KR100470375B1 - 노광 마스크의 패턴 보정 방법, 패턴 형성 공정을포함하는 반도체 장치의 제조 방법 및 컴퓨터 판독 가능기록 매체 - Google Patents

노광 마스크의 패턴 보정 방법, 패턴 형성 공정을포함하는 반도체 장치의 제조 방법 및 컴퓨터 판독 가능기록 매체 Download PDF

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Abstract

노광 마스크의 패턴 보정 방법에 있어서, 노광 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 복수의 유닛 프로세스를 포함하는 유닛 프로세스군을 준비하는 단계-상기 복수의 유닛 프로세스는, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 유닛 프로세스 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 유닛 프로세스를 포함함-와, 상기 복수의 유닛 프로세스 중 적어도 하나의 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 제1 및 제2 근접 효과 데이터를 이용하여 상기 노광 마스크에 근접 효과 보정을 실시하기 위한 보정 룰 또는 보정 모델을 설정하는 단계-상기 제1 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생하기 전의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 근접 효과에 관한 데이터이고, 상기 제2 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 근접 효과에 관한 데이터임-와, 상기 보정 룰 또는 상기 보정 모델을 이용하여 상기 노광 마스크에 근접 효과 보정을 실시하는 단계를 포함한다.

Description

노광 마스크의 패턴 보정 방법, 패턴 형성 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기록 매체{PATTERN CORRECTION METHOD OF EXPOSURE MASK, PRODUCING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PATTERN FORMING PROCESS AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM}
본 발명은 노광 마스크의 패턴 보정 방법, 패턴 형성 방법 및 프로그램에 관한 것으로, 특히 근접 효과의 영향을 작게 하기 위한 노광 마스크의 패턴 보정 방법, 패턴 형성 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치의 회로 패턴 치수의 미세화의 요구가 가속되고 있다. 이에 따라, 설계 패턴대로 노광 마스크를 작성해도, 웨이퍼 상에 설계 패턴대로 패턴을 형성할 수 없는 현상이 발생하고 있다. 이러한 현상을 웨이퍼 상에서의 OPE(Optical Proximity Effect)라고 한다.
상기 OPE는, 크게 나누어, 마스크 프로세스, 리소그래피 프로세스, 에칭 프로세스에 기인한다. 구체적으로는, 상기 리소그래피 프로세스의 경우에는 레지스트의 현상, 상기 에칭 프로세스의 경우에는 로딩(loading) 효과에 기인하는 것을 들 수 있다. 상기 리소그래피 프로세스는 상기 OPE의 광학적인 요인이지만, 상기 마스크 프로세스, 상기 에칭 프로세스는 상기 OPE의 광학적인 요인이 아니다.
상기 OPE를 보정하는 기술로서, 다양한 OPC(Optical Proximity Correction)가 제안되어 있다. 도 16은, 상기 OPC를 행하기 위한 보정 룰(룰 베이스 OPC인 경우, 이하 OPC 룰이라고 함) 혹은 보정 모델(모델 베이스 OPC인 경우, 이하 OPC 모델이라고 함)의 작성 순서와, 상기 OPC 룰 혹은 상기 OPC 모델(OPC 룰/모델)의 제품으로의 피드백을 나타낸 것이다.
도 16에 도시한 바와 같이, OPC 룰/모델을 작성할 때는, 설계 데이터 및 상기 제품과 동일한 에칭 프로세스를 이용하여 OPC TEG 마스크로 불리는 평가 마스크가 작성된다. 다음으로, 상기 평가 마스크 및 상기 제품과 동일한 리소그래피 프로세스를 이용하여 레지스트 패턴이 웨이퍼 상에 형성된다. 다음으로, 상기 레지스트 패턴 및 상기 제품과 동일한 에칭 프로세스를 이용하여 상기 웨이퍼가 가공되어 평가 웨이퍼가 작성된다. 그 후, 상기 평가 웨이퍼의 OPE 평가가 행해져, 상기 평가 웨이퍼에 형성된 패턴과 상기 설계 데이터의 패턴을 일치시키기 위한 룰/모델, 즉 OPC 룰/모델이 작성된다. 상기 OPC 룰/모델은 제품의 본체 마스크의 작성에 적용된다.
도 17은 종래의 OPC 모델을 얻기 위한 방법을 나타낸다. 상기 방법에서는, 실험으로 얻어진 웨이퍼 치수(CDexp)와 계산으로 얻어진 웨이퍼 치수(CDsim)가 일치(CDexp=CDsim)되도록, 멀티가우스 함수 G의 계수 Ci, ΔLi가 선택된다.
OPC가 실시되는 제품의 유닛 프로세스군(마스크 프로세스, 리소그래피 프로세스, 에칭 프로세스 등)과, OPC 룰/모델을 수득하기 위해 작성하는 평가 마스크의 유닛 프로세스군은 동일한 것이어야 한다.
그 이유는, 이들 유닛 프로세스군이 다르면, 상기 평가 웨이퍼의 OPE와 상기 제품의 OPE가 달라지게 되어, 작성된 OPC 룰/모델이 유효하지 않게 될 가능성이 있기 때문이다.
상기 제품의 상기 유닛 프로세스군을 구성하는 복수의 유닛 프로세스(마스크 프로세스, 리소그래피 프로세스, 에칭 프로세스)는, 개발의 흐름과 함께 진보해 간다. 그 때문에, 일단 OPC 룰/모델이 결정된 후에, 상기 제품의 상기 복수의 유닛 프로세스 중 어느 하나에 변경이 발생할 경우가 있다.
이 경우, 종래 기술에서는, 변경이 발생한 유닛 프로세스를 포함하는 제품과 동일한 유닛 프로세스군을 이용하여 새로운 평가 웨이퍼를 작성하고, 상기 평가 웨이퍼의 OPE 평가 결과로부터 새로운 OPC 룰/모델을 작성하고 있다.
그러나, OPC 룰/모델의 작성에는 시간이 걸리기 때문에, 상기 새로운 OPC 룰/모델을 반영시킨 제품의 패턴 형성 방법을 실시하기까지 시간이 걸리게 되는 것이 문제가 되었다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유닛 프로세스군의 일부에 변경이 있는 경우의 패턴 형성 방법의 흐름을 나타내는 도면.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 신 OPC 룰/모델의 취득 방법의 흐름을 나타내는 도면.
도 3a∼도 3c는 일차원 OPC 변경을 설명하기 위한 도면.
도 4a∼도 4d는 이차원 OPC 변경을 설명하기 위한 도면.
도 5a와 도 5b는 신구(新舊) 마스크 프로세스에서의 마스크 데이터와 구 마스크 프로세스에서의 웨이퍼 데이터로부터, 신 마스크 프로세스에서의 웨이퍼 데이터를 취득하는 방법을 설명하기 위한 도면.
도 6은 MEF의 정의를 설명하기 위한 도면.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유닛 프로세스군의 일부에 변경이 있는 경우의 패턴 형성 방법의 흐름을 나타내는 도면.
도 8은 제2 실시 형태에 따른 신 OPC 룰/모델의 취득 방법의 흐름을 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 유닛 프로세스군의 일부에 변경이 있는 경우의 패턴 형성 방법의 흐름을 나타내는 도면.
도 10은 제3 실시 형태에 따른 신 OPC 룰/모델의 취득 방법의 흐름을 나타내는 도면.
도 11은 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 노광 마스크의 패턴 보정 방법의 흐름을 나타내는 도면.
도 12는 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 노광 마스크의 패턴 보정 방법의 흐름을 나타내는 도면.
도 13a와 도 13b는 피복율 패턴을 고려하지 않은 OPC를 설명하기 위한 도면.
도 14a와 도 14b는 피복율 패턴을 고려한 OPC를 설명하기 위한 도면.
도 15a∼도 15d는 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 패턴 피복율을 고려한 노광 마스크의 패턴 보정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 16은 종래의 유닛 프로세스군의 일부에 변경이 있는 경우의 패턴 형성 방법의 흐름을 나타내는 도면.
도 17은 종래의 OPC 모델화의 방법을 나타내는 도면.
도 18은 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 : CD-ROM
12 : 컴퓨터
13 : 제1 프로그램 명령
14 : 제2 프로그램 명령
본 발명의 일 양태에 따른 노광 마스크의 패턴 보정 방법은, 노광 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 복수의 유닛 프로세스를 포함하는 유닛 프로세스군을 준비하는 단계-상기 복수의 유닛 프로세스는, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 유닛 프로세스 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 유닛 프로세스를 포함함-와, 상기 복수의 유닛 프로세스 중 적어도 하나의 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 제1 및 제2 근접 효과 데이터를 이용하여 상기 노광 마스크에 근접 효과 보정을 실시하기 위한 보정 룰 또는 보정 모델을 설정하는 단계-상기 제1 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생하기 전의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 근접 효과에 관한 데이터이고, 상기 제2 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 근접 효과에 관한 데이터임-와, 상기 보정 룰 또는 상기 보정 모델을 이용하여 상기 노광 마스크에 근접 효과 보정을 실시하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 양태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 노광 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 복수의 유닛 프로세스를 포함하는 유닛 프로세스군을 준비하는 단계-상기 복수의 유닛 프로세스는, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 유닛 프로세스 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 유닛 프로세스를 포함함-와, 상기 복수의 유닛 프로세스 중 적어도 하나의 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 제1 및 제2 근접 효과 데이터를 이용하여 상기 노광 마스크에 근접 효과 보정을 실시하기 위한 보정 룰 또는 보정 모델을 설정하는 단계-상기 제1 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생하기 전의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 근접 효과에 관한 데이터이고, 상기 제2 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 근접 효과에 관한 데이터임-와, 상기 보정 룰 또는 상기 보정 모델을 이용하여 상기 노광 마스크에 근접 효과 보정을 실시하는 단계와, 상기 근접 효과 보정이 실시된 상기 노광 마스크를 이용하여 상기 기판 상에 상기 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 양태에 따른 컴퓨터를 구동시키기 위한 프로그램 제품은, 컴퓨터 판독 가능 매체와, 상기 매체에 기록되며, 노광 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 복수의 유닛 프로세스를 포함하는 유닛 프로세스군을 컴퓨터가 판독하도록 하기 위한 제1 프로그램 명령-상기 복수의 유닛 프로세스는, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 유닛 프로세스 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 유닛 프로세스를 포함함-과, 상기 매체에 기록되며, 상기 복수의 유닛 프로세스 중 적어도 하나의 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 제1 및 제2 근접 효과 데이터를 이용하여 상기 노광 마스크에 근접 효과 보정을 실시하기 위한 보정 룰 또는 보정 모델을 설정하도록 하기 위한 제2 프로그램 명령을 포함하며, 상기 제1 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생하기 전의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 근접 효과에 관한 데이터이고, 상기 제2 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 근접 효과에 관한 데이터이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 설명한다.
(제1 실시예)
도 1은, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유닛 프로세스군의 일부에 변경이 있는 경우의 패턴 형성 방법의 흐름을 나타내는 도면이다. 여기서는, 유닛 프로세스군을 구성하는 복수의 유닛 프로세스 중 노광 마스크 제조에 관계되는 프로세스(마스크 프로세스)에 변경이 있는 경우에 대해 설명한다.
여기서 말하는 마스크 프로세스의 변경이란, 노광 마스크 작성 시의 묘화 프로세스, 레지스트 프로세스, 노광 마스크(유리 기판 상의 차광막)의 에칭 프로세스 등의 프로세스의 변경이며, 또한 이들 각 프로세스를 구성하는 서브 프로세스가 변경된 경우도 포함된다. 또한, 대상이 되는 패턴은, 예를 들면 Si 기판(Si 웨이퍼) 상에 형성하는 회로 패턴이다.
유닛 프로세스(여기서는 마스크 프로세스)에 변경이 발생한 경우, 노광 마스크의 패턴 보정 방법에 있어서, OPC 룰/모델을 새롭게 다시 작성할 필요가 있다.
본 실시예는, 이 새로운 OPC 룰/모델의 작성 방법에 특징이 있으며, 그 밖에는 주지의 패턴 형성 방법과 동일하다. 따라서, 이하의 설명에서는, 새로운 OPC 룰/모델의 작성 방법을 중심으로 설명한다.
본 실시예에서는, 우선, 변경 전의 마스크 프로세스(구 마스크 프로세스)에서 얻어진 평가 마스크의 근접 효과 데이터와, 변경 후의 노광 마스크 제조에 따른 마스크 프로세스(신 마스크 프로세스)에서 얻어진 평가 마스크의 근접 효과 데이터에 기초하여, 신 마스크 프로세스에서의 OPC 룰/모델(신 OPC 룰/모델)을 작성한다.
그 후, 마스크 프로세스 변경 전의 OPC 룰/모델(구 OPC 룰/모델) 중 마스크 프로세스에서의 OPC 룰/모델을, 상기 신 마스크 프로세스에서의 OPC 룰/모델로 변경한다.
이와 같이 하여 얻어진 OPC 룰/모델(신 OPC 룰/모델)을 실제 제품의 회로 패턴 형성에 사용할 노광 마스크(본체 마스크)의 작성에 이용하여, 제품 패턴 프로세스를 갱신한다.
신 마스크 프로세스에서의 OPC 룰/모델 작성에 필요한 정보로서는, 도 2에도시한 바와 같이, 구 OPC 룰/모델과, 신구 마스크 프로세스 간의 마스크의 치수차 또는 마스크의 형상차(단면 형상차, 평면 형상차)가 있으면 된다.
구 OPC 룰/구 OPC 모델은 이미 취득되어 있다. 그 때문에, 신 OPC 룰/모델을 작성하기 위해 필요한 신규의 평가 항목은, 신구 마스크 프로세스 간의 마스크 치수차, 마스크 형상차의 평가뿐이다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 종래 방법과 비교하여 비교적 평이하게 또한 단시간에 신 OPC 룰/모델을 작성할 수 있게 된다.
다음으로, 마스크 프로세스가 변경되었을 때의 OPC 룰/모델의 변경(일차원 OPC 변경)에 대하여, 도 3a∼도 3c를 이용하여 구체적으로 설명한다. 여기서 말하는 OPC 룰/모델의 변경이란 구 마스크 프로세스에서의 OPC 룰/모델을, 평가 웨이퍼의 작성·평가를 행하지 않고, 신구 마스크의 작성·평가만으로 신 마스크 프로세스에서의 OPC 룰/모델로 변경하는 것을 가리킨다. 여기서는, 평가 패턴으로서, 도 3a에 도시한 바와 같이, 측정 패턴으로부터 가장 근접하는 패턴까지의 거리 S(Design Space)를 변화시킨 패턴을 이용한다.
우선, 구 마스크 프로세스를 이용하여, 도 3a의 평가 패턴을 갖는 노광 마스크를 작성하고, 구 마스크 프로세스에서의 노광 마스크 상에서의 측정 패턴의 폭 CD와 그것에 가장 근접하는 패턴까지의 거리 S(Design Space)와의 관계(일차원 OPE 커브)를 취득한다(단계 1). 폭 CD는 실측값, 거리 S(Design Space)는 설계값이다. 마찬가지로, 신 마스크 프로세스를 이용하여, 신 마스크 프로세스에서의 노광 마스크 상에서의 CD와 Design Space와의 관계를 수득한다(단계 2). 이들 단계 1, 2의 결과를 도 3b에 도시한다.
다음으로, 단계 1, 2의 결과(신구 마스크 프로세스 간의 마스크 치수차)에 기초하여, 신 마스크 프로세스에서의 웨이퍼 상에서의 CD와 Design Space와의 관계를 계산으로 취득한다(단계 3). 단계 3의 결과를 도 3c에 도시한다.
다음으로, 단계 3에서 취득한 웨이퍼 상에서의 CD와 Design Space와의 관계로부터, 신 OPC 룰/모델을 작성한다(단계 4).
다음으로, 마스크 프로세스가 변경되었을 때의 OPC 룰/모델의 변경(이차원 OPC 변경)에 대하여, 도 4a∼도 4d를 이용하여 구체적으로 설명한다. 여기서는, 평가 패턴으로서, 도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이, 가장 근접하는 2개의 장방형 패턴 간 거리 S(Design Space)를 변화시킨 패턴을 이용한다.
우선, 구 마스크 프로세스를 이용하여, 도 4a의 평가 패턴을 갖는 노광 마스크를 작성하고, 이 노광 마스크 상에서의 실측에 의한 패턴 간 거리(Space on Mask)와 구 마스크 프로세스에서의 설계 상의 패턴 간 거리(Design Space)와의 관계를 구한다(단계 1). 마찬가지로, 신 마스크 프로세스를 이용하여, 도 4b의 평가 패턴을 갖는 노광 마스크를 작성하고, 실측에 의한 패턴 간 거리(Space on Mask)와 신 마스크 프로세스에서의 설계값 상의 패턴 간 거리(Design Space)와의 관계(이차원 OPE 커브)를 구한다(단계 2). 이들 단계 1, 2의 결과를 도 4c에 도시한다.
다음으로, 단계 1, 2의 결과(신구 마스크 프로세스 간의 마스크 치수차)에 기초하여, 신 마스크 프로세스에서의 웨이퍼 상에서의 패턴 간 거리(Space on Wafer)와 설계값 상의 패턴 간 거리(Design Space)와의 관계를 취득하는 CD와 Design Space와의 관계를 계산으로 취득한다(단계 3). 이 단계 3에서, 마스크 치수로부터 웨이퍼 치수로의 변환은 MEF로 불리는 팩터를 이용하여 행하는데, 이것에 대해서는 후술한다(도 5, 도 6). 단계 3의 결과를 도 4d에 도시한다.
다음으로, 단계 3에서 취득한 웨이퍼 상에서의 패턴 간 거리(Space on Wafer)와 설계값 상의 패턴 간 거리(Design Space)와의 관계로부터, 신 OPC 룰/모델을 작성한다(단계 4).
도 5a 및 도 5b는, 신구 마스크 프로세스에서의 마스크 데이터(CD-S 관계)와 구 마스크 프로세스에서의 웨이퍼 데이터(CD-S 관계)로부터, 신 마스크 프로세스에서의 웨이퍼 데이터(CD-S 관계)를 취득하는 방법을 나타낸다. 이 방법은, 일차원 OPC 변경, 이차원 OPC 변경 모두에 적용할 수 있다.
이 방법은, 마스크 상에서의 신구 마스크 프로세스 간의 CD-S 관계의 상위(ΔCDm)가, 웨이퍼 상에서의 신구 마스크 프로세스 간의 CD-S 관계의 상위(ΔCDw)에 반영되는 점을 이용한 것이다. 구체적으로는, ΔCDw는, ΔCDm을 MEF(Mask CD Error Factor)로 승산함으로써 추정할 수 있다는 점을 이용한다. MEF란, 도 6에 도시한 바와 같이, 패턴 피치 일정의 조건 하에서의 마스크 치수와 웨이퍼 치수와의 상관을 나타내는 팩터(변경한 유닛 프로세스와 그 후 공정의 유닛 프로세스 간의 상관 계수)이다. 이것을 이용함으로써 마스크 상의 치수차가 어느 정도의 웨이퍼 상의 치수차가 되는지를 알 수 있다.
(제2 실시예)
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유닛 프로세스군의 일부에 변경이 있는 경우의 패턴 형성 방법의 흐름을 나타내는 도면이다. 여기서는, 유닛 프로세스군을 구성하는 복수의 유닛 프로세스 중 리소그래피 프로세스에 변경이 있는 경우에 대해 설명한다. 여기서 말하는 리소그래피 프로세스의 변경이란, 노광 장치의 조명 조건, 레지스트 프로세스, 마스크 조건(예를 들면 통상 마스크인지 위상 시프트 마스크인지 등) 등의 프로세스의 변경이며, 또한 이들 각 프로세스를 구성하는 서브 프로세스가 변경된 경우도 포함된다.
유닛 프로세스(여기서는 리소그래피 프로세스)에 변경이 발생한 경우, OPC 룰/모델을 다시 새롭게 작성할 필요가 있다. 본 실시예는, 이 새로운 OPC 룰/모델의 작성 방법에 특징이 있으며, 그 밖에는 주지의 반도체 장치의 제조 방법과 동일하다. 따라서, 이하의 설명에서는, 새로운 OPC 룰/모델의 작성 방법을 중심으로 설명한다.
본 실시예에서는, 우선, 변경 전의 리소그래피 프로세스(구 리소그래피 프로세스)를 이용한 유닛 프로세스군에 의해 작성한 평가 마스크의 근접 효과 데이터와, 변경 후의 리소그래피 프로세스(신 리소그래피 프로세스)를 이용한 유닛 프로세스군에 의해 작성한 평가 마스크의 근접 효과 데이터에 기초하여, 신 리소그래피 프로세스에서의 OPC 룰/모델(신 OPC 룰/모델)을 구한다.
그 후, 리소그래피 프로세스 변경 전의 OPC 룰/모델(구 OPC 룰/모델) 중 리소그래피 프로세스에서의 OPC 룰/모델을, 상기 신 리소그래피 프로세스에서의 OPC 룰/모델로 변경한다. 이와 같이 하여 얻어진 OPC 룰/모델(신 OPC 룰/모델)을 실제 제품의 패턴 형성에 사용할 노광 마스크(본체 마스크)의 작성에 이용하여, 제품의 패턴 프로세스를 갱신한다.
신 리소그래피 프로세스에서의 OPC 룰/모델 작성에 필요한 정보로서는, 도 8에 도시한 바와 같이, 구 OPC 룰/모델과, 신구 리소그래피 프로세스 간의 레지스트 패턴의 치수차 또는 레지스트 패턴의 형상차(단면 형상차, 평면 형상차)가 있으면 된다.
구 OPC 룰/구 OPC 모델은 이미 취득되어 있다. 그 때문에, 신 OPC 룰/모델을 작성하기 위해 필요한 신규의 평가 항목은, 신구 리소그래피 프로세스 간의 레지스트 패턴의 치수차 또는 레지스트 패턴의 형상차의 평가뿐이다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 종래 방법에 비해 비교적 평이하고 단시간에 신 OPC 룰/모델을 작성할 수 있다.
(제3 실시예)
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유닛 프로세스군의 일부에 변경이 있는 경우의 패턴 형성 방법의 흐름을 나타내는 도면이다. 여기서는, 유닛 프로세스군을 구성하는 복수의 유닛 프로세스 중 에칭 프로세스에 변경이 있은 경우에 대해 설명한다. 여기서 말하는 에칭 프로세스의 변경이란, 에칭 장치, 에칭 조건, 피에칭 재료(성막 조건의 변경도 포함함) 등이고, 또한 이들 각 프로세스를 구성하는 서브 프로세스가 변경된 경우도 포함된다.
유닛 프로세스(여기서는 에칭 프로세스)에 변경이 발생한 경우, OPC 룰/모델을 새롭게 작성할 필요가 있다. 본 실시예는, 이 새로운 OPC 룰/모델의 작성 방법에 특징이 있으며, 그 밖에는 주지의 반도체 장치의 제조 방법과 동일하다. 따라서, 이하의 설명에서는 새로운 OPC 룰/모델의 작성 방법을 중심으로 설명한다.
본 실시예에서는, 우선, 변경 전의 에칭 프로세스(구 에칭 프로세스)를 이용한 유닛 프로세스군에 의해 작성한 평가 마스크의 근접 효과 데이터와, 변경 후의 에칭 프로세스(신 에칭 프로세스)를 이용한 유닛 프로세스군에 의해 작성한 평가 마스크의 근접 효과 데이터에 기초하여, 신 에칭 프로세스에서의 OPC 룰/모델(신 OPC 룰/모델)을 구한다.
그 후, 에칭 프로세스 변경 전의 OPC 룰/모델(구 OPC 룰/모델) 중 에칭 프로세스에서의 OPC 룰/모델을, 상기 신 에칭 프로세스에서의 OPC 룰/모델로 변경한다. 이와 같이 하여 얻어진 OPC 룰/모델(신 OPC 룰/모델)을 실제 제품의 패턴 형성에 사용할 노광 마스크(본체 마스크)의 작성에 이용하여, 제품의 패턴 프로세스를 갱신한다.
신 에칭 프로세스에서의 OPC 룰/모델 작성에 필요한 정보로서는, 도 10에 도시한 바와 같이, 구 OPC 룰/모델과, 신구 에칭 프로세스 간의 피에칭 부재의 치수차 또는 피에칭 부재의 형상차(단면 형상차, 평면 형상차)가 있으면 된다.
구 OPC 룰/구 OPC 모델은 이미 취득되어 있다. 그 때문에, 신 OPC 룰/모델을 작성하기 위해 필요한 신규의 평가 항목은, 신구 에칭 프로세스 간의 피에칭 부재(예를 들면 절연막, 금속막, 반도체막)의 치수차 또는 피에칭 부재의 형상차의 평가뿐이다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 종래 방법과 비교하여 비교적 평이하게 또한 단시간에 신 OPC 룰/모델을 작성할 수 있다.
(제4 실시예)
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 노광 마스크의 패턴 보정 방법의 흐름을 나타내는 도면이다.
제1∼제3 실시예에서는, 유닛 프로세스군을 구성하는 유닛 프로세스인 마스크 프로세스, 리소그래피 프로세스, 에칭 프로세스 중 하나를 OPC의 대상으로 한 경우에 대해 설명하였다. 본 실시예에서는, 이들 3가지의 유닛 프로세스 전체를 OPC의 대상으로 한 경우에 대해 설명한다.
구체적으로는, 각 유닛 프로세스마다 OPC 룰/모델을 설정하고, 각 유닛 프로세스마다 노광 마스크의 패턴의 근접 효과 보정을 행한다. 도 11에는, 에칭 프로세스, 리소그래피 프로세스, 마스크 프로세스의 순으로, OPC 룰/모델을 설정하여, 근접 효과 보정을 행하는 방법이 도시되어 있다. 이 때, OPC 룰/모델의 변경은, 변경이 발생한 유닛 프로세스에 대해서만 행하면 된다.
이들 일련의 근접 효과 보정을 거쳐, 실제 제품의 패턴 형성에 사용하는 노광 마스크(본체 마스크)의 작성에 필요한 묘화 데이터가 얻어진다. 또한, 도 11의 우측의 플로우는 평가 웨이퍼와 제품의 양자를 나타내고 있다.
유닛 프로세스에 따라서는 OPC 룰 베이스, OPC 모델 베이스 중 어느 쪽이 적합할지가 각기 다를 가능성이 있다. 그 판단은, 도 11에 도시된 OPE의 Design Space(도면에서는 Space로 약기)의 의존성으로부터 판단할 수 있다. 각 유닛 프로세스마다 적절한 OPC의 방식(OPC 룰 베이스 또는 OPC 모델 베이스)을 선택하여, OPC의 모델 및 룰의 최적화를 도모함으로써, OPC의 고정밀도화를 도모할 수 있다.
(제5 실시예)
도 12는 본 발명의 제5 실시예에 따른 노광 마스크의 패턴 보정 방법의 흐름을 나타내는 도면이다.
본 실시예가 제4 실시예와 다른 점은, OPC의 대상을 에칭 프로세스와, 마스크 프로세스와 리소그래피 프로세스를 하나로 통합한 프로세스의 2개로 나눈 것에 있다. 이것은 경험적으로 마스크 프로세스의 OPE가 다른 유닛 프로세스(리소그래피 프로세스와 에칭 프로세스)에 비해 작은 것에 의한다. 도 12에는, 에칭 프로세스, (리소그래피 프로세스+마스크 프로세스)의 순으로, OPC 룰/모델을 설정하여, 근접 효과 보정을 행하는 방법이 도시되어 있다. 이와 같이 동일한 유닛 프로세스를 적절한 OPC 방식에 의해 하나로 통합함으로써, OPC 처리의 간략화를 도모할 수 있다. 특히 마스크 프로세스와 같이 근접 효과가 작은 것을 포함하는 경우에 매우 유효하다.
여기서는, 에칭 프로세스에 적합한 OPC 방식과, (리소그래피 프로세스+마스크 프로세스)에 적합한 OPC 방식을 선택하는데, 일반적으로 전자에는 룰 베이스, 후자에는 모델 베이스를 선택한다. 이것은 에칭의 OPE는 일반적으로 인접 패턴까지의 거리에 크게 의존하며, (리소그래피 프로세스+마스크 프로세스)의 OPE는 광학 모델과 일치하기 때문이다.
또한, 이 경우에도, 제4 실시예와 마찬가지로, OPC의 변경은 변경이 발생한 프로세스에 대해서만 행하면 되고, 또한 각 프로세스마다 적절한 베이스(OPC 룰 베이스 또는 OPC 모델 베이스)를 선택하여, OPC의 고정밀도화를 도모할 수 있다.
(제6 실시예)
최근, 패턴 피복율에 대한 근접 효과가 현재화되어 있고, 이 패턴 피복율을고려하여 OPC를 행하는 것이 중요해지고 있다. 피복율 패턴을 고려하지 않은 경우(종래), 피복율이 고정된 평가 마스크를 작성하고, 이 평가 마스크를 이용하여 일차원(1D) OPE 커브를 취득하며(도 13a), 이것에 기초하여 OPC 룰/모델을 작성하여 제품에 전개한다(도 13b).
이에 대하여, 피복율 패턴을 고려하는 본 실시예의 경우, 복수의 피복율에 대하여 각각 평가 마스크를 작성하고, 이들 평가 마스크를 이용하여 복수의 피복율에 대하여 각각 1D OPE 커브를 취득하고(도 14a), 이들 1D OPE 커브 중에서 제품의 피복율에 상당하는 것을 선택하며, 이 선택한 1D OPE 커브에 기초하여 OPC 룰/모델을 작성하여, 실제 제품의 패턴 형성에 전개한다(도 14b).
도 15a∼도 15d는, 패턴 피복율을 고려한 노광 마스크의 패턴 보정 방법의 흐름을 도시한다. 여기서는, 유닛 프로세스군을 구성하는 복수의 유닛 프로세스 중 에칭 프로세스에 변경이 있는 경우에 대해 설명한다.
도 15a는, 구 마스크 프로세스에서의 마스크 상에서의 피복율이 각기 다른 복수의 1D OPE 커브(구 1D OPE 커브)를 나타내고 있다.
도 15b는, 상기 복수의 구 1D OPE 커브 중에서 제품의 피복율에 상당하는 1D OPE 커브에 대응한 OPC 룰/모델(구 OPC 룰/모델)을 선택함으로써, 웨이퍼 상에서 충분한 공정 능력이 얻어지는 것을 나타내고 있다. 여기서 말하는 공정 능력이란, OPE에 대하여 허용되는 값(스펙: Spec.)에 대한, 근접 효과 보정 후의 OPE에 대한 비로 나타내는 것이다. 도 15c, 도 15d의 횡축은, 웨이퍼 상에서의 CD-S 관계로부터 얻어지는 CD의 최대 값과 최소 값의 차(CD의 변동의 크기)이다.
마스크 프로세스에 변경이 발생한 경우, 우선, 도 15c에 도시한 바와 같이, 신 마스크 프로세스에서의 마스크 상에서의 피복율이 각기 다른 복수의 1D OPE 커브(신 1D OPE 커브)를 취득한다.
다음으로, 도 15d에 도시한 바와 같이, 신 마스크 프로세스와 구 OPC 룰/모델에서의 웨이퍼 상에서의 공정 능력을 취득한다. 이 때, 공정 능력이 허용되는 값(스펙: Spec.) 내로 수속되면, 구 OPC 룰/모델을 사용한다. 수속되지 않은 경우에는, 공정 능력이 충분히 커지도록, OPC 룰/모델의 재평가를 행한다. 이 재평가는 제1 실시예의 신 OPC 룰/모델의 취득 방법에 준한다.
여기서는, 마스크 프로세스에 변경이 발생한 경우에 대해 설명하였지만, 리소그래피 프로세스 혹은 에칭 프로세스에 변경이 발생한 경우라도 본 발명은 유효하다.
또한, 본 발명은, 상기 실시예에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 기판은 Si 기판(Si 웨이퍼) 등과 같이 반도체 재료로 형성된 것 외에, 예를 들면 유리 기판도 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 상기 실시예의 노광 마스크의 패턴 보정 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 프로그램 제품으로서 실시할 수도 있다. 상기 컴퓨터 프로그램 제품은, 예를 들면 CD-ROM이다.
구체적으로는, 도 18에 도시한 바와 같이, 상기 CD-ROM(11)은, 노광 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 복수의 유닛 프로세스를 포함하는 유닛 프로세스군을 컴퓨터(12)가 판독하도록 하기 위한 제1 프로그램 명령(13)-상기복수의 유닛 프로세스는, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 유닛 프로세스 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 유닛 프로세스를 포함함-, 및 상기 복수의 유닛 프로세스 중 적어도 하나의 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 제1 및 제2 근접 효과 데이터를 이용하여 상기 노광 마스크에 근접 효과 보정을 실시하기 위한 보정 룰 또는 보정 모델을 설정하도록 하기 위한 제2 프로그램 명령(14)-상기 제1 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생하기 전의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 근접 효과에 관한 데이터이고, 상기 제2 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 근접 효과에 관한 데이터임-을 포함한다.
상기 컴퓨터 프로그램 제품은 CD-ROM에 한정되지 않고, DVD 등의 기록 매체라도 상관없다.
당 분야의 업자라면 부가적인 장점 및 변경들을 용이하게 생성할 수 있다. 따라서, 광의의 관점에서의 본 발명은 본 명세서에 예시되고 기술된 상세한 설명 및 대표 실시예들에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부된 청구 범위들 및 그 등가물들에 의해 정의된 바와 같은 일반적인 발명적 개념의 정신 또는 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 변경들이 생성될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 종래 방법과 비교하여 비교적 평이하게 또한 단시간에 신 OPC 룰/모델을 작성할 수 있다.

Claims (20)

  1. 노광 마스크의 패턴 보정 방법에 있어서,
    노광 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 복수의 유닛 프로세스들을 포함하는 유닛 프로세스군을 준비하는 단계 -상기 복수의 유닛 프로세스들은, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 유닛 프로세스 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 유닛 프로세스를 포함함- 와,
    상기 복수의 유닛 프로세스들 중 적어도 하나의 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 제1 및 제2 광 근접 효과 데이터를 이용하여 상기 노광 마스크에 광 근접 효과 보정을 실시하기 위한 OPC 룰 또는 OPC 모델을 설정하는 단계 -상기 제1 광 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생하기 전의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 광 근접 효과에 관한 데이터이고, 상기 제2 광 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 광 근접 효과에 관한 데이터임- 와,
    상기 OPC 룰 또는 상기 OPC 모델을 이용하여 상기 노광 마스크에 광 근접 효과 보정을 실시하는 단계
    를 포함하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 광 근접 효과 데이터는 실험 데이터 또는 시뮬레이션 데이터를 포함하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 광 근접 효과 데이터는 상관 계수를 이용하여 취득되는 데이터를 포함하고,
    상기 상관 계수는, 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스와, 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 뒤이어 행해지는 유닛 프로세스 간의 관계를 정의하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 유닛 프로세스들 중 적어도 두개의 유닛 프로세스들에 변경이 발생한 경우, 상기 적어도 두개의 유닛 프로세스들에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 적어도 두개의 광 근접 효과 보정 동작들을 하나씩 상기 노광 마스크에 실시하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 상기 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 상기 유닛 프로세스, 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 상기 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 상기 기판의 에칭에 관계되는 상기 유닛 프로세스에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 광 근접 효과 보정동작을 상기 노광 마스크에 실시하고, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 상기 유닛 프로세스와 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 상기 유닛 프로세스를 하나로 통합한 프로세스에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 광 근접 효과 보정 동작을 상기 노광 마스크에 실시하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제2 광 근접 효과 데이터는, 상기 기판 상에서의 상기 패턴의 피복율에 기인하는 광 근접 효과에 관한 데이터를 포함하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 광 근접 효과 데이터는 상관 계수를 이용하여 취득되는 데이터를 포함하고,
    상기 상관 계수는, 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스와, 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 뒤이어 행해지는 유닛 프로세스 간의 관계를 정의하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 유닛 프로세스들 중 적어도 두개의 유닛 프로세스들에 변경이 발생한 경우, 상기 적어도 두개의 유닛 프로세스들에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 적어도 두개의 광 근접 효과 보정 동작들을 하나씩 상기 노광 마스크에 실시하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 상기 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 상기 유닛 프로세스, 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 상기 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 상기 기판의 에칭에 관계되는 상기 유닛 프로세스에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 광 근접 효과 보정동작을 상기 노광 마스크에 실시하고, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 상기 유닛 프로세스와 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 상기 유닛 프로세스를 하나로 통합한 프로세스에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 광 근접 효과 보정 동작을 상기 노광 마스크에 실시하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 유닛 프로세스들 중 적어도 두개의 유닛 프로세스들에 변경이 발생한 경우, 상기 적어도 두개의 유닛 프로세스들에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 적어도 두개의 광 근접 효과 보정 동작들을 하나씩 상기 노광 마스크에 실시하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 상기 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 상기 유닛 프로세스, 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 상기 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 상기 기판의 에칭에 관계되는 상기 유닛 프로세스에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 광 근접 효과 보정동작을 상기 노광 마스크에 실시하고, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 상기 유닛 프로세스와 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 상기 유닛 프로세스를 하나로 통합한 프로세스에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 광 근접 효과 보정 동작을 상기 노광 마스크에 실시하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 광 근접 효과 데이터는, 상기 기판 상에서의 상기 패턴의 피복율에 기인하는 광 근접 효과에 관한 데이터를 포함하는 노광 마스크의 패턴 보정 방법.
  13. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    노광 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 복수의 유닛 프로세스들을 포함하는 유닛 프로세스 군을 준비하는 단계 -상기 복수의 유닛 프로세스들은, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 유닛 프로세스, 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 유닛 프로세스를 포함함- 와,
    상기 복수의 유닛 프로세스들 중 적어도 하나의 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 제1 및 제2 광 근접 효과 데이터를 이용하여 상기 노광 마스크에 광 근접 효과 보정을 실시하기 위한 OPC 룰 또는 OPC 모델을 설정하는 단계 -상기 제1 광 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생하기 전의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 광 근접 효과에 관한 데이터이고, 상기 제2 광 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 광 근접 효과에 관한 데이터임- 와,
    상기 OPC 룰 또는 상기 OPC 모델을 이용하여 상기 노광 마스크에 광 근접 효과 보정을 실시하는 단계와,
    상기 광 근접 효과 보정이 실시된 상기 노광 마스크를 이용하여 상기 기판 상에 상기 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 광 근접 효과 데이터는 실험 데이터 또는 시뮬레이션 데이터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 광 근접 효과 데이터는, 상기 기판 상에서의 상기 패턴의 피복율에 기인하는 광 근접 효과에 관한 데이터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제2 광 근접 효과 데이터는 상관 계수를 이용하여 취득되는 데이터를 포함하고,
    상기 상관 계수는, 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스와, 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 뒤이어 행해지는 유닛 프로세스 간의 관계를 정의하는 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 유닛 프로세스들 중 적어도 두개의 유닛 프로세스들에 변경이 발생한 경우, 상기 적어도 두개의 유닛 프로세스들에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 적어도 두개의 광 근접 효과 보정 동작들을 하나씩 상기 노광 마스크에 실시하는 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 유닛 프로세스들 중 적어도 두개의 유닛 프로세스들에 변경이 발생한 경우, 상기 적어도 두개의 유닛 프로세스들에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 적어도 두개의 광 근접 효과 보정 동작들을 하나씩 상기 노광 마스크에 실시하는 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 상기 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 상기 유닛 프로세스, 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 상기 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 상기 기판의 에칭에 관계되는 상기 유닛 프로세스에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 광 근접 효과 보정동작을 상기 노광 마스크에 실시하고, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 상기 유닛 프로세스와 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 상기 유닛 프로세스를 하나로 통합한 프로세스에 기인하는 광 근접 효과를 보정하기 위한 광 근접 효과 보정 동작을 상기 노광 마스크에 실시하는 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 컴퓨터를 구동시키기 위한 프로그램 제품에 있어서,
    컴퓨터 판독 가능 매체와,
    상기 매체에 기록되며, 노광 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 복수의 유닛 프로세스들을 포함하는 유닛 프로세스 군을 컴퓨터가 판독하도록 하기 위한 제1 프로그램 명령 -상기 복수의 유닛 프로세스들은, 상기 노광 마스크의 제조에 관계되는 유닛 프로세스, 상기 노광 마스크를 이용한 리소그래피에 관계되는 유닛 프로세스, 및 상기 기판의 에칭에 관계되는 유닛 프로세스를 포함함- 과,
    상기 매체에 기록되며, 상기 복수의 유닛 프로세스들 중 적어도 하나의 유닛 프로세스에 변경이 발생한 경우, 제1 및 제2 광 근접 효과 데이터를 이용하여 상기 노광 마스크에 광 근접 효과 보정을 실시하기 위한 OPC 룰 또는 OPC 모델을 설정하도록 하기 위한 제2 프로그램 명령 -상기 제1 광 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생하기 전의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 광 근접 효과에 관한 데이터이고, 상기 제2 광 근접 효과 데이터는 상기 변경이 발생한 후의 상기 적어도 하나의 유닛 프로세스에 기인하는 광 근접 효과에 관한 데이터임-
    을 포함하는 컴퓨터를 구동시키기 위한 프로그램 제품.
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