JP2014530479A - 確率的方法により露出するパターンの逆畳み込みを用いて電子近接効果を補正する方法 - Google Patents
確率的方法により露出するパターンの逆畳み込みを用いて電子近接効果を補正する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014530479A JP2014530479A JP2014529026A JP2014529026A JP2014530479A JP 2014530479 A JP2014530479 A JP 2014530479A JP 2014529026 A JP2014529026 A JP 2014529026A JP 2014529026 A JP2014529026 A JP 2014529026A JP 2014530479 A JP2014530479 A JP 2014530479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- cells
- pattern
- template
- character
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 5
- 238000007476 Maximum Likelihood Methods 0.000 claims description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 abstract description 3
- 229920013655 poly(bisphenol-A sulfone) Polymers 0.000 description 18
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 239000002076 α-tocopherol Substances 0.000 description 1
- GVJHHUAWPYXKBD-IEOSBIPESA-N α-tocopherol Chemical compound OC1=C(C)C(C)=C2O[C@@](CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)(C)CCC2=C1C GVJHHUAWPYXKBD-IEOSBIPESA-N 0.000 description 1
- 235000004835 α-tocopherol Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/392—Floor-planning or layout, e.g. partitioning or placement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Architecture (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
・αは直接放射の幅、
・βは後方散乱幅、
・ηは、直接および後方散乱放射の強度の比、
・ξは点(x,y)の半径方向位置である。
r=F−1[gconv×F(p)]+C×p
(http://potrace.sourceforge.net/,
http://potrace.sourceforge.net/potrace.pdf)
が利用できる。
Claims (15)
- 照射対象である少なくとも1個のパターン(310a)の樹脂被覆支持部への放射によるリソグラフィ方法であって、前記放射用に選択された点広がり関数(310b)を生成する少なくとも1個のステップ、および選択された逆畳み込みプロシージャを前記点広がり関数による前記照射対象パターンに適用するステップ(220)を含み、前記方法において、前記点広がり関数が前記放射の前方散乱の影響だけをモデル化すべく選択され、前記逆畳み込みプロシージャが前記相互作用の同時確率分布により前記放射と樹脂被覆支持部との相互作用をモデル化するプロシージャ群から選択される方法。
- 前記逆畳み込みプロシージャが、照射対象パターンの全ての画像点について前記放射の各ソース点の最大尤度を計算し、各画像点にソース点と当該画像点の間の点広がり関数の値が乗算されるステップを含む、請求項1に記載のリソグラフィ方法。
- 前記逆畳み込みプロシージャがLucy−Richardsonプロシージャである、請求項2に記載のリソグラフィ方法。
- 前記照射対象パターンの逆畳み込み画像をディザリングするステップを更に含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載のリソグラフィ方法。
- 前記逆畳み込み画像を少なくとも2個の異なる露光レベルに分割するステップを更に含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載のリソグラフィ方法。
- 前記少なくとも2個の異なる露光レベルが、前記各レベルのピクセルの個数を最大化すべく選択される、請求項5に記載のリソグラフィ方法。
- 前記照射対象パターンの逆畳み込み画像をベクトル化するステップを更に含む、請求項5〜6のいずれか1項に記載のリソグラフィ方法。
- 前記点広がり関数がガウシアンである、請求項1〜7のいずれか1項に記載のリソグラフィ方法。
- 前記ガウシアンの中間高さ位置における幅が3nm〜15nmの間にある、請求項8に記載のリソグラフィ方法。
- 少なくとも1個のブロックの樹脂被覆基板への投影リソグラフィ方法であって、前記ブロックを前記基板に投影されるテンプレート(810)のセルに分解するステップ、および放射源により前記テンプレートの前記セルを形成する少なくとも1個のステップを含み、前記方法が、前記テンプレートの少なくとも一部のセルについて、前記テンプレートのセル毎に少なくとも2個の文字セル(910aおよび910b)を抽出する少なくとも1個のステップを更に含み、各文字セルが前記文字セルに固有の露光レベルを形成するステップの最中に露光される方法。
- 前記少なくとも2個の文字セルが、Nレベルの各々のピクセルの個数を最大化すべく選択され、Nは2以上である、請求項10に記載のリソグラフィ方法。
- 線量調整ステップを更に含み、前記調整が前記N個の文字セルに適用される、請求項10〜11のいずれか1項に記載のリソグラフィ方法。
- コンピュータ上で実行された際に請求項1〜9いずれか1項に記載の放射によるリソグラフィ方法の実行を可能にするプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムであって、前記プログラムが、前記放射用に選択された点広がり関数を生成する機能、および選択された逆畳み込みプロシージャを前記照射対象パターンに適用された前記放射点広がり関数の任意選択的にフィルタリングされた出力に適用するモジュールを含み、前記プログラムにおいて、前記点広がり関数が前記放射の前方散乱の影響だけをモデル化すべく選択され、前記逆畳み込みプロシージャが前記相互作用の同時確率分布により前記放射の位置の相互作用をモデル化するプロシージャ群から選択されるコンピュータプログラム。
- 所定のクラスに属する少なくとも1個の第2のパターンに対し、前記クラスに属する第1のパターンの逆畳み込みにより決定される補正ルールを適用することをオペレータがプログラミング可能なインターフェースウインドウを更に含む、請求項13に記載のコンピュータプログラム。
- コンピュータ上で実行された際に請求項10〜12いずれか1項に記載の少なくとも1個のブロックの樹脂被覆基板への投影リソグラフィ方法の実行を可能にするプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムであって、前記プログラムが、前記ブロックを前記基板に投影されるテンプレートのセルに分解するモジュール、および放射源によりテンプレートの前記セルを形成するモジュールを含み、前記プログラムが、前記分解モジュールの入力において、前記テンプレートの少なくとも一部のセルから前記テンプレートのセル毎に少なくとも2個の文字セルを抽出するモジュールを更に含み、各文字セルが前記形成モジュールの適用により前記文字セルに固有の露光レベルに露光されるコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1158123A FR2980000B1 (fr) | 2011-09-13 | 2011-09-13 | Procede de correction des effets de proximite electronique utilisant une deconvolution du motif a insoler par une methode probabiliste |
FR1158123 | 2011-09-13 | ||
FR1158130A FR2980001A1 (fr) | 2011-09-13 | 2011-09-13 | Procede de lithographie electronique par projection de cellules a plusieurs niveaux d'exposition |
FR1158130 | 2011-09-13 | ||
PCT/EP2012/067756 WO2013037788A1 (fr) | 2011-09-13 | 2012-09-12 | Procede de correction des effets de proximite electronique utilisant une deconvolution du motif a insoler par une methode probabiliste |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014530479A true JP2014530479A (ja) | 2014-11-17 |
JP6663163B2 JP6663163B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=46826541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014529026A Active JP6663163B2 (ja) | 2011-09-13 | 2012-09-12 | 確率的方法により露出するパターンの逆畳み込みを用いて電子近接効果を補正する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9223926B2 (ja) |
EP (1) | EP2756518B1 (ja) |
JP (1) | JP6663163B2 (ja) |
KR (1) | KR102009536B1 (ja) |
TW (1) | TWI585511B (ja) |
WO (1) | WO2013037788A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016512930A (ja) * | 2014-02-21 | 2016-05-09 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 荷電粒子リソグラフィシステムにおける近接効果補正 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2983193B1 (en) | 2014-08-05 | 2021-10-20 | Aselta Nanographics | Method for determining the parameters of an ic manufacturing process model |
CN104537619A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-22 | 深圳市一体太赫兹科技有限公司 | 一种毫米波图像的恢复方法及系统 |
US10674301B2 (en) | 2017-08-25 | 2020-06-02 | Google Llc | Fast and memory efficient encoding of sound objects using spherical harmonic symmetries |
KR102550350B1 (ko) | 2017-09-08 | 2023-07-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기계 학습 보조 광 근접 오차 보정을 위한 트레이닝 방법들 |
CN108765505B (zh) * | 2018-04-28 | 2022-07-05 | 天津大学 | 红外成像的编码感知矩阵估计方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11297619A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-29 | Nikon Corp | 荷電粒子線を用いた転写方法 |
JP2000114169A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-04-21 | Matsushita Electronics Industry Corp | パタ―ン形成方法 |
JP2001052999A (ja) * | 1999-05-31 | 2001-02-23 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法 |
JP2005183530A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Toshiba Corp | 部分一括方式の電子ビーム露光方法 |
JP2007156384A (ja) * | 2005-02-21 | 2007-06-21 | Tokyo Univ Of Science | 3次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、3次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学部品。 |
JP2007227564A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及びそれに用いられるプログラム |
JP2013527981A (ja) * | 2010-04-15 | 2013-07-04 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | コーナーラウンディングの補正を備えた電子線リソグラフィの方法 |
JP2013527984A (ja) * | 2010-04-15 | 2013-07-04 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | 放射エネルギーと設計形状の結合最適化を伴うリソグラフィー法 |
JP2013527983A (ja) * | 2010-04-15 | 2013-07-04 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | 大きなメッシュの部分一括露光方式電子線リソグラフィ方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI257524B (en) * | 2002-12-09 | 2006-07-01 | Asml Netherlands Bv | A method for determining parameters for lithographic projection, a computer system and computer program therefor, a method of manufacturing a device and a device manufactured thereby |
US8634072B2 (en) * | 2004-03-06 | 2014-01-21 | Michael Trainer | Methods and apparatus for determining characteristics of particles |
US7638247B2 (en) | 2006-06-22 | 2009-12-29 | Pdf Solutions, Inc. | Method for electron beam proximity effect correction |
US7902528B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-03-08 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for proximity effect and dose correction for a particle beam writing device |
KR101064672B1 (ko) * | 2009-08-18 | 2011-09-20 | 한국과학기술원 | 2방향 선주사 방식을 적용한 공초점 레이저 주사 현미경 및 이를 이용한 영상처리 방법 |
-
2012
- 2012-09-12 JP JP2014529026A patent/JP6663163B2/ja active Active
- 2012-09-12 TW TW101133294A patent/TWI585511B/zh active
- 2012-09-12 EP EP12756503.4A patent/EP2756518B1/fr active Active
- 2012-09-12 WO PCT/EP2012/067756 patent/WO2013037788A1/fr active Application Filing
- 2012-09-12 US US14/344,671 patent/US9223926B2/en active Active - Reinstated
- 2012-09-12 KR KR1020147008544A patent/KR102009536B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11297619A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-29 | Nikon Corp | 荷電粒子線を用いた転写方法 |
JP2000114169A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-04-21 | Matsushita Electronics Industry Corp | パタ―ン形成方法 |
JP2001052999A (ja) * | 1999-05-31 | 2001-02-23 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法 |
JP2005183530A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Toshiba Corp | 部分一括方式の電子ビーム露光方法 |
JP2007156384A (ja) * | 2005-02-21 | 2007-06-21 | Tokyo Univ Of Science | 3次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、3次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学部品。 |
JP2007227564A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及びそれに用いられるプログラム |
JP2013527981A (ja) * | 2010-04-15 | 2013-07-04 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | コーナーラウンディングの補正を備えた電子線リソグラフィの方法 |
JP2013527984A (ja) * | 2010-04-15 | 2013-07-04 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | 放射エネルギーと設計形状の結合最適化を伴うリソグラフィー法 |
JP2013527983A (ja) * | 2010-04-15 | 2013-07-04 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | 大きなメッシュの部分一括露光方式電子線リソグラフィ方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016512930A (ja) * | 2014-02-21 | 2016-05-09 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 荷電粒子リソグラフィシステムにおける近接効果補正 |
JP2019009447A (ja) * | 2014-02-21 | 2019-01-17 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 荷電粒子リソグラフィシステムにおける近接効果補正 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2756518B1 (fr) | 2017-01-11 |
WO2013037788A1 (fr) | 2013-03-21 |
TWI585511B (zh) | 2017-06-01 |
TW201337450A (zh) | 2013-09-16 |
JP6663163B2 (ja) | 2020-03-11 |
KR20140075695A (ko) | 2014-06-19 |
KR102009536B1 (ko) | 2019-08-09 |
US20140344769A1 (en) | 2014-11-20 |
EP2756518A1 (fr) | 2014-07-23 |
US9223926B2 (en) | 2015-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6663163B2 (ja) | 確率的方法により露出するパターンの逆畳み込みを用いて電子近接効果を補正する方法 | |
US7592103B2 (en) | Electron beam writing method and lithography mask manufacturing method | |
JP2013527984A (ja) | 放射エネルギーと設計形状の結合最適化を伴うリソグラフィー法 | |
KR20180035178A (ko) | 전자 빔 장치 및 전자 빔의 위치 이탈 보정 방법 | |
JP6140082B2 (ja) | 荷電粒子ビームリソグラフィを使用してパターンを形成するための方法およびシステム | |
JP7474787B2 (ja) | 局所パターン密度に対する荷電粒子ビーム露光を判定するための方法とシステム | |
JP2013232531A (ja) | 描画装置及び物品の製造方法 | |
JPH11204415A (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 | |
US7375356B2 (en) | Electron-beam exposure system | |
JP3930411B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
JP2002313693A (ja) | マスクパターンの作成方法 | |
US8710468B2 (en) | Method of and apparatus for evaluating an optimal irradiation amount of an electron beam for drawing a pattern onto a sample | |
JP7221198B2 (ja) | 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作すること | |
JP4189232B2 (ja) | パターン形成方法および描画方法 | |
WO2013073694A1 (ja) | パターンを描画する方法及び装置 | |
JP2018061013A (ja) | マルチビーム電子線描画装置における露光強度分布を求める方法および装置 | |
CN111913362A (zh) | 带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置 | |
TWI651586B (zh) | 藉由電子輻射相關於圖案的刻寫來產生資料的方法和藉由電子輻射在基板上刻寫圖案的方法 | |
WO2018061960A1 (ja) | マルチビーム電子線描画装置における露光強度分布を求める方法および装置 | |
US20150262791A1 (en) | Electron beam drawing method, electron beam drawing apparatus and data generating method | |
JP2023025503A (ja) | データ生成方法、荷電粒子ビーム照射装置及びプログラム | |
JP3061015B2 (ja) | パターン描画方法及び描画データ変換方法 | |
JP2018206794A (ja) | 描画装置および描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170314 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170614 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170913 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180219 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180424 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20180601 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180912 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190509 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190805 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6663163 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |