JP2004279950A - フォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パターン描画、現像の際に生じるパターン形状の誤差や、エッチングの過程で生じる寸法変動を小さくしたフォトマスクを提供する。
【解決手段】分割処理部２４は、フォトマスク用のパターンデータを所定の形状の小区画に分割する。第一補正量算出処理部２６は、係数情報格納部２３ａより影響度係数情報を参照して、式（１）の係数Ａを含む項を計算することで、小区画におけるローディング効果補正量を算出する。補正量算出処理部２７は、算出したローディング効果補正量と、プロセスリサイズ量とを加算して、該小区画のパターンデータ補正量を算出する。補正処理部２８は、小区画毎に算出したパターンデータ補正量を用いて、小区画毎にパターンデータを補正する。
【選択図】 図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、コンピュータシステムに係わり、特にパターンデータを用いて製造されたフォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、フォトマスクの製造過程においては、リソグラフィやエッチング等のパターン形成プロセスが行なわれている。
（１）リソグラフィにより回路パターンの描画、現像を行なう場合、当該回路パターンの描画装置や、フォトマスクの製造に利用する現像装置やエッチング装置に固有の特性、使用するレジストと現像液の組み合わせ、現像条件等により、描画・現像後のパターンが、描画前の設計データ上のパターンに比較してパターン形状に誤差を生ずることが多々ある。
（２）また、エッチングの過程で生ずる寸法変動は、パターンの疎密差が大きくなるにつれて増大する。
【０００３】
上記の（１）のパターン形状の誤差、（２）の寸法変動は、リソグラフィのプロセスの改善やエッチング条件の改善のみで対処することは困難である。このため、上記の問題は一般にレイアウトパターンに補正を施すことで対処している。（１）の描画・現像に伴うパターン形状の誤差の補正は、一般に「プロセスリサイズ」と称し、（２）のエッチングの過程で生ずる寸法変動の補正は、一般に「ローディング効果補正」と称する。
【０００４】
ここで、「プロセスリサイズ」について更に説明すると、パターンの描画、現像のプロセスにて発生するパターンの拡大・縮小・変形等を相殺するために、描画前の設計データ上のパターンを一定の幅だけ拡大あるいは縮小させて補正することである。その補正量（幅）は、描画装置、レジスト、現像装置、現像条件、エッチング装置、エッチング条件、レジスト剥膜装置、レジスト剥膜条件を定義する工程フローにより予め定まる。
【０００５】
また、「ローディング効果」について更に説明すると、ドライエッチング工程において、レジストがポジ型レジストの場合、フォトマスクブランクスに形成すべきパターンが疎な領域にはエッチングに必要な活性種が必要以上に多く供給され、逆に、フォトマスクブランクスに形成すべきパターンが密な領域ではエッチングに必要とされる活性種の供給量が不足する現象である。その結果、パターンの密度に依存して所望寸法のパターンが得られなくなる。すなわち、フォトマスクブランクスに形成すべきパターンが疎な領域では、ドライエッチングにより形成されたパターンの寸法が所望のパターン寸法（基になるパターンデータで定まる寸法）より大きくなり、フォトマスクブランクスに形成すべきパターンが密な領域では、ドライエッチングにより形成されたパターンの寸法が所望のパターン寸法より小さくなる。これを補正するのが「ローディング効果補正」である。
尚、従来技術として、描画パターンの変更要求などに対して、計算処理時間やデータ量の増大を招くことなく迅速に対応することができる技術（特許文献１）や、エッチング後のパターンの寸法精度を向上し、設計データにより近い寸法のパターンを形成する技術（特許文献２）が公開されている。
また、本願出願人は、本願発明の関連技術を既に特許出願済み（特願２００１−３０９１５１）である。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−１３３１１号公報
【特許文献２】
特開平１１−１５４６３５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、従来においては、「プロセスリサイズ」や「ローディング効果補正」の方式によって、パターン描画、現像の際に生じるパターン形状の誤差や、エッチングの過程で生じる寸法変動が決まることとなる。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたもので、パターン描画、現像の際に生じるパターン形状の誤差や、エッチングの過程で生じる寸法変動を小さくしたフォトマスクとその製造方法および、当該フォトマスクを用いた半導体集積回路とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上述した課題を解決すべくなされたもので、フォトマスク用のパターンデータを所定の形状の小区画に分割するステップと、前記小区画毎に、該小区画の面積に占める、プロセスリサイズ量で補正したパターンの面積の割合である面積密度を算出するステップと、前記小区画毎に、該小区画および該小区画の周辺の小区画が、該小区画へ与えるローディング効果の影響度係数を定める影響度係数情報を参照して、該小区画および周辺の小区画の前記面積密度と前記影響度係数を積算して積算値を求め、該積算値を全て加算した加算値に所定の係数を乗算することで、該小区画におけるローディング効果補正量を算出するステップと、該小区画において、算出した前記ローディング効果補正量と、前記プロセスリサイズ量とを加算して、該小区画のパターンデータ補正量を算出するステップと、前記小区画毎の前記パターンデータ補正量を用いて、前記小区画毎に前記パターンデータを補正するステップと、当該補正したパターンデータが示すパターンを、透明基板上に少なくともパターン形成層とレジスト層を形成したフォトマスクブランクスに描画するステップと、そのフォトマスクブランクスを現像するステップと、前記フォトマスクブランクスの前記レジスト層が現像によって取り除かれた部分の前記パターン形成層をエッチングするステップと、エッチング後のフォトマスクブランクスのレジスト層を剥膜するステップとを有するフォトマスク製造方法を用いて製造されたフォトマスクである。
【００１０】
また本発明は、フォトマスク用のパターンデータを所定の形状の小区画に分割するステップと、前記小区画毎に、該小区画の面積に占める、プロセスリサイズ量で補正したパターンの面積の割合である面積密度を算出するステップと、前記小区画毎に、該小区画および該小区画の周辺の小区画が、該小区画へ与えるローディング効果の影響度係数を定める影響度係数情報を参照して、該小区画および周辺の小区画の前記面積密度と前記影響度係数を積算して積算値を求め、該積算値を全て加算した加算値に所定の係数を乗算することで、該小区画におけるローディング効果補正量を算出するステップと、該小区画において、算出した前記ローディング効果補正量と、前記プロセスリサイズ量とを加算して、該小区画のパターンデータ補正量を算出するステップと、前記小区画毎の前記パターンデータ補正量を用いて、前記小区画毎に前記パターンデータを補正するステップと、当該補正したパターンデータが示すパターンを、透明基板上に少なくともパターン形成層とレジスト層を形成したフォトマスクブランクスに描画するステップと、そのフォトマスクブランクスを現像するステップと、前記フォトマスクブランクスの前記レジスト層が現像によって取り除かれた部分の前記パターン形成層をエッチングするステップと、エッチング後のフォトマスクブランクスのレジスト層を剥膜するステップとを有することを特徴とするフォトマスク製造方法である。
【００１１】
また本発明は、上述のフォトマスク製造方法により製造されたフォトマスクを介してレジスト層と被加工層を表面に形成した基板上に光を照射する過程を有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法である。
【００１２】
また本発明は、上述の製造方法を用いて製造された半導体集積回路である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明する。ただし、以下の実施の形態は特許請求の範囲に記載された発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせのすべてが発明の解決手段に必要であるとは限らない。
まず、本発明の一実施形態におけるパターンデータ補正装置を具備するパターン描画装置の概略構成について図を用いて説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態によるパターンデータ補正装置を具備するパターン描画装置の概略構成を示すブロック図である。この図において符号１０は、フォトマスクブランクス１２へパターンデータを描画してパターン描画済みのフォトマスクブランクス１３を製造するパターン描画部１１と、上述したプロセスリサイズやローディング効果を考慮したパターンデータの補正を行うパターンデータ補正装置１４とを少なくとも具備するパターン描画装置である。尚フォトマスクブランクスは石英などの透明基板にパターン形成層（例えば遮光層（金属の薄い膜。例えばクロム（Ｃｒ）など））とレジスト層（光や電子線を照射する事により、現像液への溶解性が変化する材料）を形成したものである。
【００１５】
図１に示すように、パターン描画装置１０のパターン描画部１１は、パターンデータ補正装置１４が出力する補正後のパターンデータをフォトマスクブランクス１２へ描画して、パターン描画済みのフォトマスクブランクス１３を製造する。尚、パターン描画部１１は、パターン描画済みのフォトマスクブランクス１３を製造する為の装置であればよく、機種や台数は任意でよい。また、図示するようにパターン描画装置１０が、パターンデータ補正装置１４を具備する構成に限らず、補正後のパターンデータを授受できる構成であればよい。
【００１６】
次に、本発明の一実施形態におけるパターンデータ補正装置１４の内部構成について図を用いて説明する。
図２は、本発明の一実施形態によるパターンデータ補正装置１４の概略構成を示すブロック図である。この図において符号２１は、パターンデータ補正装置１４内のデータを制御する制御部である。２２は、フォトマスクブランクス１２へ描画するパターンデータおよびプロセスリサイズ量を特定するための工程フロー情報が入力される入力処理部である。尚、入力処理部２２は、パターンデータが記録媒体を介して入力される場合は記録媒体読取機能を具備してもよく、ネットワーク経由でパターンデータを受信する機能を具備してもよい。
【００１７】
２３は、パターンデータの補正処理を行う為の種々の情報を格納する格納部である。ここで、格納部２３が具備する係数情報格納部２３ａとプロセスリサイズ情報格納部２３ｂついて図を用いて説明する。
まず、係数情報格納部２３ａについて説明する。図３は、本発明の一実施形態における係数情報格納部２３ａの構成例および影響度係数パターン例を示す図である。図３（ａ）に示すように、影響度係数パターン１、影響度係数パターン２、影響度係数パターン３、…と種々の影響度係数パターンが格納されている。また、影響度係数パターン例を図３（ｂ）に示す。図に示すように、ローディング効果補正量を求める小区画を中心に、該小区画の影響度係数を“１００”として、周辺の小区画の影響度係数を定義している。尚、この影響度係数パターンは、描画装置の機種や、小区画の分割方法などにより変更して好適である。
【００１８】
次に、プロセスリサイズ情報格納部２３ｂについて説明する。図４は、本発明の一実施形態におけるプロセスリサイズ情報格納部２３ｂの構成例を示す図である。図４に示すように、入力処理部２２に入力される工程フロー情報で特定される工程フローを識別する情報である工程フロー１、工程フロー２、工程フロー３、…毎に、プロセスリサイズ量１、プロセスリサイズ量２、プロセスリサイズ量３、…が定められている。尚、工程フロー情報とは、プロセスリサイズ量を決める要素となる情報である、フォトマスクブランクス１２の材料情報、現像条件情報、エッチング条件情報、パターン描画部１１の機種情報などを含む。
以上に示すように、格納部２３は、係数情報格納部２３ａとプロセスリサイズ情報格納部２３ｂを具備し、種々の情報を格納する。
【００１９】
２４は、入力処理部２２より入力されたパターンデータを所定の形状の小区画に分割する分割処理部である。例えば、図６に示すような多数の小区画へ分割する。尚、図６は、フォトマスクブランクス１２に描画されるパターンの一部であり、小区画Ａについてローディング効果の影響を考慮する際の周辺の小区画数について具体例を示す図である。２５は、分割処理部２４が分割した小区画毎に、該小区画の面積に占める、プロセスリサイズ量で補正したパターンの面積の割合である面積密度を算出する面積密度算出処理部である。
【００２０】
２６は、係数情報格納部２３ａより図３（ｂ）に示した影響度係数パターン１（影響度係数情報）を参照して、例えば、図６に示す範囲において、小区画Ａおよび周辺の小区画の面積密度と影響度係数を積算して積算値を求め、該積算値を全て加算した加算値に所定の係数を乗算することで、小区画Ａにおけるローディング効果補正量を算出する第一補正量算出処理部である。２７は、小区画Ａにおいて、第一補正量算出処理部２６が算出したローディング効果補正量と、プロセスリサイズ量とを加算して、小区画Ａのパターンデータ補正量を算出する補正量算出処理部である。
【００２１】
ここで、図６に示す、各小区画について、縦軸方向に１、２、…、ｉ、…Ｃ（Ｃは任意の整数であり図６ではＣ＝７）とし、横軸方向に１、２、…、ｊ、…Ｃとした場合に、座標ｉ、ｊにおける面積密度をＸ（ｉ，ｊ）、影響度係数パターン１で定まる影響度係数をＤ（ｉ，ｊ）とすると、小区画Ａのパターンデータ補正量は下記の式（１）で求まる
【数１】

ただし、式（１）のＡは、第一補正量算出処理部２６が計算する際に用いる所定の係数であり、小区画Ａ周辺の小区画の面積密度Ｘ（ｉ，ｊ）と影響度係数Ｄ（ｉ，ｊ）を積算して積算値を求め、該積算値を全て加算した加算値をローディング効果補正量（距離）へ変換するための係数である。
【００２２】
２８は、第一補正量算出処理部２６および補正量算出処理部２７が式（１）を用いて小区画毎に算出したパターンデータ補正量を用いて、小区画毎にパターンデータを補正する補正処理部である。図７（ａ）にパターンデータの補正例を示す。図７（ａ）に示すように、各小区画毎に、パターンデータ補正量が違う。２９は、パターン描画部１１へ補正後のパターンデータを出力する出力処理部である。
【００２３】
また、ここで、面積密度算出処理部２５がプロセスリサイズ量を考慮した面積密度Ｘ（ｉ，ｊ）を算出する方法の一例について図を用いて以下に示す。
図７（ｂ）に示すように、小区画７０にパターン面積Ｓのパターン７１がある場合に、面積密度算出処理部２５は、パターン７１の周囲長Ｌを算出（Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３＋Ｌ４＋Ｌ５）する。次に、プロセスリサイズ量がｅとすると、面積密度算出処理部２５は、パターン７１に対してプロセスリサイズ量を補正した場合の補正面積を以下の式（２）により求める。
補正面積＝Ｌ＊ｅ … （２）
【００２４】
次に、面積密度算出処理部２５は、補正前のパターン面積Ｓと補正面積との差を用いて、プロセスリサイズ量を補正した面積密度を以下の式（３）により算出する。
面積密度＝（Ｓ＋補正面積）／小区画の面積 … （３）
以上に示したように、面積密度算出処理部２５が、面積密度を求める過程で、周囲長Ｌとプロセスリサイズ量ｅを用いて、近似的なプロセスリサイズ量の補正による補正面積を簡便に求めることで、パターンデータ補正装置１４の面積計算による処理負荷を大幅に軽減することができる。
【００２５】
尚、図２に示した各処理部は専用のハードウェアにより実現されるものであってもよく、また、各処理部はメモリおよびＣＰＵ（中央演算装置）により構成され、各処理部の機能を実現する為のプログラムをメモリにロードして実行することによりその機能を実現させるものであってもよい。
また、上記メモリは、ハードディスク装置や光磁気ディスク装置、フラッシュメモリ等の不揮発性のメモリや、ＣＤ−ＲＯＭ等の読み出しのみが可能な記録媒体、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）のような揮発性のメモリ、あるいはこれらの組み合わせによるコンピュータ読み取り、書き込み可能な記録媒体より構成されるものとする。
【００２６】
次に、上述したパターンデータ補正装置１４の動作について説明する。
図５は、本発明の一実施形態によるパターンデータ補正装置１４の動作を示すフロー図である。まず、パターンデータを入力処理部２２へ入力する（ステップＳ１０）。この際、プロセスリサイズ量を定める工程フロー情報も入力する。次に、分割処理部２４は、入力処理部２２より入力されたパターンデータを図６に示した小区画に分割する（ステップＳ１１）。
【００２７】
次に、面積密度算出処理部２５は、分割処理部２４が分割した小区画毎に、該小区画の面積に占める、プロセスリサイズ量で補正したパターンの面積の割合である面積密度を算出する（ステップＳ１２）。次に、第一補正量算出処理部２６は、式（１）の係数Ａを含む項を計算することでローディング効果補正量を算出する（ステップＳ１３）。次に、補正量算出処理部２７は、各小区画において、第一補正量算出処理部２６が算出したローディング効果補正量と、プロセスリサイズ量とを加算して、該小区画のパターンデータ補正量を算出する（ステップＳ１４）。
【００２８】
次に、補正処理部２８は、第一補正量算出処理部２６および補正量算出処理部２７が式（１）を用いて小区画毎に算出したパターンデータ補正量を用いて、小区画毎にパターンデータを補正する（ステップＳ１５）。
以上に示したように、パターンデータ補正装置１４は、プロセスリサイズ量およびローディング効果補正量を考慮したパターンデータの補正を行うことができる。このローディング効果補正量を考慮しない場合はエッチングの過程で生じる寸法変動が２０ｎｍ以上あったが、ローディング効果補正量を考慮することで、数ｎｍまで寸法変動を抑制することができる。
【００２９】
尚、分割処理部２４が分割する小区画の大きさは、パターン描画装置１０がフォトマスクブランクス１２へ一度で描画する単位であるフィールドサイズと同じもしくは整数倍が好ましい。
【００３０】
次に、パターン描画済みのフォトマスクが製造されるまでの工程を図８を用いて説明する。
図８はフォトマスクが製造されるまでの工程を示す図である。
まず、パターン描画装置１０のパターン描画部はパターンデータ補正装置１４から受付けた補正後のパターンデータの示すパターンを、フォトマスクブランクス１２に描画する。このパターンの描画は光（例えば、紫外線、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ線、エキシマレーザー光、Ｘ線など）や電子線などをパターンにあわせてフォトマスクブランクス１２に照射することである。尚、光や電子線を照射した部分のフォトマスクブランクスのレジスト層が感光する。そして次に、現像工程において、レジスト層の感光した部分を取り除く。次にエッチング工程においてレジスト層が取り除かれた部分のパターン形成層を除去するエッチングを行い、さらに、レジスト剥膜工程においてフォトマスクブランクスに塗布されているレジスト層を剥膜することにより、フォトマスク１５が製造される。なお現像工程とエッチング工程とレジスト剥膜工程はそれぞれの専用装置（現像装置、エッチング装置、レジスト剥膜装置）で行われる。また、このフォトマスクの製造工程はフォトマスクブランクスにポジ型レジストを用いた場合の工程を示しているが、ネガ型レジストを用いるようにしてもよい。
【００３１】
そして製造されたフォトマスク１５を用いて、シリコンウエハ基板に電子回路のパターンが転写される。なお電子回路のパターンの転写は半導体製造工場などで行われる。このパターン転写方法においては、例えば、まず被加工層を表面に形成したシリコンウエハ基板上にフォトレジスト層を設け、上述の製造したフォトマスク１５を介して、光をパターンデータの示すパターンで照射する。そして、現像工程において、シリコンウエハ基板上の不必要な部分のフォトレジスト層を除去し、シリコンウエハ基板上にパターンニングされたフォトレジスト膜を形成させたのち、このパターンニングされたフォトレジスト膜をマスクとして被加工層をエッチング処理する。次いで、パターンニングされたフォトレジスト膜を除去する。これにより、フォトマスクのパターンが忠実にシリコンウエハ基板の表面の被加工層に転写される。
そしてシリコンウエハ基板上へのパターン転写が終了すると、その上に新たに別の被加工層を形成した後、上記と同様の処置を施す。これらの工程を反復することにより半導体集積回路が製造される。
【００３２】
尚、図２において各種処理を行う処理部の機能を実現する為のプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行することにより各処理を行っても良い。なお、ここでいう「コンピュータシステム」とは、ＯＳや周辺機器等のハードウェアを含むものとする。
また、「コンピュータシステム」とは、ＷＷＷシステムを利用している場合であれば、ホームページ提供環境（あるいは表示環境）も含むものとする。
【００３３】
また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発メモリ（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。
【００３４】
また、上記プログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピュータシステムから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピュータシステムに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。
また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現する為のものであっても良い。さらに、前述した機能をコンピュータシステムに既に記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であっても良い。
以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明においては、フォトマスク用のパターンデータを所定の形状の小区画に分割するステップと、小区画毎に、該小区画の面積に占める、プロセスリサイズ量で補正したパターンの面積の割合である面積密度を算出するステップと、小区画毎に、該小区画および該小区画の周辺の小区画が、該小区画へ与えるローディング効果の影響度係数を定める影響度係数情報を参照して、該小区画および周辺の小区画の面積密度と影響度係数を積算して積算値を求め、該積算値を全て加算した加算値に所定の係数を乗算することで、該小区画におけるローディング効果補正量を算出するステップと、該小区画において、算出したローディング効果補正量と、プロセスリサイズ量とを加算して、該小区画のパターンデータ補正量を算出するステップと、小区画毎の前記パターンデータ補正量を用いて、小区画毎にパターンデータを補正するステップとを有するパターン補正方法により補正したパターンデータをフォトマスクブランクスに描画して製造したフォトマスクであり、上述のパターン補正方法はプロセスリサイズ量およびローディング効果補正量を考慮したパターンデータの補正を行うことができる方法である。これにより、パターン描画、現像の際に生じるパターン形状の誤差とエッチングの過程で生じる寸法変動を有効に抑制したフォトマスクを製造することができる。
【００３６】
また、本発明においては、上記フォトマスク製造方法により製造されたフォトマスクを介してレジスト層と被加工層を表面に形成した基板上に光を照射して半導体集積回路を製造方法であるので、基板上にパターン形成を精度よく行うことができる。これにより、製造前の設計の段階で計画したパターンを忠実に再現した回路パターンを精度良く形成した半導体集積回路を製造する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態によるパターンデータ補正装置を具備するパターン描画装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態によるパターンデータ補正装置１４の概略構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態における係数情報格納部２３ａの構成例および影響度係数パターン例を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態におけるプロセスリサイズ情報格納部２３ｂの構成例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態によるパターンデータ補正装置１４の動作を示すフロー図である。
【図６】本発明の一実施形態におけるフォトマスクブランクス１２に描画されるパターンの一部であり、小区画Ａについてローディング効果の影響を考慮する際の周辺の小区画数について具体例を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態によるパターンデータの補正例およびプロセスリサイズによる補正面積例を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態によるフォトマスクが製造されるまでの工程を示す図である。
【符号の説明】
１０ パターン描画装置
１１ パターン描画部
１２ フォトマスクブランクス
１３ パターン描画済みのフォトマスクブランクス
１４ パターンデータ補正装置
１５ フォトマスク
２１ 制御部
２２ 入力処理部
２３ 格納部
２３ａ 係数情報格納部
２３ｂ プロセスリサイズ情報格納部
２４ 分割処理部
２５ 面積密度算出処理部
２６ 第一補正量算出処理部
２７ 補正量算出処理部
２８ 補正処理部
２９ 出力処理部

Claims (4)

1. フォトマスク用のパターンデータを所定の形状の小区画に分割するステップと、
   前記小区画毎に、該小区画の面積に占める、プロセスリサイズ量で補正したパターンの面積の割合である面積密度を算出するステップと、
   前記小区画毎に、該小区画および該小区画の周辺の小区画が、該小区画へ与えるローディング効果の影響度係数を定める影響度係数情報を参照して、該小区画および周辺の小区画の前記面積密度と前記影響度係数を積算して積算値を求め、該積算値を全て加算した加算値に所定の係数を乗算することで、該小区画におけるローディング効果補正量を算出するステップと、
   該小区画において、算出した前記ローディング効果補正量と、前記プロセスリサイズ量とを加算して、該小区画のパターンデータ補正量を算出するステップと、
   前記小区画毎の前記パターンデータ補正量を用いて、前記小区画毎に前記パターンデータを補正するステップと、
   当該補正したパターンデータが示すパターンを、透明基板上に少なくともパターン形成層とレジスト層を形成したフォトマスクブランクスに描画するステップと、
   そのフォトマスクブランクスを現像するステップと、
   前記フォトマスクブランクスの前記レジスト層が現像によって取り除かれた部分の前記パターン形成層をエッチングするステップと、
   エッチング後のフォトマスクブランクスのレジスト層を剥膜するステップと
   を有するフォトマスク製造方法を用いて製造されたフォトマスク。
2. フォトマスク用のパターンデータを所定の形状の小区画に分割するステップと、
   前記小区画毎に、該小区画の面積に占める、プロセスリサイズ量で補正したパターンの面積の割合である面積密度を算出するステップと、
   前記小区画毎に、該小区画および該小区画の周辺の小区画が、該小区画へ与えるローディング効果の影響度係数を定める影響度係数情報を参照して、該小区画および周辺の小区画の前記面積密度と前記影響度係数を積算して積算値を求め、該積算値を全て加算した加算値に所定の係数を乗算することで、該小区画におけるローディング効果補正量を算出するステップと、
   該小区画において、算出した前記ローディング効果補正量と、前記プロセスリサイズ量とを加算して、該小区画のパターンデータ補正量を算出するステップと、
   前記小区画毎の前記パターンデータ補正量を用いて、前記小区画毎に前記パターンデータを補正するステップと、
   当該補正したパターンデータが示すパターンを、透明基板上に少なくともパターン形成層とレジスト層を形成したフォトマスクブランクスに描画するステップと、
   そのフォトマスクブランクスを現像するステップと、
   前記フォトマスクブランクスの前記レジスト層が現像によって取り除かれた部分の前記パターン形成層をエッチングするステップと、
   エッチング後のフォトマスクブランクスのレジスト層を剥膜するステップと
   を有することを特徴とするフォトマスク製造方法。
3. 請求項２に記載のフォトマスク製造方法により製造されたフォトマスクを介してレジスト層と被加工層を表面に形成した基板上に光を照射する過程
   を有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
4. 請求項３に記載の製造方法を用いて製造された半導体集積回路。

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