JP6316052B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 Download PDF

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Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、描画データの転送処理を描画処理の進行に合わせてリアルタイムに行なう描画装置および方法に関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子ビーム(EB:Electron beam)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
図9は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子ビーム描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
電子ビーム描画装置では、外部から入力された描画データを所定の計算領域毎に複数の計算機に振り分け、複数の計算機で並列的にデータ変換処理することで、データ変換処理時間を短縮することが行われている(例えば、特許文献1参照)。並列にデータ変換処理されたデータは、転送処理装置に一度入力され、描画順に偏向制御用の回路へと転送される。そして、かかるデータに沿ってビーム偏向量が決定され、偏向されたビームが試料へと照射される。
特開2008−218767号公報
描画装置では、偏向制御回路へのデータ転送を滞りなく行い、描画処理をスムーズに進めることが求められる。しかし、転送処理装置から偏向制御回路へのデータ転送が間に合わず、描画中にその描画領域のデータが途切れると、描画処理が一旦停止してしまう。電子ビーム描画装置では、ステージが移動しながら描画を行う場合、描画用のデータが間に合わず、描画処理が一旦停止してしまうと、ステージ位置を描画が正確に行われた位置まで戻して、さらに、描画用データが届いてから再度開始されることになる。そのため、かかる停止動作が入ると、その復旧のために時間が費やされ、描画時間が長くなってしまうといった問題があった。
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、偏向制御回路へのデータ転送を滞りなく行い、描画処理をスムーズに進めることが可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
試料の描画領域が複数の処理領域に仮想分割された処理領域毎に描画データを並列にデータ変換処理する複数の変換処理部と、
データ変換処理された処理領域の処理データを一部ずつn個の分割処理データとして順に入力すると共に、第n番目の分割処理データを入力しながら、第n−1番目の分割処理データを転送するようにn個の分割処理データを順に転送する転送部と、
順に転送された分割処理データに沿って、荷電粒子ビームを偏向する偏向量を制御する偏向制御回路と、
偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向することによって、試料にパターンを描画する描画部と、
を備え
前記複数の変換処理部の1つの変換処理部によってデータ変換処理された1つの処理領域分の処理データが、前記n個の分割処理データに分割されることを特徴とする。
また、n個の分割処理データの入力処理と転送処理は、描画順にパイプライン処理によって実行されると好適である。
また、描画部は、荷電粒子ビームを試料に偏向する偏向器を有し、
処理領域内には、偏向器にて偏向可能な複数のサブフィールドが設定され、
処理データは、サブフィールド毎に、当該サブフィールド内のショット数が定義され、
転送部は、処理領域中のいずれかのサブフィールドの途中で分割された分割処理データについて、当該分割処理データにおける分割されたサブフィールドに定義されたショット数を、分割によって当該分割処理データに割り当てられたショットのショット数に書き換えるように構成すると好適である。
また、転送部は、複数の処理領域がデータ転送順に並べて定義された転送順リストを入力し、
転送部は、入力処理を開始する処理領域が転送順リストの先頭に位置する場合に、当該処理領域の処理データをn個の分割処理データとして順に入力すると共に、順に転送するように構成すると好適である。
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
複数の変換処理部が、試料の描画領域が複数の処理領域に仮想分割された処理領域毎に描画データを並列にデータ変換処理する工程と、
データ変換処理された処理領域の処理データを一部ずつn個の分割処理データとして順に入力すると共に、第n番目の分割処理データを入力しながら、第n−1番目の分割処理データを転送するようにn個の分割処理データを順に偏向制御回路へ転送する工程と、
偏向制御回路が、順に転送されてきた分割処理データに沿って、荷電粒子ビームを偏向する偏向量を演算する工程と、
偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向することによって、試料にパターンを描画する工程と、
を備え
前記複数の変換処理部の1つの変換処理部によってデータ変換処理された1つの処理領域分の処理データが、前記n個の分割処理データに分割されることを特徴とする。
本発明の一態様によれば、偏向制御回路へのデータ転送を滞りなく行うことができる。よって、描画処理をスムーズに進めることができる。
実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態1における各領域を説明するための概念図である。 実施の形態1におけるデータ転送の仕組みを説明するためのタイムチャート図である。 実施の形態1におけるデータ転送の仕組みを説明するためのフローチャート図である。 実施の形態1における転送順リストの一例を示す図である。 実施の形態1における管理部の動作フローの要部工程を示す図である。 実施の形態1における入力部の動作フローの要部工程を示す図である。 実施の形態1における転送部の動作フローの要部工程を示す図である。 可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
制御部160は、複数の制御計算機ユニット110a〜n(データ変換部)、データ転送計算機ユニット120、偏向制御回路130(偏向演算ユニット)、制御回路132、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140を有している。複数の制御計算機ユニット110a〜n、データ転送計算機ユニット120、偏向制御回路130、制御回路132、及び記憶装置140は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
複数の制御計算機ユニット110a〜n内には、それぞれ、複数のCPU及び複数のメモリが配置されている。
データ転送計算機ユニット120(転送部の一例)内には、入力部34、バッファメモリ30、転送部32、転送デバイス38、及び管理部36が配置される。入力部34、転送部32、及び管理部36といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。入力部34、転送部32、及び管理部36に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。
偏向制御回路130内には、バッファメモリ40及び偏向量演算部42が配置される。偏向量演算部42といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。偏向量演算部42に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。
ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器208と副偏向器209の主副2段の多段偏向器を用いているが、1段の偏向器或いは3段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。
記憶装置140には、複数の図形パターンの位置およびサイズ等が定義された描画データが外部から入力され、記憶される。
図2は、実施の形態1における各領域を説明するための概念図である。図2において、試料101の描画領域10は、x方向或いはy方向に主偏向器208で偏向可能な幅で短冊状の複数のストライプ領域20に仮想分割される。また、各ストライプ領域20は、ブロック状の複数の計算処理単位領域(DPB)31(処理領域の一例)に分けられる。
図3は、実施の形態1におけるデータ転送の仕組みを説明するためのタイムチャート図である。図3(a)では、実施の形態1の比較例として、DPB31単位でデータ転送する場合を示している。図3(a)に示すように、比較例では、データ変換部となる制御計算機ユニット110で1つのDPB31のデータ変換処理が実行される。具体的には、制御計算機ユニット110内のCPUは、記憶装置140からDPB領域31単位で対応する描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。そして、データ変換処理を行った当該DPB領域31のショットデータは、DPB領域31単位でまとめてデータ転送計算機ユニット120に出力される。
その後、データ転送計算機ユニット120では、入力した当該DPB領域31のショットデータをDPB領域31単位でまとめて偏向制御回路130に出力する。偏向制御回路130では、DPB領域31単位でのショットデータの転送完了を待って、描画処理を開始することになる。このように、比較例では、1つのDPB領域31のショットデータ全体が偏向制御回路130に届くまで、描画処理を開始できないことになる。よって、転送処理が遅れ、1つ前に描画処理を行っていたDPB領域の描画処理が完了する前に今回のDPB領域31のショットデータ全体の転送が完了していないと、描画処理が一旦停止してしまうことになる。描画装置100では、XYステージ105が例えば連続移動しながら描画を行う場合、次のDPB領域31のショットデータが間に合わないと、描画処理が一旦停止してしまう。
しかし、XYステージ105を瞬時に停止させることは困難であるので、ステージ位置が予定する位置からずれてしまうことになる。よって、描画処理が一旦停止してしまうと、ステージ位置を描画が正確に行われた位置まで戻して、さらに、次のDPB領域31のショットデータが偏向制御回路130に届くのを待って再度開始されることになる。そのため、かかる停止動作が入ると、その復旧のために時間が費やされ、描画時間が長くなってしまうといった問題があった。
そこで、実施の形態1では、図3(b)に示すように、DPB領域31単位でデータ転送を行うのではなく、データ変換処理を行ったDPB領域31内のショットデータを複数の分割処理データに分割する。例えば、所定のデータ容量毎に分割する。図3(b)の例では、1つのDPB領域31のショットデータを描画順に1〜5の5つの分割処理データに分割する場合を示している。分割数は、5つに限るものではなく、複数の分割処理データであれば、5つよりも少なくても多くても構わない。
データ転送計算機ユニット120では、データ変換処理されたDPB領域31のショットデータを一部ずつn個の分割処理データとして順に入力する。図3(b)の例では、描画順に1〜5の5つの分割処理データを順に入力する。そして、図3(b)の例では、データ転送計算機ユニット120が1番目の分割処理データをまず入力する(時間帯t1)。次に、2番目の分割処理データを入力しながら、1番目の分割処理データを偏向制御回路130に転送する(時間帯t2)。次に、データ転送計算機ユニット120が3番目の分割処理データを入力しながら、2番目の分割処理データを偏向制御回路130に転送する(時間帯t3)。次に、データ転送計算機ユニット120が4番目の分割処理データを入力しながら、3番目の分割処理データを偏向制御回路130に転送する(時間帯t4)。このように、データ転送計算機ユニット120では、第n番目の分割処理データを入力しながら、第n−1番目の分割処理データを偏向制御回路130に転送する(時間帯tn)。言い換えれば、n個の分割処理データの入力処理と転送処理は、描画順にパイプライン処理によって実行される。なお、時間帯1〜6は、順に並ぶ時間帯を示す。
以上のようにして、n個の分割処理データを順に転送する。これにより、時間帯t2経過後には偏向制御回路130への1番目の分割処理データの転送が完了する。そして、その後の時間帯t3経過後には偏向制御回路130への2番目の分割処理データの転送が完了する。・・・そして、時間帯t後の時間帯tn+1経過後には偏向制御回路130へのn番目の分割処理データの転送が完了する。但し、制御計算機ユニット110からデータ転送計算機ユニット120への分割処理データの転送時間(データ転送計算機ユニット120の入力時間)よりもデータ転送計算機ユニット120から偏向制御回路130への分割処理データの転送時間(データ転送計算機ユニット120の転送時間)の方が長い場合、データ転送計算機ユニット120の転送処理は、前の転送処理が終了後に行えばよい。
比較例では、図3(a)に示すように、図3(b)における時間帯t6経過後(時刻T2)まで描画処理を開始することが困難であったが、実施の形態1では、データ分割により1番目の分割処理データが偏向制御回路130に届いた時間帯t2経過後(時刻T1)には描画処理を開始できる。よって、時刻T1と時刻T2の差分ΔTだけ描画処理を速く開始できる。よって、比較例のようにデータ転送待ちによる描画処理の停止を無くす、或いは低減できる。以下、動作内容を具体的に説明する。
図4は、実施の形態1におけるデータ転送の仕組みを説明するためのフローチャート図である。
データ変換工程において、複数の制御計算機ユニット110a〜n(データ変換部或いは変換処理部の一例)は、試料101の描画領域10が複数のDPB領域31(処理領域)に仮想分割されたDPB領域31毎に描画データを並列にデータ変換処理する。複数の制御計算機ユニット110a〜n内の各CPUは、それぞれ、記憶装置140からDPB領域31単位で対応する描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。このように、並列にデータ処理を行うことで、高速にデータ処理を行うことができる。描画装置100で図形パターンを描画するためには、1回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、複数の制御計算機ユニット110a〜n内の各CPUは、描画データが示す図形パターンを1回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、照射位置、及び照射量といった図形データが定義される。ここで、実施の形態1では、さらに、各ショットデータに描画順序を示す描画順番情報をヘッダに定義する。
各ショットデータでは、そのヘッダに描画順番情報が示される。例えば、DPB情報が定義される。かかるDPB情報によって、描画順序が示される。例えば、ストライプ領域20毎にDPB情報が定義される場合には、さらに、ストライプ領域情報も定義される。DPB情報として、例えば、DPB領域のID(識別子、或いはアドレス)を用いると好適である。そして、例えば、DPB領域IDが示す位置が若い順のDPB毎に描画処理は進められる。或いは、例えば、ストライプ領域毎にIDが示す位置がストライプ領域の描画開始位置に近い順のDPB毎に描画処理は進められる。或いは、単に、複数のDPBに対して、それぞれのDPBの描画処理順にあたる番号が定義されてもよい。
そして、ヘッダの後に、例えば、図形種、図形サイズ、照射位置、及び照射量といった図形データが定義される。各制御計算機ユニット110a〜n内の各CPUで計算されたショットデータは、各CPUに対応するメモリに記憶される。
データ生成完通知送信工程として、各制御計算機ユニット110a〜n内にて、担当したDPB領域31内のデータ変換処理が完了すると、各制御計算機ユニット110a〜nからデータ生成完通知が制御回路132に送信される。
転送順リスト作成工程として、制御回路132内では、各制御計算機ユニット110a〜nからのデータ生成完通知の入力を受けて、転送順リストを作成する。
図5は、実施の形態1における転送順リストの一例を示す図である。転送順リストには、DPB領域IDとかかるIDのDPB領域31のデータ変換処理をおこなった制御計算機ユニット110a〜nの識別子(ID)が定義される。DPB領域IDには、試料101の描画領域10全体での通しID、かかるDPB領域31が所属するストライプ領域20の番号、及びかかるストライプ領域20単位でのかかるDPB領域31の通しIDが定義される。図5の例では、描画領域10全体での通しIDが「31」、所属ストライプ領域IDが「1」、そして、IDが1のストライプ領域20における通しIDが「2」であるDPB領域31内のショットデータがリストの先頭に定義されていることが示されている。そして、かかるDPB領域31内のデータ変換処理をおこなった制御計算機ユニット110のIDが「A」であることが示されている。同様に、リスト2番目のDPB領域は、描画領域10全体での通しIDが「32」、所属ストライプ領域IDが「1」、そして、IDが1のストライプ領域20における通しIDが「2」であることが示され、データ変換処理をおこなった制御計算機ユニット110のIDが「B」であることが示されている。同様に、リスト3番目のDPB領域は、描画領域10全体での通しIDが「33」、所属ストライプ領域IDが「1」、そして、IDが1のストライプ領域20における通しIDが「2」であることが示され、データ変換処理をおこなった制御計算機ユニット110のIDが「C」であることが示されている。図5の例では、描画領域10全体での通しIDが「31」〜「33」の連続する3つのDPB領域31がリストに挙げられている。
転送順リストでは、描画順にDPB領域31が並べられる。まだ、転送順リストに挙げられていなかった描画領域10全体での通しIDが「31」以降のDPB領域のうち、通しIDが「32」以降のDPB領域のデータ生成完通知が制御回路132に送信された場合でも、通しIDが「31」のDPB領域のデータ生成完通知が制御回路132に届くまでは転送順リストに記載されない。逆に、通しIDが「32」以降のDPB領域のデータ生成完通知が制御回路132に送信されてなく、通しIDが「31」のDPB領域のデータ生成完通知だけが制御回路132に届いている場合には、通しIDが「31」のDPB領域ただ1つだけが定義された転送順リストが作成される。作成された転送順リストは、制御回路132からデータ転送計算機ユニット120内の管理部36に送信される。
入力(取込)要求工程として、管理部36は、入力部34にデータ入力を要求する。具体的には、以下のように動作する。
図6は、実施の形態1における管理部の動作フローの要部工程を示す図である。
取込要求リスト追加工程(S106)として、管理部36の図示しない追加処理機能部は、転送順リストを入力した場合、取込要求リストに転送順リストに示されたDPB情報を追加する。取込要求リストの内容は、図5に示した転送順リストの内容と同様で構わない。取込要求リストでは、転送順リストと同様、描画順にリスト化される。
転送要求リスト追加工程(S108)として、管理部36の図示しない追加処理機能部は、転送順リストを入力した場合、転送部32が独自に有する別の転送順リスト(転送要求リスト)に入力された転送順リストに示されたDPB情報を追加する。転送要求リストの内容は、図5に示した転送順リストの内容と同様で構わない。具体的には、例えば、制御回路132から1回目の転送順リストが管理部36に送信された場合、転送部32が独自に有する別の転送順リストは、制御回路132から送信された1回目の転送順リストと同じ内容になる。そして、1回目の転送順リストに定義されたDPBの転送が完了する前に、例えば、制御回路132から2回目の転送順リストが管理部36に送信された場合、転送部32が独自に有する別の転送順リストは、現在の別の転送順リストの後ろに2回目の転送順リストの内容を接続する。これにより、制御回路132から順次送信されてくる転送順リストの内容が、転送部32が独自に有する別の転送順リストに反映される。
取込要求リストにDPB情報が追加されることが、入力部34にデータ入力を要求することになる。そして、入力部34は、以下のように動作する。
図7は、実施の形態1における入力部の動作フローの要部工程を示す図である。まず、判定工程(S202)として、入力部34の図示しない判定機能部は、取込要求リストが空(DPB情報が無い状態)であるかどうかを判定する。取込要求リストが空である場合には、判定工程(S202)に戻る。
判定工程(S204)として、入力部34の図示しない判定機能部は、取込要求リストが空でない場合に、データ取込予定のDPB領域が転送順リストの先頭に定義されているかどうかを判定する。先頭でない場合には、フロー(A)に、先頭である場合にはフロー(B)に進む。フロー(A)とフロー(B)は、図4の点線で囲まれたフローと対応する。すなわち、判定工程(S204)において、フロー(A)とフロー(B)の一方を選択することになる。フロー(A)では、DPB領域のショットデータ全体を一括して転送処理するフローを示す。フロー(B)では、DPB領域のショットデータを複数の分割処理データに分割して、複数の分割処理データを順次、転送処理するフローを示す。まずは、フロー(A)について説明する。
判定工程(S206)として、入力部34の図示しない判定機能部は、バッファメモリ30に当該DPB領域31のショットデータ全体を記憶するだけの空き容量が残っているかどうかを判定する。空き容量が残っていない場合には、判定工程(S206)に戻る。
リスト削除工程(S208)として、入力部34の図示しない削除機能部は、対象DPB領域の情報を取込要求リストから削除する。
取込工程(S210)として、まず、入力部34の図示しない送信機能部は、対象DPB領域のデータ変換を行った制御計算機ユニット110に対して、対象DPB領域のショットデータの送信要求を送信する。対象となる制御計算機ユニット110の識別は、取込要求リスト(或いは転送順リスト)に定義された制御計算機ユニット110のIDから識別可能となる。そして、対象となる制御計算機ユニット110は、入力部34に対象DPB領域のショットデータを送信する。これにより、入力部34の図示しない取込機能部は、対象となる制御計算機ユニット110から対象DPB領域のショットデータを入力する(取り込む)。入力された対象DPB領域のショットデータは、バッファメモリ30に一時的に格納(記憶)される。
登録工程(S212)として、入力部34の図示しない登録機能部は、ショットデータが入力部34に入力された対象DPB領域を取込済DPBとして登録する。
報告工程(S214)として、入力部34の図示しない送信機能部は、管理部36に対象DPB領域のショットデータの取り込みが完了したことを報告する。そして、判定工程(S202)に戻る。そして、取込要求リストが空になるまで、判定工程(S202)以下の各工程を繰り返す。
次に、フロー(B)について説明する。判定工程(S204)においてデータ取込予定のDPB領域が転送順リストの先頭に定義されていると判定される場合、転送部32が、その時点でDPB領域のショットデータを転送していない可能性が高い。よって、DPB領域のショットデータ転送が滞っている可能性が高い。そこで、実施の形態1では、入力部34によって、入力処理を開始するDPB領域が転送順リストの先頭に位置する場合に、当該DPB領域の処理データをn個の分割処理データとして順に入力すると共に、順に転送する。フロー(B)では、転送部32に代わり、入力部34が、偏向制御回路への転送処理も実施する。かかる場合、入力部34は転送部の一例となる。
判定工程(S220)として、入力部34の図示しない判定機能部は、その時点で転送デバイス38が空いているかどうかを判定する。転送デバイス38が使用中で空いていない場合には、判定工程(S206)に進む。転送デバイス38が使用中であれば、DPB領域のショットデータ転送が滞っていないことになるので、あえて分割処理データに分ける必要はない。よって、通常のフロー(A)に戻ればよい。
予約工程(S222)として、入力部34の図示しない予約機能部は、転送デバイス38が空いている場合、これから転送デバイス38を使用するために、転送デバイス予約を行う。
判定工程(S224)として、入力部34の図示しない判定機能部は、バッファメモリ30に当該DPB領域31の分割処理データを記憶するだけの空き容量が残っているかどうかを判定する。空き容量が残っていない場合には、判定工程(S224)に戻る。分割処理データのデータ容量は1つのDPB領域31分のショットデータ全体のデータ容量よりも十分小さいので、ここでの判定閾値は、判定工程(S206)での判定閾値よりも小さくてよい。例えば、少なくとも2つ以上の分割処理データを記憶可能な要領が残っていればよい。
リスト削除工程(S226)として、入力部34の図示しない削除機能部は、対象DPB領域の情報を取込要求リストから削除する。
分割データ取込工程(S228)として、まず、入力部34の図示しない送信機能部は、対象DPB領域のデータ変換を行った制御計算機ユニット110に対して、対象DPB領域のショットデータの第n番目の分割処理データの送信要求を送信する。ここでは、最初なので第1番目の分割処理データの送信要求を送信する。対象となる制御計算機ユニット110の識別は、取込要求リスト(或いは転送順リスト)に定義された制御計算機ユニット110のIDから識別可能となる。そして、対象となる制御計算機ユニット110は、入力部34に対象DPB領域のショットデータの第n番目の分割処理データを送信する。ここでは、最初なので第1番目の分割処理データを送信する。これにより、入力部34の図示しない取込機能部は、対象となる制御計算機ユニット110から対象DPB領域のショットデータの第n番目の分割処理データを入力する(取り込む)。入力された対象DPB領域のショットデータの第n番目の分割処理データは、バッファメモリ30に一時的に格納(記憶)される。
ここで、描画部150は、電子ビーム200を試料101に偏向する主偏向器208及び副偏向器209を有している。DPB領域31内には、主偏向器208及び副偏向器209にて偏向可能なメッシュ状の複数のサブフィールド(SF)が設定される。また、ショットデータ(処理データ)には、サブフィールド毎に、当該サブフィールド内のショット数が定義される。例えば、サブフィールド毎に、サブフィールドヘッダが定義され、サブフィールドヘッダには、当該サブフィールドのアドレスを示すIDおよび当該サブフィールド内にショットされる電子ビームのショット数が定義される。しかし、ショットデータを例えば所望サイズ毎に複数の分割処理データに分割すると、サブフィールドの途中で分割されてしまう場合もある。分割をデータサイズで規定するとサブフィールドの途中で分割されてしまう可能性の方が高いと思われる。よって、サブフィールドの途中で分割された一方の分割処理データには、分割されたサブフィールドのサブフィールドヘッダが定義されるが、分割によって割り当てられたショットのショット数が異なってしまう。また、サブフィールドの途中で分割された他方の分割処理データには、分割されたサブフィールドのサブフィールドヘッダ自体もなく、分割によって割り当てられたショットのショット数も定義されていないデータになる。そこで、かかる不十分なデータ構造に対して、以下のように修正する。
書き換え工程(S230)として、入力部34の図示しない書き換え機能部は、サブフィールドの途中で分割された一方の分割処理データについて、当該分割処理データにおける分割されたサブフィールドに元々定義されていたショット数を、分割によって当該分割処理データに割り当てられたショットのショット数に書き換える。また、入力部34の図示しない書き換え機能部は、次回入力するサブフィールドの途中で分割された他方の分割処理データについて、入力後に、分割されたサブフィールドのサブフィールドヘッダを作成すると共に、作成されたサブフィールドヘッダに、分割によって当該分割処理データに割り当てられたショットのショット数を書き込む(定義する)。かかる処理により、各分割処理データは、分割によって抜けた情報、或いは変更された情報を補正できる。
判定工程(S232)として、入力部34の図示しない判定機能部は、当該DPB領域の全分割処理データを取り込み完了しているかどうかを判定する。まだ、当該DPB領域の全分割処理データのうち、取り込み完了していない分割処理データが有る場合には分割データ取込工程(S228)に戻る。そして、分割データ取込工程(S228)において次の分割処理データの取り込みを実施する。そして、全分割処理データを取り込み完了するまで分割データ取込工程(S228)から判定工程(S232)までの各工程を繰り返す。
登録工程(S234)として、入力部34の図示しない登録機能部は、当該DPB領域の全分割処理データの取り込みが完了した場合に、入力された対象DPB領域を取込済DPBとして登録する。そして、判定工程(S238)に進む。
分割データ転送工程(S236)として、入力部34の図示しない転送機能部は、先に入力した分割処理データを偏向制御回路130に転送する。ここでは、例えば、第1番目の分割処理データの入力が完了し、書き換え工程(S230)が終了したら、直ちに偏向制御回路130に転送開始すると好適である。転送処理は、入力部34の図示しない転送機能部からの制御に基づいて、転送デバイス38が実際には実行する。
判定工程(S238)として、入力部34の図示しない判定機能部は、当該DPB領域の全分割処理データを転送完了しているかどうかを判定する。まだ、当該DPB領域の全分割処理データのうち、転送完了していない分割処理データが有る場合には分割データ転送工程(S236)に戻る。そして、分割データ転送工程(S232)において次の分割処理データの転送を実施する。そして、全分割処理データを転送完了するまで分割データ転送工程(S236)から判定工程(S238)までの各工程を繰り返す。
実施の形態1では、入力部34(ここでは転送部の一例)が、図3において説明したように、データ変換処理されたDPB領域のショットデータを一部ずつn個の分割処理データとして順に入力すると共に、第n番目の分割処理データを入力しながら、第n−1番目の分割処理データを転送するようにn個の分割処理データを順に転送する。
リスト削除工程(S240)として、入力部34の図示しない削除機能部は、対象DPB領域の情報を転送部32が独自に有する転送順リストから削除する。
デバイス開放工程(S242)として、入力部34の図示しない開放機能部は、予約していた転送デバイス38を開放する。
報告工程(S244)として、入力部34の図示しない送信機能部は、制御回路132及び管理部36に対象DPB領域のショットデータの転送が完了したことを報告する。そして、判定工程(S202)に戻る。そして、取込要求リストが空になるまで、判定工程(S202)以下の各工程を繰り返す。
次に転送部32についての動作を説明する。転送部32が独自に有する転送順リストが空でないことが、転送部32にデータ転送を要求することになる。そして、転送部32は、以下のように動作する。
図8は、実施の形態1における転送部の動作フローの要部工程を示す図である。転送部32は、図4のフロー(A)が実行される場合に動作する。まず、判定工程(S302)として、転送部32の図示しない判定機能部は、転送要求リストが空(DPB情報が無い状態)であるかどうかを判定する。転送要求リストが空である場合には、判定工程(S302)に戻る。
判定工程(S304)として、転送部32の図示しない判定機能部は、転送部32が独自に有する転送順リストが空でない場合、転送順リストの先頭に定義されたDPB領域のショットデータがバッファメモリ30に取込済かどうかを判定する。先頭に定義されたDPB領域のショットデータが取込済でない場合、判定工程(S302)に戻る。
判定工程(S306)として、転送部32の図示しない判定機能部は、先頭に定義されたDPB領域のショットデータが取込済である場合、その時点で転送デバイス38が空いているかどうかを判定する。転送デバイス38が使用中で空いていない場合には、判定工程(S302)に戻る。
予約工程(S308)として、転送部32の図示しない予約機能部は、転送デバイス38が空いている場合、これから転送デバイス38を使用するために、転送デバイス予約を行う。
リスト削除工程(S310)として、転送部32の図示しない削除機能部は、対象DPB領域の情報を転送部32が独自に有する転送順リストから削除する。
データ転送工程(S312)として、転送部32の図示しない転送機能部は、転送部32が独自に有する転送順リストの先頭に定義されていて、取込済のDPB領域のショットデータを偏向制御回路130に転送する。転送処理は、転送部32の図示しない転送機能部からの制御に基づいて、転送デバイス38が実際には実行する。
デバイス開放工程(S314)として、転送部32の図示しない開放機能部は、予約していた転送デバイス38を開放する。
報告工程(S316)として、転送部32の図示しない送信機能部は、制御回路132及び管理部36に対象DPB領域のショットデータの転送が完了したことを報告する。そして、判定工程(S302)に戻る。そして、転送部32が独自に有する転送順リストが空になるまで、判定工程(S302)以下の各工程を繰り返す。
以上のように、各DPB領域のショットデータが、DPB領域のショットデータ全体を一括して、或いは、複数の分割処理データに分けて順に、偏向制御回路130内のバッファメモリ40に一時的に格納される。その結果、偏向制御回路130のバッファメモリ40に、滞りなく描画処理順のDPB領域31のショットデータ或いは分割処理データを順次格納することができる。
偏向制御回路130は、順に転送されたショットデータ或いは分割処理データに沿って、電子ビームを偏向する偏向量を制御する。
偏向量演算工程において、偏向量演算部42は、バッファメモリ40から描画順に処理データ(ショットデータ或いは分割処理データ)を読み出し、偏向器205、主偏向器208及び副偏向器209で偏向する偏向量をそれぞれ演算する。そして、各偏向器用のそれぞれ図示しないデジタル・アナログ変換(DAC)アンプユニットに偏向量を示すデジタル信号を出力する。図示しない各DACアンプユニットでは、偏向制御回路130により出力されたデジタル信号をアナログ信号に変換の上、増幅して、偏向器205、主偏向器208、及び副偏向器209といった各偏向器の対応する偏向器にそれぞれ偏向電圧として印加することになる。このように、偏向制御回路130は、データ転送計算機ユニット120から転送されたDPB領域31毎の処理データに沿って、電子ビーム200を偏向する偏向量を制御する。
描画工程において、制御回路132に制御された描画部150は、かかる偏向量に基づいて電子ビーム200を偏向することによって、試料101にパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。
電子銃201(放出部)から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。偏向器205によって、かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる(可変成形させる)ことができる。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、主偏向器208及び副偏向器209によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105に配置された試料101の所望する位置に照射される。図1では、位置偏向に、主副2段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器208で描画領域を仮想分割したサブフィールド(SF)の基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム200を偏向し、副偏向器209でSF内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。
以上のように実施の形態1によれば、偏向制御回路130へのデータ転送を滞りなく行うことができる。よって、描画処理をスムーズに進めることができる。
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
30,40 バッファメモリ
32 転送部
34 入力部
36 管理部
38 転送モジュール
42 偏向量演算部
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
120 データ転送計算機ユニット
130 偏向制御回路
132 制御回路
140 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース

Claims (5)

  1. 試料の描画領域が複数の処理領域に仮想分割された処理領域毎に描画データを並列にデータ変換処理する複数の変換処理部と、
    データ変換処理された処理領域の処理データを一部ずつn個の分割処理データとして順に入力すると共に、第n番目の分割処理データを入力しながら、第n−1番目の分割処理データを転送するように前記n個の分割処理データを順に転送する転送部と、
    順に転送された分割処理データに沿って、荷電粒子ビームを偏向する偏向量を制御する偏向制御回路と、
    前記偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向することによって、試料にパターンを描画する描画部と、
    を備え
    前記複数の変換処理部の1つの変換処理部によってデータ変換処理された1つの処理領域分の処理データが、前記n個の分割処理データに分割されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
  2. 前記n個の分割処理データの入力処理と転送処理は、描画順にパイプライン処理によって実行されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  3. 前記描画部は、荷電粒子ビームを前記試料に偏向する偏向器を有し、
    前記処理領域内には、前記偏向器にて偏向可能な複数のサブフィールドが設定され、
    前記処理データは、サブフィールド毎に、当該サブフィールド内のショット数が定義され、
    前記転送部は、前記処理領域中のいずれかのサブフィールドの途中で分割された分割処理データについて、当該分割処理データにおける分割されたサブフィールドに定義されたショット数を、分割によって当該分割処理データに割り当てられたショットのショット数に書き換えることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  4. 前記転送部は、前記複数の処理領域がデータ転送順に並べて定義された転送順リストを入力し、
    前記転送部は、入力処理を開始する処理領域が前記転送順リストの先頭に位置する場合に、当該処理領域の処理データを前記n個の分割処理データとして順に入力すると共に、順に転送することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  5. 複数の変換処理部が、試料の描画領域が複数の処理領域に仮想分割された処理領域毎に描画データを並列にデータ変換処理する工程と、
    データ変換処理された処理領域の処理データを一部ずつn個の分割処理データとして順に入力すると共に、第n番目の分割処理データを入力しながら、第n−1番目の分割処理データを転送するように前記n個の分割処理データを順に偏向制御回路へ転送する工程と、
    前記偏向制御回路が、順に転送されてきた分割処理データに沿って、荷電粒子ビームを偏向する偏向量を演算する工程と、
    前記偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向することによって、試料にパターンを描画する工程と、
    を備え
    前記複数の変換処理部の1つの変換処理部によってデータ変換処理された1つの処理領域分の処理データが、前記n個の分割処理データに分割されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6547635B2 (ja) * 2016-01-08 2019-07-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6819475B2 (ja) * 2017-06-14 2021-01-27 株式会社ニューフレアテクノロジー データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム
JP2022159786A (ja) * 2021-04-05 2022-10-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07130602A (ja) * 1993-06-24 1995-05-19 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光装置およびその制御方法
JP4751353B2 (ja) 2007-03-06 2011-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5498105B2 (ja) 2009-09-15 2014-05-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5525798B2 (ja) * 2009-11-20 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法
JP5662863B2 (ja) 2011-03-31 2015-02-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5386544B2 (ja) * 2011-06-07 2014-01-15 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法
JP5767033B2 (ja) * 2011-06-13 2015-08-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP5709676B2 (ja) * 2011-07-08 2015-04-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5826566B2 (ja) * 2011-09-01 2015-12-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2013232531A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Canon Inc 描画装置及び物品の製造方法
JP2014039011A (ja) * 2012-07-17 2014-02-27 Canon Inc 描画装置、送信装置、受信装置、および物品の製造方法
JP6295035B2 (ja) * 2013-07-10 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

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