JPH0212379B2 - - Google Patents
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- JPH0212379B2 JPH0212379B2 JP57150406A JP15040682A JPH0212379B2 JP H0212379 B2 JPH0212379 B2 JP H0212379B2 JP 57150406 A JP57150406 A JP 57150406A JP 15040682 A JP15040682 A JP 15040682A JP H0212379 B2 JPH0212379 B2 JP H0212379B2
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- Japan
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- data
- analysis
- electron beam
- correction
- analysis voltage
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- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 45
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010421 standard material Substances 0.000 claims 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
エネルギー分析電圧の変更で生ずる偏向ずれを
自動補正する手段を備えた電子ビーム装置に関
し、 エネルギー分析電圧を変更しても電子ビームを
所定の位置に照射させることを目的とし、 偏向器を有する電子光学鏡筒と、エネルギー分
析器を有する電子ビーム装置において、前記エネ
ルギー分析器に印加される分析電圧を分析電圧供
給手段で変更したときに生ずる電子ビーム照射位
置のずれを補正する補正量を、偏向位置データ出
力手段からの偏向位置データと、分析電圧データ
出力手段から前記分析電圧供給手段へ供給して前
記分析電圧供給手段から前記分析電圧を発生させ
るための分析電圧データとの関数として得られる
補正データを用いて、補正回路から発生し、前記
補正回路から出力される補正量だけ前記偏向器に
よつて電子ビームに与えられる前記偏向位置デー
タ対応の偏向量を修正するように構成した。
自動補正する手段を備えた電子ビーム装置に関
し、 エネルギー分析電圧を変更しても電子ビームを
所定の位置に照射させることを目的とし、 偏向器を有する電子光学鏡筒と、エネルギー分
析器を有する電子ビーム装置において、前記エネ
ルギー分析器に印加される分析電圧を分析電圧供
給手段で変更したときに生ずる電子ビーム照射位
置のずれを補正する補正量を、偏向位置データ出
力手段からの偏向位置データと、分析電圧データ
出力手段から前記分析電圧供給手段へ供給して前
記分析電圧供給手段から前記分析電圧を発生させ
るための分析電圧データとの関数として得られる
補正データを用いて、補正回路から発生し、前記
補正回路から出力される補正量だけ前記偏向器に
よつて電子ビームに与えられる前記偏向位置デー
タ対応の偏向量を修正するように構成した。
本発明はエネルギー分析電圧の変更で生ずる偏
向ずれを自動補正する手段を備えた電子ビーム装
置に関する。
向ずれを自動補正する手段を備えた電子ビーム装
置に関する。
集積回路のAl配線電圧を測定する手段として、
走査形電子顕微鏡がある。この走査形電子顕微鏡
ではエネルギー分析器が用いられているが、その
分析電圧の変更によつて電子ビームの照射位置が
変化する。これは上述のAl配線電圧の正しい測
定を妨げる。
走査形電子顕微鏡がある。この走査形電子顕微鏡
ではエネルギー分析器が用いられているが、その
分析電圧の変更によつて電子ビームの照射位置が
変化する。これは上述のAl配線電圧の正しい測
定を妨げる。
集積回路内部電圧の測定を走査形電子顕微鏡で
行なうためにはエネルギー分析器による二次電子
エネルギーの分析を行なうことが必要である。そ
のためには、エネルギー分析器へ印加される分析
電圧を変えることが必要になつて来る。これは、
分析電圧を変えることによつて集積回路内部電圧
の測定を為し得るからである。
行なうためにはエネルギー分析器による二次電子
エネルギーの分析を行なうことが必要である。そ
のためには、エネルギー分析器へ印加される分析
電圧を変えることが必要になつて来る。これは、
分析電圧を変えることによつて集積回路内部電圧
の測定を為し得るからである。
上述のように、集積回路内部電圧の測定に際し
て、エネルギー分析器a(第6図参照)の分析グ
リツドbにDACcから供給される分析電圧に変更
が生ずると、電子ビーム通路の電界分布が変わ
り、分析電圧の変更前には実線の如く電子ビーム
が照射されていた(第6図参照)のが、分析電圧
の変更後には点線の如く電子ビームが照射される
ようになる。このような電子ビームの照射位置の
移動量は、特に低加速電圧の場合には10〜20μm
にも及ぶ。それにより、2次電子検知器dへ至る
2次電子量も変わつて来る。その結果として、第
7図の点線の如きエネルギー分析曲線であるべき
ものが第7図の実線で示す如きエネルギー分析曲
線となり、測定電圧に誤差が生ず。
て、エネルギー分析器a(第6図参照)の分析グ
リツドbにDACcから供給される分析電圧に変更
が生ずると、電子ビーム通路の電界分布が変わ
り、分析電圧の変更前には実線の如く電子ビーム
が照射されていた(第6図参照)のが、分析電圧
の変更後には点線の如く電子ビームが照射される
ようになる。このような電子ビームの照射位置の
移動量は、特に低加速電圧の場合には10〜20μm
にも及ぶ。それにより、2次電子検知器dへ至る
2次電子量も変わつて来る。その結果として、第
7図の点線の如きエネルギー分析曲線であるべき
ものが第7図の実線で示す如きエネルギー分析曲
線となり、測定電圧に誤差が生ず。
本発明は上述の如き従来装置の有する欠点に鑑
みて創作されたもので、エネルギー分析電圧を変
更しても電子ビームを所定の位置に照射させ得る
電子ビーム装置を提供することをその目的とす
る。
みて創作されたもので、エネルギー分析電圧を変
更しても電子ビームを所定の位置に照射させ得る
電子ビーム装置を提供することをその目的とす
る。
第1図は本発明の原理ブロツク図を示す。この
図において、20は電子ビーム装置の電子光学鏡
筒、1は電子光学鏡筒20に設けられた偏向器
で、これは試料3へ照射される電子ビーム2に偏
向を生じさせるためのものである。22は分析電
圧の印加で前記試料3から放出される二次電子の
エネルギー分析を行なうエネルギー分析器であ
る。24は分析電圧データ出力手段28からの分
析電圧データからエネルギー分析器22へ印加す
るための分析電圧を発生する分析電圧供給手段で
ある。26は偏向器1をして所望照射位置への電
子ビームの偏向を生じさせるための偏向位置デー
タを出力する偏向位置データ出力手段である。1
1は偏向位置データ出力手段26からの偏向位置
データ(x、y)と分析電圧データ出力手段28
からの分析電圧データ(k)との関数として得られる
補正データを用いて前記分析電圧変更時の電子ビ
ーム照射位置ずれを補正する補正量を発生する補
正回路である。この補正回路11から出力される
補正量だけ偏向器1によつて与えられる前記偏向
位置データ対応の偏向量を修正するようにして本
発明装置は構成されている。8はネルギー分析器
22の分析グリツドである。11は偏向コイル、
12は偏向回路である。
図において、20は電子ビーム装置の電子光学鏡
筒、1は電子光学鏡筒20に設けられた偏向器
で、これは試料3へ照射される電子ビーム2に偏
向を生じさせるためのものである。22は分析電
圧の印加で前記試料3から放出される二次電子の
エネルギー分析を行なうエネルギー分析器であ
る。24は分析電圧データ出力手段28からの分
析電圧データからエネルギー分析器22へ印加す
るための分析電圧を発生する分析電圧供給手段で
ある。26は偏向器1をして所望照射位置への電
子ビームの偏向を生じさせるための偏向位置デー
タを出力する偏向位置データ出力手段である。1
1は偏向位置データ出力手段26からの偏向位置
データ(x、y)と分析電圧データ出力手段28
からの分析電圧データ(k)との関数として得られる
補正データを用いて前記分析電圧変更時の電子ビ
ーム照射位置ずれを補正する補正量を発生する補
正回路である。この補正回路11から出力される
補正量だけ偏向器1によつて与えられる前記偏向
位置データ対応の偏向量を修正するようにして本
発明装置は構成されている。8はネルギー分析器
22の分析グリツドである。11は偏向コイル、
12は偏向回路である。
電子光学鏡筒20から試料3へ向けて照射され
る電子ビーム2は偏向器1によつて試料3上の所
望の照射位置へ偏向される。その偏向照射される
電子ビーム2によつて試料3から放出される二次
電子のエネルギー分析を為して試料3の電圧測定
を行なうために、エネルギー分析器22の分析グ
リツド8へ印加される分析電圧が分析電圧データ
出力手段28によつて変えられる。この分析電圧
の変更に伴つて、偏向器1によつて偏向される電
子ビーム2の試料3への正規の照射位置が変えら
れることになるが、前記分析電圧の変更のため、
分析電圧データ出力手段28から分析電圧供給手
段24へ与えられる分析電圧データが又、偏向位
置データ出力手段26からの偏向位置データと共
に補正回路30へ与えられ、そこから出力される
補正量だけ上述の正規照射位置からずれて照射さ
れんとする電子ビームは補正偏向される。かくし
て、分析電圧の変更があつても、電子ビームは試
料3の正規照射位置に照射され、正しい2次電子
エネルギー分析、例えば試料3の電圧測定ができ
る。
る電子ビーム2は偏向器1によつて試料3上の所
望の照射位置へ偏向される。その偏向照射される
電子ビーム2によつて試料3から放出される二次
電子のエネルギー分析を為して試料3の電圧測定
を行なうために、エネルギー分析器22の分析グ
リツド8へ印加される分析電圧が分析電圧データ
出力手段28によつて変えられる。この分析電圧
の変更に伴つて、偏向器1によつて偏向される電
子ビーム2の試料3への正規の照射位置が変えら
れることになるが、前記分析電圧の変更のため、
分析電圧データ出力手段28から分析電圧供給手
段24へ与えられる分析電圧データが又、偏向位
置データ出力手段26からの偏向位置データと共
に補正回路30へ与えられ、そこから出力される
補正量だけ上述の正規照射位置からずれて照射さ
れんとする電子ビームは補正偏向される。かくし
て、分析電圧の変更があつても、電子ビームは試
料3の正規照射位置に照射され、正しい2次電子
エネルギー分析、例えば試料3の電圧測定ができ
る。
第2図は本発明の一実施例を示す。11はその
全体を図示しない走査形電子顕微鏡の偏向コイル
で、この偏向コイル11によつて電子ビーム2は
掃引されて集積回路等の試料3上に照射される。
4はXYステージである。5は試料3から放出さ
れる2次電子で、2次電子5を検出するのがエネ
ルギー分析器6を構成する2次電子検知器7であ
る。エネルギー分析器6を構成する分析グリツド
8は分析電圧DAC9の出力へ接続されている。
DAC9へ分析電圧データを供給する線10は補
正回路11へ接続されている。この補正回路11
は又、偏向位置データをDAC12へ供給する線
13へ接続されている。補正回路11は詳細を後
述する補正データを記憶する補正データ記憶装置
11aと、補正データ記憶装置11aから偏向器
1への偏向位置データ及び分析電圧データに応じ
て補正データを読み出す読出し回路11bと、読
出し回路11bの出力へ接続されたDAC11c
とから成る。
全体を図示しない走査形電子顕微鏡の偏向コイル
で、この偏向コイル11によつて電子ビーム2は
掃引されて集積回路等の試料3上に照射される。
4はXYステージである。5は試料3から放出さ
れる2次電子で、2次電子5を検出するのがエネ
ルギー分析器6を構成する2次電子検知器7であ
る。エネルギー分析器6を構成する分析グリツド
8は分析電圧DAC9の出力へ接続されている。
DAC9へ分析電圧データを供給する線10は補
正回路11へ接続されている。この補正回路11
は又、偏向位置データをDAC12へ供給する線
13へ接続されている。補正回路11は詳細を後
述する補正データを記憶する補正データ記憶装置
11aと、補正データ記憶装置11aから偏向器
1への偏向位置データ及び分析電圧データに応じ
て補正データを読み出す読出し回路11bと、読
出し回路11bの出力へ接続されたDAC11c
とから成る。
DAC12及び11cの出力は加算増幅器14
へ接続され、増幅器14の出力は電流増幅器15
を介して偏向コイル11へ接続されている。DAC
12、加算増幅器14、電流増幅器15及び偏向
コイル11が第1図の偏向器1を構成する例を示
し、DAC12、加算増幅器14及び電流増幅器
15がその偏向回路12の構成例である。
へ接続され、増幅器14の出力は電流増幅器15
を介して偏向コイル11へ接続されている。DAC
12、加算増幅器14、電流増幅器15及び偏向
コイル11が第1図の偏向器1を構成する例を示
し、DAC12、加算増幅器14及び電流増幅器
15がその偏向回路12の構成例である。
第3図を参照して、補正データの作成回路を説
明する。16はマーク検出回路で、これはDAC
9,12へ接続される出力、ADC19を介して
2次電子検知器7へ接続される入力、並びにマー
ク座標出力を有する。マーク検出回路16のマー
ク座標出力は記憶装置17へ接続され、その記憶
装置17は又基準分析データ供給装置(図示せ
ず)が接続されている。記憶装置17は演算回路
18を経て補正データ記憶装置11aへ接続され
ている。その他の構成要素に付されている参照番
号が第2図の構成要素に付された参照番号と同一
であるものは第2図の構成要素と同一である。
明する。16はマーク検出回路で、これはDAC
9,12へ接続される出力、ADC19を介して
2次電子検知器7へ接続される入力、並びにマー
ク座標出力を有する。マーク検出回路16のマー
ク座標出力は記憶装置17へ接続され、その記憶
装置17は又基準分析データ供給装置(図示せ
ず)が接続されている。記憶装置17は演算回路
18を経て補正データ記憶装置11aへ接続され
ている。その他の構成要素に付されている参照番
号が第2図の構成要素に付された参照番号と同一
であるものは第2図の構成要素と同一である。
次に、上述構成の本発明装置の動作を説明す
る。
る。
本発明装置による集積回路のAl配線電圧の測
定に先立つて、補正データが作成されるが、それ
は次のようにして作成される。
定に先立つて、補正データが作成されるが、それ
は次のようにして作成される。
第4図に示されるようなn×n個のマークM
(第4図ではn=4)を有する標準試料3がXY
ステージ4上に置かれる。そして、マーク検出回
路16からDAC9を介してステツプ状に変えら
れる分析電圧が分析グリツド8に印加される。そ
の各分析電圧データk毎に、マーク検出回路16
からマーク検出走査データvijがDAC12へ供給
され、偏向器1によつてマーク検出走査が第4図
に示すように生ぜしめられる(但し、DAC12
の出力が加算増幅器14をスルーの状態に置かれ
る。)。この走査によつて電子ビームが照射される
各マークからの2次電子が2次電子検知器7で検
出され、その出力信号からn×n個のマーク位置
座標データ(xij、yij)k0が算出され、これらの座
標が記憶装置17へ記憶される。
(第4図ではn=4)を有する標準試料3がXY
ステージ4上に置かれる。そして、マーク検出回
路16からDAC9を介してステツプ状に変えら
れる分析電圧が分析グリツド8に印加される。そ
の各分析電圧データk毎に、マーク検出回路16
からマーク検出走査データvijがDAC12へ供給
され、偏向器1によつてマーク検出走査が第4図
に示すように生ぜしめられる(但し、DAC12
の出力が加算増幅器14をスルーの状態に置かれ
る。)。この走査によつて電子ビームが照射される
各マークからの2次電子が2次電子検知器7で検
出され、その出力信号からn×n個のマーク位置
座標データ(xij、yij)k0が算出され、これらの座
標が記憶装置17へ記憶される。
一方、記憶装置17には基準分析データ供給装
置(図示せず)から基準分析データ(xij・yij)k0
が予め記憶されている。
置(図示せず)から基準分析データ(xij・yij)k0
が予め記憶されている。
これら両データが演算回路18へ供給されて次
式で表される補正データが算出される(第5図参
照)。
式で表される補正データが算出される(第5図参
照)。
(Δxij、Δyij)k
=(xij、yij)k−(xij、yij)k0
その補正データは補正データ記憶装置11aに
記憶される。
記憶される。
このようにして、補正データが作成された後、
被測定試料3がXYステージ4に置かれ、電子ビ
ーム2が偏向器1の制御の下に掃引される。
被測定試料3がXYステージ4に置かれ、電子ビ
ーム2が偏向器1の制御の下に掃引される。
その電子ビームの掃引を生ぜしめる偏向信号は
次のようにして発生される。
次のようにして発生される。
即ち、その掃引時に分析グリツド8へ印加され
る分析電圧のための分析電圧データkと偏向位置
データ(x、y)が補正回路11へ供給される。
そして、これらのデータを下にして補正データ記
憶装置11aから補正データ(Δxij、Δyij)kが読
み出され、このデータがDAC11cで補正電圧
ΔVijへ変換されてDAC12からの偏向電圧Vijと
加算増幅器14で加算される。その加算信号が電
流増幅器15を介して偏向コイル11へ供給され
る。
る分析電圧のための分析電圧データkと偏向位置
データ(x、y)が補正回路11へ供給される。
そして、これらのデータを下にして補正データ記
憶装置11aから補正データ(Δxij、Δyij)kが読
み出され、このデータがDAC11cで補正電圧
ΔVijへ変換されてDAC12からの偏向電圧Vijと
加算増幅器14で加算される。その加算信号が電
流増幅器15を介して偏向コイル11へ供給され
る。
従つて、分析電圧が偏向される場合に生ぜしめ
られる電子ビーム位置のずれは、上記補正データ
分だけの補正を偏向信号に与えたことにより、相
殺されることになるから、分析電圧の変更によつ
ても得られる分析曲線は従来の如く第7図の実線
で示すような分析曲線ではなく、第7図の点線で
示すような分析曲線となる。従つて、集積回路の
ような被測定試料のAl配線電圧の測定において
分析電圧の変更に伴つて生ずる誤差成分を除去し
得る。
られる電子ビーム位置のずれは、上記補正データ
分だけの補正を偏向信号に与えたことにより、相
殺されることになるから、分析電圧の変更によつ
ても得られる分析曲線は従来の如く第7図の実線
で示すような分析曲線ではなく、第7図の点線で
示すような分析曲線となる。従つて、集積回路の
ような被測定試料のAl配線電圧の測定において
分析電圧の変更に伴つて生ずる誤差成分を除去し
得る。
上記実施例においては、DAC12とDAC11
cとのアナログ電圧を加算増幅器14で加算する
構成例を示しているが、偏向位置データと補正デ
ータとをデイジタル的に加算した後、そのデイジ
タル値をDACへ供給するように構成してもよい。
cとのアナログ電圧を加算増幅器14で加算する
構成例を示しているが、偏向位置データと補正デ
ータとをデイジタル的に加算した後、そのデイジ
タル値をDACへ供給するように構成してもよい。
以上述べたように、本発明によれば、分析電圧
の変更に伴う電子ビーム位置のずれの補正に際し
て、分析電圧の値のみならず、電子ビームの場所
的なフアクタを考慮に入れているから、集積回路
のような被測定試料のAl配線電圧の測定に入つ
てしまう虞のある誤差を排除してその測定を高精
度でなし得る等の効果が得られる。
の変更に伴う電子ビーム位置のずれの補正に際し
て、分析電圧の値のみならず、電子ビームの場所
的なフアクタを考慮に入れているから、集積回路
のような被測定試料のAl配線電圧の測定に入つ
てしまう虞のある誤差を排除してその測定を高精
度でなし得る等の効果が得られる。
第1図は本発明の原理ブロツク図、第2図は本
発明の一実施例を示す図、第3図は補正データ作
成回路図、第4図はマーク検出走査を図解する
図、第5図は第4図のマーク(1、2)における
分析電圧に対するずれ量を表すグラフ、第6図は
分析電圧の変更に伴つて電子ビーム位置に生ずる
ずれを図解する図、第7図は第6図に示す現象を
グラフ化した図である。 第1図乃至第3図において、1は偏向器(偏向
コイル11、偏向回路12)、3は試料(集積回
路)、11は補正回路(補正データ記憶装置11
a、読出し回路11b、DAC11c)、20は電
子光学鏡筒、22はエネルギー分析器(分析グリ
ツド8を含む)、24は分析電圧供給手段(DAC
9)、26は偏向位置データ出力手段(図示しな
い処理装置から偏向位置データを転送して来る線
13の系)、28は分析電圧データ出力手段(図
示しない処理装置から分析電圧データを転送して
来る線10の系)である。
発明の一実施例を示す図、第3図は補正データ作
成回路図、第4図はマーク検出走査を図解する
図、第5図は第4図のマーク(1、2)における
分析電圧に対するずれ量を表すグラフ、第6図は
分析電圧の変更に伴つて電子ビーム位置に生ずる
ずれを図解する図、第7図は第6図に示す現象を
グラフ化した図である。 第1図乃至第3図において、1は偏向器(偏向
コイル11、偏向回路12)、3は試料(集積回
路)、11は補正回路(補正データ記憶装置11
a、読出し回路11b、DAC11c)、20は電
子光学鏡筒、22はエネルギー分析器(分析グリ
ツド8を含む)、24は分析電圧供給手段(DAC
9)、26は偏向位置データ出力手段(図示しな
い処理装置から偏向位置データを転送して来る線
13の系)、28は分析電圧データ出力手段(図
示しない処理装置から分析電圧データを転送して
来る線10の系)である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 偏向器1を有する電子光学鏡筒20と、エネ
ルギー分析器22を有する電子ビーム装置におい
て、 分析電圧データ(k)を出力する分析電圧データ出
力手段28と、 前記分析電圧データ対応の分析電圧を前記エネ
ルギー分析器22へ供給する分析電圧供給手段2
4と、 偏向位置データ(x、y)を出力する偏向位置
データ出力手段26と、 前記分析電圧データ(k)と前記偏向位置データ
(x、y)との関数として得られる補正データか
ら偏向位置ずれ補正量を発生する補正回路11と
を設け、前記補正回路11から出力される補正量
だけ前記偏向器1によつて電子ビームに与えられ
る前記偏向位置データ対応の偏向量を修正するよ
うに構成したことを特徴とする電子ビーム装置。 2 前記補正回路11は、前記エネルギー分析器
22へ供給される分析電圧において検出される標
準資料のマーク位置座標と、基準分析電圧におい
て検出される標準資料のマーク位置座標との差を
補正データとして記憶する記憶装置と、前記偏向
器1への偏向位置データ(x、y)及び分析電圧
データ(k)に応答して前記記憶装置から補正データ
を読み出し、これを補正量に変換する回路とより
成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の電子ビーム装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57150406A JPS5940452A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 電子ビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57150406A JPS5940452A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 電子ビ−ム装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5940452A JPS5940452A (ja) | 1984-03-06 |
JPH0212379B2 true JPH0212379B2 (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=15496262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57150406A Granted JPS5940452A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 電子ビ−ム装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5940452A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61156627A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | 試料電圧測定装置 |
TWI290430B (en) * | 2005-02-02 | 2007-11-21 | Shimadzu Corp | Scanning electron beam device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS514797A (ja) * | 1974-05-30 | 1976-01-16 | Sheldahl Inc | |
JPS55110908A (en) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | Hitachi Ltd | Measuring device |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP57150406A patent/JPS5940452A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS514797A (ja) * | 1974-05-30 | 1976-01-16 | Sheldahl Inc | |
JPS55110908A (en) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | Hitachi Ltd | Measuring device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5940452A (ja) | 1984-03-06 |
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