JP2020205378A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

【課題】偏向形状を高精度に補正する。【解決手段】本実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを成形する第１成形アパーチャと、前記第１成形アパーチャを通過したアパーチャ像の荷電粒子ビームが投影される第２成形アパーチャと、前記第２成形アパーチャ上における前記アパーチャ像の照射位置を制御して、前記第２成形アパーチャを通過する荷電粒子ビームの形状及びビームサイズを制御する成形偏向器と、前記荷電粒子ビームを偏向し、前記描画対象基板上でのビーム照射位置を制御する複数段の対物偏向器と、前記複数段の対物偏向器のうち、偏向量の最も大きい第１対物偏向器によるビーム偏向位置と前記ビームサイズとを用いて偏向補正量を算出し、該偏向補正量を含む偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向するように、前記第１対物偏向器以外の対物偏向器を制御する制御部と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。

ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。

電子ビームの照射位置は、複数段の偏向器によって決定される。例えば、主偏向器と副偏向器とが設けられている場合、主偏向器によって所定の副偏向領域に位置決めされ、副偏向器によって副偏向領域内での図形描画位置の位置決めが行われる。

電子ビーム描画装置では、制御回路や偏向器への電圧印加等により、偏向器の偏向領域の形状が歪み、パターンの描画位置に誤差が生じていた。そのため、偏向領域が所望の形状（例えば矩形）になるように、偏向位置を補正していた。例えば、主偏向器の偏向領域の形状を、主偏向位置の関数で補正していた。しかし、パターンの微細化に伴い、従来の補正方法では、要求される描画位置精度の実現が困難になっていた。

特開２０１８−１４８１４７号公報 特開平６−１６３３７６号公報 特開昭５９−３２１２８号公報 特開２０１７−２２４８１８号公報 特開２０１７−２２０４９１号公報 特開昭６０−１６１９５４号公報

本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、偏向形状を高精度に補正できる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することを課題とする。

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、描画対象基板を載置するステージと、荷電粒子ビームを放出する放出部と、前記荷電粒子ビームを成形する第１成形アパーチャと、前記第１成形アパーチャを通過したアパーチャ像の荷電粒子ビームが投影される第２成形アパーチャと、前記第１成形アパーチャと前記第２成形アパーチャとの間に設けられ、前記荷電粒子ビームを偏向し、前記第２成形アパーチャ上における前記アパーチャ像の照射位置を制御して、前記第２成形アパーチャを通過する荷電粒子ビームの形状及びビームサイズを制御する成形偏向器と、前記荷電粒子ビームを偏向し、前記描画対象基板上でのビーム照射位置を制御する複数段の対物偏向器と、前記複数段の対物偏向器のうち、偏向量の最も大きい第１対物偏向器によるビーム偏向位置と前記ビームサイズとを用いて偏向補正量を算出し、該偏向補正量を含む偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向するように、前記第１対物偏向器以外の対物偏向器を制御する制御部と、を備えるものである。

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記複数段の対物偏向器は、前記荷電粒子ビームを所定の第１偏向領域の基準位置に偏向させる前記第１対物偏向器と、前記荷電粒子ビームを前記第１偏向領域内の所定の第２偏向領域の基準位置に偏向させる第２対物偏向器と、前記荷電粒子ビームを前記第２偏向領域内の所定のショット位置に偏向させる第３対物偏向器と、を有し、前記制御部は、前記偏向補正量を含む偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向するように前記第３対物偏向器を制御する。

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記成形偏向器は、前記荷電粒子ビームの形状を制御する第１成形偏向器、及び前記ビームサイズを制御する第２成形偏向器を有する。

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記制御部は、前記ビームサイズに基づくビーム面積を用いて前記偏向補正量を算出する。

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームを放出する工程と、第１成形アパーチャ及び第２成形アパーチャを通過させて前記荷電粒子ビームを成形する工程と、成形偏向器を用いて、前記第２成形アパーチャを通過する荷電粒子ビームの形状及びビームサイズを制御する工程と、複数段の対物偏向器を用いて、基板上でのビーム照射位置を制御し、前記基板にパターンを描画する工程と、を備え、前記複数段の対物偏向器のうち、偏向量の最も大きい第１対物偏向器によるビーム偏向位置と前記ビームサイズとを用いて偏向補正量を算出し、該偏向補正量を含む偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向するように、前記第１対物偏向器以外の対物偏向器を制御することを特徴とする。

本発明によれば、偏向形状を高精度に補正できる。

本発明の実施形態に係る電子ビーム描画装置の概略図である。 ビーム成形を説明する概略図である。 描画領域を説明するための概略図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものでなく、イオンビーム等でもよい。

図１は本発明の実施形態に係る電子ビーム描画装置の概略図である。図１に示す電子ビーム描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えた可変成形型の描画装置である。

描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランカ２１２、ブランキングアパーチャ２１４、第１成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、第１成形偏向器２２０、第２成形偏向器２２２、第２成形アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２３２（第１対物偏向器）、副偏向器２３０（第２対物偏向器）、及び副副偏向器２３４（第３対物偏向器）が配置されている。

第１成形偏向器２２０及び第２成形偏向器２２２は、円周状に等間隔に配置された８対（１６個）の電極を備えており、対向する電極間に電圧を印加することにより電子ビームを偏向させるように構成されている。

描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置されている。ＸＹステージ１０５上には、描画対象の基板１０１が配置される。基板１０１は、例えば、石英基板上にクロム等の金属遮光膜を設け、金属遮光膜上にレジストを塗布したマスク基板である。

制御部１６０は、制御計算機１１０、偏向制御回路１２０、ステージ位置検出器１３０、磁気ディスク装置等の記憶装置１４０及び１４２を有している。

制御計算機１１０は、補正位置計算部１１２及び描画データ処理部１１４を有する。補正位置計算部１１２及び描画データ処理部１１４は、ハードウェアで構成してもよく、ソフトウェアで構成してもよい。

偏向制御回路１２０は、ブランカ２１２、第１成形偏向器２２０、第２成形偏向器２２２、主偏向器２３２、副偏向器２３０、及び副副偏向器２３４の偏向量を制御する。

ステージ位置検出器１３０は、レーザ測長計等を有し、ＸＹステージ１０５の位置を検出する。

記憶装置１４０（記憶部）には、複数の図形パターンから構成される描画データ（レイアウトデータ）が外部から入力され、格納されている。記憶装置１４２には、基板１０１に照射される電子ビーム２００の位置ずれを補正するための補正係数が格納されている。補正係数については後述する。描画部１５０の動作を制御する他の制御回路については説明を省略する。

電子鏡筒１０２内に設けられた電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、ブランカ２１２（ブランキング偏向器）内を通過する際にブランカ２１２によって、ビームオンの状態では、ブランキングアパーチャ２１４を通過するように制御され、ビームオフの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ２１４で遮蔽されるように偏向される。ビームオフの状態からビームオンとなり、その後ビームオフになるまでにブランキングアパーチャ２１４を通過した電子ビーム２００が１回の電子ビームのショットとなる。

ブランカ２１２は、通過する電子ビーム２００の向きを制御して、ビームオンの状態とビームオフの状態とを交互に生成させる。例えば、ビームオンの状態ではブランカ２１２に偏向電圧が印加されず、ビームオフの際にブランカ２１２に偏向電圧が印加される。各ショットの照射時間により、基板１０１に照射される電子ビーム２００のショットあたりの照射量が調整されることになる。

ブランカ２１２とブランキングアパーチャ２１４を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により、矩形の開口３２（図２参照）を有する第１成形アパーチャ２０３全体に照射される。第１成形アパーチャ２０３の開口３２を通過することで、電子ビーム２００は矩形に成形される。

第１成形アパーチャ２０３を通過した第１アパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により、開口３４（図２参照）を有した第２成形アパーチャ２０６上に投影される。その際、第１成形偏向器２２０及び第２成形偏向器２２２によって、第２成形アパーチャ２０６上に投影される第１アパーチャ像は偏向制御され、開口３４を通過する電子ビームの形状と寸法を変化させる（可変成形を行う）ことができる。

第２成形アパーチャ２０６の開口３４を通過した第２アパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２３２、副偏向器２３０、及び副副偏向器２３４によって３段偏向され、ＸＹステージ１０５上に配置された基板１０１の目標位置に照射される。

図２は、第１成形アパーチャ２０３及び第２成形アパーチャ２０６によるビーム成形を説明するための概略的な斜視図である。第１成形アパーチャ２０３には、電子ビーム２００を成形するための矩形（長方形又は正方形）の開口３２が形成されている。

また、第２成形アパーチャ２０６には、第１成形アパーチャ２０３の開口３２を通過した電子ビーム２００を所望の形状に成形するための開口３４が形成されている。開口３４は、六角形状部と、該六角形状部に連なる四角形状部とを共有した八角形状である。

電子銃２０１から照射され、第１成形アパーチャ２０３の開口３２を通過した電子ビーム２００は、第１成形偏向器２２０及び第２成形偏向器２２２により偏向され、開口３４を通過し、所望の寸法及び形状の電子ビームとなる。第２成形アパーチャ２０６の開口３４の一部を通過した所望の寸法及び形状のショットビーム３６が、所定の一方向（例えば、ｘ方向とする）に連続的に移動するＸＹステージ１０５上に搭載された基板１０１に照射される。すなわち、第１成形アパーチャ２０３の開口３２と第２成形アパーチャ２０６の開口３４との両方を通過できるビーム形状が、ｘ方向に連続的に移動するＸＹステージ１０５上に搭載された基板１０１の描画領域に描画される。

図２の例では、電子ビーム２００は、第１成形アパーチャ２０３の開口３２を通過することでまず矩形に成形され、次いで、第２成形アパーチャ２０６の開口３４を通過することで、ビーム軸心方向と垂直な断面形状が直角二等辺三角形となるように成形される。本実施形態では、第１成形偏向器２２０によりショット形状が制御され、第２成形偏向器２２２によりショットサイズが制御される。

第２成形偏向器２２２は、第１成形偏向器２２０よりも偏向量が小さく、印加電圧が小さい。第２成形偏向器２２２に電圧を印加する第２アンプ（図示略）は、第１成形偏向器２２０に電圧を印加する第１アンプ（図示略）よりも出力電圧が小さいため、セトリング時間が短く、高速に動作する。

図３は、描画領域を説明するための概略図である。図３において、基板１０１の描画領域１０は、主偏向器２３２の偏向可能幅で、例えばｙ方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域２０に仮想分割される。また、各ストライプ領域２０は、副偏向器２３０の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のサブフィールド（ＳＦ、副偏向領域（第１偏向領域））３０に仮想分割される。そして、各ＳＦ３０は、副副偏向器２３４の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のターシャリフィールド（ＴＦ：Ｔｅｒｔｉａｒｙ Ｆｉｅｌｄ、副副偏向領域（第２偏向領域））４０に仮想分割される。そして、各ＴＦ４０の各ショット位置４２にショット図形が描画される。各ＳＦ内のＴＦ分割数は、ＴＦの熱拡散計算によって描画動作が律速しない程度の数が望ましい。例えば、縦横１０個以下が好ましく、より好ましくは縦横５個以下である。

成形された電子ビーム２００で基板１０１に描画する際、まず、主偏向器２３２が、ショットされるＳＦ３０の基準位置に、成形された電子ビーム２００を偏向する。ＸＹステージ１０５が移動している場合、主偏向器２３２はＸＹステージ１０５の移動に追従するように電子ビーム２００を偏向する。そして、副偏向器２３０が当該ＳＦ３０の基準位置から、当該ＳＦ３０内のショットされるＴＦ４０の基準位置に、成形された電子ビーム２００を偏向する。そして、副副偏向器２３４により偏向された電子ビーム２００が、ＴＦ４０内の各位置に照射される。

主偏向器２３２、副偏向器２３０、副副偏向器２３４のうち、主偏向器２３２の偏向量が最も大きく、副副偏向器２３４の偏向量が最も小さい。主偏向器２３２に電圧を印加する第３アンプ（図示略）は、副偏向器２３０に電圧を印加する第４アンプ（図示略）及び副副偏向器２３４に電圧を印加する第５アンプ（図示略）よりも出力電圧が大きいため、セトリング時間が長く、動作は低速になる。一方、第５アンプは、第３アンプ及び第４アンプよりも出力電圧が小さいため、セトリング時間が短く、高速に動作する。

例えば、第５アンプのセトリング時間は、上述の第２成形偏向器２２２に電圧を印加する第２アンプのセトリング時間と同程度である。また、第４アンプのセトリング時間は、第１成形偏向器２２０に電圧を印加する第１アンプのセトリング時間と同程度である。

描画データ処理部１１４は、記憶装置１４０から描画データ（パターンデータ）を読み出し、複数段のデータ変換処理を行って装置固有のショットデータを生成する。ショットデータは、ショット位置、ビームサイズ（ショットサイズ）、ショット形状、ショット時間等を含む。

次に、記憶装置１４２に格納される補正係数について説明する。電子ビーム描画装置では、様々な物理現象に起因して、主偏向器２３２による偏向領域の形状（主偏向形状）が歪み、描画位置にずれが生じることがある。そのため、主偏向形状が所望の形状（例えば矩形）になるように補正する必要がある。

本発明者は、主偏向形状の変化がビームサイズに対する依存性を持つことを見出した。ビームサイズを制御する第２成形偏向器２２２は高速に動作するため、同程度の速度で動作可能な副副偏向器２３４を用いて主偏向形状を補正することが好ましい。記憶装置１４２には、副副偏向器２３４を用いて主偏向形状を補正するための補正式の係数が格納される。

この補正式は、描画データから求まる副副偏向器２３４による偏向位置（副副偏向位置）に、主偏向器２３２による偏向位置（主偏向位置）とビームサイズとに基づく主偏向形状を補正するための偏向補正量を加算するものである。

例えば、補正後のｘ方向、ｙ方向それぞれの副副偏向位置ＴＤＸ、ＴＤＹは以下の補正式によって算出される。
ＴＤＸ＝（ｃ１＊ｍｘ＋ｃ２＊ｍｙ）＊ｂｘ＋（ｄ１＊ｍｘ＋ｄ２＊ｍｙ）＊ｂｙ＋ａ０＋ａ１＊ｔｘ＋ａ２＊ｔｙ
ＴＤＹ＝（ｅ１＊ｍｘ＋ｅ２＊ｍｙ）＊ｂｘ＋（ｆ１＊ｍｘ＋ｆ２＊ｍｙ）＊ｂｙ＋ｂ０＋ｂ１＊ｔｘ＋ｂ２＊ｔｙ

上記数式において、ｂｘ，ｂｙはビームサイズ、ｍｘ，ｍｙは主偏向位置、ｔｘ，ｔｙは補正前の副副偏向位置である。各係数のｘ、ｙはそれぞれｘ方向、ｙ方向を示す。ａ０〜ａ２，ｂ０〜ｂ２は副偏向歪補正係数であり、ｃ１，ｃ２，ｄ１，ｄ２，ｅ１，ｅ２，ｆ１，ｆ２はビームサイズ依存の主偏向歪補正係数である。

補正位置計算部１１２は、ステージ位置検出器１３０が検出したステージ位置から主偏向位置ｍｘ、ｍｙを演算する。補正位置計算部１１２は、描画データから、副副偏向位置ｔｘ、ｔｙを演算する。補正位置計算部１１２は、ショットデータからビームサイズｂｘ、ｂｙを取得する。

補正位置計算部１１２は、記憶装置１４２から補正係数を読み出し、補正式にｍｘ、ｍｙ、ｂｘ、ｂｙ、ｔｘ、ｔｙを代入して、主偏向形状を補正する補正量を含む副副偏向位置ＴＤＸ、ＴＤＹを算出する。

偏向制御回路１２０は、ショットデータを制御計算機１１０から受け取ると、ブランカ２１２、第１成形偏向器２２０、第２成形偏向器２２２、主偏向器２３２、副偏向器２３０における偏向量を演算し、各偏向器に制御信号を出力する。また、偏向制御回路１２０は、副副偏向位置ＴＤＸ、ＴＤＹを制御計算機１１０から受け取ると、副副偏向器２３４における偏向量を演算し、副副偏向器２３４に制御信号を出力する。これにより、ビームサイズによって変化する主偏向形状を所望の形状に精度良く補正し、描画位置精度を向上させることができる。

上記実施形態では、ビームサイズに依存する主偏向形状歪みを補正する手法について説明したが、副偏向器２３０の偏向領域の形状（副偏向形状）や副副偏向器２３４の偏向領域の形状（副副偏向形状）もビームサイズによって変化し得る。そのため、主偏向形状に加えて副偏向形状及び副副偏向形状を補正するようにしてもよい。この場合の補正式は以下のようになる。

ＴＤＸ＝（ｃ１＊ｍｘ＋ｃ２＊ｍｙ＋ｃ３＊ｓｘ＋ｃ４＊ｓｙ＋ｃ５＊ｔｘ＋ｃ６＊ｔｙ）＊ｂｘ＋（ｄ１＊ｍｘ＋ｄ２＊ｍｙ＋ｄ３＊ｓｘ＋ｄ５＊ｓｙ＋ｃ５＊ｔｘ＋ｃ６＊ｔｙ）＊ｂｙ＋ａ０＋ａ１＊ｔｘ＋ａ２＊ｔｙ
ＴＤＹ＝（ｅ１＊ｍｘ＋ｅ２＊ｍｙ＋ｅ３＊ｓｘ＋ｅ４＊ｓｙ＋ｅ５＊ｔｘ＋ｅ６＊ｔｙ）＊ｂｘ＋（ｆ１＊ｍｘ＋ｆ２＊ｍｙ＋ｆ３＊ｓｘ＋ｆ４＊ｓｙ＋ｆ５＊ｔｘ＋ｆ６＊ｔｙ）＊ｂｙ＋ｂ０＋ｂ１＊ｔｘ＋ｂ２＊ｔｙ

上記数式において、ｓｘ，ｓｙは副偏向位置である。ｃ３，ｃ４，ｄ３，ｄ４，ｅ３，ｅ４，ｆ３，ｆ４はビームサイズ依存の副偏向歪補正係数である。ｃ５，ｃ６，ｄ５，ｄ６，ｅ５，ｅ６，ｆ５，ｆ６はビームサイズ依存の副副偏向歪補正係数である。

上記実施形態ではｘ方向及びｙ方向のビームサイズによって副副偏向位置を補正する例について説明したが、ビーム面積を用いて補正してもよい。この場合、補正式は以下のようになる。以下の数式のｂｘ＊ｂｙがビーム面積を示す。

ＴＤＸ＝（ｃ１＊ｍｘ＋ｃ２＊ｍｙ＋ｃ３＊ｓｘ＋ｃ４＊ｓｙ＋ｃ５＊ｔｘ＋ｃ６＊ｔｙ）＊ｂｘ＊ｂｙ＋ａ０＋ａ１＊ｔｘ＋ａ２＊ｔｙ
ＴＤＹ＝（ｅ１＊ｍｘ＋ｅ２＊ｍｙ＋ｅ３＊ｓｘ＋ｅ４＊ｓｙ＋ｅ５＊ｔｘ＋ｅ６＊ｔｙ）＊ｂｘ＊ｂｙ＋ｂ０＋ｂ１＊ｔｘ＋ｂ２＊ｔｙ

ビーム面積に比例した値となるビーム電流を用いて副副偏向位置を補正してもよい。

上記実施形態では、対物偏向器が主偏向器２３２、副偏向器２３０、及び副副偏向器２３４の３段からなる構成について説明したが、副副偏向器２３４を省略した２段構成であってもよい。２段構成の場合は、副偏向器２３０を用いて主偏向形状を補正する。

電子ビーム描画装置は可変成形型に限定されない。例えば、第２成形アパーチャ２０６に異なる複数の大きさの矩形の開口が設けられ、基板１０１に矩形のビームを照射する描画装置であってもよい。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１０ 描画領域
２０ ストライプ領域
３０ サブフィールド
３２、３４ 開口
３６ ショットビーム
４０ ターシャリフィールド
１００ 電子ビーム描画装置
１０１ 基板
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ 補正位置計算部
１１４ 描画データ処理部
１２０ 偏向制御回路
１４０、１４２ 記憶装置
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３ 第１成形アパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０６ 第２成形アパーチャ
２０７ 対物レンズ
２１２ ブランカ
２１４ ブランキングアパーチャ
２２０ 第１成形偏向器
２２２ 第２成形偏向器
２３０ 副偏向器
２３２ 主偏向器
２３４ 副副偏向器

Claims (5)

1. 描画対象基板を載置するステージと、
   荷電粒子ビームを放出する放出部と、
   前記荷電粒子ビームを成形する第１成形アパーチャと、
   前記第１成形アパーチャを通過したアパーチャ像の荷電粒子ビームが投影される第２成形アパーチャと、
   前記第１成形アパーチャと前記第２成形アパーチャとの間に設けられ、前記荷電粒子ビームを偏向し、前記第２成形アパーチャ上における前記アパーチャ像の照射位置を制御して、前記第２成形アパーチャを通過する荷電粒子ビームの形状及びビームサイズを制御する成形偏向器と、
   前記荷電粒子ビームを偏向し、前記描画対象基板上でのビーム照射位置を制御する複数段の対物偏向器と、
   前記複数段の対物偏向器のうち、偏向量の最も大きい第１対物偏向器によるビーム偏向位置と前記ビームサイズとを用いて偏向補正量を算出し、該偏向補正量を含む偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向するように、前記第１対物偏向器以外の対物偏向器を制御する制御部と、
   を備える荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記複数段の対物偏向器は、前記荷電粒子ビームを所定の第１偏向領域の基準位置に偏向させる前記第１対物偏向器と、前記荷電粒子ビームを前記第１偏向領域内の所定の第２偏向領域の基準位置に偏向させる第２対物偏向器と、前記荷電粒子ビームを前記第２偏向領域内の所定のショット位置に偏向させる第３対物偏向器と、
   を有し、
   前記制御部は、前記偏向補正量を含む偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向するように前記第３対物偏向器を制御することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 前記成形偏向器は、前記荷電粒子ビームの形状を制御する第１成形偏向器、及び前記ビームサイズを制御する第２成形偏向器を有することを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 前記制御部は、前記ビームサイズに基づくビーム面積を用いて前記偏向補正量を算出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
5. 荷電粒子ビームを放出する工程と、
   第１成形アパーチャ及び第２成形アパーチャを通過させて前記荷電粒子ビームを成形する工程と、
   成形偏向器を用いて、前記第２成形アパーチャを通過する荷電粒子ビームの形状及びビームサイズを制御する工程と、
   複数段の対物偏向器を用いて、基板上でのビーム照射位置を制御し、前記基板にパターンを描画する工程と、
   を備え、
   前記複数段の対物偏向器のうち、偏向量の最も大きい第１対物偏向器によるビーム偏向位置と前記ビームサイズとを用いて偏向補正量を算出し、該偏向補正量を含む偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向するように、前記第１対物偏向器以外の対物偏向器を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。

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