC规则/模块)。
之后，将蚀刻工序变更前的OPC规则/模块(旧OPC规则/模块)中蚀刻工序中的OPC规则/模块改写成上述新蚀刻工序中的OPC规则/模块。将由此得到的OPC规则/模块(新OPC规则/模块)用于实际制品的图案形成中使用的曝光掩模(主体掩模)的制作中，更新制品的图案工序。
作为新蚀刻工序中的OPC规则/模块的制作所必需的信息，如图10所示，最好存在旧OPC规则/模块和新旧蚀刻工序之间的被蚀刻部件的尺寸差或被蚀刻部件的形状差(截面形状差、平面形状差)。
已取得旧OPC规则/旧OPC模块。因此，制作新OPC规则/模块所必需的新的评价项目仅通过新旧蚀刻工序之间的被蚀刻部件(例如绝缘膜、金属膜、半导体膜)的尺寸差、被蚀刻部件的形状差的评价来完成。因此，根据本实施例，与现有方法相比，可较容易地在短时间内制作新OPC规则/模块。
(第四实施例)
图11是表示根据本发明第四实施例的曝光掩模的图案修正方法的流程图。
在第一至第三实施例中，说明了将作为构成单元工序组的单元工序的掩模工序、平版印刷工序、蚀刻工序中的一个作为OPC对象的情况。在本实施例中，说明将这三个单元工序全部作为OPC对象的情况。
具体而言，对每个单元工序设定OPC规则/模块，对每个单元工序进行曝光掩模图案的邻近效应修正。在图11中，表示按照掩模工序、平版印刷工序、蚀刻工序的顺序来设定OPC规则/模块，进行邻近效应修理的方法。此时，也可仅对产生变更的单元工序进行OPC规则/模块的改写。
经过这一连串的邻近效应修正，得到实际制品的图案形成中使用的曝光掩模(主体掩模)制作所必需的描绘数据。另外，图17右侧的流程表示评价晶片和制品双方。
通过单元工序存在OPC规则库、OPC模块库中哪一个良好不同的可能性。该判断可根据图11所示的OPE的设计距离(图中省略为距离)的依赖性来进行判断。选择适于每个单元工序的OPC方式(OPC规则库或OPC模块库)，实现OPC的模块或规则的最佳化，可实现OPC的高精度化。
(第五实施例)
图12是表示根据本发明第五实施例的曝光掩模的图案修正方法的流程图。
本实施例与第四实施例的不同之处在于，为蚀刻OPC对象的工序和将掩模工序和平版印刷工序合为一个工序的两个工序。经验上，掩模工序的OPE比其它单元工序(平版印刷工序和蚀刻工序)小。图12表示按照蚀刻工序、(平版印刷工序+掩模工序)的顺序设定OPC规则/模块、进行邻近效应修正的方法。因此，通过适当的OPC方式将相同的单元工序合为一个，可实现OPC处理的简化。特别是，在包含掩模工序等邻近效应小的情况下非常有效。
这里，选择适于蚀刻工序的OPC方式和适于(平版印刷工序+掩模工序)的OPC方式，但通常在前者中选择规则库，在后者中选择模块库。这是因为蚀刻OPE通常很大程度依赖于至邻近图案的距离，且(平版印刷工序+掩模工序)的OPE与光学模块大致。
另外，此时与第四实施例相同，也可仅对产生变更的工序进行OPC的改写，对每个工序选择适当的库(OPC规则库或OPC模块库)，实现OPC的高精度化。
(第六实施例)
近年来，对于图案覆盖率的邻近效应变得显著，考虑到该图案覆盖率，重要的是进行OPC。在不考虑覆盖率图案的情况下(以前)，制作覆盖率固定的评价掩模，使用该评价掩模来取得一维(1D)OPE间隙(图13A)，据此来制作OPC规则/模块，在制品中展开(图13B)。
与此相反，在考虑了覆盖率图案的本实施例的情况下，对多个覆盖率分别制作评价掩模，使用这些评价掩模，对多个覆盖率分别取得1D OPE间隙(图14A)，从这些1D OPE间隙中选择相当于制品覆盖率的1D OPE间隙，根据该选择到的1D OPE间隙来制作OPC规则/模块，在实际的制品图案形成中展开(图14B)。
图15A-15D表示考虑了图案覆盖率的曝光掩模的图案修正方法的流程。这里说明构成单元工序组的多个单元工序中的蚀刻工序中存在变更的情况。
图15A表示旧掩模工序中掩模上的覆盖率不同的多个1D OPE间隙(旧1DOPE间隙)。
图15B表示通过从上述多个旧1D OPE间隙中选择对应于与制品覆盖率相当的1D OPE间隙的OPC规则/模块(旧OPC规则/模块)来获得晶片上充分的工序能力。这里所称的工序能力是用相对于OPE的允许值(距离：Spec.)、相对于邻近效应修正后的OPE的比来表示的。图15C、图15D的横轴为根据晶片上CD-S关系得到的CD的最大值和最小值的差(CD参差不齐的大小)。
在掩模工序中产生变更的情况下，首先，如图15C所示，取得新掩模工序中在掩模上覆盖率不同的多个1D OPE间隙(新1D OPE间隙)。
接着，如图15D所示，取得新掩模工序和旧OPC规则/模块中晶片上的工序能力。此时，若工序能力在允许值(距离：Spec.)内，则使用旧OPC规则/模块。当不在允许值内的情况下，更改OPC规则/模块，使工序能力充分大。该更改可根据第一实施例的新OPC规则/模块的取得方法。
这里，说明了掩模工序中产生变更的情况，但即使在平版印刷工序或蚀刻工序中也产生变更的情况下，本发明仍有效。
本发明不限于上述实施例。例如，衬底除由Si衬底(Si晶片)等半导体材料形成外，也可使用例如玻璃衬底形成。
另外，本发明可作为记录在计算机中执行上述实施例的曝光掩模图案修正方法的程序的计算机程序产品来实施。上述计算机程序产品是例如CD-ROM。
具体而言，如图18所示，上述CD-ROM包括：将包含使用曝光掩模而在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组读入计算机12中的第一程序指令13，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序，关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块的第二程序指令14，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据。
上述计算机程序产品不限于CD-ROM，也可是DVD等记录媒体。
对于本领域的技术人员而言，其它的优点和变更是显而易见的。因此，本发明在其宽的方面不限于这里所示和所述的特定细节和代表性的实施例。因此，在不脱离下面权利要求及其等效定义的一般发明概念的精神或范围下，可进行各种变更。
Claims (20)
1.一种曝光掩模的图案修正方法，包括：
准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；
在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据；以及
使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。
2.根据权利要求1所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，所述第一和第二邻近效应数据包含实验数据或模拟数据。
3.根据权利要求1所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，所述第二邻近效应数据包含使用相关系数取得的数据，所述相关系数是在产生所述变更后的所述至少一个单元工序和产生所述变更后的所述至少一个单元工序后执行的单元工序之间的系数。
4.根据权利要求2所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，所述第二邻近效应数据包含使用相关系数取得的数据，所述相关系数是在产生所述变更后的所述至少一个单元工序和产生所述变更后的所述至少一个单元工序后执行的单元工序之间的系数。
5.根据权利要求1所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在所述多个单元工序中的两个以上的单元工序中产生变更的情况下，对平均一个所述曝光掩模实施修正起因于所述两个以上单元程序的邻近效应的两个以上的邻近效应修正。
6.根据权利要求2所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在所述多个单元工序中的两个以上的单元工序中产生变更的情况下，对平均一个所述曝光掩模实施修正起因于所述两个以上单元程序的邻近效应的两个以上的邻近效应修正。
7.根据权利要求3所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在所述多个单元工序中的两个以上的单元工序中产生变更的情况下，对平均一个所述曝光掩模实施修正起因于所述两个以上单元程序的邻近效应的两个以上的邻近效应修正。
8.根据权利要求1所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在关于所述曝光掩模的制造的所述单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序和关于所述衬底的蚀刻的所述单元工序中产生变更的情况下，对所述曝光掩模实施修正起因于关于所述衬底蚀刻的所述单元工序的邻近效应的邻近效应修正，对所述曝光掩模实施修正起因于将关于所述曝光掩模制造的所述单元工序和关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序统一成一个的工序的邻近效应的邻近效应修正。
9.根据权利要求2所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在关于所述曝光掩模的制造的所述单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序和关于所述衬底的蚀刻的所述单元工序中产生变更的情况下，对所述曝光掩模实施修正起因于关于所述衬底蚀刻的所述单元工序的邻近效应的邻近效应修正，对所述曝光掩模实施修正起因于将关于所述曝光掩模制造的所述单元序和关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序统一成一个的工序的邻近效应的邻近效应修正。
10.根据权利要求3所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，在关于所述曝光掩模的制造的所述单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序和关于所述衬底的蚀刻的所述单元工序中产生变更的情况下，对所述曝光掩模实施修正起因于关于所述衬底蚀刻的所述单元工序的邻近效应的邻近效应修正，对所述曝光掩模实施修正起因于将关于所述曝光掩模制造的所述单元工序和关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序统一成一个的工序的邻近效应的邻近效应修正。
11.根据权利要求1所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，所述第一和第二邻近效应数据包含关于起因于所述衬底上的所述图案覆盖率的邻近效应的数据。
12.根据权利要求2所述的曝光掩模的图案修正方法，其中，所述第二邻近效应数据包含关于起因于所述衬底上的所述图案覆盖率的邻近效应的数据。
13.一种半导体器件的制造方法，包括：
准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；
在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据；
使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正；以及
使用实施了所述邻近效应修正的所述曝光掩模，在所述衬底上形成所述图案。
14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一和第二邻近效应数据包含实验数据或模拟数据。
15.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二邻近效应数据包含使用相关系数取得的数据，所述相关系数是在产生所述变更后的所述至少一个单元工序和产生所述变更后的所述至少一个单元工序后执行的单元工序之间的系数。
16.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述多个单元工序中的两个以上的单元工序中产生变更的情况下，对平均一个所述曝光掩模实施修正起因于所述两个以上单元程序的邻近效应的两个以上的邻近效应修正。
17.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述多个单元工序中的两个以上的单元工序中产生变更的情况下，对平均一个所述曝光掩模实施修正起因于所述两个以上单元程序的邻近效应的两个以上的邻近效应修正。
18.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，在关于所述曝光掩模的制造的所述单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序和关于所述衬底的蚀刻的所述单元工序中产生变更的情况下，对所述曝光掩模实施修正起因于关于所述衬底蚀刻的所述单元工序的邻近效应的邻近效应修正，对所述曝光掩模实施修正起因于将关于所述曝光掩模制造的所述单元工序和关于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述单元工序统一成一个的工序的邻近效应的邻近效应修正。
19.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一和第二邻近效应数据包含关于起因于所述衬底上的所述图案覆盖率的邻近效应的数据。
20.一种操作计算机的程序产品，该计算机程序产品包括：
计算机可读媒体；
所述媒体上记录的将包含使用曝光掩模而在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组读入计算机的第一程序指令，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序，关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；
所述媒体上记录的在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块的第二程序指令，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据。
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