JP5566235B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
描画開始前に描画時間を予測すると共に、描画中に改めて描画時間を再予測する描画時間予測部と、
予測された描画時間を用いて荷電粒子ビームの照射量を算出すると共に、描画中に再予測された描画時間を用いて、残りの描画に対する荷電粒子ビームの照射量を算出し直す照射量算出部と、
照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量でレジストが塗布された試料に以降のパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記照射量算出部は、前記再予測された描画時間による描画終了時刻が前記予測された描画時間による描画終了時刻より延びる場合に、照射量を算出し直すことを特徴とする。
判定部は、記憶部に記憶された飽和時間情報を参照して、判定に必要な飽和時間を読み出すと好適である。
描画開始前に描画時間を予測する工程と、
予測された描画時間を用いて荷電粒子ビームの照射量を算出する工程と、
描画中に改めて描画時間を再予測する工程と、
描画中に再予測された描画時間を用いて、残りの描画に対する荷電粒子ビームの照射量を算出し直す工程と、
照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量でレジストが塗布された試料に以降のパターンを描画する工程と、
を備え、
前記再予測された描画時間による描画終了時刻が前記予測された描画時間による描画終了時刻より延びる場合に、照射量を算出し直すことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器(ブランカー)212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、レジストが塗布された描画対象となる試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
D(t)=D0−δD・exp{(t−Te)/Tλ}
51 メモリ
52 描画管理部
54,56,58 判定部
60 描画処理制御部
62 閾値取得部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110,112,114 制御計算機ユニット
120 偏向制御回路
130 DACアンプユニット
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
208 偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 描画開始前に描画時間を予測すると共に、描画中に改めて描画時間を再予測する描画時間予測部と、
予測された描画時間を用いて荷電粒子ビームの照射量を算出すると共に、描画中に再予測された描画時間を用いて、残りの描画に対する荷電粒子ビームの照射量を算出し直す照射量算出部と、
照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量で前記レジストが塗布された試料に以降のパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記照射量算出部は、前記再予測された描画時間による描画終了時刻が前記予測された描画時間による描画終了時刻より延びる場合に、照射量を算出し直すことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 描画後の放置時間によって変化するパターン寸法の変化が飽和する飽和時間を閾値として、前記再予測を行うかどうかを判定する判定部をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 複数のレジスト種の各レジスト種に応じた前記飽和時間が定義された飽和時間情報を記憶する記憶部をさらに備え、
前記判定部は、前記記憶部に記憶された飽和時間情報を参照して、判定に必要な前記飽和時間を読み出すことを特徴とする請求項2記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記判定部は、残りの描画時間が前記閾値よりも短い場合に前記再予測を行うと判定することを特徴とする請求項2又は3記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 描画開始前に描画時間を予測する工程と、
予測された描画時間を用いて荷電粒子ビームの照射量を算出する工程と、
描画中に改めて描画時間を再予測する工程と、
描画中に再予測された描画時間を用いて、残りの描画に対する荷電粒子ビームの照射量を算出し直す工程と、
照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量で前記レジストが塗布された試料に以降のパターンを描画する工程と、
を備え、
前記再予測された描画時間による描画終了時刻が前記予測された描画時間による描画終了時刻より延びる場合に、照射量を算出し直すことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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