TWI837593B - 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法 - Google Patents
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Abstract
本發明的一實施形態，提供一種實現高產出及高描繪精度的帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。
按照本實施形態之帶電粒子束描繪裝置，係藉由偏向器使帶電粒子束偏向而對試料內的複數個偏向位置依序描繪圖樣。此裝置，具備：記憶部，記憶示意前述偏向器的偏向開始起算的經過時間與前述帶電粒子束的擊發位置的位置偏差量之關係的關連性資訊；擊發位置修正部，運用偏向器的安定時間及擊發時間以及前述關連性資訊，取得和圖樣的描繪順序為第n個(n為2以上的整數)的偏向位置對應的第1位置偏差量及和第n-1個的偏向位置對應的第2位置偏差量，將該第1位置偏差量與該第2位置偏差量相加而求出位置修正量，修正擊發位置；及描繪部，運用擊發位置被修正後的擊發資料，對前述第n個偏向位置照射帶電粒子束，描繪圖樣。
Description
本發明有關帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。
[關連申請案]
本申請案以日本專利申請案2021-043761號(申請日：2021年3月17日)為基礎申請案而享受優先權。本申請案藉由參照此基礎申請案而包含基礎申請案的全部的內容。
隨著LSI的高度積體化，對於半導體元件要求之電路線寬正逐年微細化。為了對半導體元件形成期望的電路圖樣，會採用下述手法，即，利用縮小投影型曝光裝置，將形成於石英上之高精度的原圖圖樣縮小轉印至晶圓上。高精度的原圖圖樣之製作，會運用藉由電子束描繪裝置將阻劑曝光而形成圖樣之所謂的電子束微影技術。
電子束描繪裝置，藉由對沿著電子束的光路而配置之偏向器施加規定的電壓，藉此將電子束偏向，對平台上的基板描繪圖樣。當藉由來自DAC(數位類比轉換器)放大器的輸出電壓而驅動偏向器時，必需要和該負載相應的輸出電壓的安定時間(穩定時間)。這裡，若安定時間不足，則電子束的偏向移動量會發生誤差，使描繪精度降低。另一方面，若安定時間太長則產出會降低。因此，需要在不讓描繪精度降低的範圍內盡可能設定短的安定時間。
本發明的一實施形態，提供一種實現高產出及高描繪精度的帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。
按照本發明的一態樣之帶電粒子束描繪裝置，係藉由偏向器使帶電粒子束偏向而對試料內的複數個偏向位置依序描繪圖樣之帶電粒子束描繪裝置，具備：擊發資料生成部，將描繪資料變換成包含帶電粒子束的各擊發位置與擊發時間之擊發資料；記憶部，記憶示意前述偏向器的偏向開始起算的經過時間與前述帶電粒子束的擊發位置的位置偏差量之關係的關連性資訊；擊發位置修正部，運用前述偏向器的安定時間及前述擊發時間以及前述關連性資訊，取得和圖樣的描繪順序為第n個(n為2以上的整數)的偏向位置對應的第1位置偏差量，運用前述偏向開始起算的經過時間以及前述關連性資訊，取得和第n-1個的偏向位置對應的第2位置偏差量，將該第1位置偏差量與該第2位置偏差量相加而求出位置修正量，基於該位置修正量修正該第n個偏向位置的前述擊發資料中定義的擊發位置；及描繪部，運用擊發位置被修正後的擊發資料，對前述第n個偏向位置照射帶電粒子束，描繪圖樣。
以下，實施形態中，說明使用了電子束來作為帶電粒子束的一例之構成。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是離子束等使用了帶電粒子的射束。此外，作為帶電粒子束裝置的一例，說明可變成形型的描繪裝置。
圖1為實施形態中的描繪裝置的構成示意概念圖。圖1中，描繪裝置100具備描繪部150與控制部160。描繪部150，具備電子鏡筒102與描繪室103。在電子鏡筒102內，配置有電子槍201、照明透鏡202、遮沒偏向器(遮沒
器)212、遮沒孔徑214、第1成形孔徑203、投影透鏡204、成形偏向器205、第2成形孔徑206、對物透鏡207、主偏向器208、副偏向器209、及副副偏向器216。
在描繪室103內，配置有至少可於XY方向移動之XY平台105。在XY平台105上，配置著塗布有阻劑之作為描繪對象的試料101(基板)。試料101包括用來製造半導體裝置的曝光用光罩或矽晶圓等。光罩包括光罩底板(mask blanks)。
控制部160，具有控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路120、DAC(數位/類比轉換器)放大器130，132，134，136、138(偏向放大器)、及磁碟裝置等的記憶部140，142。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路120、及記憶部140，142係透過未圖示之匯流排而彼此連接。
在偏向控制電路120連接有DAC放大器130，132，134，136，138。DAC放大器130連接至遮沒偏向器212。DAC放大器132連接至副偏向器209。DAC放大器134連接至主偏向器208。DAC放大器136連接至副副偏向器216。DAC放大器138連接至成形偏向器205。
控制計算機110，具備擊發資料生成部50、擊發位置修正部52、及描繪控制部54。擊發資料生成部50、擊發位置修正部52、及描繪控制部54的各機能，可由軟體構成，亦可由硬體構成。控制計算機110所做的演算結果，會隨時被記憶於記憶體112。
圖2為偏向區域說明用概念圖。圖2中，試料101的描繪區域10，在主偏向器208的可偏向幅度內，例如朝y方向以長條狀被假想分割成複數個條紋區域20。又，在主偏向器208的可偏向幅度內，將條紋區域20朝x方向分割而成之區域，便成為主偏向器208的偏向區域(主偏向區域)。
此主偏向區域，在副偏向器209的可偏向尺寸內，以網目狀被假想分割成複數個子照野(subfield；SF)30。又，各SF30，在副副偏向器216的可偏向尺寸內，以網目狀被假想分割成複數個次子照野(此處使用意指第3偏向之Tertiary Deflection Field的簡稱而記為「TF」。以下同)40。
對各TF40的各擊發位置42描繪擊發圖形。像這樣，藉由將電子束200偏向的3段的偏向器，各偏向區域，各自被偏向的區域尺寸相異而從較大者依序成為主偏向區域、SF30、TF40。
從偏向控制電路120對DAC放大器130，輸出遮沒控制用之數位訊號。DAC放大器130中，將數位訊號變換為類比訊號，並將其放大後，施加至遮沒偏向器212以作為偏向電壓。藉由此偏向電壓，電子束200會被偏向，進行各擊發的遮沒控制。
從偏向控制電路120對DAC放大器138，輸出成形偏向用之數位訊號。DAC放大器138中，將數位訊號變換為類比訊號，並將其放大後，施加至偏向器205以作為偏向電壓。藉由此偏向電壓，電子束200被偏向至第2成形孔徑206的特定的位置，形成期望的尺寸及形狀之電子束。
從偏向控制電路120對DAC放大器134，輸出主偏向控制用之數位訊號。DAC放大器134，將數位訊號變換為類比訊號，並將其放大後，施加至主偏向器208以作為偏向電壓。藉由此偏向電壓，電子束200會被偏向，各擊發的射束會偏向至以網目狀被假想分割之規定的子照野(SF)的基準位置A(例如該SF的中心位置或左下角位置等)。此外，當XY平台105一面連續移動一面描繪的情形下，該偏向電壓中，還包含跟隨平台移動之追蹤用的偏向電壓。
從偏向控制電路120對DAC放大器132，輸出副偏向控制用之數位訊號。DAC放大器132，將數位訊號變換為類比訊號，並將其放大後，施加至副偏向器209以作為偏向電壓。藉由此偏向電壓，電子束200會被偏向，各擊發的射束會偏向至作為最小偏向區域的TF40的基準位置B(例如該TF的中心位置或左下角位置等)。
從偏向控制電路120對DAC放大器136，輸出副副偏向控制用之數位訊號。DAC放大器136，將數位訊號變換為類比訊號，並將其放大後，施加至副副偏向器216以作為偏向電壓。藉由此偏向電壓，電子束200受到偏向，各擊發的射束被偏向至TF40內的各擊發位置42。
描繪裝置100中，使用複數段的偏向器，對每一條紋區域20逐漸進行描繪處理。此處，作為一例，係使用主偏向器208、副偏向器209、及副副偏向器216這樣的3段偏向器。XY平台105例如一面朝向-x方向連續移動，一面針對第1個條紋區域20朝向x方向逐漸進行描繪。然後，第1個條紋區域20的描繪結束後，同樣地，或朝向反方向逐漸進行第2個條紋區域20之描繪。以後，同樣地推進第3個以後的條紋區域20之描繪。
主偏向器208，以跟隨XY平台105的移動之方式，將電子束200依序偏向至SF30的基準位置A。此外，副偏向器209，將電子束200依序從各SF30的基準位置A偏向至TF40的基準位置B。然後，副副偏向器216，將電子束200從各TF40的基準位置B偏向至照射於該TF40內之射束的擊發位置42。
像這樣，主偏向器208、副偏向器209、及副副偏向器216能夠控制的偏向量相異，具有不同尺寸的偏向區域。TF40以複數段的偏向器當中的最小的偏向量受到控制，而成為該些偏向器所致之偏向區域當中的最小偏向區域。
如上述般，對各偏向器供給來自DAC放大器的輸出電壓。藉由來自DAC放大器的輸出電壓而驅動偏向器時，會設定安定時間(穩定時間)，於經過設定好的安定時間後對偏向位置照射射束。安定時間愈長則偏向量的誤差愈小，但產出會劣化。
圖3示意對副偏向器209施加偏向電壓起算的經過時間(偏向開始起算的經過時間)與副偏向器209的偏向量的誤差(安定錯誤)之關係的例子。在安定錯誤小的範圍中，能夠假定安定錯誤為線形變化。此例中，假設經過30ns以後的安定錯誤的變化為線形。
當將安定錯誤成為0的時間訂為A、經過30ns時的安定錯誤訂為B的情形下，30ns以後的經過時間t下的副偏向器209的安定錯誤S
0(t)，例如能夠藉由以下的式(1)表示。
圖4A示意當於時刻T1偏向開始，將射束偏向至某一TF40(第1個TF40)的基準位置的情形下之安定錯誤的經時變化。當將安定時間訂為STL
1、此TF40內的合計擊發時間訂為Shot
1的情形下，此TF40內的安定錯誤，能夠視為以偏向開始時刻T1為基準而經過了STL
1+Shot
1/2時的安定錯誤E1。STL
1+Shot
1/2，為正在擊發的時間的中間(正中間)的時刻。第1個的TF40內的安定錯誤X
1，例如能夠運用以下的式(2)而藉由式(3)表示。
上述的式的△Xi為副偏向器209的偏向量。Ai、Bi取決於副偏向器209的偏向量△Xi，因此運用參數GAINA、OFFSETA、GAINB、OFFSETB而以一次的式表示。參數GAINA、OFFSETA、GAINB、OFFSETB，例如能夠對評估基板一面改變安定時間及擊發時間的條件一面描繪複數個評估圖樣，而以所有的條件下的描繪結果與計算值之差分(差分的3σ)的平方和成為最小之方式來決定。
圖4B示意當於時刻T2將射束偏向至下一個TF40(第2個TF40)的基準位置的情形下之安定錯誤的經時變化。當將安定時間訂為STL2、此TF40內的合計擊發時間訂為Shot2的情形下，此TF40內的安定錯誤，會成為以時刻T2為基準而經過了STL2+Shot2/2時的安定錯誤E2與以時刻T1為基準而經過了STL1+Shot1+STL2+Shot2/2時的安定錯誤R1之合計。
以時刻T1為基準而經過了STL1+Shot1+STL2+Shot2/2時的安定錯誤R1，為第1個TF40中的安定錯誤的殘差。第2個TF40內的安定錯誤X2藉由以下的式(4)表示。
像這樣，不僅是擊發射束的TF40中的安定錯誤，還會加上過去擊發射束的TF40中的安定錯誤的殘差，藉此能夠正確地估算射束偏向位置的偏差。
例如，於對第n個TF40擊發射束時，當考量過去6個份的TF40亦即第n-1個~第n-6個TF40中的安定錯誤的殘差的影響的情形下，安定錯誤Xn藉由以下的式(5)表示。
用來算出這樣的安定錯誤所造成的位置偏差量之計算式(2)的資料，事前記憶於記憶部142。另，用來求出位置偏差量的關連性資訊不限定於計算式，只要是示意用來求出位置偏差量的經過時間與位置偏差量之關係的資訊即可。
圖5為說明按照本實施形態之描繪方法的流程圖。擊發資料生成工程(步驟S101)中，擊發資料生成部50，對於記憶部140中存儲的描繪資料，進行複數段的資料變換處理，將作為描繪對象之各圖形圖樣分割成以1次的擊發可照射之尺寸的擊發圖形，而生成成為描繪裝置固有的格式之擊發資料。作為擊發資料，對每一擊發例如定義示意各擊發圖形的圖形種類之圖形代碼、圖形尺寸、及描繪位置等。
擊發時間/安定時間算出工程(步驟S102)中，描繪控制部54從各擊發的擊發資料算出每一TF40的擊發時間Shot。此外，描繪控制部54，對每一TF40求出副偏向器209所致之往基準位置的偏向量，基於偏向量算出DAC放大器132的安定時間STL。設計成若副偏向器209的偏向量愈大、DAC放大器132的輸出電壓愈大，則安定時間STL愈長。例如，事前準備副偏向器209的偏向量與較佳的安定時間之關係式，運用此式算出安定時間。
位置偏差量算出工程(步驟S103)中，擊發位置修正部52，針對SF30內的複數個TF40的各者算出安定錯誤所致之擊發的位置偏差量。擊發位置修正部52，將和第n個TF40對應的副偏向器209的偏向量、安定時間及擊發時間，與和第n-1個~第n-k個(k為1以上的整數)TF40的各者對應的副偏向器209的偏向量及對副偏向器209施加電壓而偏向開始起算的經過時間，代入至從記憶部142取出的計算式，將它們相加而算出第n個TF40中的擊發的位置偏差量。
例如，當考量過去6個份的TF40的安定錯誤的殘差的影響的情形下，將和第n個TF40對應的副偏向器209的偏向量、安定時間及擊發時間代入至計算式而得之值、與和第n-1個~第n-6個TF40的各者對應的副偏向器209的偏向量及對副偏向器209施加電壓而偏向開始起算的經過時間代入至計算式而得之值相加，算出第n個TF40中的擊發位置偏差量。
位置修正工程(步驟S104)中，擊發位置修正部52，求出從各擊發的設計上的描繪位置座標減去步驟S103中算出的此擊發隸屬的TF40的擊發位置偏差量而得之位置，作為修正後的描繪位置。
描繪工程(步驟S105)中，運用藉由擊發位置修正部52而擊發位置被修正後的擊發資料進行描繪處理。描繪控制部54，對每一擊發，將修正後的描繪位置輸出至偏向控制電路120。偏向控制電路120，演算用來描繪至修正後的位置之偏向資料。
偏向控制電路120，將必要的照射量份的照射時間之偏向資料輸出至遮沒偏向器212用的DAC放大器130。偏向控制電路120，將偏向資料輸出至主偏向器208用的DAC放大器134，以使射束跟隨XY平台105的移動。偏向控制電路120，將偏向資料輸出至把射束偏向往SF30內的相對位置之副偏向器209用的DAC放大器132。偏向控制電路120，將偏向資料輸出至把射束偏向往TF40內的相對位置之副副偏向器216用的DAC放大器136。此外，偏向控制電路120，將偏向資料輸出至成形偏向器205用的DAC放大器138，以使射束成為期望的形狀。
從電子槍201(放出部)放出的電子束200，當通過遮沒偏向器212內時，藉由遮沒偏向器212而例如在射束ON的狀態下通過遮沒孔徑214，在射束OFF的狀態被偏向而使得射束全體被遮沒孔徑214遮蔽。從射束OFF的狀態變為射束ON，其後再變為射束OFF為止前通過了遮沒孔徑214的電子束200，便成為1次電子束的擊發。
藉由通過遮沒偏向器212及遮沒孔徑214而生成之各擊發的電子束200，會藉由照明透鏡202而對具有矩形的孔之第1成形孔徑203全體做照明。此處，係將電子束200先成形為矩形。
通過了第1成形孔徑203的第1孔徑像之電子束200，會藉由投影透鏡204而被投影至第2成形孔徑206上。藉由成形偏向器205，第2成形孔徑206上的第1孔徑像受到偏向控制，而能夠令射束形狀及尺寸變化(進行可變成形)。這樣的可變成形會對每一擊發進行，對於每一擊發能夠成形為不同的射束形狀與尺寸。
通過了第2成形孔徑206的第2孔徑像之電子束200，會藉由對物透鏡207而將焦點對合，藉由主偏向器208、副偏向器209及副副偏向器216而被偏向，照射至連續性移動的XY平台105上配置之試料101的期望的位置。像以上這樣，藉由各偏向器，電子束200的複數個擊發會依序被偏向至作為基板之試料101上。
如上述般，按照本實施形態，不僅是進行擊發的TF40中的安定錯誤，還考量擊發完畢的TF40的安定錯誤的殘差來求出擊發位置的偏差量，而將此偏差量從設計上的描繪位置座標扣除來修正描繪位置。藉此，能夠縮短可設定的安定時間，使產出提升，並且實現高描繪精度。
上述實施形態中，雖說明了於1個SF30內算出第n個TF40的安定錯誤所致之擊發位置偏差量時，考量第n-1個~第n-k個TF40的安定錯誤的殘差的例子，但"k"的值可為固定亦可為可變。例如，亦可考量同一SF30內的擊發完畢的所有TF40的安定錯誤的殘差。
例如，當1個SF30內包含225個(=15×15)TF40的情形下，於算出第5個TF40的安定錯誤所致之擊發位置偏差量時，會考量第1個~第4個TF40的安定錯誤的殘差。於算出第20個TF40的安定錯誤所致之擊發位置偏差量時，會考量第1個~第19個TF40的安定錯誤的殘差。於算出第225個TF40的安定錯誤所致之擊發位置偏差量時，會考量第1個~第224個TF40的安定錯誤的殘差。隨著在1個SF30內的描繪處理的進行，用來算出擊發位置偏差量的計算量會逐漸增加，但能夠更加精度良好地求出擊發位置偏差量。
藉由和上述實施形態同樣的手法，於1個主偏向區域內算出第n個SF30的安定錯誤所致之擊發位置偏差量時，亦可考量第n-1個~第n-k個SF30的安定錯誤的殘差。
另，本發明並不限定於上述實施形態本身，於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外，藉由將上述實施形態中揭示之複數個構成要素予以適當組合，能夠形成種種發明。例如，亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又，亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。
50:擊發資料生成部
52:擊發位置修正部
54:描繪控制部
100:描繪裝置
110:控制計算機
150:描繪部
160:控制部
208:主偏向器
209:副偏向器
216:副副偏向器
[圖1]為按照本發明的實施形態之描繪裝置的概略構成圖。
[圖2]為說明偏向區域的概念圖。
[圖3]為示意安定錯誤的經時變化的例子的圖表。
[圖4A]為示意第1個的偏向區域(TF)中的安定錯誤的經時變化的圖表，[圖4B]為示意第2個的偏向區域(TF)中的安定錯誤的經時變化的圖表。
[圖5]為說明按照同實施形態之描繪方法的流程圖。
50:擊發資料生成部
52:擊發位置修正部
54:描繪控制部
100:描繪裝置
101:試料
102:電子鏡筒
103:描繪室
105:XY平台
110:控制計算機
112:記憶體
120:偏向控制電路
130:DAC放大器
132:DAC放大器
134:DAC放大器
136:DAC放大器
138:DAC放大器
140:記憶部
142:記憶部
150:描繪部
160:控制部
200:電子束
201:電子槍
202:照明透鏡
203:第1成形孔徑
204:投影透鏡
205:成形偏向器
206:第2成形孔徑
207:對物透鏡
208:主偏向器
209:副偏向器
212:遮沒偏向器(遮沒器)
214:遮沒孔徑
216:副副偏向器
Claims (9)
- 一種帶電粒子束描繪裝置，係藉由偏向器使帶電粒子束偏向而對試料內的複數個偏向位置依序描繪圖樣之帶電粒子束描繪裝置，具備： 擊發資料生成部，將描繪資料變換成包含帶電粒子束的各擊發位置與擊發時間之擊發資料； 記憶部，記憶示意前述偏向器的偏向開始起算的經過時間與前述帶電粒子束的擊發位置的位置偏差量之關係的關連性資訊； 擊發位置修正部，運用前述偏向器的安定時間及前述擊發時間以及前述關連性資訊，取得和圖樣的描繪順序為第n個(n為2以上的整數)的偏向位置對應的第1位置偏差量，運用前述偏向開始起算的經過時間以及前述關連性資訊，取得和第n-1個的偏向位置對應的第2位置偏差量，將該第1位置偏差量與該第2位置偏差量相加而求出位置修正量，基於該位置修正量修正該第n個偏向位置的前述擊發資料中定義的擊發位置；及 描繪部，運用擊發位置被修正後的擊發資料，對前述第n個偏向位置照射帶電粒子束，描繪圖樣。
- 如請求項1記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述n為3以上的整數， 前述擊發位置修正部，運用前述偏向開始起算的經過時間以及前述關連性資訊，取得和回溯至前述圖樣的描繪順序為第n-k個(k為2以上未滿n的整數)為止的偏向位置對應的第3位置偏差量，將前述第1位置偏差量與前述第2位置偏差量與該第3位置偏差量相加而求出前述位置修正量。
- 如請求項1記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述偏向器，包含偏向量相異的複數段的偏向器。
- 如請求項3記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述偏向器，具有： 第1偏向器，將帶電粒子束偏向至前述試料的描繪區域被網目狀地假想分割而成之複數個第1小區域的基準位置；及 第2偏向器，從各第1小區域的基準位置，將前述帶電粒子束偏向至各第1小區域被網目狀地假想分割而成之複數個第2小區域的基準位置；及 第3偏向器，將前述帶電粒子束從各第2小區域的基準位置偏向至照射於該第2小區域內之射束的擊發位置； 前述記憶部，將前述偏向器的偏向開始起算的經過時間訂為前述第2偏向器的偏向開始起算的經過時間，而記憶示意與前述帶電粒子束的擊發位置的位置偏差量之關係的關連性資訊， 前述擊發位置修正部，運用前述第2偏向器的安定時間及前述擊發時間以及前述關連性資訊，取得和前述第n個(n為2以上的整數)偏向位置亦即前述第2小區域的基準位置對應的前述第1位置偏差量，運用前述偏向開始起算的經過時間以及前述關連性資訊，取得和前述第n-1個偏向位置亦即前述第2小區域的基準位置對應的前述第2位置偏差量，將該前述第1位置偏差量與該前述第2位置偏差量相加而求出位置修正量，基於該位置修正量修正該第n個前述第2小區域的基準位置的前述擊發資料中定義的擊發位置。
- 如請求項4記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述n為3以上的整數， 前述擊發位置修正部，運用前述偏向開始起算的經過時間以及前述關連性資訊，取得和第n-k個(k為2以上未滿n的整數)前述偏向位置亦即前述第2小區域的基準位置對應的第3位置偏差量，將前述第1位置偏差量與前述第2位置偏差量與該第3位置偏差量相加而求出前述位置修正量。
- 一種帶電粒子束描繪方法，係藉由偏向器使帶電粒子束偏向而對試料內的複數個偏向位置依序描繪圖樣之帶電粒子束描繪方法，具備： 將描繪資料變換成包含帶電粒子束的各擊發位置與擊發時間之擊發資料的工程； 運用前述偏向器的安定時間及前述擊發時間以及事先求出的示意前述偏向器的偏向開始起算的經過時間與前述帶電粒子束的前述擊發位置的位置偏差量之關係的關連性資訊，取得和圖樣的描繪順序為第n個(n為2以上的整數)的偏向位置對應的第1位置偏差量的工程； 運用前述偏向開始起算的經過時間以及前述關連性資訊，取得和圖樣的描繪順序為第n-1個的偏向位置對應的第2位置偏差量的工程； 將前述第1位置偏差量與前述第2位置偏差量相加而求出位置修正量，基於該位置修正量修正該第n個偏向位置的前述擊發資料中定義的擊發位置的工程；及 運用擊發位置被修正後的擊發資料，對前述第n個偏向位置照射帶電粒子束，描繪圖樣的工程。
- 如請求項6記載之帶電粒子束描繪方法，其中，前述n為3以上的整數， 運用前述偏向開始起算的經過時間以及前述關連性資訊，取得和回溯至前述圖樣的描繪順序為第n-k個(k為2以上未滿n的整數)為止的偏向位置對應的第3位置偏差量，將前述第1位置偏差量與前述第2位置偏差量與該第3位置偏差量相加而求出前述位置修正量。
- 如請求項6記載之帶電粒子束描繪方法，其中，藉由第1偏向器，將帶電粒子束偏向至前述試料的描繪區域被網目狀地假想分割而成之複數個第1小區域的基準位置， 藉由第2偏向器，從各第1小區域的基準位置，將前述帶電粒子束偏向至各第1小區域被網目狀地假想分割而成之複數個第2小區域的基準位置， 藉由第3偏向器，將前述帶電粒子束從各第2小區域的基準位置偏向至照射於該第2小區域內之射束的擊發位置， 將前述偏向器的偏向開始起算的經過時間訂為前述第2偏向器的偏向開始起算的經過時間，而記憶示意與前述帶電粒子束的擊發位置的位置偏差量之關係的關連性資訊， 運用前述第2偏向器的安定時間及前述擊發時間以及前述關連性資訊，取得和第n個(n為2以上的整數)前述偏向位置亦即前述第2小區域的基準位置對應的前述第1位置偏差量， 運用前述偏向開始起算的經過時間以及前述關連性資訊，取得和第n-1個前述偏向位置亦即前述第2小區域的基準位置對應的前述第2位置偏差量， 將該前述第1位置偏差量與該前述第2位置偏差量相加而求出位置修正量， 基於該位置修正量修正該第n個前述第2小區域的基準位置的前述擊發資料中定義的擊發位置。
- 如請求項8記載之帶電粒子束描繪方法，其中，前述n為3以上的整數， 運用前述偏向開始起算的經過時間以及前述關連性資訊，取得和前述圖樣的描繪順序第n-k個(k為2以上未滿n的整數)前述偏向位置亦即前述第2小區域的基準位置對應的第3位置偏差量， 將前述第1位置偏差量與前述第2位置偏差量與該第3位置偏差量相加而求出前述位置修正量。
Applications Claiming Priority (2)
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| JP2021043761A JP2022143308A (ja) | 2021-03-17 | 2021-03-17 | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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| WO2008139569A1 (ja) | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Advantest Corporation | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008139569A1 (ja) | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Advantest Corporation | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
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