JP2002062633A - マスクパターン補正方法及び補正装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスク欠陥検査の制限値を守りながら補正精
度の劣化をできる限り小さく抑えることができ、かつね
じれパターンの発生を抑える。 【解決手段】 マスクに形成されたパターンがウェハ上
に設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを
形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパ
ターン補正方法において、設計パターンのエッジを移動
させる工程の前に、設計パターンの各エッジ毎に、該エ
ッジと隣接するエッジとの間隔を算出すると共に（Ｓ
２）、隣接エッジが補正されるエッジか否かを判定し
（Ｓ３）、これらの情報を基に最大移動可能量を決定す
る（Ｓ４）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光用マスクにパ
ターンを形成する際の元となる設計パターンデータを補
正するためのマスクパターン補正方法、マスクパターン
補正装置、更にはマスクパターン補正のためのプログラ
ムを格納した記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体製造技術の進歩は非常に目
覚しく、既に最小加工寸法０．２μｍサイズの半導体が
量産されている。このような微細化は、マスクプロセス
技術，光リソグラフィ技術，及びエッチング技術等の微
細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されてい
る。

【０００３】パターンサイズが十分大きい時代には、ウ
ェハ上に形成したいＬＳＩパターンの平面形状をそのま
ま設計パターンとして描き、その設計パターンに忠実な
マスクパターンを作成し、そのマスクパターンを投影光
学系によってウェハ上に転写し、下地をエッチングする
ことによってほぼ設計パターン通りのパターンがウェハ
上に形成できた。しかし、パターンの微細化が進むにつ
れて、各プロセスでパターンを忠実に形成することが困
難になってきており、最終仕上り寸法が設計パターン通
りにならない問題が生じてきた。

【０００４】これらの問題を解決するために、各プロセ
スでの変換差を考慮して、最終仕上り寸法が設計パター
ン寸法と等しくなるように、設計パターンと異なるマス
クパターンを作成する手段（以下マスクデータ処理と言
う）が非常に重要になっている。

【０００５】マスクデータ処理には、図形演算処理とデ
ザインルールチェッカ（D.R.C）を用いてパターンを変
化させるＭＤＰ処理や、光近接効果（ＯＰＥ）を補正す
るための光近接効果補正（ＯＰＣ）処理などがある。し
かし、近年のパターン微細化に伴って、従来ＭＤＰ処理
手法を利用して行われていたＯＰＣ処理（ルールベース
方式ＯＰＣ処理）から光学的なモデルを用いたより高精
度なモデルをべ一スとしたＯＰＣ処理が主流になってき
ている。モデルベースＯＰＣ処理では、与えられた設計
パターンがウェハ上に形成すべきパターンであるとし
て、仕上り予測シミュレーションを行い、そのシミュレ
ーション結果が設計パターンとほぼ一致するように補正
を行う。

【０００６】この場合の補正量としては制限を与えない
限り任意の値を取ることができるため、あるエッジと隣
接するエッジとの間隔が非常に小さくなることもある。
この間隔がマスク欠陥検査の解像度よりも小さくなる
と、マスク欠陥検査で擬似欠陥が発生し、検査感度を落
として検査を行わなければならない。その結果、マスク
全面で低い検査感度となるため、本来検出できるはずの
欠陥も見落とす恐れがある。

【０００７】この問題を解決するために、特開平１１−
１７４６５９号公報で提案されているように、補正後パ
ターンと元々のパターンの各エッジを最大補正量分だけ
リサイズした検証用パターンとを比較し、補正パターン
が制限された最大補正量よりも大きく補正されていない
ことを検証し、もし最大補正量よりも大きい補正量が入
っている場合には、その部分の補正量を変更するという
方法がある。

【０００８】しかしながら、この種の方法にあっては次
の (1)〜(3) ような問題が生じる。

【０００９】(1) 補正後のエッジ間の間隔がある値以下
にならないように最大補正量を制限すると、例えば孤立
パターンのように、制限された最大補正量よりもさらに
補正できるようなパターンに対しても、この最大補正量
が適用されてしまうため、補正量が未達になることがあ
る。

【００１０】(2) 最大補正量を制限しないで補正した後
にパターン検証を行って、エッジ間の間隔が制限より小
さい場合に補正量を変更する方法だと、補正精度そのも
のが劣化してしまい、仕上り形状の保証ができない。

【００１１】(3) エッジがパターンの内側に補正される
(パターンが細くなるように補正される)とき、最大補正
量だけでエッジの移動量を規定すると、場合によっては
パターンのねじれが発生することがある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】このように従来のマス
クパターン補正方法においては、エッジに対する最大補
正量を制限すると補正量が未達になる場合があり、これ
とは逆に、最大補正量を制限しないで補正した後にパタ
ーン検証を行って補正量を変更する方法だと、補正精度
そのものが劣化してしまい、仕上り形状の保証ができな
い。また、最大補正量だけでエッジの移動量を規定する
と、パターンのねじれが発生することがある。

【００１３】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、マスク欠陥検査装置の
制限値を守りながら補正精度の劣化をできる限り小さく
抑えることができ、かつねじれパターンの発生を抑える
ことのできる、マスクパターン補正方法と補正装置、更
にはマスクパターン補正プログラムを格納した記録媒体
を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は、次のような構成を採用している。

【００１５】即ち本発明は、マスクに形成されたパター
ンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスク
にパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正
するマスクパターン補正方法であって、前記設計パター
ンの各エッジ毎にその周辺環境に基づいて該エッジの最
大移動可能量を決定する工程と、決定された最大移動可
能量に応じて前記設計パターンのエッジを移動させる工
程とを含むことを特徴とする。

【００１６】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものが挙げられる。

【００１７】(1) 最大移動可能量を決定する工程とし
て、設計パターンの各エッジ毎に該エッジと隣接するエ
ッジとの間隔、及び該隣接エッジが補正されるエッジか
否かに基づいて最大移動可能量を決定する。

【００１８】(2) 最大移動可能量を決定する工程とし
て、設計パターンの各エッジ毎に、該エッジが補正可能
なエッジである場合に、該エッジと隣接するエッジとの
間隔に基づいて最大移動可能量を決定した後、決定した
最大移動可能量を加えた状態で、該エッジと隣接するエ
ッジとの間隔に基づいて最大移動可能量を再決定する。

【００１９】(3) 最大移動可能量を決定する工程では、
移動する方向に応じてそれぞれ異なる値を決定するこ
と。

【００２０】(4) 最大移動可能量を決定する工程では、
マスクの欠陥検査装置の検査限界寸法に応じて決められ
ること。

【００２１】また本発明は、マスクに形成されたパター
ンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスク
にパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正
するマスクパターン補正方法において、前記マスク上で
許容されるパターンの最小スペース幅Ｓlim と最小ライ
ン幅Ｌlim とを規定する第１の工程と、注目するエッジ
が補正対象か否かを判定する第２の工程と、該注目エッ
ジと隣接するエッジとの最短スペース距離Ｓmin 及び最
短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一方を算出する第
３の工程と、該注目エッジに隣接するエッジが補正対象
か否かを判定する第４の工程と、第２及び第４の工程で
の判定結果に基づいてエッジ毎に最大移動可能量を演算
する第５の工程とを有することを特徴とする。

【００２２】ここで、第３の工程で、注目エッジと隣接
エッジ間の最短距離を示す直線と注目エッジに対する垂
線との成す角α、及び隣接エッジと最短距離を示す直線
との成す角βも同時に算出し、これらの角度のうち少な
くとも一方が９０度又は２７０度でない場合には、第５
の工程における演算で、α，βの角度を考慮して最大移
動可能量を演算することが望ましい。

【００２３】また本発明は、マスクに形成されたパター
ンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスク
にパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正
するマスクパターン補正装置において、前記マスク上で
許容される最小スペース幅Ｓlim と最小ライン幅Ｌlim
とを入力する入力部と、注目するエッジが補正対象か否
かを判定する第１の判定部と、該注目エッジと隣接する
エッジとの最短スペース距離Ｓmin 及び最短ライン距離
Ｌmin のうち少なくとも一方を算出する算出部と、該注
目エッジに隣接するエッジが補正対象か否かを判定する
第２の判定部と、各判定部での判定結果に基づいてエッ
ジ毎に最大移動可能量を演算する演算部と、演算結果を
出力する出力部とを具備してなることを特徴とする。

【００２４】また本発明は、マスクに形成されたパター
ンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスク
にパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正
するためのプログラムであって、コンピュータを制御す
るためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可
能な記録媒体において、前記プログラムは、前記マスク
上で許容されるパターンの最小スペース幅Ｓlim と最小
ライン幅Ｌlim とを規定する第１の手順と、注目するエ
ッジが補正対象か否かを判定する第２の手順と、該注目
エッジと隣接するエッジとの最短スペース距離Ｓmin 及
び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一方を算出す
る第３の手順と、該注目エッジに隣接するエッジが補正
対象か否かを判定する第４の手順と、第２及び第４の手
順での判定結果に基づいてエッジ毎に最大移動可能量を
演算する第５の手順と、を実行させるようにコンピュー
タを制御することを特徴とする。

【００２５】（作用）本発明によれば、設計パターンの
エッジを移動させる工程よりも前に、設計パターンの各
エッジ毎にその周辺環境（注目エッジと隣接するエッジ
との間隔、及び隣接エッジが補正されるエッジか否か
等）に基づいて注目エッジの最大移動可能量を決定する
ことにより、マスク欠陥検査限界寸法以下のパターンを
作成せず、かつねじれパターンを作成せず、かつ可能な
限り補正精度を劣化させないマスクパターン補正を行う
ことができる。その結果、ウェハ上に形成される仕上り
パターン形状も設計パターンに対して忠実に形成するこ
とが可能となる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。

【００２７】（第１の実施形態）図１（ａ）（ｂ）に、
本発明の第１の実施形態に係わるマスクパターン補正方
法を説明するための図を示す。（ａ）は隣接パターン間
距離が短い例（密集パターン）、（ｂ）は隣接パターン
間距離が長い例（孤立パターン）であり、図中の１１，
２１はパターン、１２，２２はエッジを示している。

【００２８】図１（ａ）（ｂ）において、マスク検査感
度の限界寸法が１００ｎｍ（ウェハ上寸法換算）である
とし、予めデザインルールで規定される設計パターンの
最短エッジ間隔が１６０ｎｍとする。従来のマスクパタ
ーン補正方法では主に以下の２つの補正方式が用いられ
ていた。第１の方式は、全てのエッジに割り当てられる
最大補正量を（１６０−１００）／２＝３０ｎｍである
制限して補正を行う方法である。第２の方式は、最大補
正量に制限をせずに補正を行い、設計データから検証用
データを作成し、補正後のデータと検証用データを比較
検証し、エッジ間の間隔がマスク欠陥検査制限値以上に
なるように補正量を変える方法である。

【００２９】しかし、従来技術の項でも述べたように第
１の方式は、図１（ａ）に示す密集パターンに対しては
有効であるが、図１（ｂ）に示す孤立パターンに対して
は有効な方法ではない。何故なら、孤立パターンでは周
辺にパターンが無いために、３０ｎｍ以上の補正量でも
マスク寸法が検査限界値を超えることはないからであ
る。また第２の方式では、補正した後の補正量を変えて
しまうことによりウェハ上での仕上り形状も変化するた
め、補正精度の劣化を招く恐れがある。

【００３０】以下に、本実施形態によるマスク補正方法
の処理フローを図２に示す。図１（ａ）（ｂ）の太線で
示したエッジ１２を補正する場合を想定する。まず、設
計パターンを入力した後（Ｓ１）、補正を行う前にD.R.
C.等を用いて太線のエッジ１２と隣接するエッジ２２ま
での距離を算出する（Ｓ２）。また、距離を算出すると
同時に隣接するエッジ２２が補正対象のエッジなのか、
若しくは補正対象外のエッジなのかを判断する（Ｓ
３）。エッジが補正対象か対象外かは、そのエッジに割
り当てられたレイヤ番号等を見ることで判断できる。こ
の結果、図１（ａ）（ｂ）の太線のエッジ１２について
は、以下の４通りに場合分けされる。

【００３１】 マスク欠陥検査の限界寸法が１００ｎｍであり、では
隣接エッジ２２が補正対象となっているため、それが補
正されることも考慮した上で最大補正量を決める必要が
ある。従って、（１６０−１００）／２＝３０ｎｍが最
大補正量となる（Ｓ４）。では、隣接エッジ２２が補
正対象外でありそれは補正されないため、１６０−１０
０＝６０ｎｍが最大補正量となる。でも同様に求め
ると、それぞれ（５００−１００）／２＝２００ｎｍ，
５００−１００＝４００ｎｍが最大補正量となる。全て
のエッジに対して最大補正量が決まったら、この情報に
基づいて設計パターンの各エッジを移動させる（Ｓ
５）。そして、補正された設計パターンデータを基にマ
スクにパターンを形成することになる。。

【００３２】このように本実施形態では、補正（エッジ
の移動工程）を行う前に各エッジ毎に最大補正量を決め
た後、それぞれの最大補正量よりエッジ移動量が小さく
なるように補正量を決める。こうすれば、図１（ａ）に
示すような密集パターンではのように、マスク欠陥
検査限界の１００ｎｍ以下のエッジ間間隔を作らず、か
つできる限り大きい最大補正量を設定することが可能と
なる。一方、図１（ｂ）に示すような孤立パターンでは
のように、密集パターンに比べて大きい最大補正量
を設定することが可能となる。この結果、マスク欠陥検
査に影響を与えず、かつ補正精度を可能な限り劣化させ
ることなく設計パターンの補正を行うことが可能となっ
た。

【００３３】（第２の実施形態）第２の実施形態とし
て、パターンのねじれを回避できる最大補正量の設定方
法を説明する。

【００３４】図３（ａ）のパターンの太線で示したエッ
ジを補正する場合を考える。図中の３１，３２はパター
ン、３３は注目エッジ、３４は仕上がり形状を示してい
る。太線で示した２つの注目エッジ３３（Ａ，Ｂ）に対
して仕上り形状３４は外側にあるため、エッジＡ，Ｂは
共にパターンに対して内側に補正されることが望まし
い。このようなパターンを従来法で補正すると、仮に最
大補正量が８０ｎｍ以上に設定されている場合には、図
３（ｂ）に示すようにエッジＡ，Ｂが互いに内側に補正
された結果、エッジＡとエッジＢの位置関係が入れ替わ
ってしまい、パターンのねじれが発生する恐れがあっ
た。このようになると、正しいシミュレーションを行う
ことができないため、正しい補正値を得ることができな
い。

【００３５】本実施形態においては、補正前に補正対象
エッジと隣接するエッジとの間隔を算出することができ
るので、ねじれパターンを発生しないように一方向に対
する補正最大量を決定することができる。

【００３６】図３（ａ）のパターンを用いて本実施形態
による補正方法を説明する。まず、図３（ａ）のエッジ
Ａを補正対象エッジであるとしたとき、補正を行う前に
D.R.C.機能を用いてエッジＡとエッジＢとの間隔を算出
する。ここで、マスク欠陥検査限界寸法が１００ｎｍで
あり、エッジＡとエッジＢとの間隔は１６０ｎｍであ
り、かつエッジＢは補正対象エッジであることも判断で
きるので、第１の実施形態で示した場合分けを行うと、
エッジＡの一方向に対する最大補正量は（１００−１６
０）／２＝−３０ｎｍと−方向に対する最大補正量を決
定することができる。エッジＢに対しても同様に、−方
向に対する最大補正量として−３０ｎｍを決定すること
ができる。これにより、エッジ補正に伴うねじれパター
ンの発生を防止することができる。

【００３７】そして、第１の実施形態に示した方法で＋
方向の最大補正量を規定し、本実施形態に示した方法で
−方向の最大補正量を規定することにより、マスク欠陥
検査の限界寸法以下のパターンを作らず、かつねじれパ
ターンも作らずに、かつ補正精度の劣化も可能な限り小
さく抑えながら補正できることになる。

【００３８】（第３の実施形態）図４は、本発明の第３
の実施形態に係わるマスクパターン補正装置の基本構成
を示すブロック図である。なお、本装置は、例えば磁気
ディスク等の記録媒体に記録されたプログラムを読み込
み、このプログラムによって動作が制御されるコンピュ
ータによって実現される。

【００３９】図中の４１はマスクパターンの設計データ
（設計パターン）とマスク上で許容される最短スペース
幅Ｓlim 及び最短ライン幅Ｌlim を入力するためのパタ
ーン入力部、４２は注目するエッジが補正対象か否かを
判定する第１の判定部、４３は注目エッジと隣接するエ
ッジとの最短スペース距離Ｓmin 及び最短ライン距離Ｌ
min のうち少なくとも一方を算出する算出部、４４は注
目エッジに隣接するエッジが補正対象か否かを判定する
第２の判定部、４５は判定結果に基づいてエッジ毎に最
大移動可能量を演算する演算部、４６は演算結果を出力
する出力部を示している。

【００４０】図５に、上記補正装置を用いたマスクパタ
ーン補正方法の処理フローを示す。まず、補正対象エッ
ジを含む設計パターンを入力する（Ｓ１）。このとき、
マスク上で許容される最短スペース幅Ｓlim と最短ライ
ンＬlim をそれぞれ入力する（Ｓ２）。

【００４１】次いで、注目するエッジが補正対象である
か否かを判定する（Ｓ３）。補正対象外である場合は、
エッジ最大移動量ｘ＝０を設定する（Ｓ４）。補正対象
である場合は、マスクパターン補正装置に組込まれたD.
R.C.機能を用いて、補正対象エッジと隣接するエッジと
の間隔を算出する（Ｓ５）。具体的には、エッジ間最短
距離Ｓmim ，Ｌmin を算出し、更に最短距離とエッジと
の成す角α，βを算出する。

【００４２】次いで、注目エッジに隣接する隣接エッジ
が補正対象であるか否かを判定し（Ｓ６）、補正対象エ
ッジか補正対象外エッジかに応じて場合分けを行う（Ｓ
７，Ｓ８）。そして、決められたマスク欠陥検査の限界
寸法値を用いて、場合分けに応じて演算処理を行い、各
エッジに＋方向の最大補正量と−方向の最大補正量とを
それぞれ設定する（Ｓ９）。この設定が終了した後、こ
の最大補正量の条件を満たすように補正を行い（Ｓ１
０）、その結果である補正パターンを出力する（Ｓ１
１）。

【００４３】このような手順で補正を行うことにより、
マスク欠陥検査限界寸法以下のパターンとねじれパター
ンを作らず、補正精度の劣化をできるだけ小さく抑えて
補正を行うことができた。

【００４４】（第４の実施形態）第４の実施形態とし
て、注目するエッジと隣接エッジとの最短距離を示す直
線がそれぞれのエッジに対して９０度又は２７０度でな
い場合の例を説明する。図６は、本発明の第４の実施形
態に係わるマスクパターン補正方法を説明するための図
であり、６１，６２はパターン、７１は注目エッジ、７
２は隣接エッジを示している。

【００４５】図６に示すように、注目エッジ７１と隣接
するエッジ７２との最短距離をＳmin とし、その最短距
離を結ぶ直線と注目エッジ７１に対する垂線との成す角
をα、隣接エッジ７２に対する垂線との成す角をβと
し、マスク上許容される最小スペース幅をＳlim とし、
この条件でのエッジ最大移動可能量をｘとする。このと
き、以下の式が成り立つ。

【００４６】Smin -Slim =x/cosα+x/cosβ ∴ｘ＝(Smin-Slim)/(1/cosα+1/cosβ) この式は隣接エッジも補正対象の場合であり、隣接エッ
ジが補正対象外の場合には、 Smin -Slim ＝ｘ／cos α ∴ｘ＝（Smin-Slim）／（1/cosα） となる。この式により最大移動可能量ｘが算出できる。
このｘの値に従って補正を行うことにより、マスク上許
容される最短スペース幅をほぼ確保することができ、マ
スクプロセス負荷を低減させることができる。また、本
実施形態ではスペースに対するエッジ最大移動可能量を
算出する例を示したが、これはラインに対しても同様に
適用することができる。

【００４７】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。例えば、各実施形態で説明した補
正方法に加え、補正精度の更なる向上をはかるために、
マスクの最大補正量を補正計算を行う度に算出するよう
にしてもよい。言い換えると、マスクパターンの補正は
通常、補正値を収束させるために繰り返し計算を行って
いるため、その繰り返しの度に実施形態で示したように
最大補正量を算出することも可能である。既に補正され
た値を考慮しながら最大補正量を決定することによっ
て、より精度良く補正を行うことが可能となる。

【００４８】上記のように補正値を繰り返し計算により
決定する場合、隣接エッジが補正されるエッジか否かを
考慮せずに最大移動可能量を決定してもよい。これは、
決定した最大移動可能量を加えた状態で、該エッジと隣
接するエッジとの間隔に基づいて最大移動可能量を再決
定することになり、隣接エッジが補正されるエッジか否
かを考慮しなくても精度良い補正が可能となるためであ
る。

【００４９】また本発明は、コンピュータに実行させる
ことのできるプログラムとして、例えば磁気ディスク
（フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク
等）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等）、半導体
メモリなどの記録媒体に書き込んで各種装置に適用した
り、通信媒体により伝送して各種装置に適用することも
可能である。本装置を実現するコンピュータは、記録媒
体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラム
によって動作が制御されることにより、上述した処理を
実行することになる。

【００５０】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。

【００５１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、設
計パターンのエッジを移動させる工程の前に、設計パタ
ーンの各エッジ毎にその周辺環境（注目エッジと隣接す
るエッジとの間隔、及び該隣接エッジが補正されるエッ
ジか否か等）に基づいて該エッジの最大移動可能量を決
定することにより、マスク欠陥検査限界寸法以下のパタ
ーンとねじれパターンを作らず、補正精度の劣化をでき
るだけ小さく抑えて補正を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係わるマスクパターン補正方
法を説明するための図。

【図２】第１の実施形態によるマスク補正方法の処理フ
ローを示す図。

【図３】第２の実施形態に係わるマスクパターン補正方
法を説明するための図。

【図４】第３の実施形態に係わるマスクパターン補正装
置の基本構成を示すブロック図。

【図５】第３の実施形態におけるマスクパターン補正方
法の処理フローを示す図。

【図６】第４の実施形態に係わるマスクパターン補正方
法を説明するための図。

【符号の説明】 １１，２１，３１，３２，６１，６２…パターン １２，２２，３３，７１，７２…エッジ ３４…仕上がり形状 ４１…パターン入力部 ４２…第１の判定部 ４３…算出部 ４４…第２の判定部 ４５…演算部 ４６…出力部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 壮一 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 山元 和子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 (72)発明者 小林 幸子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 Ｆターム(参考） 2H095 BB01 BB36 5B046 AA08 GA06 5B057 AA03 DC16

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】マスクに形成されたパターンがウェハ上に
   設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形
   成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパタ
   ーン補正方法であって、 前記設計パターンの各エッジ毎にその周辺環境に基づい
   て該エッジの最大移動可能量を決定する工程と、決定さ
   れた最大移動可能量に応じて前記設計パターンのエッジ
   を移動させる工程とを含むことを特徴とするマスクパタ
   ーン補正方法。
2. 【請求項２】前記最大移動可能量を決定する工程は、前
   記設計パターンの各エッジ毎に該エッジと隣接するエッ
   ジとの間隔、及び該隣接エッジが補正されるエッジか否
   かに基づいて最大移動可能量を決定することを特徴とす
   る請求項１記載のマスクパターン補正方法。
3. 【請求項３】前記最大移動可能量を決定する工程は、前
   記設計パターンの各エッジ毎に、該エッジが補正可能な
   エッジである場合に、該エッジと隣接するエッジとの間
   隔に基づいて最大移動可能量を決定したのち、決定した
   最大移動可能量を加えた状態で、該エッジと隣接するエ
   ッジとの間隔に基づいて最大移動可能量を再決定するこ
   とを特徴とする請求項１記載のマスクパターン補正方
   法。
4. 【請求項４】前記最大移動可能量を決定する工程は、移
   動する方向に応じてそれぞれ異なる値を設定することを
   特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のマスクパター
   ン補正方法。
5. 【請求項５】前記最大移動可能量を決定する工程は、マ
   スクの欠陥検査装置の検査限界寸法に応じて前記決定を
   行うことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のマ
   スクパターン補正方法。
6. 【請求項６】マスクに形成されたパターンがウェハ上に
   設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形
   成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパタ
   ーン補正方法であって、 前記マスク上で許容されるパターンの最小スペース幅Ｓ
   lim と最小ライン幅Ｌlim とを規定する第１の工程と、
   注目するエッジが補正対象か否かを判定する第２の工程
   と、該注目エッジと隣接するエッジとの最短スペース距
   離Ｓmin 及び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一
   方を算出する第３の工程と、該注目エッジに隣接するエ
   ッジが補正対象か否かを判定する第４の工程と、第２及
   び第４の工程での判定結果に基づいてエッジ毎に最大移
   動可能量を演算する第５の工程とを含むことを特徴とす
   るマスクパターン補正方法。
7. 【請求項７】第３の工程で、注目エッジと隣接エッジ間
   の最短距離を示す直線と注目エッジに対する垂線との成
   す角α、及び隣接エッジと最短距離を示す直線との成す
   角βも同時に算出し、これらの角度のうち少なくとも一
   方が９０度又は２７０度でない場合には、第５の工程に
   おける演算で、α，βの角度を考慮して最大移動可能量
   を演算することを特徴とする請求項６記載のマスクパタ
   ーン補正方法。
8. 【請求項８】マスクに形成されたパターンがウェハ上に
   設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形
   成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパタ
   ーン補正装置であって、 前記マスク上で許容されるパターンの最小スペース幅Ｓ
   lim と最小ライン幅Ｌlim を入力する入力部と、注目す
   るエッジが補正対象か否かを判定する第１の判定部と、
   該注目エッジと隣接するエッジとの最短スペース距離Ｓ
   min 及び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一方を
   算出する算出部と、該注目エッジに隣接するエッジが補
   正対象か否かを判定する第２の判定部と、各判定部での
   判定結果に基づいてエッジ毎に最大移動可能量を演算す
   る演算部と、演算結果を出力する出力部とを具備してな
   ることを特徴とするマスクパターン補正装置。
9. 【請求項９】マスクに形成されたパターンがウェハ上に
   設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形
   成する際の元となる設計パターンをコンピュータにより
   補正するためのプログラムであって、 前記マスク上で許容されるパターンの最小スペース幅Ｓ
   lim と最小ライン幅Ｌlim とを規定する第１の手順と、
   注目するエッジが補正対象か否かを判定する第２の手順
   と、該注目エッジと隣接するエッジとの最短スペース距
   離Ｓmin 及び最短ライン距離Ｌmin のうち少なくとも一
   方を算出する第３の手順と、該注目エッジに隣接するエ
   ッジが補正対象か否かを判定する第４の手順と、第２及
   び第４の手順での判定結果に基づいてエッジ毎に最大移
   動可能量を演算する第５の手順と、を実行させるように
   コンピュータを制御するためのプログラムを格納したコ
   ンピュータ読み取り可能な記録媒体。