JPS5940452A - 電子ビ−ム装置 - Google Patents

電子ビ−ム装置

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JPS5940452A
JPS5940452A JP57150406A JP15040682A JPS5940452A JP S5940452 A JPS5940452 A JP S5940452A JP 57150406 A JP57150406 A JP 57150406A JP 15040682 A JP15040682 A JP 15040682A JP S5940452 A JPS5940452 A JP S5940452A
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JP
Japan
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data
analysis
electron beam
voltage
correction
Prior art date
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JP57150406A
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JPH0212379B2 (ja
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Akio Ito
昭夫 伊藤
Yoshiaki Goto
後藤 善朗
Toshihiro Ishizuka
俊弘 石塚
Yasuo Furukawa
古川 泰男
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/266Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
    • H01J37/268Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)9発明の技術分野 本発明はエネルギー分析電圧の変更があっても電子ビー
ム位置が移動しないようにした電子ビーム装置に関する
(2)、技術の背景 集積回路のA(配線電圧を測定する手段として、走を形
電子顕微鏡がある。この走青形電子顕微伊ではエネルギ
ー分析器が用いられているが、その分析電圧の変更によ
って電子ビームの照射位置が変化してしまうという不具
合があり、上述のM配線電圧の測定に望ましくない影響
を与えるので、これを解決しうる技術的手段の開発が要
望されている。
(3)、従来技術と問題点 走葺形電子顕微鍵において、そのエネルギー分析器aの
分析グリッドbにDACcから供給される分析電圧に変
更がある(第1図参照)と、電子ビーム通路の電界分布
が変わυ、分析電圧の変更前には実線の如く電子ビーム
が照射されていた(第1図参照)のが、分析電圧の変更
後には点線の如く電子ビームが照射されるようになる。
このような電子ビームの位置移動量は、特に低加速電圧
の場合には10〜20μmにも及ぶ。それにより、2次
電子検知器dへ至る2次電子量も変わって来る。その結
果として、第2図の点線の如きエネルギー分析曲線であ
るべきものが第2図の実線で示す如きエネルギー分析曲
線となシ、測定電圧に誤差を導入してしまうことになる
(4)0発明の目的 本発明は上述の如き従来装置の有する欠点に鑑みて創案
されたもので、その目的はエネルギー分析電圧を変更し
ても電子ビームを所定の位置に照射させうる電子ビーム
装置を提供することにある。
(5)1発明の構成 そして、この目的は偏向器を含む電子光学鏡筒と、エネ
ルギー分析器を有する電子ビーム装置において、上記エ
ネルギー分析器の分析電圧を変更したときに生ずる電子
ビーム照射位置のずれを補正する補正量を、上記偏向器
への偏向データ及び分析電圧データに応答して補正デー
タから、発生する補正回路を設け、その補正量だけ上記
偏向器へ供給される偏向信号量を修正することによって
達成される。
(6)0発明の実施例 以下、添付図面を参照しながら、本発明の詳細な説明す
る。
第3図は本発明の一実施例を示す。1はその全体を図示
しない走査形電子顕微鏡の偏向器で、この偏向器lによ
って電子ビーム2は掃引されて集積回路等の試料3上に
照射される。4はXYステージである。5は試料3がら
放出される2次電子で、2次電子を検知するのがエネル
ギー分析器6を構成する2次電子検知器7である。
エネルギー分析器6を構成する分析グリッド8は分析電
圧DAC9の出力へ接続されている。
DAC9へ分析電圧データを供給する線1oは補正回路
11へ接続されている。この補正回路11は又、偏向デ
ータ1DAc 12へ供給する線13へ接続されている
。補正回路11は詳細を後述する補正データを記憶する
補正データ記憶装置11aと、補正データ記憶装置11
aから上述偏向器1への偏向データ及び分析電圧データ
に応じて補正データを読出す読出し回路llbと、読出
し回路11bの出力へ接続されたDAClleとから成
る。
DAC12及びllcの出力は加算増幅器14へ接続さ
れ、増幅器14の出力は電流増幅器15を介して偏向器
1へ接続されている。
第4図を参照して、補正データの作成回路を説明する。
16はマーク検出回路で、これはDAC9,12へ接続
される出力、ADC17に介して2次電子検知器7へ接
続される入力、並びにマーク座標出力を有する。マーク
検出回路16のマーク座標出力は記憶装置17へ接続さ
れ、その記憶装装置17は又基準分析データ供給装置(
図示せず)が接続されている。記憶装置17は演算回路
18を経て補正データ記憶装置11aへ接続されている
。その他の構成要素に付されている参照番号が第3図の
構成要素に付された参照番号と同一であるものは第3図
の構成要素と同一である。
次に、上述構成の本発明装置の動作を説明する。
本発明装置による集積回路のM配線電圧の測定に先立っ
て、補正データが作成されるが、それは次のようにして
作成される。
第5図に示されるよりなnxn個のマークM(第5図で
はn=4)を有する標準試料3がXYステージ4上に置
かれる。そして、マーク検出回路16からDAC9’i
介してステップ状に変えられる分析電圧が分析グリッド
8に印加される。その各分析電圧データに毎に、マーク
検出回路16からマーク検出走置データ■1jがDAC
12へ供給され、偏向器1によってマーク検出光量が第
5図に示すように生ぜしめられる。
この走査によって電子ビームが照射される各マークから
の2次電子が2次電子検知器7で検出され、その出力信
月からnxn個のマーク位置座標データ(Xlj−’!
、j)kが算出され、これらの座標が記憶装置17へ記
憶される。
一方、記憶装置17には基準分析データ供給装置(図示
せず)から基準分析データ(Xlj、ylj)4が予め
記憶されている。
これら両データが演算回路18へ供給されて次式で表わ
される補正データが算出される(第6図参照)。
(△x1j、Aylj)k=(xlj、ylj)k−(
xlj、ylj)k。
その補正データは補正データ記憶装置11aに記憶され
る。
このようにして、補正データが作成された後、被測定試
料3がXYステージ4に箇かれ、電子ビーム2が偏向器
1の制御の下に掃引される。
その電子ビームの掃引を生せしめる偏向信号は次のよう
にして発生される。
即ち、その掃引時に分析グリッド8へ印加される分析電
圧のための分析電圧データにと偏向データv1jが補正
回路11へ供給される。そして、これらのデータを下に
して補正データ記憶装置11aから補正データ(△X1
j、△ylj)kが読出され、このデータがDACII
(!で補正電圧△v1jへ変換されてDAC12からの
偏向電圧vljと加算増幅器14で加算される。その加
算信号が電流増幅器15を介して偏向器lへ供給される
従って、分析電圧が変更される場合に生せしめられる電
子ビーム位置のずれは、上記補正データ分だけの補正を
偏向信号に与えたことにより、相殺されることになるか
ら、分析電圧の変更によっても得られる分析曲線は従来
の如く第2図の笑線で示すような分析曲線ではなく、第
2図の点線で示すような分析曲線となる。従って、集積
回路のような被測定試料のM配線電圧の測定において分
析電圧の変更に伴って入る誤差成分を除去しうる。
上記実施例においては、DAC12とDACitcとの
アナログ電圧を加p−増幅器14でカロ算する栴成例を
示しているが、偏向データと補正データと全ディジタル
的に加pルた後、そのディジタル値1DAcへ供給する
ように構成してもよい。
(7)1発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、分析電圧の変更に
よる電子ビーム位置のずれの補正に際して、分析電圧の
値のみならず、電子ビームの場所的なファクタを考慮に
入れているから、集積回路のような被測定試料のM配線
電圧の測定に入る誤差を排除してその測定を高精度でな
しうる等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は分析電圧の変更によって霜、子ビーム位置に生
ずるずれを図解する図、第2図は第1図1に示す現象を
グラフ化した図、第3図は本発明の一実施例を示す図、
第4図は補正データ作成回路図、第5図はマーク検出短
音を図解する図、第6図は第5図のマーク(1,2)に
おける分析電圧に対するずれfを表わすグラフである。 M中、1は偏向器、6はエネルギー分析器、9はDAC
,11は補正回路、12はI)AC,14は加p増幅器
、15は電流増幅器である。 特許出願人 富士通株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)偏向器を含む電子光学鏡筒と、エネルギー分析器を
    有する電子ビーム装置において、上記エネルギー分析器
    の分析電圧を変更したときに生ずる電子ビーム照射位置
    のずれを補正する補正量を、上記偏向器への偏向データ
    及び分析電圧データに応答して補正データから、発生す
    る補正回路を設け、その補正量だけ上記偏向器へ供給さ
    れる偏向信号量をイー正するように抱成したことを4′
    f、徴とする電子ビーム装置。 2)上記補正回路は、上記エネルギー分析器へ供給され
    る分析電圧において検出される標準試料のマーク位置座
    標と、基準分析電圧において検出されるマーク位置座標
    との差を補正データとして記憶する記憶装置と、上記偏
    向器への偏向データ及び分析電圧データに応答して上記
    記憶装置から補正データを読出し、これを補正量に変換
    する回路とよシ成ることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の電子ビーム装置。
JP57150406A 1982-08-30 1982-08-30 電子ビ−ム装置 Granted JPS5940452A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57150406A JPS5940452A (ja) 1982-08-30 1982-08-30 電子ビ−ム装置

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JP57150406A JPS5940452A (ja) 1982-08-30 1982-08-30 電子ビ−ム装置

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Publication Number Publication Date
JPS5940452A true JPS5940452A (ja) 1984-03-06
JPH0212379B2 JPH0212379B2 (ja) 1990-03-20

Family

ID=15496262

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JP57150406A Granted JPS5940452A (ja) 1982-08-30 1982-08-30 電子ビ−ム装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61156627A (ja) * 1984-12-27 1986-07-16 Toshiba Corp 試料電圧測定装置
WO2006082714A1 (ja) * 2005-02-02 2006-08-10 Shimadzu Corporation 走査ビーム照射装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS514797A (ja) * 1974-05-30 1976-01-16 Sheldahl Inc
JPS55110908A (en) * 1979-02-21 1980-08-27 Hitachi Ltd Measuring device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS514797A (ja) * 1974-05-30 1976-01-16 Sheldahl Inc
JPS55110908A (en) * 1979-02-21 1980-08-27 Hitachi Ltd Measuring device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61156627A (ja) * 1984-12-27 1986-07-16 Toshiba Corp 試料電圧測定装置
WO2006082714A1 (ja) * 2005-02-02 2006-08-10 Shimadzu Corporation 走査ビーム照射装置

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