JPH0565001B2 - - Google Patents
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- JPH0565001B2 JPH0565001B2 JP3888486A JP3888486A JPH0565001B2 JP H0565001 B2 JPH0565001 B2 JP H0565001B2 JP 3888486 A JP3888486 A JP 3888486A JP 3888486 A JP3888486 A JP 3888486A JP H0565001 B2 JPH0565001 B2 JP H0565001B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/37—Measurements
- G05B2219/37425—Distance, range
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/37—Measurements
- G05B2219/37495—Correction of measured value as function of given, reference surface
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Transform (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は例えば電子ビーム露光装置或はイオ
ンビームのような荷電粒子ビームを利用した露光
装置に用いられる面位置検出装置に関する。
ンビームのような荷電粒子ビームを利用した露光
装置に用いられる面位置検出装置に関する。
半導体集積回路の回路パターンは光による投影
によつて露光する方法の他に、電子ビームのよう
な荷電粒子ビームによつて露光する方法もある。
荷電粒子ビームは描画線の線幅を細くできること
から高集積度が要求される場合に用いられてい
る。
によつて露光する方法の他に、電子ビームのよう
な荷電粒子ビームによつて露光する方法もある。
荷電粒子ビームは描画線の線幅を細くできること
から高集積度が要求される場合に用いられてい
る。
ところで荷電粒子ビームによつて半導体ウエハ
ー上に回路パターンを描画する場合、半導体ウエ
ハーに反り等が存在すると、その反りによつてウ
エハー上の面の位置がずれ、その位置ずれによつ
て粒子ビームの到達点にずれが生じ正確な描画を
実行できなくなる不都合が生じる。このため従来
より半導体ウエハーの面の上下位置のずれを検出
し、そのずれ量から荷電粒子ビームの偏向量を加
減し、正しい位置に描画を行なわせるための補正
を行ないながら描画を行なつている。
ー上に回路パターンを描画する場合、半導体ウエ
ハーに反り等が存在すると、その反りによつてウ
エハー上の面の位置がずれ、その位置ずれによつ
て粒子ビームの到達点にずれが生じ正確な描画を
実行できなくなる不都合が生じる。このため従来
より半導体ウエハーの面の上下位置のずれを検出
し、そのずれ量から荷電粒子ビームの偏向量を加
減し、正しい位置に描画を行なわせるための補正
を行ないながら描画を行なつている。
第５図及び第６図を用いて半導体ウエハー（以
下試料と称す）の表面の上下方向の位置ずれを検
出する方法を説明する。
下試料と称す）の表面の上下方向の位置ずれを検
出する方法を説明する。
第５図において１は試料の基準面、２は実際の
試料面、３は荷電粒子ビーム軸を示す。
試料面、３は荷電粒子ビーム軸を示す。
４は例えばレーザダイオードのような光源、５
は光源４から出された光６を受光して試料面２の
位置ずれを検出する位置検出器を示す。
は光源４から出された光６を受光して試料面２の
位置ずれを検出する位置検出器を示す。
位置検出器５は第６図に示すように高抵抗シリ
コン基板５Ａの表面にＰ型抵抗層５Ｂを、裏面に
h+層５Ｃを、また表面のＰ型抵抗層５Ｂに距離
Ｌをおいて一対の電流取出電極５Ｄ，５Ｅを有す
る構造となつている。裏面のh+層５Ｃにバイア
ス電圧を印加し、電流取出電極５Ｄと５Ｅの間の
任意の位置に光が入射すると、電極５Ｄと光の入
射点までの距離をｘ、電極５Ｄから取出される電
流をI1、電極５Ｅから取出される電流をI2とした
場合、 I1／I2＝Ｌ−ｘ／ｘ となる関係が成り立つ。このことから電流I1とI2
の値を測定することにより光の入射位置を知るこ
とができる。
コン基板５Ａの表面にＰ型抵抗層５Ｂを、裏面に
h+層５Ｃを、また表面のＰ型抵抗層５Ｂに距離
Ｌをおいて一対の電流取出電極５Ｄ，５Ｅを有す
る構造となつている。裏面のh+層５Ｃにバイア
ス電圧を印加し、電流取出電極５Ｄと５Ｅの間の
任意の位置に光が入射すると、電極５Ｄと光の入
射点までの距離をｘ、電極５Ｄから取出される電
流をI1、電極５Ｅから取出される電流をI2とした
場合、 I1／I2＝Ｌ−ｘ／ｘ となる関係が成り立つ。このことから電流I1とI2
の値を測定することにより光の入射位置を知るこ
とができる。
光源４から出されたレーザ光６はレンズ７によ
つて集束され基準面１又は試料面２に照射され、
その反射光がレンズ８を経由して位置検出器５に
入射する。試料面２が基準面１からΔzだけ高く
なつたとすると、位置検出器５に入射する反射光
の位置はΔxずれる。このΔxのずれから試料面２
の上下方向のずれ量Δzを次式で求めることがで
きる。
つて集束され基準面１又は試料面２に照射され、
その反射光がレンズ８を経由して位置検出器５に
入射する。試料面２が基準面１からΔzだけ高く
なつたとすると、位置検出器５に入射する反射光
の位置はΔxずれる。このΔxのずれから試料面２
の上下方向のずれ量Δzを次式で求めることがで
きる。
Δx・cosθ／Ｍ＝Δz …(1)
よつて Δx＝Ｍ・Δz／cosθ
ここでＭはレンズ８の倍率であり、Ｍ＝l2／l1，
θはビーム軸に対するレーザ光６の入射角であ
る。θが大きい程Δxは大きくなる。
θはビーム軸に対するレーザ光６の入射角であ
る。θが大きい程Δxは大きくなる。
このようにして位置検出器５の電流取出端子５
Ｄと５Ｅに得られる電流I1とI2を測定することに
より試料面２の基準面１からのずれ量Δzを求め
ることができる。
Ｄと５Ｅに得られる電流I1とI2を測定することに
より試料面２の基準面１からのずれ量Δzを求め
ることができる。
実際には位置検出器５の感度と感度むらの他
に、光源４の発光エネルギの変動、レンズ周辺の
透過率低下等の影響を緩和するため光の入射エネ
ルギに相当するI1とI2の和を求め、その和の値で
正規化し位置の検出を行なつている。
に、光源４の発光エネルギの変動、レンズ周辺の
透過率低下等の影響を緩和するため光の入射エネ
ルギに相当するI1とI2の和を求め、その和の値で
正規化し位置の検出を行なつている。
第７図に従来の面位置検出装置を示す。位置検
出器５に光６が入射することにより、その入射位
置に対応した電流I1とL2が電流取出電極５Ｄと５
Ｅから出力される。この電流I1とI2は電流電圧変
換器１１Ａと１１Ｂによつて電圧信号Rf・I1及び
Rf・I2（Rfは帰還抵抗器の抵抗値）に変換する。
電流電圧変換器１１Ａと１１Ｂから出力される電
圧信号Rf・I1及びRf・I2は加算器１２と減算器１
３に与えられ、加算器１２から加算値Rf（I1＋I2）
を得、また減算器１３からRf（I1−I2）を得る。
出器５に光６が入射することにより、その入射位
置に対応した電流I1とL2が電流取出電極５Ｄと５
Ｅから出力される。この電流I1とI2は電流電圧変
換器１１Ａと１１Ｂによつて電圧信号Rf・I1及び
Rf・I2（Rfは帰還抵抗器の抵抗値）に変換する。
電流電圧変換器１１Ａと１１Ｂから出力される電
圧信号Rf・I1及びRf・I2は加算器１２と減算器１
３に与えられ、加算器１２から加算値Rf（I1＋I2）
を得、また減算器１３からRf（I1−I2）を得る。
これら加算値Rf（I1＋I2）と減算値Rf（I1−I2）
は除算器１４に与えられ、除算器１４において
I1−I2／I1＋I2を演算する。
は除算器１４に与えられ、除算器１４において
I1−I2／I1＋I2を演算する。
除算器１４から出力される除算値I1−I2／I1＋I2に対
応した電圧信号VoはAD変換器１５に与えられ、
AD変換され制御器１６に取込まれ、制御器１６
において試料面２の位置ずれを算出し、その位置
ずれを補正する補正信号を発生し、その補正信号
を荷電粒子ビームの偏向系に与え、正しい描画を
行なうように制御する。
AD変換され制御器１６に取込まれ、制御器１６
において試料面２の位置ずれを算出し、その位置
ずれを補正する補正信号を発生し、その補正信号
を荷電粒子ビームの偏向系に与え、正しい描画を
行なうように制御する。
「発明が解決しようとする問題点」
上述の説明では位置検出器５の受光位置に対す
る二つの電流I1，I2の変化特性については触れて
いないが、位置検出器５の受光位置に対する二つ
の電流I1，I2の変化特性は非直線特性を持つ場合
が多い。
る二つの電流I1，I2の変化特性については触れて
いないが、位置検出器５の受光位置に対する二つ
の電流I1，I2の変化特性は非直線特性を持つ場合
が多い。
位置検出器５が非直線特性を持つとき、制御器
１６で算出する面位置は非直線特性の分だけずれ
た誤差を含むものとなる。
１６で算出する面位置は非直線特性の分だけずれ
た誤差を含むものとなる。
この結果荷電粒子ビームの偏向等に補正を掛け
ても正しい描画位置の修正が行なわれない不都合
が生じる。
ても正しい描画位置の修正が行なわれない不都合
が生じる。
この発明の目的は位置検出器が非直線性を持つ
ていたとしても、正しい面位置を検出することが
できる面位置検出装置を提供しようとするもので
ある。
ていたとしても、正しい面位置を検出することが
できる面位置検出装置を提供しようとするもので
ある。
「問題点を解決するための手段」
この発明では、
基準面から高さ方向に既知の位置を持つ複数の
較正面と、 この較正面に光ビームを照射する光源と、 二つの電流取出電極を有し、この二つの電流取
出電極の間の任意位置に較正面で反射した光ビー
ムを受光し、その受光点から二つの電流取出電極
までの距離に逆比例した値を持つ電流を二つの電
流取出電極から出力する位置検出器と、 この位置検出器から得られる二つの電流値から
較正面の位置を算出する較正面位置算出手段と、 この較正面位置検算手段で算出した較正面の値
から位置検出器の非直線特性を直線化補正するた
めの補正値を求める補正値算出手段と、 この補正値算出手段で算出した補正値により試
料の面の位置を補正する補正手段と、 によつて面位置検出装置を構成したものである。
較正面と、 この較正面に光ビームを照射する光源と、 二つの電流取出電極を有し、この二つの電流取
出電極の間の任意位置に較正面で反射した光ビー
ムを受光し、その受光点から二つの電流取出電極
までの距離に逆比例した値を持つ電流を二つの電
流取出電極から出力する位置検出器と、 この位置検出器から得られる二つの電流値から
較正面の位置を算出する較正面位置算出手段と、 この較正面位置検算手段で算出した較正面の値
から位置検出器の非直線特性を直線化補正するた
めの補正値を求める補正値算出手段と、 この補正値算出手段で算出した補正値により試
料の面の位置を補正する補正手段と、 によつて面位置検出装置を構成したものである。
この発明の構成によれば既知の位置にある較正
面を使つて位置検出器の非直線誤差を求めること
ができる。
面を使つて位置検出器の非直線誤差を求めること
ができる。
位置検出器の非直線誤差を求めることにより補
正係数を求めることができる。よつて補正係数が
求められることにより実際に試料上の高さ位置を
測定する際には、その補正係数により測定値を補
正することができる。この補正により試料上の面
の高さを正確に測定することができ、正しい描画
位置の修正を行なうことができる。
正係数を求めることができる。よつて補正係数が
求められることにより実際に試料上の高さ位置を
測定する際には、その補正係数により測定値を補
正することができる。この補正により試料上の面
の高さを正確に測定することができ、正しい描画
位置の修正を行なうことができる。
「実施例」
第１図はこの発明の一実施例を示す。図中１７
は半導体ウエハーのような試料、１８はこの試料
を搭載してＸ−Ｙ方向に移動させるステージを示
す。１９はステージ１８の駆動系を、２１はステ
ージ１８の位置を検出するレーザ測長系を示す。
駆動系１９は制御器１６から与えられる駆動信号
に従つてステージ１８を駆動する。またレーザ測
長系２１の測定信号を制御器１６に帰還し、ステ
ージ１８の位置精度を高めるようにしている。
は半導体ウエハーのような試料、１８はこの試料
を搭載してＸ−Ｙ方向に移動させるステージを示
す。１９はステージ１８の駆動系を、２１はステ
ージ１８の位置を検出するレーザ測長系を示す。
駆動系１９は制御器１６から与えられる駆動信号
に従つてステージ１８を駆動する。またレーザ測
長系２１の測定信号を制御器１６に帰還し、ステ
ージ１８の位置精度を高めるようにしている。
この発明ではステージ１８の表面を基準面１と
し、この基準面１から高さ方向に既知の位置を持
つ較正面２２を設ける。第１図に示す例では既知
の角度を持つ傾斜面とした場合を示す。較正面２
２は例えば第２図に拡大して示すように角度θは
光ビーム６の反射方向の影響が無視できる程度に
小さい角度に選定し、Ａ点からＢ点までの間（こ
れを約５cmとする）で100μｍ程度の誤差を有す
るクサビ形のブロツクで構成することができる。
ブロツクは例えばCuで作ることができ、その表
面に光をよく反射させるAuをコートするとよい。
し、この基準面１から高さ方向に既知の位置を持
つ較正面２２を設ける。第１図に示す例では既知
の角度を持つ傾斜面とした場合を示す。較正面２
２は例えば第２図に拡大して示すように角度θは
光ビーム６の反射方向の影響が無視できる程度に
小さい角度に選定し、Ａ点からＢ点までの間（こ
れを約５cmとする）で100μｍ程度の誤差を有す
るクサビ形のブロツクで構成することができる。
ブロツクは例えばCuで作ることができ、その表
面に光をよく反射させるAuをコートするとよい。
試料１７に対して描画を始める前に位置検出器
５の較正を行なう。この較正を行なうために較正
面２２に光源４からの光ビーム６が照射されるよ
うにステージ１８を移動させる。その反射光をレ
ンズ８で集光し位置検出器５に光ビーム６を入射
させる。
５の較正を行なう。この較正を行なうために較正
面２２に光源４からの光ビーム６が照射されるよ
うにステージ１８を移動させる。その反射光をレ
ンズ８で集光し位置検出器５に光ビーム６を入射
させる。
ステージ１８を第３Ａ図に示すように一定量ず
つ移動させることにより較正面２２は第３図Ｂに
示すようにステージ１８の移動量に比例した量だ
け高さ位置を変更する。
つ移動させることにより較正面２２は第３図Ｂに
示すようにステージ１８の移動量に比例した量だ
け高さ位置を変更する。
較正面２２の高さ位置が変化することにより位
置検出器５に対するレーザ光６の入射点位置が変
化する。光の入射点位置が変化することにより位
置検出器５の電流出力I1とI2の値が変化し、各入
射点において較正面２２の各部の位置を測定す
る。
置検出器５に対するレーザ光６の入射点位置が変
化する。光の入射点位置が変化することにより位
置検出器５の電流出力I1とI2の値が変化し、各入
射点において較正面２２の各部の位置を測定す
る。
位置検出器５から出力される二つの電流I1とI2
はアナログ演算器１０に与えられる。アナログ除
算器１０は第７図で説明したのと同じように電流
−電圧変換器と、加算器、減算器及びアナログ除
算器等によつて構成することができる。
はアナログ演算器１０に与えられる。アナログ除
算器１０は第７図で説明したのと同じように電流
−電圧変換器と、加算器、減算器及びアナログ除
算器等によつて構成することができる。
アナログ除算器１０から電流I1＋I2とI1−I2の
比I1−I2／I1＋I2に対応した電圧信号Voが出力さ
れる。電圧信号VoはAD変換器１５において第３
図Ｃに示すタイミングでデイジタル信号に変換さ
れる。デイジタル信号は制御器１６に取り込まれ
る。制御器１６には較正面２２の高さ位置を算出
する較正面位置算出手段１６Ａを設け、この較正
面位置算出手段１６Ａで、較正面２２の一定ステ
ツプ毎の高さを算出する。
比I1−I2／I1＋I2に対応した電圧信号Voが出力さ
れる。電圧信号VoはAD変換器１５において第３
図Ｃに示すタイミングでデイジタル信号に変換さ
れる。デイジタル信号は制御器１６に取り込まれ
る。制御器１６には較正面２２の高さ位置を算出
する較正面位置算出手段１６Ａを設け、この較正
面位置算出手段１６Ａで、較正面２２の一定ステ
ツプ毎の高さを算出する。
較正面２２の各部の位置を算出すると、その複
数の算出値を補正値算出手段１６Ｂに転送し、こ
の補正値算出手段１６Ｂにおいて複数の算出値に
例えば最小２乗法を施してｙ＝axなる一次関数
の係数ａを算出する。ｙは高さ、ｘはステージの
移動距離である。この補正係数ａを補正手段２３
にセツトする。補正手段２３はデイジタル乗算器
によつて構成することができ、試料１７の面の位
置を検出したAD変換データに補正係数ａを乗算
し、その乗算値を試料の面位置取込手段１６Ｃに
取込んで描画位置の修正に用いる。
数の算出値を補正値算出手段１６Ｂに転送し、こ
の補正値算出手段１６Ｂにおいて複数の算出値に
例えば最小２乗法を施してｙ＝axなる一次関数
の係数ａを算出する。ｙは高さ、ｘはステージの
移動距離である。この補正係数ａを補正手段２３
にセツトする。補正手段２３はデイジタル乗算器
によつて構成することができ、試料１７の面の位
置を検出したAD変換データに補正係数ａを乗算
し、その乗算値を試料の面位置取込手段１６Ｃに
取込んで描画位置の修正に用いる。
「発明の作用効果」
以上説明したようにこの発明によれば位置検出
器５の検出特性が非直線特性であつても、その非
直線性を較正により直線化補正し、その直線化補
正された状態で試料１７上の描画位置の高さを検
出するから試料１７上の面の高さ位置を正確に測
定することができる。
器５の検出特性が非直線特性であつても、その非
直線性を較正により直線化補正し、その直線化補
正された状態で試料１７上の描画位置の高さを検
出するから試料１７上の面の高さ位置を正確に測
定することができる。
この結果試料１７の高さが変わつたことを正確
に測定しながら回路パターンの描画を行なうこと
ができるため荷電粒子ビームの偏向に補正を掛け
る際に、その補正を正確に行なうことができる。
よつて回路パターンを正確に描画することができ
る。
に測定しながら回路パターンの描画を行なうこと
ができるため荷電粒子ビームの偏向に補正を掛け
る際に、その補正を正確に行なうことができる。
よつて回路パターンを正確に描画することができ
る。
「変形実施例」
尚上述では較正面２２として一連の傾斜面とし
た場合を説明したが、第４図に示すようにステツ
プ状に較正面２２Ａ，２２Ｂ…２２ｍを配列した
形状にすることもできる。
た場合を説明したが、第４図に示すようにステツ
プ状に較正面２２Ａ，２２Ｂ…２２ｍを配列した
形状にすることもできる。
また上述では較正を行なう場合、ステージ１８
を一定量ずつステツプ状に移動させた場合を説明
したが、一定の速度で連続的に移動させるように
してもよい。
を一定量ずつステツプ状に移動させた場合を説明
したが、一定の速度で連続的に移動させるように
してもよい。
この場合にはレーザ測長系から一定距離毎に信
号を発生させ、この信号を利用してAD変換動作
を行なわせるように構成すればよい。
号を発生させ、この信号を利用してAD変換動作
を行なわせるように構成すればよい。
またステージ１８の移動速度を高速化するため
にはAD変換器１５の前段にサンプルホールド回
路を設け、AD変換器がAD変換動作中でも次の
サンプルをサンプルホールドできるように構成す
れば、高速化が可能である。
にはAD変換器１５の前段にサンプルホールド回
路を設け、AD変換器がAD変換動作中でも次の
サンプルをサンプルホールドできるように構成す
れば、高速化が可能である。
また上述では補正係数ａを補正手段２３に設定
し、この補正手段２３において試料１６の面の位
置データに補正係数ａを乗算して補正する方法を
説明したが、他の方法として例えば補正手段２３
としてRAMを用い、このRAMにステージの移
動位置ｘをアドレスに対応させ、各アドレスに高
さの補正された値y1，y2，y3，y4…yoを記憶さ
せ、ステージの各移動位置において高さのデータ
y1〜yoを直接読出すように構成することもでき
る。
し、この補正手段２３において試料１６の面の位
置データに補正係数ａを乗算して補正する方法を
説明したが、他の方法として例えば補正手段２３
としてRAMを用い、このRAMにステージの移
動位置ｘをアドレスに対応させ、各アドレスに高
さの補正された値y1，y2，y3，y4…yoを記憶さ
せ、ステージの各移動位置において高さのデータ
y1〜yoを直接読出すように構成することもでき
る。
また他の方法としてはステージの各移動位置毎
に補正係数a1，a2，a3，a4…aoを求めてRAMに
書込んでおき、補正係数a1〜aoをステージの移動
位置に対応したアドレスで読出し、その読出され
た補正係数をAD変換されたデータに乗算するよ
うに構成することもできる。
に補正係数a1，a2，a3，a4…aoを求めてRAMに
書込んでおき、補正係数a1〜aoをステージの移動
位置に対応したアドレスで読出し、その読出され
た補正係数をAD変換されたデータに乗算するよ
うに構成することもできる。
第１図はこの発明の一実施例を説明するための
ブロツク図、第２図はこの発明に用いる較正面の
形状を説明するための側面図、第３図はこの発明
の動作を説明するための波形図、第４図はこの発
明に用いる較正面の他の形状を説明するための側
面図、第５図は高さ方向の位置を検出する手段を
説明するための側面図、第６図は面位置検出器を
説明するための側面図、第７図は従来の面位置検
出器を説明するためのブロツク図である。 １：基準面、４：光源、５：位置検出器、６：
光ビーム、１６Ａ：較正面位置算出手段、１６
Ｂ：補正値算出手段、１６Ｃ：面位置取込手段、
２２：較正面、２３：補正手段。
ブロツク図、第２図はこの発明に用いる較正面の
形状を説明するための側面図、第３図はこの発明
の動作を説明するための波形図、第４図はこの発
明に用いる較正面の他の形状を説明するための側
面図、第５図は高さ方向の位置を検出する手段を
説明するための側面図、第６図は面位置検出器を
説明するための側面図、第７図は従来の面位置検
出器を説明するためのブロツク図である。 １：基準面、４：光源、５：位置検出器、６：
光ビーム、１６Ａ：較正面位置算出手段、１６
Ｂ：補正値算出手段、１６Ｃ：面位置取込手段、
２２：較正面、２３：補正手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ａ 基準面から高さ方向に既知の位置を持つ
複数の較正用面と、 Ｂ この較正面に光ビームを照射する光源と、 Ｃ 二つの電流取出電極を有し、この二つの電流
取出電極の間の任意位置に上記較正用面で反射
した光ビームを受光し、その受光点から上記二
つの電流取出電極までの距離に逆比例した値を
持つ電流を上記二つの電流取出電極から出力す
る位置検出器と、 Ｄ この位置検出器から得られる二つの電流値か
ら上記較正面の位置を算出する較正面位置算出
手段と、 Ｅ この較正面位置算出手段で算出した上記較正
面の値から上記位置検出器の非直線特性を直線
化補正するための補正値を求める補正値算出手
段と、 Ｆ この補正値算出手段で算出した補正値により
試料の面の位置を補正する補正手段と、 を具備してなる面位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038884A JPS62195504A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 面位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038884A JPS62195504A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 面位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195504A JPS62195504A (ja) | 1987-08-28 |
| JPH0565001B2 true JPH0565001B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=12537634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61038884A Granted JPS62195504A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 面位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62195504A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6488302A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Omron Tateisi Electronics Co | Position detecting device |
| JPH01109057A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Fanuc Ltd | デジタイジング方法 |
| JP2603317B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1997-04-23 | 川崎製鉄株式会社 | レーザ距離計及びレーザ距離計を用いた厚さ計の校正方法 |
| JPH02241021A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 電子ビーム露光装置の描画誤差補正方法 |
| EP0505717B1 (de) * | 1991-03-25 | 1998-07-29 | Heidelberger Druckmaschinen Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Messung von Distanzen |
| JP4892890B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2012-03-07 | 横浜ゴム株式会社 | 空気入りタイヤ |
| EP1798516A1 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-20 | Aktiebolaget SKF | Method for generating a relation between an output signal of a distance gauge and a distance between the distance gauge and a measuring surface of a mechanical element |
| JP4914732B2 (ja) * | 2007-02-07 | 2012-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | レール変位量測定方法およびレール変位量測定装置 |
| JP5439224B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-03-12 | 株式会社ミツトヨ | 基準器およびそれを用いた検査方法 |
| JP6071302B2 (ja) * | 2012-07-26 | 2017-02-01 | オリンパス株式会社 | キャリブレーション装置およびプログラム |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP61038884A patent/JPS62195504A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62195504A (ja) | 1987-08-28 |
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