JP2013527983A - 大きなメッシュの部分一括露光方式電子線リソグラフィ方法 - Google Patents
大きなメッシュの部分一括露光方式電子線リソグラフィ方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013527983A JP2013527983A JP2013504271A JP2013504271A JP2013527983A JP 2013527983 A JP2013527983 A JP 2013527983A JP 2013504271 A JP2013504271 A JP 2013504271A JP 2013504271 A JP2013504271 A JP 2013504271A JP 2013527983 A JP2013527983 A JP 2013527983A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- etched
- dose
- calculating
- individual cells
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 126
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 238000013386 optimize process Methods 0.000 abstract description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 80
- 238000013461 design Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本発明は、セルの投影に基づいたリソグラフィ方法、顕著には直接描画電子線リソグラフィに適用される。従来技術におけるこの種の方法の主な制限の１つは、描画時間である。この制限を克服するために、本発明の方法によれば、セルの寸法をリソグラフィ装置の最大アパーチャまで増加させる。有利には、この寸法増加は、エッチングすべき基板に近い投影ステンシルレベルのアパーチャの寸法を修正することにより得られる。有利には、工程エネルギー自由度を最適化するように計算した線量が照射される、エッチングすべきブロックの外側にストリップを付け加える。有利には、このストリップをエッチングすべきブロックの端部から離して配置する。有利には、投影したセルは隣接していない。
Description
本発明は電子線リソグラフィの分野に適用される。
限界寸法が５０ｎｍ未満であるパターンをエッチング可能にするためには、複雑化する光学歪みを補正するための方法を、マスク設計および製造の段階、ならびに露光段階の両方で、光学フォトリソグラフィ方法の中に組み込まねばならない。それに応じて、新技術生成のための装置コストおよび開発コストは、非常に高い割合で増加する。最近では、フォトリソグラフィで利用可能な限界寸法は６５ｎｍ以上である。３２〜４５ｎｍの生成は現在開発中であり、２２ｎｍ未満の技術的ノードに向けて予測される実行可能な解決策はない。一方で、電子線リソグラフィは、現在２２ｎｍパターンのエッチングを可能にしている。電子線リソグラフィは、いかなるマスクも必要とせず、現像時間がかなり短いために、技術および設計の向上を生み出す際においてより良好な対応および自由度を保証する。他方では、（「ステッパー」を用いて）複数のステップで露光を行わねばならないため、製造時間はフォトリソグラフィの場合よりも構造上実質的に長い。それに対して、フォトリソグラフィは階層露光しか必要としない。記憶回路およびゲートアレイのような繰り返しパターンを関する設計については、完全なパターン（またはセル）が単一のショットでエッチングされる部分一括露光方式技術が開発されている。この種の方法は米国特許第５，８０８，３１０号明細書に述べられている。
この部分一括露光方式技術では、技術専門家は、構成要素の製造時間および製造コストを削減するために、描画時間、そしてしたがってショットの回数および持続時間を削減する問題に繰り返し直面している。
本発明は、セルのメッシュを拡大することにより、かつ、照射線量を相関的に減少させることによりこの問題への対応を提供しており、描画時間を削減可能にする。また、このようにして、エッチングすべきブロックの全表面にわたって、端部近傍以外において均一な線量を提供することができる。有利には、２２ｎｍ限界寸法の技術において、２．４μｍ２のセルでは、４に近いファクターによりショット数、そしてしたがって製造時間が削減される。
この目的のために、本発明は、樹脂被覆基板上への少なくとも１つのブロックの投影に基づいた照射リソグラフィ方法であって、前記ブロックを、前記基板上に投影すべき個々のセルに分割するステップと、照射源により前記セルを形成するステップとを含み、前記個々のセルの寸法を前記工程の最大アパーチャにより特定の寸法に合わせることを特徴とする方法を提供する。
有利には、照射エネルギーの線量は、前記少なくとも１つのブロックのすべての個々のセルについて、前記ブロックの端部近傍以外において均一である。
有利には、個々のセルの少なくとも１つの列は、エッチングすべき前記ブロックの端部の外側に位置する。
有利には、エッチングすべきブロックの端部近傍に位置していない個々のセルは、隣接していない。
有利には、個々のセルのメッシュは、工程におけるセルの標準メッシュより約１２５％大きい。
有利には、工程におけるセルの標準メッシュは、約１．６μｍ×１．６μｍである。
有利には、本発明の方法はまた、ブロック端部の外側に位置付けすべきショットの幅を計算するステップと、前記ブロックの端部上の線量調整を計算するステップと、前記ショットを前記ブロックの外側に位置付けするステップとを含み、前記幅の計算および前記線量の計算が工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連している。
有利には、前記ブロックの端部上の線量調整を計算するステップは、照射線量と端部のパターンとの畳み込みによって前記線量を計算するサブステップを含む。
有利には、前記ブロックの端部上の線量調整を計算するステップは、パラメータの表を呼び出すことにより前記線量を計算するサブステップを含む。
有利には、本発明の方法はまた、ブロックの端部と前記ブロックの外側に位置付けすべきショットとの間の少なくとも１つの間隔を計算するステップを含む。
有利には、エッチングすべきブロックの寸法は、５００ｎｍと等しい。
本方法を実現するために、本発明はまた、コンピュータプログラムをコンピュータ上で実行する時、樹脂被覆基板上への少なくとも１つのブロックの投影に基づいた照射リソグラフィ方法を実行するように構成されたプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムであって、前記プログラムが、前記ブロックを、前記基板上へ投影すべき個々のセルに分割するモジュールと、照射源による前記セルの形成を制御することができるモジュールとを含み、前記制御することができるモジュールが、前記工程の最大アパーチャによって決定される寸法への前記個々のセルの形成を制御することができることを特徴とするコンピュータプログラムを提供する。
有利には、前記セルの形成を制御するためのモジュールは、前記少なくとも１つのブロックのすべての個々のセルについて、前記ブロックの端部近傍以外において均一である照射エネルギーの線量を生成する。
有利には、本発明のコンピュータプログラムはまた、ブロック端部の外側に位置付けすべきショットの幅の計算および前記ブロックの端部上の線量調整の計算を行うことができるモジュールと、前記ブロックの外側に前記ショットを位置付けすることができるモジュールとを含み、前記幅の計算および前記線量調整の計算が工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連している。
有利には、本発明のコンピュータプログラムはまた、ブロックの端部と前記ブロックの外側に位置付けすべきショットとの間の少なくとも１つの間隔の計算を行うことができるモジュールを含む。
本発明はまた、高い線量の回数（そしてしたがって長い持続時間のショット数）を減らすことができる。したがって本発明により、全体として製造時間が累積的に削減される。本発明はまた、幅が５μｍを超えるすべてのブロック、すべての不透明なブロック、および入力／出力ブロックに関する設計に適用される場合、特に有利である。
本発明はより深く理解され、その様々な特徴および利点は、多くの例示的実施形態およびその添付図についての以下の記述から明白になるだろう。
図１ａ、１ｂおよび１ｃは、それぞれ電子線リソグラフィ装置の２つのレベル、それらの重ね合せの例および前記重ね合せの様々な結果を示す。
従来の電子線リソグラフィ装置では、エッチングすべきパターンはまず個々の機能セル１４０ａに分割し、樹脂被覆基板上でエッチングすることができる。前記樹脂被覆基板は、シリコンウェハ、電子回路の機能が直接照射描画によってエッチングされるように意図された、別の材料ＩＩＩ−Ｖまたはガラスから作られたウェハであってもよく、前記照射は電子線照射またはイオン線照射がありうる。前記基板はまた、次いで上記と同じ材料からなるウェハをエッチングするために使用されるマスクであってもよく、前記エッチングは、電子線もしくはイオン線のエッチング方法、または光リソグラフィ方法を用いる。以下の記述において、本発明の方法について、任意の種類のウェハ上への直接描画に基づいた電子線リソグラフィ方法による例示的実施形態によって示すが、これらの実施形態は本発明の範囲全体を限定しない。
本発明の方法は、ゲートアレイタイプの回路と同様に、動的、静的、ランダムアクセスもしくは読み出し専用、書き換え可能または書き換え不可能なメモリなどの繰り返しパターンを備えた機能ブロックの再生に特に適する。
駆動ソフトウェアおよび／または以下の記述で説明する少なくとも１つのステンシル支持体へ適合させた後、本発明の方法を行うことができる機械は、例えば、ＶＩＳＴＥＣ（商標）またはＡＤＶＡＮＴＥＳＴ（商標）のブランド機械である。
例示的実施形態として用いた方法では、電子源１１０ａが２つのレベルのステンシル１２０ａおよび１３０ａを介して基板上に照射し、ステンシルは図１ｃに示した正方形、長方形または三角形のような個々の図形を含む。
２つのレベルのステンシル１２０ａおよび１３０ａの個々の図形はそれらステンシル間で構成され、その結果、基板にエッチングされる個々のセルの寸法１４０ａが所望の設計に一致する。２つのステンシルの構成は当業者に公知の方法で行う。この目的のために構成したソフトウェアは、電子源１１０ａによってショットが放出される時に、２つのステンシルの個々の図形が正確に整列するように、ステンシル支持体の回転を駆動する。
本発明によれば、基板にエッチングされる個々のセル１４０ａのメッシュは、パターンの最適解像度についてメーカーが保証しているような、使用する機械のパラメータに応じて、できるだけ最大になるように選択される。このように、リソグラフィ機の解像度が、４５および３２ｎｍの限界寸法の技術に相当する１．６μｍ×１．６μｍのメッシュについてメーカーにより保証されている場合、高解像度ラインを含まないエッチングすべきパターンについて、約２．４μｍ×２．４μｍのメッシュを使用することが可能である。これは機械の最大アパーチャであり、これらの用途の場合、解像度を損失することなく使用することができる。このように、パターンの真ん中におけるセルの平均メッシュの表面積が１２５％、すなわちショット数のうちの約二つによる割り算、したがって露光時間の増加が得られる。その利点があるにもかかわらず、セルの寸法の増加は、解像度を高めることを優先事項とする当業者の心に自然に浮かぶ考えではない。顕著には高解像度で、すべてのタイプのパターンについて機械の設定の補正をすることなく使用できる最大アパーチャ設定を通常課す機械メーカーによって、当業者はセルの寸法の増加を断念さえしている。このように、Ｖｉｓｔｅｃは最大で１．６×１．６μｍのメッシュについて性能レベルを保証しているが、はるかにより大きい寸法（２．４μｍ×２．４μｍ）のショットを有利に使用することが可能である。他の機械を用いてさらに発展させることは構想可能である。このように、これらの寸法パラメータは単に例として挙げており、非限定的である。本発明の原理は、最大表面積を有する個々のセルを生成可能にする方法の最大アパーチャを使用することでもある。
第１のステンシル上のアパーチャの修正は複雑な設定手順を課すため、そのような修正を断念させることに留意されたい。他方では、本発明を実行するのに勧めているように、機械パラメータを設定せずに、第２のステンシル上のアパーチャを修正することができる。
図２は、エッチングすべき４つのタイプの設計寸法による、電子線リソグラフィ装置で照射された線量をグラフで示す。
４つの曲線、２１０、２２０、２３０および２４０は、それぞれ４つの場合のパターン寸法による、パターンをエッチングするために必要な線量の傾向を示す。
− ラインと間隔が等しい幅（１：１）を有する密集したネットワークに挿入された第１のライン；
− 間隔の幅がラインの幅の２倍に等しい（１：２）半密集したネットワークに挿入された第２のライン；
− 孤立ライン；
− １セットの接触ポイント。
垂直な直線２５０は、方法の限界寸法を示す。
− ラインと間隔が等しい幅（１：１）を有する密集したネットワークに挿入された第１のライン；
− 間隔の幅がラインの幅の２倍に等しい（１：２）半密集したネットワークに挿入された第２のライン；
− 孤立ライン；
− １セットの接触ポイント。
垂直な直線２５０は、方法の限界寸法を示す。
図３は、本発明の一実施形態においてセルをエッチングする方法を示す。
２つのステンシルレベル１２０ａおよび１３０ａは、電子源１１０ａがこれらのステンシルの２つのアパーチャを組み合わせて、平均メッシュ２．４μｍ×２．４μｍまたは使用するリソグラフィ機の最大アパーチャに対応する別のメッシュのセル１４０ａを基板にエッチングできるように、互いに対して動的に位置付けしければならない。
図４ａおよび４ｂは、それぞれ従来技術の方法によってエッチングすべき１セットのブロック、およびエッチングしたこのセットを示す。
図４ａは、分割後にエッチングすべきブロックを示す。図４ｂは、エッチングしたブロックを示す。
図５ａおよび５ｂは、それぞれ本発明の一実施形態による方法によってエッチングすべきセルのレベルの図、およびエッチングしたセットを示す。
図５ａは、分割後にエッチングすべきブロックを示す。ストリップ５１０ａが端部上にあるのに気づくだろう。ストリップ５１０ａは、エッチングすべきパターンの外側に付け加えられた照射線量を示す。このストリップは変形例として示す。
この有利な実施形態では、エッチングすべきパターンと付け加えられたストリップとの間に間隔を取る。あるいは、少なくとも１つの第２の外部ストリップを付け加え、またある間隔を取って第１の外部ストリップから離す。すべての構造において、この間隔により、方法のエネルギー自由度が高くなる。出願番号１０５２８６２で本願の出願人が出願した特許出願で開示された方法によれば、実験によってストリップ幅の０．２倍からストリップ幅の３倍の間の間隔が効果的であることが分かっている。
５０ｎｍ未満の幾何学構造向けのリソグラフィ方法に固有の近接効果の補正をターゲットとするこの特許出願によって記述された方法では、パターンの外側に適用すべき線量を、照射線量とエッチングすべきパターンとの畳み込みによって、またはパラメータの表を用いることによって計算する。適用すべき線量調整と、新しいパターンの寸法とを組み合わせた計算は、図７の説明として例を以下に挙げた計算に従って、工程エネルギー自由度を保存するような方法で行う。
図５ｂはエッチングしたブロックを示す。図４ｂおよび５ｂの目視比較では、セルの数、そしてしたがって本発明の方法を使用することで生ずる露光時間が非常に著しく減少することを示す。
照射エネルギーの線量が、形成されたすべての個々のセルにわたり、端部（エッチングすべきブロックの内側または外側）の近傍以外において均一である本発明の重要な特徴も観察することができる。
本発明の方法の使用に関連する問題の１つは、第１のステンシル上のアパーチャの制御である。実際には、概して、この手順は完全なセットアップを前提としている。他方では、第２のステンシル上のパターンの寸法変更により、このセットアップを行わずにアパーチャの増加が可能になる。したがって、この変形例の実施形態は特に有利である。
図６ａおよび６ｂは、それぞれ本発明の別の変形例による方法によってエッチングすべきセルのレベルの図、およびエッチングしたこのセットを示す。
図６ａでは、図５ａのパターンの外側に付け加えられたストリップ５１０ａと、エッチングすべきパターンとの間に間隔６２０ａを観察することができる。構造によっては、この間隔により工程エネルギー自由度の最適化が可能になる。別の有利な実施形態は、エッチングすべきパターンと付け加えられたストリップとの間に間隔を取ること、あるいは、第１の外部ストリップからある間隔を取って離間した少なくとも１つの第２の外部ストリップを付け加えることにある。すべての構造において、この間隔は工程エネルギー自由度を高める。実験によって、ストリップ幅の０．２倍からストリップ幅の３倍の間の間隔が効果的であることが分かっている。
付加ストリップ５１０ａの位置付けの計算は、照射線量とエッチングすべきパターンとの畳み込みから線量調整を計算する実施形態の図７によって図示する。
次いで、工程エネルギー自由度を最適化するために、追加パターンの幾何学構造を少なくとも１つの寸法において補正する。さらに具体的には、その寸法で行うべき変位７５０は、受けた線量が樹脂の感度しきい値０．５と等しいポイントで、受けた線量の曲線７２０に接する直線７４０と、前記感度しきい値を示す直線７３０との交点を求めることによって、次いで、後者の直線と照射線量のプロフィール７１０との交点のポイントへの変位を行うことによって計算する。
組み合わせた線量／パターンの計算は、二回または三回繰り返すことができる。パターン上に適用すべき線量の調整もまた、顕著には調整がパターンの外側のショットのみに適用され、他のショットが方法の標準化された値、または標準化された値より約３０％低い値に適用される場合、畳み込み計算をすることなくパラメータの表から計算することができる。
図８は、エッチングすべきセルが隣接していない本発明の実施形態を示す。
この例示的実施形態では、隣接しないように個々のセルを配置する。実際には、セルを必ずしも並置しない。有利には、セルを互いに離すことができる。描画時間は製品（孤立すべき表面積×線量）に関連しているため、特定の構造において、セルを並置しないことにより良好なトレードオフを見つけることが可能である。
図８で示した例は全く限定的でなく、露光領域間の間隔は、それらの寸法と必ずしも等しくないことに留意されたい。
本発明の方法は、直接描画に基づいた電子線リソグラフィ方法への応用例で述べている。本発明の方法はまた、イオンもしくは光子のような他の粒子を用いた別の直接描画方法、または電子線リソグラフィ方法、またはマスクを用いる光描画方法に適用することができる。
したがって、上記例は本発明の特定の実施形態を示すために挙げている。上記例は、以下の請求項によって定義される本発明の範囲を全く限定しない。
本発明は電子線リソグラフィの分野に適用される。
限界寸法が５０ｎｍ未満であるパターンをエッチング可能にするためには、複雑化する光学歪みを補正するための方法を、マスク設計および製造の段階、ならびに露光段階の両方で、光学フォトリソグラフィ方法の中に組み込まねばならない。それに応じて、新技術生成のための装置コストおよび開発コストは、非常に高い割合で増加する。最近では、フォトリソグラフィで利用可能な限界寸法は６５ｎｍ以上である。３２〜４５ｎｍの生成は現在開発中であり、２２ｎｍ未満の技術的ノードに向けて予測される実行可能な解決策はない。一方で、電子線リソグラフィは、現在２２ｎｍパターンのエッチングを可能にしている。電子線リソグラフィは、いかなるマスクも必要とせず、現像時間がかなり短いために、技術および設計の向上を生み出す際においてより良好な対応および自由度を保証する。他方では、（「ステッパー」を用いて）複数のステップで露光を行わねばならないため、製造時間はフォトリソグラフィの場合よりも構造上実質的に長い。それに対して、フォトリソグラフィは階層露光しか必要としない。記憶回路およびゲートアレイのような繰り返しパターンを関する設計については、完全なパターン（またはセル）が単一のショットでエッチングされる部分一括露光方式技術が開発されている。この種の方法は米国特許第５，８０８，３１０号明細書に述べられている。
この部分一括露光方式技術では、技術専門家は、構成要素の製造時間および製造コストを削減するために、描画時間、そしてしたがってショットの回数および持続時間を削減する問題に繰り返し直面している。
本発明は、セルのメッシュを拡大することにより、かつ、照射線量を相関的に減少させることによりこの問題への対応を提供しており、描画時間を削減可能にする。また、このようにして、エッチングすべきブロックの全表面にわたって、端部近傍以外において均一な線量を提供することができる。有利には、２２ｎｍ限界寸法の技術において、２．４μｍ２のセルでは、４に近いファクターによりショット数、そしてしたがって製造時間が削減される。
この目的のために、本発明は、樹脂被覆基板上への少なくとも１つのブロックの投影に基づいた照射リソグラフィ方法であって、前記ブロックを、前記基板上に投影すべき個々のセルに分割するステップと、照射源により前記セルを形成するステップとを含み、前記個々のセルの寸法を前記工程の最大アパーチャにより特定の寸法に合わせる方法を提供する。
有利には、照射エネルギーの線量は、前記少なくとも１つのブロックのすべての個々のセルについて、前記ブロックの端部近傍以外において均一である。
有利には、個々のセルの少なくとも１つの列は、エッチングすべき前記ブロックの端部の外側に位置する。
有利には、エッチングすべきブロックの端部近傍に位置していない個々のセルは、隣接していない。
有利には、個々のセルのメッシュは、工程におけるセルの標準メッシュより約１２５％大きい。
有利には、工程におけるセルの標準メッシュは、約１．６μｍ×１．６μｍである。
有利には、本発明の方法はまた、ブロック端部の外側に位置付けすべきショットの幅を計算するステップと、前記ブロックの端部上の線量調整を計算するステップと、前記ショットを前記ブロックの外側に位置付けするステップとを含み、前記幅の計算および前記線量の計算が工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連している。
有利には、前記ブロックの端部上の線量調整を計算するステップは、照射線量と端部のパターンとの畳み込みによって前記線量を計算するサブステップを含む。
有利には、前記ブロックの端部上の線量調整を計算するステップは、パラメータの表を呼び出すことにより前記線量を計算するサブステップを含む。
有利には、本発明の方法はまた、ブロックの端部と前記ブロックの外側に位置付けすべきショットとの間の少なくとも１つの間隔を計算するステップを含む。
有利には、エッチングすべきブロックの寸法は、５００ｎｍと実質的に等しい。
本方法を実現するために、本発明はまた、コンピュータプログラムをコンピュータ上で実行する時、樹脂被覆基板上への少なくとも１つのブロックの投影に基づいた照射リソグラフィ方法を実行するように構成されたプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムであって、前記プログラムが、前記ブロックを、前記基板上へ投影すべき個々のセルに分割するモジュールと、照射源による前記セルの形成を制御することができるモジュールとを含み、前記制御することができる後者のモジュールが、前記工程の最大アパーチャによって決定される寸法への前記個々のセルの形成を制御することができるコンピュータプログラムを提供する。
有利には、前記セルの形成を制御するためのモジュールは、前記少なくとも１つのブロックのすべての個々のセルについて、前記ブロックの端部近傍以外において均一である照射エネルギーの線量を生成する。
有利には、本発明のコンピュータプログラムはまた、ブロック端部の外側に位置付けすべきショットの幅の計算および前記ブロックの端部上の線量調整の計算を行うことができるモジュールと、前記ブロックの外側に前記ショットを位置付けすることができるモジュールとを含み、前記幅の計算および前記線量調整の計算が工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連している。
有利には、本発明のコンピュータプログラムはまた、ブロックの端部と前記ブロックの外側に位置付けすべきショットとの間の少なくとも１つの間隔の計算を行うことができるモジュールを含む。
本発明はまた、高い線量の回数（そしてしたがって長い持続時間のショット数）を減らすことができる。したがって本発明により、全体として製造時間が累積的に削減される。本発明はまた、幅が５μｍを超えるすべてのブロック、すべての不透明なブロック、および入力／出力ブロックに関する設計に適用される場合、特に有利である。
本発明はより深く理解され、その様々な特徴および利点は、多くの例示的実施形態およびその添付図についての以下の記述から明白になるだろう。
図１ａ、１ｂおよび１ｃは、それぞれ電子線リソグラフィ装置の２つのレベル、それらの重ね合せの例および前記重ね合せの様々な結果を示す。
従来の電子線リソグラフィ装置では、エッチングすべきパターンはまず個々の機能セル１４０ａに分割し、樹脂被覆基板上でエッチングすることができる。前記樹脂被覆基板は、シリコンウェハ、電子回路の機能が直接照射描画によってエッチングされるように意図された、別の材料ＩＩＩ−Ｖまたはガラスから作られたウェハであってもよく、前記照射は電子線照射またはイオン線照射がありうる。前記基板はまた、次いで上記と同じ材料からなるウェハをエッチングするために使用されるマスクであってもよく、前記エッチングは、電子線もしくはイオン線のエッチング方法、または光リソグラフィ方法を用いる。以下の記述において、本発明の方法について、任意の種類のウェハ上への直接描画に基づいた電子線リソグラフィ方法による例示的実施形態によって示すが、これらの実施形態は本発明の範囲全体を限定しない。
本発明の方法は、ゲートアレイタイプの回路と同様に、動的、静的、ランダムアクセスもしくは読み出し専用、書き換え可能または書き換え不可能なメモリなどの繰り返しパターンを備えた機能ブロックの再生に特に適する。
駆動ソフトウェアおよび／または以下の記述で説明する少なくとも１つのステンシル支持体へ適合させた後、本発明の方法を行うことができる機械は、例えば、ＶＩＳＴＥＣ（商標）またはＡＤＶＡＮＴＥＳＴ（商標）のブランド機械である。
例示的実施形態として用いた方法では、電子源１１０ａが２つのレベルのステンシル１２０ａおよび１３０ａを介して基板上に照射し、ステンシルは図１ｃに示した正方形、長方形または三角形のような個々の図形を含む。
２つのレベルのステンシル１２０ａおよび１３０ａの個々の図形はそれらステンシル間で構成され、その結果、基板にエッチングされる個々のセルの寸法１４０ａが所望の設計に一致する。２つのステンシルの構成は当業者に公知の方法で行う。この目的のために構成したソフトウェアは、電子源１１０ａによってショットが放出される時に、２つのステンシルの個々の図形が正確に整列するように、ステンシル支持体の回転を駆動する。
本発明によれば、基板にエッチングされる個々のセル１４０ａのメッシュは、パターンの最適解像度についてメーカーが保証しているような、使用する機械のパラメータに応じて、できるだけ最大になるように選択される。このように、リソグラフィ機の解像度が、４５および３２ｎｍの限界寸法の技術に相当する１．６μｍ×１．６μｍのメッシュについてメーカーにより保証されている場合、高解像度ラインを含まないエッチングすべきパターンについて、約２．４μｍ×２．４μｍのメッシュを使用することが可能である。これは機械の最大アパーチャであり、これらの用途の場合、解像度を損失することなく使用することができる。このように、パターンの真ん中におけるセルの平均メッシュの表面積が１２５％、すなわちショット数のうちの約二つによる割り算、したがって露光時間の増加が得られる。その利点があるにもかかわらず、セルの寸法の増加は、解像度を高めることを優先事項とする当業者の心に自然に浮かぶ考えではない。顕著には高解像度で、すべてのタイプのパターンについて機械の設定の補正をすることなく使用できる最大アパーチャ設定を通常課す機械メーカーによって、当業者はセルの寸法の増加を断念さえしている。このように、Ｖｉｓｔｅｃは最大で１．６×１．６μｍのメッシュについて性能レベルを保証しているが、はるかにより大きい寸法（２．４μｍ×２．４μｍ）のショットを有利に使用することが可能である。他の機械を用いてさらに発展させることは構想可能である。このように、これらの寸法パラメータは単に例として挙げており、非限定的である。本発明の原理は、最大表面積を有する個々のセルを生成可能にする方法の最大アパーチャを使用することでもある。
第１のステンシル上のアパーチャの修正は複雑な設定手順を課すため、そのような修正を断念させることに留意されたい。他方では、本発明を実行するのに勧めているように、機械パラメータを設定せずに、第２のステンシル上のアパーチャを修正することができる。
図２は、エッチングすべき４つのタイプの設計寸法による、電子線リソグラフィ装置で照射された線量をグラフで示す。
４つの曲線、２１０、２２０、２３０および２４０は、それぞれ４つの場合のパターン寸法による、パターンをエッチングするために必要な線量の傾向を示す。
− ラインと間隔が等しい幅（１：１）を有する密集したネットワークに挿入された第１のライン；
− 間隔の幅がラインの幅の２倍に等しい（１：２）半密集したネットワークに挿入された第２のライン；
− 孤立ライン；
− １セットの接触ポイント。
垂直な直線２５０は、方法の限界寸法を示す。
− ラインと間隔が等しい幅（１：１）を有する密集したネットワークに挿入された第１のライン；
− 間隔の幅がラインの幅の２倍に等しい（１：２）半密集したネットワークに挿入された第２のライン；
− 孤立ライン；
− １セットの接触ポイント。
垂直な直線２５０は、方法の限界寸法を示す。
図３は、本発明の一実施形態においてセルをエッチングする方法を示す。
２つのステンシルレベル１２０ａおよび１３０ａは、電子源１１０ａがこれらのステンシルの２つのアパーチャを組み合わせて、平均メッシュ２．４μｍ×２．４μｍまたは使用するリソグラフィ機の最大アパーチャに対応する別のメッシュのセル１４０ａを基板にエッチングできるように、互いに対して動的に位置付けしければならない。
図４ａおよび４ｂは、それぞれ従来技術の方法によってエッチングすべき１セットのブロック、およびエッチングしたこのセットを示す。
図４ａは、分割後にエッチングすべきブロックを示す。図４ｂは、エッチングしたブロックを示す。
図５ａおよび５ｂは、それぞれ本発明の一実施形態による方法によってエッチングすべきセルのレベルの図、およびエッチングしたセットを示す。
図５ａは、分割後にエッチングすべきブロックを示す。ストリップ５１０ａが端部上にあるのに気づくだろう。ストリップ５１０ａは、エッチングすべきパターンの外側に付け加えられた照射線量を示す。このストリップは変形例として示す。
この有利な実施形態では、エッチングすべきパターンと付け加えられたストリップとの間に間隔を取る。あるいは、少なくとも１つの第２の外部ストリップを付け加え、またある間隔を取って第１の外部ストリップから離す。すべての構造において、この間隔により、方法のエネルギー自由度が高くなる。出願番号１０５２８６２で本願の出願人が出願した特許出願で開示された方法によれば、実験によってストリップ幅の０．２倍からストリップ幅の３倍の間の間隔が効果的であることが分かっている。
５０ｎｍ未満の幾何学構造向けのリソグラフィ方法に固有の近接効果の補正をターゲットとするこの特許出願によって記述された方法では、パターンの外側に適用すべき線量を、照射線量とエッチングすべきパターンとの畳み込みによって、またはパラメータの表を用いることによって計算する。適用すべき線量調整と、新しいパターンの寸法とを組み合わせた計算は、図７の説明として例を以下に挙げた計算に従って、工程エネルギー自由度を保存するような方法で行う。
図５ｂはエッチングしたブロックを示す。図４ｂおよび５ｂの目視比較では、セルの数、そしてしたがって本発明の方法を使用することで生ずる露光時間が非常に著しく減少することを示す。
照射エネルギーの線量が、形成されたすべての個々のセルにわたり、端部（エッチングすべきブロックの内側または外側）の近傍以外において均一である本発明の重要な特徴も観察することができる。
本発明の方法の使用に関連する問題の１つは、第１のステンシル上のアパーチャの制御である。実際には、概して、この手順は完全なセットアップを前提としている。他方では、第２のステンシル上のパターンの寸法変更により、このセットアップを行わずにアパーチャの増加が可能になる。したがって、この変形例の実施形態は特に有利である。
図６ａおよび６ｂは、それぞれ本発明の別の変形例による方法によってエッチングすべきセルのレベルの図、およびエッチングしたこのセットを示す。
図６ａでは、図５ａのパターンの外側に付け加えられたストリップ５１０ａと、エッチングすべきパターンとの間に間隔６２０ａを観察することができる。構造によっては、この間隔により工程エネルギー自由度の最適化が可能になる。別の有利な実施形態は、エッチングすべきパターンと付け加えられたストリップとの間に間隔を取ること、あるいは、第１の外部ストリップからある間隔を取って離間した少なくとも１つの第２の外部ストリップを付け加えることにある。すべての構造において、この間隔は工程エネルギー自由度を高める。実験によって、ストリップ幅の０．２倍からストリップ幅の３倍の間の間隔が効果的であることが分かっている。
付加ストリップ５１０ａの位置付けの計算は、照射線量とエッチングすべきパターンとの畳み込みから線量調整を計算する実施形態の図７によって図示する。
次いで、工程エネルギー自由度を最適化するために、追加パターンの幾何学構造を少なくとも１つの寸法において補正する。さらに具体的には、その寸法で行うべき変位７５０は、受けた線量が樹脂の感度しきい値０．５と等しいポイントで、受けた線量の曲線７２０に接する直線７４０と、前記感度しきい値を示す直線７３０との交点を求めることによって、次いで、後者の直線と照射線量のプロフィール７１０との交点のポイントへの変位を行うことによって計算する。
組み合わせた線量／パターンの計算は、二回または三回繰り返すことができる。パターン上に適用すべき線量の調整もまた、顕著には調整がパターンの外側のショットのみに適用され、他のショットが方法の標準化された値、または標準化された値より約３０％低い値に適用される場合、畳み込み計算をすることなくパラメータの表から計算することができる。
図８は、エッチングすべきセルが隣接していない本発明の実施形態を示す。
この例示的実施形態では、隣接しないように個々のセルを配置する。実際には、セルを必ずしも並置しない。有利には、セルを互いに離すことができる。描画時間は製品（孤立すべき表面積×線量）に関連しているため、特定の構造において、セルを並置しないことにより良好なトレードオフを見つけることが可能である。
図８で示した例は全く限定的でなく、露光領域間の間隔は、それらの寸法と必ずしも等しくないことに留意されたい。
本発明の方法は、直接描画に基づいた電子線リソグラフィ方法への応用例で述べている。本発明の方法はまた、イオンもしくは光子のような他の粒子を用いた別の直接描画方法、または電子線リソグラフィ方法、またはマスクを用いる光描画方法に適用することができる。
したがって、上記例は本発明の特定の実施形態を示すために挙げている。上記例は、以下の請求項によって定義される本発明の範囲を全く限定しない。
Claims (15)
- 樹脂被覆基板への少なくとも１つのブロックの投影に基づいた照射リソグラフィ方法であって、前記ブロックを前記基板に投影すべき個々のセル（１４０ａ）に分割するステップと、照射源（１１０ａ）によって前記セルを形成するステップとを含み、前記個々のセル（１４０ａ）のメッシュを前記工程の最大アパーチャにより特定の寸法に合わせることを特徴とする方法。
- 照射エネルギーの線量が、前記少なくとも１つのブロックのすべての個々のセルについて、前記ブロックの端部近傍以外において均一であることを特徴とする、請求項１に記載のリソグラフィ方法。
- 個々のセルの少なくとも１つの列が、エッチングすべき前記ブロックの端部の外側に位置することを特徴とする、請求項１または２に記載のリソグラフィ方法。
- エッチングすべき前記ブロックの端部近傍に位置していない個々のセルが隣接していないことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。
- 前記個々のセル（１４０ａ）の前記メッシュが、前記工程の前記セルの標準メッシュより約１２５％大きいことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。
- 前記工程の前記セルの前記通常メッシュが、約１．６μｍ×１．６μｍであることを特徴とする、請求項５に記載のリソグラフィ方法。
- 請求項１〜６のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法が、ブロック端部の外側に位置付けすべきショットの幅を計算するステップと、前記ブロックの前記端部上の線量調整を計算するステップと、前記ショットを前記ブロックの外側に位置付けするステップとをさらに含み、前記幅の計算と前記線量調整の計算が、工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連していることを特徴とするリソグラフィ方法。
- 前記ブロックの前記端部上の前記線量調整を計算する前記ステップが、前記照射線量と前記端部のパターンとの畳み込みによって前記線量を計算するサブステップを含むことを特徴とする、請求項７に記載のリソグラフィ方法。
- 前記ブロックの前記端部上の前記線量調整を計算する前記ステップが、パラメータの表を呼び出すことにより前記線量を計算するサブステップを含むことを特徴とする、請求項７に記載のリソグラフィ方法。
- 請求項８または９に記載のリソグラフィ方法が、前記ブロックの前記端部と、前記ブロックの外側に位置付けすべきショットとの間の少なくとも１つの間隔を計算するステップをさらに含むことを特徴とする、リソグラフィ方法。
- ブロックの寸法が５００ｎｍと等しいことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。
- 樹脂被覆基板への少なくとも１つのブロックの投影に基づいた照射リソグラフィ方法を実行するように構成されたプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムであって、前記プログラムをコンピュータ上で実行する場合、前記プログラムが、前記基板へ投影すべき個々のセルに前記ブロックを分割するモジュールと、照射源によって前記セルの形成を制御することができるモジュールとを含み、前記モジュールが前記工程の最大アパーチャによって決定した寸法への前記個々のセルの形成を制御することができることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のコンピュータプログラム。
- 前記セルの前記形成を制御するための前記モジュールが、前記少なくとも１つのブロックのすべての前記個々のセルについて、前記ブロックの端部近傍以外において均一な前記照射エネルギーの線量を生成することを特徴とする、請求項１２に記載のコンピュータプログラム。
- 請求項１２または１３に記載のコンピュータプログラムが、ブロック端部の外側に位置付けすべきショットの幅の計算および、前記ブロックの前記端部上の線量調整の計算を行うことができるモジュールと、前記ブロックの外側に前記ショットを位置付けすることができるモジュールとをさらに含み、前記幅の計算と前記線量調整の計算とが工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連していることを特徴とする、コンピュータプログラム。
- 請求項１２または１３に記載のコンピュータプログラムが、前記ブロックの前記端部と前記ブロックの外側に位置付けすべきショットとの間の少なくとも１つの間隔の計算を行うことができるモジュールをさらに含むことを特徴とする、コンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1052866A FR2959028B1 (fr) | 2010-04-15 | 2010-04-15 | Procede de lithographie electronique par projection de cellules a grande maille |
| FR1052866 | 2010-04-15 | ||
| PCT/EP2011/055861 WO2011128391A1 (fr) | 2010-04-15 | 2011-04-13 | Procede de lithographie electronique par projection de cellules a grande maille |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016019046A Division JP6270882B2 (ja) | 2010-04-15 | 2016-02-03 | 大きなメッシュの部分一括露光方式電子線リソグラフィ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013527983A true JP2013527983A (ja) | 2013-07-04 |
Family
ID=43301993
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013504271A Pending JP2013527983A (ja) | 2010-04-15 | 2011-04-13 | 大きなメッシュの部分一括露光方式電子線リソグラフィ方法 |
| JP2016019046A Expired - Fee Related JP6270882B2 (ja) | 2010-04-15 | 2016-02-03 | 大きなメッシュの部分一括露光方式電子線リソグラフィ方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016019046A Expired - Fee Related JP6270882B2 (ja) | 2010-04-15 | 2016-02-03 | 大きなメッシュの部分一括露光方式電子線リソグラフィ方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9235132B2 (ja) |
| EP (1) | EP2559053B1 (ja) |
| JP (2) | JP2013527983A (ja) |
| KR (1) | KR101818789B1 (ja) |
| FR (1) | FR2959028B1 (ja) |
| WO (1) | WO2011128391A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014530479A (ja) * | 2011-09-13 | 2014-11-17 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | 確率的方法により露出するパターンの逆畳み込みを用いて電子近接効果を補正する方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101587697B1 (ko) | 2013-12-13 | 2016-01-22 | 유충춘 | 수소수 제조장치 |
| US11803125B2 (en) | 2020-06-25 | 2023-10-31 | Singapore University Of Technology And Design | Method of forming a patterned structure and device thereof |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547644A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Nikon Corp | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
| JPH11186151A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-09 | Nikon Corp | 近接効果補正方法及びこれに用いられる補正用レチクル |
| JPH11317353A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-11-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子ビ―ム投影装置およびその動作方法 |
| JP2003151891A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-23 | Nec Electronics Corp | マスクパターンの近接効果補正方法 |
| JP2009032904A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、パターン寸法のリサイズ装置、荷電粒子ビーム描画方法及びパターン寸法のリサイズ方法 |
| JP2010062562A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | D2S Inc | 半導体装置を基板上に製造するための方法、荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法、複数の円形パターンを表面上に形成するための方法およびシステム、ならびに荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステム |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2914264B2 (ja) * | 1996-01-16 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 電子ビーム描画方法 |
| KR20000043250A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
| US6718532B2 (en) * | 2001-02-23 | 2004-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged particle beam exposure system using aperture mask in semiconductor manufacture |
| JP2002313712A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
| US7824828B2 (en) * | 2007-02-22 | 2010-11-02 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for improvement of dose correction for particle beam writers |
| US7901850B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-03-08 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
| FR2959026B1 (fr) | 2010-04-15 | 2012-06-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de lithographie a optimisation combinee de l'energie rayonnee et de la geometrie de dessin |
-
2010
- 2010-04-15 FR FR1052866A patent/FR2959028B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-13 US US13/641,125 patent/US9235132B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-13 WO PCT/EP2011/055861 patent/WO2011128391A1/fr active Application Filing
- 2011-04-13 KR KR1020127028131A patent/KR101818789B1/ko active IP Right Grant
- 2011-04-13 JP JP2013504271A patent/JP2013527983A/ja active Pending
- 2011-04-13 EP EP11714290.1A patent/EP2559053B1/fr not_active Not-in-force
-
2016
- 2016-02-03 JP JP2016019046A patent/JP6270882B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547644A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Nikon Corp | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
| JPH11186151A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-09 | Nikon Corp | 近接効果補正方法及びこれに用いられる補正用レチクル |
| JPH11317353A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-11-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子ビ―ム投影装置およびその動作方法 |
| JP2003151891A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-23 | Nec Electronics Corp | マスクパターンの近接効果補正方法 |
| JP2009032904A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、パターン寸法のリサイズ装置、荷電粒子ビーム描画方法及びパターン寸法のリサイズ方法 |
| JP2010062562A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | D2S Inc | 半導体装置を基板上に製造するための方法、荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法、複数の円形パターンを表面上に形成するための方法およびシステム、ならびに荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014530479A (ja) * | 2011-09-13 | 2014-11-17 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | 確率的方法により露出するパターンの逆畳み込みを用いて電子近接効果を補正する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2959028B1 (fr) | 2015-12-25 |
| US20130201467A1 (en) | 2013-08-08 |
| WO2011128391A1 (fr) | 2011-10-20 |
| KR101818789B1 (ko) | 2018-01-15 |
| JP2016171309A (ja) | 2016-09-23 |
| EP2559053A1 (fr) | 2013-02-20 |
| JP6270882B2 (ja) | 2018-01-31 |
| KR20130073881A (ko) | 2013-07-03 |
| US9235132B2 (en) | 2016-01-12 |
| EP2559053B1 (fr) | 2018-06-27 |
| FR2959028A1 (fr) | 2011-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1438633B1 (en) | Method for forming elliptical and rounded features using beam shaping | |
| TWI506672B (zh) | 用於在表面碎化及形成圓形圖案與用於製造半導體裝置之方法 | |
| US7772575B2 (en) | Stencil design and method for cell projection particle beam lithography | |
| US8458624B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device by correcting overlapping shots based on a radiation influenced pattern | |
| JPH1069065A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JP2014515889A (ja) | レジスト形状におけるクリティカルディメンション及びラフネスの制御方法及び制御システム | |
| JP6270882B2 (ja) | 大きなメッシュの部分一括露光方式電子線リソグラフィ方法 | |
| JP2000019708A5 (ja) | ||
| KR100801742B1 (ko) | 포토 마스크 형성 방법 | |
| US6352802B1 (en) | Mask for electron beam exposure and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
| US8490033B2 (en) | Method and apparatus for designing patterning system based on patterning fidelity | |
| JP2013207182A (ja) | 荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法及び荷電ビーム投影露光用マスク | |
| JP5786246B2 (ja) | コントラストパターンの挿入によるライン端部の補正を有する電子ビームリソグラフィ法 | |
| TW201250394A (en) | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography | |
| US8329381B2 (en) | Pattern forming method | |
| KR20090108268A (ko) | 바이너리 마스크의 패턴 선폭 보정방법 | |
| JP2010054710A (ja) | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2004212482A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| KR20080061999A (ko) | 웨이퍼 패턴 선폭 균일도를 개선하는 포토마스크 및제조방법 | |
| JPH11274038A (ja) | パターン描画方法及び描画装置 | |
| KR100573469B1 (ko) | 전자빔을 이용하는 포토마스크의 다중 노광방법 | |
| KR100475031B1 (ko) | 수명 연장이 가능한 전자선 직접 묘화 장비의 블록 마스크 및그 제조방법 | |
| JP2005302868A (ja) | 電子ビーム描画方法および装置 | |
| JP2000331926A (ja) | 電子線露光方法 | |
| KR101001498B1 (ko) | 빔 번짐 효과를 감소시킨 브이에스비 방식의 마스크제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140312 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140508 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150204 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150407 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150706 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151006 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160310 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160524 |