JP6316052B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
試料の描画領域が複数の処理領域に仮想分割された処理領域毎に描画データを並列にデータ変換処理する複数の変換処理部と、
データ変換処理された処理領域の処理データを一部ずつn個の分割処理データとして順に入力すると共に、第n番目の分割処理データを入力しながら、第n−1番目の分割処理データを転送するようにn個の分割処理データを順に転送する転送部と、
順に転送された分割処理データに沿って、荷電粒子ビームを偏向する偏向量を制御する偏向制御回路と、
偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向することによって、試料にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記複数の変換処理部の1つの変換処理部によってデータ変換処理された1つの処理領域分の処理データが、前記n個の分割処理データに分割されることを特徴とする。
処理領域内には、偏向器にて偏向可能な複数のサブフィールドが設定され、
処理データは、サブフィールド毎に、当該サブフィールド内のショット数が定義され、
転送部は、処理領域中のいずれかのサブフィールドの途中で分割された分割処理データについて、当該分割処理データにおける分割されたサブフィールドに定義されたショット数を、分割によって当該分割処理データに割り当てられたショットのショット数に書き換えるように構成すると好適である。
転送部は、入力処理を開始する処理領域が転送順リストの先頭に位置する場合に、当該処理領域の処理データをn個の分割処理データとして順に入力すると共に、順に転送するように構成すると好適である。
複数の変換処理部が、試料の描画領域が複数の処理領域に仮想分割された処理領域毎に描画データを並列にデータ変換処理する工程と、
データ変換処理された処理領域の処理データを一部ずつn個の分割処理データとして順に入力すると共に、第n番目の分割処理データを入力しながら、第n−1番目の分割処理データを転送するようにn個の分割処理データを順に偏向制御回路へ転送する工程と、
偏向制御回路が、順に転送されてきた分割処理データに沿って、荷電粒子ビームを偏向する偏向量を演算する工程と、
偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向することによって、試料にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記複数の変換処理部の1つの変換処理部によってデータ変換処理された1つの処理領域分の処理データが、前記n個の分割処理データに分割されることを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
32 転送部
34 入力部
36 管理部
38 転送モジュール
42 偏向量演算部
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
120 データ転送計算機ユニット
130 偏向制御回路
132 制御回路
140 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 試料の描画領域が複数の処理領域に仮想分割された処理領域毎に描画データを並列にデータ変換処理する複数の変換処理部と、
データ変換処理された処理領域の処理データを一部ずつn個の分割処理データとして順に入力すると共に、第n番目の分割処理データを入力しながら、第n−1番目の分割処理データを転送するように前記n個の分割処理データを順に転送する転送部と、
順に転送された分割処理データに沿って、荷電粒子ビームを偏向する偏向量を制御する偏向制御回路と、
前記偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向することによって、試料にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記複数の変換処理部の1つの変換処理部によってデータ変換処理された1つの処理領域分の処理データが、前記n個の分割処理データに分割されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記n個の分割処理データの入力処理と転送処理は、描画順にパイプライン処理によって実行されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記描画部は、荷電粒子ビームを前記試料に偏向する偏向器を有し、
前記処理領域内には、前記偏向器にて偏向可能な複数のサブフィールドが設定され、
前記処理データは、サブフィールド毎に、当該サブフィールド内のショット数が定義され、
前記転送部は、前記処理領域中のいずれかのサブフィールドの途中で分割された分割処理データについて、当該分割処理データにおける分割されたサブフィールドに定義されたショット数を、分割によって当該分割処理データに割り当てられたショットのショット数に書き換えることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記転送部は、前記複数の処理領域がデータ転送順に並べて定義された転送順リストを入力し、
前記転送部は、入力処理を開始する処理領域が前記転送順リストの先頭に位置する場合に、当該処理領域の処理データを前記n個の分割処理データとして順に入力すると共に、順に転送することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 複数の変換処理部が、試料の描画領域が複数の処理領域に仮想分割された処理領域毎に描画データを並列にデータ変換処理する工程と、
データ変換処理された処理領域の処理データを一部ずつn個の分割処理データとして順に入力すると共に、第n番目の分割処理データを入力しながら、第n−1番目の分割処理データを転送するように前記n個の分割処理データを順に偏向制御回路へ転送する工程と、
前記偏向制御回路が、順に転送されてきた分割処理データに沿って、荷電粒子ビームを偏向する偏向量を演算する工程と、
前記偏向量に基づいて荷電粒子ビームを偏向することによって、試料にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記複数の変換処理部の1つの変換処理部によってデータ変換処理された1つの処理領域分の処理データが、前記n個の分割処理データに分割されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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