JPH11168065A

JPH11168065A - マスクデータ設計方法

Info

Publication number: JPH11168065A
Application number: JP27535598A
Authority: JP
Inventors: Sachiko Kobayashi; 幸子小林; Taiga Uno; 太賀宇野; Kazuko Yamamoto; 和子山元; Koji Hashimoto; 耕治橋本
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-09-30
Filing date: 1998-09-29
Publication date: 1999-06-22
Anticipated expiration: 2018-09-29
Also published as: JP3954216B2

Abstract

(57)【要約】【課題】光近接効果補正を行ったマスクデータを高速
かつ高精度に得る。【解決手段】設計パターンを補正してマスクデータと
して用いるマスクデータ設計方法において、設計パター
ンから補正対象線分を抽出する工程と、抽出した線分を
補正に適した長さに分割する工程と、分割した線分の空
間的な配置の特徴を一次元的ルールで近似できるか否か
により一次元パターンと二次元パターンに分類する工程
と、分類したパターン種別に応じて補正を行う工程とを
有し、分割線分の配置が一次元的パターンの場合は、分
割線分から垂直方向に見た所定距離内の配置を一次元プ
ロセスシミュレーションで補正値を求め、分割線分の配
置が二次元的パターンの場合は、分割線分上の１点から
垂直方向及び水平方向に所定距離を取った矩形領域に含
まれるパターンを二次元的に抽出し、抽出したパターン
を二次元プロセスシミュレーションで補正値を求める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造や液晶パネル製造などに適用されるフォトリソグラ
フィ技術に係わり、特にマスクデータの自動補正処理を
行うためのマスクデータ設計方法及びマスクデータ設計
装置、マスクデータ設計手順を格納したコンピュータ読
み取り可能な記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路製造におけるフォトリソ
グラフィにおいては、ウェハ上に作り込むデバイスの集
積度が上がり、デザインルールが小さくなるにつれ、い
わゆる光近接効果が大きな問題となっている。

【０００３】光近接効果とは、設計パターンがウェハ上
において所望の形状，寸法通りに転写されない現象であ
る。光近接効果は、本来は転写時の光による効果を対象
として用いられていた用語であったが、現在では、一般
的にウェハプロセス全体を通して生じる効果を差すもの
として用いられている。

【０００４】所望のデバイス性能を達成するためには、
光近接効果が生じた場合であってもウェハ上で設計パタ
ーンの所望の寸法及び形状を実現する必要がある。この
ため、プロセス変換差を予めマスク上で補正する、光近
接効果補正（Optical Proximity effect Correction:Ｏ
ＰＣ）が有効であるとして、近年盛んに検討されてい
る。

【０００５】大規模レイアウトに対してＯＰＣを効率的
に行うには、計算機上で自動的にＯＰＣ処理を加えるこ
とが必要である。このような自動ＯＰＣ処理として、従
来種々の方法が提案されている（Proc.SPIE-Int.Soc.Op
t.Eng.(USA)vol.2440:p.p.192-206(1995) における”OP
TIMASK:An OPC algorithm for chrome and phase-shift
mask design”、Proc.SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.(USA)vo
l.2322,pp.229-238(1994)）における”Optical Proximi
ty Correction,a First Look at Manufacturabilit
y”、Jpn.J.Appl.Phys.vol.34(1995)pp.6547-6551,Part
1,No.12B,December1995）における”Simple Method of
Correcting Optical Proximity Effect for0.35 μm L
ogic LSI Circuits”、Proc.SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.(US
A)vol.2621:p.p.534-545(1995) における”Fast Sparse
Aerial Image Calculation for OPC”）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＯＰＣ手法を用いたマスクデータの設計においては、全
ての設計パターンに対して単一の補正手法を適用してい
たため、補正計算に多大な時間を要したり、マスクパタ
ーンの形状や配置によっては正確な補正をすることがで
きないという問題があった。

【０００７】本発明は、上記の事情を考慮して成された
もので、その第1 の目的は、光近接効果補正を行ったマ
スクデータを高速かつ高精度に得ることのできるマスク
データ設計方法を提供することにある。

【０００８】また、この発明の第２の目的は、補正対象
線分を含むパターンの空間的な配置の特徴に応じて補正
手法を変更することで適切な補正を高速に行えるマスク
データ設計方法を提供することにある。

【０００９】この発明の第３の目的は、パターンの空間
的な配置の特徴を適切に分類するための一次元ルールを
提供することにある。この発明の第４の目的は、この発
明のマスクデータ設計方法において適切な補正を行うた
めに、着目線分を補正に適した寸法に分割する方法を提
供することにある。

【００１０】この発明の第５の目的は、上記方法を実現
するためのマスクデータ設計装置を提供することにあ
る。この発明の第６の目的は、上記方法をコンピュータ
に実行させる手順を格納したコンピュータ読み取り可能
な記憶媒体を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、次のような側面を有している。（１）この発明の第１の側面によれば、設計パターンを
基にマスクに形成されたパターンをウェハ上に転写して
得られる転写パターンの設計パターンに対する忠実度を
向上するために、設計パターンを補正してマスクデータ
として用いるマスクデータ設計方法において、前記設計
パターンから補正対象線分を抽出する工程と、抽出した
線分を補正に適した長さに分割する工程と、分割した線
分の空間的な配置の特徴が所定の一次元的ルールに適合
するかを判断する工程と、前記所定の一次元ルールに適
合する場合には、前記分割された線分を一次元パターン
に分類し、適合しない場合には二次元パターンに分類す
る工程と、分類したパターン種別に応じて前記分割され
た線分の補正を行う工程とを含むマスクデータ設計装置
が提供される。

【００１２】このような構成によれば、設計パターンか
ら抽出・分割・分類して得られる補正対象線分に対し、
分類したパターン種別に応じて補正を行うことにより、
補正対象線分に適した補正方法を適用することができ
る。

【００１３】なお、分割した線分の空間的な配置の特徴
は、分割線分の寸法と、分割線分から垂直方向に見た所
定距離Ｓ内にある隣接線分の寸法と、それらの位置関係
であることが好ましい。

【００１４】また、線分を分割する工程としては、着目
線分から垂直方向に特定の距離Ｒ以内にあるパターンを
見て、パターンの頂点から着目線分に下ろした垂線の交
点又はその近傍を目安に、分割後の線分の長さが指定の
長さよりも短くならないように着目線分を分割するもの
が好ましい。

【００１５】前記一次元ルールとしては、請求項１０〜
１４に記載された各基準を用いることが好ましい。（２）この発明の第２の側面によれば、（１）のマス
クデータ設計方法において、前記分割された線分の補正
を行う工程は、前記分割された線分の空間的な配置の特
徴が一次元的パターンに分類された場合は、この線分を
含む一定の領域について、一次元プロセスシミュレーシ
ョン，一次元パターンの転写実験，又はこれらの組合せ
を行うことで前記分割線分の補正値を求める工程と、前
記分割された線分の空間的な配置の特徴が二次元的パタ
ーンに分類された場合は、この線分を含む一定の領域に
ついて、二次元プロセスシミュレーション，二次元パタ
ーンの転写実験，又はこれらの組み合わせをおこなうこ
とで前記分割線分の補正値を求める工程とを含むことを
特徴とするマスクデータ設計装置が提供される。

【００１６】このような構成によれば、補正対象エッジ
の多くに対して一次元的な補正を施すことができる。こ
のため、補正値算出にシミュレータを利用した場合は高
速かつ少量のデータ量で処理することができる。さら
に、実験を用いた場合には簡単にＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）や電気特性測定により補正値を求めることができ
る。また、一次元近似ができないパターンについては二
次元シミュレーション又は実験を用いて補正値を求める
ため、精度の良い補正が可能となる。

【００１７】なお、この場合、さらに、線分の空間的な
配置の特徴と当該線分に対する前記補正値とを格納する
データベースを用い、前記分割された線分の空間的な配
置の特徴が当該データベースに格納されている場合に
は、このデータベースから前記分割された線分に適合す
る補正値を取り出し、前記分割された線分を補正する工
程を含むようにすることが好ましい。

【００１８】このような構成によれば、既に行ったシミ
ュレーションの結果をデータベースに保存することがで
きると共に、分割線分の空間的な配置の特徴が既データ
ベースに格納されている場合には、シミュレーション等
を行うことなく補正値を得ることができる。

【００１９】（３）第３の側面によれば、前記（１）に
おいて、前記分割された線分の補正を行う工程は、分割
線分が密集している場合には、当該密集している複数の
線分を含む領域についての補正計算を行うことを特徴と
するマスクデータ設計方法が提供される。

【００２０】このような構成によれば、補正値を算出す
る線分が密集していない場合には、各線分に対応する領
域毎に補正値算出のためのシミュレーションなどの計算
を行い、密集している場合には各線分に対応する領域を
効率よく包含するさらに大きな領域について補正値算出
のためのシミュレーションを行う。これにより、補正値
を算出するための領域ののべ面積を最小限に抑えること
ができるから高速な処理が可能となる。

【００２１】（４）第４の側面によれば、前記（２）に
おいて、一次元パターンに分類された分割線分を含む前
記一定の領域と二次元パターンに分類された分割線分を
含む前記一定の領域とが重複する場合には、少なくとも
この重複部分については、二次元プロセスシミュレーシ
ョン，二次元パターンの転写実験，又はこれらの組み合
わせを行うことで前記分割線分の補正値を求めるマスク
データの設計方法が提供される。

【００２２】このような構成によれば、該領域について
は、一次元補正よりも精度の良い二次元補正を行うこと
により、マスクデータの精度が向上する。（５）この発明の第５の側面によれば、上記のマスクデ
ータ設計手順を実行するためのマスクデータ設計装置が
提供される。（６）この発明の第６の側面によれば、上記のマスクデ
ータ設計手順を格納したコンピュータ読み取り可能な記
憶媒体が提供される。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係わるマスクデータ設計方法を示すフローチャートであ
る。このフローチャートに従った処理を、図２のレイア
ウトに適用される場合を例にとって説明する。

【００２４】本実施形態では、まずレイアウトから補正
対象線分を抽出する。抽出にあたっては、階層処理を利
用し、階層処理単位データ毎に補正対象線分を抽出し、
引き続いて補正処理を行なっても良い。

【００２５】この例では、まず、図２（ａ）に示すレイ
アウトから補正対象線分を抽出する（ＳＴＥＰ１）。本
実施形態では、レイアウト中の図形Ａ〜Ｅが含まれるレ
イヤーＬ１を補正対象レイヤーとする。そして、レイヤ
ーＬ１に含まれる図形Ａ〜Ｅのうち、活性領域に重なる
図形Ｃ〜Ｅを補正対象図形とする。さらに、図形Ｃ〜Ｅ
の活性領域にかかるエッジ〜を補正対象線分として
選択する。

【００２６】ついで、この補正対象線分〜を補正に
適した長さに分割する。分割方法としては、この発明の
別の側面として提供される適宜のアルゴリズムを採用す
ることが出来るが、この実施形態では、補正対象線分に
隣接する図形の頂点を目安に行う方法を採用する。

【００２７】例えば、着目線分をとすると、この着目
線分から垂直方向（直行方向）に特定の距離Ｓ以内に
存在する隣接パターン（線分）を発見し、この線分
の頂点Ｔ１、Ｔ２から着目線分に下ろした垂線の交点
Ｃ１、Ｃ２（又はその近傍）を分割点とする。このと
き、分割後の各線分の長さが指定の長さよりも短くなら
ないようにする。この例では、両端矢印の実線で示され
た線分が分割線分となる。

【００２８】また、活性領域に重ならない図形であって
も、活性領域に含まれる線分から所定距離Ｓ内にある線
分（この例では図形Ｂの線分、、）も分割及び補
正の対象とする。

【００２９】次に、ＳＴＥＰ２で分割線分を１つずつ選
択し、ＳＴＥＰ３で選択した線分が一次元で近似できる
かどうかを、後で説明する「一次元ルール」に基づいて
判定する（ＳＴＥＰ３）。

【００３０】本実施形態では図形Ｄの線分における分
割線分１、２，３を例にとって説明する。前記ＳＴＥＰ
３の判定は、前記分割線分１、２、３の配置が一次元的
で近似できないと判定する条件、すなわち「一次元ルー
ル」として、次の（ａ）〜（ｄ）のいずれか１つ若しく
はそれら複数の組み合わせを用いる。この実施形態で
は、（ｂ）を一次元ルールとして採用する。他の判断条
件については第２の実施形態以降で説明する。（ａ）分割された着目線分の長さがある特定の範囲にあ
る。（ｂ）着目線分から垂直方向に距離Ｒ以内の隣接線分が
着目線分と垂直でも平行でもない方向に配置されてい
る。（ｃ）着目線分がマスクデータ設計座標軸から見て垂直
でも平行でもない方向に配置されている。（ｄ）着目線分が含まれるパターンを矩形及び三角形に
分解した際、着目線分が含まれる矩形の長さと幅の比が
ある特定の範囲内にある。

【００３１】この実施形態では、上記の判定条件（ｂ）
に基づき、線分１、３を一次元で近似できると判定し、
線分２を一次元で近似できないと判定する。一次元で近
似できる場合（線分１、３）には、一次元補正ルーチン
（ＳＴＥＰ４〜９）に移行し、一次元で近似できない場
合（線分２）には二次元補正ルーチン（ＳＴＥＰ１０〜
１３）に移行する。

【００３２】一次元補正ルーチンでは、まず、ＳＴＥＰ
４において、線分１、３から距離Ｓ以内にあるパターン
を抽出する。図２（ａ）の線分１に関して抽出されたパ
ターンは図２（ｂ）となる。また、線分３に関して抽出
されたパターンは図２（ｃ）となる。

【００３３】ついで、各パターンが補正テーブルに登録
されているかいないかを判断し（ＳＴＥＰ５）、登録さ
れていればＳＴＥＰ６に従って各線分に対する補正値を
取出す。登録されていない場合にはＳＴＥＰ７及びＳＴ
ＥＰ８に従い、必要に応じたシミュレーションを繰返し
て補正値を求める。

【００３４】図３（ａ）〜（ｃ）は、一次シミュレーシ
ョン及び補正値の算出工程を示したものである。例え
ば、前記線分１に関して抽出したパターン（図３
（ａ））が補正テーブルに登録されていない場合には、
このパターンに対して一次元若しくはそれに類するプロ
セスシミュレーションを行う（図３（ｂ））。

【００３５】プロセスシミュレーションとしては、露光
シミュレーション，現像シミュレーション，エッチング
シミュレーションの単数又は複数の組合せを用いる。図
３（ｂ）は、一次プロセスシミュレーション像の例であ
る。

【００３６】この結果、図３（ｃ）に示すように、線分
１の補正値が得られるから、この補正値３２及びパター
ン情報３１を新規データとして補正テーブルに登録す
る。次に、二次元シミュレーションについて、線分２を
例にとって、図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する
（ＳＴＥＰ６、９、１０〜１３）。

【００３７】まず、ＳＴＥＰ１０において、補正対象線
分２から距離Ｓ以内の領域にあるパターンを抽出する
（図２（ｄ）、図４（ａ））。ついで、このパターンが
補正テーブルに登録されているかいないかを判断し（Ｓ
ＴＥＰ１１）、登録されていればＳＴＥＰ６に従って線
分２に対応する二次元補正値を取出す。

【００３８】抽出したパターンが補正テーブルに登録さ
れていない場合にはＳＴＥＰ１２、ＳＴＥＰ１３に従っ
て補正値を求める。すなわち、まず、抽出したパターン
（図４（ａ））について、二次元若しくはそれに類する
プロセスシミュレーションを行い（図４（ｂ））、その
結果から補正値を算出する。ついで、前記パターン配置
４１及び補正値４２を補正テーブルに登録する（図４
（ｃ））。

【００３９】注目した分割線分について、以上の処理
（ＳＴＥＰ２〜ＳＴＥＰ１４）によって補正値を得た
後、ＳＴＥＰ１５において補正値に従って各線分を補正
し、ＳＴＥＰ１６で補正パターンを生成する。

【００４０】なお、補正テーブルは、一次元補正用，二
次元補正用を共用としても良いし、一次元補正テーブ
ル，二次元補正テーブルを別々に用意しても良い。ま
た、抽出パターンが補正テーブルに登録されていない場
合に一次元パターンの補正値を求める方法としては、必
ずしも一次元プロセスシミュレーションに限るものでは
なく、一次元パターンの転写実験，又はこれと一次元プ
ロセスシミュレーションとの組合せを用いてもよい。同
様に、補正テーブルに登録されていない場合に二次元パ
ターンの補正値を求める方法としては、必ずしも二次元
プロセスシミュレーションに限るものではなく、二次元
パターンの転写実験，又はこれと二次元プロセスシミュ
レーションとの組合せを用いてもよい。

【００４１】このように本実施形態によれば、パターン
に即した補正値を高速に求めることができる。従って、
本実施形態の光近接効果補正マスクを用いて所望の形状
や寸法に近い半導体装置の製造を行うことができる。こ
のため、半導体装置の設計作業が効率化され生産コスト
を低減させることが可能となる。

【００４２】（第２の実施形態）次に、この発明の第２
の実施形態を、図５に示すフローチャート及び図６
（ａ）〜（ｅ）に基づいて説明する。なお、第１の実施
形態と同一の構成要素については同一符号を付して詳細
な説明は省略する。

【００４３】本実施形態の処理手順は基本的に第１の実
施形態と同じであるが、二次元シミュレーションを行う
際に抽出するパターンが第１の実施形態と異なる。すな
わち、図６（ａ）において、線分２が前記判定条件
（ｂ）に基づいて一次元に近似できないと判定された場
合、図６（ｂ）に示すように、左右端が線分２から直交
方向にそれぞれ距離Ｓ１，Ｓ２の位置、上下端が線分２
の両端から延長方向にそれぞれ距離Ｓ２，Ｓ４の位置で
定義される矩形領域を像計算領域として取出す。

【００４４】そして、図６（ｃ）に示すように、この領
域について、例えばVector Technologies 社のOPTIMASK
と称されるソフトウエアを用いて二次元プロセスシミュ
レーションを行い、図６（ｄ）に示すように、光近接効
果に対する補正図形を算出する。必要に応じてシミュレ
ーションと補正図形の算出を繰返し、精度の良い補正図
形を求める。この補正図形から求められる着目線分２に
対する二次元補正値６１をパターン配置６２とともに補
正テーブルに追加する（図６（ｅ））。

【００４５】この補正値６１は、補正対象線分２の中点
を座標（０，０）とし、座標（０．０，−０．７５）−
（０．０，０．０）の線分を右方向へ０．０１５μｍ、
（０．０，０．０）−（０．０，０．７５）の線分を右
方向へ０．０２０μｍ動かすことを示している。

【００４６】また、上記の例では補正対象線分を抽出
し、一次元で近似できない線分を二次元的に補正してい
るが、補正対象を図形単位で取出し、一次元的に補正で
きない図形に関して、特願平８−３３９６３６号に記さ
れたように、図形の外形から光近接効果の及ぶ範囲の領
域においてパターンマッチングを行い、補正テーブルを
参照し、補正図形と入れ替える方法をとってもよい。

【００４７】このように本実施形態によれば、一次元的
でないパターンについて、より適切な補正図形を高速に
求めることができる。そして、本実施形態の光近接効果
補正マスクを用いることにより、所望の形状や寸法に近
い半導体の製造を行うことができる。このため、半導体
の設計作業が効率化され生産コストを低減させることが
可能となる。

【００４８】（第３の実施形態）次に、着目線分の分割
方法に関する別の例を第３の実施形態として説明する。
なお、第１の実施形態と同一の構成要素については同一
符号を付してその詳しい説明は省略する。

【００４９】図７は、第１の線分分割方法を示す図であ
る。即ち、線分を分割する工程として、着目線分から垂
直方向にある特定の距離以内を見て、対向する隣接線分
の頂点から着目線分に下ろした垂線の交点又はその近傍
を目安に、分割後の線分の長さが指定の長さよりも短く
ならないように着目線分を分割する。

【００５０】具体的には、補正対象レイヤー上の図形Ａ
〜Ｅのうち、活性領域上の図形Ａ−Ｃのエッジ線分〜
を補正対象図形とする。ここでは特に、図形Ｂのエッ
ジ線分、の分割について説明する。即ち、Ｂから垂
直方向に距離Ｒ内で対向している隣接線分、の頂点
Ｔ１，Ｔ２からエッジ、に下ろした垂線の交点Ｃ
１，Ｃ２においてエッジ、を分割する。

【００５１】このような線分の分割方法を取ることによ
り、一次元ルールに適合した分割線分を適切な数だけ得
ることができ、より高速で高精度なパターン補正を行う
ことができる。

【００５２】また、図８は第２の線分分割方法を示す図
である。即ち、線分を分割する工程として、着目線分か
ら垂直方向に特定の距離Ｒ以内にあるパターンを見て、
パターンの頂点から着目線分に下ろした垂線の交点又は
その近傍を目安に、分割後の線分の長さが指定の長さよ
りも短くならないように着目線分を分割する。

【００５３】具体的には、図形Ｂから垂直方向に距離Ｒ
内で対向しているパターンＡＣの頂点Ｔ１〜Ｔ４から、
エッジ、に下ろした垂線の交点Ｃ１〜Ｃ４におい
て、エッジ、を分割する。

【００５４】このような線分の分割方法を取ることによ
り、図７の場合と比較して、複雑な配置環境に柔軟に対
応できる。（第４の実施形態）この第４の実施形態以下では、この
発明で一次元ルールに適合しないと判断する例について
説明する。

【００５５】すなわち、この発明では、一次元ルールと
して、以下の（ａ）〜（ｄ）の条件のうちの１つ若しく
は２以上の組み合わせを採用する。（ａ）分割された着目線分の長さがある特定の範囲にあ
る。（ｂ）着目線分から垂直方向に距離Ｒ以内の隣接線分が
着目線分と垂直でも平行でもない方向に配置されてい
る。（ｃ）着目線分がマスクデータ設計座標軸から見て垂直
でも平行でもない方向に配置されている。（ｄ）着目線分が含まれるパターンを矩形及び三角形に
分解した際、着目線分が含まれる矩形の長さと幅の比が
ある特定の範囲内にある。

【００５６】第４の実施形態では、このうち、（ａ）の
条件が適用される場合について図９に示すレイアウトを
参照して説明する。このレイアウトでは、補正対象レイ
ヤー上の図形Ａ〜Ｅのうち、活性領域上のＡ−Ｃ上のエ
ッジを補正対象図形とし、両端矢印で示される分割線分
を得る。

【００５７】この実施形態では、条件（ａ）で一次元補
正ができないとする長さのしきい値が、線分４の長さと
線分５の長さの間に設定されているとする。このとき、
１，２，３，５の線分は一次元、４のみ二次元プロセス
シミュレーションを行い補正値を求める。

【００５８】短く分割された線分４の周囲は複雑なパタ
ーンであることが多いから、この条件を用いて分割線分
を分類することにより、より正確な補正値を求めること
が可能になる。

【００５９】（第５の実施形態）第５の実施形態では、
前記（ｃ）の条件が適用される場合について図１０
（ａ）〜（ｃ）のレイアウトを参照して説明する。

【００６０】すなわち、図１０（ａ）に示すレイアウト
における補正対象線分１〜８のうち、マスク座標軸に垂
直でも平行でもない方向に配置されている線分は５、６
である。ここでは特に、線分６に着目した場合ついて説
明する。

【００６１】図１０（ａ）のレイアウトから、図１０
（ｂ）に示すように、線分６から上下左右方向に距離Ｓ
の範囲のパターンを抽出する。この領域に関して二次元
プロセスシミュレーションを行い、補正値を求める。プ
ロセスシミュレーションを行う範囲として、図形抽出の
利便性を鑑みて、図１０（ｃ）のように線分６全体を含
む矩形領域から距離Ｓの範囲を抽出しても良い。

【００６２】（第６の実施形態）第６の実施形態では、
前記（ｄ）の条件が適用される場合について図１１のレ
イアウトを参照して説明する。

【００６３】（ｄ）の条件は、分割線分が含まれるパタ
ーンを矩形及び三角形に分解した際、線分が含まれる矩
形若しくは三角形の長さと幅の比がある特定の範囲内に
ある場合に二次元パターンに分類するというものであ
る。

【００６４】この例では、活性領域に含まれる図形Ａ〜
Ｃをそれぞれ矩形に分割する。この場合の補正対象は、
各矩形に含まれる分割線分である。分割矩形のうち、長
さと幅の比が特に小さい１１１、１１２に注目して説明
する。

【００６５】矩形１１１は長さが１．３μｍ、幅が０．
３μｍであり、長さと幅の比は約４．３３である。一
方、矩形１１２は長さが０．７μｍ、幅が０．３μｍで
あり、長さと幅の比は約２．３３である。ここで、二次
元補正を行う長さと幅の比のしきい値を３．０とし、こ
れ以下であれば二次元補正を施すとする。

【００６６】この例では、矩形１１２のみが予め定めた
しきい値よりもその長さと幅の比が小さいため、矩形１
１２に包含される分割線分１、２を二次元的補正の対象
とする。

【００６７】長さと幅の比が小さい矩形の周囲は複雑な
形状のパターンであることが多いから、この矩形に包含
される線分を二次元補正の対象とすることで、より正確
な補正値を求めることが可能となる。

【００６８】（第７の実施形態）第７の実施形態では、
上記一次元的ルールの他の例について図１２のレイアウ
トを参照して説明する。

【００６９】本実施形態では、補正対象レイヤーＬ１上
の図形のうち、活性領域にかかる図形の分割線分を補正
対象とする。ここでは、特に線分１、２、３に注目して
説明する。線分１については、線分１と線分１の終端に
接する線分との角度は−９０°である。線分２、３につ
いては角度は９０°である。ここで、予め線分と線分の
終端に接する図形辺の角度は７５°以下であれば一次元
的補正を施すという設定を設けてあるとすれば、線分１
には一次元的補正を施すことになる。

【００７０】次に線分２、３に注目する。線分２の終端
に接する図形辺２' の長さが１．５μｍ、線分３の終端
に接する図形辺３' の長さが０．２μｍとする。ここ
で、予め線分と線分の終端に接する図形辺の長さが１μ
ｍ以下であれば一次元的補正を施すという設定を設けて
あるとすれば、線分３は一次元的補正の対象となり、線
分２のみ二次元的補正の対象となる。

【００７１】（第８の実施形態）次に、第８の実施形態
を、図１３〜図１４（ｅ）に基づいて説明する。図１３
は、この第８の実施形態に関わるマスクデータ補正手順
を示すフローチャートである。図１４（ａ）〜（ｅ）
は、この補正手順が一次元パターンに分類される線分に
適用される例を説明するための図であり、図１５（ａ）
〜（ｅ）は、この補正手順が一次元パターンに分類され
る線分に適用される例を説明するための図である。

【００７２】なお、第１の実施形態と同一の手順につい
ては、その詳細な説明は省略する。まず、図１４（ａ）
のレイアウトは、既に説明した手法により着目線分を分
割してなる分割線分１〜１０を示している。これらの分
割線分は前記１次元ルールに基づいて一次元補正の対象
となると判断されるものであるとする。また、各線分１
〜５から距離Ｓ以内で抽出されたパターン配置はいずれ
も補正テーブルに格納されていないものであるとする。

【００７３】まず、補正対象の線分１〜１０を抽出した
後（ＳＴＥＰ２）、線分を一つ選択する（ＳＴＥＰ
３）。ここでは、図１４（ａ）における線分３を選択し
たとする。この線分３は、ＳＴＥＰ４で、前記１次元ル
ールに基づいて１次元で近似できると判断され、ＳＴＥ
Ｐ５でこの線分３から距離Ｓ内に含まれるパターンが抽
出される。

【００７４】ここでは、着目線分３上に点Ｐｏを取り、
Ｐｏから左右Ｓの距離以内のパターンを調べる。次に線
分３に関するパターン配置が補正テーブルに載っている
か否かを調ベ（ＳＴＥＰ６）、載っていれば補正テーブ
ルから補正値を取出す（ＳＴＥＰ１５）。

【００７５】線分３のパターン配置が補正テーブルに載
っていない場合には、線分３上のＰｏから距離Ｓの範囲
内に含まれる他の線分１、２、４、５、６についても、
それぞれ線分中心として距離Ｓの範囲で抽出したパター
ン配置が補正テーブルに載っているかを調ベる（ＳＴＥ
Ｐ８）。

【００７６】ここで、前記線分１、２、４、５、６の全
てのパターン配置が補正テーブルに登録されている場合
には、線分３について、既に説明した実施形態と同様に
一次元プロセスシミュレーション等を行って補正値を算
出する（ＳＴＥＰ１２）。そして、この線分３について
のパターン配置と補正値をテーブルに追加する（ＳＴＥ
Ｐ１３、１４）。

【００７７】一方、線分１，２，４，５，６の５線分に
ついてのパターン配置のいずれかが補正テーブルに登録
されていない場合には、登録されていない線分のうち最
も外側の線分上に点Ｐ１，Ｐ２を設定する。図１４で
は、いずれも補正テーブルに登録されていないので、図
１４（ｂ）に示すように、最も左外側の線分１上に点Ｐ
１、最も右外側の線分６上に点Ｐ２を設定する（ＳＴＥ
Ｐ９）。そして、これらＰ１、Ｐ２から外側方向に距離
Ｓ内に含まれる線分を抽出する（ＳＴＥＰ１０）。この
例では、線分７、８が該当する。

【００７８】ついで、これらの線分７、８についてのパ
ターン配置が補正テーブルに登録されていないかを調べ
（ＳＴＥＰ８）、いずれかの線分が登録されていなけれ
ば、両側それぞれ最も外側の線分にＰ１およびＰ２を設
定する。

【００７９】図１４（ｂ）では、Ｐ１の左に線分が存在
せずＰ２の右側では８の線分が一番外側の線分に該当す
るので、図２（ｃ）に示すように、Ｐ２の位置のみ線分
８上に変更する。さらにＰ１、Ｐ２の外側に距離Ｓの範
囲には他の線分が存在しないのでＳＴＥＰ１１でループ
から抜ける。

【００８０】以上の工程（ＳＴＥＰ７〜ＳＴＥＰ１１）
を、注目線分３の外側に補正テーブルに載っていない新
たな線分がなくなるか、最も外側の点Ｐｌ、Ｐ２がＰｏ
から所定の距離Ｘを超えるか、Ｐｌ、Ｐ２内の線分の数
が予め決められた数を超えるか、のいずれかの条件を満
たすまで繰り返す。この実施形態では、一次元プロセス
シミュレーションの対象となるのは、図１４（ｄ）に示
すパターンになる。

【００８１】ついで、図１４（ｄ）に示すパターンに対
してプロセスシミュレーションに基いた補正を行い（Ｓ
ＴＥＰ１２）、Ｐｌ、Ｐ２内の各線分について、各線分
から距離Ｓ以内のパターン配置（図１４（ｅ））とこの
パターン配置に対応する補正値とをテーブルに追加する
（ＳＴＥＰ１３，１４）。

【００８２】つまり、第１の実施形態と比較して、補正
テーブルに登録される結果は同じであるが、補正のため
のシミュレーションの回数は１回で済む。すなわち、テ
ーブル参照は注目線分から距離Ｓの範囲内のパターンに
ついて行うが、時間のかかる補正値算出のための計算処
理は近接する線分についてまとめて行うため、パターン
マッチングの効率が良く、補正値算出のための計算処理
の時間も短くなる。

【００８３】次に、図１５（ａ）のレイアウトを例にと
って二次元補正について説明する。本レイアウトにおい
て二次元補正の対象となる線分は１〜８であり、いずれ
も補正テーブルに未登録のパターンであるとする。

【００８４】まず、線分１に注目して図１３のフローチ
ャートを説明する。まずＳＴＥＰ１６において線分１の
中点から距離Ｓ以内の矩形領域１５１に含まれるパター
ン配置を抽出する（図１５（ｂ））。次にＳＴＥＰ１７
で補正テーブルを参照し、このパターン配置１５１が補
正テーブルに登録されているかを調べる。

【００８５】このパターン配置１５１が既に補正テーブ
ルに登録されている場合には、登録されているパターン
配置に関する補正値を取り出して前記線分１を二次元補
正する（ＳＴＥＰ１５）。

【００８６】ただし、この例では、補正テーブルに登録
されていないものとし、ループ３に入る（ＳＴＥＰ１
８）。次のＳＴＥＰ１９ではＳＴＥＰ１６で取出した領
域内の他の線分に関して、補正テーブルへの登録の有無
を調べる。この例では、線分１の領域１５１内に未登録
の線分は存在しないものとし、図１５（ｂ）に示す領域
について二次元プロセスシミュレーションを行い（ＳＴ
ＥＰ２４）、補正値を算出する。

【００８７】次に、図１５（ａ）の線分２について、図
１３のフローチャートを適用する。この線分２の中点を
中心に距離Ｓの矩形パターンは、既に線分１について登
録したパターン配置（図１５（ｂ））と一致するから、
補正テーブル〜補正値を取り出し線分２に対する補正を
行う（ＳＴＥＰ１５）。

【００８８】次に図１５（ａ）の線分３に注目して同様
に図１３のフローを追ってみる。図１５（ａ）に示すよ
うに、線分３の中点から距離Ｓ以内の矩形領域１５２に
はテーブルに載っていない線分４、５が存在するものと
する。したがって、ＳＴＥＰ１９で、図１５（Ｃ）に示
すように、領域内の補正対象点（各線分１〜３の各中
点）を中心に一辺Ｓの矩形を発生し（ＳＴＥＰ２０）、
さらにこれらの矩形群に外接する矩形を作成してこの矩
形の左下と右上の頂点をそれぞれＰ１、Ｐ２とする（Ｓ
ＴＥＰ２１）。

【００８９】以降Ｐｌ、Ｐ２を対角線とする矩形を矩形
Ｐｌ−Ｐ２と称する。次に矩形Ｐ１−Ｐ２から距離Ｓ以
内の領域１５３を抽出し（ＳＴＥＰ２２）、ＳＴＥＰ１
９に戻って領域１５３内のテーブル未登録線分を調べ
る。この例では、図１５（ｃ）に示す線分６が該当する
とする。

【００９０】以降ＳＴＥＰ１８〜２３のループを繰返
し、矩形Ｐｌ−Ｐ２の面積が予め決められた面積Ｙを超
えるか、もしくは領域内に新たなテーブル未登録線分が
無くなるか、単位面積あたりの補正対象点がある定めら
れた数未満になるまで矩形Ｐｌ−Ｐ２を拡大していく
（図１５（ｄ））。

【００９１】この例では最後に得られたパターン図１５
（ｅ）に対して二次元プロセスシミュレーションを行い
（ＳＴＥＰ２４）、Ｐｌ−Ｐ２領域内に含まれる各線分
１〜８について補正値を求めてパターン配置と補正値を
テーブルに追加する（ＳＴＥＰ２５，１４）。

【００９２】このような構成によれば、補正値を求める
ための被計算領域の重複を最小限に抑え、パターン形状
に即した補正値を高速に求めることが出来る。したがっ
て、本実施形態の光近接効果補正マスクを用いて所望の
形状や寸法に近い半導体装置の製造を行うことが出来
る。このため、半導体装置の設計作業が効率化され生産
コストを低減させることが可能となる。

【００９３】（第９の実施形態）以下、第９の実施形態
を、図１６を参照して説明する。第８の実施形態では、
一次元補正パターン、二次元補正パターン毎に、補正値
を求めるための被計算領域の重複を最小限に抑える手法
を示したが、この第９の実施形態では、一次元補正領域
と二次元補正領域が重複する場合、該領域について二次
元補正の補正値または補正形状を採用するものである。

【００９４】以下、図１６（ａ）に示す補正前パターン
上の補正対象線分１、及び線分２に注目して補正の方法
を説明する。まず線分１については一次元で近似出来る
と判定し、図１６（ｂ）の一次元近似パターンを元に補
正値を算出する。一方、線分２については一次元で近似
出来ないと判定し、線分２の両端から垂直方向および平
行方向に所定距離Ｉ₁ を取った矩形領域に含まれるパタ
ーンを二次元的に抽出する（図１６（ｂ））。そして、
この抽出パターンを元に補正値または補正形状を算出す
る。

【００９５】図１６（ｃ）において、ハッチングが補正
前の設計パターン、実線が補正計算後のパターン形状で
ある。このとき、線分２に対応する補正形状としては、
線分２の両端から垂直方向および平行方向に所定距離ｌ
２を取った矩形領域に含まれるパターン１６１とする。
図１６（ｂ）、（ｃ）の補正計算から得られる補正形状
のうち、重複する領域については（ｃ）の１６１の形状
を補正形状として採用し、図１６（ｄ）の補正後パター
ンを作成する。このように重複する領域については二次
元的補正の結果を採用することにより、精度の良い補正
が行える。

【００９６】また、補正形状に二次元的形状を取り入れ
ることが可能となる。また、図１７にしめすように、１
次元補正図形と２次元補正図形の境界でズレを生じてお
り、ズレの値Ｌが予め定められた量Ｚより小さい場合、
ｌ次元補正または二次元補正の境界に接する線分の補正
値を他方に揃える処理をいれてもよい。こうすることに
こよりウェハ上のパターンに影響しないほどの微小なパ
ターンを無くし、マスクデータ量を削減することが出来
る。

【００９７】（第１０の実施形態）この実施形態では、
この発明のマスクデータ設計方法に適用されるマスクデ
ータ設計装置の構成を図１８を参照して説明する。

【００９８】本装置は、例えば磁気ディスク等の記録媒
体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラム
に基づいて演算処理を実行するコンピュータによって実
現される。

【００９９】図中の１０はパターンデータ格納部、２０
はパターンとそれに対応する補正値を登録した補正テー
ブル、３０は入力部、４０は表示部、５０は制御部であ
る。制御部５０は、補正対象線分抽出手段５１，線分分
割手段５２，分割線分空間的配置分類手段５３，補正方
法選択手段５４，補正テーブル参照手段５５，光近接効
果補正計算及び補正テーブル追加手段５６，補正値取得
手段５７，図形処理手段５８から構成されている。

【０１００】本装置では、パターンデータ格納部１０か
ら制御部５０に入力されたパターンデータは補正対象線
分抽出手段５１に供給され、この手段５１によりパター
ンデータから補正対象線分が抽出される。抽出された補
正対象線分は、線分分割手段５２により、補正に適した
長さに分割される。分割された線分は、分割線分空間的
配置分類手段５３により、その空間的配置に対応して一
次元パターンか二次元パターンに分類される。分類され
たパターンは、補正方法選択手段５４により、その種別
に応じて補正方法が選択される。

【０１０１】そして、補正テーブル参照手段５５によ
り、対象とするパターンが補正テーブル２０が参照さ
れ、補正テーブル２０にパターン配置と補正値が登録さ
れていればテーブルに従って補正し、補正値取得手段５
７により補正値を求める。対象とするパターンが補正テ
ーブル２０に登録されていない場合は、光近接効果補正
計算及び補正テーブル追加手段５６により、該線分を含
むパターンについて光近接効果補正計算を行い、これを
補正テーブル２０に登録すると共に、補正値を補正値取
得手段５７に与える。そして、上記のようなテーブル参
照若しくは光近接効果補正計算により補正値が求めら
れ、図形処理手段５８により、各分割線分毎に補正値を
与えて補正が行われる。

【０１０２】なお、上述した実施形態において記載した
手法は、コンピュータに実行させることのできるプログ
ラムとして、例えば磁気ディスク（フロッピーディス
ク，ハードディスク等）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ，
ＤＶＤ等）、半導体メモリなどの記録媒体に書き込んで
各種装置に適用したり、通信媒体により伝送して各種装
置に適用することも可能である。本装置を実現するコン
ピュータは、記録媒体に記録されたプログラムを読み込
み、このプログラムによって動作が制御されることによ
り、上述した処理を実行する。

【０１０３】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、設計
パターンに対して補正対象パターンを抽出した後、それ
ぞれのパターン毎にパターン自身，周囲のパターン配
置，又はその両方から一次元補正を行うか二次元補正を
行うかを判定し、シミュレーション，実験，又はこれら
の組合せのいずれかを行って補正値を求めることによ
り、リソグラフィ条件に合った補正値を全てのパターン
にシンプルな方法で求めることができる。従って、より
高速かつ高精度に光近接効果補正マスクパターンを得る
ことができ、半導体の製造が効率化され生産コストを低
減させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係わるマスクデータ設計方法
を示すフローチャート。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態で用いたパ
ターンデータを示す図。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係わるマ
スクデータ設計方法の処理例を示す図。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係わるマ
スクデータ設計方法の処理例を示す図。

【図５】第２の実施形態に係わるマスクデータ設計方法
を示すフローチャート。

【図６】（ａ）〜（ｅ）は、第２の実施形態に係わるマ
スクデータ設計方法の処理例を示す図。

【図７】第３の実施形態に係わるマスクデータ設計方法
の図形分割例を示す図。

【図８】第３の実施形態に係わるマスクデータ設計方法
の図形分割例を示す図。

【図９】第４の実施形態に係わるマスクデータ設計方法
の処理例を示す図。

【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、第５の実施形態に係わる
マスクデータ設計方法の処理例を示す図。

【図１１】第６の実施形態に係わるマスクデータ設計方
法の処理例を示す図。

【図１２】第７の実施形態に係わるマスクデータ設計方
法の処理例を示す図。

【図１３】第８の実施形態に係わるマスクデータ設計方
法を示すフローチャート。

【図１４】（ａ）〜（ｅ）は、第８の実施形態で用いた
パターンデータを示す図。

【図１５】（ａ）〜（ｅ）は、第８の実施形態に係わる
マスクデータ設計方法の処理例を示す図。

【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、第９の実施形態に係わる
マスクデータ設計方法の処理例を示す図。

【図１７】第９の実施形態に係わるマスクデータ設計方
法の処理例を示す図。

【図１８】第１０の実施形態に係わるマスクデータ設計
装置の構成を示すブロック図。

【符号の説明】

１０…パターンデータ格納部２０…補正テーブル３０…入力部４０…表示部５０…制御部５１…補正対象線分抽出手段５２…線分分割手段５３…分割線分空間的配置分類手段５４…補正方法選択手段５５…補正テーブル参照手段５６…光近接効果補正計算及び補正テーブル追加手段５７…補正値取得手段５８…図形処理手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者橋本耕治神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】設計パターンを基にマスクに形成された
パターンをウェハ上に転写して得られる転写パターンの
設計パターンに対する忠実度を向上するために、設計パ
ターンを補正してマスクデータとして用いるマスクデー
タ設計方法において、前記設計パターンから補正対象線分を抽出する工程と、抽出した線分を補正に適した長さに分割する工程と、分割した線分の空間的な配置の特徴が所定の一次元的ル
ールに適合するかを判断する工程と、前記所定の一次元ルールに適合する場合には、前記分割
された線分を一次元パターンに分類し、適合しない場合
には二次元パターンに分類する工程と、分類したパターン種別に応じて前記分割された線分の補
正を行う工程とを含むことを特徴とするマスクデータ設
計方法。
【請求項２】請求項１記載のマスクデータ設計方法に
おいて、分割した線分の空間的な配置の特徴は、分割線分の寸法と、分割線分から垂直方向に見た所定距
離内にある隣接線分の寸法と、それらの位置関係である
ことを特徴とするマスクデータ設計方法。
【請求項３】請求項１記載のマスクデータ設計方法に
おいて、前記分割された線分の補正を行う工程は、前記分割された線分の空間的な配置の特徴が一次元的パ
ターンに分類された場合は、この線分を含む一定の領域
について、一次元プロセスシミュレーション，一次元パ
ターンの転写実験，又はこれらの組合せを行うことで前
記分割線分の補正値を求める工程と、前記分割された線分の空間的な配置の特徴が二次元的パ
ターンに分類された場合は、この線分を含む一定の領域
について、二次元プロセスシミュレーション，二次元パ
ターンの転写実験，又はこれらの組み合わせをおこなう
ことで前記分割線分の補正値を求める工程とを含むこと
を特徴とするマスクデータ設計方法。
【請求項４】請求項３記載のマスクデータ設計方法に
おいて、前記分割された線分の補正を行う工程は、さらに、線分の空間的な配置の特徴と当該線分に対する前記補正
値とを格納するデータベースを用い、前記分割された線分の空間的な配置の特徴が当該データ
ベースに格納されている場合には、このデータベースか
ら前記分割された線分に適合する補正値を取り出し、前
記分割された線分を補正する工程を含むことを特徴とす
る。
【請求項５】請求項３記載のマスクデータ設計方法に
おいて、前記空間的配置が一次元的パターンに分類された分割線
分の補正値を求める工程は、分割線分及び分割線分から垂直方向に見た所定距離内の
他の線分を含む領域について一次元プロセスシミュレー
ション，一次元パターンの転写実験，又はこれらの組合
せを行うことで前記分割線分の補正値を求めることを特
徴とするマスクデータ設計方法。
【請求項６】請求項３記載のマスクデータ設計方法に
おいて、前記空間的配置が二次元パターンに分類された分割線分
の補正値を求める工程は、分割線分上の１点から垂直方向及び水平方向に所定距離
を取った矩形領域に含まれるパターンを抽出し、抽出し
たパターンについて二次元プロセスシミュレーション，
二次元パターンの転写実験，又はこれらの組み合わせを
おこなうことで前記分割線分の補正値を求めることを特
徴とするマスクデータ設計方法。
【請求項７】請求項３記載のマスクデータ設計方法に
おいて、前記空間的配置が二次元的パターンに分類された分割線
分の補正値を求める工程は、分割線分を含め分割線分の両端から垂直方向及び平行方
向に所定距離を取った矩形領域に含まれるパターンを二
次元的に抽出し、抽出したパターンについて二次元プロ
セスシミュレーション，二次元パターンの転写実験，又
はこれらの組み合わせを行うことで前記分割線分の補正
値を求めることを特徴とするマスクデータ設計方法。
【請求項８】請求項１記載のマスクデータ設計方法に
おいて、前記分割された線分の補正を行う工程は、分割線分が密集している場合には、当該密集している複
数の線分を含む領域についての補正計算を行うことを特
徴とするマスクデータ設計方法。
【請求項９】請求項３記載のマスクデータ設計方法に
おいて、一次元パターンに分類された分割線分を含む前記一定の
領域と二次元パターンに分類された分割線分を含む前記
一定の領域とが重複する場合には、少なくともこの重複
部分については、二次元プロセスシミュレーション，二
次元パターンの転写実験，又はこれらの組み合わせをお
こなうことで得られた補正値又は補正形状を前記分割線
分の補正値とすることを特徴とするマスクデータの設計
方法。
【請求項１０】請求項１記載のマスクデータ設計方法
において、分割した線分の空間的な配置の特徴が所定の一次元的ル
ールに適合するかを判断する工程は、前記分割線分の配置が一次元的ルールで近似できないと
判定する条件として、分割された線分の長さがある特定
の範囲にある場合とすることを特徴とするマスクデータ
設計方法。
【請求項１１】請求項１記載のマスクデータ設計方法
において、分割した線分の空間的な配置の特徴が所定の一次元的ル
ールに適合するかを判断する工程は、前記分割線分の配置が一次元的ルールで近似できないと
判定する条件として、着目線分から垂直方向に距離Ｒ以
内の隣接線分が着目線分と垂直でも平行でもない方向に
配置されている場合とすることを特徴とするマスクデー
タ設計方法。
【請求項１２】請求項１記載のマスクデータ設計方法
において、分割した線分の空間的な配置の特徴が所定の一次元的ル
ールに適合するかを判断する工程は、前記分割線分の配置が一次元的ルールで近似できないと
判定する条件として、着目線分がマスクデータ設計座標
軸から見て垂直でも平行でもない方向に配置されている
場合とすることを特徴とするマスクデータ設計方法。
【請求項１３】請求項１記載のマスクデータ設計方法
において、分割した線分の空間的な配置の特徴が所定の一次元的ル
ールに適合するかを判断する工程は、前記分割線分の配置が一次元的ルールで近似できないと
判定する条件として、着目線分が含まれるパターンを矩
形及び三角形に分解した際、着目線分が含まれる矩形の
長さと幅の比がある特定の範囲内にある場合とすること
を特徴とするマスクデータ設計方法。
【請求項１４】請求項１記載のマスクデータ設計方法
において、分割した線分の空間的な配置の特徴が所定の一次元的ル
ールに適合するかを判断する工程は、前記分割線分の配置が一次元的ルールで近似できないと
判定する条件として、着目線分の終端に、着目線分の延
長線を０°としたとき、予め設定した特定の角度をもっ
て接するパターンが配置され、該パターンの着目線分に
接する辺の長さが予め設定した特定の範囲にある場合と
することを特徴とするマスクデータ設計方法。
【請求項１５】請求項１記載のマスクデータ設計方法
において、前記線分を分割する工程は、着目線分から垂直方向にある特定の距離以内を見て、該
着目線分を含むパターンに対向する隣接パターンの頂点
から着目線分に下ろした垂線の交点又はその近傍を目安
に、分割後の線分の長さが指定の長さよりも短くならな
いように着目線分を分割することを特徴とするマスクデ
ータ設計方法。
【請求項１６】請求項１記載のマスクデータ設計方法
において、前記線分を分割する工程は、着目線分から垂直方向に特定の距離Ｒ以内にあるパター
ンを見て、パターンの頂点から着目線分に下ろした垂線
の交点又はその近傍を目安に、分割後の線分の長さが指
定の長さよりも短くならないように着目線分を分割する
ことを特徴とするマスクデータ設計方法。
【請求項１７】設計パターンを基にマスクに形成され
たパターンをウェハ上に転写して得られる転写パターン
の設計パターンに対する忠実度を向上するために、設計
パターンを補正してマスクデータとして用いるマスクデ
ータ設計装置であって、設計パターンから補正対象線分を抽出する手段と、抽出
された線分を補正に適した長さに分割する手段と、分割
された線分の空間的な配置の特徴を一次元的ルールで近
似できるか否かにより一次元パターンと二次元パターン
に分類する手段と、分類された線分の種別に応じて補正
を行う手段とを具備してなり、前記補正手段は、前記分割線分の配置が一次元パターン
の場合は、分割線分から垂直方向に見た所定距離内の配
置を一次元プロセスシミュレーション，一次元パターン
の転写実験，又はこれらの組合せを用いて補正値を求
め、前記分割線分の配置が二次元パターンの場合は、分
割線分上の１点から垂直方向及び水平方向に所定距離を
取った矩形領域に含まれるパターン、又は分割線分の両
端から垂直方向及び平行方向に所定距離を取った矩形領
域に含まれるパターンを二次元的に抽出し、抽出したパ
ターンを二次元プロセスシミュレーション，二次元パタ
ーンの転写実験，又はこれらの組み合わせを用いて補正
値を求めるものであることを特徴とするマスクデータ設
計装置。
【請求項１８】設計パターンを基にマスクに形成され
たパターンをウェハ上に転写して得られる転写パターン
の設計パターンに対する忠実度を向上するために、設計
パターンを補正してマスクデータを作成するためのプロ
グラムであって、設計パターンから補正対象線分を抽出する手順と、抽出
された線分を補正に適した長さに分割する手順と、分割
された線分の空間的な配置の特徴を一次元的ルールで近
似できるか否かにより一次元パターンと二次元パターン
に分類する手順と、分類された線分の種別に応じて補正
を行う手順とを実行させ、かつ補正に際して、分割線分が一次元パターンの場合
は、分割線分から垂直方向に見た所定距離内の配置を一
次元プロセスシミュレーション，一次元パターンの転写
実験，又はこれらの組合せを用いて補正値を求め、分割
線分が二次元パターンの場合は、分割線分上の１点から
垂直方向及び水平方向に所定距離を取った矩形領域に含
まれるパターン、又は分割線分の両端から垂直方向及び
平行方向に所定距離を取った矩形領域に含まれるパター
ンを二次元的に抽出し、抽出したパターンを二次元プロ
セスシミュレーション，二次元パターンの転写実験，又
はこれらの組み合わせを用いて補正値を求めるようにコ
ンピュータを制御するためのプログラムを格納したコン
ピュータ読み取り可能な記録媒体。