JP4460794B2 - 露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラムに係わり、特に近接効果の影響を小さくするための露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラムに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置の回路パターン寸法の微細化の要求が加速されている。これに伴い、設計パターン通りに露光マスクを作成しても、ウェハ上に設計パターン通りにパターンを形成できないという現象が生じている。この現象はウェハ上での近接効果(OPE:Optical Proximity Effect)と呼ばれている。
【0003】
OPEは、大別して、マスクプロセス、リソグラフィプロセス、エッチングプロセスに要因するものがある。具体的には、リソグラフィプロセスの場合であればレジストの現像、エッチングプロセスの場合であればローディング(loading)効果に起因するものがあげられる。リソグラフィプロセスは光学的な要因であるが、マスクプロセス、エッチングプロセスは光学的な要因ではない。
【0004】
OPEを補正する技術として、様々なOPC(Optical Proximity Correction)が提案されている。図16は、OPCを行なうための補正ルール(ルールベースOPCの場合、以下OPCルールという。)もしくは補正モデル(モデルベースOPCの場合、以下OPCモデルという。)の作成手順と、OPCルールもしくはOPCモデル(OPCルール/モデル)の実製品へのフィードバックをフローで示したものである(従来法)。
【0005】
図16に示すように、OPCルール/モデルを作成するには、それらが取得できるような評価マスクを設計データに基づいて作成する。この評価マスクは、OPC TEGマスクと呼ばれている。この評価マスクを製品と同じマスクプロセスで作成し、この評価マスクを用いて製品と同じリソグラフィプロセス、製品と同じエッチングプロセスを行って評価ウェハを作成する。
【0006】
図17に、従来のOPCのフローを示す。OPCルール/モデルは、上記評価ウェハのOPE評価を行い、該評価ウェハに形成されたパターンが設計データのパターンと一致するように選ばれる。このようにして選ばれたOPCルール/モデルを製品の本体マスクの作成に適用する。なお、図17の右側のフローは評価ウェハと製品の両方を示しており、OPCルール/モデルを作成するためのスループロセスの際はOPCTEGマスクを用いて取得される。
【0007】
図18に、従来のOPCモデル化の手法を示す。これは実験で得られたウェハ寸法(CDexp )と計算で得られたウェハ寸法(CDsim )と一致するように、マルチガウス関数の係数Ci,ΔLiを選択する方法である。
【0008】
OPCが施される製品のユニットプロセス群(マスクプロセス、リソグラフィプロセス、エッチングプロセスなど)と、OPCルール/モデルを収得するために作成した評価マスクのユニットプロセス群とは同一のものでなければならない。
【0009】
その理由は、評価ウェハと製品とでユニットプロセス群が異なると、評価ウェハと製品とでOPEが変わってしまい、その結果として得られたOPCルール/モデルが有効でなくなる可能性があるからである。
【0010】
しかし、ユニットプロセス群を構成するマスクプロセス、リソグラフィプロセス、エッチングプロセスの各ユニットプロセスは時代と共に進歩していくものであり、一度OPCルール/モデルが決定された後でも高精度化に向けて開発が進められていく可能性が高い。
【0011】
従来技術では、OPCルール/モデルが決定された後にマスクプロセス、リソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスのいずれかに変更が生じた場合、再度新規プロセスを含めたマスクプロセス、リソグラフィプロセス、エッチングプロセスを行って評価ウェハを作成し、そのウェハのOPE評価結果から新たな補正ルールもしくは補正モデルを作成していた。
【0012】
そのため、各ユニットプロセスのうち何か一つでも変更が生じると、その度評価ウェハの作成、評価ウェハのOPE評価などの作業を何度も行う必要があり、新たなOPCルール/モデルの作成に時間がかかるという問題があった。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、従来のOPCは、OPCルール/モデルが決定された後にユニットプロセス群に変更が生じた場合、その度評価ウェハの作成、評価ウェハのOPE評価など多大な作業を何度も行なう必要があった。
【0014】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、OPCルール等が決定された後にユニットプロセスに変更が生じても、短時間で新たなOPCルール等を作成できる露光マスクのパターン補正方法、それを用いたパターン形成方法、および上記パターン補正方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る露光マスクのパターン補正方法は、露光マスクを用いた基板上のパターン形成に係るユニットプロセス群を用意する工程であって、前記ユニットプロセス群として、前記露光マスクの製造に係るユニットプロセス、前記基板上のリソグラフィに係るユニットプロセス、および前記基板上のエッチングに係るユニットプロセスを含むものを用意する工程と、前記露光マスクの製造に係るユニットプロセスまたは前記基板上のリソグラフィに係るユニットプロセスに変更が生じた場合、該変更が生じたユニットプロセスについての変更前および変更後の近接効果データに基づいて補正ルールもしくは補正モデルを設定し、前記露光マスクのパターンの近接効果補正を行う工程であって、前記変更後の近接効果データは、前記変更したユニットプロセスとその後に行われるユニットプロセスとの相関係数を用いて取得し、前記相関係数は、前記変更が生じる前の前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法と前記変更が生じた後の前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法との第1の相違と、前記変更が生じる前の前記その後に行われる前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法と前記変更が生じた後の前記その後に行われる前記ユニットプロセスを経て得られる部材の前記寸法との第2の相違との相関である前記工程とを有することを特徴とする。
【0016】
前記基板は、例えばSi基板等の半導体基板、Siウェハ等の半導体ウェハ、ガラス基板等の絶縁性基板である。また、前記パターンは、例えば回路パターンである。また、上記例記以外のユニットプロセスとしては例えば酸化に係るプロセスがあげられる。
【0017】
本発明に係る露光マスクのパターン補正方法は、変更が生じたユニットプロセスについてのみ、補正ルール等を新たに設定することにより、変更が生じてないユニットプロセスに対しては補正ルール等を設定する必要が無くなる。したがって、OPCルール等が決定された後にユニットプロセスに変更が生じても、短時間で新たなOPCルール等を作成できるようになる。
【0018】
なお、あるユニットプロセスに変更が生じた場合、その変更が無変更の残りのユニットプロセスに影響を与える可能性があるので、全てのユニットプロセスを考慮したOPCルール等を作成する必要に思われるが、本発明者等の研究によれば、変更が生じたユニットプロセスについてのみ、補正ルール等を新たに設定することにより、十分な結果が得られることが分かった。
【0019】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態(以下、実施形態という)を説明する。
【0021】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図である。ここでは、ユニットプロセス群を構成するユニットプロセスのうち露光マスク製造に係るプロセス(マスクプロセス)に変更があった場合について説明する。
【0022】
ここで言うマスクプロセスの変更とは、露光マスク作成の際の描画プロセス、レジストプロセス、露光マスク上エッチングプロセス等のプロセスであり、さらにそれら各プロセスを構成する一要因が変更された場合も含まれる。また、対象となるパターンは、例えばSi基板(Siウェハ)上に形成する回路パターンである。
【0023】
ユニットプロセス(ここではマスクプロセス)に変更が生じた場合、露光マスクのパターン補正方法のために、OPCルール/モデルを新たに作り直す必要がある。
【0024】
本実施形態は、この新しいOPCルール/モデルの作成方法に特徴があり、その他は周知のパターン形成方法と同じである。したがって、以下の説明では、新しいOPCルール/モデルの作成方法を中心に説明する。
【0025】
本実施形態では、まず、変更前のマスクプロセス(旧マスクプロセス)にて得られた評価マスクの近接効果データと、変更後の露光マスク製造に係るマスクプロセス(新マスクプロセス)にて得られた評価マスクの近接効果データとに基づいて、新マスクプロセスでのOPCルール/モデル(新OPCルール/モデル)を作成する。
【0026】
その後、マスクプロセス変更前のOPCルール/モデル(旧OPCルール/モデル)のうちマスクプロセスでのOPCルール/モデルを、上記新マスクプロセスでのOPCルール/モデルに読み替える。
【0027】
このようにして得られたOPCルール/モデル(新OPCルール/モデル)を実際の製品の回路パターン形成に使用する露光マスク(本体マスク)の作成に用い、製品にフィードバックをかける。
【0028】
新マスクプロセスでのOPCルール/モデルの作成に必要な情報としては、図2に示すように、旧OPCルール/モデルと、新旧マスクプロセス間でのマスクの寸法差またはマスクの形状差(断面形状差、平面形状差)があれば良い。
【0029】
旧OPCルール/旧OPCモデルは既に取得されている。そのため、新OPCルール/モデルを作成するために必要な新規の評価項目は、新旧マスクプロセス問でのマスク寸法差、マスク形状差の評価だけで済む。したがって、本実施形態によれば、従来方法と比較して比較的平易かつ短時間で新OPCルール/モデルを作成できるようになる。
【0030】
次に、マスクプロセスが変更になったときのOPCルール/モデルの読み替え(一次元OPC読み替え)について、図3を用いて具体的に説明する。ここでは、評価パターンとして、図3(a)に示すように、測定パターンの最近接パターンまでの距離S(Design Space)を変化させたパターンを用いる。
【0031】
まず、旧マスクプロセスを用いて、図3(a)の評価パターンを有する露光マスクを作成し、旧マスクプロセスにおける露光マスク上での測定パターンの幅CDとその最近接パターンまでの距離S(Design Space)との関係(一次元OPEカーブ)を取得する(ステップ1)。幅CDは実測値、距離S(Design Space)は設計値である。同様に、新マスクプロセスを用いて、新マスクプロセスにおける露光マスク上でのCDとDesign Spaceとの関係を収得する(ステップ2)。これらのステップ1,2の結果を図3(b)に示す。
【0032】
次に、ステップ1,2の結果(新旧マスクプロセス間でのマスク寸法差)に基づいて、新マスクプロセスにおけるウェハ上でのCDとDesign Spaceとの関係を計算にて取得する(ステップ3)。ステップ3の結果を図3(c)に示す。
【0033】
次に、ステップ3にて取得したウェハ上でのCDとDesign Spaceとの関係から、新OPCルール/モデルを作成する(ステップ4)。
【0034】
次に、マスクプロセスが変更になったときのOPCルール/モデルの読み替え(二次元OPC読み替え)について、図4を用いて具体的に説明する。ここでは、評価パターンとして、図4(a)、図4(b)に示すように、最近接する二つの長方形パターンの突き当て間距離S(Design Space)を変化させたパターンを用いる。
【0035】
まず、旧マスクプロセスを用いて、図4(a)の評価パターンを有する露光マスクを作成し、この露光マスク上での実測による突き当て間距離(Space on Mask)と旧マスクプロセスにおける設計上の突き当て間距離(Design Space)との関係を求める(ステップ1)。同様に、新マスクプロセスを用いて、図4(b)の評価パターンを有する露光マスクを作成し、実測による突き当て間距離(Space on Mask)と新マスクプロセスにおける設計値上の突き当て間距離(Design Space)との関係(二次元OPEカーブ)を求める(ステップ2)。これらのステップ1,2の結果を図3(b)に示す。
【0036】
次に、ステップ1,2の結果(新旧マスクプロセス間でのマスク寸法差)に基づいて、新マスクプロセスにおけるウェハ上での突き当て間距離(Space on Mask)と設計値上の突き当て間距離(Design Space)との関係を取得するCDとDesign Spaceとの関係を計算にて取得する(ステップ3)。ステップ3の結果を図4(c)に示す。
【0037】
次に、ステップ3にて取得したウェハ上での突き当て間距離(Space on Mask)と設計値上の突き当て間距離(Design Space)との関係から、新OPCルール/モデルを作成する(ステップ4)。
【0038】
図5に、新旧マスクプロセスでのマスクデータ(CD−S関係)と旧マスクプロセスでのウェハデータ(CD−S関係)から、新マスクプロセスでのウェハデータ(CD−S関係)を取得する方法を示す。この方法は、一次元OPC読み替え、二次元OPC読み替えのいずれにも適用できる。
【0039】
この方法は、マスク上での新旧マスクプロセス間のCD−S関係の相違(ΔCDm)が、ウェハ上での新旧マスクプロセス間のCD−S関係の相違(ΔCDw)に反映されることを利用したものである。具体的には、ΔCDwは、ΔCDmをMEF(Mask CD Error Factor)で除算することによって推定できることを利用する。MEFとは、図6に示すように、パターンピッチ一定の条件下でのマスク寸法とウェハ寸法の相関を示すファクタ(変更したユニットプロセスとその後工程のユニットプロセスとの相関係数)である。これを用いることでマスク上の寸法差がどれぐらいのウェハ上寸法差となるかが分かる。
【0040】
(第2の実施形態)
図7は、本発明の第2の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図である。ここでは、ユニットプロセス群を構成するユニットプロセスのうちリソグラフィプロセスに変更があった場合について説明する。ここで言うリソグラフィプロセスの変更とは、露光装置の照明条件、レジストプロセス、マスク条件(例えば通常マスクか位相シフトマスクかなど)等のプロセスであり、さらにそれら各プロセスを構成する一要因が変更された場合も含まれる。
【0041】
ユニットプロセス(ここではリソグラフィプロセス)に変更が生じた場合、OPCルール/モデルを新たに作り直す必要がある。本実施形態は、この新しいOPCルール/モデルの作成方法に特徴があり、その他は周知の半導体装置の製造方法と同じである。したがって、以下の説明では、新しいOPCルール/モデルの作成方法を中心に説明する。
【0042】
本実施形態では、まず、変更前のリソグラフィプロセス(旧リソグラフィプロセス)を用いたユニットプロセス群により作成した評価マスクの近接効果データと、変更後のリソグラフィプロセス(新リソグラフィプロセス)を用いたユニットプロセス群により作成した評価マスクの近接効果データとに基づいて、新リソグラフィプロセスでのOPCルール/モデル(新OPCルール/モデル)を求める。
【0043】
その後、リソグラフィプロセス変更前のOPCルール/モデル(旧OPCルール/モデル)のうちリソグラフィプロセスでのOPCルール/モデルを、上記新リソグラフィプロセスでのOPCルール/モデルに読み替える。このようにして得られたOPCルール/モデル(新OPCルール/モデル)を実際の製品のパターン形成に使用する露光マスク(本体マスク)の作成に用い、製品にフィードバックをかける。
【0044】
新リソグラフィプロセスでのOPCルール/モデル作成に必要な情報としては、図8に示すように、旧OPCルール/モデルと、新旧リソグラフィプロセス間でのレジストパターンの寸法差、レジストパターンの形状差(断面形状差、平面形状差)があれば良い。
【0045】
旧OPCルール/旧OPCモデルは既に取得されている。そのため、新OPCルール/モデルを作成するために必要な新規の評価項目は、新旧リソグラフィプロセス問でのレジストパターンの寸法差、レジストパターンの形状差の評価だけで済む。したがって、本実施形態によれば、従来方法と比較して比較的平易かつ短時間で新OPCルール/モデルを作成できる。
【0046】
(第3の実施形態)
図9は、本発明の第3の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図である。ここでは、ユニットプロセス群を構成するユニットプロセスのうちエッチングプロセスに変更があった場合について説明する。ここで言うエッチングプロセスの変更とは、エッチング装置、エッチング条件、被エッチング材料(成膜条件の変更も含む)等であり、さらにそれら各プロセスを構成する一要因が変更された場合も含まれる。
【0047】
ユニットプロセス(ここではエッチングプロセス)に変更が生じた場合、OPCルール/モデルを新たに作り直す必要がある。本実施形態は、この新しいOPCルール/モデルの作成方法に特徴があり、その他は周知の半導体装置の製造方法と同じである。したがって、以下の説明では、新しいOPCルール/モデルの作成方法を中心に説明する。
【0048】
本実施形態では、まず、変更前のエッチングプロセス(旧エッチングプロセス)を用いたユニットプロセス群により作成した評価マスクの近接効果データと、変更後のエッチングプロセス(新エッチングプロセス)を用いたユニットプロセス群により作成した評価マスクの近接効果データとに基づいて、新エッチングプロセスでのOPCルール/モデル(新OPCルール/モデル)を求める。
【0049】
その後、エッチングプロセス変更前のOPCルール/モデル(旧OPCルール/モデル)のうちエッチングプロセスでのOPCルール/モデルを、上記新エッチングプロセスでのOPCルール/モデルに読み替える。このようにして得られたOPCルール/モデル(新OPCルール/モデル)を実際の製品のパターン形成に使用する露光マスク(本体マスク)の作成に用い、製品にフィードバックをかける。
【0050】
新エッチングプロセスでのOPCルール/モデル作成に必要な情報としては、図10に示すように、旧OPCルール/モデルと、新旧エッチングプロセス間での被エッチング部材の寸法差、被エッチング部材の形状差(断面形状差、平面形状差)があれば良い。
【0051】
旧OPCルール/旧OPCモデルは既に取得されている。そのため、新OPCルール/モデルを作成するために必要な新規の評価項目は、新旧エッチングプロセス問での被エッチング部材(例えば絶縁膜、金属膜、半導体膜)の寸法差、被エッチング部材の形状差の評価だけで済む。したがって、本実施形態によれば、従来方法と比較して比較的平易かつ短時間で新OPCルール/モデルを作成できる。
【0052】
(第4の実施形態)
図11は、本発明の第4の実施形態に係る露光マスクのパターン補正方法のフローを模式的に示す図である。
【0053】
第1〜第3の実施形態では、ユニットプロセス群を構成するユニットプロセスであるマスクプロセス、リソグラフィプロセス、エッチングプロセスの一つをOPCの対象とした場合について説明した。本実施形態では、これらの三つのユニットプロセスの全てをOPCの対象とした場合について説明する。
【0054】
具体的には、各ユニットプロセス毎にOPCルール/モデルを設定し、各ユニットプロセス毎に露光マスクのパターンの近接効果補正を行う。図11には、エッチングプロセス、リソグラフィプロセス、マスクプロセスの順で、OPCルール/モデルを設定、近接効果補正を行う方法が示されている。このとき、OPCルール/モデルの読み替えは、変更が生じたユニットプロセスについてのみ行えば良い。
【0055】
これらの一連の近接効果補正を経て、実際の製品のパターン形成に使用する露光マスク(本体マスク)の作成に必要な描画データが得られる。なお、図17の右側のフローは評価ウェハと製品の両方を示している。
【0056】
ユニットプロセスによってはOPCルールベース、OPCモデルベースのいずれかが良いかが異なる可能性がある。その判断は、図11に示されたOPEのDesign Space(図ではSpaceと略記)の依存性から判断できる。各ユニットプロセス毎で適切なOPCの方式(OPCルールベースまたはOPCモデルベース)を選択し、OPCのモデルおよびルールの最適化を図ることにより、OPCの高精度化が図れる。
【0057】
(第5の実施形態)
図12は、本発明の第5の実施形態に係る露光マスクのパターン補正方法のフローを模式的に示す図である。
【0058】
本実施形態が第4の実施形態と異なる点は、OPCの対象をエッチングプロセスと、マスクプロセスとリソグラフィプロセスを一つにまとめたプロセスとの2つに分けたことにある。これは経験的にマスクプロセスのOPEが他のユニットプロセス(リソグラフィプロセスとエッチングプロセス)に比べて小さいことによる。図12には、エッチングプロセス、(リソグラフィプロセス+マスクプロセス)の順で、OPCルール/モデルを設定、近接効果補正を行う方法が示されている。このように同じユニットプロセスを適切なOPC方式で一つにまとめることにより、OPC処理の簡略を図れる。特にマスクプロセスのように近接効果が小さいものを含む場合には非常に有効である。
【0059】
ここでは、エッチングプロセスに適したOPC方式と、(リソグラフィプロセス+マスクプロセス)に適したOPC方式を選択するが、一般には前者にはルールベース、後者にはモデルベースを選択していく。これはエッチングのOPEは一般に隣接パターンまでの距離に大きく依存し、(リソグラフィプロセス+マスクプロセス)のOPEは光学モデルと一致するからである。
【0060】
また、この場合も、第4の実施形態と同様に、OPCの読み替えは、変更が生じたプロセスについてのみ行えば良く、また各プロセス毎に適切なベース(OPCルールベースまたはOPCモデルベース)を選択し、OPCの高精度化が図れる。
【0061】
(第6の実施形態)
近年、パターン被覆率に対する近接効果が顕在化しており、このパターン被覆率を考慮してOPCを行うことが重要となってきている。被覆率パターンを考慮しない場合(従来)、図13に示すように、被覆率が固定された評価マスクを作成し、この評価マスクを用いて一次元(1D)OPEカーブを取得し、これに基づいてOPCルール/モデルを作成し、製品に展開する。
【0062】
これに対して、被覆率パターンを考慮する本実施形態の場合、図14に示すように、複数の被覆率についてそれぞれ評価マスクを作成し、これらの評価マスクを用いて複数の被覆率についてそれぞれ1D OPEカーブを取得し、これらの1D OPEカーブの中から製品の被覆率に相当するものを選び、この選んだ1D OPEカーブに基づいてOPCルール/モデルを作成し、実際の製品のパターン形成に展開する。
【0063】
図15に、パターン被覆率を考慮した露光マスクのパターン補正方法のフローを示す。ここでは、ユニットプロセス群を構成するユニットプロセスのうちエッチングプロセスに変更があった場合について説明する。
【0064】
図15(a)は、旧マスクプロセスでのマスク上での被覆率が異なる複数の1D OPEカーブ(旧1D OPEカーブ)を示している。
【0065】
図15(b)は、上記複数の旧1D OPEカーブの中から製品の被覆率に相当する1D OPEカーブに対応したOPCルール/モデル(旧OPCルール/モデル)を選ぶことによって、ウェハ上で十分な工程能力が得られていることを示している。ここで言う工程能力とは、OPEに対して許容される値(スペック:Spec.)に対する、近接効果補正後のOPEに対する比で表されるものである。図15(c)、図15(d)の横軸は、ウェハ上でのCD−S関係から得られるCDの最大値と最小値の差(CDのばらつきの大きさ)である。
【0066】
マスクプロセスに変更が生じた場合、まず、図15(c)に示すように、新マスクプロセスでのマスク上での被覆率が異なる複数の1D OPEカーブ(新1D OPEカーブ)を取得する。
【0067】
次に、図15(d)に示すように、新マスクプロセスと旧OPCルール/モデルとでのウェハ上での工程能力を取得する。このとき、工程能力が許容される値(スペック:Spec.)内に収まっていれば、旧OPCルール/モデルを使用する。収まっていない場合には、工程能力が十分大きくなるように、OPCルール/モデルの見直しを行なう。この見直しは第1の実施形態の新OPCルール/モデルの取得方法に準じる
ここでは、マスクプロセスに変更が生じた場合について説明したが、リソグラフィプロセスもしくはエッチングプロセスに変更が生じた場合でも本発明は有効である。
【0068】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、基板はSi基板(Siウェハ)等のように半導体材料で形成されたものの他に、例えばガラス基板も使用可能である。
【0069】
また、上記実施形態の露光マスクのパターン補正方法は、コンピュータに所定の手段を実行させるための(あるいはコンピュータを所定の手段として機能させるための、あるいはコンピュータに所定の機能を実現させるための)プログラムとして実施することもでき、さらに該プログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体として実施することもできる。
【0070】
また、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【0071】
【発明の効果】
以上詳説したように本発明によれば、OPCルール等が決定された後にユニットプロセスに変更が生じても、短時間で新たなOPCルール等を作成できる露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラムを実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
【図2】同実施形態に係る新OPCルール/モデルの取得方法の流れを模式的に示す図
【図3】OPCルール/モデルの読み替え(一次元OPC読み替え)を説明するための図
【図4】OPCルール/モデルの読み替え(二次元OPC読み替え)を説明するための図
【図5】新旧マスクプロセスでのマスクデータと旧マスクプロセスでのウェハデータから、新マスクプロセスでのウェハデータを取得する方法を説明するための図
【図6】MEFの定義を説明するための図
【図7】本発明の第2の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
【図8】同実施形態に係る新OPCルール/モデルの取得方法の流れを模式的に示す図
【図9】本発明の第3の実施形態に係るユニットプロセス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
【図10】同実施形態に係る新OPCルール/モデルの取得方法の流れを模式的に示す図
【図11】本発明の第4の実施形態に係る露光マスクのパターン補正方法のフローを模式的に示す図
【図12】本発明の第5の実施形態に係る露光マスクのパターン補正方法のフローを模式的に示す図
【図13】被覆率パターンを考慮しない従来のOPCを示す図
【図14】被覆率パターンを考慮した本発明のOPCを示す図
【図15】本発明の第6の実施形態に係るパターン被覆率を考慮した露光マスクのパターン補正方法を説明するための図
【図16】従来のユニットプロセス群の一部に変更があった場合のパターン形成方法のフローを模式的に示す図
【図17】従来のOPCのフローを示す図
【図18】従来のOPCモデル化の手法を示す図
Claims (9)
- 露光マスクを用いた基板上のパターン形成に係るユニットプロセス群を用意する工程であって、前記ユニットプロセス群として、前記露光マスクの製造に係るユニットプロセス、前記基板上のリソグラフィに係るユニットプロセス、および前記基板上のエッチングに係るユニットプロセスを含むものを用意する工程と、
前記露光マスクの製造に係るユニットプロセスまたは前記基板上のリソグラフィに係るユニットプロセスに変更が生じた場合、該変更が生じたユニットプロセスについての変更前および変更後の近接効果データに基づいて補正ルールもしくは補正モデルを設定し、前記露光マスクのパターンの近接効果補正を行う工程であって、
前記変更後の近接効果データは、前記変更したユニットプロセスとその後に行われるユニットプロセスとの相関係数を用いて取得し、前記相関係数は、前記変更が生じる前の前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法と前記変更が生じた後の前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法との第1の相違と、前記変更が生じる前の前記その後に行われる前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法と前記変更が生じた後の前記その後に行われる前記ユニットプロセスを経て得られる部材の前記寸法との第2の相違との相関である前記工程と
を有することを特徴とする露光マスクのパターン補正方法。 - 前記補正ルールもしくは補正モデルの設定の一部もしくは全てに実験データもしくはシミュレーションデータを用いることを特徴とする請求項1に記載の露光マスクのパターン補正方法。
- 前記変更したユニットプロセスが前記露光マスクの製造に係るユニットプロセスの場合、前記変更が生じる前および生じた後の前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法は前記露光マスクのパターンの寸法であり、前記変更が生じる前および生じた後の前記その後に行われる前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法は前記基板上のパターンの寸法であることを特徴とする請求項1または2に記載の露光マスクのパターン補正方法。
- 前記変更したユニットプロセスが前記露光マスクの製造に係るユニットプロセスの場合、前記相関係数はMEF(Mask CD Error Factor)に基づくものであることを特徴とする請求項3に記載の露光マスクのパターン補正方法。
- 前記変更が生じたユニットプロセスの数が複数の場合、変更した各ユニットプロセス毎に前記露光マスクのパターンの前記近接効果補正を行うことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の露光マスクのパターン補正方法。
- 前記露光マスクの製造に係るユニットプロセス、前記リソグラフィに係るユニットプロセス、および前記エッチングに係るユニットプロセスが変更した場合、前記エッチングに係るユニットプロセスについて前記露光マスクのパターンの前記近接効果補正を行った後、前記露光マスクの製造に係るユニットプロセスと前記リソグラフィに係るユニットプロセスとをまとめたものについて前記露光マスクのパターンの前記近接効果補正を行うことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の露光マスクのパターン補正方法。
- 前記近接効果の補正のために用いるデータは、パターン被覆率に対する近接効果データを含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の露光マスクのパターン補正方法。
- 基板上にパターンを形成するための露光マスクを形成する工程と、
前記パターンの形成に係るユニットプロセス群のうち露光マスクの製造に係るユニットプロセスまたは前記基板上のリソグラフィに係るユニットプロセスに変更が生じた場合、請求項1ないし7のいずれか1項に記載の露光マスクのパターン補正方法を用いて前記露光マスクのパターン補正を行う工程と、
このパターン補正を行った露光マスクを用いて基板上にパターンを形成する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。 - コンピュータを、
露光マスクを用いた基板上のパターン形成に係るユニットプロセス群のデータを受け入れる手段であって、前記ユニットプロセス群のデータとして、前記露光マスクの製造に係るユニットプロセスのデータ、前記基板上のリソグラフィに係るユニットプロセスのデータ、および前記基板上のエッチングに係るユニットプロセスのデータを含むものを受け入れる前記手段と、
前記露光マスクの製造に係るユニットプロセスまたは前記基板上のリソグラフィに係るユニットプロセスに変更が生じた場合、該変更が生じたユニットプロセスについての変更前および変更後の近接効果データに基づいて補正ルールもしくは補正モデルを設定し、前記露光マスクのパターンの近接効果補正を行わせる手段であって、前記変更後の近接効果データは、前記変更したユニットプロセスとその後に行われるユニットプロセスとの相関係数を用いて取得されたものであり、前記相関係数は、前記変更が生じる前の前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法と前記変更が生じた後の前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法との第1の相違と、前記変更が生じる前の前記その後に行われる前記ユニットプロセスを経て得られる部材の寸法と前記変更が生じた後の前記その後に行われる前記ユニットプロセスを経て得られる部材の前記寸法との第2の相違との相関である前記手段との二つの手段として機能させるためのプログラム。
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