TWI788762B - 荷電粒子束描繪裝置， 荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪用程式 - Google Patents

荷電粒子束描繪裝置， 荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪用程式 Download PDF

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Abstract

本發明是提供可使漂移量的計算值與實際的漂移量的差減低之荷電粒子束描繪裝置、荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪用程式。 本發明之一形態的荷電粒子束描繪裝置，係具備： 偏向器，其係調整前述荷電粒子束對於被載置於平台的基板的照射位置； 發射資料產生部，其係從描繪資料產生包含每發射的發射位置及射束ON‧OFF時間的發射資料； 漂移修正部，其係參照被產生的複數的前述發射資料，算出被照射至前述基板的前述荷電粒子束的照射位置的漂移量，產生根據該漂移量來修正照射位置偏移的修正資訊； 偏向控制部，其係根據前述發射資料及前述修正資訊來控制前述偏向器的偏向量；及 虛擬照射指示部，其係描繪處理中，指示虛擬照射的實行，以預先求得的照射量來照射前述荷電粒子束至與前述平台上的前述基板不同的位置。

Description

荷電粒子束描繪裝置，荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪用程式
本發明是有關荷電粒子束描繪裝置、荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪用程式。
隨著LSI的高集成化，被半導體裝置要求的電路線寬是年年微細化。為了所望的電路圖案形成至半導體裝置，而採用使用縮小投影型曝光裝置來將被形成於石英上的高精度的原畫圖案(遮罩或特別是被用在步進機(stepper)或掃描器(scanner)者亦稱為中間掩膜(reticle))縮小轉印至晶圓上的手法。高精度的原畫圖案是藉由電子束描繪裝置來描繪，使用所謂電子束微影(lithography)技術。 在電子束描繪裝置中，因為各種的因素，在描繪中發生電子束的照射位置隨時間經過而移動的被稱為射束漂移的現象。例如，污染物附著於描繪裝置的偏向電極等的照射系，污染物藉由來自描繪對象基板的散射電子而帶電，因此產生射束漂移。為了消除此射束漂移，而進行漂移修正。 例如，在日本特許第4439038號公報是揭示由以每發射的射束電流量、射束照射位置及射束的ON‧OFF時間作為參數的修正計算式來算出漂移量，修正偏向器的偏向量之手法。但，由於每1發射計算偏向器表面的電荷蓄積量，因此隨著發射數的增加，計算量會變多。 又，就如此的以往的手法而言，為了實現高精度的漂移修正，需要正確地知道射束的照射資訊。在實際的描繪處理中，因為資料轉送等待或描繪一時停止動作等，有不可預期發生描繪中斷動作的情況，但在修正計算中，描繪的中斷是未被考慮。因此，計算的漂移量與實際的漂移量的誤差是隨著時間經過慢慢地累積而擴大，有影響描繪精度的情形。
本發明是提供使漂移量的計算值與實際的漂移量的差減低之荷電粒子束描繪裝置、荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪用程式。 本發明之一形態的荷電粒子束描繪裝置，係具備： 放出部，其係放出荷電粒子束； 偏向器，其係調整前述荷電粒子束對於被載置於平台的基板的照射位置； 發射資料產生部，其係從描繪資料產生包含每發射的發射位置及射束ON‧OFF時間的發射資料； 漂移修正部，其係參照被產生的複數的前述發射資料，根據複數發射的發射位置及射束ON‧OFF時間，算出被照射至前述基板的前述荷電粒子束的照射位置的漂移量，產生根據該漂移量來修正照射位置偏移的修正資訊； 偏向控制部，其係根據前述發射資料及前述修正資訊來控制前述偏向器的偏向量；及 虛擬照射指示部，其係描繪處理中，指示虛擬照射的實行，以預先求得的照射量來照射前述荷電粒子束至與前述平台上的前述基板不同的位置。 本發明之一形態的荷電粒子束描繪方法，係具備： 放出荷電粒子束之工程； 利用偏向器，調整前述荷電粒子束對於被載置於平台的基板的的照射位置之工程； 從描繪資料，產生包含每發射的發射位置及射束ON‧OFF時間的發射資料之工程； 參照被產生的複數的前述發射資料，根據複數發射的發射位置及射束ON‧OFF時間，算出被照射至前述基板的前述荷電粒子束的照射位置的漂移量之工程； 產生根據前述漂移量來修正照射位置偏移的修正資訊之工程； 根據前述發射資料及前述修正資訊來控制前述偏向器的偏向量之工程；及 描繪處理中，進行虛擬照射，以預先求得的照射量來照射前述荷電粒子束至與前述平台上的前述基板不同的位置之工程。 本發明之一形態的荷電粒子束描繪用程式，係用以使下列處理實行於電腦， 放出荷電粒子束之處理； 利用偏向器，調整前述荷電粒子束對於被載置於平台的基板的的照射位置之處理； 從描繪資料，產生包含每發射的發射位置及射束ON‧OFF時間的發射資料之處理； 參照被產生的複數的前述發射資料，根據複數發射的發射位置及射束ON‧OFF時間，算出被照射至前述基板的前述荷電粒子束的照射位置的漂移量之處理； 產生根據前述漂移量來修正照射位置偏移的修正資訊之處理； 根據前述發射資料及前述修正資訊來控制前述偏向器的偏向量之處理；及 描繪處理中，進行虛擬照射，以預先求得的照射量來照射前述荷電粒子束至與前述平台上的前述基板不同的位置之處理。 若根據本發明，則可使漂移量的計算值與實際的漂移量的差減低。
以下，根據圖面說明本發明的實施形態。在本實施形態中，作為荷電粒子束的一例，說明有關使用電子束的構成。但，荷電粒子束是不限於電子束，亦可為離子射束等。 圖1是表示實施形態的描繪裝置的構成的概念圖。在圖1中，描繪裝置100是具備描繪部150及控制部160。描繪部150是具備電子鏡筒102及描繪室103。在電子鏡筒102內是配置有電子槍201、照明透鏡202、遮沒偏向器212、遮沒孔徑隔板(Aperture)214、第1成形孔徑隔板203、投影透鏡204、成形偏向器205、第2成形孔徑隔板206、對物透鏡207、主偏向器208、副偏向器209及副副偏向器216。 在描繪室103內是配置有可移動於XY方向的XY平台105。在XY平台105上是配置有成為被塗佈阻劑的描繪對象的基板101。基板101是包含用以製造半導體裝置的曝光用的遮罩、矽晶圓、光罩基板(Mask blank)等。 在XY平台105上，在與配置有基板101的區域不同的位置，設有在後述的虛擬照射時被照射電子束的被照射構件107。被照射構件107是例如用以測定電子束的射束電流的法拉第杯、或用以測定電子束的漂移量的反射標記。 反射標記是例如形成十字形狀或點形狀，在矽基板上以鉭或鎢等的重金屬所形成者。在XY平台105的上方，設有藉由對於反射標記的電子束的照射來檢測出電子束的照射位置(射束位置)的照射位置檢測器220。例如可使用電子檢測器作為照射位置檢測器220，以電子束掃描標記，檢測出藉由標記而被反射的反射電子作為電流值。被檢測出的射束位置是被通知給後述的控制計算機110。 從被設在電子鏡筒102內的電子槍201(放出部)放出的電子束200是在通過遮沒偏向器212內時，可藉由遮沒偏向器212來切換是否將電子束照射至基板。 電子束200是藉由照明透鏡202來照射至具有矩形的開口A1(參照圖2)的第1成形孔徑隔板203。藉由通過第1成形孔徑隔板203的開口A1，電子束200是被形成矩形。 通過第1成形孔徑隔板203的第1孔徑隔板像的電子束200是藉由投影透鏡204來被投影至具有可變成形開口A2(參照圖2)的第2成形孔徑隔板206上。此時，藉由成形偏向器205來偏向控制被投影至第2成形孔徑隔板206上的第1孔徑隔板像，使通過可變成形開口A2的電子束的形狀及尺寸變化(進行可變成形)。 通過第2成形孔徑隔板206的可變成形開口A2的第2孔徑隔板像的電子束200是藉由對物透鏡207來對焦，藉由主偏向器208、副偏向器209及副副偏向器216來偏向，被照射至在連續性地移動的XY平台105上所載置的基板101。 控制部160是具有：控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路120、DAC(數位轉類比轉換器(digital to analog converter))放大器130，132，134，136、138(偏向放大器)、及記憶裝置140。 偏向控制電路120是連接DAC放大器130，132，134，136，138。DAC放大器130是被連接至遮沒偏向器212。DAC放大器132是被連接至副偏向器209。DAC放大器134是被連接至主偏向器208。DAC放大器136是被連接至副副偏向器216。DAC放大器138是被連接至成形偏向器205。 控制計算機110是具備：發射資料產生部50、漂移修正部52、虛擬照射指示部53及描繪控制部54。發射資料產生部50、漂移修正部52、虛擬照射指示部53及描繪控制部54的各機能是可以軟體構成，或亦可以硬體構成。 圖3是用以說明偏向區域的概念圖。如圖3所示般，基板101的描繪區域10是以主偏向器208的可偏向寬度，例如朝向y方向來長方形狀地被假想分割成複數的條紋區域20。而且，以主偏向器208的可偏向寬度，將條紋區域20分割於x方向的區域會成為主偏向器208的偏向區域(主偏向區域)。 此主偏向區域是以副偏向器209的可偏向大小，網狀地被假想分割成複數的子域(SF)(Subfield)30。而且，各SF30是以副副偏向器216的可偏向大小，網狀地被假想分割成複數的次子域(在此是使用意思第3偏向的Tertiary Deflection Field的縮寫「TF」，以下同樣)40。在各TF40的各發射位置42描繪發射圖形。 由偏向控制電路120對於DAC放大器130，輸出遮沒控制用的數位訊號。在DAC放大器130中，將數位訊號變換成類比訊號，使放大之後作為偏向電壓施加於遮沒偏向器212。藉由此偏向電壓來使電子束200偏向，進行各發射的遮沒控制。 由偏向控制電路120對於DAC放大器138，輸出成形偏向用的數位訊號。在DAC放大器138中，將數位訊號變換成類比訊號，使放大之後作為偏向電壓施加於偏向器205。電子束200會藉由此偏向電壓來偏向至第2成形孔徑隔板206的特定的位置，形成所望的尺寸及形狀的電子束。 由偏向控制電路120對於DAC放大器134，輸出主偏向控制用的數位訊號。DAC放大器134是將數位訊號變換成類比訊號，使放大之後作為偏向電壓施加於主偏向器208。電子束200會藉由此偏向電壓而偏向，各發射的射束會被偏向至被網(mesh)狀地假想分割的預定的子域(SF)的基準位置A(例如該當的SF的中心位置或左下的角位置等)。又，當XY平台105邊連續移動邊描繪時，在偏向電壓中亦包含追從於平台移動的追蹤(tracking)用的偏向電壓。 由偏向控制電路120對於DAC放大器132，輸出副偏向控制用的數位訊號。DAC放大器132是將數位訊號變換成類比訊號，使放大之後作為偏向電壓施加於副偏向器209。電子束200會藉由此偏向電壓而偏向，各發射的射束會被偏向至各發射的射束成為最小偏向區域的TF40的基準位置B(例如該當的TF的中心位置或左下的角位置等)。 由偏向控制電路120對於DAC放大器136，輸出副副偏向控制用的數位訊號。DAC放大器136是將數位訊號變換成類比訊號，使放大之後作為偏向電壓施加於副副偏向器216。藉由此偏向電壓，電子束200會被偏向，各發射的射束會被偏向至TF40內的各發射位置42。 在描繪裝置100中，利用複數段的偏向器，按每個條紋區域20使描繪處理進展。在此，使用主偏向器208、副偏向器209及副副偏向器216等的3段偏向器，作為一例。XY平台105例如邊朝向-x方向連續移動，邊針對第1個的條紋區域20朝向x方向使描繪進展。而且，第1個的條紋區域20的描繪終了後，同樣或朝向逆方向使第2個的條紋區域20的描繪進展。以後，同樣使第3個以後的條紋區域20的描繪進展。 主偏向器208會以能追從XY平台105的移動之方式，將電子束200依序偏向至SF30的基準位置A。又，副偏向器209會從各SF30的基準位置A，將電子束200依序偏向至TF40的基準位置B。而且，副副偏向器216會從各TF40的基準位置B，將電子束200偏向至被照射於該TF40內的射束的發射位置42。 如此，主偏向器208、副偏向器209及副副偏向器216是持有大小不同的偏向區域。TF40是複數段的偏向器的偏向區域之中，成為最小偏向區域。 記憶裝置140是例如磁碟裝置，記憶用以在基板101描繪圖案的描繪資料。此描繪資料是設計資料(佈局資料)被變換成描繪裝置100用的格式的資料，從外部裝置輸入至記憶裝置140而保存。 按照圖12所示的流程圖來說明控制計算機110的各部的處理。發射資料產生部50會對於被儲存於記憶裝置140的描繪資料進行複數段的資料變換處理，將成為描繪對象的各圖形圖案分割成可用1次的發射來照射的大小的發射圖形，產生成為描繪裝置固有的格式的發射資料(步驟S1)。在發射資料中，按每個發射，例如定義有表示各發射圖形的圖形種類的圖形碼、圖形大小(發射大小)、發射位置、射束ON‧OFF時間等。被產生的發射資料是暫時性地記憶於記憶體112。 在發射資料中所含的射束ON時間是考慮鄰近效應(proximity effect)、霧化效應(fogging effect)、負載效應(loading effect)等引起圖案的尺寸變動的主要因素來算出描繪區域10的各位置的電子束的照射量(投配量)Q，藉由算出的照射量Q除以電流密度J來算出。射束OFF時間是依據描繪中的平台移動速度或射束移動量、DAC放大器的沈降時間等來算出。 發射資料的產生是與描繪處理同時進行，複數發射的發射資料事前產生而記憶於記憶體112。例如，條紋區域20一條份的發射資料事前產生，記憶於記憶體112。 在本實施形態中，參照事前被產生的複數發射的發射資料，利用複數發射的累積發射數、平均化的發射大小(射束大小)及發射位置(射束偏向位置)、以及累積射束ON‧OFF時間，來算出偏向器(主偏向器208、副偏向器209或副副偏向器216)表面的電荷蓄積量。然後，根據電荷蓄積量來算出漂移量，即時修正充電(Charge Up)現象所產生的帶電漂移。 為了即時修正帶電漂移，修正計算是比描繪處理更領先進行。在實際的描繪處理中，因為資料轉送等待等，描繪動作會有暫時性地停止的情形，為了考慮在領先進行的修正計算實施後產生的描繪停止動作而求取帶電量，必須重新修正計算，對處理能力造成影響。為此，大多描繪動作停止時間的影響是不被考慮，因為描繪停止中的放電，在計算求得的漂移量與實際的漂移量產生誤差。於是，本實施形態為了減低此誤差，在預定的時機進行虛擬照射(往被照射構件107的射束照射)，藉由使電荷蓄積量飽和來使漂移量飽和，使計算求得的漂移量與實際的漂移量的差減低。 首先，說明有關修正計算。如圖4所示般，1次的發射是具有射束ON的期間tshot 及射束OFF的期間tstl ，在偏向器表面，射束照射(射束ON)時的散射電子所產生的帶電相(phase)及射束OFF時的放電相會被重複。 構成偏向器的複數的電極是分別可以圖5所示的函數C(t)、D(t)來表示電極表面的電荷蓄積量的變化。函數C(t)是表示射束ON時的帶電，函數D(t)是表示射束OFF時的放電。在圖5的各數學式中，τc 是表示帶電容易度的時間常數，τd 是表示放電容易度的時間常數。 若將圖4所示的第i個的發射開始時的電荷蓄積量設為Qi ，則第i個的發射終了時(第i+1個的發射開始時)的電荷蓄積量Qi+1 、第i+1個的發射終了時(第i+2個的發射開始時)的電荷蓄積量Qi+2 是分別可以以下的數學式1來表示。在數學式1中，Qmax 是飽和電子量，tshot 是射束ON的時間(發射時間)，tstl 是射束OFF的時間(沈降時間)，τc 是帶電的時間常數，τd 是放電的時間常數。
Figure 02_image001
圖4所示的圖表是對應於每1發射計算電荷蓄積量時的計算式者。每1發射計算電荷蓄積量時，隨著發射數的增加，計算量變多，難以與描繪處理並行即時進行漂移修正。因此，在本實施形態中，藉由匯集複數發射來計算電荷蓄積量而使計算速度提升，可使能進行即時的漂移修正。 例如，每2發射計算電荷蓄積量時，藉由將電荷蓄積量視為圖6般變化，計算可簡略化。此情況，第i+1個的發射終了時(第i+2個的發射開始時)的電荷蓄積量Qi+2 是可由第i個的發射開始時的電荷蓄積量Qi 來以以下的數學式2算出，可使2次份的計算以1次完成。
Figure 02_image003
又，由於偏向器是使用複數個的電極，因此可想像帶電源也有複數處。為此，如圖7所示般，可想像偏向器由4個的電極E1～E4所組成，按每N發射(N發射匯集)計算各電極的電荷蓄積量(帶電量)的情況。N發射後的電荷蓄積量Qi+N 、 j 可由電極Ej(j=1～4)的第i個的發射開始時的電荷蓄積量Qi 、 j 來以以下的數學式3求取。
Figure 02_image005
在數學式3中，時間常數τcj 、τdj 、係數α、Qmax ， j 是不拘描繪佈局的裝置固有的狀態參數，因此可分別由以2個以上的條件所測定漂移的變化的結果來事前求取射束照射量或發射間隔及偏向位置。 可利用各電極的電荷蓄積量，由以下的數學式4來算出漂移量。
Figure 02_image007
圖8是表示匯集發射的數量(數學式3的累積發射數N)與1×108 發射份的漂移量的算出所要的時間的關係的例子。累積發射數N越大，1×108 發射份的漂移量的算出所要的時間越減少。另外，即使將累積發射數N改變成100、1000、10000、100000、1000000，被算出的漂移量也幾乎不變。 上述的數學式3、4、及包含時間常數τcj 、τdj 、係數α、Qmax ， j 的計算式資料是被儲存於記憶裝置140。漂移修正部52是從記憶裝置140取出計算式資料。漂移修正部52是參照被儲存於記憶體112的複數的發射資料，算出複數發射的累積發射時間(射束ON的時間的合計)、累積沈降時間(射束OFF的時間的合計)、平均偏向方向、平均發射大小，將算出的值代入至計算式而算出各電極的電荷蓄積量。 漂移修正部52是從各電極的電荷蓄積量算出漂移量(步驟S2)，求取消除漂移量的漂移修正量。漂移修正部52是根據漂移修正量，產生電子束的偏向量(射束照射位置)的修正資訊(步驟S3)，給予描繪控制部54。描繪控制部54是利用此修正資訊，將射束照射位置的修正量給予偏向控制電路120。 描繪控制部54是將發射資料轉送至偏向控制電路120。偏向控制電路120是根據發射資料來將遮沒控制用的訊號輸出至DAC放大器130，將成形偏向用的訊號輸出至DAC放大器138。 偏向控制電路120是根據發射資料及射束照射位置的修正量來將偏向控制用的訊號輸出至DAC放大器132、134、136。藉此，在描繪部150中，射束照射位置會被修正(步驟S4)。 漂移修正部52所算出的漂移量，因為之後的不可預期描繪中斷動作(資料轉送等待、平台等待等的描繪一時停止動作)的事件(event)，不被使用於漂移量算出的時間放電，因此與實際的漂移量的差會變大。在圖9顯示事件發生時的漂移量計算值、實際的漂移量、及誤差的累積值的例子。可知以在時刻T1，T2，T3產生的事件為起因，累積誤差變大。 在本實施形態中，虛擬照射指示部53會在預定的時機指示描繪控制部54實行虛擬照射(步驟S5_Yes)。描繪控制部54會按照來自虛擬照射指示部53的指示，實行虛擬照射(步驟S6)。虛擬照射的時機為任意，例如可以預定時間間隔進行，或亦可每描繪預定的條數的條紋區域20進行。事前求取如圖10所示般的虛擬照射的照射時間與漂移量的誤差的改善量的關係，設定適當的虛擬照射的照射時間。若虛擬照射的照射時間過短，則漂移量的誤差改善量會不夠充分，若照射時間過長，則處理能力會降低。 漂移修正部52是伴隨虛擬照射的實行，將虛擬照射的照射條件代入至上述的計算式，計算漂移量。 在圖11顯示進行虛擬照射時的漂移量計算值及實際的漂移量的變化的例子。在時刻T1，T2，T3發生事件，在時刻T4，T5，T6，T7實行虛擬照射。藉由虛擬照射，可知漂移量計算值與實際的漂移量的差會被減低。 如此，若根據本實施形態，則由於參照特定區間的複數的發射資料，利用累積發射數、及在區間內平均化的射束大小、射束偏向位置(偏向方向)、在區間內的射束ON‧OFF的累積時間來算出漂移量，因此可一面抑制計算量，一面高精度地進行漂移修正。又，藉由在預定的時機進行虛擬照射，可減低漂移量的計算值與實際的漂移量的差，使描繪精度提升。 上述實施形態是說明有關不拘事件的有無，在預定的時機進行虛擬照射的例子，但當可掌握事件的發生及中斷時間時，亦可虛擬照射指示部53計算描繪停止中的放電量，求取來自漂移量計算值的誤差，由誤差的大小來決定虛擬照射的照射時間。又，決定的照射時間的虛擬照射是可進行一次，或亦可分割成複數次進行。 在上述實施形態中，說明有關使用單射束的描繪裝置，但亦可為多射束描繪裝置。該情況，發射資料是定義有發射位置、射束ON‧OFF時間等。 在上述實施形態說明的荷電粒子束描繪裝置的至少一部分是可以硬體構成或亦可以軟體構成。以軟體構成時，亦可將實現多射束描繪裝置的至少一部分的機能的程式收納於軟碟或CD-ROM等的記錄媒體，使讀進電腦而實行。記錄媒體是不被限定於磁碟或光碟等的可裝卸者，亦可為硬碟裝置或記憶體等的固定型的記錄媒體。 又，亦可經由網際網路等的通訊線路(也包含無線通訊)來分發實現荷電粒子束描繪裝置的至少一部分的機能的程式。又，亦可在將同程式密碼化或施以調變或壓縮的狀態下，經由網際網路等的有線線路或無線線路或收納於記錄媒體來分發。 利用特定的形態來詳細說明本發明，但對該當業者而言可在不脫離本發明的意圖及範圍實施各種的變更。
50:發射資料產生部 52:漂移修正部 53:虛擬照射指示部 54:描繪控制部 100:描繪裝置 107:被照射構件 110:控制計算機 150:描繪部 160:控制部
[圖1]是本發明的實施形態的荷電粒子束描繪裝置的概略圖。 [圖2]是第1成形孔徑隔板及第2成形孔徑隔板的立體圖。 [圖3]是說明偏向區域的概念圖。 [圖4]是表示電荷蓄積量的變化的圖表。 [圖5]是表示帶電與放電的函數的圖表。 [圖6]是表示電荷蓄積量的變化的圖表。 [圖7]是表示偏向電極的例子的圖。 [圖8]是表示累積發射數與漂移計算時間的關係的例子的表。 [圖9]是表示比較例之漂移量計算值與實際的漂移量的變化的圖表。 [圖10]是表示虛擬照射時間與漂移量誤差的改善量的關係的圖表。 [圖11]是表示進行虛擬照射時的漂移量計算值與實際的漂移量的變化的圖表。 [圖12]是說明同實施形態的荷電粒子束描繪方法的流程圖。
50:發射資料產生部
52:漂移修正部
53:虛擬照射指示部
54:描繪控制部
100:描繪裝置
101:基板
102:電子鏡筒
103:描繪室
105:XY平台
107:被照射構件
110:控制計算機
112:記憶體
120:偏向控制電路
130,132,134,136,138:DAC放大器
140:記憶裝置
150:描繪部
160:控制部
200:電子束
201:電子槍
202:照明透鏡
203:第1成形孔徑隔板
204:投影透鏡
205:成形偏向器
206:第2成形孔徑隔板
207:對物透鏡
208:主偏向器
209:副偏向器
212:遮沒偏向器
214:遮沒孔徑隔板(Aperture)
216:副副偏向器
220:照射位置檢測器

Claims (9)

  1. 一種荷電粒子束描繪裝置，其特徵係具備：放出部，其係放出荷電粒子束；偏向器，其係調整前述荷電粒子束對於被載置於平台的基板的照射位置；發射資料產生部，其係從描繪資料產生包含每發射的發射位置及射束ON‧OFF時間的發射資料；漂移修正部，其係參照被產生的複數的前述發射資料，根據複數發射的發射位置及前述射束ON‧OFF時間，算出被照射至前述基板的前述荷電粒子束的照射位置的漂移量，產生根據該漂移量來修正前述照射位置偏移的修正資訊；偏向控制部，其係根據前述發射資料及前述修正資訊來控制前述偏向器的偏向量；及虛擬照射指示部，其係描繪處理中，指示虛擬照射的實行，以預先求得的照射量來照射前述荷電粒子束至與前述平台上的前述基板不同的位置。
  2. 如請求項1記載的荷電粒子束描繪裝置，其中，前述虛擬照射指示部，係每預定的時機或事件發生，指示前述虛擬照射的實行。
  3. 如請求項2記載的荷電粒子束描繪裝置，其中，前述虛擬照射指示部，係算出在不被使用於前述漂移量的算出的時間的放電量，根據該放電量，求取前述虛 擬照射的前述照射量。
  4. 如請求項1~3的任一項記載的荷電粒子束描繪裝置，其中，前述偏向器係具有複數的電極，前述漂移修正部，係根據前述複數發射的射束ON的時間的合計、射束OFF的時間的合計、平均偏向方向及平均發射大小，來算出前述複數的電極的各者的電荷蓄積量，從各電極的前述電荷蓄積量算出前述漂移量。
  5. 一種荷電粒子束描繪方法，其特徵係具備：放出荷電粒子束之工程；利用偏向器，調整前述荷電粒子束對於被載置於平台的基板的的照射位置之工程；從描繪資料，產生包含每發射的發射位置及射束ON‧OFF時間的發射資料之工程；參照被產生的複數的前述發射資料，根據複數發射的發射位置及前述射束ON‧OFF時間，算出被照射至前述基板的前述荷電粒子束的照射位置的漂移量之工程；產生根據前述漂移量來修正前述照射位置偏移的修正資訊之工程；根據前述發射資料及前述修正資訊來控制前述偏向器的偏向量之工程；及描繪處理中，進行虛擬照射，以預先求得的照射量來照射前述荷電粒子束至與前述平台上的前述基板不同的位置之工程。
  6. 如請求項5記載的荷電粒子束描繪方法，其中，按預定的時機或每事件發生，進行前述虛擬照射。
  7. 如請求項6記載的荷電粒子束描繪方法，其中，算出在不被使用於前述漂移量的算出的時間的放電量，根據該放電量，求取前述虛擬照射的前述照射量。
  8. 如請求項5~7的任一項記載的荷電粒子束描繪方法，其中，前述偏向器係具有複數的電極，根據前述複數發射的射束ON的時間的合計、射束OFF的時間的合計、平均偏向方向及平均發射大小，來算出前述複數的電極的各者的電荷蓄積量，從各電極的前述電荷蓄積量算出前述漂移量。
  9. 一種荷電粒子束描繪用程式，其特徵係用以使下列處理實行於電腦，放出荷電粒子束之處理；利用偏向器，調整前述荷電粒子束對於被載置於平台的基板的照射位置之處理；從描繪資料，產生包含每發射的發射位置及射束ON‧OFF時間的發射資料之處理；參照被產生的複數的前述發射資料，根據複數發射的發射位置及前述射束ON‧OFF時間，算出被照射至前述基板的前述荷電粒子束的照射位置的漂移量之處理；產生根據前述漂移量來修正前述照射位置偏移的修正資訊之處理；根據前述發射資料及前述修正資訊來控制前述偏向器 的偏向量之處理；及描繪處理中，進行虛擬照射，以預先求得的照射量來照射前述荷電粒子束至與前述平台上的前述基板不同的位置之處理。
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