JP2013232531A

JP2013232531A - 描画装置及び物品の製造方法

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Publication number: JP2013232531A
Application number: JP2012103832A
Authority: JP
Inventors: Yusuke Sugiyama; 佑輔杉山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2012-04-27
Filing date: 2012-04-27
Publication date: 2013-11-14
Also published as: US20130288181A1

Abstract

【課題】近接効果補正を行う上で有利な技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、前記描画を制御するための描画データを補正する補正部と、前記補正部によって補正されたデータに基づいて荷電粒子線によって描画を行う描画部と、を含み、前記補正部は、前記基板上の目標領域に対する描画領域の重ね合わせのための幾何学的補正を前記描画データに対して行った後に、当該補正された描画データに対して近接効果補正を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、描画装置及び物品の製造方法に関する。

近年、半導体集積回路における回路パターンの微細化及び高集積化に伴い、荷電粒子線（電子線）を用いて基板にパターンを描画する描画装置が注目されている。描画装置では、入射した荷電粒子線がレジストの内部で散乱し、荷電粒子線の入射点から離れた点においても荷電粒子線のエネルギーが影響する近接効果が生じる。そして、この近接効果によって、基板に描画されたパターンの線幅等が設計値と異なってしまいうる。そのため、描画装置では、近接効果補正を行うことが重要であり、パターンの形状や密度によって描画データを修正し、荷電粒子線の照射条件を変化させた近接効果補正の方法が提案されている（特許文献１及び２参照）。

特許文献１では、区分けされたパターンに隣接した領域であって電子線の後方散乱の拡がりよりも広い領域を、区分けされたパターンに付加して新たな図形データを作成し、新たな図形データに対して近接効果を補正する方法が開示されている。また、特許文献２では、区分けしたパターンの面積密度から面積密度マップを作成し、面積密度マップから近接効果を補正する方法が開示されている。

特開２００３−３１８０７７号公報特開２００７−００５３４１号公報

従来の描画装置では、一般的に、近接効果補正に加えて、例えば、荷電粒子線の収差や偏向器の偏向特性、或いはショットの位置や形状などを考慮した、基板上の目標領域に対する描画領域の重ね合わせ（オーバーレイ）のための幾何学的補正が必要である。そして、近接効果補正は、その補正処理の規模が大きく処理時間が長いため、幾何学的補正より前に行われている。しかしながら、近接効果補正を幾何学的補正より前に行った場合、近接効果補正は、荷電粒子線の照射条件（照射位置や照射量）が確定していない状態で行われることとなる。また、近接効果補正によって得られた荷電粒子線の照射条件は、幾何学的補正によって変更されてしまう。従って、基板にパターンを描画する際に、近接効果補正の効果が不十分になってしまう。

そこで、本発明は、近接効果補正を行う上で有利な技術を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記描画を制御するための描画データを補正する補正部と、前記補正部によって補正されたデータに基づいて荷電粒子線によって描画を行う描画部と、を含み、前記補正部は、前記基板上の目標領域に対する描画領域の重ね合わせのための幾何学的補正を前記描画データに対して行った後に、当該補正された描画データに対して近接効果補正を行うことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、近接効果補正を行う上で有利な技術を提供することができる。

本発明の第１実施形態の描画装置の構成を示す図である。従来の描画装置と第１実施形態の描画装置とにおける補正の処理を表すブロック図である。第１実施形態の描画装置におけるＦＳＣ領域を示す図である。レジスト内における荷電粒子線の前方散乱によるエネルギー分布を示す図である。第１実施形態の描画装置における近接効果補正の処理内容のフローチャートである。第１実施形態の描画装置における近接効果補正の処理の過程で生成される中間データを示す図である。周辺領域の有無における補正残渣の結果を示す図である。ＦＳＣ領域を幾何学的補正と近接効果補正との順番を変えて補正した結果を示す図である

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１実施形態＞
本発明の荷電粒子線を用いた描画装置１００について、図１を参照して説明する。荷電粒子線を用いた描画装置１００は、荷電粒子線を基板に照射してパターンを描画する描画ユニット１０と、描画ユニット１０の各部を制御するデータ処理系３０とで構成される。

描画ユニット１０は、荷電粒子銃１１と、描画部１３と、基板ステージ２３とを含む。描画部１３は、例えば、コリメーターレンズ１４、アパーチャアレイ１５、第１静電レンズ１６、ブランキング偏向器１７、ブランキングアパーチャ１９、偏向器２０及び第２静電レンズ２１で構成されている。

荷電粒子銃１１から放射された荷電粒子線は、クロスオーバ像１２として結像され、コリメーターレンズ１４の作用により平行ビームとなり、アパーチャアレイ１５に入射する。アパーチャアレイ１５は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有し、これにより、平行ビームとして入射した荷電粒子線は複数に分割される。アパーチャアレイ１５を通過し分割された荷電粒子線は、第１静電レンズ１６に入射する。第１静電レンズ１６は、例えば、円形状の開口を有した３枚の電極板（図中では、３枚を一体で示している）から構成される。第１静電レンズ１６を通過した荷電粒子線は、クロスオーバ像１２の中間像１８を形成し、中間像１８が形成される面には、開口がマトリクス状に配置されたブランキングアパーチャ１９が設置されている。第１静電レンズ１６とブランキングアパーチャ１９との間には、複数の荷電粒子線のブランキングを個別に制御するためのブランキング偏向器１７が設置されている。ブランキング偏向器１７により偏向された荷電粒子線はブランキングアパーチャ１９により遮断されて基板２２上には到達しない。即ち、ブランキング偏向器１７は、基板２２への荷電粒子線の照射と非照射とを切り替えている。ブランキングアパーチャ１９を通過した荷電粒子線は、荷電粒子線を基板２２の上で走査するための偏向器２０、及び第２静電レンズ２１を介して、基板ステージ２３の上に保持された基板２２の上にクロスオーバ像１２の像を形成する。ここで、偏向器２０は、基板ステージ２３の走査方向と直交する方向に荷電粒子線を偏向させるとよいが、荷電粒子線の偏向方向は、基板ステージ２３の走査方向と直交する方向に限定するものではなく、他の角度に偏向してもよい。

データ処理系３０は、例えば、レンズ制御回路３１及び３２、描画データ変換部３３、補正部３４、ブランキング制御部３５、偏向信号生成部３６、偏向アンプ３７、偏向制御部３８及びコントローラ３９で構成されている。レンズ制御回路３１及び３２は、各レンズ（１３、１７及び２１）を制御する。描画データ変換部３３は、コントローラ３９から供給される設計データを基板２２への描画を制御するための描画データに変換する。補正部３４は、描画データを分割及び補正してブランキング制御部３５に供給し、ブランキング制御部３５は、分割及び補正された描画データに基づいてブランキング偏向器１７を制御する。偏向信号生成部３６は、コントローラ３９から供給される設計データから偏向信号を生成し、偏向信号を偏向アンプ３７を介して偏向制御部３８に供給する。偏向制御部３８は、偏向信号に基づいて偏向器２０を制御する。また、コントローラ３９は、描画データ変換部３３と偏向信号生成部３６に設計データを供給すると共に、全ての描画動作を統括する。

第１実施形態の描画装置１００では、上述したように、アパーチャアレイ１５によって荷電粒子線が複数の荷電粒子線に分割され、複数の荷電粒子線によってショット領域にパターンが描画される。そして、各ブランキング偏向器１７がそれに対応する荷電粒子線を偏向することによってショット領域における一部の領域にパターンが描画される。そのため、各荷電粒子線に備えられた各ブランキング偏向器１７をそれぞれ制御するように、ショット領域全体を表す描画データから、各荷電粒子線によって描画される各領域に対応するデータが切り出される。また、第１実施形態の描画装置１００では、近接効果によってパターンの線幅等が設計値と異なったり、荷電粒子線の収差や偏向器の偏向特性、或いはショットの位置や形状などが変わっったりしてしまう。そのため、近接効果補正（ＰＥＣ：ＰｒｏｘｉｍｉｔｙＥｆｆｅｃｔＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）及び幾何学的補正が行われる。そこで、第１実施形態の描画装置１００では、各荷電粒子線によって描画される各領域に対応する描画データを切り出し、切り出した描画データを補正する補正部３４が備えられている。

ここで、描画データ変換部３３における描画データへの変換、及び補正部３４における描画データの切り出しと補正の処理について、従来の描画装置と第１実施形態の描画装置１００とを比較して説明する。まず、従来の描画装置における描画データへの変換、描画データからの切り出し、及び描画データの幾何学的補正について図２（ａ）を参照して説明する。

描画データへの変換は、描画データ変換部３３によって行われる。描画データ変換部３３は、コントローラ３９から設計データが供給され、設計データを描画ユニット１０が描画を制御するための描画データに変換する。具体的には、設計データは、例えばＣＡＤデータで構成されており、その多くはベクター形式で記述されている。描画データ変換部３３は、ベクター形式の設計データをラスター形式の描画データに変換する。ここで、ベクター形式とは、描画するパターンを、点の座標、点を結ぶ線又は面の方程式のパラメータなどで表現する形式のことである。ラスター形式とは、描画ユニットが基板に描画するショット領域を、荷電粒子線を照射するか否かを表す点の羅列として表現する形式のことである。

描画データからの領域の切り出しは、補正部３４に含まれる第１切出部３４ｂによって行われる。第１切出部３４ｂは、各荷電粒子線によって連続的に描画される各領域がショット領域から切り出されるように、各領域に対応する描画データを切り出す。従来の描画装置においては、各領域は、１つの荷電粒子線によって連続的に描画が行われる描画領域４０のことである。以下では、描画領域４０に対応するように切り出された描画データのことをフィールドデータと呼ぶ。このフィールドデータに基づいて、ブランキング制御部３５は各ブランキング偏向器１７を制御する。

描画データの幾何学的補正は、補正部３４に含まれるグローバル補正部３４ａ及びローカル補正部３４ｃによって行われる。幾何学的補正とは、基板上の目標領域に対して描画領域が重ね合わさるように描画データに対して補正を行うことである。グローバル補正部３４ａは、第１切出部３４ｂの前に配置されており、ショット領域の描画データを一括して補正するグローバル補正を行う。グローバル補正は、例えば荷電粒子線の収差による偏向位置のばらつきなどを補正し、ショットの位置や回転、形状などを補正することである。グローバル補正の補正処理は、その多くが線形変換で実現できるため補正処理の規模は大きくないが、処理対象となるデータが膨大となるため、ショット領域を数個に分割し、分割したショット領域に対して行われてもよい。ローカル補正部３４ｃは、第１切出部３４ｂの後に配置されており、第１切出部３４ｂによって切り出された各領域を個別に補正するローカル補正を行う。ローカル補正は、例えば、各荷電粒子線を偏向する各ブランキング偏向器１７の偏向ゲインのばらつきや、各荷電粒子線の照射強度のばらつきを補正することである。ローカル補正の補正処理は、関数による補正のほか、ルックアップテーブル（ＬＵＴ：ＬｏｏｋｕｐＴａｂｌｅ）を用いた補正なども行う場合がある。

このように、従来の描画装置では、設計データから描画データへの変換、描画データからの切り出し、及び描画データの幾何学的補正を行っている。そして、従来の描画装置では、近接効果補正は、描画データ変換部３３において設計データを描画データに変換した後であって、補正部３４において幾何学的補正（グローバル補正）が行われる前に行われている。しかしながら、近接効果補正を幾何学的補正より前に行った場合、近接効果補正は、荷電粒子線の照射条件（照射位置や照射量）が確定していない状態で行われることとなる。さらに、近接効果補正によって得られた荷電粒子線の照射条件は、幾何学的補正によって変更されてしまう。従って、基板にパターンを描画する際に、近接効果補正の効果が不十分になってしまう。そこで、第１実施形態の描画装置１００では、描画データの切り出し、及び幾何学的補正（ローカル補正）の後で、近接効果補正を行う。次に、第１実施形態の描画装置１００における補正部３４の処理内容について図２（ｂ）を参照して説明する。

第１実施形態の描画装置１００における補正部３４は、従来の描画装置における補正部３４と比較して、第１切出部３４ｂにおいて描画データから切り出すデータの範囲が異なっている。また、近接効果補正部３４ｄと第２切出部３４ｅとが、ローカル補正部３４ｃの後に配置されている。以下に、第１実施形態の描画装置１００における第１切出部３４ｂ、近接効果補正部３４ｄ及び第２切出部３４ｅについて説明する。なお、第１実施形態の描画装置１００では、描画データ変換部３３、グローバル補正部３４ａ及びローカル補正部３４ｃでの処理内容は、従来の描画装置と同様であるため、説明を省略する。また、第１実施形態の描画装置１００では、近接効果補正として前方散乱補正（ＦＳＣ：ＦｏｒｗａｒｄＳｃａｔｔｅｒｉｎｇＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）を例にとり説明する。

第１切出部３４ｂは、各荷電粒子線によって描画される各領域がショット領域から切り出されるように、各領域に対応する描画データを切り出す。しかし、第１実施形態の描画装置１００では、近接効果補正を第１切出部３４ｂによる切り出しの後で行っているため、各領域を描画領域４０として切り出してしまうと、各領域の境界において近接効果補正に誤差、即ち補正残渣が生じてしまう。そこで、第１実施形態の描画装置１００における第１切出部３４ｂは、１つの荷電粒子線によって連続的に描画が行われる描画領域４０に加えて、それを取り囲む周辺領域４１を含むように各領域を切り出している。以下では、描画領域４０と周辺領域４１とを合わせた各領域をＦＳＣ領域４２、及びＦＳＣ領域４２に対応するように切り出された描画データのことをＦＳＣデータと呼ぶ。描画領域４０に対応するデータ（フィールドデータ）は、後述するように、第２切出部３４ｅにおいてＦＳＣデータから切り出される。

ＦＳＣ領域４２は、図３（ａ）に示すように、描画領域４０の周辺に幅Ｗの周辺領域４１を付け加えた領域であり、隣り合う描画領域４０の一部を含むように切り出される。具体的には、隣り合う描画領域４０ａ及び４０ｂがあり、描画領域４０ａの周辺に周辺領域４１ａを付け加えてＦＳＣ領域４２ａを切り出す場合、周辺領域４１ａは、図３（ｂ）に示すように、描画領域４０ｂの一部とオーバーラップして切り出される。描画領域４０ｂの周辺に周辺領域４１ｂを付け加えてＦＳＣ領域４２ｂを切り出す場合も、ＦＳＣ領域４２ａを切り出す場合と同様に、描画領域４０ａの一部とオーバーラップして切り出される。このように、ＦＳＣ領域４２は、隣り合う領域に、相互に重なり合う部分ができるように切り出される。

周辺領域４１の幅Ｗは、レジスト内において荷電粒子線が前方散乱した際の荷電粒子線のエネルギー分布を考慮して設定される。図４に、レジスト内における荷電粒子線の前方散乱によるエネルギー分布を示す。荷電粒子線の前方散乱によるエネルギー分布は、一般に、荷電粒子線の加速電圧などにより決定され、ガウス分布になる。そして、周辺領域４１の幅Ｗは、例えば、描画領域４０の外周部に入射した荷電粒子線のエネルギーが、描画領域４０の周辺において半分になるときの幅、即ち、荷電粒子線の前方散乱によるエネルギー分布の半値半幅Ｗ_Ｈになるように設定される。このように、周辺領域４１の幅Ｗをエネルギー分布の半値半幅Ｗ_Ｈに設定することによって、各領域の境界における補正残渣を少なくすることが可能となる。また、エネルギー分布の半値半幅Ｗ_Ｈは数十ｎｍ程度（数画素程度）であるため、周辺領域４１は描画領域４０（数μｍ角）に対して十分小さく、周辺領域４１を加えたことによる近接効果補正の補正処理の増加は許容できる範囲である。ここで、周辺領域４１の幅Ｗは、荷電粒子線の前方散乱によるエネルギー分布（図４）において、エネルギーが閾値以上（＞Ｉ_ｔｈ）となる全幅の半分（Ｗ_ｔｈ）になるように設定してもよい。この場合、エネルギーの閾値（Ｉ_ｔｈ）は、描画する際における荷電粒子線の照射量やコントラストから決定される。

近接効果補正部３４ｄは、ローカル補正部３４ｃの後に配置されており、描画データから切り出されたＦＳＣデータのそれぞれに対して近接効果補正を行う。ここで、近接効果補正部３４ｄにおいて行われる近接効果補正の処理内容について図５及び図６を参照して説明する。図５は、近接効果補正の処理内容のフローチャートである。また、図６は、近接効果補正の処理の過程で生成される中間データの一例として、中心の１画素を描画領域４０とし、周辺領域４１の幅Ｗを２画素としたＦＳＣ領域４２（５×５画素）における中間データの出力結果を示す。なお、図６（ａ）〜（ｆ）において、各画素には荷電粒子線の照射量が記載されており、表題には中間データの変数名（ｇ_１〜ｇ_６）、中間データにおける荷電粒子線の最大照射量及び最小照射量が記載されている。また、図６（ａ）〜（ｆ）に示す中間データｇ_１〜ｇ_６は、すべてｘｙ平面上にあるＦＳＣ領域４２に対応するデータである。

Ｓ５１では、中心の描画領域４０のみに荷電粒子線を照射させるＦＳＣデータｇ_１（図６（ａ））に対し、式（１）を用いて第１ガウシアンフィルタｈ_１をコンボリューションする。その結果、描画領域４０に荷電粒子線を照射したときの照射量分布を表す中間データとして、図６（ｂ）に示すように、中心の描画領域４０を最大照射量としたガウス分布を示す照射量分布データｇ_２が得られる。ここで、第１ガウシアンフィルタｈ_１は、式（２）に示すように、荷電粒子線の前方散乱の範囲に相当するフィルタ適用範囲Ｈ_１において、標準偏差σ_１を用いたガウス関数ｐから生成される。この第１ガウシアンフィルタｈ_１は、実際に荷電粒子線を照射したサンプルを計測し、その計測結果から算出してもよい。

Ｓ５２では、ＦＳＣデータｇ_１を空間微分して絶対値をとる、即ち、ＦＳＣデータｇ_１に対し、式（３）を用いてｘ及びｙに関して偏微分をそれぞれ行い、それぞれの偏微分の結果に対して絶対値をとって足し合わせる。その結果、描画領域４０のエッジ部における荷電粒子線の照射量が強調された中間データとして、図６（ｃ）に示すように、中心の描画領域４０のｘ及びｙ方向に隣接する画素（エッジ部）の照射量が強調されたエッジ強調像データｇ_３が得られる。

Ｓ５３では、式（４）に示すように、荷電粒子線の最大照射量Ｉ_ｍａｘの半値と露光量分布データｇ_２との差分をとり、エッジ強調像データｇ_３を乗じる。その結果、描画領域４０のエッジ部及びコーナー部における荷電粒子線の照射量の過不足を表す中間データとして、図６（ｄ）に示すように、中心の描画領域４０に隣接する画素（エッジ部）において照射量の過不足を示す端部過不足データｇ_４が得られる。なお、図６（ｄ）では、描画領域４０のコーナー部における照射量の過不足は０である。

式（４）から得られた端部過不足データｇ_４は、描画領域４０のエッチ部及びコーナー部にδ関数的な突出値を有する（図６（ｄ）参照）。そのため、Ｓ５４では、式（５）に示すように、端部過不足データｇ_４に対し、第２ガウシアンフィルタｈ_２をコンボリューションし、端部過不足データｇ_４におけるδ関数的な突出値を平坦化する。平坦化した端部過不足データｇ_４に対して、予め設定されたパターメータｋを乗じ、ＦＳＣデータｇ_１を加えることによって、ＦＳＣデータｇ_１に補正値を適用した中間データとして、図６（ｅ）に示すような補正値端部平坦化データｇ_５が得られる。ここで、第２ガウシアンフィルタｈ_２は、式（６）に示すように、荷電粒子線の前方散乱の範囲に相当するフィルタ適用範囲Ｈ_２において、標準偏差σ_２を用いたガウス関数ｑから生成される。また、パラメータｋは、補正の強度に関するパラメータであり、経験的な値が設定される（０の時が補正なしに相当する）。

Ｓ５５では、補正値端部平坦化データｇ_５を、式（７）に示すようにクリップ処理し、荷電粒子線の最大照射量Ｉ_ｍａｘと最小照射量Ｉ_ｍｉｎ（通常はＩ_ｍｉｎ＝０となる）との間に収める。その結果、荷電粒子線の照射量が規定範囲内に収まった補正データｇ_６が得られる。

上述したような近接効果補正の処理は、第１切出部３４ｂによって描画データから切り出されたＦＳＣデータの全てに対して行われる。このとき、各ＦＳＣデータにおける補正処理は、逐次処理で行ってもよいし、並列処理で行って高速化を図ってもよい。そして、近接効果補正が行われたＦＳＣデータ（補正データ）は、第２切出部３４ｅに供給される。

第２切出部３４ｅは、各荷電粒子線によって描画される描画領域４０がＦＳＣ領域４２から切り出されるように、近接効果補正部３４ｄから供給されたＦＳＣデータ（補正データ）から描画領域４０に対応するフィールドデータを切り出す。そして、切り出されたフィールドデータはブランキング制御部３５に供給され、ブランキング制御部３５は、フィールドデータに基づいてブランキング偏向器１７を制御する。

上述したように、第１実施形態の描画装置１００では、周辺領域４１が付け加えられたＦＳＣ領域４２に対応するＦＳＣデータを描画データから切り出しており、幾何学的補正の後にＦＳＣデータに対して近接効果補正を行っている。このような構成にした第１実施形態の描画装置１００では、各領域の境界における補正残渣を少なくすることができ、更に、近接効果補正の効果が幾何学的補正によって阻害されることを少なくすることができる。最後に、周辺領域４１が付け加えられたＦＳＣ領域４２に対応するＦＳＣデータに対して近接効果補正を行う効果、及び幾何学的補正の後に近接効果補正を行う効果について説明する。

まず、周辺領域４１が描画領域４０に付け加えられたＦＳＣ領域４２に対応するＦＳＣデータを切り出し、ＦＳＣデータに対して近接効果補正をする効果について説明する。図７は、周辺領域４１の有無における補正残渣の結果を示す図である。図７（ａ）は描画領域４０に周辺領域４１を付け加えない場合であり、図７（ｂ）は描画領域４０に周辺領域４１を付け加えた場合（幅Ｗを２画素とした場合）である。補正残渣４３は、ショット領域内の各ＦＳＣ領域４２に対してそれぞれ近接効果補正を行った結果から、ショット領域を一括して近接効果補正を行った結果を差し引いて算出した。図中の白い部分が補正残渣４３を示している。算出した結果、図７（ａ）の周辺領域４１を付け加えない場合では補正残渣４３が見られるのに対し、図７（ｂ）の周辺領域４１を付け加えた場合では補正残渣４３は殆どなくなり、大幅に改善していることがわかる。また、周辺領域４１を付け加えたときのデータ量は、周辺領域４１を付け加えないときのデータ量に比べて１．４割程度増加しただけである。このことから、わずかなデータ量の増加だけで、近接効果補正の補正残渣４３を十分に抑えられることが分かる。

次に、幾何学的補正の後に近接効果補正を行う効果について説明する。図８は、中心の１画素を描画領域４０とし、周辺領域４１の幅Ｗを１画素としたＦＳＣ領域４２（３×３画素）において、ＦＳＣ領域４２を幾何学的補正と近接効果補正との順番を変えて補正した結果を示す図である。各画素は、荷電粒子線の照射量に対応するように色分けされている。図８（ａ）は補正を行う前の描画データであり、図８（ｂ）は近接効果補正をした後に幾何学的補正をした時の描画データ、並びに図８（ｃ）は幾何学的補正をした後に近接効果補正をした時の描画データ（本発明に相当）である。なお、幾何学的補正の処理内容としては、０．１画素分だけシフトさせているだけである。図８（ｂ）では、補正処理を行う前の描画データを示す図８（ａ）とほとんど変わらないのに対し、図８（ｃ）では、周辺領域４１の補正が十分に行われていることが分かる。そして、図８（ｂ）に示す描画データと図８（ｃ）に示す描画データとの差を算出すると（図８（ｄ）参照）、その差は最大照射量（１２７）の半分に及んでいる。即ち、若干量の幾何学的補正でも、近接効果補正の後に行ってしまうと、近接効果補正の効果を大幅に阻害してしまう。このことから、幾何学的補正の後に近接効果補正を行う第１実施形態の描画装置１００では、近接効果補正の効果を十分に発揮することが可能である。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims

荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記描画を制御するための描画データを補正する補正部と、
前記補正部によって補正されたデータに基づいて荷電粒子線によって描画を行う描画部と、
を含み、
前記補正部は、前記基板上の目標領域に対する描画領域の重ね合わせのための幾何学的補正を前記描画データに対して行った後に、当該補正された描画データに対して近接効果補正を行うことを特徴とする描画装置。
前記描画部は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行い、
前記補正部は、前記基板上のショット領域から切り出された複数の領域における各領域に対して近接効果補正を行い、
前記各領域は、１つの荷電粒子線によって描画が行われる描画領域と、それを取り囲む周辺領域とを含むことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
前記描画部は、前記補正部によって近接効果補正が行われた前記各領域における前記描画領域の描画データに基づいて描画を行うことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
前記周辺領域の幅は、前記荷電粒子線の前方散乱によるエネルギー分布の半値半幅であることを特徴とする請求項２又は３に記載の描画装置。
前記周辺領域の幅は、前記荷電粒子線の前方散乱によるエネルギー分布においてエネルギーが閾値以上となる全幅の半分であることを特徴とする請求項２又は３に記載の描画装置。
前記描画部は、前記荷電粒子線のブランキングを行う偏向器を含み、
前記描画データは、前記偏向器を制御するためのデータであることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の描画装置。
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。