JP2009032904A - 荷電粒子ビーム描画装置、パターン寸法のリサイズ装置、荷電粒子ビーム描画方法及びパターン寸法のリサイズ方法 - Google Patents

荷電粒子ビーム描画装置、パターン寸法のリサイズ装置、荷電粒子ビーム描画方法及びパターン寸法のリサイズ方法 Download PDF

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Abstract

【目的】ローディング効果に起因する寸法変動を高精度に補正する装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の描画装置100は、描画対象となる試料101の描画領域全体のパターン密度を計算するマスク密度計算部124と、描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関テーブル142から試料101の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得するローディング効果係数取得部126と、取得されたローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する寸法変動量計算部128と、寸法変動量を補正する照射量で、試料101に電子ビーム200を照射して、試料101に所定のパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、ローディング効果に起因する寸法変動を高精度に補正することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置、パターン寸法のリサイズ装置、荷電粒子ビーム描画方法及びパターン寸法のリサイズ方法に係り、例えば、ローディング効果による寸法変動を補正する荷電粒子ビーム描画装置、パターン寸法のリサイズ装置、荷電粒子ビーム描画方法及びパターン寸法のリサイズ方法に関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子線(電子ビーム)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
図9は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。まず、第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口421の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動している。このように、開口411と可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、試料340の描画領域に描画される。開口411と可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
上述した電子ビーム描画では、より高精度な試料面内、例えばマスク面内の線幅均一性が求められている。ここで、いくら設計寸法に忠実に高精度な描画を行なったとしても、描画後にレジスト膜の下層の膜をエッチングする場合において、回路パターンの粗密に起因したローディング効果と呼ばれる寸法変動が生じてしまう。そのため、かかるローディング効果による寸法変動を補正するローディング効果補正を行なっている。かかる補正では、回路パターン(設計パターン)の設計線幅から予めローディング効果による寸法変動量を見越したパターン寸法補正量で補正した状態で描画を行ない、エッチング等で生じるローディング効果を経て所望する設計線幅が得られるようにしている。例えば、計算したローディング効果による寸法変動が正(線幅が太くなる方向)に変動する場合、回路パターンは、ローディング効果による寸法変動分だけ設計線幅より細い線幅になるように予め補正した上で照射される。
ローディング効果を補正する技術として、回路パターン全体を、500μm角のグローバルローディング効果小区画、0.5μm角の近接効果小区画、50nm角のマイクロローディング効果小区画にそれぞれ分割し影響度マップ作成を行なう。そして、50%の所定面積密度の回路パターンを適切に描画でき照射量(固定値)と、近接効果影響値マップと、ローディング効果補正量から求めた近接効果補正係数ηマップを用いて、描画するための照射量を算出するとする記載が文献に開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−195787号公報
上述したように、電子ビーム描画に代表される荷電粒子ビーム描画では、ローディング効果と呼ばれる寸法変動が生じてしまう。この寸法変動量を求める際に、その影響範囲内が100%のパターン密度でのローディング効果量を示す係数γを使用する。このγは従来エッチングプロセスによって変化することが知られていたが、それ以外の知見が十分得られていなかった。そのため、現場ではパターンレイアウトが異なる基板毎に経験則に基づいて試行錯誤しながら1つの値を設定していた。しかしながら、規則に従った手法ではないので、適した補正量にすることは困難であった。このように、各種のパターンが描画される各種の基板に対し、それぞれ高精度な変動量を求めることができなかった。そのために、十分な寸法補正を行なうことが困難となっていた。
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、ローディング効果に起因する寸法変動を高精度に補正する装置及び方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画データに基づいて、描画対象となる試料の描画領域全体のパターン密度を計算するパターン密度計算部と、
試料の描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関関係情報を記憶する記憶部と、
相関関係情報から試料の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得する取得部と、
取得されたローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する寸法変動量計算部と、
寸法変動量を補正する照射量で、試料に荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
かかる構成により、試料の描画領域全体のパターン密度により一意に決まるローディング効果係数γを用いることができる。この係数γを用いてパターンの寸法変動量を計算することで後述するように高精度な変動量を得ることができる。
ここで、試料の描画領域は、メッシュ状に複数の小領域に仮想分割され、
寸法変動量計算部は、小領域毎に小領域内のパターン密度とカーネル関数とを用いてパターンの寸法変動量を計算すると好適である。
本発明の一態様のパターン寸法のリサイズ装置は、
描画データに基づいて、描画対象となる試料の描画領域全体のパターン密度を計算するパターン密度計算部と、
試料の描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関関係情報を記憶する記憶部と、
相関関係情報から試料の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得する取得部と、
取得されたローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する寸法変動量計算部と、
寸法変動量に基づいて、パターンの寸法をリサイズするリサイズ処理部と、
を備えたことを特徴とする。
このように、照射量で補正しなくても、描画前の元々のパターン寸法をリサイズしても好適である。
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
描画データに基づいて、描画対象となる試料の描画領域全体のパターン密度を計算する工程と、
試料の描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関関係情報を記憶する記憶装置から相関関係情報を読み出し、相関関係情報から試料の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得する工程と、
取得されたローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する工程と、
寸法変動量を補正する照射量で、試料に荷電粒子ビームを照射して、前記試料に所定のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明の一態様のパターン寸法のリサイズ方法は、
描画データに基づいて、描画対象となる試料の描画領域全体のパターン密度を計算する工程と、
試料の描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関関係情報を記憶する記憶装置から相関関係情報を読み出し、相関関係情報から試料の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得する工程と、
取得されたローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する工程と、
寸法変動量に基づいて、パターンの寸法をリサイズし、その結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、ローディング効果に起因する寸法変動を高精度に補正することができる。
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。
図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置100は、試料101に所望するパターンを描画する。描画部150は、電子鏡筒102、描画室103を有している。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング(BLK)偏向器212、ブランキング(BLK)アパーチャ214、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。また、描画室103内には、移動可能に配置されたXYステージ105が配置されている。また、XYステージ105上には、試料101が配置されている。試料101として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスク基板が含まれる。マスク基板としては、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。制御部160は、磁気ディスク装置109,140、偏向制御回路110、制御計算機120、メモリ121を有している。制御計算機120内では、メッシュ密度計算部122、マスク密度計算部124、ローディング効果係数取得部126、寸法変動量計算部128、照射量取得部130、照射時間計算部132、及び描画データ処理部134といった各機能を有している。制御計算機120には、磁気ディスク装置109に記憶された描画データが入力される。磁気ディスク装置140には、マスク全体のパターン密度ρとローディング効果係数γとの相関テーブル142、及び寸法変動量L(x,y)と照射量D(x,y)との相関テーブル144が格納されている。制御計算機120に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ121に記憶される。
制御計算機120には、メモリ121、偏向制御回路110、磁気ディスク装置109,140が図示していないバスを介して接続されている。偏向制御回路110は、BLK偏向器212に接続される。
図1では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。また、図1では、コンピュータの一例となる制御計算機120で、メッシュ密度計算部122、マスク密度計算部124、ローディング効果係数取得部126、寸法変動量計算部128、照射量取得部130、照射時間計算部132、及び描画データ処理部134といった各機能の処理を実行するように記載しているがこれに限るものではない。例えば、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。
照射部の一例となる電子銃201から電子ビーム200が照射される。電子銃201から出た電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像の位置は、偏向器205によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム200は成形される。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器208により偏向される。その結果、連続移動するXYステージ105上の試料101の所望する位置に照射される。
ここで、試料101上の電子ビーム200が、所望する照射量を試料101に入射させる照射時間tに達した場合、以下のようにブランキングする。すなわち、試料101上に必要以上に電子ビーム200が照射されないようにするため、例えば静電型のBLK偏向器212で電子ビーム200を偏向すると共にBLKアパーチャ214で電子ビーム200をカットする。これにより、電子ビーム200が試料101面上に到達しないようにする。BLK偏向器212の偏向電圧は、偏向制御回路110及び図示していないアンプによって制御される。
ビームON(ブランキングOFF)の場合、電子銃201から出た電子ビーム200は、図1における実線で示す軌道を進むことになる。一方、ビームOFF(ブランキングON)の場合、電子銃201から出た電子ビーム200は、図1における点線で示す軌道を進むことになる。また、電子鏡筒102内および描画室103内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。
ここで、発明者等は、ローディング効果係数γが、マスク全体のパターン密度ρによって変化することを見出した。そのため、より的確な寸法変動補正を行なうには、マスク全体のパターン密度ρによって、使用するローディング効果係数γを変化させることが望ましい。ここで、ローディング効果係数γは、ローディング効果影響範囲σにおけるパターン密度ρが0%の場合のパターン線幅の寸法変動量ΔCD(0%)と100%の場合のパターン線幅の寸法変動量ΔCD(100%)との差として定義される。描画装置100で照射量を補正するためには、まず、ローディング効果係数γとマスク全体のパターン密度ρとの相関関係を得る必要がある。そこで、以下、ローディング効果係数γとマスク全体のパターン密度ρとの相関関係を得るための手法を説明する。
図2は、実施の形態1における評価基板の一例を示す図である。
基板10に基板全体のパターン密度ρがある割合(例えば、10%)になるようなパターン密度が100%の周辺パターン30(所謂、ベタパターン)と評価対象となる評価パターン20とを描画する。そして、評価パターン20の各位置でのパターン線幅の寸法変動量ΔCDを測定する。この場合、周辺パターン30から十分な離れた領域、すなわち、測定位置を含むローディング効果影響範囲σ内に周辺パターン30が無い領域では、ローカルなパターン密度ρが0%の場合のパターン線幅の寸法変動量ΔCD(0%)を得ることができる。また、周辺パターン30の端部を含む領域では、ローカルなパターン密度ρが50%の場合のパターン線幅の寸法変動量ΔCD(50%)を得ることができる。そして、周辺パターン30中央部の領域では、ローカルなパターン密度ρが100%の場合のパターン線幅の寸法変動量ΔCD(100%)を得ることができる。次に、基板全体のパターン密度ρが周辺パターン30を配置した場合とは異なるある割合(例えば、40%)になるような周辺パターン32と評価対象となる評価パターン20とを描画する。そして、同様に、評価パターン20の各位置でのパターン線幅の寸法変動量ΔCDを測定する。そして、基板全体のパターン密度ρが周辺パターン30,32を配置した場合とは異なるある割合(例えば、60%)になるような周辺パターン34と評価対象となる評価パターン20とを描画する。そして、同様に、評価パターン20の各位置でのパターン線幅の寸法変動量ΔCDを測定する。このように周辺パターンのサイズを変えた評価基板を作製する。
図3は、実施の形態1におけるローカルなパターン密度ρとパターン線幅の寸法変動量ΔCDとの関係の一例を示す図である。
図3では、3種類の基板全体のパターン密度ρでのローカルなパターン密度ρとパターン線幅の寸法変動量ΔCDとの関係の一例を示している。図3に示すように、同じローカルなパターン密度ρであっても基板全体のパターン密度ρによって寸法変動量ΔCDが異なっていることがわかる。言い換えれば、基板全体のパターン密度ρによってグラフの傾きが異なっている。ここで、上述したように、ローディング効果係数γは、ローカルなパターン密度ρが0%の場合の寸法変動量ΔCD(0%)と100%の場合の寸法変動量ΔCD(100%)との差として定義される。そこで、基板全体のパターン密度ρ毎に、ローカルなパターン密度ρが0%の場合の寸法変動量ΔCD(0%)と100%の場合の寸法変動量ΔCD(100%)とを求める。そして、差分を演算することで基板全体のパターン密度ρ毎に、最適なローディング効果係数γを得ることができる。
図4は、実施の形態1におけるマスク全体のパターン密度ρとローディング効果係数γとの関係の一例を示す図である。
図4では、6種類の基板全体のパターン密度ρでのローディング効果係数γを示している。このように、マスク全体のパターン密度ρとローディング効果係数γとの相関関係を得ることができる。
図5は、実施の形態1におけるマスク全体のパターン密度ρとローディング効果係数γとの相関テーブルの一例を示す図である。
描画装置100において、参照しやすいように、図5に示すような相関テーブル142を作成すると好適である。また、ここでは、6種類の基板全体のパターン密度ρでのローディング効果係数γを示しているがサンプル数が増えればその分高精度な相関テーブル142を得ることができる。また、相関テーブル142に無い値は、内挿によって求めても好適である。この相関テーブル144は、磁気ディスク装置140に格納される。
図6は、実施の形態1における他の評価基板の一例を示す図である。
図2では、周辺パターンに所謂、ベタパターンを用いたが、図6では、基板12の上部に、周辺パターン領域のパターン密度が20%となる周辺パターン42と80%となる周辺パターン48とこれらの中央を通る評価対象となる評価パターン22とを描画する。そして、ローカルなパターン密度の異なる評価パターン22の各位置においてパターン線幅の寸法変動量ΔCDを測定する。次に、基板12の中央部に、周辺パターン領域のパターン密度が30%となる周辺パターン43と70%となる周辺パターン47とこれらの中央を通る評価対象となる評価パターン24とを描画する。そして、ローカルなパターン密度の異なる評価パターン24の各位置においてパターン線幅の寸法変動量ΔCDを測定する。周辺パターン43と周辺パターン47とさらに描画したことで、基板全体でのパターン密度も大きくなる。続いて、基板12の下部に、周辺パターン領域のパターン密度が40%となる周辺パターン44と60%となる周辺パターン46とこれらの中央を通る評価対象となる評価パターン26とを描画する。そして、ローカルなパターン密度の異なる評価パターン26の各位置においてパターン線幅の寸法変動量ΔCDを測定する。周辺パターン44と周辺パターン46とさらに描画したことで、基板全体でのパターン密度もさらに大きくなる。このような評価基板を用いて寸法変動量ΔCDを測定した場合でも、図5と同様な結果を得た。よって、マスク全体のパターン密度ρとローディング効果係数γとは、相関関係があることが異なる評価基板でも実証できた。
以上のようにして、相関テーブル142を取得した上で、描画装置100において試料101に所望するパターンを描画する。
図7は、実施の形態1における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
まず、制御計算機120は、磁気ディスク装置109から描画データを読み込む。そして、その描画データは、描画データ処理部134によって、装置内フォーマットのデータへと変換される。また、かかる変換処理とは別に、ローディング効果に起因する寸法変動を補正するための演算が以下の各ステップで行なわれる。
S(ステップ)102において、メッシュ内パターン密度計算工程として、メッシュ密度計算部122は、描画対象となる試料の描画領域を所定のグリッド寸法でメッシュ状の複数の小領域に仮想分割する。この小領域のサイズ(メッシュサイズ)は、ローディング効果影響範囲σの例えば1/10以下に設定すると好適である。例えば、影響範囲σが数10mmである場合に、500μm〜1mm程度とすると好適である。そして、メッシュ密度計算部122は、描画データに基づいて、小領域毎にローカルなパターン密度ρを計算する。
S104において、マスク全体のパターン密度計算工程として、マスク密度計算部124は、描画データに基づいて、描画対象となる試料101の描画領域全体のパターン密度ρを計算する。
S106において、ローディング効果係数γ取得工程として、ローディング効果係数取得部126は、磁気ディスク装置140から相関テーブル142(相関関係情報)を読出し、相関テーブル142から試料101の描画領域全体のパターン密度ρに対応するローディング効果係数γを取得する。
S108において、寸法変動量L(x,y)計算工程として、寸法変動量計算部128は、得られたローディング効果係数γと各小領域のパターン密度ρを用いて、小領域毎にローディング効果に起因する小領域内のパターンの線幅寸法の寸法変動量L(x,y)を計算する。寸法変動量L(x,y)は、以下の式(1)で求めることができる。
Figure 2009032904
ここで、g(x,y)は、ローディング効果量のカーネル関数を示す。上述したように、パターン密度ρ関数とカーネル関数との畳み込み積分(コンボリューション)計算を行い、γを掛け合わせたものがローディング効果補正量として定義することができる。ここでいうカーネル関数とは、ローディング効果量の広がりを表す関数で、例えばガウス関数を用いると好適である。具体的な計算の手法としては、メッシュ中心での離散的なパターン密度分布として、以下の式(2)に示すような畳み込み和(コンボリューションサム)計算を行えばよい。
Figure 2009032904
ここでのパターン密度ρはローディング効果影響範囲σ(ローディング効果影響半径)を基準として、3σ程度の領域内のローカルなパターン密度が望ましい。
S110において、照射量D(x,y)計算工程として、照射量取得部130は、小領域毎に、得られた寸法変動量L(x,y)だけ、設計パターンの寸法CDを変更する照射量D(x,y)を取得する。照射量取得部130は、磁気ディスク装置140から相関テーブル144を読み出し、得られた寸法変動量L(x,y)だけ、設計パターンの寸法CDを変更する照射量を取得する。
S112において、照射時間計算工程として、照射時間計算部132は、小領域毎に、得られた照射量D(x,y)と設定されている電流密度Jを用いて、照射時間t(=照射量D(x,y)/電流密度J)を計算する。
S114において、描画工程として、制御計算機120は、求めた照射時間tで試料101のへのビーム照射がOFFになるように偏向制御回路110に信号を出力する。そして、偏向制御回路110では、かかる信号に沿って、求めた照射時間tに合わせて、電子ビーム200を偏向するようにBLK偏向器212を制御する。そして、所望する照射量D(x,y)を試料101に照射した後、BLK偏向器212により偏向された電子ビーム200は、試料101に到達しないようにBLKアパーチャ214によって遮蔽される。このようにして、描画部150は、寸法変動量L(x,y)を補正する照射量D(x,y)で、試料101に電子ビーム200を照射する。これにより、試料101に所定のパターンを描画する。
以上のように、試料の描画領域全体のパターン密度により一意に決まるローディング効果係数γを用いることができる。この係数γを用いてパターンの寸法変動量を計算することで高精度な変動量を得ることができる。そして、その変動分だけ照射量を補正することで、ローディング効果補正における補正残差を低減、或いは無くしたローディング効果補正を行なうことができる。その結果、ローディング効果を経てマスク等の試料に高精度なパターン寸法でパターンを作成することができる。
実施の形態2.
実施の形態1では、照射量でローディング効果補正を行なう構成について説明したが、補正照射量で補正しなくても、描画前の元々のパターン寸法をリサイズしても好適である。実施の形態2では、描画装置100に送信される前の描画データ自体をリサイズする構成について説明する。
図8は、実施の形態2における描画装置の構成を示す概念図である。
図8において、パターン寸法のリサイズ装置300は、磁気ディスク装置309,311,341、制御計算機320、メモリ321を有している。制御計算機320内では、メッシュ密度計算部322、マスク密度計算部324、ローディング効果係数取得部326、寸法変動量計算部328、及びリサイズ処理部350といった各機能を有している。磁気ディスク装置309には、ローディング効果に起因する寸法変動誤差を補正する前の描画データ(1)が格納されている。磁気ディスク装置341には、マスク全体のパターン密度ρとローディング効果係数γとの相関テーブル342が格納されている。制御計算機320に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ321に記憶される。
図8では、本実施の形態2を説明する上で必要な構成部分について記載している。リサイズ装置300にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。また、図8では、コンピュータの一例となる制御計算機320で、メッシュ密度計算部322、マスク密度計算部324、ローディング効果係数取得部326、寸法変動量計算部328、及びリサイズ処理部350といった各機能の処理を実行するように記載しているがこれに限るものではない。例えば、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。
ここで、メッシュ密度計算部322は、実施の形態1におけるメッシュ密度計算部122に対応する。そして、制御計算機320が磁気ディスク装置309からリサイズ前の描画データ(1)を読み込んだ後、メッシュ密度計算部322は、実施の形態1におけるメッシュ密度計算部122と同様な処理を行なう。また、マスク密度計算部324は、実施の形態1におけるマスク密度計算部124に対応する。そして、マスク密度計算部324は、実施の形態1におけるマスク密度計算部124と同様な処理を行なう。また、ローディング効果係数取得部326は、実施の形態1におけるローディング効果係数取得部126に対応する。そして、ローディング効果係数取得部326は、実施の形態1におけるローディング効果係数取得部126と同様な処理を行なう。また、寸法変動量計算部328は、実施の形態1における寸法変動量計算部128に対応する。そして、寸法変動量計算部328は、実施の形態1における寸法変動量計算部128と同様な処理を行なう。
以上のようにして得られた寸法変動量L(x,y)に基づいて、リサイズ処理部350は、小領域毎にパターンの寸法をリサイズする。そして、リサイズ処理部350は、リサイズしたデータを磁気ディスク装置311に出力する。磁気ディスク装置311は、リサイズされた、すなわち、ローディング効果補正がされた描画データを格納する。このように、描画装置100に入力前の描画データを予め補正しておくことで、描画装置100での新たな補正を不要にすることができる。
以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものの処理内容或いは動作内容は、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、FD、或いはROM(リードオンリメモリ)等の記録媒体に記録される。例えば、磁気ディスク装置140或いは磁気ディスク装置341に記録される。
また、コンピュータとなる制御計算機120,320は、さらに、図示していないバスを介して、記憶装置の一例となるRAM(ランダムアクセスメモリ)、ROM、磁気ディスク(HD)装置、入力手段の一例となるキーボード(K/B)、マウス、出力手段の一例となるモニタ、プリンタ、或いは、入力出力手段の一例となる外部インターフェース(I/F)、FD、DVD、CD等に接続されていても構わない。
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、リサイズ装置300を描画装置100内に搭載しても構わない。また、光露光を用いたパターン形成装置であっても、本発明の内容を適応することができる。
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画方法及び装置は、本発明の範囲に包含される。
実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態1における評価基板の一例を示す図である。 実施の形態1におけるローカルなパターン密度ρとパターン線幅の寸法変動量ΔCDとの関係の一例を示す図である。 実施の形態1におけるマスク全体のパターン密度ρとローディング効果係数γとの関係の一例を示す図である。 実施の形態1におけるマスク全体のパターン密度ρとローディング効果係数γとの相関テーブルの一例を示す図である。 実施の形態1における他の評価基板の一例を示す図である。 実施の形態1における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態2における描画装置の構成を示す概念図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
符号の説明
10,12 基板
20,22,24,26 評価パターン
30,32,34,42,43,44,46,47,48 周辺パターン
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
109,140,309,311,341 磁気ディスク装置
110 偏向制御回路
120,320 制御計算機
121,321 メモリ
122,322 メッシュ密度計算部
124,324 マスク密度計算部
126,326 ローディング効果係数取得部
128,328 寸法変動量計算部
130 照射量取得部
132 照射時間計算部
134 描画データ処理部
142,144,342 相関テーブル
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
212 BLK偏向器
214 BLKアパーチャ
300 リサイズ装置
330 電子線
350 リサイズ処理部
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース

Claims (5)

  1. 描画データに基づいて、描画対象となる試料の描画領域全体のパターン密度を計算するパターン密度計算部と、
    前記試料の描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関関係情報を記憶する記憶部と、
    前記相関関係情報から前記試料の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得する取得部と、
    取得された前記ローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する寸法変動量計算部と、
    前記寸法変動量を補正する照射量で、前記試料に荷電粒子ビームを照射して、前記試料に所定のパターンを描画する描画部と、
    を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
  2. 前記試料の描画領域は、メッシュ状に複数の小領域に仮想分割され、
    前記寸法変動量計算部は、前記小領域毎に前記小領域内のパターン密度とカーネル関数とを用いて前記パターンの寸法変動量を計算することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  3. 描画データに基づいて、描画対象となる試料の描画領域全体のパターン密度を計算するパターン密度計算部と、
    前記試料の描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関関係情報を記憶する記憶部と、
    前記相関関係情報から前記試料の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得する取得部と、
    取得された前記ローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する寸法変動量計算部と、
    前記寸法変動量に基づいて、パターンの寸法をリサイズするリサイズ処理部と、
    を備えたことを特徴とするパターン寸法のリサイズ装置。
  4. 描画データに基づいて、描画対象となる試料の描画領域全体のパターン密度を計算する工程と、
    前記試料の描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関関係情報を記憶する記憶装置から前記相関関係情報を読み出し、前記相関関係情報から前記試料の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得する工程と、
    取得された前記ローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する工程と、
    前記寸法変動量を補正する照射量で、前記試料に荷電粒子ビームを照射して、前記試料に所定のパターンを描画する工程と、
    を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
  5. 描画データに基づいて、描画対象となる試料の描画領域全体のパターン密度を計算する工程と、
    前記試料の描画領域全体のパターン密度とローディング効果係数との相関関係情報を記憶する記憶装置から前記相関関係情報を読み出し、前記相関関係情報から前記試料の描画領域全体のパターン密度に対応するローディング効果係数を取得する工程と、
    取得された前記ローディング効果係数を用いて、パターンの寸法変動量を計算する工程と、
    前記寸法変動量に基づいて、パターンの寸法をリサイズし、その結果を出力する工程と、
    を備えたことを特徴とするパターン寸法のリサイズ方法。
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