JP2005189362A - フォトマスク設計処理システム - Google Patents
フォトマスク設計処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005189362A JP2005189362A JP2003428497A JP2003428497A JP2005189362A JP 2005189362 A JP2005189362 A JP 2005189362A JP 2003428497 A JP2003428497 A JP 2003428497A JP 2003428497 A JP2003428497 A JP 2003428497A JP 2005189362 A JP2005189362 A JP 2005189362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- design
- photomask
- optical proximity
- processing
- proximity effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】 複数の設計依頼元の端末装置に接続され、該端末装置からの設計要求に基づいてフォトマスクのデザインの設計処理を行うフォトマスク設計処理システムであって、前記複数の依頼元の端末装置から送信される情報であって、ウェハ上に形成する回路パターンのレイアウトを示すデータであるレイアウト情報を受信する受信部と、前記受信部によって受信したレイアウト情報に基づいて、回路パターンのレイアウトに光近接効果補正処理を行って前記フォトマスクのデザインの設計処理を行う光近接効果補正処理部と、前記複数の設計依頼元の端末装置からの設計要求に基づいて、前記光近接効果補正処理部を共有して設計処理させる制御部とを有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
このように、OPC装置は、OPC処理が必要ではないフォトマスクの設計には利用されず、OPC処理を行う一時期、例えば、1ヶ月のうちのある1週間だけ使用し、その他の週においては全く使用されない。また、利用される1週間については、24時間常に計算を行わせている状況である。
また、OPC処理を行う機能を有するシステムも提供されている(例えば、特許文献2)。
また、OPC処理にかかる計算時間は非常に長いため、半導体の一部にのみ利用されるフォトマスクの設計が終わるまで、他の作業を保留しなければならず、製造期間が長引いてしまっていた。さらに、所望する回路パターンを精度良く形成するためには、フォトマスクの設計が重要であり、このフォトマスクを精度よく設計しようとすると、計算時間がさらに長引いてしまうという問題点があった。
図1は、この発明の一実施形態によるフォトマスク設計処理システムを適用した概念を示す概念図である。
この図において、フォトマスク設計処理システムが設けられるOPCセンターは、半導体の回路パターンであるレイアウトに基づいて、光近接効果補正を施したフォトマスクのデザインを設計処理する機能を有し、この機能が複数の半導体製造メーカによって共有して利用される。また、OPCセンターにおける計算結果は、マスク製造メーカに提供され、この計算結果に基づくデザインに従って、マスク製造メーカにおいてフォトマスクが製造される。
この図において、フォトマスク設計処理システム1は、ネットワーク20を介して半導体製造メーカのそれぞれが保有する端末装置30に複数台接続される。この端末装置30が、フォトマスクのデザインの設計依頼元となる。また、フォトマスク設計処理システム1は、ネットワーク21を介して、マスク製造メーカが保有する端末装置40に複数台接続される。この端末装置40は、半導体製造メーカの端末装置30からフォトマスクのデザインが設計依頼され、この設計依頼に基づいて、フォトマスク設計処理システム1においてOPC処理され、その計算結果のデータが半導体製造メーカから指定されたマスク製造メーカに送信され、マスク製造メーカにおいて製造装置によってフォトマスクの製造が行われる。
このレイアウト情報には、例えば、図3(a)に示すような回路パターンのレイアウトを示す情報の他に、ルールベースまたはモデルベースを指定する情報と、ロジック、マイコン、メモリ、イメージャのうちウェハの用途を指定する情報と、ゲート、コンタクト、メタル等のうちいずれのクリティカル層に該当するかを示す情報、デザインルールのベースを特定する情報とが含まれる。これらの情報の詳細については後述する。
ベースの分類は、OPC処理を行う処理方式であるルールベースとモデルベースとに分類されている。ここで、ルールベースとは、マスクによってウェハ上に焼き付け処理を行った場合に形成される回路パターンの形状をコンピュータ上で予めシミュレーションしておき、シミュレーションによって得られた回路パターンの形状毎のパラメータ情報が予めデータとして記憶されており、この記憶されたデータを用いて設計される方式である。すなわち、シミュレーションで得られた結果を用いてウェハ上に回路を形成する方式である。
モデルベースとは、デザインを設計して実際にウェハ上に回路を形成し、所望のパターンが形成されたか否かの検証をし、その検証結果に基づき再度デザインを設計しなおし、所望のパターンの形状なるように検証を繰り返しながらデザインを設計していく設計方法である。このモデルベースのパラメータ情報は、検証が行われる毎に順次パラメータ情報を更新するようにしてもよい。
マスクレイヤー種類は、OPC処理が適用可能なクリティカル層すなわち、ゲート、コンタクト、メタルなどによって分類されている。
デザインルールは、OPC処理を行うランク毎に分類されている。ここでは、180nmベース以上、150nmベース、130nmベース、110nmベース、90nmベース、65nmベース以下、のように7ランクに分類されている。このデザインルールにおける数値が小さいランクほど、光の干渉等の影響がウェハの焼き付け処理において大きく出てくるので、光近接効果補正を十分に行う必要がある。
また、この記憶部12は、1つの記憶装置に格納される構成であってもよく、また、分散型すなわち、各パラメータ記憶部121a、・・・、121bのそれぞれを別々の記憶装置に格納することにより、複数の記憶装置によって構成するようにしてもよい。この分散先の記憶装置は、外部の記憶装置であってもよい。また、分散する単位は、パラメータ情報記憶部121a等ではなく、パラメータ情報記憶部内に記憶された情報の階層毎(例えば用途毎)であってもよい。
まず、フォトマスク設計処理システム1の通信部11は、端末装置30から送信されるレイアウト情報を受信する(ステップS10)。このレイアウト情報を受信する際に、マスク製造メーカを指定する情報も受信する。フォトマスク設計処理システム1において、制御部14は、光近接効果補正処理部13におけるOPC処理量を検出するとともに、分散処理によるOPC処理量を検出し、分散処理によって行うかフォトマスク設計処理システム1の光近接効果補正処理部13を共有してパラメータ情報に基づくOPC処理を行わせるかを決定する(ステップS11)。ここでは、例えば、負荷が少ない方に処理させる。
一方、光近接効果補正処理部13における負荷が少ない場合、制御部14は、受信したレイアウト情報に基づくOPC処理を光近接効果補正処理部13によって行わせる(ステップS13)。
また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ROM、CD−ROM等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムを送信する場合の通信線のように、短時間の間、動的にプログラムを保持するもの、その場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリのように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。また上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであっても良く、さらに前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるものであっても良い。
12 記憶部
121a、121b パラメータ情報記憶部
13 近接効果補正処理部 14 制御部
15 検証部 20、21 ネットワーク
30、40 端末装置 50 情報処理装置
Claims (3)
- 複数の設計依頼元の端末装置に接続され、該端末装置からの設計要求に基づいてフォトマスクのデザインの設計処理を行うフォトマスク設計処理システムであって、
前記複数の依頼元の端末装置から送信される情報であって、ウェハ上に形成する回路パターンのレイアウトを示すデータであるレイアウト情報を受信する受信部と、
前記受信部によって受信したレイアウト情報に基づいて、回路パターンのレイアウトに光近接効果補正処理を行って前記フォトマスクのデザインの設計処理を行う光近接効果補正処理部と、
前記複数の設計依頼元の端末装置からの設計要求に基づいて、前記光近接効果補正処理部を共有して設計処理させる制御部と
を有することを特徴とするフォトマスク設計処理システム。 - 前記制御部は、前記端末装置もしくは自身に接続される情報処理装置によって前記光近接効果補正処理部の処理を行わせることを特徴とする請求項1記載のフォトマスク設計処理システム。
- 回路パターンのレイアウトに光近接効果補正データを加えるためのパラメータ情報を記憶するパラメータ記憶部を有し、
前記光近接効果補正処理部は、前記レイアウト情報に基づいて、前記パラメータ記憶部に記憶されたパラメータを読み出し、読み出したパラメータに基づいて、光近接効果補正処理を行う
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のフォトマスク設計処理システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003428497A JP2005189362A (ja) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | フォトマスク設計処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003428497A JP2005189362A (ja) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | フォトマスク設計処理システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005189362A true JP2005189362A (ja) | 2005-07-14 |
Family
ID=34787435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003428497A Pending JP2005189362A (ja) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | フォトマスク設計処理システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005189362A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008268560A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Hitachi High-Technologies Corp | ホットスポット絞り込み装置、ホットスポット絞り込み方法、ホットスポット絞り込みプログラム、ホットスポット検査装置、および、ホットスポット検査方法 |
JP2013061669A (ja) * | 2007-01-18 | 2013-04-04 | Nikon Corp | Opc(光学近接効果補正)設計プロセス |
CN109917615A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-21 | 联华电子股份有限公司 | 使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002318448A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | 露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラム |
JP2002333700A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sony Corp | ルールベースopcの評価方法およびシミュレーションベースopcモデルの評価方法 |
JP2002351931A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Hitachi Ltd | マスク描画データ作成管理方法、データ処理システムおよびフォトマスクの製造方法 |
JP2003344986A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-03 | Sony Corp | フォトマスクの製造方法及びマスクパターンの補正情報作成装置 |
-
2003
- 2003-12-25 JP JP2003428497A patent/JP2005189362A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002318448A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | 露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラム |
JP2002333700A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sony Corp | ルールベースopcの評価方法およびシミュレーションベースopcモデルの評価方法 |
JP2002351931A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Hitachi Ltd | マスク描画データ作成管理方法、データ処理システムおよびフォトマスクの製造方法 |
JP2003344986A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-03 | Sony Corp | フォトマスクの製造方法及びマスクパターンの補正情報作成装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013061669A (ja) * | 2007-01-18 | 2013-04-04 | Nikon Corp | Opc(光学近接効果補正)設計プロセス |
US9286416B2 (en) | 2007-01-18 | 2016-03-15 | Nikon Corporation | Scanner based optical proximity correction system and method of use |
US9753363B2 (en) | 2007-01-18 | 2017-09-05 | Nikon Corporation | Scanner based optical proximity correction system and method of use |
US10234756B2 (en) | 2007-01-18 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Scanner based optical proximity correction system and method of use |
JP2008268560A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Hitachi High-Technologies Corp | ホットスポット絞り込み装置、ホットスポット絞り込み方法、ホットスポット絞り込みプログラム、ホットスポット検査装置、および、ホットスポット検査方法 |
CN109917615A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-21 | 联华电子股份有限公司 | 使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7318214B1 (en) | System and method for reducing patterning variability in integrated circuit manufacturing through mask layout corrections | |
US9471746B2 (en) | Sub-resolution assist feature implementation with shot optimization | |
US20030005390A1 (en) | Pattern correction method, apparatus, and program | |
US8589830B2 (en) | Method and apparatus for enhanced optical proximity correction | |
US6425112B1 (en) | Auto correction of error checked simulated printed images | |
US9995998B2 (en) | Method and apparatus for integrated circuit layout | |
US20060110837A1 (en) | Method and system for topography-aware reticle enhancement | |
JP2010506336A (ja) | 電子設計自動化における特性 | |
JP4852083B2 (ja) | パタンデータの作成方法およびパタンデータ作成プログラム | |
US20120047479A1 (en) | Incremental Layout Analysis | |
JP4357287B2 (ja) | 修正指針の発生方法、パターン作成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP6418786B2 (ja) | パターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置 | |
KR20130133308A (ko) | 제조능력을 위한 디자인 | |
US7571418B2 (en) | Simulation site placement for lithographic process models | |
US20160180002A1 (en) | Methods, systems, and computer program products for generating semiconductor circuit layouts | |
JP2006053248A (ja) | 設計パターンデータ作成方法、マスクパターンデータ作成方法、マスク製造方法、半導体装置の方法およびプログラム | |
JP2012088511A (ja) | 露光条件及びマスクパターンを決定するプログラム及び方法 | |
JP4195825B2 (ja) | プロセスパラメータまたはデザインルールとプロセスパラメータとの両方を決定する方法、半導体集積回路装置の製造方法、プロセスパラメータまたはデザインルールとプロセスパラメータとの両方を決定するシステム、および、プログラム | |
JP2005189362A (ja) | フォトマスク設計処理システム | |
US20080148198A1 (en) | Hotspot totalization method, pattern correction method, and program | |
JP4317576B2 (ja) | 自動生成されたダミー形状にもかかわらず整合する回路素子機能 | |
JP2012054418A (ja) | 光源形状算出方法 | |
US20150143304A1 (en) | Target Point Generation for Optical Proximity Correction | |
JP6415154B2 (ja) | パターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置 | |
JP6498983B2 (ja) | 半導体集積回路の設計支援装置及び設計支援方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100423 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100618 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101026 |