TW550663B - Exposure mask pattern correction method, pattern formation process, manufacturing method of semiconductor device and recording medium readable by computer - Google Patents
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Description
550663
五、發明説明（2 ) 反饋者。 如圖16所示，於製造0PC規則/模型時，設計資料及上 述製品同樣地使用蝕刻製程，製造稱之為〇pc teg光罩 之評估光罩。其次，上述評估光罩及上述製品同樣地使用 光触刻製程，在晶圓上开/成光阻圖案。其次，i述光阻圖 案及上述製品«地使用！虫刻製牙呈，對上述晶圓實施加工 來製造評估晶圓。之後，進行上述評估晶圓之〇pE評估， 並製造用於使形成於上述評估晶圓上之圖案與上述設計資 料之圖案一致的規則/模型，亦即製造〇pC規則/模型。上 述OPC規則/模型適用於製品之本體光罩的製造。 圖17顯示用於獲得先前之bpc模型的方法。上述方法為 使實驗得出之晶圓尺寸（CDexp)與計算得出之晶圓尺寸 (CDSlm) —致（CDexp = CDsim)，選擇有多高斯函數〇之係 數 Ci，△ Li。 貫施有OPC之製品之單元製程群（光罩製程、光蝕刻製 程、蝕刻製程等）與用於獲得0PC規則/模型而製造之評估 光罩之單元製程群須相同。 其理由係，此等單元製程群不同時，上述評估晶圓之 =與上述製品之0PE不同，以致製出之0PC規則/模型可 能無效。 構成上述製品之上述單元製程群之數個單元製程（光罩 製程、光姓刻製程、姓刻製程）係隨開發的進展而進步。 „因而，’ 一旦決定0PC規則/模黯，上述製品之上述數個 早元製程中的任何一個都可能發生變更。 -5- 本纸張尺度it財® S^^NS) A4規格(21(^ 297公釐） 550663
此時’先前技術係與包含發生變更之單元製程之製品同 樣地’使用單元製程群製造新的評估晶圓，並根據上述評 估晶圓之ΟΡΕ評估結果製造新的〇pc規則/模型。 但是’由於OPC規則/模型之製造費時，以致發生迄至 貫施反映上述新OPC規則/模型之製品之圖案形成方法亦 費時的問題。 發明概要 本發明之一種曝光罩之圖案修正方法包含單元製程群， 八係包含使用曝光罩，而在基板上形成圖案之數個單元製 心别述數個單元製程包含：前述曝光罩之製造相關單元 製私、使用前述曝光罩之光蝕刻相關單元製程、及前述基 板之蝕刻相關單元製程，前述數個單元製程中之至少一個 單元製程發生變更時，設定修正規則或修正模型，其係使 用第一及第二鄰接效果資料，在前述曝光罩上實施鄰接效 果修正，前述第一鄰接效果資料係發生前述變更前之前述 至少一個單元製程產生之鄰接效果相關資料，前述第二鄰 接效果資料係發生前述變更後之前述至少一個單元製程產 生之鄰接效果相關資料，使用前述修正規則或前述修正模 型，在前述曝光罩上實施鄰接效果修正。 本發明之一種半導體裝置之製造方法包含單元製程群， 其係包含使用曝光罩，而在基板上形成圖案之數個單元製 私&述數個單元製私包含·前述曝光罩之製造相關單元 製程、使用前述曝光罩之光蝕刻相關單元製程、及前述基 板之蝕刻相關單元製程，前述數個單元製程中之至少一二 鬌 裝 訂
-6 - 550663 A7 B7 五、發明説明（ 單元製#王％生夂更時，設定修正規則或修正模型，其係使 用第-及第二鄰接效果資料，在前述曝光罩上實施鄰接效 果修正，前述第一鄰接效果資料係發生前述變更前之前述 V個單元製程產生之鄰接效果相關資料’前述第二鄰 接效果資料係發生前m後之前述至少—個單元製程產 生之鄰接效果相關資料，使用前述修正規則或前述修正模 型’在刖述曝光罩上實施鄰接效果修正，並使用實施有前 述鄰接效果修正之前述曝光罩，在前述基板上形成前 案。 本發明之-種電腦執行程式製品，該電腦程式製品包各 電腦可讀取媒體，纟包含第—程式指令，其係記錄於前述 媒體内，並將包含使用^罩在基板上形成圖案用之數個 早兀製程之單元製程群讀入電腦，前述數個單元製程包 含：前述曝光罩之製造相關單元製程、使用前述曝光罩之 光餘刻相關早兀製程、及前述基板之㈣相關單元製程， 直包3第一私式指令，其保記錄於前述媒體内，並設定修 正規則或修正模型，其係於前述數個單元製程中之至少二 個單兀製私务生芰更時，使用第一及第二鄰接效果資料， 在前述曝光罩上實施鄰接效果修正，前述第一鄰接效果資 料係發生前述變更前之前述至少一個單元製程產生之鄰接 效=相關資料，前述第二鄰接效果資料係發生前述變更後 之4述土 ：/個單元製程產生之鄰接效果相關資料。 圖式之簡單說明 圖1係顯示本發明第一種實施形態之單元製程群之一部 10X297 公釐） 本紙張尺歧财g g家辟 550663 A7 B7
五、發明説明 分發生變更時之圖案形成方法的流程圖。 圖2係顯示第一種實施形態之新OPC規則/模型之取得方 法的流程圖。 圖3 A - 3 C係改讀一次元〇 p c的說明圖。 圖4 A -4 D係改讀二次光〇 p c的說明圖。 圖5 A及5 B係從新舊光罩製程之光罩資料與舊光罩製程 之晶圓資料取得新光罩製程之晶圓資料方法的說明圖。 圖6係MEF之定義的說明圖。 圖7係顯示本發明第二種實施形態之單元製程群之一部 分發生變更時之圖案形成方法的流程圖。 圖8係顯不第二種實施形態之新OPC規則/模型之取得方 法的流程圖。 圖9係顯示本發明第三種實施形態之單元製程群之一部 分發生變更時之圖案形成方法的流程圖。 圖1 0係顯不第三種實施形態之新Ο P C規則/模型之取得 方法的流程圖。 圖1 1係顯示本發明第四種實施形態之曝光罩之圖案修正 方法的流程圖。 圖1 2係顯示本發明第五種實施形態之曝光罩之圖案修正 方法的流程圖。 圖13A及13B係不考慮覆蓋率圖案之〇pc的說明圖。 圖1 4 A及1 4 B係考慮覆蓋率圖案之〇 p c的說明圖。 圖1 5A-1 5D係本發明第六種實施形態之考慮圖案覆蓋率 之曝光罩之圖案修正方法的說明圖。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇X 297公爱) -8 - 550663
圖1 6係〜、示先削之單元製程群之一部分發生變更時之圖 案形成方法的流程圖。 圖17係顯示先前之OPC模型化的方法。 圖18係本發明其他實施例之說明圖。 發明詳述 - 以下，參照圖式說明本發明之實施例。
(第一種實施例） 圖1係顯示本發明第一種實施例之單元製程群之一部分 發生變更時之圖案形成方法的流程圖。此處，說明構成單 裝 兀製程群之數個單元製程中之曝光罩製造相關製程（光罩 製程）發生變更時。 -
此處所謂之光罩製程的變更，係指曝光罩製造時之描繪 製私、光阻製程、曝光罩（玻璃基板上之遮光膜）之蝕刻製 程等製程，且包含構成此等各製程之子製程變更時。此 外，對象圖案如形成於矽基板（矽晶圓）上的電路圖案。 單元製程（此處係指光罩製程）上發生變更時，曝光罩之 圖案修正方法上需要重新製造新的OPC規則/模型。 本貫施例之特徵在於該0 P C規則/模型的製造方法，其 他則與熟知之圖案形成方法相同。因此，在以下的說明 中’主要說明新的〇 P c規則/模型製造方法。 本實施例，首先依據經變更前之光罩製程（舊光罩製程） 所獲得之評估光罩鄰接效果資料，與經變更後之曝光罩製 造相關光罩製程（新光罩製程）所獲得之評估光罩鄰接效果 資料’製造新光罩製程之0PC規則/模型（新〇pC規則/模 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 550663
型）。 之後，將光罩製程變更前之〇PC規則/模型（舊〇pC規則 /模型）中之光罩製程的Ο P C規則/模型改讀成上述新光罩 製程之OP C規則/模型。 將如此獲得之〇 P C規則/模型（新〇 p c規則/模型）用於製 造實際製品之電路圖案形成上使用的曝光罩（本體光罩）， 更新製品的圖案製程。 製造新光罩製程之OPC規則/模型時所需的資訊，如圖2 所π，只有舊〇 p c規則/模型與新舊光罩製程間之光罩尺 寸差或光罩的形狀差（剖面形狀差、平面形狀差）。 售OPC規則/舊OPC模型已經取得。因此製造新〇pc規 貝/模型所需之新增評估項目，只須評估新舊光罩製程間 的光罩尺寸差、光罩形狀差即可。因此，本實施例可以較 先前方法更簡單且短時間製造新〇PC規則/模型。 其次，使用圖3 A-3C ,具體說明光罩製程發生變更時之 〇 P C規則/模型的改讀（改讀一次元〇 p c)。此處所謂之 0 P C規則/模型之改讀，並非進行評估晶圓之製造與評 估，而係指僅以新舊光罩之製造、評估，將舊光罩製程之 〇P C規則/模型變更成新光罩製程之〇p c規則/模型。此處 之評估圖案，如圖3 Α所示，係使用使距測定圖案之最鄰接 圖案之距離S (Design Space)改變的圖案。
首先，使用售光罩製程，製造具有圖3八之評估圖案之曝 光罩，取得舊光罩製程之曝光罩上之測定圖案寬度c D與 其最鄰接圖案之距離S(Design Space)的關係（一次元〇PE
550663 A7 B7 發明説明 曲線）（步驟1)。寬度CD係實測值，距離s(Design space) 係設計值。同樣地，使用新光罩製程，取得新光罩製程之 曝光罩上之CD與Design Space的關係（步驟2)。此等步驟j 2之結果顯示於圖3 B。 5 其次，依據步驟1，2乏結果（新舊光罩製程間之光罩尺 寸差），以計算取得新光罩製程之晶圓上之CD與Design Space的關係（步驟3 )。步驟3之結果顯示於圖3 c。 其次，依據以步驟3取得之晶圓上之Space 的關係，製造新OPC規則/模型（步驟4)。 其次，使用圖4 A - 4 D，具體說明光罩製程發生變更時之 OPC規則/模型的改讀（改讀二次元〇pc)。此處之評估圖 案，如圖4A及圖4B所示，係使用使最鄰接之兩個長方形 圖案之抵接間距離S (Design Space)改變的圖案。 首先，使用舊光罩製程，製造具有圖4八之評估圖案之曝 光罩，求出該曝光罩上之實測抵接間距離（Space 〇n Mask) 與舊光罩製程之設計上之抵接間距離（Design Space)的關 係（步驟1)。同樣地，使用新光罩製程，製造具有圖4B之 評估圖案的曝光罩，求出實測之抵接間距離（Space 〇n Mask)與新光罩製程之設計值上之抵接間距離（Design Space)的關係（二次元0PE曲線）（步驟2)。此等步驟丨，2之 結果顯示於圖4 C。 其次，依據步驟1，2之結果（新舊光罩製程間之光罩尺 寸差），以計算取得求出新光罩製程之晶圓上之抵接間距 離（Space on Mask)與設計值上之抵接間距離（Design Space) -11 - 本纸張尺度適财a g家標準(CNS) μ規格(21GX297公爱)
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550663 A7 B7 五、發明説明（9 ) 之關係之C D與Design space的關係（步驟3 )。於該步驟3 中’自光罩尺寸轉換成晶圓尺寸時，係使用稱之為ΜE F的 因素來執行，其内容於後述（圖5，6 )。步驟3之結果顯示 於圖4D。 其次’依據於步驟3取/得之晶圓上之抵接間距離（Space on Mask)與設計值上之抵接間距離（Design Space)之關 係，製造新〇 P c規則/模型（步驟4 )。 圖5 A及圖5 B顯示從新舊光罩製程之光罩資料（c d _ S關 係）與舊光罩製程之晶圓資料（CD-S關係），取得新光罩製 私之晶圓資料（C D S關係）的方法。該方法亦可適用於改 璜一次元Ο P C或改讀二次元〇 P c。 该方法係利用光罩上之新舊光罩製程間之C D - S關係之 差兴（△ CDm)反映在晶圓上之新舊光罩製程間之c 〇 - s關 係之差井（△ CDw)上者。具體而言，係利用△ CDw可藉由 以光罩CD錯誤因素（MEF; Mask cd Error Factor)除以 △ CDm來推測。所謂MEF，如圖6所示，係指顯示圖案間 距在一定條件下之光罩尺寸與晶圓尺寸之關係的因素（變 更之單元製程與爾後步驟之單元製程之間的相關係數）。 使用其即可瞭解光罩上之尺寸差相當於何種晶圓上尺寸 差。 (弟—種貫施例） ® 7係顯示本發㈣二種實施例之單元製程群之一部分 喪生-又更時（圖案形成方法的流程圖。此處，說明構成單 元製程群之數個單元製程中之光姓刻製程發生變更時。此 -12- 550663
處所明之光蝕刻製程的變更，係指曝光裝置之照明條件、 光阻製程、光罩條件（如為一般光罩或移相光罩等）等之製 旌，且包含構成此等各製程之子製程變更時。 單元製程（此處係指光蝕刻製程）上發生變更時，需要重 新氣U Ο p C規則/模型。本實施例之特徵在於該〇p c規則/ 挺型的製造方法，其他則與熟知之半導體裝置之製造方法 相同。因此，在以下的說明中，主要說明新的OPC規貝]/ 模型製造方法。 本實施例，首先依據藉由使用變更前之光蝕刻製程（舊 光蝕刻製程）之單元製程群製出之評估光罩的鄰接效果資 料，與藉由使用變更後之光蝕刻製程（新光蝕刻製程）之單 元製程群製出之評估光罩的鄰接效果資料，求出新光蝕刻 製程之Ο P C規則/模型（新〇 p c規則/模型）。 之後’將光I虫刻製程變更前之〇 p C規則/模型（舊〇 p匚規 則/模型）中之光蝕刻製程的〇PC規則/模型改讀成上述新 i 光蝕刻製程之OPC規則/模型。將如此獲得之〇pc規則/模 型（新Ο P C規則/模型）用於製造實際製品之圖案形成上使 用的曝光罩（本體光罩）’更新製品的圖案製程。 製造新光蝕刻製程之OPC規則/模型時所需的資訊，如 圖8所示’只有售〇 p c規則/模型與新舊光蝕刻製程間之光 阻圖案尺寸差或光阻圖案形狀差（剖面形狀差、平面形狀 差）。 " 舊OPC規則/舊OPC模型已經取得。因此製造新〇pc規 貝1J /模型所需之新增評估項目，只須評估新舊光姓刻製程 • 13 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公复j ------- 550663 A7 B7 五、發明説明（u 間的光阻圖案尺寸差、光阻圖案形狀差即可。因此，本實 施例可以較先前方法更簡單且短時間製造新〇 p C規則/模 型。 (第三種實施例） 圖9係顯示本發明第三遍實施例之單元製程群之一部分 發生變更時之圖案形成方法的流程圖。此處，說明構成單 元製程群之數個單元製程中之蝕刻製程發生變更時。此處 所謂之蝕刻製程的變更，係指蝕刻裝置、蝕刻條件、被蝕 刻材料（亦包含成膜條件之變更）等，且包含構成此等各製 程之子製程變更時。 單元製程（此處係指蚀刻製程）上發生變更時，需要重新 製造OPC規則/模型。本實施例之特徵在於該〇pc規則/模 型的製造方法，其他則與熟知之半導體裝置之製造方法相 同。因此，在以下的說明中，主要說明新的〇 P C規則/模 型製造方法。 本貫施例’首先依據藉由使用變更前之蝕刻製程（舊蝕 刻製程）之單元製程群製出之評估光罩的鄰接效果資料， 與藉由使用變更後之蝕刻製程（新蝕刻製程）之單元製程群 製出之評估光罩的鄰接效果資料，求出新蝕刻製程之〇PC 規則/模型（新OPC規則/模型）。 又後’將I虫刻製程變更前之OPC規則/模型（舊〇pc規則 /模型）中之触刻製程的〇 p C規則/模型改讀成上述新姓刻 製程足OPC規則/模型。將如此獲得之〇pc規則/模型（新 OPC規則/模型）用於製造實際製品之圖案形成上使用的曝
五、發明説明（12 光罩（本體光罩），更新製品的圖案製程。 1(^造新t刻製程之㈣規則/模型時所需的資訊，如圖 :有讀。規則/模型與新舊蝕刻製程間 刻構件尺寸差或被㈣構件形狀差（剖面形狀差、 狀差）。 、 舊OPC規則/舊OPC模型已經取得。因此製造新〇 則/模型所需之新增評估项目，只須評 之㈣刻構件(如絕緣膜、金屬膜、半導體膜)之尺il; 被姓刻構件之形狀差即可。因此，本實施例可以較= 法更簡單且短時間製造新OPC規則/模型。 (第四種實施例） - 圖11係顯示本發明“種實施例之曝光罩之圖案修正方 法的流程圖。 /万 第…第一種Μ施例係說明將構成單元製程群之單元製 程之光罩製程、光蝕刻製程、蝕刻製程的其中之 OPC的對象。本實施例則係說明以此等三個部 作為OPC的對象。 王那 具把而β，係左各單元製程内設定〇pc規則/模型，在 各單元製程内執行曝光罩之圖案的鄭接效果修正。圖"顯 不按照蝕刻製程、光蝕刻製程、光罩製程的順序，設定 OPC規則/模型’並執行鄰接效果修正的方法。此時，
OPC規則/模型之改讀只須在發生變更之單元製程中執 即可。 J Ά此I連串《鄰接效果修正，可獲得實際製品圖案 10X297 公釐） 本紙張尺度適财S S家標罕(CNS) A4規格(2— -15- 五、發明説明（13 7成上使用之曝光罩（本體光罩）製造上所需的描繪資料。 另外’圖17之右側流程係顯示評估晶圓與製品兩者。 因單元製程’ 0PC規則庫或OPC模型庫良好與否可能不 同。其判斷可從圖11所示之ΟΡΕ與Design Space(圖中簡述 成Space)的關係來判斷、選擇各單元製程中適切之〇pC 方式(opc規則庫或0PC模型庫），藉由促使〇pc之模型及 規則的最佳化，以促進OPC的高精密化。 (第五種實施例） 圖12係顯示本發明第五種實施例之曝光罩之圖案修正方 法的流程圖。 本實施例與第四種實施龍異之處在於，將0PC之對象 2分為㈣製程、與將光罩製程與光㈣製程合而為—之 =程的兩個。此因’從經驗上可知，光罩製程之〇pE小於 =早疋製程（光姓刻製程與蚀刻製程）。_顯示按照姓 二“、(光姓刻製程+光罩製程)的順序 =’執行鄰接效果修正的方法。如此，藉」 :切相同的單元製程合而為-，可簡化㈣處理。 L 5光罩製程寺鄭接效果小者特別有效。 刻= ㈣製程之。Μ方式與適用於(Μ 擇規目|]庫$去厂0PC万式時’―般而言’前者係選 擇規庫，後者係選擇模型庫。此因蝕 鄰接圖案之距離關係密切，而 、吊與至 赃與光學模型―:而⑽刻製程+光罩製程)之 此外，此時亦與第四種實施例同樣地’0PC之改讀只須 公釐) 本紙張尺歧$中國國家標準(CNS) A4i格(210 X 297- 16- 550663
執行發生變更的製程即可，此外，選擇各製程適切之資料 庫（0 P C規則庫或〇 P c模型庫），可促進〇p c的高精密化。 (第六種實施例） 近年來，對圖案覆盍率之鄰接S果顯I，考慮該圖案覆 盖率來執行OPC非常重要。不考慮覆蓋率圖案時（先前）， 係製造覆盍率固足之評估光罩，並使用該評估光罩取得一 次元（lD)OPE曲線（圖13A),據此製造〇pc規則/模型， 使用於製品上（圖1 3 B )。 而考慮覆蓋率圖案之本實施例，則係就數個覆蓋率分別 製造砰估光罩，使用此等評估光罩，就數個覆蓋率分別取 得ID ΟΡΕ曲線（圖14A)，從此等1D 〇叩曲線中選擇相當 於製品覆盍率者，並依據選出之i D 〇pE曲線製造〇pc規 貝J /模型，使用於貫際之製品的圖案形成（圖1 4 b )。 圖15A -圖15D顯示考慮圖案覆蓋率之曝光罩之圖案修正 方法的流程。此處，係說明構成單元製程群之數個單元製 程中之蝕刻製程發生變更之情形。 圖15A顯示舊光罩製程之光罩上之覆蓋率不同的數個1D ΟΡΕ曲線（舊1 D ΟΡΕ曲線）。 圖15Β顯示藉由自上述數個舊1D〇ρΕ曲線中選擇對應 於相當於製品覆蓋率之1 D〇ΡΕ曲線的〇 p C規則/模型（舊 0 P C規則/模型），在晶圓上可獲得足夠之步驟能力者。此 處所謂之步驟能力，係以對於〇ΡΕ所允許之值（Spec)與 對於鄰接效果修正後之〇PE之比來表示者。圖丨5 c、圖 15D之橫軸係自晶圓上之cd-S關係所獲得之CD之最大值 -17- I紙張尺度適财S S家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) -----
裝 訂
550663 A7 ______ B7 五、發明説明（15 ) 與最小值之差（CD差異的大小）。 光罩製程發生變更時，首先如圖丨5 c所示，取得新光罩 製程之光罩上之覆蓋率不同的數個1 D 〇pE曲線（新1 D ΟΡΕ曲線）。 其次，如圖15D所示Ϊ取得新光罩製程與舊〇pc規則/ 模型之晶圓上的步驟能力。此時，若在步驟能力所允許之 值（Spec·)内，即使用舊〇pc規則/模型。若不在其内，則 重新檢討OPC規則/模型，使其具有足夠大之步驟能力。 孩重新檢討參照第一種實施例之新〇pc規則/模型的取得 方法。 、 此處係說明光罩製程發生漫更之情形時，不過，即使是 光蝕刻製程或蝕刻製程發生變更時，本發明也有效。 另外，本發明並不限定於上述實施例。例如，基板除矽 基板（矽晶圓）等以半導體材料所形成者之外，亦可使用如 玻璃基板。 此外，本發明亦可作為記錄用於在電腦上執行上述實施 例4曝光罩之圖案修正方法之程式的電腦程式製品來實 施。上述電腦程式製品，如CD-ROM。 具體而了，如圖18所示，上述cd_r〇m丨丨包含第一程 式指令1 3，其係將包含使用曝光罩在基板上形成圖案用之 數個單^製程之單元製程群讀人電腦12，前述數個單元製 程包含：前述曝光罩之製造相關單元製程、使用前述曝光 罩之光触刻相關單元製程、及前述基板之触刻相關單元製 私且i "第一私式指令1 4，其係設定於前述數個單元製 -18-
Claims (1)
- 550663ι· -種曝光罩之圖案修正方法，其包含： 製程群，其係、包含使用曝光罩，而在基板上 、：〜〈數個單元製程；前述數個單元製程包含：前 <光Γ之& &相關單、70製程、使用前述曝光罩之光钱 d ^關單TL 、及前述基板之姓刻相關單元製程， 前，個單元製程中之至少一個單元製程發生變更 寺汉疋^正規則或修正模型，其係使用第-及第二鄰 接效果#料，在前述曝光罩上實施鄰接效果修正；前述 第一鄰接效果資料係發生前述變更前之前述至少一個單 元製程產生之鄰接效果相關資料，前述第二鄰接效果資 料係發生前述變更後之前述至少一個單元製程產生之鄰 接效果相關資料， 使用前述修正規則或前述修正模型，在前述曝光罩上 實施鄰接效果修正。 2·如申請專利範圍第1項之曝光罩之圖案修正方法，其中 前述第一及第二鄰接效果資料係包含實驗資料或模擬 資料。 3·如申請專利範圍第1項之曝光罩之圖案修正方法，其中 前述第二鄰接效果資料包含使用相關係數取得之資 料’前述相關係數係在發生前述變更後之前述至少一個 單元製程、與發生前述變更後之前述至少一個單元製程 後所執行之單元製程之間者。 4.如t請專利範圍第2項之曝光罩之圖案修正方法，其中 前述第二鄰接效果資料包含使用相關係數取得之資 -20 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） A BCD六、申請專利範圍 2，前述相關係數係在發生前述變更後之前述至少一個 單元製程、與發生前述變更後之前述至少_個單元製程 後所執行之單元製程之間者。 5·如請專利範圍第1項之曝光罩之圖案修正方法，其中 前述數個單元製程中之兩個以上單元製程發生變更 時，係在前述曝光罩上逐一實施用㈣正前述兩個以上 單元製程產生之鄰接效果的兩個以上之鄰接效果修正。 6. 如^請專利範圍第2項之曝光罩之圖案修正方法，並中 前述數個單元製程中之兩個以上單元製程發生變更 時在前述曝光罩上逐—實施用於修正前述兩個以上單 疋製程產生之鄰接效果的兩個以上之鄰接效果修正。 7. 如1請專利範圍第3項之曝光罩之圖案修正方法，其中 則述數個單元製程中之兩個以上單元製程發生變更 時：在前述曝光罩上逐一實施用於修正前述兩個以上單 几製程產生之鄰接效果的兩個以上之鄰接效果修正。 8. 如帽專利第i項之曝光罩之圖案修正方法，其中 前述曝光罩之製造相關之前述單元製程、使用前述曝 先罩之光㈣相關之前述單元製程、及前述基板之蚀刻 相關之前述單元製程發生變更時’在前述曝光罩上實施 用於修正前述基板之㈣相關前述單元製程產生之鄰接 效果的鄰接效果修正，並在前述曝光罩上實施用於修正 將前述曝衫之製造相时料元製程與❹前述曝光 罩之光蚀刻相關前述單元製程合而為―之製程產生之鄰 接效果的鄰接效果修正。 本紙張尺度適财g g家標準(CNS) A4規格(210X297公㈤ -21 - 申請專利範圍 9·如1請專利範圍第2項之曝光罩之圖案修正方法，立中 n光罩之製造相關之前述單元製程、使用前述曝 先罩…刻相關之前述單元製程、及前述基板之蚀刻 相關1述單元製程發生變更時，係在前料光罩上實 施用於修正前述基板之⑽H目關前述單元製程產生之鄰 接效㈣鄰接效果修正，並在前述曝光罩上實施用於修 =將則述曝光罩之製造相關前述單元製程與使用前述曝 "罩足光蝕刻相關前述單元製程合而為一之製程產生之 鄰接效果的鄰接效果修正。 10.如^請專利範圍第3項之曝光罩之圖案修正方法，立中 ，前述曝光罩之製造相關之前述單元製程、使用前述曝 先罩（絲刻相關之前述單元製程、及前述基板之蚀刻 «之前述單元製程發生變更時，係在前述曝光罩上實 施用於Ϊ多正前述基板之蚀刻相關前述單元製程產生之鄰 接效果的鄰接效果修正’並在前述曝光罩上實施用於修 正將前述曝光罩之製造相關前述單元製程與使用前述曝 光罩之光蝕刻相關前述單元製程合而為一之製程產生之 鄰接效果的鄰接效果修正。 11. 如申請專利範圍第i項之曝光罩之圖案修正方法，其中 前述第一及第二鄰接效果資料係包含前述基板上'之前 述圖案之覆蓋率產生之鄰接效果相關資料。 12. 如申請專利範圍第2項之曝光罩之圖案修正方法，其中 前述第二鄰接效果資料係包含前述基板上之前述圖案 之依據覆蓋率之鄰接效果相關資料。 本紙張尺度適财@ g家標準(CNS) A4規格(21GX297公釐) -22- 13.—種半導體裝置之製造方法，其包含·· 準備早7C製程群，其係包含使用曝光罩，而在基板上 形成圖案之數個單元製程；前述數個單元製程包含：前 述曝光罩之製造相關單元製程、使用前述曝光罩之光姓 刻相關單元製程、及前i基板之蝕刻相關單元製程， 岫述數個單元製程中之至少一個單元製程發生變更 時，設足修正規則或修正模型，其係使用第一及第二鄰 接效果資料，在前述曝光罩上實施鄰接效果修正，前述 第一鄰接效果資料係發生前述變更前之前述至少一個單 元製程產生之鄰接效果相關資料，前述第二鄰接效果資 料係發生前述變更後之前述至少一個單元製程產生之鄰 接效果相關資料， 使用前述修正規則或前述修正模型，在前述曝光罩上 貫施鄰接效果修正， 並使用貫施有前述鄰接效果修正之前述曝光罩，在前 述基板上形成前述圖案。 14·如申請專利範圍第1 3項之半導體裝置之製造方法，其中 削述第一及第二鄰接效果資料係包含實驗資料或模擬資 料。 15·如申請專利範圍第丨3項之半導體裝置之製造方法，其中 別述第二鄰接效果資料包含使用相關係數取得之資 料’如述相關係數係在發生前述變更後之前述至少一個 單元製程、與發生前述變更後之前述至少_個單元製程 後所執行之單元製程之間者。 -23- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) /、、申请專利祀園 16·如申請專利範圍第13項之半導體裝置之製造方法，其中 m述數個單元製程中之兩個以上之單元製程發生變更 時，在丽述曝光罩上逐一實施用於修正前述兩個以上單 元製心產生之鄰接效果的兩個以上鄭接效果修正。 17.如申請專利範圍第13項'之半導體裝置之製造方法，其中 刖逑數個單元製程中之兩個以上之單元製程發生變更 ，，係在前述曝光罩上逐一實施用於修正前述兩個以上 單元製程產生之鄭接效果的兩個以上鄰接效果修正。 18·如申請專利範圍第丨3項之半導體裝置之製造方法，其中 前述曝光罩之製造相關前述單元製程M吏用前述曝光 罩之光蝕刻相關之前述單先製程、及前述基板之蝕刻相 關<丽述單元製程發生變更時，在前述曝光罩上實施用 於修正前述基板之蝕刻相關之前述單元製程產生之鄰接 效果的鄰接效果修正，並在前述曝光罩上實施用於修正 將前述曝光罩之製造相關前述單元製程與使用前述曝光 罩之光蝕刻相關前述單元製程合而為一之製程產生之鄰 接效果的鄰接效果修正。 19·如申請專利範圍第丨4項之半導體裝置之製造方法，其中 前述第一及第二鄰接效果資料係包含前述基板上之前 述圖案之覆蓋率產生之鄰接效果相關資料。 20·—種電腦執行程式製品，該電腦程式製品包含： 電腦可讀取媒體， 其包含第-程式指令，其係記綠於前述媒體内，並將 包含使用曝光罩在基板上形成圖案用之數個單元製程之 •24- 本紙張尺度適财@ g家標準(CNS) A4規格(21(^297公羡了 製：群讀入電腦’前述數個單元製程包含：前述曝 關之目關單元製程、使用前述曝光罩之光触剑相 y勺：版秩、及前述基板之蝕刻相關之單元製程， 、 +第程式扎令，其係έ己錄於前述媒體内，並設 =修正規則或修正模型'其係於前述數個單元製程中之 至：：個單元製程發生變更時，使用第一及第二鄰接效 果;貝料，在㈤述曝光罩上實施鄰接效果修正，前述第一 鄰接效果資料係發生前述變更前之前述至少一個單元製 私產生之鄰接效果相關資料，前述第二鄰接效果資料係 發生前述變更後之前述至少一個單元製程所產生之鄰接 效果相關資料。 < 550663 第091107968號專利申請案沪 中文說明書替換頁(92年7月f· 五、發明説明（ 程中之至少一個單元製程發生變更時，使用第一及第二鄰 接效果資料，在前述曝光罩上實施鄰接效果修正用之修正 規則或修正模型，前述第一鄰接效果資料係發生前述變更 前之前述至少一個單元製程產生之鄰接效果相關資料，前 述第二鄰接效果資料係發生前述變更後之前述至少一個單 元製程產生之鄰接效果相關資料。 上述電腦程式製品並不限定於CD-R〇M，亦可為D等 記錄媒體。 精通此技藝的人士可輕易進行額外的好處與修改，因 此，在廣義來說本發明並未受限於此處所顯示與說明 ，細節與代表領域，因Λ，在料”請專利範圍及里同 等項所足義的一般發明領域之精神盥锔域τ π ’、 改。 、…”可進行許多修 元件符號說明 11 CD-ROM 12 電腦 13 第一程式指令 14 第二程式指令 S 距離 -19-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐）
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