TWI585511B - 藉由在樹脂托架上進行曝印之至少一圖樣的光線之投射之微影製程的方法以及電腦程式 - Google Patents

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Description

藉由在樹脂托架上進行曝印之至少一圖樣的光線之投射之微影製程的方法以及電腦程式
本發明特別有關於電子微影製程領域，目的為直接在晶片上燒灼或製造遮罩。在藉由生產技術而取得小於22nm的臨界尺度中，電子束與目標物的相互作用特別受到初始軌道周圍的電子散射(向前散佈或散射的效應)所影響，以及後散射(向後散佈或散射的效應)的影響。這些效應，我們簡稱為鄰近效應，尤其取決於目標物以及其幾何的材質。所以必須考慮鄰近效應以獲得忠於明確設計的深刻圖案。為此，常用的方法有兩種，一般說來是完全不同的方式。一方面，我們模擬鄰近效應以調整用於炸擊目標物的電子光劑量。另一方面，我們根據圖式詳盡說明的規則，依經驗來改變設計來源，讓設計的目標物符合研究目標。
關於劑量的調整，可參考由Eisennmann氏的發表(「Proxecco-利用褶積之鄰近效應修正」-H.Eisennmann,T.Waas,H.Hartmann-J.Vac Sci Technol.,vol B11,N.6,pp 2741-2745，1993年11月-12月)所構成的技術說明，以及ProxeccoTM品牌所發行之量產軟體。劑量的調整被施用於碎裂的圖案上，基底的每項元素都會接收到根據鄰近效應模擬而進行調整的調整劑量。上述模擬大致上使用點擴散函數或展開點函數(Point spread function；PSF)。Eisennmann氏的點分散函數是一對高斯函數，一個針對往前方的散射，另一個針對往後方的散射。利用點分散函數的褶積偕目標物的幾何來判定局部劑量。
如需進行此類，可以使用原則類似、光學微影技術中所用光學鄰近修正法(簡稱OPC)。一般而言，係由形狀尺寸的自動最優化來判定將施行的幾何修正：例如一條將更細、更粗、更長或縮短的線。設計者亦可提出藉由其技術而發想出的替代性幾何形狀。針對一種圖案進行修正判定，可以產生出之後將自動適用於所有具相同形狀之微點(les points de la puce)的修正規則。如需幾何修正的不同程式詳解，尤其可參考Sewell和Cook的發表。(「電子微影技術中的圖案尺度控制」-H.Sewell,J.Vac.Sci.Technol.,15,927(1978)；「電子束鄰近效應修正中針對錐體的劑量、形狀和混合物修正」-Brian D.Cook,Soo Young Lee-半導體製造IEEE會報，vol.11,N.1,1998年2月)。
同樣為人熟知的還有將曝印破解為幾個過程。一般而言，補充曝印階段適用於更細微的幾何，尤其是為了改善解析度和製程的空白處。我們稱之為製程階段或eRIF(電子解析度改善特色electron Resolution Improvement Feature)函數。Martin氏和Manakli氏已經特別詳述過這類製程(<電子束直寫微影技術中的新書寫策略，改善sub-45nm nodes的臨界密集線圖案」-L.Martin-EMLC 2009；第PCT/EP2011/055746號專利之國際專利案，專利名稱「具角落區修正功能的電子微影技術」，其中馬納立氏為發明者，且專利持有人為本專利案的其中一名協證人。
然而，在同時進行綜合與調整劑量和已經有過的幾何修正時，這些不同製程參數的個別計算會導致非最佳化的解析度產生。國際專利案第PCT/EP2011/055863號、名稱「結合光束能量與圖式幾何設計最佳化的微影製程」提出一個方法，其中Manakli氏為發明人，而專利持有人為本專利案的其中一名協證人。根據本製程，施用於一區域之劑量中的光束能源以及刻蝕在此區的圖案尺寸，乃結合製程能源中褶積餘地的程度加以計算。這種製程尤其對具有大針腳簡單格子、細線條以及角角的圖案而言相當好用。對較複雜的圖案而言就較無效益。另一個光束量參數與迸出之幾何圖形的聯合最佳化方法，為具有點擴散函數的光束劑量褶積與目標圖樣(le motif cible)之間結果的最小距離。為此，建議解除圖案的褶積，以適當方法進行刻寫。結合屬於Eisennmann氏所建議的兩個高斯變數(gaussiennes)之一而使用傅立葉(Fourier)氏的逆向變形法，受到Haslam氏推薦(「以鄰近修正為基礎的變形：實驗結果與比較」-M.E.Haslam,J.F.McDonald，集成電子中心，壬色列理工學院，紐約州特洛伊市-J.Vac.sci.Technol.B4(1)，1986年1月/2月)。然而，針對現今製造或開發之用的適當尺寸(一到幾十奈米的重要尺寸 )，因為破解造成的高度空間頻率會隨著逆轉而來，對於在這種距離中屬優勢的向前散射效應精確度造成妨礙，故此方法不再適合。
本發明藉由建議將特定類型的點擴散函數和圖樣的反褶積結合，利用機率類的反覆法進行燒灼而解決問題。
較佳地，能藉由允許更迅速曝印的胞元(cellules)投射而在微影技術的製程中實現本發明。依此目標，我們藉由本發明的或然反覆法，利用在曝印的數個階段中，能夠產生出良好的鄰近效應修正的胞元投影製程，來結合鄰近效應的修正技術。
為此，本發明藉由在樹脂托架上接受曝印之至少一圖樣的光線來設想一微影製程，其中包括光線點展開選擇函數產生的一步驟，以及藉由該點展開函數，將反褶積選擇方法應用在接受曝印之圖樣上的一步驟，該製程的其中選擇該點展開函數是為了不要模擬上述向前散射光線的效應，而上述反褶積方法係借樹脂托架之助，在模擬光線相互作用的方法中藉由相互作用的相關機率分佈所遴選出來的。
較佳地，針對所有接受曝印的圖樣影像點，上述反褶積方法包括上述每個散射來源點最大可能性計算的一步驟，每一點的影像乘上來源點與影像點之間點的展開函數值。
較佳地，上述反褶積方法為Lucy-Richardson氏的一方法。
較佳地，本發明的微影製程更包括接受曝印之圖樣數位化影像對比偏差(tramage)的一階段。
較佳地，本發明的微影製程更包括將反褶積影像切割為至少兩明顯曝印層的一階段。
較佳地，選擇曝印的至少兩明顯層，以求每層的像素總數達到最大值。
較佳地，本發明的微影製程更包括接受曝印之圖樣反褶積影像的一向量化階段。
較佳地，點的曝露函數為一高斯函數。
較佳地，高斯函數中間高度處的寬度介於3奈米至15奈米之間。
在本發明的數個實施例中，我們藉由樹脂基材上至少一崁段(bloc)的投影在來實現微影製程，包括將上述崁段解構為設計之胞元、以在上述基材上進行投影的一步驟，和上述設計胞元藉由一光源(une source rayonnante)而成形的至少一步驟，上述製程的其中其更包括至少一部分的設計胞元、藉由設計胞元擷取至少兩胞元符元的至少一階段，每一胞元符元皆在適合此胞元符元之曝印層成形過程中曝露在外。
較佳地，選擇至少兩胞元符元，以求N層的每一像素總數達到最大值，N等於或大於2。
較佳地，這些實施例更包括劑量調整的一階段，上述 調整適用於N胞元符元。
為了履行製程，本發明同樣預想了一電腦程式，其中包括在電腦上執行程式時，允許藉由發明的光線放射來執行微影製程的程式碼指令，上述程式包括上述光線散射展開點之一所選函數的生成函數，以及在最後結束時，施用於將接受曝印之圖案的光線展開點函數，上述程式的其中選擇上述展開點函數只是為了不模擬上述光線向前散射的散佈效應，而在模擬方法中選出的上述反褶積方法，則藉由交互作用的聯合機率分佈來模擬上述散射點的交互作用。
在數個實施例中，發明同樣設想出一電腦程式，其中包括在電腦上執行程式時、允許程式藉由在樹脂基材上至少一崁段的投射來執行微影製程的一指令碼，上述程式包括將上述崁段解構為設計胞元、以便在上述基材上進行投射的一分解模數，以及利用光源，令上述設計胞元成形的一模數，上述程式的其中其在分解模數的開始(entrée)處，還更包括用來摘取至少一部分設計胞元的一設定模組，設計胞元至少有兩個胞元符元，每個胞元符元都接受成形模數的施用，形成適合此胞元符元的曝印層。
較佳地，發明的電腦程式更包括一介面視窗，操作者可在當中對至少一第二圖樣設定應用程式，以屬於該級類之第一圖案的反褶積判定出第二圖樣應屬於的級類修正規則判定級類。
發明特別具有優勢，因為其能以完全自動化的方式達 成最佳化發光影像。製程不再受微影機器的限制和為求有利於製程總結果而下的判斷所侷限。就同樣可以接受製程處理的複雜圖樣而言，劑量的調整得非常精準且需要漫長調整才能做到非常熟練幾何修正，達到這種層次的結果是前所未及的。
此外，發明的製程產生出灰階的反褶積影像，其將可依據是否用於點陣曝印機或具有成形光束(可變形光束或VSB)的投影機而接受不同的處理。
在第二種情況下，其尚可能自動生成將允許改善解析度和刻寫速度的eRF，構成額外優勢。
另一方面，在結合多通道胞元投影製程的發明實施例中，或者可在接受曝印好在劑量調整圖或原始設計圖上產生最佳解析度之圖樣的反褶積階段結束時，於模板(或符元胞元群)上自動生成數個開口，每一開口群皆對應一曝印層。接著針對成層參數的多寡進行劑量調整，並將在胞元內完成。所以，在此實施例中，發明製程允許藉由胞元投射來實現比先前製程更為複雜的圖樣曝印，而且範圍尺寸更小。
第1圖說明先前技術的模數劑量應用。
我們證實曝印乃根據圖案的位置進行修正。相較於中心處，晶圓邊緣處所接受的劑量升高許多。事實上，位於內部的圖案接受從contogües區向後散射之電子的比例， 比邊緣區要來的大。
根據Eisennmann氏(先前引用)的理論，這些劑量調整係從點擴散函數f(x,y)開始計算而加倍為下列的高斯函數：
記數規則：α為直接放射的幅度；β為向後散射的幅度；η為直接光射和向後散射的強度比例；ξ為點(x,y)的放射位置。
可以針對特定製程，嘗試性地判定α,β和η的參數值。這些參數為機器和目標的加速張力。
根據Eisennmann氏理論，為了要執行第1題所說明的修正，其足以處理與衝擊點相比、屬於高升的動作光線現象(高於微米)，而向前散射的作用在微弱的距離內佔優勢(動作半徑強度等級高過或低於加速加速電壓(5k等級，且有兩等級的強度是供更高加強速度所用)。可能可藉由傅立葉反轉換的變形來執行點擴散函數的反褶積作用：
必須達成頻率上升的空間截斷以避免分母相消。這些頻率代表後散射，在Eisennmann氏所提出的應用中並未受阻。
結果影像γ再度被組構為等同於依高頻率和按比例進行削減之圖源的反褶積期限總和：r=F -1[g conv ×F(p)]+C×p
所以接近光束中心部分的圖樣再度妥適地被引進結果影像中，但無修正動作。
當我們執著於提高的空間頻率時，這種反褶積法並不適用，例如本發明的狀況。本發明提出一方法可克服此限制。
第2圖代表在數個實施例中、用來實行發明的處理製程表。
發明製程的第一步驟210、220與所使用的曝印工具無關。其為使用點擴散函數型的第一選擇。由於我們著重在以數十奈米為順序的一比例尺主要現象，不需要模擬在點擴散函數向後散射的效應。因此，我們將選擇步驟210程序中的規則，其僅模擬向前散射的效應，依其所使用的比例尺產生鄰近效應的主體。較佳地，我們所選的點擴散函數為一高斯函數，其中間高度的幅度介於3奈米和15奈米之間。然而其他函數可協調，尤其是底部寬度對稱、通常介於10奈米和50奈米之間者。
一旦選好點擴散函數的類型，即可實行步驟220期間所採用的反褶積法。該方法必須適用於函數以反褶積，聚合在一起並在允許時間內實現此聚合。
在本發明範圍內，我們建議使用屬於反褶積機率方法類的方法。這類方法在條件式的不可預料變數上一再重複 ，似乎最為適用。事實上，藉由散射效應，單點所承受的劑量將依所有jla點的光束劑量和所有的點可見度而定。因此要計算所有jla點才能產生劑量pj，如此一來，一ila點所接受的有效劑量為ri，根據點擴散函數所施予的光線分配，除了i以外，都會對其他點施以劑量pj的光束，我們可以將整體數值給數值化。所以必須解決問題：
其中一個測試法當中的聚合符合，為Lucy-Richardson氏的演算法(「影像復原的Bayesian式疊代法」-W.Hadley-Richardson，可視性實驗室，加州大學聖地牙哥分校，美國光學協會期刊，Vo.62,Nol,1972年1月)。
我們推測pj依循既定規則(例如帕松(Poisson)式法則)，且我們針對所有j的最大概數值進行研究，以求了解ri和ui,j。
依此，設計出下列遞歸算式：
因此，雖然緩慢但演算法終歸聚合。相同族系針對期望值-最大化的其他方法，包括所謂的「EM」，係根據數學期望值計算和實際最大值的替代性步驟而來，可使用而不脫出本發明範圍。
取得灰階的反褶積影像，每點中的每層對劑量的強度進行編碼以便發散光線。接著，一獨特作業允許對接受曝 印的圖案執行為求最佳化的劑量調整和幾何修正。這項獨特作業，融合在以先前技術中、進行輸入商業性電子微影工具之資料準備製程的兩項作業，除了軟體之外未更改任何東西。然而，其亦有利於優化適合所選反褶積法的結構計算方法。所採用的運算結構將以具異質性質者優先，意即含有標準處理器與特殊計算器者，例如GPU(圖形處理器，晶片原本在圖像上，但現在發展為未見過的向量計算力)或FPGA(邏輯電路程式化：能夠對晶片進行程式化，針對既定的演算法讓效能最優化)。
接著必須將此灰階影像轉換成所使用之曝印工具可用的格式(第2圖的步驟230a和230b)。在此通常使用兩種主要類型的工具來做出孔洞基質(matrice de points)，像是Mapper公司所出產的工具，以及用進行控制訓練的工具，像是Vistec公司所出產的工具(例如Vistec SB250電子光束微影系統)。
在第一種情況下，轉換為一項數位化影像對比偏差作業。在第二種情況下，則為一項向量化作業。這兩個步驟將分別按4a、4b與5a、5b中的註解進行說明。在光束成形的狀況下，對於複雜的曝印而言，其有利於插入允許曝印eRIF的切割層作業步驟240。這項作業之步驟將按第6a、6b、6c圖中的註解進行說明。接受曝印的圖樣接著依據對應的光束而被破解成區(步驟250)。
在對應孔洞基礎工具和對應光束成型工具的兩個製程中，可開始啟動曝印步驟260。
第3a與3b圖分別代表根據本發明一實施例進行曝印的一圖樣和其相關點擴散函數。
第3a圖代表進行曝印的一圖樣310a。該圖樣包含結構複雜、具有10奈米等級的臨界尺寸。
第3b圖代表選擇的點擴散函數310b。如圖所示，在本發明範圍中，我們依有利狀況選擇模擬向前散射之高斯函數所構成的一點擴散函數，其針對受考慮之圖樣類型的結構而控制利益維度(dimensions d’intérêt)。
第4a與4b圖分別代表根據本實施例、接受曝印的一灰階圖樣，以及其藉由數位影像對比差加以變形的二值影像。
Mapper型的工具接受二值影像(像素0或1)：灰階影像轉為二值影像的過程稱為數位影像對比差(dithering)。有許多演算法可執行這項變形，最廣為人知的當屬Floyd-Steinberg演算法。其為一種計算錯誤散射的演算法。這個演算法會利用像素量化的錯誤散射來執行對周邊的數位影像對比差。舉例而言，根據像素數目函數而選出的第一錯誤比例部分被加到右側的像素，第二比例部分在底部左側，而第三比例部分則位於下方，補充像素在底部右側。尤其根據像素數目的函數選擇比例部分。
第5a和5b分別代表根據本發明一實施例、接受曝印的一圖樣之位映圖影像，以及其向量化影像的變形。
向量化是一種影像變形，就如同點的整體(位映圖)變成了影像即稱為向量化，其代表著幾何形態。區域的劃 分對應不同劑量而定。第5a圖的灰階被限制住，其範圍變形成多邊形。有多個向量化演算法可使用，例如Potrace演算法(http：//potrace.sourceforge.net/,http：//potrace.sourceforge.net/potrace.pdf)。
第6a、6b和6c圖代表發明一實施例中三個不同曝印層。
通常執行數個曝印通道比較有利。層階上的切割可減少大量的光束擊，所以能產生加快刻寫速度的結果。
為了決定在層階上進行切割，舉例而言我們可以做一份以像素進行取決之數值的長條統計圖：加植一層光度層(即對應此層的像素數增加了)，裁定保留此層做為明確曝印層。
步驟所節錄出並進行說明的每一層，接受僅能在單一過程接受曝印的劑量。根據第6b圖，細線為因發明與先前技術相反而自動產生的eRIF。
接著可以執行破裂步驟，將呈基本形態的像量化影像(矩形中的正角三角形)切割為適用以VSB工具執行製程的尺寸。此破裂製程廣受電子微影專業者所知。
較佳地，能在操作者使用的工具中整合入針對概念的特定協助。
幾何修正應該為操作者的一動作，根據其操作知識與已接受曝印的期望結果，而產生必須施行於整體或部分迴路的自動修改調正(線條的縮短/延長等等)。
為了在修正不符合、必須進行手動調整時協助操作者 ，可使用設計應用範圍內的工具來執行前述製程：即隨選開啟、提出最佳化解決方案的一視窗。然而操作者可選擇產生具有在本視窗中觀察到之相同符元修正規則的圖樣，如此一來，可針對類似圖樣建立可再次使用的規則庫，自動化辨識形態的演算法即為一例。
第7圖說明包括不同開口以便在本發明一實施例中實現一或多個曝印的一模板，其中該實施例使用胞元投射，來說明包括不同開口、以便在使用胞元投射的本發明一實施例中實現一或多個曝印的模板。
在利用標準投射所進行的電子微影中，為了要曝印設計的一胞元，需讓圖樣整個接受曝印，或使用由「一切」構成形狀的金屬板的模板710。這些洞可以被視為是印刷符元。每一符元皆為一組基礎型態(三角形、矩形)。符元被聚集組合成一胞元符元720，其中的幾何型態精確符合將實現的設計符元(然而還是可以進行幾何修正)。可在同一模板上實現數個胞元符元720，以執行不同的設計胞元。一般而言，這些胞元符元將為不同幾何。
在藉由投射多通道胞元而實現的本發明實施例中，我們建議使用每個皆對應一層曝印層的數個符元胞元，以實現設計的一胞元。較佳地，這些胞元符元皆建立在同一模板上(或「平板符元」)，更換模板是一個漫長且精細的作業，我們希望將發生意外的機率減至最低。
第8b與8a圖分別代表先前技術一模板的一胞元符元，以及我們試圖利用對應此胞元符元的胞元投射製程來進 行曝印的設計胞元。
第8b圖的模板被用來曝印第8a圖的非常重覆性設計。第8b圖的特殊圖樣810，取代以成型光束曝印相同圖樣微影所必需的上百個擊發。刻寫時間可藉由使用這樣的模板而加以分割。然而曝印的精確性卻不甚佳，尤其是因為向後散射的效應造成圖樣810邊緣的區域，所接收到的劑量比位於區域中心部分的圖樣要來得少。在藉由投射標準胞元所而實行的微影技術中，無法在設計胞元中進行劑量調整。劑量調整的執行係從一曝印到另一曝印，從一設計胞元到另一設計胞元。意指在實際作業中，胞元接受曝印的時間將依其位於區域的邊緣或中心，而或多或少有所增減。但在每一曝曬中，胞元符元將通過相同的表面劑量。在觀察過方法的迴路設計後判定胞元符元，以分解最大的可能區域。最後可引入預期的幾何修正。
國際專利第PCT/EP2011/055861號藉由使用本案的托架之一，提出允許連同胞元與幾何修正一起完成劑量調整(以聯合或不聯合的方式增加邊緣、內或外的圖樣)的更好方法。在本案所披露的製程中，較佳地位於接受曝印之崁段(bloc)中心處的所有胞元劑量皆可統一，位於崁段邊緣處的胞元則接受以相關函數計算出來、干涉製程能量中的寬容度等級的較高劑量。
然而，支配短距離、並藉由胞元投射而更有利處理進而影響複雜圖案複製精確度的向前散射效應，無法以上述技術輕易進行修正。
在本發明的實施例中，舉例而言我們將設計胞之圖樣810切割為兩層。為決定切割層，舉例而言我們較佳地可以根據像素紀錄數值製作長條圖：另外移植一光度層(即外加對映該提升層的像素數)，另外判斷是否留下此層做為曝印的明確層。步驟所摘錄且說明的每一層，接受的既定劑量僅足以在單一通道中進行曝印之用。
可以藉由針對在單一層進行曝印之一影像的劑量修正延伸，來計算每一層合宜劑量，層的數量N構成計算的參數量。對於每一曝印層，我們使用一不同的胞元符元(具有不同開口)，且我們透過胞元符元施以一特定劑量。根據本發明，我們藉由按照更高級的曝印製程而同時施行劑量修正和幾何修正，來執行鄰接效應修正。
在本實施例中，將接著對於反褶積製程將結束時出現的獨特灰階影像進行分析，且看是否得切割需要在數層中接受曝印的胞元符元。
第10a和10b圖分別代表根據本發明一實施例中為曝印第8b圖的圖樣來源而判定出的兩胞元符元。
以級層中的裁切製程為範例，為了曝印第8b圖的圖樣，第9圖的主圖樣910a在第一層上偕第一劑量接受曝印。在第9b圖上，元件(élément)910b在第二層上偕第二劑量接受曝印。
這些圖樣的投射方式，跟標準製程中eRIF的投射方式一樣。因此，藉由分別接受曝印之兩層的重疊，會重新構成基本圖樣。在第9a和9b圖所說明的範例中，第10a 圖之線條與空間的特性尺寸[MW1]為32奈米。
較佳地，第8b圖的圖樣先以如第8a與8b圖所評註的上述類型方法進行反褶積。
第10a和10b圖分別代表根據本發明一實施例、在透過第8b圖的胞元符元進行曝印後所取得的設計胞元，以及在透過第9a和9b圖的兩個胞元符元進行曝印後所取得的設計胞元。
根據我們觀察比較兩個圖式的結果，在代表先前技術的第10a圖上，線寬和線的終端都不受控制。在代表施行本發明兩曝印層之實施例的第10b圖上，線寬和線的終端皆符合進行複製的設計。
第11a、11b和11c圖分別代表本發明一實施例中利用三個胞元符元所實現的三個不同曝印層。
除了兩個胞元符元以外，我們可以對應不同級層來切割第8b圖的圖樣。遇此情況，則產生中間圖樣。
第11a、11b和11c圖這三個圖式，代表從十個曝印層中選出三個，藉由施行對應最大像素之光度層檢驗而選出的方法來判定曝印層。
這些發明實施例能利用一機器和先前技術的模板來實行，例如具有「胞元投射」選項的Vistec SB3050系列機器。為實現發明所採取的單一修正符合軟體性質的修正，其允許對崁段進行裁切，便於在預期會進行曝印之明顯層中的子集[MW1]中接受曝印。若根據本說明所提出的有利實施例之一來實行反褶積作業，可藉由針對此目的之補充 程式單元來完成這些修正。
上述之範例，係用以說明本發明的特定實施例。其不以任何方式限制如下列專利申請範圍所定義的發明範圍。
310a‧‧‧圖樣
310b‧‧‧點擴散函數
710‧‧‧模板
720‧‧‧胞元符元
810‧‧‧圖樣
910a‧‧‧主圖樣
910b‧‧‧元件
為了更了解本發明內容，以下將以圖式說明發明數個實施例的不同特性與優勢：第1圖說明根據先前技術而行的模數化劑量應用；第2圖代表在數個發明實施例中實現發明的處理製程圖；第3a與3b圖分別代表根據發明一實施例而接受曝印的圖樣和其相關點擴散函數；第4a與4b圖分別代表發明一實施例接受曝印之圖樣的灰階影像，和其藉由數位化影像對比偏差而在二值影像上所造成的變形；第5a與5b圖分別代表根據發明一實施例接受曝印之圖樣的位圖影像，和其在向量影像上的變形；第6a、6b與6c圖代表代表本發明一實施例的三個不同曝印層；第7圖說明在使用胞元投射的本發明一實施例中，包括不同開口以實現一或多個曝印的一模板；第8b和8a圖分別代表先前技術之模板的胞元符元，以及試圖利用對應此胞元符元之胞元投射製程，進行曝印的設計胞元； 第9a和9b圖分別代表本發明一實施例中、被判定出來與第8b圖之圖樣源接觸的兩胞元符元；第10a和10b圖分別代表本發明一實施例中，透過第8b圖之胞元符元進行曝印後所取得的設計胞元，以及透過第9a和9b圖的胞元符元進行曝印後所取得的胞元符元；第11a、11b和11c圖分別代表本發明一實施例中，利用三胞元符元所實現的三曝印層。
260‧‧‧曝印

Claims (11)

  1. 一種藉由在樹脂托架上進行曝印之至少一圖樣的光線投射之微影製程的方法，包括使用電腦處理器產生針對該光線投射的所選之點展開函數，以及使用該電腦處理器藉由該點展開函數來對接受曝印的該圖樣施加所選之反褶積方法，其中該點展開函數係選擇以僅模擬該光線投射向前散射之效應，並且該反褶積方法係藉由交互作用的聯合機率分佈，從模擬該光線投射與該樹脂托架之該交互作用的方法中所選出來，其中作為該交互作用的部分，該交互作用的該聯合機率分佈與針對接受曝印之該圖樣的所有影像點之該光線投射的每一來源點之最大可能性相關聯。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的微影製程的方法，其中該反褶積方法包括針對接受曝印之該圖樣的所有影像點計算該光線投射之每一來源點的該最大可能性，每一影像點乘以介於該來源點與該影像點之間的該點展開函數的值。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的微影製程的方法，其中該反褶積方法為Lucy Richardson氏的一方法。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的微影製程的方法，其中更包括反褶積影像的數位化影響對比偏差進行曝印。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的微影製程的方法，其中更包括將反褶積影像切割為至少兩明顯曝印層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的微影製程的方法，其中為了讓每一層的像素總數達到最大值，所以選擇至少兩明顯曝印層。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的微影製程的方法，其中更包括將接受曝印的該圖樣之該反褶積影像向量化。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的微影製程的方法，其中該點的展開函數為一高斯函數。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的微影製程的方法，其中該高斯函數中間高度處的寬度介於3奈米與15奈米之間。
  10. 一種電腦程式，包括程式碼指令，當在電腦上執行程式時，允許藉由光線投射而執行根據如專利申請範圍第1項之微影製程的方法，該程式包括用於產生針對該光線投射的所選之點展開函數的一函數，以及用於對接受曝印的該圖樣所施加之該光線投射的點展開函數的選擇過濾輸出施加反褶積選擇方法之一模組，其中該點展開函數係選擇以僅模擬該光線投射向前散射之效應，並且該反褶積方法係藉由交互作用的聯合機率分佈，從模擬該光線投射與該樹脂托架之該交互作用的方法中所選出來。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的電腦程式，其中更包括一介面視窗，操作者可在該介面視窗中，對屬於修正規則所決定之一等級的一第二圖樣程式化該應用程式，該修正規則係依屬於該等級之第一圖樣的反褶積所決定。
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