CN114787966A - 带电粒子束描绘装置、带电粒子束描绘方法以及存储介质 - Google Patents

带电粒子束描绘装置、带电粒子束描绘方法以及存储介质 Download PDF

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Abstract

减小漂移量的计算值与实际的漂移量之差。本发明的一方式的带电粒子束描绘装置具备：偏转器，调整上述带电粒子束相对于载置于工作台的基板的照射位置；发射数据生成部，根据描绘数据，生成包含每次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间的发射数据；漂移校正部，参照所生成的多个上述发射数据，计算向上述基板照射的上述带电粒子束的照射位置的漂移量，并基于该漂移量生成校正照射位置偏移的校正信息；偏转控制部，基于上述发射数据以及上述校正信息控制基于上述偏转器的偏转量；以及虚拟照射指示部，在描绘处理中，指示向上述工作台上的与上述基板不同的位置以预先求出的照射量照射上述带电粒子束的虚拟照射的执行。

Description

带电粒子束描绘装置、带电粒子束描绘方法以及存储介质
技术领域
本发明涉及带电粒子束描绘装置、带电粒子束描绘方法以及存储介质。
背景技术
随着LSI的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽逐年微细化。为了向半导体设备形成所希望的电路图案，采用如下方法：使用缩小投影型曝光装置，将在石英上形成的高精度的原画图案(掩模，或者尤其是在步进器、扫描仪中使用的也称作中间掩模。)缩小转印到晶片上。高精度的原画图案由电子束描绘装置描绘，使用所谓的电子束光刻技术。
在电子束描绘装置中，由于各种各样的原因，有可能会产生在描绘中电子束的照射位置随着时间经过而漂移的被称作射束漂移的现象。例如，在描绘装置的偏转电极等的照射系统附着污染物，由于来自描绘对象基板的散射电子而使污染物带电，从而产生射束漂移。为了消除该射束漂移，进行漂移校正。
例如，在专利文献1中公开了如下方法：根据以每次发射的射束电流量、射束照射位置、射束的开启/关闭时间为参数的校正计算式计算漂移量，校正基于偏转器的偏转量。但是，由于每次发射都计算偏转器表面的电荷蓄积量，所以伴随着发射数的增加而计算量变多。
此外，在这样的以往的方法中，为了实现高精度的漂移校正，需要准确地知道射束的照射信息。在实际的描绘处理中，由于数据传输等待及描绘暂时停止动作等，有时产生非预期的描绘中断动作，但在校正计算中未考虑到描绘的中断。因此，计算出的漂移量与实际的漂移量的误差随着时间经过而逐渐累计扩展，有时会对描绘精度造成影响。
专利文献1：日本专利第4439038号公报
专利文献2：日本特开昭60-85519号公报
专利文献3：日本特开2010-267909号公报
专利文献4：日本特开平9-45602号公报
专利文献5：日本专利第2956628号公报
专利文献6：日本特开平5-304080号公报
专利文献7：日本特开2001-319853号公报
发明内容
本发明的课题在于提供一种能够减小漂移量的计算值与实际的漂移量之差的带电粒子束描绘装置、带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘用程序。
本发明的一方式的带电粒子束描绘装置具备：放出部，放出带电粒子束；偏转器，调整上述带电粒子束相对于载置于工作台的基板的照射位置；发射数据生成部，根据描绘数据生成包含每次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间的发射数据；漂移校正部，参照所生成的多个上述发射数据，基于多次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间，计算向上述基板照射的上述带电粒子束的照射位置的漂移量，基于该漂移量生成校正照射位置偏移的校正信息；偏转控制部，基于上述发射数据以及上述校正信息控制基于上述偏转器的偏转量；以及虚拟照射指示部，在描绘处理中，指示向上述工作台上的与上述基板不同的位置以预先求出的照射量照射上述带电粒子束的虚拟照射的执行。
本发明的一方式的带电粒子束描绘方法具备：放出带电粒子束的工序；使用偏转器调整上述带电粒子束相对于载置于工作台的基板的照射位置的工序；根据描绘数据生成包含每次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间的发射数据的工序；参照所生成的多个上述发射数据，基于多次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间，计算向上述基板照射的上述带电粒子束的照射位置的漂移量的工序；基于上述漂移量生成校正照射位置偏移的校正信息的工序；基于上述发射数据以及上述校正信息控制基于上述偏转器的偏转量的工序；以及在描绘处理中，进行向上述工作台上的与上述基板不同的位置以预先求出的照射量照射上述带电粒子束的虚拟照射的工序。
本发明的一方式的存储介质是存储有程序的存储介质，其中，上述程序使计算机执行如下处理：放出带电粒子束的处理；使用偏转器调整上述带电粒子束相对于载置于工作台的基板的照射位置的处理；根据描绘数据生成包含每次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间的发射数据的处理；参照所生成的多个上述发射数据，基于多次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间，计算向上述基板照射的上述带电粒子束的照射位置的漂移量的处理；基于上述漂移量生成校正照射位置偏移的校正信息的处理；基于上述发射数据以及上述校正信息控制基于上述偏转器的偏转量的处理；以及在描绘处理中，进行向上述工作台上的与上述基板不同的位置以预先求出的照射量照射上述带电粒子束的虚拟照射的处理。
发明效果
根据本发明，能够减小漂移量的计算值与实际的漂移量之差。
附图说明
图1是本发明的实施方式的带电粒子束描绘装置的概要图。
图2是第1成型光阑以及第2成型光阑的立体图。
图3是说明偏转区域的概念图。
图4是表示电荷蓄积量的变化的线图。
图5是表示带电与放电的函数的曲线图。
图6是表示电荷蓄积量的变化的曲线图。
图7是表示偏转电极的例子的图。
图8是表示累计发射数与漂移计算时间之间的关系的例子的表。
图9是表示比较例的漂移量计算值与实际的漂移量的变化的曲线图。
图10是表示虚拟照射时间与漂移量误差的改善量之间的关系的曲线图。
图11是表示进行虚拟照射的情况下的漂移量计算值与实际的漂移量的变化的曲线图。
图12是说明该实施方式的带电粒子束描绘方法的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在本实施方式中，作为带电粒子束的一例，对使用了电子束的构成进行说明。但是，带电粒子束并不限定于电子束，也可以是离子束等。
图1是表示实施方式的描绘装置的构成的概念图。在图1中，描绘装置100具备描绘部150以及控制部160。描绘部150具备电子镜筒102以及描绘室103。在电子镜筒102内配置有电子枪201、照明透镜202、消隐偏转器212、消隐光阑214、第1成型光阑203、投影透镜204、成型偏转器205、第2成型光阑206、物镜207、主偏转器208、副偏转器209以及副副偏转器216。
在描绘室103内配置有能够沿着XY方向移动的XY工作台105。在XY工作台105上配置有涂布了抗蚀剂的作为描绘对象的基板101。在基板101中包括用于制造半导体装置的曝光用的掩模、硅晶片、掩模坯等。
在XY工作台105上，在与配置基板101的区域不同的位置设置有在进行后述的虚拟照射时被照射电子束的被照射部件107。被照射部件107例如是用于测定电子束的射束电流的法拉第杯、用于测定电子束的漂移量的反射标记。
反射标记例如呈十字形状、点形状，在硅基板上由钽或钨等的重金属形成。在XY工作台105的上方设置有通过对反射标记照射电子束来检测电子束的照射位置(射束位置)的照射位置检测器220。作为照射位置检测器220，例如，能够使用通过电子束扫描标记，检测由标记反射的反射电子作为电流值的电子检测器。检测到的射束位置被通知给后述的控制计算机110。
从设置在电子镜筒102内的电子枪201(放出部)放出的电子束200在通过消隐偏转器212内时，借助消隐偏转器212切换是否向基板照射电子束。
电子束200通过照明透镜202向具有矩形的开口A1(参照图2)的第1成型光阑203照射。通过第1成型光阑203的开口A1，由此，电子束200成型为矩形。
通过第1成型光阑203后的第1光阑像的电子束200由投影透镜204投影到具有可变成型开口A2(参照图2)的第2成型光阑206上。此时，能够通过成型偏转器205对投影到第2成型光阑206上的第1光阑像进行偏转控制，使通过可变成型开口A2的电子束的形状和尺寸变化(进行可变成型)。
通过第2成型光阑206的可变成型开口A2后的第2光阑像的电子束200通过物镜207对准焦点，通过主偏转器208、副偏转器209以及副副偏转器216偏转，向载置在连续地移动的XY工作台105上的基板101照射。
控制部160具有控制计算机110、存储器112、偏转控制电路120、DAC(数字模拟转换器)放大器130、132、134、136、138(偏转放大器)、以及存储装置140。
在偏转控制电路120连接有DAC放大器130、132、134、136、138。DAC放大器130与消隐偏转器212连接。DAC放大器132与副偏转器209连接。DAC放大器134与主偏转器208连接。DAC放大器136与副副偏转器216连接。DAC放大器138与成型偏转器205连接。
控制计算机110具备发射数据生成部50、漂移校正部52、虚拟照射指示部53以及描绘控制部54。发射数据生成部50、漂移校正部52、虚拟照射指示部53以及描绘控制部54的各功能可以由软件构成，也可以由硬件构成。
图3是用于说明偏转区域的概念图。如图3所示，基板101的描绘区域10以主偏转器208的可偏转宽度例如朝向y方向以长条状假想分割为多个条形区域20。并且，以主偏转器208的可偏转宽度在x方向上分割条形区域20而成的区域成为主偏转器208的偏转区域(主偏转区域)。
该主偏转区域以副偏转器209的可偏转尺寸呈网格状假想分割为多个子场(SF)30。并且，各SF30以副副偏转器216的可偏转尺寸呈网格状假想分割为多个下部子场(此处，使用意指第3偏转的Tertiary Deflection Field的缩写设为“TF”。以下相同)40。在各TF40的各发射位置42描绘发射图形。
从偏转控制电路120对DAC放大器130输出消隐控制用的数字信号。在DAC放大器130中，将数字信号转换成模拟信号，在放大后作为偏转电压施加于消隐偏转器212。通过该偏转电压使电子束200偏转，进行各发射的消隐控制。
从偏转控制电路120对DAC放大器138输出成型偏转用的数字信号。在DAC放大器138中，将数字信号转换成模拟信号，在放大后作为偏转电压施加于偏转器205。通过该偏转电压将电子束200偏转到第2成型光阑206的特定的位置，形成所希望的寸法以及形状的电子束。
从偏转控制电路120对DAC放大器134输出主偏转控制用的数字信号。DAC放大器134将数字信号转换成模拟信号，在放大后作为偏转电压施加于主偏转器208。通过该偏转电压使电子束200偏转，将各发射的射束偏转到呈网格状被假想分割的规定的子场(SF)的基准位置A(例如，相应的SF的中心位置或者左下的角位置等)。此外，在XY工作台105一边连续移动一边描绘的情况下，在偏转电压中也包括追随工作台移动的跟踪用的偏转电压。
从偏转控制电路120对DAC放大器132输出副偏转控制用的数字信号。DAC放大器132将数字信号转换成模拟信号，在放大后作为偏转电压施加于副偏转器209。通过该偏转电压，使电子束200偏转，将各发射的射束偏转到成为最小偏转区域的TF40的基准位置B(例如，相应的TF的中心位置或者左下的角位置等)。
从偏转控制电路120对DAC放大器136输出副副偏转控制用的数字信号。DAC放大器136将数字信号转换成模拟信号，在放大后作为偏转电压施加于副副偏转器216。通过该偏转电压，使电子束200偏转，将各发射的射束偏转到TF40内的各发射位置42。
在描绘装置100中，使用多级偏转器，针对每个条形区域20进行描绘处理。此处，作为一例，使用主偏转器208、副偏转器209以及副副偏转器216这样的三级偏转器。XY工作台105例如一边朝向-x方向连续移动一边朝向x方向对第一个条形区域20进行描绘。然后，在第一个条形区域20的描绘结束之后，同样或者朝向反方向对第二个条形区域20进行描绘。以下，同样对第三个以后的条形区域20进行描绘。
主偏转器208使电子束200依次偏转到SF30的基准位置A，以便追随XY工作台105的移动。此外，副偏转器209使电子束200从各SF30的基准位置A依次偏转到TF40的基准位置B。然后，副副偏转器216使电子束200从各TF40的基准位置B偏转到向该TF40内照射的射束的发射位置42。
这样，主偏转器208、副偏转器209以及副副偏转器216具有尺寸不同的偏转区域。TF40成为多级偏转器的偏转区域中的最小偏转区域。
存储装置140例如是磁盘装置，存储用于在基板101上描绘图案的描绘数据。该描绘数据是将设计数据(布局数据)转换成描绘装置100用的格式后的数据，从外部装置输入到存储装置140进行保存。
按照图12所示的流程图对控制计算机110的各部的处理进行说明。发射数据生成部50对存储于存储装置140的描绘数据进行多级数据转换处理，将作为描绘对象的各图形图案分割成通过一次发射能够照射的尺寸的发射图形，生成成为描绘装置固有的格式的发射数据(步骤S1)。在发射数据中，针对每次发射例如定义了表示各发射图形的图形种类的图形代码、图形尺寸(发射尺寸)、发射位置、射束开启/关闭时间等。所生成的发射数据暂时存储于存储器112。
考虑到邻近效应、前馈效应、加载效应这样的引起图案的尺寸变动的原因，计算描绘区域10的各位置处的电子束的照射量(剂量)Q，将计算出的照射量Q除以电流密度J，由此计算发射数据中包含的射束开启时间。根据描绘中的工作台移动速度、射束移动量、DAC放大器的稳定时间等计算射束关闭时间。
发射数据的生成与描绘处理并行进行，事先生成多次发射的发射数据并存储于存储器112。例如，事先生成一个条形区域20的发射数据并存储于存储器112。
在本实施方式中，参照事前生成的多次发射的发射数据，使用多次发射的累计发射数、平均化了的发射尺寸(射束尺寸)以及发射位置(射束偏转位置)、以及累计射束开启/关闭时间，计算偏转器(主偏转器208、副偏转器209或者副副偏转器216)表面的电荷蓄积量。然后，基于电荷蓄积量计算漂移量，实时校正由于充电现象而引起的带电漂移。
为了实时校正带电漂移，在描绘处理之前进行校正计算。在实际的描绘处理中，由于数据传输等待等，描绘动作有时会暂时停止，但为了考虑到在实施先进行的校正计算后产生的描绘停止动作来计算带电量，必须再次重新进行校正计算，对处理量造成影响。因此，多不考虑描绘动作停止时间的影响，由于描绘停止中的放电，通过计算求出的漂移量与实际的漂移量产生误差。因此，在本实施方式中，为了减小该误差，在规定的定时进行虚拟照射(向被照射部件107的射束照射)，使电荷蓄积量饱和，由此使漂移量饱和，减小通过计算求出的漂移量与实际的漂移量之差。
首先，对校正计算进行说明。如图4所示，一次发射具有射束开启的期间tshot以及射束关闭的期间tstl，在偏转器表面反复进行射束照射(射束开启)时的散射电子的带电阶段和射束关闭时的放电阶段。
构成偏转器的多个电极能够分别用图5所示的函数C(t)、D(t)表示电极表面的电荷蓄积量的变化。函数C(t)表示射束开启时的带电，函数D(t)表示射束关闭时的放电。在图5的各数式中，τc是表示带电容易度的时间常数，τd是表示放电容易度的时间常数。
当将图4所示的第i次发射开始时的电荷蓄积量设为Qi时，第i次发射结束时(第i+1次发射开始时)的电荷蓄积量Qi+1、第i+1次发射结束时(第i+2次发射开始时)的电荷蓄积量Qi+2分别能够用以下的数式1表示。在数式1中，Qmax是饱和电子量，tshot是射束开启的时间(发射时间)，tstl是射束关闭的时间(稳定时间)，τc是带电的时间常数，τd是放电的时间常数。
[数式1]
Figure BDA0003665375020000081
Figure BDA0003665375020000082
图4所示的曲线图与按每一次发射计算电荷蓄积量的情况下的计算式对应。在按每一次发射计算电荷蓄积量的情况下，伴随着发射数的增加而计算量变多，难以与描绘处理并行地实时进行漂移校正。因此，在本实施方式中，通过集中多次发射来计算电荷蓄积量，能够提高计算速度，进行实时的漂移校正。
例如，在按每两次发射计算电荷蓄积量的情况下，通过将电荷蓄积量看作如图6那样变化，能够简化计算。在该情况下，第i+1次发射结束时(第i+2次发射开始时)的电荷蓄积量Qi+2能够根据第i次发射开始时的电荷蓄积量Qi通过以下的数式2计算，能够一次结束两次的计算。
[数式2]
Figure BDA0003665375020000091
此外，由于偏转器使用多个电极，所以认为带电源也有多处。因此，如图7所示，考虑偏转器由4个电极E1～E4构成，按每N次发射(集中N次发射)计算各电极的电荷蓄积量(带电量)的情况。能够根据电极Ej(j＝1～4)的第i次发射开始时的电荷蓄积量Qi、j，通过以下的数式3求出N次发射后的电荷蓄积量Qi+N、j。
[数式3]
Figure BDA0003665375020000092
Figure BDA0003665375020000093
Figure BDA0003665375020000094
累计发射数：N
累计发射时间：tshot(total)
累计稳定时间(＝累计描绘时间-累计发射时间)：tstl(total)
平均偏转方向
Figure BDA0003665375020000095
平均发射尺寸：
Figure BDA0003665375020000096
在数式3中，时间常数τcj、τdj、系数α、Qmax、j是不依赖于描绘布局的装置固有的状态参数，因此，能够根据分别在2个以上的条件下测定漂移的变化而得的结果事先求出射束照射量或者发射间隔、偏转位置。
能够使用各电极的电荷蓄积量通过以下的数式4计算漂移量。
[数式4]
Figure BDA0003665375020000097
图8表示集中发射的个数(数式3的累计发射数N)与1×108发射的漂移量的计算所需的时间之间的关系的例子。累计发射数N越大，1×108发射的漂移量的计算所需的时间越少。另外，即使将累计发射数N改变为100、1000、10000、100000、1000000，计算出的漂移量也几乎不变。
包含上述的数式3、4以及时间常数τcj、τdj、系数α、Qmax、j的计算式数据存储于存储装置140。漂移校正部52从存储装置140中获取计算式数据。漂移校正部52参照存储于存储器112的多个发射数据，计算多次发射的累计发射时间(射束开启的时间的合计)、累计稳定时间(射束关闭的时间的合计)、平均偏转方向、平均发射尺寸，将计算出的值代入计算式来计算各电极的电荷蓄积量。
漂移校正部52根据各电极的电荷蓄积量计算漂移量(步骤S2)，求出消除漂移量的漂移校正量。漂移校正部52基于漂移校正量，生成电子束的偏转量(射束照射位置)的校正信息(步骤S3)，并提供给描绘控制部54。描绘控制部54使用该校正信息将射束照射位置的校正量提供给偏转控制电路120。
描绘控制部54将发射数据传输到偏转控制电路120。偏转控制电路120基于发射数据将消隐控制用的信号输出到DAC放大器130，将成型偏转用的信号输出到DAC放大器138。
偏转控制电路120基于发射数据以及射束照射位置的校正量，将偏转控制用的信号输出到DAC放大器132、134、136。由此，在描绘部150中校正射束照射位置(步骤S4)。
漂移校正部52计算出的漂移量由于之后的非预期的描绘中断动作(数据传输等待、工作台等待等的描绘暂时停止动作)这样的事件，进行未用于漂移量计算的时间放电，所以与实际的漂移量之差变大。在图9中表示产生了事件的情况下的漂移量计算值、实际的漂移量以及误差的累计值的例子。可知，以在时刻T1、T2、T3产生的事件为契机，累计误差变大。
在本实施方式中，虚拟照射指示部53在规定的定时向描绘控制部54指示虚拟照射的执行(步骤S5_是)。根据来自虚拟照射指示部53的指示，描绘控制部54执行虚拟照射(步骤S6)。虚拟照射的定时是任意的，例如，可以以规定时间间隔进行，也可以每当描绘规定条数的条形区域20时进行。事先求出图10所示的虚拟照射的照射时间与漂移量的误差的改善量之间的关系，设定适当的虚拟照射的照射时间。如果虚拟照射的照射时间过短，则漂移量的误差改善量变得不充分，如果照射时间过长，则处理量降低。
漂移校正部52伴随着虚拟照射的执行，将虚拟照射的照射条件代入上述的计算式来计算漂移量。
在图11中表示进行了虚拟照射的情况下的漂移量计算值以及实际的漂移量的变化的例子。在时刻T1、T2、T3产生事件，在时刻T4、T5、T6、T7执行虚拟照射。可知，通过虚拟照射，漂移量计算值与实际的漂移量之差减小。
这样，根据本实施方式，参照特定区间的多个发射数据，使用累计发射数、在区间内平均化了的射束尺寸、射束偏转位置(偏转方向)、区间内的射束开启/关闭的累计时间计算漂移量，因此，能够抑制计算量并高精度地进行漂移校正。此外，通过在规定的定时进行虚拟照射，能够减小漂移量的计算值与实际的漂移量之差，提高描绘精度。
在上述实施方式中，说明了与事件的有无无关地在规定的定时进行虚拟照射的例子，但在能够掌握事件的产生以及中断时间的情况下，虚拟照射指示部53也可以计算描绘停止中的放电量，求出与漂移量计算值的误差，根据误差的大小决定虚拟照射的照射时间。此外，决定出的照射时间的虚拟照射可以一次进行，也可以分多次进行。
在上述实施方式中，说明了使用单射束的描绘装置，但也可以是多射束描绘装置。在该情况下，在发射数据中定义了发射位置、射束开启/关闭时间等。
上述实施方式中说明的带电粒子束描绘装置的至少一部分可以由硬件构成，也可以由软件构成。在由软件构成的情况下，也可以将实现多射束描绘装置的至少一部分的功能的程序收纳于软盘、CD-ROM等的存储介质，并由计算机读入并执行。存储介质并不限定于磁盘、光盘等的可拆装的介质，也可以是硬盘装置、存储器等的固定型的存储介质。
此外，也可以将实现带电粒子束描绘装置的至少一部分的功能的程序经由因特网等的通信线路(也包括无线通信)发布。进而，也可以将该程序加密或者调制，在压缩的状态下经由因特网等的有线线路、无线线路或者收纳于存储介质进行发布。
使用特定的方式对本发明进行了详细说明，但对于本领域技术人员显而易见的是，能够在不脱离本发明的意图和范围的情况下进行各种变更。
本申请基于2020年2月5日提出的日本专利申请2020-017697，通过引用而援引其全部内容。
符号说明：
50：发射数据生成部；52：漂移校正部；53：虚拟照射指示部；54：描绘控制部；100：描绘装置；107：被照射部件；110：控制计算机；150：描绘部；160：控制部。

Claims (9)

1.一种带电粒子束描绘装置，具备：
放出部，放出带电粒子束；
偏转器，调整上述带电粒子束相对于载置于工作台的基板的照射位置；
发射数据生成部，根据描绘数据生成包含每次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间的发射数据；
漂移校正部，参照所生成的多个上述发射数据，基于多次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间，计算向上述基板照射的上述带电粒子束的照射位置的漂移量，基于该漂移量生成校正照射位置偏移的校正信息；
偏转控制部，基于上述发射数据以及上述校正信息控制基于上述偏转器的偏转量；以及
虚拟照射指示部，在描绘处理中，指示向上述工作台上的与上述基板不同的位置以预先求出的照射量照射上述带电粒子束的虚拟照射的执行。
2.根据权利要求1所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，
上述虚拟照射指示部在规定的定时或者每当产生事件时，指示上述虚拟照射的执行。
3.根据权利要求2所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，
上述虚拟照射指示部计算未用于上述漂移量的计算的时间内的放电量，并基于该放电量求出上述虚拟照射的上述照射量。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，
上述偏转器具有多个电极，
上述漂移校正部基于上述多次发射的射束开启的时间的合计、射束关闭的时间的合计、平均偏转方向以及平均发射尺寸，计算上述多个电极各自的电荷蓄积量，并根据各电极的上述电荷蓄积量计算上述漂移量。
5.一种带电粒子束描绘方法，具备：
放出带电粒子束的工序；
使用偏转器调整上述带电粒子束相对于载置于工作台的基板的照射位置的工序；
根据描绘数据生成包含每次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间的发射数据的工序；
参照所生成的多个上述发射数据，基于多次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间，计算向上述基板照射的上述带电粒子束的照射位置的漂移量的工序；
基于上述漂移量生成校正照射位置偏移的校正信息的工序；
基于上述发射数据以及上述校正信息控制基于上述偏转器的偏转量的工序；以及
在描绘处理中，进行向上述工作台上的与上述基板不同的位置以预先求出的照射量照射上述带电粒子束的虚拟照射的工序。
6.根据权利要求5所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
在规定的定时或者每当产生事件时，进行上述虚拟照射。
7.根据权利要求6所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
计算未用于上述漂移量的计算的时间内的放电量，并基于该放电量求出上述虚拟照射的上述照射量。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
上述偏转器具有多个电极，
基于上述多次发射的射束开启的时间的合计、射束关闭的时间的合计、平均偏转方向以及平均发射尺寸，计算上述多个电极各自的电荷蓄积量，并根据各电极的上述电荷蓄积量计算上述漂移量。
9.一种存储介质，是存储有程序的计算机可读取的存储介质，其中，
上述程序用于使计算机执行如下处理：
放出带电粒子束的处理；
使用偏转器调整上述带电粒子束相对于载置于工作台的基板的照射位置的处理；
根据描绘数据生成包含每次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间的发射数据的处理；
参照所生成的多个上述发射数据，基于多次发射的发射位置以及射束开启/关闭时间，计算向上述基板照射的上述带电粒子束的照射位置的漂移量的处理；
基于上述漂移量生成校正照射位置偏移的校正信息的处理；
基于上述发射数据以及上述校正信息控制基于上述偏转器的偏转量的处理；以及
在描绘处理中，进行向上述工作台上的与上述基板不同的位置以预先求出的照射量照射上述带电粒子束的虚拟照射的处理。
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