JPH05304080A - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法Info
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- JPH05304080A JPH05304080A JP3205084A JP20508491A JPH05304080A JP H05304080 A JPH05304080 A JP H05304080A JP 3205084 A JP3205084 A JP 3205084A JP 20508491 A JP20508491 A JP 20508491A JP H05304080 A JPH05304080 A JP H05304080A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い描画精度で所望パターンの描画を行うこ
とができると共に、トータルの描画時間を短くする。 【構成】 ステージ８上の任意の電子ビーム照射領域に
向けてビームが偏向され、ダミー照射が行われる。この
ダミー照射の間、一定時間ごとにマーク位置の検出が行
われる。この一定期間毎に測定された各マーク位置の値
は、制御装置１０内でその直前の測定マーク位置との差
が求められる。この差は、ステージ８と電子ビームとの
相対的なドリフトの変化量を示す。この変化量は、制御
装置１０内でメモリ１２に記憶された基準量と比較さ
れ、ドリフトの変化量が基準量以下となったとき、ダミ
ー照射が停止される。ダミー照射が停止された後、パタ
ーンデータメモリ１１からのパターンデータに基づいて
制御装置１０は、パターンデータ制御回路７およびステ
ージ制御回路９を制御し、データに基づいた所望パター
ンの描画を材料３に対して行う。
とができると共に、トータルの描画時間を短くする。 【構成】 ステージ８上の任意の電子ビーム照射領域に
向けてビームが偏向され、ダミー照射が行われる。この
ダミー照射の間、一定時間ごとにマーク位置の検出が行
われる。この一定期間毎に測定された各マーク位置の値
は、制御装置１０内でその直前の測定マーク位置との差
が求められる。この差は、ステージ８と電子ビームとの
相対的なドリフトの変化量を示す。この変化量は、制御
装置１０内でメモリ１２に記憶された基準量と比較さ
れ、ドリフトの変化量が基準量以下となったとき、ダミ
ー照射が停止される。ダミー照射が停止された後、パタ
ーンデータメモリ１１からのパターンデータに基づいて
制御装置１０は、パターンデータ制御回路７およびステ
ージ制御回路９を制御し、データに基づいた所望パター
ンの描画を材料３に対して行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ームを被描画材料に照射し、所望パターンの描画を行う
ようにした荷電粒子ビーム描画方法に関する。
ームを被描画材料に照射し、所望パターンの描画を行う
ようにした荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、電子ビーム描画方法において
は、被描画材料の所望の位置に正しく電子ビームを照射
し、パターンの描画を行わねばならない。しかしなが
ら、種々の理由により、電子ビームと被描画材料との間
の相対的なドリフトが発生し、このドリフトにより描画
精度は劣化する。このため、所望パターンの描画の途中
で、一定時間ごとに電子ビームの照射位置を測定し、ド
リフトの生じた分だけ電子ビームの偏向量を調整してド
リフトの補正を行い、描画精度の低下を防ぐことが行わ
れている。この方法は、比較的ドリフトがゆっくり発生
する場合には有効であるものの、描画の開始時に発生す
る早いドリフトを補正することは困難である。そのた
め、実際のパターンを描画する前に、ビームのドリフト
が比較的安定する程度の時間、被描画材料から外れた場
所にビームを照射し、任意のパターンを描画する、いわ
ゆるダミー照射が行われている。
は、被描画材料の所望の位置に正しく電子ビームを照射
し、パターンの描画を行わねばならない。しかしなが
ら、種々の理由により、電子ビームと被描画材料との間
の相対的なドリフトが発生し、このドリフトにより描画
精度は劣化する。このため、所望パターンの描画の途中
で、一定時間ごとに電子ビームの照射位置を測定し、ド
リフトの生じた分だけ電子ビームの偏向量を調整してド
リフトの補正を行い、描画精度の低下を防ぐことが行わ
れている。この方法は、比較的ドリフトがゆっくり発生
する場合には有効であるものの、描画の開始時に発生す
る早いドリフトを補正することは困難である。そのた
め、実際のパターンを描画する前に、ビームのドリフト
が比較的安定する程度の時間、被描画材料から外れた場
所にビームを照射し、任意のパターンを描画する、いわ
ゆるダミー照射が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ビームのド
リフト量は、描画装置の使用状況によって大きく変化す
る。例えば、複数枚の被描画材料を連続して描画する場
合、最初の１枚目の材料の描画時はビームのドリフト量
が多く、２枚目以降の描画時にはドリフト量はかなり小
さくなる。このような状況でも、ダミー照射の時間は、
ある定められた時間となっていたので、ダミー照射時間
の過不足が生じることになる。例えば、描画精度を優先
する場合には、必然的にダミー照射時間は長く設定され
るが、この場合には、２枚目以降の描画に対してのダミ
ー照射時間は必要以上に長くなるので、トータルの描画
時間が著しく長くなってしまう。逆に、描画時間を優先
する場合には、ダミー照射時間が短く設定されるが、こ
の場合には、特に初期の被描画材料への描画の精度が非
常に劣化する。
リフト量は、描画装置の使用状況によって大きく変化す
る。例えば、複数枚の被描画材料を連続して描画する場
合、最初の１枚目の材料の描画時はビームのドリフト量
が多く、２枚目以降の描画時にはドリフト量はかなり小
さくなる。このような状況でも、ダミー照射の時間は、
ある定められた時間となっていたので、ダミー照射時間
の過不足が生じることになる。例えば、描画精度を優先
する場合には、必然的にダミー照射時間は長く設定され
るが、この場合には、２枚目以降の描画に対してのダミ
ー照射時間は必要以上に長くなるので、トータルの描画
時間が著しく長くなってしまう。逆に、描画時間を優先
する場合には、ダミー照射時間が短く設定されるが、こ
の場合には、特に初期の被描画材料への描画の精度が非
常に劣化する。
【０００４】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、高い描画精度で所望パターンの描
画を行うことができると共に、トータルの描画時間を短
くすることができる荷電粒子ビーム描画方法を実現する
にある。
もので、その目的は、高い描画精度で所望パターンの描
画を行うことができると共に、トータルの描画時間を短
くすることができる荷電粒子ビーム描画方法を実現する
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく荷電粒子
ビーム描画方法は、荷電粒子ビームを被描画材料に照射
し、所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法
において、荷電粒子ビームを所望パターンの描画部以外
の領域にダミー照射すると共に、このダミー照射の間、
定められた時間間隔で荷電粒子ビームのドリフト量の変
化を測定し、ドリフト量の変化が予め定められた値以下
となった時点でダミー照射を終了させ、所望パターンの
描画を開始するようにしたことを特徴としている。
ビーム描画方法は、荷電粒子ビームを被描画材料に照射
し、所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法
において、荷電粒子ビームを所望パターンの描画部以外
の領域にダミー照射すると共に、このダミー照射の間、
定められた時間間隔で荷電粒子ビームのドリフト量の変
化を測定し、ドリフト量の変化が予め定められた値以下
となった時点でダミー照射を終了させ、所望パターンの
描画を開始するようにしたことを特徴としている。
【０００６】
【作用】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方法は、ダ
ミー照射の間、定められた時間間隔で荷電粒子ビームの
ドリフト量の変化を測定し、ドリフト量の変化が予め定
められた値以下となった時点でダミー照射を終了させ、
所望パターンの描画を開始する。
ミー照射の間、定められた時間間隔で荷電粒子ビームの
ドリフト量の変化を測定し、ドリフト量の変化が予め定
められた値以下となった時点でダミー照射を終了させ、
所望パターンの描画を開始する。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明に基づく方法を実施するた
めの電子ビーム描画システムの一例を示しており、１は
電子銃である。電子銃１から発生した電子ビームＥＢ
は、電子レンズ２によって材料３上に集束される。この
電子ビーム光軸に沿ってブランキング電極４，ブランキ
ング絞り５，偏向器６などが配置されている。このブラ
ンキング電極４，偏向器６には、パターンデータ制御回
路７からブランキング信号や偏向信号が供給される。材
料３は、ステージ８上に載置されており、このステージ
８は、ステージ制御回路９からの指令によってＸＹ方向
に駆動される。該パターンデータ制御回路７およびステ
ージ制御回路９は、コンピュータの如き制御装置１０に
よって制御される。制御装置１０には、パターンデータ
メモリ１１と後述するドリフトの基準量が記憶されたメ
モリ１２が接続されている。また、１３は電子検出器で
あり、材料などへの電子ビームの照射に基づいて発生し
た反射電子や２次電子を検出するために設けられてい
る。検出器１３の検出信号は、増幅器１４を介して制御
装置１０に供給される。１５は温度センサーであり、材
料３の温度を検出し、検出信号を制御装置１０に供給す
る。このような構成の動作は次の通りである。
に説明する。図１は、本発明に基づく方法を実施するた
めの電子ビーム描画システムの一例を示しており、１は
電子銃である。電子銃１から発生した電子ビームＥＢ
は、電子レンズ２によって材料３上に集束される。この
電子ビーム光軸に沿ってブランキング電極４，ブランキ
ング絞り５，偏向器６などが配置されている。このブラ
ンキング電極４，偏向器６には、パターンデータ制御回
路７からブランキング信号や偏向信号が供給される。材
料３は、ステージ８上に載置されており、このステージ
８は、ステージ制御回路９からの指令によってＸＹ方向
に駆動される。該パターンデータ制御回路７およびステ
ージ制御回路９は、コンピュータの如き制御装置１０に
よって制御される。制御装置１０には、パターンデータ
メモリ１１と後述するドリフトの基準量が記憶されたメ
モリ１２が接続されている。また、１３は電子検出器で
あり、材料などへの電子ビームの照射に基づいて発生し
た反射電子や２次電子を検出するために設けられてい
る。検出器１３の検出信号は、増幅器１４を介して制御
装置１０に供給される。１５は温度センサーであり、材
料３の温度を検出し、検出信号を制御装置１０に供給す
る。このような構成の動作は次の通りである。
【０００８】通常のパターンの描画においては、制御装
置１０がパターンデータメモリ１１からパターンデータ
を読みだし、そのパターンデータをパターンデータ制御
回路７に転送する。パターンデータ制御回路７は、転送
されたパターンデータに応じてブランキング信号と偏向
信号を作成し、夫々ブランキング電極４と偏向器６に供
給する。その結果、電子銃１から発生した電子ビームＥ
Ｂは、描画すべきパターンに応じて適宜ブランキングさ
れ、また、偏向されるため、材料３は、電子ビームによ
って所望パターンが描画される。さて、このシステムの
初期状態において、１枚目の材料３をステージ８上に載
せ、１枚目の材料に所望パターンの描画を行う場合、制
御装置１０の指令により、ステージ８が移動され、ステ
ージ８の縁部に設けられたマークＭの部分に光軸が一致
するようにされる。そして、このマークＭの近傍を電子
ビームによって走査する。この走査に基づいて発生し
た、例えば反射電子は、検出器１３によって検出され、
この検出信号は増幅器１４を介して制御装置１０に供給
される。制御装置１０は、電子ビームの走査信号と反射
電子検出信号からマークＭの位置の測定を行い、得られ
たマーク位置の値は制御装置１０内のメモリに記憶され
る。この第１回目のマーク位置の測定が終了すると、ス
テージ８上の任意の電子ビーム照射領域に向けてビーム
が偏向され、ダミー照射が行われる。このダミー照射
は、制御装置１０からのダミー照射用の偏向信号を偏向
器６に供給することによって行われる。このダミー照射
の間、一定時間ごとにマーク位置の検出が行われる。こ
の一定期間毎に測定された各マーク位置の値は、制御装
置１０内でその直前の測定マーク位置との差が求められ
る。この差は、ステージ８と電子ビームとの相対的なド
リフト量の単位時間当たりの変化量を示す。図２のグラ
フは、経過時間に対してのドリフト量を示したもので、
横軸が時間、縦軸がドリフト量である。この測定された
ドリフトの単位時間ごとの変化量は、制御装置１０内で
メモリ１２に記憶された基準量と比較され、ドリフトの
変化量が基準量以下となったとき、ダミー照射が停止さ
れる。図２では、Ｔ1 〜Ｔ4 の時刻にドリフト量が測定
され、各時刻間のドリフトの変化量が求められる。そし
て、この変化量がメモリ１２に記憶された基準量以下と
なると、それ以降ダミー照射は停止される。例えば、時
刻Ｔ3 と時刻Ｔ4 の間のドリフトの変化量が基準量以下
であれば、時刻Ｔ4 においてダミー照射は停止される。
ダミー照射が停止された後、直ちにパターンデータメモ
リ１１からのパターンデータに基づいて制御装置１０
は、パターンデータ制御回路７およびステージ制御回路
９を制御し、データに基づいた所望パターンの描画を材
料３に対して行う。
置１０がパターンデータメモリ１１からパターンデータ
を読みだし、そのパターンデータをパターンデータ制御
回路７に転送する。パターンデータ制御回路７は、転送
されたパターンデータに応じてブランキング信号と偏向
信号を作成し、夫々ブランキング電極４と偏向器６に供
給する。その結果、電子銃１から発生した電子ビームＥ
Ｂは、描画すべきパターンに応じて適宜ブランキングさ
れ、また、偏向されるため、材料３は、電子ビームによ
って所望パターンが描画される。さて、このシステムの
初期状態において、１枚目の材料３をステージ８上に載
せ、１枚目の材料に所望パターンの描画を行う場合、制
御装置１０の指令により、ステージ８が移動され、ステ
ージ８の縁部に設けられたマークＭの部分に光軸が一致
するようにされる。そして、このマークＭの近傍を電子
ビームによって走査する。この走査に基づいて発生し
た、例えば反射電子は、検出器１３によって検出され、
この検出信号は増幅器１４を介して制御装置１０に供給
される。制御装置１０は、電子ビームの走査信号と反射
電子検出信号からマークＭの位置の測定を行い、得られ
たマーク位置の値は制御装置１０内のメモリに記憶され
る。この第１回目のマーク位置の測定が終了すると、ス
テージ８上の任意の電子ビーム照射領域に向けてビーム
が偏向され、ダミー照射が行われる。このダミー照射
は、制御装置１０からのダミー照射用の偏向信号を偏向
器６に供給することによって行われる。このダミー照射
の間、一定時間ごとにマーク位置の検出が行われる。こ
の一定期間毎に測定された各マーク位置の値は、制御装
置１０内でその直前の測定マーク位置との差が求められ
る。この差は、ステージ８と電子ビームとの相対的なド
リフト量の単位時間当たりの変化量を示す。図２のグラ
フは、経過時間に対してのドリフト量を示したもので、
横軸が時間、縦軸がドリフト量である。この測定された
ドリフトの単位時間ごとの変化量は、制御装置１０内で
メモリ１２に記憶された基準量と比較され、ドリフトの
変化量が基準量以下となったとき、ダミー照射が停止さ
れる。図２では、Ｔ1 〜Ｔ4 の時刻にドリフト量が測定
され、各時刻間のドリフトの変化量が求められる。そし
て、この変化量がメモリ１２に記憶された基準量以下と
なると、それ以降ダミー照射は停止される。例えば、時
刻Ｔ3 と時刻Ｔ4 の間のドリフトの変化量が基準量以下
であれば、時刻Ｔ4 においてダミー照射は停止される。
ダミー照射が停止された後、直ちにパターンデータメモ
リ１１からのパターンデータに基づいて制御装置１０
は、パターンデータ制御回路７およびステージ制御回路
９を制御し、データに基づいた所望パターンの描画を材
料３に対して行う。
【０００９】１枚目の材料３への所望パターンの描画が
終了した後、材料３は２枚目の材料と交換される。この
時、材料３の温度変化などにより、再びドリフトの量が
多くなるので、ダミー照射と上記したマークＭの検出に
基づくドリフト量の測定が行われる。そして、ドリフト
の変化量が基準量以下となったとき、２枚目の材料への
所望パターンの描画が開始される。２枚目の材料３の交
換時には、ステージ８や材料３自体や、それらの部材の
周辺の環境の温度などの変化が少ないので、ドリフト量
は小さい。その結果、ダミー照射の間に一定時間ごとに
測定しているドリフトもその変化量が短時間で基準値以
下となり、その時点で２枚目の材料への所望パターンの
描画が開始される。更に、３枚目以降の材料の描画に当
たっても、材料３のステージ８へのセットが終了した
後、マークＭの検出によるドリフト量の測定が行われ、
１枚目と２枚目の材料への描画と同様に、ドリフト量が
基準値以下となった時点で所望のパターンの描画が開始
される。図３（ａ）は、連続して複数の材料の描画を行
う場合のダミー照射時間Ｔｄと実描画時間Ｔｒとを示し
たもので、図３（ｂ）に示したダミー照射時間を常に一
定の値に設定した従来の方法に比べ、ダミー照射時間が
短くなり、結果として、トータルの描画時間が短縮され
ている。
終了した後、材料３は２枚目の材料と交換される。この
時、材料３の温度変化などにより、再びドリフトの量が
多くなるので、ダミー照射と上記したマークＭの検出に
基づくドリフト量の測定が行われる。そして、ドリフト
の変化量が基準量以下となったとき、２枚目の材料への
所望パターンの描画が開始される。２枚目の材料３の交
換時には、ステージ８や材料３自体や、それらの部材の
周辺の環境の温度などの変化が少ないので、ドリフト量
は小さい。その結果、ダミー照射の間に一定時間ごとに
測定しているドリフトもその変化量が短時間で基準値以
下となり、その時点で２枚目の材料への所望パターンの
描画が開始される。更に、３枚目以降の材料の描画に当
たっても、材料３のステージ８へのセットが終了した
後、マークＭの検出によるドリフト量の測定が行われ、
１枚目と２枚目の材料への描画と同様に、ドリフト量が
基準値以下となった時点で所望のパターンの描画が開始
される。図３（ａ）は、連続して複数の材料の描画を行
う場合のダミー照射時間Ｔｄと実描画時間Ｔｒとを示し
たもので、図３（ｂ）に示したダミー照射時間を常に一
定の値に設定した従来の方法に比べ、ダミー照射時間が
短くなり、結果として、トータルの描画時間が短縮され
ている。
【００１０】上記した説明は、ドリフト量を電子ビーム
によるマーク検出によって行ったが、ドリフトの発生は
主として材料の温度に起因しているため、ステージ８上
に設けられた温度センサー１５によって材料３の温度を
検出し、温度の変化量が基準値以下となったとき、ドリ
フト量が許容範囲となったと見なし、材料３への所望パ
ターンの描画を開始するようにしても良い。
によるマーク検出によって行ったが、ドリフトの発生は
主として材料の温度に起因しているため、ステージ８上
に設けられた温度センサー１５によって材料３の温度を
検出し、温度の変化量が基準値以下となったとき、ドリ
フト量が許容範囲となったと見なし、材料３への所望パ
ターンの描画を開始するようにしても良い。
【００１１】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビーム描
画を例に説明したが、イオンビームを用いて描画を行う
場合にも本発明を適用することができる。また、ステー
ジ上のマークの検出によってドリフト量の測定を行った
が、材料上のマークに基づいてドリフト量の測定を行っ
ても良い。
明はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビーム描
画を例に説明したが、イオンビームを用いて描画を行う
場合にも本発明を適用することができる。また、ステー
ジ上のマークの検出によってドリフト量の測定を行った
が、材料上のマークに基づいてドリフト量の測定を行っ
ても良い。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく荷
電粒子ビーム描画方法においては、ダミー照射の間、定
められた時間間隔で荷電粒子ビームのドリフト量の変化
を測定し、ドリフト量の変化が予め定められた値以下と
なった時点でダミー照射を終了させ、所望パターンの描
画を開始するようにしたので、ダミー照射の時間を短縮
することができ、トータルの描画時間を短くすることが
できる。
電粒子ビーム描画方法においては、ダミー照射の間、定
められた時間間隔で荷電粒子ビームのドリフト量の変化
を測定し、ドリフト量の変化が予め定められた値以下と
なった時点でダミー照射を終了させ、所望パターンの描
画を開始するようにしたので、ダミー照射の時間を短縮
することができ、トータルの描画時間を短くすることが
できる。
【図１】本発明に基づく方法を実施するための電子ビー
ム描画システムの一例を示す図である。
ム描画システムの一例を示す図である。
【図２】時間に対してのドリフト量の変化を示す図であ
る。
る。
【図３】ダミー照射時間と実描画時間とを示す図であ
る。
る。
１…電子銃 ２…被描画材料 ４…ブランキング電極 ６…偏向器 ７…パターンデータ制御回路 ８…ステージ ９…ステージ制御回路 １０…制御装置 １１…パターンデータメモリ １２…メモリ １３…電子検出器
Claims (1)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームを被描画材料に照射し、
所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法にお
いて、荷電粒子ビームを所望パターンの描画部以外の領
域にダミー照射すると共に、このダミー照射の間、定め
られた時間間隔で荷電粒子ビームのドリフト量の変化を
測定し、ドリフト量の変化が予め定められた値以下とな
った時点でダミー照射を終了させ、所望パターンの描画
を開始するようにした荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20508491A JP2904620B2 (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20508491A JP2904620B2 (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304080A true JPH05304080A (ja) | 1993-11-16 |
| JP2904620B2 JP2904620B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=16501160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20508491A Expired - Fee Related JP2904620B2 (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2904620B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010067964A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び位置合わせ方法 |
| JP2013135194A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Canon Inc | 描画装置及び物品の製造方法 |
| WO2021157301A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及び記録媒体 |
-
1991
- 1991-08-15 JP JP20508491A patent/JP2904620B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010067964A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び位置合わせ方法 |
| JP2013135194A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Canon Inc | 描画装置及び物品の製造方法 |
| WO2021157301A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及び記録媒体 |
| JP2021125548A (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画用プログラム |
| TWI788762B (zh) * | 2020-02-05 | 2023-01-01 | 日商紐富來科技股份有限公司 | 荷電粒子束描繪裝置， 荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪用程式 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2904620B2 (ja) | 1999-06-14 |
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