JPH0689852A - 荷電粒子ビーム描画における描画時間の測定方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画における描画時間の測定方法Info
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- JPH0689852A JPH0689852A JP23937592A JP23937592A JPH0689852A JP H0689852 A JPH0689852 A JP H0689852A JP 23937592 A JP23937592 A JP 23937592A JP 23937592 A JP23937592 A JP 23937592A JP H0689852 A JPH0689852 A JP H0689852A
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- Japan
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- particle beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 面倒な作業を伴うことなく正確に描画時間の
見積もりを行うことができる荷電粒子ビーム描画におけ
る描画時間の測定方法を実現する。 【構成】 特定の描画データに基づいて行われる描画の
必要時間の見積もりを行う場合、ディスクメモリー７に
記憶されている実際の描画データに基づき、実際の描画
時と同じようにその描画データはパターン発生ユニット
８に転送される。そして、実際の描画時と同じようにマ
ーク位置検出が行われ、マークアライメントが行われ
る。次に、実描画のための偏向信号はパターン発生ユニ
ット８で作成され、偏向器５に供給される。実描画の期
間、パターン発生ユニット８からはブランキング信号が
発生され、ブランキング電極３に供給されて電子ビーム
の材料２への照射は停止される。このような状態で描画
時間の測定が行われる。
見積もりを行うことができる荷電粒子ビーム描画におけ
る描画時間の測定方法を実現する。 【構成】 特定の描画データに基づいて行われる描画の
必要時間の見積もりを行う場合、ディスクメモリー７に
記憶されている実際の描画データに基づき、実際の描画
時と同じようにその描画データはパターン発生ユニット
８に転送される。そして、実際の描画時と同じようにマ
ーク位置検出が行われ、マークアライメントが行われ
る。次に、実描画のための偏向信号はパターン発生ユニ
ット８で作成され、偏向器５に供給される。実描画の期
間、パターン発生ユニット８からはブランキング信号が
発生され、ブランキング電極３に供給されて電子ビーム
の材料２への照射は停止される。このような状態で描画
時間の測定が行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ームを用いて微細なパターンの描画を行うようにした荷
電粒子ビーム描画において、描画時間を測定する描画時
間の測定方法に関する。
ームを用いて微細なパターンの描画を行うようにした荷
電粒子ビーム描画において、描画時間を測定する描画時
間の測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、電子ビーム描画においては、材
料上に設けられたアライメントマーク部分で電子ビーム
の走査を行い、マーク部分からの反射電子などを検出
し、その検出信号に基づいてマークの位置を求めてい
る。このマークは、チップごとに複数（通常は３個）設
けられており、その複数のマーク位置に基づいて材料の
位置誤差や回転誤差を検出し、その誤差を電子ビームの
偏向によって補正し、実際のパターン描画を行うように
している。このマーク検出による材料の位置誤差や回転
誤差の補正動作をマークアライメントと称している。こ
のような電子ビーム描画において、マーク検出が可能で
あることを確認し、かつ作成した描画データに基づく描
画時間の見積もりを行う要求がある。この要求のため、
アライメントマーク上にドットパターンを描画すること
が行われている。図１は実描画の領域Ａと領域Ａの周囲
に配置された３つのアライメントマークＭ1 〜Ｍ3 を示
している。正式な描画の際には、各マークＭ1 〜Ｍ3 部
分で電子ビームの走査を行い、マーク位置の検出を行っ
た後、領域Ａで所望パターンの描画を行う。描画時間の
見積もりを行う際には、マークＭ1 部分でドットパター
ンＤ1 を実際に描画する。このとき、ドットパターンＤ
1 を十分短い時間で描画すれば、描画そのものの時間は
無視できるので、このドットパターンＤ1 の描画時間か
らマークＭ1 〜Ｍ3のアライメント時間が求まる。この
アライメント時間に、別途計算したパターンの描画時間
を加えて、描画時間の見積もりを行っている。なお、チ
ップアライメント時間は、数回の測定値の平均を求め、
その平均値を用いて全体の時間を求めるようにしてい
る。
料上に設けられたアライメントマーク部分で電子ビーム
の走査を行い、マーク部分からの反射電子などを検出
し、その検出信号に基づいてマークの位置を求めてい
る。このマークは、チップごとに複数（通常は３個）設
けられており、その複数のマーク位置に基づいて材料の
位置誤差や回転誤差を検出し、その誤差を電子ビームの
偏向によって補正し、実際のパターン描画を行うように
している。このマーク検出による材料の位置誤差や回転
誤差の補正動作をマークアライメントと称している。こ
のような電子ビーム描画において、マーク検出が可能で
あることを確認し、かつ作成した描画データに基づく描
画時間の見積もりを行う要求がある。この要求のため、
アライメントマーク上にドットパターンを描画すること
が行われている。図１は実描画の領域Ａと領域Ａの周囲
に配置された３つのアライメントマークＭ1 〜Ｍ3 を示
している。正式な描画の際には、各マークＭ1 〜Ｍ3 部
分で電子ビームの走査を行い、マーク位置の検出を行っ
た後、領域Ａで所望パターンの描画を行う。描画時間の
見積もりを行う際には、マークＭ1 部分でドットパター
ンＤ1 を実際に描画する。このとき、ドットパターンＤ
1 を十分短い時間で描画すれば、描画そのものの時間は
無視できるので、このドットパターンＤ1 の描画時間か
らマークＭ1 〜Ｍ3のアライメント時間が求まる。この
アライメント時間に、別途計算したパターンの描画時間
を加えて、描画時間の見積もりを行っている。なお、チ
ップアライメント時間は、数回の測定値の平均を求め、
その平均値を用いて全体の時間を求めるようにしてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記したドットパター
ンを描画することによるマークアライメント時間の推定
は、事前にドットパターンのデータの作成を行い、更に
は、ドットパターン検出用のスケジュールファイルの作
成を行わねばならないなど、非常な手間が掛かる。ま
た、ドットパターンの描画と実際の描画におけるマーク
配列が同じであることを確認せねばならない。特に両者
の配列が相違していると、テスト描画の意味がなくなっ
てしまう。更に、描画時間の測定は、数回のマークアラ
イメント時間の平均値を用いた計算によって行っている
ため、精度が悪い欠点を有している。
ンを描画することによるマークアライメント時間の推定
は、事前にドットパターンのデータの作成を行い、更に
は、ドットパターン検出用のスケジュールファイルの作
成を行わねばならないなど、非常な手間が掛かる。ま
た、ドットパターンの描画と実際の描画におけるマーク
配列が同じであることを確認せねばならない。特に両者
の配列が相違していると、テスト描画の意味がなくなっ
てしまう。更に、描画時間の測定は、数回のマークアラ
イメント時間の平均値を用いた計算によって行っている
ため、精度が悪い欠点を有している。
【０００４】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、面倒な作業を伴うことなく正確に
マーク検出時間を含んだ描画時間の見積もりを行うこと
ができる荷電粒子ビーム描画における描画時間の測定方
法を実現するにある。
もので、その目的は、面倒な作業を伴うことなく正確に
マーク検出時間を含んだ描画時間の見積もりを行うこと
ができる荷電粒子ビーム描画における描画時間の測定方
法を実現するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく荷電粒子
ビーム描画における描画時間の測定方法は、被描画材料
に設けられたアライメントマークに荷電粒子ビームを照
射し、マーク部分からの信号に基づいてマークの位置を
検出し、そのマーク位置に応じた電子ビームの偏向補正
量とパターンデータに応じた偏向信号を偏向器に供給
し、偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを材料上
に照射し、所望のパターンの描画を行うようにした荷電
粒子ビーム描画方法において、描画データに基づいてア
ライメントマークの位置の検出を行い、その後に続く所
望パターンの実描画の期間は荷電粒子ビームのブランキ
ングを行い、荷電粒子ビームの材料への照射を停止し、
描画データに基づく描画時間の測定を行うようにしたこ
とを特徴としている。
ビーム描画における描画時間の測定方法は、被描画材料
に設けられたアライメントマークに荷電粒子ビームを照
射し、マーク部分からの信号に基づいてマークの位置を
検出し、そのマーク位置に応じた電子ビームの偏向補正
量とパターンデータに応じた偏向信号を偏向器に供給
し、偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを材料上
に照射し、所望のパターンの描画を行うようにした荷電
粒子ビーム描画方法において、描画データに基づいてア
ライメントマークの位置の検出を行い、その後に続く所
望パターンの実描画の期間は荷電粒子ビームのブランキ
ングを行い、荷電粒子ビームの材料への照射を停止し、
描画データに基づく描画時間の測定を行うようにしたこ
とを特徴としている。
【０００６】
【作用】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画における描
画時間の測定方法は、描画時間の見積もりを行うに当た
り、実際の描画データに基づいてマークアライメントと
ダミー描画を行う。
画時間の測定方法は、描画時間の見積もりを行うに当た
り、実際の描画データに基づいてマークアライメントと
ダミー描画を行う。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳
細に説明する。図１は本発明に基づく方法を実施するた
めの電子ビーム描画システムの一例を示している。電子
銃（図示せず）から発生した電子ビームＥＢは、対物レ
ンズ１によって材料２上に集束される。また、電子ビー
ム光軸に沿ってブランキング電極３、対物レンズ絞り
４、偏向器５が配置されている。このブランキング電極
３にブランキング信号を供給すると、電子ビームＥＢは
偏向され、対物レンズ絞り４に照射され、材料２への電
子ビームの照射は停止（ブランキング）される。６は制
御コンピュータであり、制御コンピュータ６はディスク
メモリー７内の描画データを読みだし、パターン発生ユ
ニット８に転送する。パターン発生ユニット８で発生し
たブランキング信号はブランキング増幅器９を介してブ
ランキング電極３に供給され、偏向信号は偏向増幅器１
０を介して偏向器５に供給される。このような構成の動
作を次に説明する。
細に説明する。図１は本発明に基づく方法を実施するた
めの電子ビーム描画システムの一例を示している。電子
銃（図示せず）から発生した電子ビームＥＢは、対物レ
ンズ１によって材料２上に集束される。また、電子ビー
ム光軸に沿ってブランキング電極３、対物レンズ絞り
４、偏向器５が配置されている。このブランキング電極
３にブランキング信号を供給すると、電子ビームＥＢは
偏向され、対物レンズ絞り４に照射され、材料２への電
子ビームの照射は停止（ブランキング）される。６は制
御コンピュータであり、制御コンピュータ６はディスク
メモリー７内の描画データを読みだし、パターン発生ユ
ニット８に転送する。パターン発生ユニット８で発生し
たブランキング信号はブランキング増幅器９を介してブ
ランキング電極３に供給され、偏向信号は偏向増幅器１
０を介して偏向器５に供給される。このような構成の動
作を次に説明する。
【０００８】通常の描画の際には、制御コンピュータ６
は、ディスクメモリー７から描画データを読みだし、パ
ターン発生ユニット８に転送する。パターン発生ユニッ
ト８は描画データに応じてブランキング信号と偏向信号
を作成し、それぞれブランキング電極３と偏向器５に供
給する。その結果、描画パターンに応じて偏向器５によ
り電子ビームは偏向され、また、ブランキング電極３に
より適宜電子ビームはブランキングされて材料２には所
望パターンが描画される。
は、ディスクメモリー７から描画データを読みだし、パ
ターン発生ユニット８に転送する。パターン発生ユニッ
ト８は描画データに応じてブランキング信号と偏向信号
を作成し、それぞれブランキング電極３と偏向器５に供
給する。その結果、描画パターンに応じて偏向器５によ
り電子ビームは偏向され、また、ブランキング電極３に
より適宜電子ビームはブランキングされて材料２には所
望パターンが描画される。
【０００９】さて、このようなシステムにおいて、特定
の描画データに基づいて行われる描画の必要時間の見積
もりを行う場合、図３に示すフローで行われる。まず、
描画開始指令が制御コンピュータ６から出され、ビーム
電流の測定が行われる。このビーム電流の測定は、電子
ビームの光軸上にファラデーカップを配置することによ
って行われる。このビーム電流の測定に基づき、必要な
キャリブレーションが実行されるが、これらのステップ
は、通常の実描画とまったく同じ状況で行われる。次
に、ディスクメモリー７に記憶されている実際の描画デ
ータに基づき、実際の描画時と同じようにその描画デー
タはパターン発生ユニット８に転送される。そして、図
示していないが、任意の駆動機構により材料２を移動さ
せ、最初の描画領域を電子ビーム光軸下に配置する。例
えば、図１に示した描画領域を光軸下に配置する。そし
て、３つのマークＭ1 〜Ｍ3 について実際の描画時と同
じようにマーク位置検出が行われる。このマーク位置検
出は、パターン発生ユニット８からの偏向信号を偏向器
５に供給することによって行う。その結果、各マーク部
分で電子ビームの走査が行われ、この走査に基づいた２
次電子などが検出器（図示せず）によって検出される。
検出信号は、制御コンピュータ６に供給され、コンピュ
ータ６は検出信号とマーク部分の電子ビームの走査信号
とに基づいて各マークの位置を求める。そして、求めた
マーク位置と理想的なマーク位置との差に基づき、材料
２の位置誤差や回転誤差を求め、これらにより電子ビー
ムの補正偏向量を求める。
の描画データに基づいて行われる描画の必要時間の見積
もりを行う場合、図３に示すフローで行われる。まず、
描画開始指令が制御コンピュータ６から出され、ビーム
電流の測定が行われる。このビーム電流の測定は、電子
ビームの光軸上にファラデーカップを配置することによ
って行われる。このビーム電流の測定に基づき、必要な
キャリブレーションが実行されるが、これらのステップ
は、通常の実描画とまったく同じ状況で行われる。次
に、ディスクメモリー７に記憶されている実際の描画デ
ータに基づき、実際の描画時と同じようにその描画デー
タはパターン発生ユニット８に転送される。そして、図
示していないが、任意の駆動機構により材料２を移動さ
せ、最初の描画領域を電子ビーム光軸下に配置する。例
えば、図１に示した描画領域を光軸下に配置する。そし
て、３つのマークＭ1 〜Ｍ3 について実際の描画時と同
じようにマーク位置検出が行われる。このマーク位置検
出は、パターン発生ユニット８からの偏向信号を偏向器
５に供給することによって行う。その結果、各マーク部
分で電子ビームの走査が行われ、この走査に基づいた２
次電子などが検出器（図示せず）によって検出される。
検出信号は、制御コンピュータ６に供給され、コンピュ
ータ６は検出信号とマーク部分の電子ビームの走査信号
とに基づいて各マークの位置を求める。そして、求めた
マーク位置と理想的なマーク位置との差に基づき、材料
２の位置誤差や回転誤差を求め、これらにより電子ビー
ムの補正偏向量を求める。
【００１０】次に、図１の例では、描画領域Ａに所定の
描画が実行されるが、その実描画のための偏向信号はパ
ターン発生ユニット８で作成され、偏向器５に供給され
る。実描画の期間、パターン発生ユニット８からはブラ
ンキング信号が発生され、ブランキング電極３に供給さ
れる。その結果、パターン描画のための電子ビーム偏向
信号の供給動作は行われるものの、電子ビームＥＢはブ
ランキング電極３へのブランキング信号の供給により偏
向されて材料２への照射は停止される。すなわち、実際
の描画期間においてはダミー描画が行われる。領域Ａに
対する描画データに基づく偏向器５への偏向信号の供給
が終了すると、材料２が移動させられ、次の描画領域に
対し前記したと同様なマークアライメントとダミー描画
のステップが実行される。
描画が実行されるが、その実描画のための偏向信号はパ
ターン発生ユニット８で作成され、偏向器５に供給され
る。実描画の期間、パターン発生ユニット８からはブラ
ンキング信号が発生され、ブランキング電極３に供給さ
れる。その結果、パターン描画のための電子ビーム偏向
信号の供給動作は行われるものの、電子ビームＥＢはブ
ランキング電極３へのブランキング信号の供給により偏
向されて材料２への照射は停止される。すなわち、実際
の描画期間においてはダミー描画が行われる。領域Ａに
対する描画データに基づく偏向器５への偏向信号の供給
が終了すると、材料２が移動させられ、次の描画領域に
対し前記したと同様なマークアライメントとダミー描画
のステップが実行される。
【００１１】このようにして、材料２の全面に渡っての
マークアライメントとダミー描画が行われ、一連の動作
に掛かった時間が制御コンピュータ６内で測定される。
この時間の測定は、実描画時と全く同様なステップで行
われるため、極めて正確なものである。また、実際の描
画データに基づいて一連の動作を行ったにも拘らず、描
画領域への電子ビームの照射は行われないために、時間
の測定のために材料を無駄に消費することはない。
マークアライメントとダミー描画が行われ、一連の動作
に掛かった時間が制御コンピュータ６内で測定される。
この時間の測定は、実描画時と全く同様なステップで行
われるため、極めて正確なものである。また、実際の描
画データに基づいて一連の動作を行ったにも拘らず、描
画領域への電子ビームの照射は行われないために、時間
の測定のために材料を無駄に消費することはない。
【００１２】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビーム描画
装置のみならず、イオンビーム描画装置にも本発明を用
いることができる。また、材料全面に渡ってマークアラ
イメントとダミー描画を行ったが、各描画領域ごとに同
一のマーク位置検出とパターン描画を行う場合には、代
表する一つの領域のみマークアライメントとダミー描画
を行い、それに基づいて全体の描画時間の見積もりを行
っても良い。また、ダミー描画は描画領域に含まれるパ
ターン全部に対して行わず、一部のパターンだけに対し
て行い、その結果測定された時間から全体のパターン描
画に要する時間を推定するようにしても良い。
はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビーム描画
装置のみならず、イオンビーム描画装置にも本発明を用
いることができる。また、材料全面に渡ってマークアラ
イメントとダミー描画を行ったが、各描画領域ごとに同
一のマーク位置検出とパターン描画を行う場合には、代
表する一つの領域のみマークアライメントとダミー描画
を行い、それに基づいて全体の描画時間の見積もりを行
っても良い。また、ダミー描画は描画領域に含まれるパ
ターン全部に対して行わず、一部のパターンだけに対し
て行い、その結果測定された時間から全体のパターン描
画に要する時間を推定するようにしても良い。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく荷
電粒子ビーム描画における描画時間の測定方法は、描画
時間の見積もりを行うに当たり、実際の描画データに基
づいてマークアライメントとダミー描画を行うようにし
たので、面倒な作業を伴うことなく正確に描画時間の見
積もりを行うことができる。
電粒子ビーム描画における描画時間の測定方法は、描画
時間の見積もりを行うに当たり、実際の描画データに基
づいてマークアライメントとダミー描画を行うようにし
たので、面倒な作業を伴うことなく正確に描画時間の見
積もりを行うことができる。
【図１】材料上のマークと描画領域を示す図である。
【図２】本発明を実施するための電子ビーム描画システ
ムを示す図である。
ムを示す図である。
【図３】本発明の一実施例のフローチャートを示す。
１ 対物レンズ ２ 材料 ３ ブランキング電極 ４ 対物レンズ絞り ５ 偏向器 ６ 制御コンピュータ ７ ディスクメモリー ８ パターン発生ユニット ９，１０ 増幅器
Claims (1)
- 【請求項１】 被描画材料に設けられたアライメントマ
ークに荷電粒子ビームを照射し、マーク部分からの信号
に基づいてマークの位置を検出し、そのマーク位置に応
じた電子ビームの偏向補正量とパターンデータに応じた
偏向信号を偏向器に供給し、偏向器によって偏向された
荷電粒子ビームを材料上に照射し、所望のパターンの描
画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法において、
描画データに基づいてアライメントマークの位置の検出
を行い、その後に続く所望パターンの実描画の期間は荷
電粒子ビームのブランキングを行い、荷電粒子ビームの
材料への照射を停止し、描画データに基づく描画時間の
測定を行うようにした荷電粒子ビーム描画における描画
時間の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23937592A JPH0689852A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 荷電粒子ビーム描画における描画時間の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23937592A JPH0689852A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 荷電粒子ビーム描画における描画時間の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689852A true JPH0689852A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17043845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23937592A Withdrawn JPH0689852A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 荷電粒子ビーム描画における描画時間の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689852A (ja) |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP23937592A patent/JPH0689852A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |